JPH07274B2 - 吸着検出装置 - Google Patents
吸着検出装置Info
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- JPH07274B2 JPH07274B2 JP61283544A JP28354486A JPH07274B2 JP H07274 B2 JPH07274 B2 JP H07274B2 JP 61283544 A JP61283544 A JP 61283544A JP 28354486 A JP28354486 A JP 28354486A JP H07274 B2 JPH07274 B2 JP H07274B2
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-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01M—TESTING STATIC OR DYNAMIC BALANCE OF MACHINES OR STRUCTURES; TESTING OF STRUCTURES OR APPARATUS, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- G01M3/00—Investigating fluid-tightness of structures
- G01M3/02—Investigating fluid-tightness of structures by using fluid or vacuum
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
- H01L21/6838—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping with gripping and holding devices using a vacuum; Bernoulli devices
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Description
【発明の詳細な説明】 〔発明の目的〕 （産業上の利用分野） 本発明は、たとえば半導体部品、電子部品等の部品の減
圧吸着による搬送手段において吸着時、搬送時等のそれ
ぞれにおいて部品の吸着、離脱を検出する吸着検出装置
に関する。
圧吸着による搬送手段において吸着時、搬送時等のそれ
ぞれにおいて部品の吸着、離脱を検出する吸着検出装置
に関する。
（従来の技術） 従来、半導体部品、電子部品など部品の搬送時における
吸着、離脱の検出を行なう吸着検出装置としては、流体
の圧力差を利用した構成が知られている。
吸着、離脱の検出を行なう吸着検出装置としては、流体
の圧力差を利用した構成が知られている。
そして、流体の圧力差を利用したものとしては、たとえ
ば第４図に示す吸着検出装置が知られている。この吸着
検出装置は、支持部１に回動自在のアーム部２を設け、
このアーム部２の先端に吸着ノズル３を設け、この吸着
ノズル３をアーム部２を介して減圧装置に連通した接続
管４に連通させている。
ば第４図に示す吸着検出装置が知られている。この吸着
検出装置は、支持部１に回動自在のアーム部２を設け、
このアーム部２の先端に吸着ノズル３を設け、この吸着
ノズル３をアーム部２を介して減圧装置に連通した接続
管４に連通させている。
また、接続管４の中間に分岐用のバルブ７を設け、この
分岐用のバルブ７に圧力検出装置８を設けている。
分岐用のバルブ７に圧力検出装置８を設けている。
そして、減圧を利用して被吸着材５が吸着されるとき、
接続管４に分岐用のバルブ７を介して接続された圧力検
出装置８で接続管４内の圧力の低下を検出することによ
り、被吸着材５の吸着を検出し、接続管４内の圧力の増
加により被吸着材５の離脱を検出している。
接続管４に分岐用のバルブ７を介して接続された圧力検
出装置８で接続管４内の圧力の低下を検出することによ
り、被吸着材５の吸着を検出し、接続管４内の圧力の増
加により被吸着材５の離脱を検出している。
また、圧力検出装置８のセンサとしては、圧力変化によ
り接点位置を変化させる機械式と、半導体トランスデュ
ーサを使用し圧力変化を抵抗値の変化に変換して検出す
る電気式とがある。そして、半導体トランスデューサと
しては、たとえば、ダイヤフラム構造の感圧素子にシリ
コン単結晶が用いられ、この感圧素子の表面は熱拡散に
より歪抵抗がパターン化されているものを用い、流体の
圧力によりダイヤフラムを変形させ、ピエゾ抵抗効果を
利用して抵抗値を変化させている。
り接点位置を変化させる機械式と、半導体トランスデュ
ーサを使用し圧力変化を抵抗値の変化に変換して検出す
る電気式とがある。そして、半導体トランスデューサと
しては、たとえば、ダイヤフラム構造の感圧素子にシリ
コン単結晶が用いられ、この感圧素子の表面は熱拡散に
より歪抵抗がパターン化されているものを用い、流体の
圧力によりダイヤフラムを変形させ、ピエゾ抵抗効果を
