JPH07275659A - 乾式排ガス処理装置及び乾式排ガス処理方法 - Google Patents
乾式排ガス処理装置及び乾式排ガス処理方法Info
- Publication number
- JPH07275659A JPH07275659A JP6087269A JP8726994A JPH07275659A JP H07275659 A JPH07275659 A JP H07275659A JP 6087269 A JP6087269 A JP 6087269A JP 8726994 A JP8726994 A JP 8726994A JP H07275659 A JPH07275659 A JP H07275659A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- exhaust gas
- catalyst
- reactor
- temperature
- dry
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Exhaust Gas Treatment By Means Of Catalyst (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 反応器の触媒の劣化程度を正確に判定し、触
媒の交換時期を認識させるよう乾式排ガス処理装置及び
触媒の劣化程度を正確に判定できる乾式排ガス処理方法
を提供する。 【構成】 乾式排ガス処理装置１０は、粉体除去フィル
タ１２、反応器１４Ａ、Ｂ、吸引ブロワ１６、ガス検知
器１８、制御装置２０とを備えている。反応器の触媒層
には、それぞれ熱電対式温度センサＴ1A、Ｔ2A、Ｔ3A、
Ｔ1B、Ｔ2B、Ｔ3Bが離隔して上下に設置されている。反
応器の入口配管と出口配管には、それぞれ自動開閉弁２
２Ａ、Ｂ及び同様の自動開閉弁２４Ａ、Ｂが設けてあ
る。温度センサＴ3A、Ｔ3Bから入力された計測温度が設
定温度より高くなった時に制御装置が信号を発信し、そ
の信号によって自動開閉弁２２、２４を開閉する。例え
ば、反応器１４Ａを使用中、温度センサＴ3Aの計測温度
が、設定温度を越えた場合、制御装置２０を介して反応
器１４Ｂの自動開閉弁２２Ｂ、２４Ｂが開放され、反応
器１４Ａの自動開閉弁２２Ａ、２４Ａが閉じられる。
媒の交換時期を認識させるよう乾式排ガス処理装置及び
触媒の劣化程度を正確に判定できる乾式排ガス処理方法
を提供する。 【構成】 乾式排ガス処理装置１０は、粉体除去フィル
タ１２、反応器１４Ａ、Ｂ、吸引ブロワ１６、ガス検知
器１８、制御装置２０とを備えている。反応器の触媒層
には、それぞれ熱電対式温度センサＴ1A、Ｔ2A、Ｔ3A、
Ｔ1B、Ｔ2B、Ｔ3Bが離隔して上下に設置されている。反
応器の入口配管と出口配管には、それぞれ自動開閉弁２
２Ａ、Ｂ及び同様の自動開閉弁２４Ａ、Ｂが設けてあ
る。温度センサＴ3A、Ｔ3Bから入力された計測温度が設
定温度より高くなった時に制御装置が信号を発信し、そ
の信号によって自動開閉弁２２、２４を開閉する。例え
ば、反応器１４Ａを使用中、温度センサＴ3Aの計測温度
が、設定温度を越えた場合、制御装置２０を介して反応
器１４Ｂの自動開閉弁２２Ｂ、２４Ｂが開放され、反応
器１４Ａの自動開閉弁２２Ａ、２４Ａが閉じられる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、触媒層を収容した反応
器を備え、反応器に排ガスを導入して化学反応により排
ガス中の有害ガスを処理するようにした乾式排ガス処理
装置及び乾式排ガス処理方法に関し、更に詳細には、反
応器の触媒の劣化を確実に検知することのできる乾式排
ガス処理装置及び乾式排ガス処理方法に関するものであ
る。
器を備え、反応器に排ガスを導入して化学反応により排
ガス中の有害ガスを処理するようにした乾式排ガス処理
装置及び乾式排ガス処理方法に関し、更に詳細には、反
応器の触媒の劣化を確実に検知することのできる乾式排
ガス処理装置及び乾式排ガス処理方法に関するものであ
る。
【０００２】
【従来の技術】半導体装置の製造工程では、ＣＶＤ装
置、或いはエッチングング装置等において、SiH4、SiH2
Cl2 、PH3 等の有害ガスを種々使用している。かかる有
害ガスの大部分は、目的の気相成長反応、エッチング反
応等の反応において消費されるが、一部の有害ガスは、
未反応のまま排ガスとして大気に放出される。ところ
で、放出の際には、有害ガスの濃度が、許容濃度より高
いと、公害の原因となることもあるので、かかる有害ガ
スを無害なガスに転換して放出する必要がある。有害ガ
スを処理する方法には、活性炭、モレキュラーシーブ等
の吸着剤で排ガス中の有害成分を除去する方法、水又は
薬液と排ガスとを気液接触させて水又は薬液の洗浄或い
は吸収作用により有害ガスを除去する方法がある。しか
し、吸着剤による方法、水又は薬液による湿式方法が適
用できないような有害ガス、例えばSiH4，SiH2Cl2 等
は、乾式排ガス処理方法により除去されている。
置、或いはエッチングング装置等において、SiH4、SiH2
Cl2 、PH3 等の有害ガスを種々使用している。かかる有
害ガスの大部分は、目的の気相成長反応、エッチング反
応等の反応において消費されるが、一部の有害ガスは、
未反応のまま排ガスとして大気に放出される。ところ
で、放出の際には、有害ガスの濃度が、許容濃度より高
