JPH0728015B2 - 読取り装置及びその製法 - Google Patents
読取り装置及びその製法Info
- Publication number
- JPH0728015B2 JPH0728015B2 JP60245578A JP24557885A JPH0728015B2 JP H0728015 B2 JPH0728015 B2 JP H0728015B2 JP 60245578 A JP60245578 A JP 60245578A JP 24557885 A JP24557885 A JP 24557885A JP H0728015 B2 JPH0728015 B2 JP H0728015B2
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- Japan
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- light
- passage hole
- photoconductor
- light passage
- common electrode
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Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、例えばファクシミリ装置の小型化を目指した
もので、実質上原稿と寸法的に1:1に対応させた光電変
換素子アレイを配置して成る密着型イメージセンサなど
の読取り装置に関するものである。更に、その製法に関
するものである。
もので、実質上原稿と寸法的に1:1に対応させた光電変
換素子アレイを配置して成る密着型イメージセンサなど
の読取り装置に関するものである。更に、その製法に関
するものである。
近時、密着型イメージセンサの開発が活発化しており、
この装置には原稿からの反射光を集束性ロッド・レンズ
・アレイを通して検知する型式やこのアレイを使わずに
優れた光量伝達率、小型化を達成する型式など種々検討
されている。
この装置には原稿からの反射光を集束性ロッド・レンズ
・アレイを通して検知する型式やこのアレイを使わずに
優れた光量伝達率、小型化を達成する型式など種々検討
されている。
第１図は集束性ロッド・レンズ・アレイを用いない密着
型読取り系を示す概略図であり、原稿１と寸法的に実質
上1:1に対応させた光検知部２が原稿１に密着し、発光
ダイオード３等の光源が原稿１を投光し、その反射光を
光検知部２で受光するものである。
型読取り系を示す概略図であり、原稿１と寸法的に実質
上1:1に対応させた光検知部２が原稿１に密着し、発光
ダイオード３等の光源が原稿１を投光し、その反射光を
光検知部２で受光するものである。
第２図及び第３図は光検知部２に相当する読取り装置で
あり、第３図は第２図中切断面線X-Xから見た断面図で
ある。
あり、第３図は第２図中切断面線X-Xから見た断面図で
ある。
即ち、光透過性の透明材料、例えばガラスから成る基板
４上には共通電極5a、5b・・・が間隔をあけてクロムや
アルミニウムなどが蒸着されて形成される。共通電極5
a、5b上には光導電体６が形成される。光導電体６上に
は、スズ−インジウム酸化物（ITO）などの光透過性の
透明材料から成る透明電極７がスパッタリングまたは蒸
着により形成される。透明電極７は各光電変換素子毎に
個別的に形成され、この電極７には引出し電極８が個別
に対応してクロムやアルミニウムなどが蒸着されて形成
される。最上部には、光透過性の透明材料、例えばガラ
スなどから成る保護層９が形成される。共通電極5a、5
b、光導電体６及び透明電極７には光通過孔10が形成さ
れる。
４上には共通電極5a、5b・・・が間隔をあけてクロムや
アルミニウムなどが蒸着されて形成される。共通電極5
a、5b上には光導電体６が形成される。光導電体６上に
は、スズ−インジウム酸化物（ITO）などの光透過性の
透明材料から成る透明電極７がスパッタリングまたは蒸
着により形成される。透明電極７は各光電変換素子毎に
個別的に形成され、この電極７には引出し電極８が個別
に対応してクロムやアルミニウムなどが蒸着されて形成
される。最上部には、光透過性の透明材料、例えばガラ
