JPH07271057A - ポジ型レジスト用剥離液 - Google Patents
ポジ型レジスト用剥離液Info
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- JPH07271057A JPH07271057A JP8358294A JP8358294A JPH07271057A JP H07271057 A JPH07271057 A JP H07271057A JP 8358294 A JP8358294 A JP 8358294A JP 8358294 A JP8358294 A JP 8358294A JP H07271057 A JPH07271057 A JP H07271057A
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- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【構成】Ｎ，Ｎージエチルヒドロキシルアミンを含有し
てなるポジ型レジスト用剥離液、および該Ｎ，Ｎージエ
チルヒドロキシルアミンと、アミノアルコール化合物、
並びに水溶性有機溶剤、水又は配合剤の少なくとも１種
との混合物、或はＮ，Ｎージエチルヒドロキシルアミン
とアミノアルコール化合物及び水溶性有機溶剤、水又は
配合剤の少なくとも１種と、カルボキシル基含有有機化
合物との混合物からなるポジ型レジスト用剥離液 【効果】剥離性に優れる。特に、過酷な物理的、化学的
環境に曝され、変質したレジストを容易に剥離できる。
てなるポジ型レジスト用剥離液、および該Ｎ，Ｎージエ
チルヒドロキシルアミンと、アミノアルコール化合物、
並びに水溶性有機溶剤、水又は配合剤の少なくとも１種
との混合物、或はＮ，Ｎージエチルヒドロキシルアミン
とアミノアルコール化合物及び水溶性有機溶剤、水又は
配合剤の少なくとも１種と、カルボキシル基含有有機化
合物との混合物からなるポジ型レジスト用剥離液 【効果】剥離性に優れる。特に、過酷な物理的、化学的
環境に曝され、変質したレジストを容易に剥離できる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、ポジ型レジスト用剥離
液、さらに詳しくは、ＩＣやＬＳＩ等の半導体素子ある
いは液晶パネル素子の製造に好適に使用される、剥離性
の高いポジ型レジスト用剥離液に関する。
液、さらに詳しくは、ＩＣやＬＳＩ等の半導体素子ある
いは液晶パネル素子の製造に好適に使用される、剥離性
の高いポジ型レジスト用剥離液に関する。
【０００２】
【従来の技術】ＩＣやＬＳＩ等の半導体素子や液晶パネ
ル素子は、基板上に形成されたアルミニウム、銅、アル
ミニウム合金等の導電性金属膜やＳｉＯ2膜等の絶縁膜
上にホトレジストを均一に塗布し、それを露光および現
像処理をしてレジストパターンを形成し、このパターン
をマスクとして前記導電性金属膜や絶縁膜を選択的にエ
ッチングし、微細回路を形成したのち、不要のレジスト
層を剥離液で除去して製造されている。
ル素子は、基板上に形成されたアルミニウム、銅、アル
ミニウム合金等の導電性金属膜やＳｉＯ2膜等の絶縁膜
上にホトレジストを均一に塗布し、それを露光および現
像処理をしてレジストパターンを形成し、このパターン
をマスクとして前記導電性金属膜や絶縁膜を選択的にエ
ッチングし、微細回路を形成したのち、不要のレジスト
層を剥離液で除去して製造されている。
【０００３】上記レジストを除去する剥離液として、従
来、全炭素数１０〜２０のアルキルベンゼンスルホン酸
と沸点１５０℃以上の非ハロゲン化芳香族炭化水素系溶
剤からなる剥離液（特開昭５１−７２５０３号公報）、
ジメチル又はジエチルスルホキシドと有機スルホンとか
らなる剥離液（特開昭５７−８４４５６号公報）、全炭
素数１０〜２０の表面活性アルキルアリールスルホン酸
と全炭素数６〜９の向水性芳香族スルホンと沸点１５０
℃以上の非ハロゲン化芳香族炭化水素系溶剤とからなる
剥離液（米国特許第４，１６５，２９４号明細書）、有
機スルホン酸および１，２−ジヒドロキシベンゼンに極
性または非極性有機溶剤を添加した剥離液（ヨ−ロッパ
公開特許第０１１９，３３７号明細書）等が使用されて
きた。
来、全炭素数１０〜２０のアルキルベンゼンスルホン酸
と沸点１５０℃以上の非ハロゲン化芳香族炭化水素系溶
剤からなる剥離液（特開昭５１−７２５０３号公報）、
ジメチル又はジエチルスルホキシドと有機スルホンとか
らなる剥離液（特開昭５７−８４４５６号公報）、全炭
素数１０〜２０の表面活性アルキルアリールスルホン酸
と全炭素数６〜９の向水性芳香族スルホンと沸点１５０
℃以上の非ハロゲン化芳香族炭化水素系溶剤とからなる
剥離液（米国特許第４，１６５，２９４号明細書）、有
機スルホン酸および１，２−ジヒドロキシベンゼンに極
性または非極性有機溶剤を添加した剥離液（ヨ−ロッパ