いと、公害の原因となることもあるので、かかる有害ガ
スを無害なガスに転換して放出する必要がある。有害ガ
スを処理する方法には、活性炭、モレキュラーシーブ等
の吸着剤で排ガス中の有害成分を除去する方法、水又は
薬液と排ガスとを気液接触させて水又は薬液の洗浄或い
は吸収作用により有害ガスを除去する方法がある。しか
し、吸着剤による方法、水又は薬液による湿式方法が適
用できないような有害ガス、例えばSiH4，SiH2Cl2 等
は、乾式排ガス処理方法により除去されている。
【０００３】乾式排ガス処理方法を実施する従来の装置
は、図３のフローシートに示すような構成の装置が使用
されている。図３に示す装置は、粉体除去フィルタ１２
と、反応器１４と、吸引ブロワ１６と、ガス検知器１８
とを備え、各機器は排ガスを流す配管で接続されてい
る。排ガスは、吸引ブロワ１６により吸引されて、先ず
粉体除去フィルタ１２に導入される。粉体除去フィルタ
１２は、排ガス中の粉塵を除去する機器で、例えばバグ
フィルタが使用されている。バグフィルタは、綿、ナイ
ロン、テフロン等の濾布材を円筒形に形成したフィルタ
からなり、フィルタ内に排ガスを導入して濾布材表面で
粉塵を捕捉するようになっている。
は、図３のフローシートに示すような構成の装置が使用
されている。図３に示す装置は、粉体除去フィルタ１２
と、反応器１４と、吸引ブロワ１６と、ガス検知器１８
とを備え、各機器は排ガスを流す配管で接続されてい
る。排ガスは、吸引ブロワ１６により吸引されて、先ず
粉体除去フィルタ１２に導入される。粉体除去フィルタ
１２は、排ガス中の粉塵を除去する機器で、例えばバグ
フィルタが使用されている。バグフィルタは、綿、ナイ
ロン、テフロン等の濾布材を円筒形に形成したフィルタ
からなり、フィルタ内に排ガスを導入して濾布材表面で
粉塵を捕捉するようになっている。
【０００４】次いで、排ガスは、反応器１４に入り、排
ガス中の有害ガスの大部分は、化学反応により無害なガ
スに転換される。化学反応は、反応器１４内に収容され
た触媒により促進される。反応器１４は、略円筒形の容
器からなり、その内部に触媒を収容している。有害ガス
濃度が許容値以下に低下した排ガスは、吸引ブロワ１６
に吸引されて系外（例えば、外気）に排出される。排ガ
ス中の有害ガス残留濃度は、有害ガスの種類によって異
なるが、例えば０００の場合、０００ＰＰＭ程度であ
る。反応器１４の出口と吸引ブロワ１６とを接続する配
管には、ガス検知器１８が設けてあって、排ガス中の有
害ガスの含有率を検出し、その値が設定値以上になると
アラームを出すような仕組みになっている。ガス検知器
１８には、例えば電解式のガス検知器を使用している。
ガス中の有害ガスの大部分は、化学反応により無害なガ
スに転換される。化学反応は、反応器１４内に収容され
た触媒により促進される。反応器１４は、略円筒形の容
器からなり、その内部に触媒を収容している。有害ガス
濃度が許容値以下に低下した排ガスは、吸引ブロワ１６
に吸引されて系外（例えば、外気）に排出される。排ガ
ス中の有害ガス残留濃度は、有害ガスの種類によって異
なるが、例えば０００の場合、０００ＰＰＭ程度であ
る。反応器１４の出口と吸引ブロワ１６とを接続する配
管には、ガス検知器１８が設けてあって、排ガス中の有
害ガスの含有率を検出し、その値が設定値以上になると
アラームを出すような仕組みになっている。ガス検知器
１８には、例えば電解式のガス検知器を使用している。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】ところで、反応器に充
填されている触媒は、一般には、無機質の細かな担体粒
子に触媒成分を含浸させたものであって、新鮮な触媒
は、高い触媒活性を有して化学反応を促進するが、化学
反応に寄与した時間の経過と共に徐々に触媒表面に反応
生成物、異物等が堆積し、触媒活性を失って劣化し、廃
触媒となる。前述の反応器内の触媒が劣化すると、有害
ガスが無害ガスに転換されることなく、反応器から流出
する。従って、反応器の触媒が活性を失う前に、反応器
中の触媒を活性の高い新触媒に交換する必要がある。
填されている触媒は、一般には、無機質の細かな担体粒
子に触媒成分を含浸させたものであって、新鮮な触媒
は、高い触媒活性を有して化学反応を促進するが、化学
反応に寄与した時間の経過と共に徐々に触媒表面に反応
生成物、異物等が堆積し、触媒活性を失って劣化し、廃
触媒となる。前述の反応器内の触媒が劣化すると、有害
ガスが無害ガスに転換されることなく、反応器から流出
する。従って、反応器の触媒が活性を失う前に、反応器
中の触媒を活性の高い新触媒に交換する必要がある。
【０００６】従来は、次の二つの方法により、反応器の
触媒の劣化程度を判断していた。第１の方法は、ガス検
知器が検出した有害ガス含有率（排ガス中の有害ガス残
留率）の多少により、反応器中の触媒の活性の程度、即
ち劣化の程度を判断する方法である。即ち、反応器中の
触媒が劣化すると、排ガス中の有害ガスが転換されずに
反応器の下流に流出し、そのため排ガス中の有害ガス含
有率が設定値より増大して、ガス検知器がアラームを出
す。ガス検知器のアラーム発信により、反応器中の触媒
が劣化としたと見なし、乾式排ガス処理装置を自動的又
は手動で停止し、反応器の触媒を新触媒に交換する。し
かし、この第１の方法は、ガス検知器の検知信頼性に大
きく依存しており、ガス検知器の信頼性が低いと、有害