スなどから成る保護層９が形成される。共通電極5a、5
b、光導電体６及び透明電極７には光通過孔10が形成さ
れる。
また、基板４の背後には光源としての発光ダイオード3a
が配置され、保護層９の上方には原稿１が配置されて発
光ダイオード3aから基板４及び保護層９を経て原稿１へ
投光する。この反射光は光通過孔10近傍の透明電極７を
透過して光導電体６によって受光される。かくして各光
通過孔10近傍には光電変換素子が形成されてアレイ上に
配列された読取り装置となる。
が配置され、保護層９の上方には原稿１が配置されて発
光ダイオード3aから基板４及び保護層９を経て原稿１へ
投光する。この反射光は光通過孔10近傍の透明電極７を
透過して光導電体６によって受光される。かくして各光
通過孔10近傍には光電変換素子が形成されてアレイ上に
配列された読取り装置となる。
上記光検知部によれば、第４図〔4A〕〜〔4E〕の工程に
より形成される。即ち、〔4A〕においては基板４上に共
通電極５、光導電体６、透明電極７及び引出し電極８が
順次形成される。尚、11はレジスト膜である。次いで
〔4B〕において、光導電体６、例えばアモルファスシリ
コン膜をCF4ガスによってプラズマエッチングする。〔4
C〕においては、レジスト膜の除去後、再びフォトレジ
ストでパターン形成し、引出し電極８及び共通電極５を
エッチングし、受光部及び光通過孔（10）を形成する。
〔4D〕においては更にフォトレジストでパターン形成し
て再度光導電体６をエッチングし、共通電極５を光通過
孔10の側に突き出させる。最後に〔4E〕において、レジ
スト膜11及び個別極側の透明電極７の一部を除去する。
より形成される。即ち、〔4A〕においては基板４上に共
通電極５、光導電体６、透明電極７及び引出し電極８が
順次形成される。尚、11はレジスト膜である。次いで
〔4B〕において、光導電体６、例えばアモルファスシリ
コン膜をCF4ガスによってプラズマエッチングする。〔4
C〕においては、レジスト膜の除去後、再びフォトレジ
ストでパターン形成し、引出し電極８及び共通電極５を
エッチングし、受光部及び光通過孔（10）を形成する。
〔4D〕においては更にフォトレジストでパターン形成し
て再度光導電体６をエッチングし、共通電極５を光通過
孔10の側に突き出させる。最後に〔4E〕において、レジ
スト膜11及び個別極側の透明電極７の一部を除去する。
かくして得られた光検知部は第３図に示す通りとなる。
しかしながら、上記光検知部によれば、保護層９がSi
O2,Si-O-Nなどのガラスをスパッタリング法やプラズマC
VD法により形成されるのに際してこの被着面に凹凸があ
るためにステップカバレッジに劣り、光導電体６が露出
されやすくなっている。このために湿気や水分等により
共通電極５が電解腐蝕され、素子特性を劣化せしめてい
る。
O2,Si-O-Nなどのガラスをスパッタリング法やプラズマC
VD法により形成されるのに際してこの被着面に凹凸があ
るためにステップカバレッジに劣り、光導電体６が露出
されやすくなっている。このために湿気や水分等により
共通電極５が電解腐蝕され、素子特性を劣化せしめてい
る。
また、この保護層９の形成に伴って保護層９の表面にも
被着面の凹凸に応じた凹凸が形成される。従って保護層
９の凹部9aに汚れや埃が堆積し易くなり、このノイズ成
分に起因してS/N比を低下せしめていた。
被着面の凹凸に応じた凹凸が形成される。従って保護層
９の凹部9aに汚れや埃が堆積し易くなり、このノイズ成
分に起因してS/N比を低下せしめていた。
更にまた、製造工程中、光通過孔10に共通電極５の突出
し部を形成するため、光導電体６、共通電極５及び引出
し電極８をエッチングした後、再度光導電体のエッチン
グを行っていた。そのため光導電体６の光通過孔部は厚
み約２μm 1辺が約60μｍの凹部になっており、レジス
トコート及びマスクアライメントが困難となり、露光も
基板の裏側から行わなければならないという問題があっ
た。
し部を形成するため、光導電体６、共通電極５及び引出
し電極８をエッチングした後、再度光導電体のエッチン
グを行っていた。そのため光導電体６の光通過孔部は厚
み約２μm 1辺が約60μｍの凹部になっており、レジス
トコート及びマスクアライメントが困難となり、露光も