利用して抵抗値を変化させている。
さらに、この半導体トランスデューサによる従来の吸着
検出装置を用いた回路を第５図により説明する。
検出装置を用いた回路を第５図により説明する。
第５図において、11は流体の圧力値を抵抗値に変換する
半導体トランスデューサで、この半導体トランスデュー
サ11は接続端子12,13間にダイオード14、定電圧を定電
流に変化するコンバータ15を介して接続されている。さ
らに、この半導体トランスデューサ11の出力端子は増幅
器としてのオペアンプ16を介してコンパレータとしての
オペアンプ17の反転入力端子に接続されている。また、
このオペアンプ17の正転入力端子は、半導体トランスデ
ューサ11と並列の設定値を設定する可変抵抗18の可変抵
抗部に接続されている。さらに、このオペアンプ17の出
力端子はトランジスタ19のベースに接続され、このトラ
ンジスタ19のエミッタは接続端子13に、コレクタは接続
端子20に接続され、エミッタ・コレクタ間にはダイオー
ド21が接続されている。
半導体トランスデューサで、この半導体トランスデュー
サ11は接続端子12,13間にダイオード14、定電圧を定電
流に変化するコンバータ15を介して接続されている。さ
らに、この半導体トランスデューサ11の出力端子は増幅
器としてのオペアンプ16を介してコンパレータとしての
オペアンプ17の反転入力端子に接続されている。また、
このオペアンプ17の正転入力端子は、半導体トランスデ
ューサ11と並列の設定値を設定する可変抵抗18の可変抵
抗部に接続されている。さらに、このオペアンプ17の出
力端子はトランジスタ19のベースに接続され、このトラ
ンジスタ19のエミッタは接続端子13に、コレクタは接続
端子20に接続され、エミッタ・コレクタ間にはダイオー
ド21が接続されている。
また、オペアンプ17の出力端子と接続端子13の間には表
示用の発光ダイオード22が接続されている。
示用の発光ダイオード22が接続されている。
そして、上記回路の動作について説明する。
まず、設定値Ａを第６図に示すように圧力変動値Ｂのピ
ーク値にかからないようにオペアンプ17の正転入力端子
を可変抵抗18の抵抗値を調整することにより設定する。
また、圧力の検出に際して、オペアンプ17の正転入力は
可変抵抗18により抵抗値が一定に設定されているので、
設定値Ａは一定電圧となる。これに対し、オペアンプ17
の反転入力は半導体トランスデューサ11の抵抗値が圧力
によって変化するので設定値Ｂは状態により電圧が変化
する。そして、半導体トランスデューサ11からオペアン
プ17の反転入力端子に入力される電圧値は、被吸着材を
吸着していない場合は流体の圧力が高いので半導体トラ
ンスデューサ11の抵抗値が高くなり、正転入力の電圧値
より高い電圧値となる。反対に、被吸着材５を吸着した
ときは流体の圧力が下がり、これに伴って半導体トラン
スデューサ11の抵抗値も下がるので、オペアンプ17の反
転入力の電圧値は正転入力の電圧値より低くなり、オペ
アンプ17は正出力し、トランジスタ19のベースに電流を
与えることによりトランジスタ19をオンするとともに、
発光ダイオード22を点灯する。そして、被吸着材５が吸
着されたことを示す。
ーク値にかからないようにオペアンプ17の正転入力端子
を可変抵抗18の抵抗値を調整することにより設定する。
また、圧力の検出に際して、オペアンプ17の正転入力は
可変抵抗18により抵抗値が一定に設定されているので、
設定値Ａは一定電圧となる。これに対し、オペアンプ17
の反転入力は半導体トランスデューサ11の抵抗値が圧力
によって変化するので設定値Ｂは状態により電圧が変化
する。そして、半導体トランスデューサ11からオペアン
プ17の反転入力端子に入力される電圧値は、被吸着材を
吸着していない場合は流体の圧力が高いので半導体トラ
ンスデューサ11の抵抗値が高くなり、正転入力の電圧値
より高い電圧値となる。反対に、被吸着材５を吸着した
ときは流体の圧力が下がり、これに伴って半導体トラン
スデューサ11の抵抗値も下がるので、オペアンプ17の反
転入力の電圧値は正転入力の電圧値より低くなり、オペ
アンプ17は正出力し、トランジスタ19のベースに電流を
与えることによりトランジスタ19をオンするとともに、
発光ダイオード22を点灯する。そして、被吸着材５が吸
着されたことを示す。
このように、被吸着材５の吸着動作に合わせて吸着の検
出を繰返す。
出を繰返す。
（発明が解決しようとする問題点） しかしながら、上述の吸着検出装置では、設定値Ａが固
定であるのに対し、圧力変動値Ｂが第６図に示すように
減圧装置の圧力の変動等により変動するため、吸着時
(ロ)、(ニ)の場合は検出できるが、吸着時(イ)、(ハ)、(ホ)
の場合は吸着の圧力差より設定値Ａと圧力変動値Ｂの圧
力値が大きいので検出不能であり、被吸着材５を吸着し
ているにもかかわらず吸着していない旨を示すこととな
る。
定であるのに対し、圧力変動値Ｂが第６図に示すように
減圧装置の圧力の変動等により変動するため、吸着時