ガスを外気に放出することになり、汚染問題を引き起こ
す恐れがあった。例えば、ガス検知器は、そのセンサ部
がガス検知器の検知範囲の下限より低い、例えば０．０
５ＰＰＭ程度の濃度の有害ガスに長時間接触し続ける
と、センサの感度が鈍ると言う欠点を有する。そのた
め、反応器の触媒活性、即ち除害能力が低下して、許容
できる濃度より高い数ＰＰＭの有害ガスを排出しても、
センサが感知しないと言うことがある。
触媒の劣化程度を判断していた。第１の方法は、ガス検
知器が検出した有害ガス含有率（排ガス中の有害ガス残
留率）の多少により、反応器中の触媒の活性の程度、即
ち劣化の程度を判断する方法である。即ち、反応器中の
触媒が劣化すると、排ガス中の有害ガスが転換されずに
反応器の下流に流出し、そのため排ガス中の有害ガス含
有率が設定値より増大して、ガス検知器がアラームを出
す。ガス検知器のアラーム発信により、反応器中の触媒
が劣化としたと見なし、乾式排ガス処理装置を自動的又
は手動で停止し、反応器の触媒を新触媒に交換する。し
かし、この第１の方法は、ガス検知器の検知信頼性に大
きく依存しており、ガス検知器の信頼性が低いと、有害
ガスを外気に放出することになり、汚染問題を引き起こ
す恐れがあった。例えば、ガス検知器は、そのセンサ部
がガス検知器の検知範囲の下限より低い、例えば０．０
５ＰＰＭ程度の濃度の有害ガスに長時間接触し続ける
と、センサの感度が鈍ると言う欠点を有する。そのた
め、反応器の触媒活性、即ち除害能力が低下して、許容
できる濃度より高い数ＰＰＭの有害ガスを排出しても、
センサが感知しないと言うことがある。
【０００７】第２の方法は、反応器内の触媒の重量の変
化を測定する方法である。有害ガスの反応により、触媒
活性が劣化して廃触媒になる過程で、反応生成物或いは
異物等の沈積物が触媒に堆積し、触媒の重量が増える。
従って、反応器内の触媒の重量の変化を測定すれば、触
媒の劣化の程度を判断することができる。よって、触媒
を含めた反応器全体の重量変化率の上限を定め、これの
上限を越えたら触媒を交換するようにすることもでき
る。しかし、この方法は、反応器の取り外し等に手間を
要し、また、湿度の変化による重量変動、触媒重量の計
測の際の外乱による重量変動等により、正確な重量変化
を検出することが難しく、更には計測に個人差が出て、
そのため、触媒交換の時期を逸して有害ガスの残留量が
増える危険があった。
化を測定する方法である。有害ガスの反応により、触媒
活性が劣化して廃触媒になる過程で、反応生成物或いは
異物等の沈積物が触媒に堆積し、触媒の重量が増える。
従って、反応器内の触媒の重量の変化を測定すれば、触
媒の劣化の程度を判断することができる。よって、触媒
を含めた反応器全体の重量変化率の上限を定め、これの
上限を越えたら触媒を交換するようにすることもでき
る。しかし、この方法は、反応器の取り外し等に手間を
要し、また、湿度の変化による重量変動、触媒重量の計
測の際の外乱による重量変動等により、正確な重量変化
を検出することが難しく、更には計測に個人差が出て、
そのため、触媒交換の時期を逸して有害ガスの残留量が
増える危険があった。
【０００８】そこで、本発明は、反応器の触媒の劣化程
度を正確に検知して、触媒の交換時期を確実に把握でき
るような乾式排ガス処理装置及び触媒の劣化程度を正確
に検知できる乾式排ガス処理方法を提供することであ
る。
度を正確に検知して、触媒の交換時期を確実に把握でき
るような乾式排ガス処理装置及び触媒の劣化程度を正確
に検知できる乾式排ガス処理方法を提供することであ
る。
【０００９】
【課題を解決するための手段】本発明者は、乾式排ガス
処理装置において、触媒が有害ガスの化学反応に寄与
し、その触媒領域で化学反応が進行している状態では、
その領域の温度が２０℃前後上昇することに着目し、本
発明を完成するに至った。
処理装置において、触媒が有害ガスの化学反応に寄与
し、その触媒領域で化学反応が進行している状態では、
その領域の温度が２０℃前後上昇することに着目し、本
発明を完成するに至った。
【００１０】上記目的を達成するために、上述の知見に
基づき、本発明に係る乾式排ガス処理装置は、触媒層を
収容した反応器を備え、反応器に排ガスを導入して化学
反応により排ガス中の有害ガスを処理するようにした乾
式排ガス処理装置において、触媒層に温度センサを設け
たことを特徴としている。
基づき、本発明に係る乾式排ガス処理装置は、触媒層を
収容した反応器を備え、反応器に排ガスを導入して化学
反応により排ガス中の有害ガスを処理するようにした乾
式排ガス処理装置において、触媒層に温度センサを設け
たことを特徴としている。
【００１１】化学反応が進行している触媒領域、換言す
れば触媒活性が劣化しつつある触媒領域と、未だ反応に
寄与していないので触媒活性が大きい触媒領域（反応器
内の排ガス流れ方向に見てより下流の触媒領域）との間
に温度変化が生じるような触媒が、有害ガスの除害反応
に使用されている限り、本乾式排ガス処理装置の適用
は、処理する有害ガスの種類を問わない。本乾式排ガス
処理装置を好適に除害処理に適用できる有害ガスは、例
えばシラン、ホスフィン、弗酸、ジボラン等であり、そ
の触媒は、例えばクリーンテクノロジー会社製のＰＬＶ
クリーンである。本発明で使用する温度センサは、アラ
ーム発信機構を備えた熱電対式等の常用の温度センサで
あって、特別の物を必要としない。温度センサを設ける