基板の裏側から行わなければならないという問題があっ
た。
しかも、CF4プラズマエッチングにより共通電極５、例
えば逆バイアス印加時においてクロムが腐蝕し易くなる
という問題もあり、更に、プラズマによりアモルファス
シリコン光導電体の特性が劣化するという問題もあっ
た。
えば逆バイアス印加時においてクロムが腐蝕し易くなる
という問題もあり、更に、プラズマによりアモルファス
シリコン光導電体の特性が劣化するという問題もあっ
た。
従って本発明の目的は叙上した問題をすべて解決するこ
とにあり、ノイズ成分を低減してS/N比を向上させ、高
性能の読取り装置を提供することにある。
とにあり、ノイズ成分を低減してS/N比を向上させ、高
性能の読取り装置を提供することにある。
本発明の他の目的は製造工程を簡略して製造歩留りを向
上させることにより製造コストの低減及び製造効率の向
上をねらった読取り装置の製法を提供することにある。
上させることにより製造コストの低減及び製造効率の向
上をねらった読取り装置の製法を提供することにある。
本発明によれば、基板の第１板面上に共通電極、光導電
体及び個別電極を順次形成し、この光導電体に光通過孔
を設けると共に、その光通過孔を一次元的に複数個形成
し、これら共通電極、個別電極及び光通過孔を覆うよう
に保護層を形成し、基板の第２板面側に光源を配置して
上記光通過孔を介して第１板面側の被検知体を投光し、
その反射光を光通過孔近傍の光導電体で受光して読取り
信号が得られるようにした読取り装置において、前記光
導電体の光通過孔に前記光源へ向かって先細りになるよ
うにテーパを形成したことを特徴とする。
体及び個別電極を順次形成し、この光導電体に光通過孔
を設けると共に、その光通過孔を一次元的に複数個形成
し、これら共通電極、個別電極及び光通過孔を覆うよう
に保護層を形成し、基板の第２板面側に光源を配置して
上記光通過孔を介して第１板面側の被検知体を投光し、
その反射光を光通過孔近傍の光導電体で受光して読取り
信号が得られるようにした読取り装置において、前記光
導電体の光通過孔に前記光源へ向かって先細りになるよ
うにテーパを形成したことを特徴とする。
更に本発明によれば、基板の第１板面上に一次元的に複
数個の光電変換素子を具備すると共に、この光電変換素
子の受光部に光通過孔を形成し、且つこの基板の第２板
面側に光源を配置して上記光通過孔を介して第１板面側
の被検知体を投光し、その反射光を各受光部で受光する
ようにした読取り装置の製法において、下記（Ａ）乃至
（Ｆ）工程により前記光通過孔に光源へ向かって先細り
のテーパを形成したことを特徴とする。
数個の光電変換素子を具備すると共に、この光電変換素
子の受光部に光通過孔を形成し、且つこの基板の第２板
面側に光源を配置して上記光通過孔を介して第１板面側
の被検知体を投光し、その反射光を各受光部で受光する
ようにした読取り装置の製法において、下記（Ａ）乃至
（Ｆ）工程により前記光通過孔に光源へ向かって先細り
のテーパを形成したことを特徴とする。
（Ａ）・・・基板の第１板面上に共通電極を形成する。
（Ｂ）・・・共通電極上に光導電体を形成する。
（Ｃ）・・・光通過孔とすべき領域を除く光導電体上に
個別電極を形成する。
個別電極を形成する。
（Ｄ）・・・光導電体の光通過孔とすべき領域をエッチ
ングしてテーパを形成する。
ングしてテーパを形成する。
（Ｅ）・・・共通電極をエッチングして光通過孔を形成
する。
する。
（Ｆ）・・・受光部内に残る個別電極をエッチングによ
り除去して、受光部を形成する。
り除去して、受光部を形成する。
以下、第１図に示した密着型読取り系を例にとって本出
願人が先に特開昭60-70870号公報にて提案した読取り装
置用電気回路に基づき本発明を詳細に説明する。
願人が先に特開昭60-70870号公報にて提案した読取り装
置用電気回路に基づき本発明を詳細に説明する。
第５図は第２図に示した如き読取り装置を製造するため
の本発明の製造工程を示し、第６図は本発明の読取り装
置を示している。
の本発明の製造工程を示し、第６図は本発明の読取り装
置を示している。
本発明の製法によれば、第５図の〔5A〕において、ガラ
スなどの基板４の表面に真空蒸着法により膜厚約3000Å
のクロム膜を形成し、次いでフォトリソグラフィー法に
