JPH07283543A - 混成回路基板 - Google Patents
混成回路基板Info
- Publication number
- JPH07283543A JPH07283543A JP6090525A JP9052594A JPH07283543A JP H07283543 A JPH07283543 A JP H07283543A JP 6090525 A JP6090525 A JP 6090525A JP 9052594 A JP9052594 A JP 9052594A JP H07283543 A JPH07283543 A JP H07283543A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- hybrid circuit
- circuit board
- thin film
- protective sheet
- resistance
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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- Parts Printed On Printed Circuit Boards (AREA)
- Production Of Multi-Layered Print Wiring Board (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 基板全体の厚みを増やすことなく、また、工
程数の増加によるコストアップを招くことなく、抵抗値
などの性能の経時的安定性を大幅に改善できるようにす
る。 【構成】 絶縁性基材４Ａ，４Ｂ間に薄膜抵抗素子など
の薄膜酸化物系素子１が介在されてなる混成回路基板に
おける絶縁性基材４Ａ，４Ｂの表面に、外気を遮断可能
な保護シート５Ａ，５Ｂを積層させたものである。
程数の増加によるコストアップを招くことなく、抵抗値
などの性能の経時的安定性を大幅に改善できるようにす
る。 【構成】 絶縁性基材４Ａ，４Ｂ間に薄膜抵抗素子など
の薄膜酸化物系素子１が介在されてなる混成回路基板に
おける絶縁性基材４Ａ，４Ｂの表面に、外気を遮断可能
な保護シート５Ａ，５Ｂを積層させたものである。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、電子部品の高密度実
装を実現するために基板内に抵抗体やコンデンサなどの
薄膜酸化物系素子を内蔵させてなる混成回路基板に関す
るもので、詳しくは、薄膜酸化物系素子の経時的安定性
を付与する技術に関するものである。
装を実現するために基板内に抵抗体やコンデンサなどの
薄膜酸化物系素子を内蔵させてなる混成回路基板に関す
るもので、詳しくは、薄膜酸化物系素子の経時的安定性
を付与する技術に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】この種の混成回路基板においては、例え
ば特開平３−５４８５３号公報などに開示されているよ
うに、内蔵抵抗の小型化などのために、高シート抵抗値
を有する、例えばＳｎＯ2 などの金属酸化物系素子が用
いられる。ところが、金属酸化物系素子は空気中の酸素
吸着による素子表面の不導体化などの理由により、使用
中に外気の影響を受けやすく、後述の表１でも明らかな
ように、抵抗値が経時的に大きく変化するという問題が
ある。
ば特開平３−５４８５３号公報などに開示されているよ
うに、内蔵抵抗の小型化などのために、高シート抵抗値
を有する、例えばＳｎＯ2 などの金属酸化物系素子が用
いられる。ところが、金属酸化物系素子は空気中の酸素
吸着による素子表面の不導体化などの理由により、使用
中に外気の影響を受けやすく、後述の表１でも明らかな
ように、抵抗値が経時的に大きく変化するという問題が
ある。
【０００３】従来、上記のような外気の影響にともなう
抵抗値の経時的な変化に対処させる手段として、 （１）支持基材である絶縁性基材の厚みを大きくした
り、金属酸化物系素子上にエポキシ樹脂系保護コーティ
ングを施すなどの保護強化手段 （２）外気の影響を受けやすい素子の欠陥等の不安定要
素を除去するためにエージング処理を施す手段 などが採用されていた。
抵抗値の経時的な変化に対処させる手段として、 （１）支持基材である絶縁性基材の厚みを大きくした
り、金属酸化物系素子上にエポキシ樹脂系保護コーティ
ングを施すなどの保護強化手段 （２）外気の影響を受けやすい素子の欠陥等の不安定要