位置は、好適には排ガス流れに沿った触媒層の最下流部
である。それは、最下流部に設けた温度センサの計測温
度が設定温度を越えた時、その最下流部で化学反応が現
在進行していることを意味するからである。即ち、温度
センサより上流にある触媒領域、即ち触媒層の大半が既
に化学反応に寄与して、その触媒活性が劣化しているこ
とになり、その時点で触媒を交換すればよいからであ
る。
れば触媒活性が劣化しつつある触媒領域と、未だ反応に
寄与していないので触媒活性が大きい触媒領域（反応器
内の排ガス流れ方向に見てより下流の触媒領域）との間
に温度変化が生じるような触媒が、有害ガスの除害反応
に使用されている限り、本乾式排ガス処理装置の適用
は、処理する有害ガスの種類を問わない。本乾式排ガス
処理装置を好適に除害処理に適用できる有害ガスは、例
えばシラン、ホスフィン、弗酸、ジボラン等であり、そ
の触媒は、例えばクリーンテクノロジー会社製のＰＬＶ
クリーンである。本発明で使用する温度センサは、アラ
ーム発信機構を備えた熱電対式等の常用の温度センサで
あって、特別の物を必要としない。温度センサを設ける
位置は、好適には排ガス流れに沿った触媒層の最下流部
である。それは、最下流部に設けた温度センサの計測温
度が設定温度を越えた時、その最下流部で化学反応が現
在進行していることを意味するからである。即ち、温度
センサより上流にある触媒領域、即ち触媒層の大半が既
に化学反応に寄与して、その触媒活性が劣化しているこ
とになり、その時点で触媒を交換すればよいからであ
る。
【００１２】本発明の望ましい実施態様は、反応器内の
排ガス流れ方向に沿って離隔して複数の温度センサを触
媒層に設けたことを特徴としている。これにより、触媒
層の領域毎に段階的に触媒劣化を認識することができ
る。本発明の更に望ましい実施態様は、温度センサが設
定温度より高い温度を計測した時点で乾式排ガス処理装
置の運転を自動的に停止するようにした自動停止装置を
設けたことを特徴としている。これにより、有害ガスの
残留量の高い排ガスの放出を未然に防止することができ
る。また、本発明の更に別の望ましい実施態様は、反応
器を複数備え、更に温度センサが設定温度より高い温度
を計測した時点で運転中の反応器から新触媒を収容して
いる別の反応器に自動的に切り換えるようにした自動切
替え装置を設けたことを特徴としている。これにより、
乾式排ガス処理装置の運転を停止することなく、有害ガ
スの残留量の高い排ガスの放出を未然に防止することが
できる。
排ガス流れ方向に沿って離隔して複数の温度センサを触
媒層に設けたことを特徴としている。これにより、触媒
層の領域毎に段階的に触媒劣化を認識することができ
る。本発明の更に望ましい実施態様は、温度センサが設
定温度より高い温度を計測した時点で乾式排ガス処理装
置の運転を自動的に停止するようにした自動停止装置を
設けたことを特徴としている。これにより、有害ガスの
残留量の高い排ガスの放出を未然に防止することができ
る。また、本発明の更に別の望ましい実施態様は、反応
器を複数備え、更に温度センサが設定温度より高い温度
を計測した時点で運転中の反応器から新触媒を収容して
いる別の反応器に自動的に切り換えるようにした自動切
替え装置を設けたことを特徴としている。これにより、
乾式排ガス処理装置の運転を停止することなく、有害ガ
スの残留量の高い排ガスの放出を未然に防止することが
できる。
【００１３】また、本発明に係る乾式排ガス処理方法
は、触媒層を収容した反応器を備え、反応器に排ガスを
導入して化学反応により排ガスを処理する乾式排ガス処
理方法において、触媒層を収容した反応器を備え、反応
器に排ガスを導入して化学反応により排ガス中の有害ガ
スを処理する乾式排ガス処理方法において、反応器の触
媒層内に排ガス流れ方向に沿って離隔して設けた温度セ
ンサが設定温度より高い温度を検出することにより、触
媒層の領域毎に段階的に触媒の劣化を検知することを特
徴としている。
は、触媒層を収容した反応器を備え、反応器に排ガスを
導入して化学反応により排ガスを処理する乾式排ガス処
理方法において、触媒層を収容した反応器を備え、反応
器に排ガスを導入して化学反応により排ガス中の有害ガ
スを処理する乾式排ガス処理方法において、反応器の触
媒層内に排ガス流れ方向に沿って離隔して設けた温度セ
ンサが設定温度より高い温度を検出することにより、触
媒層の領域毎に段階的に触媒の劣化を検知することを特
徴としている。
【００１４】
【作用】反応器内で有害ガスの化学反応が進行している
触媒領域、換言すれば触媒が化学反応の促進に寄与し、
その触媒活性が劣化しつつある触媒領域では、未だ化学
反応が発生していない触媒活性の高い触媒領域（反応器
内の排ガス流れ方向に見てより下流の触媒領域）に比べ
て、その領域の温度が、感知できる程度に、例えば２０
℃前後上昇する。反応器内で有害ガスの化学反応が行わ
れる場合、例えば図２（ａ）に示すように、先ず、反応
器の入口付近の触媒領域Ｉで化学反応が進行する。よっ
て、温度センサＴ1 の計測温度が上昇する。次いで、化
学反応が進行する触媒領域は、図２（ｂ）及び（ｃ）に
示すように、排ガス流れ方向に沿って反応器の入口から
出口に向かって領域IIから領域IIIに移動する。従っ
て、温度上昇領域も化学反応が進行する触媒領域の移動
に応じて領域IIから領域III に移動する。よって、温度
センサＴ2 、Ｔ3 の計測温度が、順次上昇する。最終的
