JPH06109573A - 圧力検出装置 - Google Patents
圧力検出装置Info
- Publication number
- JPH06109573A JPH06109573A JP26235392A JP26235392A JPH06109573A JP H06109573 A JPH06109573 A JP H06109573A JP 26235392 A JP26235392 A JP 26235392A JP 26235392 A JP26235392 A JP 26235392A JP H06109573 A JPH06109573 A JP H06109573A
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- Japan
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- sensor head
- pressure
- output
- signal processing
- semiconductor
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 センサヘッド−信号処理部分離型の圧力検出
装置において、センサヘッドを小型軽量化すると共に、
空電ノイズの影響を小さくし、且つ製品コストを低く押
さえる。 【構成】 半導体チップ１には、ダイヤフラム２及びこ
のダイヤフラム２の表面に形成されたピエゾ抵抗素子に
より構成される半導体圧力センサと、トランジスタ４及
び薄膜抵抗素子５等により構成され前記半導体圧力セン
サの出力を増幅する電子回路とが形成されている。この
半導体チップ１はセンサヘッド内に収納されており、前
記電子回路の出力がケーブルを介して信号処理部に伝達
される。
装置において、センサヘッドを小型軽量化すると共に、
空電ノイズの影響を小さくし、且つ製品コストを低く押
さえる。 【構成】 半導体チップ１には、ダイヤフラム２及びこ
のダイヤフラム２の表面に形成されたピエゾ抵抗素子に
より構成される半導体圧力センサと、トランジスタ４及
び薄膜抵抗素子５等により構成され前記半導体圧力セン
サの出力を増幅する電子回路とが形成されている。この
半導体チップ１はセンサヘッド内に収納されており、前
記電子回路の出力がケーブルを介して信号処理部に伝達
される。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体圧力センサ素子
が内蔵されたセンサヘッドと、このセンサヘッドから出
力された信号を処理する信号処理部とを分離し、両者の
間をケーブルで接続したセンサヘッド−信号処理部分離
型の圧力検出装置に関する。
が内蔵されたセンサヘッドと、このセンサヘッドから出
力された信号を処理する信号処理部とを分離し、両者の
間をケーブルで接続したセンサヘッド−信号処理部分離
型の圧力検出装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】電子工業分野において電子部品の実装に
使用されるチップマウンタは、減圧吸着部を備えてお
り、この減圧吸着部でチップを吸着して搬送するように
なっている。また、精密機械工業分野において小型部品
の組み立てに使用される小型部品組立機も、減圧吸着部
を備えており、この減圧吸着部で小型部品を吸着して搬
送するようになっている。これらの装置には、減圧吸着
部での吸着圧力を検出して吸着状態の良否を検知するた
めに、半導体圧力センサ素子を用いた圧力検出装置が使
用されている。半導体圧力センサ素子は、圧力により変
形する半導体ダイヤフラムと、このダイヤフラムの表面
に形成された感歪抵抗素子（ピエゾ抵抗素子）により構
成されたブリッジ回路とを有し、ピエゾ効果により圧力
に応じた信号が出力される。
使用されるチップマウンタは、減圧吸着部を備えてお
り、この減圧吸着部でチップを吸着して搬送するように
なっている。また、精密機械工業分野において小型部品
の組み立てに使用される小型部品組立機も、減圧吸着部
を備えており、この減圧吸着部で小型部品を吸着して搬
送するようになっている。これらの装置には、減圧吸着
部での吸着圧力を検出して吸着状態の良否を検知するた
めに、半導体圧力センサ素子を用いた圧力検出装置が使
用されている。半導体圧力センサ素子は、圧力により変
形する半導体ダイヤフラムと、このダイヤフラムの表面