よりパターンニングを行って共通電極５とした。次いで
モノシランガスをグロー放電分解して厚み約1.5μｍの
アモルファスシリコン膜を形成して光導電体６とした。
続けて個別電極としてITOから成る引出し電極８を厚み
約3000Åで形成し、然る後、アモルファスシリコンエッ
チング用のパターンを形成した。〔5B〕及び〔5C〕は光
導電体のエッチング工程であり、〔5B〕ではエッチング
レートの速いエッチング液、〔5C〕ではエッチングレー
トの遅いエッチング液を用いることにより光導電体６の
光通過孔部6aに光源に向かって先細りになるようにテー
パが形成される。
スなどの基板４の表面に真空蒸着法により膜厚約3000Å
のクロム膜を形成し、次いでフォトリソグラフィー法に
よりパターンニングを行って共通電極５とした。次いで
モノシランガスをグロー放電分解して厚み約1.5μｍの
アモルファスシリコン膜を形成して光導電体６とした。
続けて個別電極としてITOから成る引出し電極８を厚み
約3000Åで形成し、然る後、アモルファスシリコンエッ
チング用のパターンを形成した。〔5B〕及び〔5C〕は光
導電体のエッチング工程であり、〔5B〕ではエッチング
レートの速いエッチング液、〔5C〕ではエッチングレー
トの遅いエッチング液を用いることにより光導電体６の
光通過孔部6aに光源に向かって先細りになるようにテー
パが形成される。
次に〔5D〕においてフォトリソグラフィー法により共通
電極５をエッチングして光通過孔10を形成し、更に、
〔5E〕においては透明電極７及び引出し電極８をエッチ
ングして受光部を形成して光電変換素子とした。
電極５をエッチングして光通過孔10を形成し、更に、
〔5E〕においては透明電極７及び引出し電極８をエッチ
ングして受光部を形成して光電変換素子とした。
かくして、得られた本発明の読取り装置は第６図とな
り、第７図は第６図の要部拡大図でSiO2,Si-O-N,Si3N4
等の材料を用いてプラズマCVD法及びスパッタリング法
のいずれの方法を採用して保護層９を形成してもステッ
プカバリッジに対して欠損が認められなかった。
り、第７図は第６図の要部拡大図でSiO2,Si-O-N,Si3N4
等の材料を用いてプラズマCVD法及びスパッタリング法
のいずれの方法を採用して保護層９を形成してもステッ
プカバリッジに対して欠損が認められなかった。
また保護層９の被着面の凹凸が大幅に緩和されたため、
それに相応した保護層９の表面に現れた凹部9bも顕著に
緩和されることになった。従って本発明者等が本装置を
繰り返し作動しても凹部9bに汚れや埃が堆積し難く、一
且これらが堆積しても容易に除去することができた。
それに相応した保護層９の表面に現れた凹部9bも顕著に
緩和されることになった。従って本発明者等が本装置を
繰り返し作動しても凹部9bに汚れや埃が堆積し難く、一
且これらが堆積しても容易に除去することができた。
以上の通り、本発明によれば、保護層の形成に伴うステ
ップカバリッジが大幅に向上し、且つ保護層表面の汚染
が低減できたため、優れた光感度が得られてS/N比が向
上し、長期に亘って高い信頼性を得た読取り装置が提供
できた。
ップカバリッジが大幅に向上し、且つ保護層表面の汚染
が低減できたため、優れた光感度が得られてS/N比が向
上し、長期に亘って高い信頼性を得た読取り装置が提供
できた。
更に、製造歩留りの向上及び製造工程の簡略化ができた
ため、製造コストの低減及び高効率を達成した読取り装
置の製法が提供できた。
ため、製造コストの低減及び高効率を達成した読取り装
置の製法が提供できた。
尚、本発明は上記実施例に限らず、本発明の要旨を逸脱
しない範囲において改良、変更等は何ら差支えない。
しない範囲において改良、変更等は何ら差支えない。
第１図は本発明の読取り装置の読取り系を示す概略図、
第２図は代表的読取り装置の斜視図、第３図は第２図中
切断面線X-Xから見た従来の装置の断面図、第４図は従
来の製法を示す工程図、第５図は本発明の製法を示す工
程図、第６図は第２図中切断面線X-Xから見た本発明の
装置の断面図、第７図は第６図に示した本発明の読取り
装置の要部拡大断面図である。 １……原稿、２……光検知部 ３、3a……発光ダイオード ６……光導電体、９……保護層 9a、9b……凹部 10……光通過孔、11……レジスト膜