には、触媒層の最下流領域、即ち反応器出口近傍の触媒
III の温度が上昇すると、触媒層の殆どが用尽されたこ
とを意味する。
触媒領域、換言すれば触媒が化学反応の促進に寄与し、
その触媒活性が劣化しつつある触媒領域では、未だ化学
反応が発生していない触媒活性の高い触媒領域（反応器
内の排ガス流れ方向に見てより下流の触媒領域）に比べ
て、その領域の温度が、感知できる程度に、例えば２０
℃前後上昇する。反応器内で有害ガスの化学反応が行わ
れる場合、例えば図２（ａ）に示すように、先ず、反応
器の入口付近の触媒領域Ｉで化学反応が進行する。よっ
て、温度センサＴ1 の計測温度が上昇する。次いで、化
学反応が進行する触媒領域は、図２（ｂ）及び（ｃ）に
示すように、排ガス流れ方向に沿って反応器の入口から
出口に向かって領域IIから領域IIIに移動する。従っ
て、温度上昇領域も化学反応が進行する触媒領域の移動
に応じて領域IIから領域III に移動する。よって、温度
センサＴ2 、Ｔ3 の計測温度が、順次上昇する。最終的
には、触媒層の最下流領域、即ち反応器出口近傍の触媒
III の温度が上昇すると、触媒層の殆どが用尽されたこ
とを意味する。
【００１５】よって、本発明の乾式排ガス処理装置で
は、温度センサが設定温度より高い温度を検出したこと
は、その温度センサより上流の触媒層はほぼ用尽され劣
化していると判定できる。また、触媒層の最下流の位置
に設置した温度センサが設定温度より高い温度を検出し
たことは、反応器の全触媒層がほぼ用尽され劣化してい
ることを意味するので、温度センサの計測温度が設定温
度より高くなった時点で反応器を取り外し、廃触媒を取
り出して新触媒に交換すればよい。
は、温度センサが設定温度より高い温度を検出したこと
は、その温度センサより上流の触媒層はほぼ用尽され劣
化していると判定できる。また、触媒層の最下流の位置
に設置した温度センサが設定温度より高い温度を検出し
たことは、反応器の全触媒層がほぼ用尽され劣化してい
ることを意味するので、温度センサの計測温度が設定温
度より高くなった時点で反応器を取り外し、廃触媒を取
り出して新触媒に交換すればよい。
【００１６】
【実施例】以下、添付図面を参照し、実施例に基づいて
本発明をより詳細に説明する。図１は、本発明に係る乾
式排ガス処理装置の一実施例の構成を示すフローシート
である。図１中の機器のうち、図３に示した機器と同じ
ものには同じ符号を付し、その説明を省略する。本実施
例の乾式排ガス処理装置（以下、簡単に装置と略称す
る）１０は、図３で説明した粉体除去フィルタ１２と吸
引ブロワ１６とに加えて、更に２個の同じ反応器１４
Ａ、Ｂ及び制御装置２０を備えている。
本発明をより詳細に説明する。図１は、本発明に係る乾
式排ガス処理装置の一実施例の構成を示すフローシート
である。図１中の機器のうち、図３に示した機器と同じ
ものには同じ符号を付し、その説明を省略する。本実施
例の乾式排ガス処理装置（以下、簡単に装置と略称す
る）１０は、図３で説明した粉体除去フィルタ１２と吸
引ブロワ１６とに加えて、更に２個の同じ反応器１４
Ａ、Ｂ及び制御装置２０を備えている。
【００１７】反応器１４Ａ、Ｂは、縦型の円筒形容器で
あって、内部には触媒が所定の高さの触媒層になるよう
に充填されている。反応器１４Ａ、Ｂの触媒層には、そ
れぞれ熱電対式温度センサＴ1A、Ｔ2A、Ｔ3A、Ｔ1B、Ｔ
2B、Ｔ3Bが離隔して上下に設置されている。更に、反応
器１４Ａ、Ｂの入口配管と出口配管には、それぞれ電動
式又はダイアフラム式の自動開閉弁２２Ａ、Ｂ及び同様
の自動開閉弁２４Ａ、Ｂが設けてある。温度センサＴ3
A、Ｔ3Bから入力された計測温度が設定温度より高くな
った時に制御装置２０が信号を発信し、その信号によっ
て自動開閉弁２２、２４を開閉する。例えば、反応器１
４Ａを使用中、温度センサＴ3Aの計測温度が、設定温度
を越えた場合、制御装置２０を介して反応器１４Ｂの自
動開閉弁２２Ｂ、２４Ｂが開放され、反応器１４Ａの自
動開閉弁２２Ａ、２４Ａが閉じられる。本実施例では、
反応器を２個並列に設け、制御装置２０と自動開閉弁２
２、２４とを備えることにより、自動切替え装置を構成
している。
あって、内部には触媒が所定の高さの触媒層になるよう
に充填されている。反応器１４Ａ、Ｂの触媒層には、そ
れぞれ熱電対式温度センサＴ1A、Ｔ2A、Ｔ3A、Ｔ1B、Ｔ
2B、Ｔ3Bが離隔して上下に設置されている。更に、反応
器１４Ａ、Ｂの入口配管と出口配管には、それぞれ電動
式又はダイアフラム式の自動開閉弁２２Ａ、Ｂ及び同様
の自動開閉弁２４Ａ、Ｂが設けてある。温度センサＴ3
A、Ｔ3Bから入力された計測温度が設定温度より高くな
った時に制御装置２０が信号を発信し、その信号によっ
て自動開閉弁２２、２４を開閉する。例えば、反応器１
４Ａを使用中、温度センサＴ3Aの計測温度が、設定温度
を越えた場合、制御装置２０を介して反応器１４Ｂの自
動開閉弁２２Ｂ、２４Ｂが開放され、反応器１４Ａの自
動開閉弁２２Ａ、２４Ａが閉じられる。本実施例では、
反応器を２個並列に設け、制御装置２０と自動開閉弁２
２、２４とを備えることにより、自動切替え装置を構成
している。
【００１８】触媒層の排ガス流れに沿って温度センサＴ
1 、Ｔ2 及びＴ3 が配置されているので、触媒の劣化領
域の移動を段階的に確実に認識することができる。ま
た、触媒層の最下流部に設けてある温度センサＴ3 の計