に形成された感歪抵抗素子（ピエゾ抵抗素子）により構
成されたブリッジ回路とを有し、ピエゾ効果により圧力
に応じた信号が出力される。
【０００３】図３（ａ）は、従来の圧力検出装置の一例
を示す平面図、図３（ｂ）は同じくその側面図である。
を示す平面図、図３（ｂ）は同じくその側面図である。
【０００４】ケース４０内には上述の半導体圧力センサ
素子が収納されており、測定圧力導入ポート４１にはこ
の圧力センサ素子に連絡する孔が設けられている。この
測定圧力導入ポート４１の外周にはねじが設けられてお
り、チューブを気密的に接続できるようになっている。
また、ケース４０内には、前記圧力センサ素子の出力を
増幅調整するアンプ及びこのアンプの出力信号を処理す
るマイクロコンピュータ（いずれも図示せず）が内蔵さ
れている。更に、ケース４０には、ＬＣＤ（液晶表示装
置）４２及びＬＥＤ（発光ダイオード）４３等の表示装
置並びにスイッチ４４等が取り付けられている。そし
て、この圧力検出装置は、圧力検出結果に基づく信号を
ケーブル４５を介して外部に出力するようになってい
る。
素子が収納されており、測定圧力導入ポート４１にはこ
の圧力センサ素子に連絡する孔が設けられている。この
測定圧力導入ポート４１の外周にはねじが設けられてお
り、チューブを気密的に接続できるようになっている。
また、ケース４０内には、前記圧力センサ素子の出力を
増幅調整するアンプ及びこのアンプの出力信号を処理す
るマイクロコンピュータ（いずれも図示せず）が内蔵さ
れている。更に、ケース４０には、ＬＣＤ（液晶表示装
置）４２及びＬＥＤ（発光ダイオード）４３等の表示装
置並びにスイッチ４４等が取り付けられている。そし
て、この圧力検出装置は、圧力検出結果に基づく信号を
ケーブル４５を介して外部に出力するようになってい
る。
【０００５】このような圧力検出装置は、ケース４０の
サイズが比較的大きいため、例えばチップマウンタのマ
ウンタヘッド等の可動部又は取り付けスペースが狭い部
分に装着して使用することは困難である。このため、こ
の種の圧力検出装置においては、測定圧力導入ポート４
１にチューブを接続し、このチューブ先端をマウンタヘ
ッド等に取り付けて、チューブ先端における圧力を検出
している。しかしながら、この種の圧力検出装置には、
チューブによる配管抵抗のため応答性が悪く、精密な測
定には適していないという欠点がある。
サイズが比較的大きいため、例えばチップマウンタのマ
ウンタヘッド等の可動部又は取り付けスペースが狭い部
分に装着して使用することは困難である。このため、こ
の種の圧力検出装置においては、測定圧力導入ポート４
１にチューブを接続し、このチューブ先端をマウンタヘ
ッド等に取り付けて、チューブ先端における圧力を検出
している。しかしながら、この種の圧力検出装置には、
チューブによる配管抵抗のため応答性が悪く、精密な測
定には適していないという欠点がある。
【０００６】図４は従来の圧力検出装置の他の例を示す
斜視図である。この圧力検出装置は、半導体圧力センサ
素子を内蔵するセンサヘッド５１と、アンプ及びマイク
ロコンピュータ等を内蔵する信号処理部５０とにより構
成され、この両者は接続ケーブル５５により接続されて
いる。信号処理部５０には、ＬＣＤ５２及びＬＥＤ５３
等の表示装置並びにスイッチ５４等が取り付けられてい
る。信号処理部５０は、圧力検出結果に基づく信号をケ
ーブル５６を介して外部に出力することができるように
なっている。
斜視図である。この圧力検出装置は、半導体圧力センサ
素子を内蔵するセンサヘッド５１と、アンプ及びマイク
ロコンピュータ等を内蔵する信号処理部５０とにより構
成され、この両者は接続ケーブル５５により接続されて
いる。信号処理部５０には、ＬＣＤ５２及びＬＥＤ５３
等の表示装置並びにスイッチ５４等が取り付けられてい
る。信号処理部５０は、圧力検出結果に基づく信号をケ
ーブル５６を介して外部に出力することができるように
なっている。
【０００７】このような圧力検出装置においては、セン
サヘッド５１を小型軽量化できるため、可動部分又は取
り付けスペースが狭いところにもセンサヘッド５１を直
接取り付けることができる。従って、この種の圧力検出
装置には、応答性が良好であり精密な圧力測定を行なう
ことができて、チップマウンタ等の装置をより精密に制
御することができるという利点がある。
サヘッド５１を小型軽量化できるため、可動部分又は取
り付けスペースが狭いところにもセンサヘッド５１を直