(ロ)、(ニ)の場合は検出できるが、吸着時(イ)、(ハ)、(ホ)
の場合は吸着の圧力差より設定値Ａと圧力変動値Ｂの圧
力値が大きいので検出不能であり、被吸着材５を吸着し
ているにもかかわらず吸着していない旨を示すこととな
る。
また、吸着ノズル３のオリフィスが細い場合は吸着の圧
力差が小さくなり、設定値Ａと圧力変動値Ｂの差の方が
大きくなって検出不能となったり、運転中に吸着ノズル
３等の汚れによりオリフィスの大きさが変化することに
より検出精度の劣化、不能をまねく。
力差が小さくなり、設定値Ａと圧力変動値Ｂの差の方が
大きくなって検出不能となったり、運転中に吸着ノズル
３等の汚れによりオリフィスの大きさが変化することに
より検出精度の劣化、不能をまねく。
さらには、設定値Ａが固定のため、接続管４内で圧力が
変動すると検出時間が変化し、特に高速の機械の場合、
検出のタイミングを損うことがある。
変動すると検出時間が変化し、特に高速の機械の場合、
検出のタイミングを損うことがある。
本発明は、上記問題点に鑑みなされたもので、吸着する
圧力が変動したり、吸着ノズルが細く吸着時と非吸着時
の圧力差が小さい場合でも、さらに、吸着ノズルが汚れ
オリフィスの大きさが変化しても検出精度が劣化せず、
また、吸着圧力の変動があっても検出時間が安定してい
る吸着検出装置を提供することを目的とする。
圧力が変動したり、吸着ノズルが細く吸着時と非吸着時
の圧力差が小さい場合でも、さらに、吸着ノズルが汚れ
オリフィスの大きさが変化しても検出精度が劣化せず、
また、吸着圧力の変動があっても検出時間が安定してい
る吸着検出装置を提供することを目的とする。
（問題点を解決するための手段） 本発明の吸着検出装置は、被吸着材を吸着するための吸
着路の圧力を検出する圧力検出器と、この圧力検出器の
出力値を積分する積分回路と、被吸着材の吸着時および
非吸着時の圧力の差を設定し上記圧力検出器の出力値お
よび上記積分回路の出力値に差圧値を与える差圧設定器
と、上記圧力検出器の出力値、および、上記積分回路の
出力値に上記差圧設定器で設定された差圧値が相対的に
加えられた出力値を比較し、上記圧力検出器の出力値が
上記差圧設定器で差圧値が相対的に加えられた積分回路
の出力値より大きくなると被吸着材の吸着を検出る吸着
検出器と、上記圧力検出器の出力値に上記差圧設定器で
設定された差圧値が相対的に加えられた出力値、およ
び、上記積分回路の出力値を比較し、上記積分回路の出
力値が上記差圧設定器で差圧値が相対的に加えられた上
記圧力検出器の出力値より大きくなると被吸着材の離脱
を検出する離脱検出器と、上記吸着検出器および上記離
脱検出器からの出力を出力する出力回路とを備えたもの
である。
着路の圧力を検出する圧力検出器と、この圧力検出器の
出力値を積分する積分回路と、被吸着材の吸着時および
非吸着時の圧力の差を設定し上記圧力検出器の出力値お
よび上記積分回路の出力値に差圧値を与える差圧設定器
と、上記圧力検出器の出力値、および、上記積分回路の
出力値に上記差圧設定器で設定された差圧値が相対的に
加えられた出力値を比較し、上記圧力検出器の出力値が
上記差圧設定器で差圧値が相対的に加えられた積分回路
の出力値より大きくなると被吸着材の吸着を検出る吸着
検出器と、上記圧力検出器の出力値に上記差圧設定器で
設定された差圧値が相対的に加えられた出力値、およ
び、上記積分回路の出力値を比較し、上記積分回路の出
力値が上記差圧設定器で差圧値が相対的に加えられた上
記圧力検出器の出力値より大きくなると被吸着材の離脱
を検出する離脱検出器と、上記吸着検出器および上記離
脱検出器からの出力を出力する出力回路とを備えたもの
である。
（作用） 本発明は、圧力検出器で被吸着材を吸着するための吸着
路の圧力を検出し、積分回路で圧力検出器の出力値を積
分し、差圧設定器で被吸着材の吸着時および非吸着時の
圧力の差を設定し圧力検出器および積分回路の出力値に
差圧値を与える。被吸着材の吸着を検出する際には、吸
着検出器で、圧力検出器の出力値、および、積分回路の
出力値に差圧設定器で設定された差圧値が相対的に加え
られた出力値を比較し、圧力検出器の出力値が差圧設定
器で差圧値が相対的に加えられた積分回路の出力値より
大きくなると被吸着材の吸着を検出する。被吸着材の離
脱を検出する際には、離脱検出器で、圧力検出器の出力
値に差圧設定器で設定された差圧値が相対的に加えられ
た出力値、および、積分回路の出力値を比較し、積分回
路の出力値が差圧設定器で差圧値が相対的に加えられた
圧力検出器の出力値より大きくなると被吸着材の離脱を
検出する。吸着検出器および離脱検出器からの出力を出
力回路で出力する。
路の圧力を検出し、積分回路で圧力検出器の出力値を積
分し、差圧設定器で被吸着材の吸着時および非吸着時の
圧力の差を設定し圧力検出器および積分回路の出力値に
差圧値を与える。被吸着材の吸着を検出する際には、吸
着検出器で、圧力検出器の出力値、および、積分回路の
出力値に差圧設定器で設定された差圧値が相対的に加え
られた出力値を比較し、圧力検出器の出力値が差圧設定
器で差圧値が相対的に加えられた積分回路の出力値より