測により、反応器中の触媒全体の劣化を認識して、触媒
の交換を行う時期を確実に把握することができる。更に
は、制御装置２０と自動開閉弁２２、２４との組合せに
より、触媒が殆ど劣化した反応器１４Ａから新しい触媒
を収容している反応器１４Ｂに自動的に切り換えられ、
従来のように触媒交換のために排ガス処理を中断するこ
となく、排ガスの除害処理を継続して行うことができ
る。また、従来の乾式排ガス処理装置と同様に、ガス検
知器１８を反応器１４Ａ、Ｂの下流に設けて、ガス検知
器１８のアラーム信号と併用して反応器の触媒劣化の把
握をより確実にすることもできる。
1 、Ｔ2 及びＴ3 が配置されているので、触媒の劣化領
域の移動を段階的に確実に認識することができる。ま
た、触媒層の最下流部に設けてある温度センサＴ3 の計
測により、反応器中の触媒全体の劣化を認識して、触媒
の交換を行う時期を確実に把握することができる。更に
は、制御装置２０と自動開閉弁２２、２４との組合せに
より、触媒が殆ど劣化した反応器１４Ａから新しい触媒
を収容している反応器１４Ｂに自動的に切り換えられ、
従来のように触媒交換のために排ガス処理を中断するこ
となく、排ガスの除害処理を継続して行うことができ
る。また、従来の乾式排ガス処理装置と同様に、ガス検
知器１８を反応器１４Ａ、Ｂの下流に設けて、ガス検知
器１８のアラーム信号と併用して反応器の触媒劣化の把
握をより確実にすることもできる。
【００１９】本実施例では、反応器１４を２個設け、自
動開閉弁２２、２４を設けているが、簡便には、反応器
１４を１個設け、その反応器１４に温度センサＴ1 、Ｔ
2 及びＴ3 を離隔して設け、温度センサを監視し、アラ
ームの発信により手動で反応器１４の運転を停止しても
本発明を実施できる。更には、反応器１４の触媒層の最
下流部に温度センサを１個のみ設けてもよい。
動開閉弁２２、２４を設けているが、簡便には、反応器
１４を１個設け、その反応器１４に温度センサＴ1 、Ｔ
2 及びＴ3 を離隔して設け、温度センサを監視し、アラ
ームの発信により手動で反応器１４の運転を停止しても
本発明を実施できる。更には、反応器１４の触媒層の最
下流部に温度センサを１個のみ設けてもよい。
【００２０】以下に本装置１０の動作及び使用方法を説
明する。先ず、触媒の温度上昇特性によって、設定温度
を決定する。設定温度は、触媒の種類、有害ガスの種類
等により異なるので、実験により確認することが望まし
い。例えば、有害ガスがシランガスで触媒がクリーンテ
クノロジー会社製のＰＬＶクリーンの場合、設定温度
は、排ガスの温度より２０°C 高い温度に設定する。次
いで、最初、反応器１４Ａの入口及び出口配管の自動開
閉弁２２Ａ、２４Ａを開放し、反応器１４Ｂの入口及び
出口配管の自動開閉弁２２Ｂ、２４Ｂを閉じて、本装置
１０を運転して排ガスの除害処理を従来と同様にして行
う。反応器１４Ａ中の触媒層の劣化領域の移動によっ
て、温度センサＴ1A及びＴ2Aの計測温度が順次設定温度
を越える。これにより、触媒層の劣化領域の進行を認識
することでき、必要に応じ、反応器１４Ｂに切り換える
準備を行うことができる。
明する。先ず、触媒の温度上昇特性によって、設定温度
を決定する。設定温度は、触媒の種類、有害ガスの種類
等により異なるので、実験により確認することが望まし
い。例えば、有害ガスがシランガスで触媒がクリーンテ
クノロジー会社製のＰＬＶクリーンの場合、設定温度
は、排ガスの温度より２０°C 高い温度に設定する。次
いで、最初、反応器１４Ａの入口及び出口配管の自動開
閉弁２２Ａ、２４Ａを開放し、反応器１４Ｂの入口及び
出口配管の自動開閉弁２２Ｂ、２４Ｂを閉じて、本装置
１０を運転して排ガスの除害処理を従来と同様にして行
う。反応器１４Ａ中の触媒層の劣化領域の移動によっ
て、温度センサＴ1A及びＴ2Aの計測温度が順次設定温度
を越える。これにより、触媒層の劣化領域の進行を認識
することでき、必要に応じ、反応器１４Ｂに切り換える
準備を行うことができる。
【００２１】温度センサＴ3Aの計測温度が設定温度より
高くなると、制御装置２０は、アラームを発信すると同
時に反応器１４Ｂの自動開閉弁２２Ｂ、２４Ｂを開放
し、反応器１４Ａの自動開閉弁２２Ａ、２４Ａを閉止す
る。これによって、従来のように排ガス処理を触媒交換
のために中断する必要なく、排ガスの除害処理を継続し
て行うことができる。
高くなると、制御装置２０は、アラームを発信すると同
時に反応器１４Ｂの自動開閉弁２２Ｂ、２４Ｂを開放
し、反応器１４Ａの自動開閉弁２２Ａ、２４Ａを閉止す
る。これによって、従来のように排ガス処理を触媒交換
のために中断する必要なく、排ガスの除害処理を継続し
て行うことができる。
【００２２】
【発明の効果】請求項１の発明によれば、触媒層に設け
た温度センサが、常時温度を計測することにより、化学
反応が現在進行している触媒領域、換言すれば触媒が化
学反応に寄与して、その触媒活性が劣化しつつある領域
を検出する。よって、温度センサの計測温度を監視する
ことにより、また計測温度が設定温度より高くなった時
に発信される温度センサのアラーム信号により、反応器
中の触媒の劣化を確実に認識し、適時に触媒を交換でき
る。本発明に係る乾式排ガス処理装置を使用すれば、従
来の触媒管理手法において生じた影響、例えばガス検知
器の場合の経時変化による影響、触媒計量の場合の湿度
等の周囲条件の影響及び個人差による影響を受けること