接取り付けることができる。従って、この種の圧力検出
装置には、応答性が良好であり精密な圧力測定を行なう
ことができて、チップマウンタ等の装置をより精密に制
御することができるという利点がある。
【０００８】しかしながら、このような構造の圧力検出
装置では、センサヘッドと信号処理部との間のケーブル
長を長くすると、周辺の空電ノイズ等を拾うため、測定
精度が低下するという問題点がある。半導体圧力センサ
素子の出力電圧は、使用最大圧力印加時でも高々数十ｍ
Ｖ程度と小さいので、空電ノイズの影響による出力誤差
は大きなものとなる。センサヘッド内にアンプを内蔵
し、半導体圧力センサ素子の出力信号をこのアンプで数
Ｖにまで増幅してから信号処理部へ出力することも考え
られるが、そうすると、センサヘッドの小型軽量化が阻
害されるという新たな問題点が発生する。
装置では、センサヘッドと信号処理部との間のケーブル
長を長くすると、周辺の空電ノイズ等を拾うため、測定
精度が低下するという問題点がある。半導体圧力センサ
素子の出力電圧は、使用最大圧力印加時でも高々数十ｍ
Ｖ程度と小さいので、空電ノイズの影響による出力誤差
は大きなものとなる。センサヘッド内にアンプを内蔵
し、半導体圧力センサ素子の出力信号をこのアンプで数
Ｖにまで増幅してから信号処理部へ出力することも考え
られるが、そうすると、センサヘッドの小型軽量化が阻
害されるという新たな問題点が発生する。
【０００９】図５は従来の圧力検出装置の他の例を示す
斜視図である。この装置においては、センサヘッド５１
と信号処理部５０とを接続するケーブル５５の途中にア
ンプ５７が設けられている。このアンプ５７は、センサ
ヘッド５１の出力を数Ｖまで増幅して信号処理部５０へ
出力する。
斜視図である。この装置においては、センサヘッド５１
と信号処理部５０とを接続するケーブル５５の途中にア
ンプ５７が設けられている。このアンプ５７は、センサ
ヘッド５１の出力を数Ｖまで増幅して信号処理部５０へ
出力する。
【００１０】この種の圧力検出装置においては、センサ
ヘッドが小型軽量化できると共に、空電ノイズの影響を
低減できるという長所がある。
ヘッドが小型軽量化できると共に、空電ノイズの影響を
低減できるという長所がある。
【００１１】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、図５に
示す従来の圧力検出装置においては、ケーブル５５の途
中にアンプ５７を介装するため、アンプ５７を実装する
ための回路基板及びこの回路基板を収納する外装ケース
等が必要である。従って、この種の圧力検出装置には、
製品コストが高くなるという欠点がある。
示す従来の圧力検出装置においては、ケーブル５５の途
中にアンプ５７を介装するため、アンプ５７を実装する
ための回路基板及びこの回路基板を収納する外装ケース
等が必要である。従って、この種の圧力検出装置には、
製品コストが高くなるという欠点がある。
【００１２】本発明はかかる問題点に鑑みてなされたも
のであって、センサヘッドを小型軽量化できると共に製
品コストが低く、空電ノイズによる影響を低減できて測
定精度が高い圧力検出装置を提供することを目的とす
る。
のであって、センサヘッドを小型軽量化できると共に製
品コストが低く、空電ノイズによる影響を低減できて測
定精度が高い圧力検出装置を提供することを目的とす
る。
【００１３】
【課題を解決するための手段】本発明に係る圧力検出装
置は、ピエゾ効果により圧力を検出する半導体圧力セン
サ素子が設けられた半導体チップを収納するセンサヘッ
ドと、このセンサヘッドから出力された信号を処理する
信号処理部と、この信号処理部と前記センサヘッドとの
間を接続するケーブルとを有する圧力検出装置におい
て、前記半導体チップには前記センサ素子の出力を増幅
する回路が形成されていることを特徴とする。
置は、ピエゾ効果により圧力を検出する半導体圧力セン
サ素子が設けられた半導体チップを収納するセンサヘッ
ドと、このセンサヘッドから出力された信号を処理する
信号処理部と、この信号処理部と前記センサヘッドとの
間を接続するケーブルとを有する圧力検出装置におい
て、前記半導体チップには前記センサ素子の出力を増幅
する回路が形成されていることを特徴とする。
【００１４】
【作用】本発明においては、半導体圧力センサ素子とこ
のセンサ素子の出力を増幅する回路とが同一の半導体チ
ップに形成されている。即ち、本発明に係る圧力検出装