素を除去するためにエージング処理を施す手段 などが採用されていた。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】上記した従来の手段の
うち、前者（１）の保護強化手段の場合は、基板全体の
厚みが大きくなり、薄型化、小型化が要求される混成回
路基板として好ましくない上に、工程数が増加して、製
造コストアップを招くという問題があり、また、後者
（２）のエージング処理手段の場合も、工程数の増加に
ともなう製造コストの増大にもかかわらず、外気を完全
に遮断することができず、抵抗値の長期安定性を確保す
ることができないという問題があった。
うち、前者（１）の保護強化手段の場合は、基板全体の
厚みが大きくなり、薄型化、小型化が要求される混成回
路基板として好ましくない上に、工程数が増加して、製
造コストアップを招くという問題があり、また、後者
（２）のエージング処理手段の場合も、工程数の増加に
ともなう製造コストの増大にもかかわらず、外気を完全
に遮断することができず、抵抗値の長期安定性を確保す
ることができないという問題があった。
【０００５】この発明は上記したような従来の課題を解
消するためになされたもので、基板全体の厚みをほとん
ど増やすことなく、また、工程数の増加による製造コス
トの増大を招くことなく、外気の影響による抵抗値など
性能の経時的安定性を確保することができる混成回路基
板を提供することを目的としている。
消するためになされたもので、基板全体の厚みをほとん
ど増やすことなく、また、工程数の増加による製造コス
トの増大を招くことなく、外気の影響による抵抗値など
性能の経時的安定性を確保することができる混成回路基
板を提供することを目的としている。
【０００６】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、この発明に係る混成回路基板は、絶縁性基材間に薄
膜酸化物系素子を介在させてなるものにおいて、上記各
絶縁性基材の外面にそれぞれ外気を遮断可能な保護シー
トを積層したものである。
に、この発明に係る混成回路基板は、絶縁性基材間に薄
膜酸化物系素子を介在させてなるものにおいて、上記各
絶縁性基材の外面にそれぞれ外気を遮断可能な保護シー
トを積層したものである。
【０００７】上記混成回路基板における上記薄膜酸化物
系素子は薄膜抵抗素子である。
系素子は薄膜抵抗素子である。
【０００８】また、上記混成回路基板における上記保護
シートは、金属箔もしくは有機フィルムのいずれであっ
てもよい。
シートは、金属箔もしくは有機フィルムのいずれであっ
てもよい。
【０００９】
【作用】この発明によれば、外気を保護シートにより遮
断することが可能であるため、薄膜酸化物系素子の抵抗
値などの性能の経時的な変化がなくて、長期間にわたり
抵抗値等の性能を安定よく保持することができる。ま
た、保護シートは薄いものでよく、かつ、この保護シー
トは通常の基板積層工程時に同時に接合することが可能
であり、したがって、基板全体の厚みをほとんど増やす
ことなく、工程数も増加させることなく、抵抗値などの
長期安定性を確保することができる。
断することが可能であるため、薄膜酸化物系素子の抵抗
値などの性能の経時的な変化がなくて、長期間にわたり
抵抗値等の性能を安定よく保持することができる。ま
た、保護シートは薄いものでよく、かつ、この保護シー
トは通常の基板積層工程時に同時に接合することが可能
であり、したがって、基板全体の厚みをほとんど増やす
ことなく、工程数も増加させることなく、抵抗値などの
長期安定性を確保することができる。
【００１０】
【実施例】以下、この発明の実施例を図面にもとづいて
説明する。 第１実施例：図１は、この発明の第１実施例による抵抗
内蔵多層配線樹脂基板の断面構造図であり、同図におい
て、１は薄膜酸化物系素子の一例としての薄膜抵抗素子
であり、Ｓｎ０2 系（Ｉｎ，Ｓｂ，Ｆドープ）酸化物か
らなる。２はアルミニウムからなる金属配線導体であ
り、これら両者１，２によって抵抗回路網３が形成され
ている。４Ａ，４Ｂは上記抵抗回路網３の両面に積層し
てなるガラスエポキシ樹脂からなる絶縁性樹脂基材であ
り、これら絶縁性樹脂基材４Ａ，４Ｂの外面にはそれぞ
れ上記抵抗回路網３を完全に覆う大きさで、例えばＣｕ
箔などの金属箔からなる保護シート５Ａ，５Ｂが積層さ
れている。６Ａ，６Ｂは上記保護シート５Ａ，５Ｂの外
面に絶縁性樹脂基材７Ａ，７Ｂを介して積層されたＣｕ
製の最外層配線パターンで、これら最外層配線パターン