大きくなると被吸着材の吸着を検出する。被吸着材の離
脱を検出する際には、離脱検出器で、圧力検出器の出力
値に差圧設定器で設定された差圧値が相対的に加えられ
た出力値、および、積分回路の出力値を比較し、積分回
路の出力値が差圧設定器で差圧値が相対的に加えられた
圧力検出器の出力値より大きくなると被吸着材の離脱を
検出する。吸着検出器および離脱検出器からの出力を出
力回路で出力する。
（実施例） 以下、本発明の吸着検出装置の一実施例を図面を参照し
て説明する。なお、本実施例では、従来例に示す第５図
の吸着検出装置において、圧力検出装置８として用いる
ものである。
て説明する。なお、本実施例では、従来例に示す第５図
の吸着検出装置において、圧力検出装置８として用いる
ものである。
第１図において、31は圧力検出器としてのたとえば半導
体トランスデューサで、この半導体トランスデューサ31
は、被吸着材を吸着するための吸着路における流体の圧
力を検出する。そして、この半導体トランスデューサ31
の入力端子は接続端子32,33に接続され、半導体トラン
スデューサ31の出力端子は出力値を増幅する増幅回路と
してのたとえばオペアンプ34に接続されている。
体トランスデューサで、この半導体トランスデューサ31
は、被吸着材を吸着するための吸着路における流体の圧
力を検出する。そして、この半導体トランスデューサ31
の入力端子は接続端子32,33に接続され、半導体トラン
スデューサ31の出力端子は出力値を増幅する増幅回路と
してのたとえばオペアンプ34に接続されている。
また、このオペアンプ34の出力端子は抵抗35に接続さ
れ、この抵抗35は一端を接地したコンデンサ36に接続さ
れ、これら抵抗35とコンデンサ36でたとえばスパイクノ
イズ等を除去するとともに出力値を積分する積分回路37
を構成している。また、この積分回路37の抵抗35と並列
にバイパス回路を形成する常開の開閉器38が設けられて
いる。さらに、積分回路37は、ボルテージホロワ回路を
構成するオペアンプ39の正転入力端子に接続され、この
オペアンプ39の出力端子は抵抗40および差圧設定器とし
ての可変抵抗41とともに吸着検出器としてのコンパレー
タを構成するオペアンプ42の反転入力端子に接続され、
正転入力端子には抵抗43を介してオペアンプ34の出力端
子が接続されている。
れ、この抵抗35は一端を接地したコンデンサ36に接続さ
れ、これら抵抗35とコンデンサ36でたとえばスパイクノ
イズ等を除去するとともに出力値を積分する積分回路37
を構成している。また、この積分回路37の抵抗35と並列
にバイパス回路を形成する常開の開閉器38が設けられて
いる。さらに、積分回路37は、ボルテージホロワ回路を
構成するオペアンプ39の正転入力端子に接続され、この
オペアンプ39の出力端子は抵抗40および差圧設定器とし
ての可変抵抗41とともに吸着検出器としてのコンパレー
タを構成するオペアンプ42の反転入力端子に接続され、
正転入力端子には抵抗43を介してオペアンプ34の出力端
子が接続されている。
また、オペアンプ39の出力端子は抵抗44を介して離脱検
出器としてのコンパレータを構成するオペアンプ46の正
転入力端子に、このオペアンプ46の反転入力端子にはオ
ペアンプ34の出力端子とともに差圧設定器としての可変
抵抗41が接続されている。そして、オペアンプ42の出力
端子はフリップフロップ47のセット端子Ｓに、オペアン
プ46の出力端子はフリップフロップ47のリセット端子Ｒ
に接続されるとともに、オペアンプ42,46の出力端子は
ともに開閉器38に入力を与えるオア回路48に接続されて
いる。
出器としてのコンパレータを構成するオペアンプ46の正
転入力端子に、このオペアンプ46の反転入力端子にはオ
ペアンプ34の出力端子とともに差圧設定器としての可変
抵抗41が接続されている。そして、オペアンプ42の出力
端子はフリップフロップ47のセット端子Ｓに、オペアン
プ46の出力端子はフリップフロップ47のリセット端子Ｒ
に接続されるとともに、オペアンプ42,46の出力端子は
ともに開閉器38に入力を与えるオア回路48に接続されて
いる。
さらに、フリップフロップ47の出力端子は出力回路49の
トランジスタ50のベースに接続され、このトランジスタ
50のコレクタは接続端子51に、エミッタは接続端子33に
接続されるとともに接地されている。また、フリップフ
ロップ47の出力端子と接続端子32の間には表示用の発光
ダイオード52が接続されている。
トランジスタ50のベースに接続され、このトランジスタ
50のコレクタは接続端子51に、エミッタは接続端子33に
接続されるとともに接地されている。また、フリップフ
ロップ47の出力端子と接続端子32の間には表示用の発光
ダイオード52が接続されている。
次に、上記実施例の動作について説明する。
まず、たとえば半導体部品、電子部品などの被吸着材５
の吸着時と非吸着時の圧力の実際の差圧値に合わせて差
圧設定器としての可変抵抗41の可変抵抗値を変化させて
電圧の差圧値を設定する。