置においては、半導体圧力センサ素子の出力を同一チッ
プ上で数Ｖ程度まで増幅した後、ケーブルを介して信号
処理部に伝達する。このため、センサヘッドから出力さ
れる信号は空電ノイズに比して極めて大きく、空電ノイ
ズの影響を実質的に無視することができる。
のセンサ素子の出力を増幅する回路とが同一の半導体チ
ップに形成されている。即ち、本発明に係る圧力検出装
置においては、半導体圧力センサ素子の出力を同一チッ
プ上で数Ｖ程度まで増幅した後、ケーブルを介して信号
処理部に伝達する。このため、センサヘッドから出力さ
れる信号は空電ノイズに比して極めて大きく、空電ノイ
ズの影響を実質的に無視することができる。
【００１５】また、本発明においては、センサヘッド内
に収納する半導体チップの個数は１個だけでよいため、
センサヘッドを小型軽量化することができる。更に、本
発明においては、ケーブルの途中にアンプ等を設ける必
要がないため、外装ケース及び回路基板等が不要であ
り、製品コストの上昇を回避できる。
に収納する半導体チップの個数は１個だけでよいため、
センサヘッドを小型軽量化することができる。更に、本
発明においては、ケーブルの途中にアンプ等を設ける必
要がないため、外装ケース及び回路基板等が不要であ
り、製品コストの上昇を回避できる。
【００１６】
【実施例】次に、本発明の実施例について添付の図面を
参照して説明する。
参照して説明する。
【００１７】図１は本発明の実施例に係る圧力検出装置
のセンサヘッド内に収納される半導体チップを示す断面
図である。
のセンサヘッド内に収納される半導体チップを示す断面
図である。
【００１８】半導体チップ１はｐ型シリコン単結晶から
なり、その一部が裏面側から異方性エッチングされてダ
イヤフラム２が形成されている。また、このシリコンチ
ップ１の表面には、ｎ+ 型不純物領域１１，１４，１
７，１８、ｎ型不純物領域１２，１５，１９、ｐ+ 型不
純物領域１３及びｐ型不純物領域１６が選択的に設けら
れている。更に、チップ１の表面上にはＳｉＯ2 からな
る絶縁膜２０，２１、アルミニウム（Ａｌ）配線２２及
び抵抗体膜２３等が選択的に設けられており、圧力セン
サ素子３、トランジスタ４及び薄膜抵抗素子５等が形成
されている。そして、これらのセンサ素子３、トランジ
スタ４及び抵抗素子５等により、所定の電子回路が構成
されている。
なり、その一部が裏面側から異方性エッチングされてダ
イヤフラム２が形成されている。また、このシリコンチ
ップ１の表面には、ｎ+ 型不純物領域１１，１４，１
７，１８、ｎ型不純物領域１２，１５，１９、ｐ+ 型不
純物領域１３及びｐ型不純物領域１６が選択的に設けら
れている。更に、チップ１の表面上にはＳｉＯ2 からな
る絶縁膜２０，２１、アルミニウム（Ａｌ）配線２２及
び抵抗体膜２３等が選択的に設けられており、圧力セン
サ素子３、トランジスタ４及び薄膜抵抗素子５等が形成
されている。そして、これらのセンサ素子３、トランジ
スタ４及び抵抗素子５等により、所定の電子回路が構成
されている。
【００１９】図２は、この半導体チップに設けられた電
子回路を示す回路図である。抵抗素子Ｒ1 〜Ｒ4 はいず
れもダイヤフラム４の表面に設けられたピエゾ抵抗素子
であり、抵抗ブリッジ回路を構成している。オペアンプ
３１は、この抵抗ブリッジ回路に一定の電流を与える電
流源として作用する。また、オペアンプ３２，３３及び
トランジスタＴ1 ，Ｔ2 により構成された回路は、前記
抵抗ブリッジ回路の出力に温度補償等を行なうための回
路であり、ブリッジ回路の出力電圧信号を電流信号に変
換して出力する。また、ウイルソンカレントミラー回路
３５は、この電流信号を電圧信号に変換する。オペアン
プ３４は、この電圧信号を増幅して出力する。
子回路を示す回路図である。抵抗素子Ｒ1 〜Ｒ4 はいず
れもダイヤフラム４の表面に設けられたピエゾ抵抗素子
であり、抵抗ブリッジ回路を構成している。オペアンプ
３１は、この抵抗ブリッジ回路に一定の電流を与える電
流源として作用する。また、オペアンプ３２，３３及び
トランジスタＴ1 ，Ｔ2 により構成された回路は、前記
抵抗ブリッジ回路の出力に温度補償等を行なうための回
路であり、ブリッジ回路の出力電圧信号を電流信号に変
換して出力する。また、ウイルソンカレントミラー回路
３５は、この電流信号を電圧信号に変換する。オペアン
プ３４は、この電圧信号を増幅して出力する。
【００２０】なお、抵抗素子Ｒ11〜Ｒ17は基板表面に不