第２図は代表的読取り装置の斜視図、第３図は第２図中
切断面線X-Xから見た従来の装置の断面図、第４図は従
来の製法を示す工程図、第５図は本発明の製法を示す工
程図、第６図は第２図中切断面線X-Xから見た本発明の
装置の断面図、第７図は第６図に示した本発明の読取り
装置の要部拡大断面図である。 １……原稿、２……光検知部 ３、3a……発光ダイオード ６……光導電体、９……保護層 9a、9b……凹部 10……光通過孔、11……レジスト膜
Claims (2)
- 【請求項１】基板の第１板面上に共通電極、光導電体及
び個別電極を順次形成し、該光導電体に光通過孔を設け
ると共に、該光通過孔を一次元的に複数個形成し、これ
ら共通電極、個別電極及び光通過孔を覆うように保護層
を形成し、基板の第２板面側に光源を配置して上記光通
過孔を介して第１板面側の被検知体を投光し、その反射
光を光通過孔近傍の光導電体で受光して読取り信号が得
られるようにした読取り装置において、前記光導電体の
光通過孔に前記光源へ向かって先細りになるようにテー
パを形成したことを特徴とする読取り装置。 - 【請求項２】基板の第１板面上に一次元的に複数個の光
電変換素子を具備すると共に、該光電変換素子の受光部
に光通過孔を形成し、且つこの基板の第２板面側に光源
を配置して上記光通過孔を介して第１板面側の被検知体
を投光し、その反射光を各受光部で受光するようにした
読取り装置の製法において、下記（Ａ）乃至（Ｆ）工程
により前記光通過孔に光源へ向かって先細りのテーパを
形成したことを特徴とする読取り装置の製法。 （Ａ）・・・基板の第１板面上に共通電極を形成する。 （Ｂ）・・・共通電極上に光導電体を形成する。 （Ｃ）・・・光通過孔とすべき領域を除く光導電体上に
個別電極を形成する。 （Ｄ）・・・光導電体の光通過孔とすべき領域をエッチ
ングしてテーパを形成する。 （Ｅ）・・・共通電極をエッチングして光通過孔を形成
する。 （Ｆ）・・・受光部内に残る個別電極をエッチングによ
り除去して、受光部を形成する。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60245578A JPH0728015B2 (ja) | 1985-10-31 | 1985-10-31 | 読取り装置及びその製法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60245578A JPH0728015B2 (ja) | 1985-10-31 | 1985-10-31 | 読取り装置及びその製法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62105469A JPS62105469A (ja) | 1987-05-15 |
| JPH0728015B2 true JPH0728015B2 (ja) | 1995-03-29 |
Family
ID=17135809
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60245578A Expired - Lifetime JPH0728015B2 (ja) | 1985-10-31 | 1985-10-31 | 読取り装置及びその製法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0728015B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01192167A (ja) * | 1988-01-27 | 1989-08-02 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | センサー |
-
1985
- 1985-10-31 JP JP60245578A patent/JPH0728015B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS62105469A (ja) | 1987-05-15 |
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