６Ａ，６ＢはＣｕメッキからなるスルホール８，８を介
して上記抵抗回路網３に電気的に接続されており、上記
保護シート５Ａ，５Ｂはスルホール８，８と接触しない
ように接合されている。
説明する。 第１実施例：図１は、この発明の第１実施例による抵抗
内蔵多層配線樹脂基板の断面構造図であり、同図におい
て、１は薄膜酸化物系素子の一例としての薄膜抵抗素子
であり、Ｓｎ０2 系（Ｉｎ，Ｓｂ，Ｆドープ）酸化物か
らなる。２はアルミニウムからなる金属配線導体であ
り、これら両者１，２によって抵抗回路網３が形成され
ている。４Ａ，４Ｂは上記抵抗回路網３の両面に積層し
てなるガラスエポキシ樹脂からなる絶縁性樹脂基材であ
り、これら絶縁性樹脂基材４Ａ，４Ｂの外面にはそれぞ
れ上記抵抗回路網３を完全に覆う大きさで、例えばＣｕ
箔などの金属箔からなる保護シート５Ａ，５Ｂが積層さ
れている。６Ａ，６Ｂは上記保護シート５Ａ，５Ｂの外
面に絶縁性樹脂基材７Ａ，７Ｂを介して積層されたＣｕ
製の最外層配線パターンで、これら最外層配線パターン
６Ａ，６ＢはＣｕメッキからなるスルホール８，８を介
して上記抵抗回路網３に電気的に接続されており、上記
保護シート５Ａ，５Ｂはスルホール８，８と接触しない
ように接合されている。
【００１１】図１に示すような構成の抵抗内蔵多層配線
樹脂基板は次のように製造される。すなわち、Ｓｎ０2
系酸化物からなる薄膜抵抗素子１を、アルミニウムから
なる厚み４０μｍの金属配線導体２上の片面に成膜した
後、ガラスエポキシ樹脂からなる絶縁性樹脂基材４Ａの
片側面に接合する一方、そのガラスエポキシ樹脂からな
る絶縁性樹脂基材４Ａの他側面に、例えば厚みが１８μ
ｍのＣｕ箔からなる保護シート５Ａを接合し積層する。
ここで、上記Ｓｎ０2 系酸化物からなる薄膜抵抗素子１
は、金属アルコキシド溶液などのコーティング、焼成か
らなるゾルーゲル法によって成膜する。また、積層は、
ガラスエポキシプリプレグの熱間プレス接着といった一
般的な方法が採用される。
樹脂基板は次のように製造される。すなわち、Ｓｎ０2
系酸化物からなる薄膜抵抗素子１を、アルミニウムから
なる厚み４０μｍの金属配線導体２上の片面に成膜した
後、ガラスエポキシ樹脂からなる絶縁性樹脂基材４Ａの
片側面に接合する一方、そのガラスエポキシ樹脂からな
る絶縁性樹脂基材４Ａの他側面に、例えば厚みが１８μ
ｍのＣｕ箔からなる保護シート５Ａを接合し積層する。
ここで、上記Ｓｎ０2 系酸化物からなる薄膜抵抗素子１
は、金属アルコキシド溶液などのコーティング、焼成か
らなるゾルーゲル法によって成膜する。また、積層は、
ガラスエポキシプリプレグの熱間プレス接着といった一
般的な方法が採用される。
【００１２】次いで、フォトリソグラフィ技術により抵
抗回路網３を形成するとともに、後に形成されるスルホ
ール８，８のＣｕメッキにに対して絶縁されるように、
Ｃｕ箔などの金属箔からなる保護シート５Ａのエッチン
グを行なう。なお、ここで上記金属箔を予めスルホール
８，８のＣｕメッキに対し絶縁できるような形状に加工
しておく場合は、エッチングを省略してもよい。
抗回路網３を形成するとともに、後に形成されるスルホ
ール８，８のＣｕメッキにに対して絶縁されるように、
Ｃｕ箔などの金属箔からなる保護シート５Ａのエッチン
グを行なう。なお、ここで上記金属箔を予めスルホール
８，８のＣｕメッキに対し絶縁できるような形状に加工
しておく場合は、エッチングを省略してもよい。
【００１３】上記のような工程を経て作成された基板の
保護シート５Ａ側には、ガラスエポキシ樹脂からなる絶
縁性樹脂基材７Ａ、最外層配線パターン６Ａの順に、ま
た、他側には、絶縁性樹脂基材４Ｂ、Ｃｕ箔などの金属
箔からなる保護シート５Ｂの順に積層し、その保護シー
ト５Ｂを既にエッチングされた保護シート５Ａと対称と
なるようにエッチングする。さらに、最外層配線パター
ンのない側にガラスエポキシ樹脂からなる絶縁性樹脂基
材７Ｂ、最外層配線パターン６Ｂの順に積層した後、ス
ルホール８，８の加工を行ない、最後に、最外層配線パ
ターン６Ａ，６Ｂをエッチングにより形成する。
保護シート５Ａ側には、ガラスエポキシ樹脂からなる絶
縁性樹脂基材７Ａ、最外層配線パターン６Ａの順に、ま
た、他側には、絶縁性樹脂基材４Ｂ、Ｃｕ箔などの金属
箔からなる保護シート５Ｂの順に積層し、その保護シー
ト５Ｂを既にエッチングされた保護シート５Ａと対称と
なるようにエッチングする。さらに、最外層配線パター
ンのない側にガラスエポキシ樹脂からなる絶縁性樹脂基
材７Ｂ、最外層配線パターン６Ｂの順に積層した後、ス