がないので、触媒管理が正確かつ容易になる。請求項２
の発明によれば、反応器内の排ガス流れ方向に沿って触
媒層に離隔して設けた複数の温度センサの計測温度を監
視することにより、触媒の除害能力の低下を触媒層の領
域毎に段階的に認識できる。
た温度センサが、常時温度を計測することにより、化学
反応が現在進行している触媒領域、換言すれば触媒が化
学反応に寄与して、その触媒活性が劣化しつつある領域
を検出する。よって、温度センサの計測温度を監視する
ことにより、また計測温度が設定温度より高くなった時
に発信される温度センサのアラーム信号により、反応器
中の触媒の劣化を確実に認識し、適時に触媒を交換でき
る。本発明に係る乾式排ガス処理装置を使用すれば、従
来の触媒管理手法において生じた影響、例えばガス検知
器の場合の経時変化による影響、触媒計量の場合の湿度
等の周囲条件の影響及び個人差による影響を受けること
がないので、触媒管理が正確かつ容易になる。請求項２
の発明によれば、反応器内の排ガス流れ方向に沿って触
媒層に離隔して設けた複数の温度センサの計測温度を監
視することにより、触媒の除害能力の低下を触媒層の領
域毎に段階的に認識できる。
【００２３】請求項３の発明によれば、自動停止装置を
設けることにより、有害ガスの放出を確実に防止するこ
とができる。また、請求項４の発明によれば、運転中の
反応器から別の新触媒を収容した反応器に自動的に切り
換えるようにしたことにより、従来のように、触媒の交
換のために中断すると言った必要なく、排ガスの除害処
理を継続して行うことができる。
設けることにより、有害ガスの放出を確実に防止するこ
とができる。また、請求項４の発明によれば、運転中の
反応器から別の新触媒を収容した反応器に自動的に切り
換えるようにしたことにより、従来のように、触媒の交
換のために中断すると言った必要なく、排ガスの除害処
理を継続して行うことができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明に係る乾式排ガス処理装置の一実施例の
構成を示すフローシートである。
構成を示すフローシートである。
【図２】反応器中の触媒の劣化領域が進行する様子を説
明する図である。
明する図である。
【図３】従来の乾式排ガス処理装置の構成を示すフロー
シートである。
シートである。
１０ 本発明に係る乾式排ガス処理装置の実施例 １２ 粉体除去フィルタ １４Ａ、Ｂ 反応器 １６ 吸引ブロワ １８ ガス検知器 ２０ 制御装置 ２２ 反応器入口の自動開閉弁 ２４ 反応器出口の自動開閉弁 Ｔ1A、Ｔ2A、Ｔ3A、Ｔ1B、Ｔ2B、Ｔ3B 温度センサ
Claims (5)
- 【請求項１】 触媒層を収容した反応器を備え、反応器
に排ガスを導入して化学反応により排ガス中の有害ガス
を処理するようにした乾式排ガス処理装置において、 触媒層に温度センサを設けたことを特徴とする乾式排ガ
ス処理装置。 - 【請求項２】 反応器内の排ガス流れ方向に沿って離隔
して複数の温度センサを触媒層に設けたことを特徴とす
る請求項１に記載の乾式排ガス処理装置。 - 【請求項３】 前記温度センサが設定温度より高い温度
を計測した時点で乾式排ガス処理装置の運転を自動的に
停止するようにした自動停止装置を設けたことを特徴と
する請求項１又は２に記載の乾式排ガス処理装置。 - 【請求項４】 前記反応器を複数備え、更に前記温度セ
ンサが設定温度より高い温度を計測した時点で運転中の
反応器から新触媒を収容している別の反応器に自動的に
切り換えるようにした自動切替え装置を設けたことを特
徴とする請求項１又は２に記載の乾式排ガス処理装置。 - 【請求項５】 触媒層を収容した反応器を備え、反応器
に排ガスを導入して化学反応により排ガス中の有害ガス
を処理する乾式排ガス処理方法において、 反応器の触媒層内に排ガス流れ方向に沿って離隔して設
けた温度センサが設定温度より高い温度を検出すること
により、触媒層の領域毎に触媒の劣化を検知することを
特徴とする乾式排ガス処理方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6087269A JPH07275659A (ja) | 1994-04-04 | 1994-04-04 | 乾式排ガス処理装置及び乾式排ガス処理方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6087269A JPH07275659A (ja) | 1994-04-04 | 1994-04-04 | 乾式排ガス処理装置及び乾式排ガス処理方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07275659A true JPH07275659A (ja) | 1995-10-24 |
Family
ID=13910053
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6087269A Pending JPH07275659A (ja) | 1994-04-04 | 1994-04-04 | 乾式排ガス処理装置及び乾式排ガス処理方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07275659A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6240722B1 (en) | 1998-02-13 | 2001-06-05 | Daimlerchrysler Ag | Method for determining the fullness or quality of a catalytic converter that stores gases |