の吸着時と非吸着時の圧力の実際の差圧値に合わせて差
圧設定器としての可変抵抗41の可変抵抗値を変化させて
電圧の差圧値を設定する。
また、流体の圧力の検出に際しては、流体の圧力に対応
して半導体トランスデューサ31の抵抗値が変化し、この
半導体トランスデューサ31に定電流を加えることによ
り、流体の圧力に対応した電圧が半導体トランスデュー
サ31より出力されてオペアンプ34で増幅され、このオペ
アンプ34からの出力値を積分回路37で積分するとともに
スパイクノイズ等を除去する。
して半導体トランスデューサ31の抵抗値が変化し、この
半導体トランスデューサ31に定電流を加えることによ
り、流体の圧力に対応した電圧が半導体トランスデュー
サ31より出力されてオペアンプ34で増幅され、このオペ
アンプ34からの出力値を積分回路37で積分するとともに
スパイクノイズ等を除去する。
そして、被吸着材５の吸着を確認する場合は、オペアン
プ42が可変抵抗41により差圧値が加えられた積分回路37
の出力値Ｃと、オペアンプ34により増幅された半導体ト
ランスデューサ31の出力値Ｄとを比較する。そして、被
吸着材５が吸着されて流体の圧力が低下し、半導体トラ
ンスデューサ31からの電圧が急激に上昇し、半導体トラ
ンスデューサ31の出力値Ｄが急激に上昇する。しかしな
がら、積分回路37の出力値Ｃは積分されるために急激に
上昇せず、半導体トランスデューサ31の出力値Ｄが積分
回路37の出力値Ｃより大きくなる。そして、半導体トラ
ンスデューサ31の出力値Ｄが積分回路37の出力値Ｃより
大きくなった時点ａでオペアンプ42は正の出力をして、
フリップフロップ47をセットさせ、トランジスタ50にベ
ース電流を与えることによりトランジスタ50をオンし、
被吸着材５が吸着された旨を出力するとともに発光ダイ
オード52を点灯して吸着した旨を示す。
プ42が可変抵抗41により差圧値が加えられた積分回路37
の出力値Ｃと、オペアンプ34により増幅された半導体ト
ランスデューサ31の出力値Ｄとを比較する。そして、被
吸着材５が吸着されて流体の圧力が低下し、半導体トラ
ンスデューサ31からの電圧が急激に上昇し、半導体トラ
ンスデューサ31の出力値Ｄが急激に上昇する。しかしな
がら、積分回路37の出力値Ｃは積分されるために急激に
上昇せず、半導体トランスデューサ31の出力値Ｄが積分
回路37の出力値Ｃより大きくなる。そして、半導体トラ
ンスデューサ31の出力値Ｄが積分回路37の出力値Ｃより
大きくなった時点ａでオペアンプ42は正の出力をして、
フリップフロップ47をセットさせ、トランジスタ50にベ
ース電流を与えることによりトランジスタ50をオンし、
被吸着材５が吸着された旨を出力するとともに発光ダイ
オード52を点灯して吸着した旨を示す。
また、積分回路37を経由させたままでは応答速度が遅い
ので、オペアンプ42からの出力があった時点ｂで開閉器
38を閉じ、積分回路37のバイパス回路を閉成して差圧値
を加えた出力値Ｃの応答速度を速くし、所定時間経過し
た時点ｃには開閉器38を再び開き、バイパス回路を開成
して積分回路37を経由し、半導体トランスデューサ31か
らの出力値Ｄを再び積分する。
ので、オペアンプ42からの出力があった時点ｂで開閉器
38を閉じ、積分回路37のバイパス回路を閉成して差圧値
を加えた出力値Ｃの応答速度を速くし、所定時間経過し
た時点ｃには開閉器38を再び開き、バイパス回路を開成
して積分回路37を経由し、半導体トランスデューサ31か
らの出力値Ｄを再び積分する。
その後、被吸着材５の離脱を確認する場合はオペアンプ
46がボルテージホロワ回路を形成するオペアンプ39の出
力すなわち積分回路37の出力値Ｅと、可変抵抗41により
差圧値が加えられオペアンプ34により増幅された半導体
トランスデューサ31の出力値Ｆとを比較する。
46がボルテージホロワ回路を形成するオペアンプ39の出
力すなわち積分回路37の出力値Ｅと、可変抵抗41により
差圧値が加えられオペアンプ34により増幅された半導体
トランスデューサ31の出力値Ｆとを比較する。
また、被吸着材５が離脱され流体の圧力が上昇して半導
体トランスデューサ31からの電圧が急激に低下し、半導
体トランスデューサ31の出力値Ｆが急激に低下する。そ
して、積分されるため急激に低下しない積分回路37の出
力値Ｅより半導体トランスデューサ31の出力値Ｆが小さ
くなった時点ｄで、オペアンプ46は正の出力をしてフリ
ップフロップ47をリセットさせ、出力回路49のトランジ
スタ50のベース電流の供給を停止することによりトラン
ジスタ50をオフするとともに発光ダイオード52を消灯
し、被吸着材５が離脱した旨を示す。
体トランスデューサ31からの電圧が急激に低下し、半導
体トランスデューサ31の出力値Ｆが急激に低下する。そ
して、積分されるため急激に低下しない積分回路37の出
力値Ｅより半導体トランスデューサ31の出力値Ｆが小さ
くなった時点ｄで、オペアンプ46は正の出力をしてフリ
ップフロップ47をリセットさせ、出力回路49のトランジ
スタ50のベース電流の供給を停止することによりトラン