ルホール８，８の加工を行ない、最後に、最外層配線パ
ターン６Ａ，６Ｂをエッチングにより形成する。
【００１４】なお、上記の第１実施例においては、最外
層配線パターン６Ａ，６Ｂと保護シート５Ａ，５Ｂとを
別々に形成したものについて説明したが、抵抗回路網３
を覆うに十分な面積を確保して、外気の遮断効果が十分
に得られるのであれば、最外層配線パターン６Ａ，６Ｂ
と保護シート５Ａ，５Ｂとを兼用してもよい。即ち、同
一の層で配線パターンと外気遮断保護機能を達成させて
もよい。
層配線パターン６Ａ，６Ｂと保護シート５Ａ，５Ｂとを
別々に形成したものについて説明したが、抵抗回路網３
を覆うに十分な面積を確保して、外気の遮断効果が十分
に得られるのであれば、最外層配線パターン６Ａ，６Ｂ
と保護シート５Ａ，５Ｂとを兼用してもよい。即ち、同
一の層で配線パターンと外気遮断保護機能を達成させて
もよい。
【００１５】上記第１実施例による抵抗内蔵多層配線樹
脂基板の試料と、従来のエポキシ樹脂系保護コーティン
グを施してなる試料と、１００℃で１００時間（ｈ）の
エージング処理を施してなる試料、並びに、特に安定化
対策を施していない一般的な構成をとる基板の試料それ
ぞれを、８５℃の熱風循環式恒温槽中において、内蔵抵
抗の抵抗値の経時変化を測定したところ、表１に示すよ
うな結果が得られた。なお、この表１中において、抵抗
変化率（％）は、 ｛（経過時間（ｈ）後の抵抗値−初期抵抗値）／初期抵
抗値｝×１００ で求められる。
脂基板の試料と、従来のエポキシ樹脂系保護コーティン
グを施してなる試料と、１００℃で１００時間（ｈ）の
エージング処理を施してなる試料、並びに、特に安定化
対策を施していない一般的な構成をとる基板の試料それ
ぞれを、８５℃の熱風循環式恒温槽中において、内蔵抵
抗の抵抗値の経時変化を測定したところ、表１に示すよ
うな結果が得られた。なお、この表１中において、抵抗
変化率（％）は、 ｛（経過時間（ｈ）後の抵抗値−初期抵抗値）／初期抵
抗値｝×１００ で求められる。
【００１６】
【表１】
【００１７】上記の表１からも明らかなように、従来の
（１）および（２）のいずれの対策によっても、Ｓｎ０
2 系酸化物からなる薄膜抵抗素子の経時的な抵抗変化が
大きくて、外気の影響による十分な保護効果が得られて
いないのに対して、本第１実施例によれば、１０００ｈ
経過後においても、±０．５％以内の抵抗変化に止まっ
ており、十分な保護効果を奏していることが分かった。
（１）および（２）のいずれの対策によっても、Ｓｎ０
2 系酸化物からなる薄膜抵抗素子の経時的な抵抗変化が
大きくて、外気の影響による十分な保護効果が得られて
いないのに対して、本第１実施例によれば、１０００ｈ
経過後においても、±０．５％以内の抵抗変化に止まっ
ており、十分な保護効果を奏していることが分かった。
【００１８】第２実施例：この第２実施例においては、
図１に示すような構成の抵抗内蔵多層配線樹脂基板にお
いて、保護シート５Ａ，５Ｂとして、ポリイミドフィル
ムを使用したものである。このポリイミドフィルムは、
絶縁性があるために、金属箔を用いた実施例１において
は必要であったスルホール８，８のＣｕメッキと保護シ
ート５Ａ，５Ｂとの接触に対する考慮が不要である。
図１に示すような構成の抵抗内蔵多層配線樹脂基板にお
いて、保護シート５Ａ，５Ｂとして、ポリイミドフィル
ムを使用したものである。このポリイミドフィルムは、
絶縁性があるために、金属箔を用いた実施例１において
は必要であったスルホール８，８のＣｕメッキと保護シ
ート５Ａ，５Ｂとの接触に対する考慮が不要である。
【００１９】また、ポリイミドフィルムは、例えばフレ
キシブル回路基板用の基材フィルムを使用することがで
き、積層時の接着強度を得るために、９０％ＮａＯＨ溶
液等による表面粗化の前処理を行なうか、もしくは、前
処理工程を不要にするためエポキシ樹脂コーティングポ
リイミドフィルムを使用してもよい。
キシブル回路基板用の基材フィルムを使用することがで
き、積層時の接着強度を得るために、９０％ＮａＯＨ溶
液等による表面粗化の前処理を行なうか、もしくは、前
処理工程を不要にするためエポキシ樹脂コーティングポ
リイミドフィルムを使用してもよい。
【００２０】
【発明の効果】以上のように、この発明によれば、外気
を遮断可能な保護シートを積層する構成とすることによ
り、内蔵された抵抗素子など薄膜酸化物系素子に対する
外気の影響を阻止して、抵抗値の経時的な変化などの性
能劣化を極力抑制し、長期間にわたる性能の安定性を大
幅に改善することができる。しかも、数μｍ程度の薄い