純物を導入して形成された拡散抵抗か、又は絶縁膜２０
上に形成された薄膜抵抗である。また、抵抗ＲV1〜ＲV8
はいずれも薄膜抵抗であり、その抵抗値はトリミング等
により調整されている。
純物を導入して形成された拡散抵抗か、又は絶縁膜２０
上に形成された薄膜抵抗である。また、抵抗ＲV1〜ＲV8
はいずれも薄膜抵抗であり、その抵抗値はトリミング等
により調整されている。
【００２１】本実施例においては、このような回路が半
導体チップに集積化されて設けられている。従って、セ
ンサヘッドからは数Ｖの電圧信号が出力され、この信号
はケーブルを介して信号処理部に送られる。信号処理部
は、例えば、マイクロコンピュータ、スイッチ並びにＬ
ＣＤ及びＬＥＤ等の表示装置等を備えており、センサヘ
ッドから入力した信号に対し所定の処理を施す。
導体チップに集積化されて設けられている。従って、セ
ンサヘッドからは数Ｖの電圧信号が出力され、この信号
はケーブルを介して信号処理部に送られる。信号処理部
は、例えば、マイクロコンピュータ、スイッチ並びにＬ
ＣＤ及びＬＥＤ等の表示装置等を備えており、センサヘ
ッドから入力した信号に対し所定の処理を施す。
【００２２】ところで、半導体圧力センサ素子と前述の
集積回路とを有する半導体チップ１（集積化圧力セン
サ）は、半導体圧力センサ素子のみを有する半導体チッ
プと略等しいサイズで形成することができる。従って、
本実施例に係る圧力検出装置は、図４に示す従来の圧力
検出装置と略同様の外観を有し、センサヘッドのサイズ
もこの従来の圧力検出装置と略同様とすることが可能で
ある。このため、センサヘッドを可動部又は取り付けス
ペースが狭いところに装着して使用することができる。
また、センサヘッドの出力電圧が数Ｖと高いため、空電
ノイズの影響を実質的に無視することができて、測定精
度が高い。更に、本実施例に係る圧力測定装置において
は、センサヘッドと信号処理部とを接続するケーブルの
途中にアンプ等を介装する必要がなく、図５に示す従来
の圧力検出装置に比して装置コストを低減することがで
きる。
集積回路とを有する半導体チップ１（集積化圧力セン
サ）は、半導体圧力センサ素子のみを有する半導体チッ
プと略等しいサイズで形成することができる。従って、
本実施例に係る圧力検出装置は、図４に示す従来の圧力
検出装置と略同様の外観を有し、センサヘッドのサイズ
もこの従来の圧力検出装置と略同様とすることが可能で
ある。このため、センサヘッドを可動部又は取り付けス
ペースが狭いところに装着して使用することができる。
また、センサヘッドの出力電圧が数Ｖと高いため、空電
ノイズの影響を実質的に無視することができて、測定精
度が高い。更に、本実施例に係る圧力測定装置において
は、センサヘッドと信号処理部とを接続するケーブルの
途中にアンプ等を介装する必要がなく、図５に示す従来
の圧力検出装置に比して装置コストを低減することがで
きる。
【００２３】なお、信号処理部は、必ずしもマイクロコ
ンピュータ及びＬＣＤ、ＬＥＤ等の表示素子を備えてい
る必要はなく、例えば、センサヘッドからの信号の電圧
値に基づいてＯＮ／ＯＦＦの判断を行うコンパレータの
みを有するものであってもよい。また、上述の実施例に
おいてはセンサヘッド内に内蔵するアンプが電圧出力型
の場合について説明したが、接続ケーブルが長くなるこ
とによる電気抵抗の増大による誤差を低減するために、
センサヘッド内に内蔵するアンプとして電流出力型アン
プを使用してもよい。
ンピュータ及びＬＣＤ、ＬＥＤ等の表示素子を備えてい
る必要はなく、例えば、センサヘッドからの信号の電圧
値に基づいてＯＮ／ＯＦＦの判断を行うコンパレータの
みを有するものであってもよい。また、上述の実施例に
おいてはセンサヘッド内に内蔵するアンプが電圧出力型
の場合について説明したが、接続ケーブルが長くなるこ
とによる電気抵抗の増大による誤差を低減するために、
センサヘッド内に内蔵するアンプとして電流出力型アン
プを使用してもよい。
【００２４】
【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、半
導体圧力センサ素子及びこのセンサ素子の出力を増幅す
る回路が設けられた半導体チップがセンサヘッド内に収
納されており、このセンサヘッドから出力された信号は
ケーブルを介して信号処理部に与えられるから、空電ノ
イズの影響を低減できて検出精度を向上できると共に、
センサヘッドを小型軽量化することができる。また、本