ジスタ50をオフするとともに発光ダイオード52を消灯
し、被吸着材５が離脱した旨を示す。
また、積分回路37を経由させたままでは応答速度が遅い
ので、オペアンプ46からの出力があった時点ｅで、開閉
器38を閉じ、積分回路37のバイパス回路を閉成し、出力
値Ｅの応答速度を速くし、所定時間経過後ｆには開閉器
38を再び開き、バイパス回路を開成して積分回路37を経
由し、半導体トランスデューサ31からの出力値Ｆを再び
積分する。
ので、オペアンプ46からの出力があった時点ｅで、開閉
器38を閉じ、積分回路37のバイパス回路を閉成し、出力
値Ｅの応答速度を速くし、所定時間経過後ｆには開閉器
38を再び開き、バイパス回路を開成して積分回路37を経
由し、半導体トランスデューサ31からの出力値Ｆを再び
積分する。
そうして、上記動作を繰返し、被吸着材５の吸着、離脱
を検出する。
を検出する。
なお、第２図のパルス状のグラフＧは被吸着材５の吸
着、離脱の状態を表わしている。
着、離脱の状態を表わしている。
上記実施例によれば、積分回路37と並列に開閉器38を設
け、オペアンプ42またはオペアンプ46の出力により開閉
器38を閉じてバイパス回路を形成するので、被吸着材５
の吸着または離脱検出後一定時間は出力値が積分されな
いので応答時間が早くなる。
け、オペアンプ42またはオペアンプ46の出力により開閉
器38を閉じてバイパス回路を形成するので、被吸着材５
の吸着または離脱検出後一定時間は出力値が積分されな
いので応答時間が早くなる。
また、発光ダイオード52等の表示素子を設けたことによ
り吸着、離脱の確認が容易となる。
り吸着、離脱の確認が容易となる。
実験によれば、従来の吸着検出装置に対し、次表の結果
が得られた。
が得られた。
この結果によれば、圧力変動に対する自由度は従来の60
〔mmHg〕から480〔mmHg〕と８倍、吸着検出精度は従来
の20〔mmHg〕から５〔mmHg〕と４倍に性能が向上した。
〔mmHg〕から480〔mmHg〕と８倍、吸着検出精度は従来
の20〔mmHg〕から５〔mmHg〕と４倍に性能が向上した。
本発明の吸着検出装置によれば、圧力検出器で吸着路の
圧力を検出し、積分回路で圧力検出器の出力値を積分
し、差圧設定器で被吸着材の吸着時および非吸着時の圧
力の差を設定し、被吸着材の吸着を検出する際には、吸
着検出器で、圧力検出器の出力値、および、差圧値が相
対的に加えられた積分回路の出力値を比較し、圧力検出
器の出力値が差圧値が相対的に加えられた積分回路の出
力値より大きくなると被吸着材の吸着を検出し、被吸着
材の離脱を検出する際には、離脱検出器で、積分回路の
出力値が差圧設定器で差圧値が相対的に加えられた圧力
検出器の出力値より大きくなると被吸着材の離脱を検出
し、出力回路で出力することにより、設定値が圧力変動
とともに変動するので、圧力変動による誤検出、吸着ノ
ズルが汚れによるオリフィスの径の変化等による検出精
度の劣化が防げ、また、設定値は差圧設定器により出力
値に被吸着材の吸着時と非吸着時の差圧が設定できるの
で、差圧が比較的少ない場合も検出できる。さらに、圧
力変動に伴い設定値も変化するので検出時間のタイミン
グを損うことがなく、常に安定しているので高速機械の
検出も行なうことができる。
圧力を検出し、積分回路で圧力検出器の出力値を積分
し、差圧設定器で被吸着材の吸着時および非吸着時の圧
力の差を設定し、被吸着材の吸着を検出する際には、吸
着検出器で、圧力検出器の出力値、および、差圧値が相
対的に加えられた積分回路の出力値を比較し、圧力検出
器の出力値が差圧値が相対的に加えられた積分回路の出
力値より大きくなると被吸着材の吸着を検出し、被吸着
材の離脱を検出する際には、離脱検出器で、積分回路の
出力値が差圧設定器で差圧値が相対的に加えられた圧力
検出器の出力値より大きくなると被吸着材の離脱を検出
し、出力回路で出力することにより、設定値が圧力変動
とともに変動するので、圧力変動による誤検出、吸着ノ
ズルが汚れによるオリフィスの径の変化等による検出精
度の劣化が防げ、また、設定値は差圧設定器により出力
値に被吸着材の吸着時と非吸着時の差圧が設定できるの
で、差圧が比較的少ない場合も検出できる。さらに、圧
力変動に伴い設定値も変化するので検出時間のタイミン
グを損うことがなく、常に安定しているので高速機械の
検出も行なうことができる。
第１図は本発明の吸着検出装置の一実施例を示す回路
図、第２図は同上吸着、離脱検出状態を示す動作図、第
３図は第２図の動作図の一部の拡大図、第４図は従来の
吸着検出装置の斜視図、第５図は第４図の吸着検出装置
に用いる回路図、第６図は同上離脱検出状態を示す動作
図である。 31……圧力検出器としての半導体トランスデューサ、37
……積分回路、41……差圧設定器としての可変抵抗、42
……吸着検出器としてのオペアンプ、46……離脱検出器
としてのオペアンプ、49……出力回路。
図、第２図は同上吸着、離脱検出状態を示す動作図、第
３図は第２図の動作図の一部の拡大図、第４図は従来の
吸着検出装置の斜視図、第５図は第４図の吸着検出装置