| JP2011179992A (ja) * | 2010-03-02 | 2011-09-15 | Hitachi-Ge Nuclear Energy Ltd | 排ガス再結合器及びその触媒温度測定方法 |
| GB2579788A (en) * | 2018-12-13 | 2020-07-08 | Edwards Ltd | Abatement |
-
1994
- 1994-04-04 JP JP6087269A patent/JPH07275659A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6240722B1 (en) | 1998-02-13 | 2001-06-05 | Daimlerchrysler Ag | Method for determining the fullness or quality of a catalytic converter that stores gases |
| JP2011179992A (ja) * | 2010-03-02 | 2011-09-15 | Hitachi-Ge Nuclear Energy Ltd | 排ガス再結合器及びその触媒温度測定方法 |
| GB2579788A (en) * | 2018-12-13 | 2020-07-08 | Edwards Ltd | Abatement |
| GB2579788B (en) * | 2018-12-13 | 2021-06-30 | Edwards Ltd | Abatement apparatus |
| CN113167470A (zh) * | 2018-12-13 | 2021-07-23 | 爱德华兹有限公司 | 减排方法和装置 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR20110117137A (ko) | 공기 또는 압축 공기 내의 오일, 탄화수소, 및 산화 가능한 가스의 함량을 측정하기 위한 측정 장치 및 측정 방법 | |
| CN101745286A (zh) | 废气处理装置及其处理方法 | |
| JPH07275659A (ja) | 乾式排ガス処理装置及び乾式排ガス処理方法 | |
| CA2844848A1 (en) | A method for monitoring a cleaning of a process gas | |
| CA2531344C (en) | Apparatus for measuring mercury contained in gaseous medium | |
| US20010001645A1 (en) | Waste gas treatment system of a semiconductor device fabrication facility and having wet and dry treatment units integrated by a gas separation unit | |
| KR20000006296A (ko) | 암모니아분석계 | |
| JPH0883772A (ja) | 原料ガスとしてテトラエトキシシラン又はモノシランを使用する化学蒸着装置から排出される排ガスの無害化処理方法及びその装置 | |
| KR101485689B1 (ko) | 집진기용 증기 제거장치 | |
| KR102500373B1 (ko) | 폭기조의 폐수 수위에 대응하여 작동하는 오프가스 측정장치 | |
| JPS63137736A (ja) | エッチング排ガス除害方法 | |
| JPS6240054B2 (ja) | ||
| JP2003010624A (ja) | 常温脱硫器における脱硫剤の破過検知方法および装置 | |
| JP3373763B2 (ja) | 排ガス処理装置の破過検知装置 | |
| CN212693732U (zh) | 基于pid法挥发性有机物在线监测设备的零点校准清洗装置 | |
| JPH0650855A (ja) | 排ガス除害装置の破過検知方法及び装置 | |
| JPH0351448B2 (ja) | ||
| JP2004268964A (ja) | 可燃性固形物貯蔵装置、可燃性固形物貯蔵装置の異常発熱検知方法および異常発熱検知システム | |
| JPH0779949B2 (ja) | 排ガス処理装置 | |
| JPH10176270A (ja) | 除害装置 | |
| JPH0623220A (ja) | 乾式除害装置 | |
| JPH0732862B2 (ja) | 濾過集塵式排ガス処理装置の運転方法 | |
| KR20010011027A (ko) | 배기 가스 처리 시스템 | |
| JPH0299116A (ja) | ガスの脱臭装置における洗浄方法 | |
| JP2004050037A (ja) | 排ガス処理装置 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20040323 |