保護シートを用いればよく、また、この保護シートは通
常の基板積層工程時に同時に接合することが可能である
から、基板全体の厚みを増やしたり、工程数の増加によ
るコストアップを招くことなく、抵抗値など性能の長期
安定性を確保することができるという効果を奏する。
を遮断可能な保護シートを積層する構成とすることによ
り、内蔵された抵抗素子など薄膜酸化物系素子に対する
外気の影響を阻止して、抵抗値の経時的な変化などの性
能劣化を極力抑制し、長期間にわたる性能の安定性を大
幅に改善することができる。しかも、数μｍ程度の薄い
保護シートを用いればよく、また、この保護シートは通
常の基板積層工程時に同時に接合することが可能である
から、基板全体の厚みを増やしたり、工程数の増加によ
るコストアップを招くことなく、抵抗値など性能の長期
安定性を確保することができるという効果を奏する。
【図１】この発明の第１実施例による抵抗内蔵多層配線
樹脂基板の断面構造図である。
樹脂基板の断面構造図である。
１ 薄膜抵抗素子（薄膜酸化物系素子） ２ 金属配線導体 ３ 抵抗回路網 ４Ａ，４Ｂ 絶縁性樹脂基材 ５Ａ，５Ｂ 保護シート
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 西村 定 京都府京都市右京区花園土堂町10番地 オ ムロン株式会社内
Claims (4)
- 【請求項１】 絶縁性基材間に薄膜酸化物系素子を介在
させてなる混成回路基板において、上記各絶縁性基材の
外面にそれぞれ外気を遮断可能な保護シートが積層され
ていることを特徴とする混成回路基板。 - 【請求項２】 上記薄膜酸化物系素子が薄膜抵抗素子で
ある請求項１の混成回路基板。 - 【請求項３】 上記保護シートが金属箔からなる請求項
１または２の混成回路基板。 - 【請求項４】 上記保護シートが有機フィルムからなる
請求項１または２の混成回路基板。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6090525A JPH07283543A (ja) | 1994-04-04 | 1994-04-04 | 混成回路基板 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6090525A JPH07283543A (ja) | 1994-04-04 | 1994-04-04 | 混成回路基板 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07283543A true JPH07283543A (ja) | 1995-10-27 |
Family
ID=14000855
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6090525A Pending JPH07283543A (ja) | 1994-04-04 | 1994-04-04 | 混成回路基板 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07283543A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2004066375A1 (ja) * | 2003-01-23 | 2004-08-05 | Sony Corporation | 水蒸気酸化装置 |
| CN103338592A (zh) * | 2013-06-06 | 2013-10-02 | 苏州市三生电子有限公司 | 一种埋电阻及其制作工艺 |
-
1994
- 1994-04-04 JP JP6090525A patent/JPH07283543A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2004066375A1 (ja) * | 2003-01-23 | 2004-08-05 | Sony Corporation | 水蒸気酸化装置 |
| US7438872B2 (en) | 2003-01-23 | 2008-10-21 | Sony Corporation | Steam oxidation apparatus |
| CN103338592A (zh) * | 2013-06-06 | 2013-10-02 | 苏州市三生电子有限公司 | 一种埋电阻及其制作工艺 |
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