に用いる回路図、第６図は同上離脱検出状態を示す動作
図である。 31……圧力検出器としての半導体トランスデューサ、37
……積分回路、41……差圧設定器としての可変抵抗、42
……吸着検出器としてのオペアンプ、46……離脱検出器
としてのオペアンプ、49……出力回路。
Claims (1)
- 【請求項１】被吸着材を吸着するための吸着路の圧力を
検出する圧力検出器と、 この圧力検出器の出力値を積分する積分回路と、 被吸着材の吸着時および非吸着時の圧力の差を設定し上
記圧力検出器の出力値および上記積分回路の出力値に差
圧値を与える差圧設定器と、 上記圧力検出器の出力値、および、上記積分回路の出力
値に上記差圧設定器で設定された差圧値が相対的に加え
られた出力値を比較し、上記圧力検出器の出力値が上記
差圧設定器で差圧値が相対的に加えられた積分回路の出
力値より大きくなると被吸着材の吸着を検出する吸着検
出器と、 上記圧力検出器の出力値に上記差圧設定器で設定された
差圧値が相対的に加えられた出力値、および、上記積分
回路の出力値を比較し、上記積分回路の出力値が上記差
圧設定器で差圧値が相対的に加えられた上記圧力検出器
の出力値より大きくなると被吸着材の離脱を検出する離
脱検出器と、 上記吸着検出器および上記離脱検出器からの出力を出力
する出力回路と を備えたことを特徴とする吸着検出装置。
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61283544A JPH07274B2 (ja) | 1986-11-28 | 1986-11-28 | 吸着検出装置 |
| DE8787117623T DE3767671D1 (de) | 1986-11-28 | 1987-11-27 | Verfahren zur genauen feststellung v. saugwirkung/bzw. beseitigung und saug.-/transfervorrichtung. |
| EP87117623A EP0269128B1 (en) | 1986-11-28 | 1987-11-27 | Method for accurate suction/removal detection and suction/transfer apparatus for practicing the same |
| US07/126,228 US4850216A (en) | 1986-11-28 | 1987-11-27 | Method for accurate suction/removal detection and suction/transfer apparatus for practicing the same |
| KR8713523A KR910001843B1 (en) | 1986-11-28 | 1987-11-28 | Checking machine |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61283544A JPH07274B2 (ja) | 1986-11-28 | 1986-11-28 | 吸着検出装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63139688A JPS63139688A (ja) | 1988-06-11 |
| JPH07274B2 true JPH07274B2 (ja) | 1995-01-11 |
Family
ID=17666900
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61283544A Expired - Lifetime JPH07274B2 (ja) | 1986-11-28 | 1986-11-28 | 吸着検出装置 |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4850216A (ja) |
| EP (1) | EP0269128B1 (ja) |
| JP (1) | JPH07274B2 (ja) |
| KR (1) | KR910001843B1 (ja) |
| DE (1) | DE3767671D1 (ja) |
Families Citing this family (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| GB2235915B (en) * | 1989-08-24 | 1994-04-06 | Smc Corp | Method of and apparatus for detecting predicted failure in fluid-pressure system |
| JPH0797599B2 (ja) * | 1990-04-27 | 1995-10-18 | 株式会社芝浦製作所 | 基板検出装置 |