発明に係る圧力検出装置においては、ケーブルの途中に
アンプ等を設ける必要がないので、製品コストが低い。
導体圧力センサ素子及びこのセンサ素子の出力を増幅す
る回路が設けられた半導体チップがセンサヘッド内に収
納されており、このセンサヘッドから出力された信号は
ケーブルを介して信号処理部に与えられるから、空電ノ
イズの影響を低減できて検出精度を向上できると共に、
センサヘッドを小型軽量化することができる。また、本
発明に係る圧力検出装置においては、ケーブルの途中に
アンプ等を設ける必要がないので、製品コストが低い。
【図１】本発明の実施例に係る圧力検出装置のセンサヘ
ッド内に収納される半導体チップを示す断面図である。
ッド内に収納される半導体チップを示す断面図である。
【図２】同じくその半導体チップに設けられた電子回路
を示す回路図である。
を示す回路図である。
【図３】（ａ）は従来の圧力検出装置の一例を示す平面
図、（ｂ）は同じくその側面図である。
図、（ｂ）は同じくその側面図である。
【図４】従来の圧力検出装置の他の例を示す斜視図であ
る。
る。
【図５】従来の圧力検出装置の他の例を示す斜視図であ
る。
る。
１；半導体チップ ２；ダイヤフラム ３；圧力センサ素子 ４；トランジスタ ５；薄膜抵抗素子 ３１〜３４；オペアンプ ３５；ウイルソンカレントミラー回路 ４１；測定圧力導入ポート ４２，５２；ＬＣＤ ４３，５３；ＬＥＤ ４４，５４；スイッチ ４５，５５，５６；ケーブル ５１；センサヘッド ５７；アンプ
Claims (1)
- 【請求項１】 ピエゾ効果により圧力を検出する半導体
圧力センサ素子が設けられた半導体チップを収納するセ
ンサヘッドと、このセンサヘッドから出力された信号を
処理する信号処理部と、この信号処理部と前記センサヘ
ッドとの間を接続するケーブルとを有する圧力検出装置
において、前記半導体チップには前記センサ素子の出力
を増幅する回路が形成されていることを特徴とする圧力
検出装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26235392A JPH06109573A (ja) | 1992-09-30 | 1992-09-30 | 圧力検出装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26235392A JPH06109573A (ja) | 1992-09-30 | 1992-09-30 | 圧力検出装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06109573A true JPH06109573A (ja) | 1994-04-19 |
Family
ID=17374569
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP26235392A Pending JPH06109573A (ja) | 1992-09-30 | 1992-09-30 | 圧力検出装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06109573A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2018040758A (ja) * | 2016-09-09 | 2018-03-15 | 株式会社鷺宮製作所 | 圧力センサ、その中継基板、及び、その中継基板ユニット |
-
1992
- 1992-09-30 JP JP26235392A patent/JPH06109573A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2018040758A (ja) * | 2016-09-09 | 2018-03-15 | 株式会社鷺宮製作所 | 圧力センサ、その中継基板、及び、その中継基板ユニット |
| US10481029B2 (en) | 2016-09-09 | 2019-11-19 | Saginomiya Seisakusho, Inc. | Pressure sensor, relay substrate therefor, and relay substrate unit therefor |
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