| US5203547A (en) * | 1990-11-29 | 1993-04-20 | Canon Kabushiki Kaisha | Vacuum attraction type substrate holding device |
| EP0500064B1 (en) * | 1991-02-22 | 1996-11-06 | Smc Kabushiki Kaisha | Method of processing vacuum pressure information in a vacuum unit to provide a failure precognition signal |
| DE69225486T2 (de) * | 1991-09-09 | 1999-01-07 | Smc K.K., Tokio/Tokyo | Gerät zur funktionsüberwachung eines sauggreifers und verfahren zur einstellung des druckniveaus für die funktionsüberwachung eines saugreifers |
| JP3652397B2 (ja) * | 1995-02-21 | 2005-05-25 | 三星テクウィン株式会社 | 部品搭載方法および搭載装置 |
| US20020185764A1 (en) * | 2001-06-12 | 2002-12-12 | Griggs Stephen R. | Vacuum detection apparatus and method |
| WO2004017704A1 (ja) * | 2002-08-06 | 2004-02-26 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | 部品実装方法、及び部品実装装置 |
Family Cites Families (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| GB1300531A (en) * | 1970-01-02 | 1972-12-20 | Aspro Nicholas Ltd | Article sensing apparatus |
| US4382593A (en) * | 1980-08-04 | 1983-05-10 | International Business Machines Corporation | Vacuum document feeder |
| NL8201532A (nl) * | 1982-04-13 | 1983-11-01 | Philips Nv | Werkwijze en inrichting voor het controleren van de aanwezigheid respectievelijk afwezigheid van een voorwerp op het uiteinde van een vacuuem-opnemer. |
| US4510683A (en) * | 1983-10-27 | 1985-04-16 | Sperry Corporation | Force assembler apparatus for robots |
-
1986
- 1986-11-28 JP JP61283544A patent/JPH07274B2/ja not_active Expired - Lifetime
-
1987
- 1987-11-27 DE DE8787117623T patent/DE3767671D1/de not_active Expired - Lifetime
- 1987-11-27 US US07/126,228 patent/US4850216A/en not_active Expired - Fee Related
- 1987-11-27 EP EP87117623A patent/EP0269128B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1987-11-28 KR KR8713523A patent/KR910001843B1/ko not_active IP Right Cessation
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| EP0269128B1 (en) | 1991-01-23 |
| EP0269128A2 (en) | 1988-06-01 |
| JPS63139688A (ja) | 1988-06-11 |
| KR910001843B1 (en) | 1991-03-28 |
| KR880006535A (ko) | 1988-07-23 |
| US4850216A (en) | 1989-07-25 |
| EP0269128A3 (en) | 1989-02-22 |
| DE3767671D1 (de) | 1991-02-28 |
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