公開特許第０１１９，３３７号明細書）等が使用されて
きた。
【０００４】ところが、上記剥離液はレジストに対する
剥離能力が十分でなく、特に半導体素子や液晶パネル素
子の製造工程で例えば高温に曝されたり、エッチング処
理の際に強い酸溶液やプラズマのような過酷な化学環境
に曝されて、変質したレジストに対して剥離性が低いた
め、実用性に欠けるところがあった。
剥離能力が十分でなく、特に半導体素子や液晶パネル素
子の製造工程で例えば高温に曝されたり、エッチング処
理の際に強い酸溶液やプラズマのような過酷な化学環境
に曝されて、変質したレジストに対して剥離性が低いた
め、実用性に欠けるところがあった。
【０００５】上記従来の剥離液の欠点を解消し、高い剥
離性を有する剥離液が、近年、例えば特開平４−３５０
６６０号公報に１，３−ジメチル−２−イミダゾリジノ
ンとジメチルスルホキシドと所定量の水溶性有機アミン
からなる剥離液が、また特開平４ー２８９８６６号公報
にヒドロキシアミンとアルカノールアミンからなる剥離
液が、さらに特開平５−２８１７５３号公報にアルカノ
ールアミン化合物、スルホン化合物またはスルホキシド
化合物、および芳香族ヒドロキシ化合物が提案されてい
る。
離性を有する剥離液が、近年、例えば特開平４−３５０
６６０号公報に１，３−ジメチル−２−イミダゾリジノ
ンとジメチルスルホキシドと所定量の水溶性有機アミン
からなる剥離液が、また特開平４ー２８９８６６号公報
にヒドロキシアミンとアルカノールアミンからなる剥離
液が、さらに特開平５−２８１７５３号公報にアルカノ
ールアミン化合物、スルホン化合物またはスルホキシド
化合物、および芳香族ヒドロキシ化合物が提案されてい
る。
【０００６】しかしながら、上記剥離液は、確かに従来
の剥離液に比べて、剥離性の改良が見られるものの、半
導体素子や液晶パネル素子の製造においては、歩留まり
の向上が重要で、剥離性がより高いものが強く要望され
ており、従来の剥離液では実用的なレベルからみれば未
だ十分なものではなかった。
の剥離液に比べて、剥離性の改良が見られるものの、半
導体素子や液晶パネル素子の製造においては、歩留まり
の向上が重要で、剥離性がより高いものが強く要望され
ており、従来の剥離液では実用的なレベルからみれば未
だ十分なものではなかった。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】こうした現状に鑑み、
本発明者等は、従来のポジ型レジスト用剥離液の有する
問題点を改善すべく鋭意研究した結果、Ｎ，Ｎージエチ
ルヒドロキシルアミンを含有するポジ型レジスト用剥離
液が剥離性に優れていることを見出し、本発明を完成し
たものである。
本発明者等は、従来のポジ型レジスト用剥離液の有する
問題点を改善すべく鋭意研究した結果、Ｎ，Ｎージエチ
ルヒドロキシルアミンを含有するポジ型レジスト用剥離
液が剥離性に優れていることを見出し、本発明を完成し
たものである。
【０００８】すなわち、本発明は、剥離性に優れたポジ
型レジスト用剥離液を提供することを目的とする。
型レジスト用剥離液を提供することを目的とする。
【０００９】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成する本発
明は、Ｎ，Ｎージエチルヒドロキシルアミンを必須成分
として含有してなるポジ型レジスト用剥離液に係る。
明は、Ｎ，Ｎージエチルヒドロキシルアミンを必須成分
として含有してなるポジ型レジスト用剥離液に係る。
【００１０】以下、本発明の剥離液を詳細に説明する。
本発明の剥離液は、その剥離液中にＮ，Ｎージエチルヒ
ドロキシルアミンを含有することを必須の構成とする。
前記Ｎ，Ｎージエチルヒドロキシルアミンは単独で使用
しても、また他の成分を混合して使用しても、剥離性を
向上するので実用的なレジスト剥離用組成物を得ること
ができる。
本発明の剥離液は、その剥離液中にＮ，Ｎージエチルヒ
ドロキシルアミンを含有することを必須の構成とする。
前記Ｎ，Ｎージエチルヒドロキシルアミンは単独で使用
しても、また他の成分を混合して使用しても、剥離性を
向上するので実用的なレジスト剥離用組成物を得ること
ができる。
【００１１】Ｎ，Ｎージエチルヒドロキシルアミンに混
合して使用される他の成分としては、アミノアルコール
化合物、芳香族ヒドロキシ化合物、トリアゾール化合
物、水溶性有機溶剤、水又はカルボキシル基含有有機化
合物が挙げられ、アミノアルコール化合物としては、例
えばモノエタノールアミン、エチルアミノエタノール、
ジメチルアミノエタノール、ジエチルアミノエタノー
ル、２−（２−アミノエトキシ）エタノール等を挙げる
ことができ、これら単独で使用しても、また２種以上を
混合して使用してもよい。これらのアミノアルコール化
合物においてモノエタノールアミンが特に好ましく使用
できる。
合して使用される他の成分としては、アミノアルコール
化合物、芳香族ヒドロキシ化合物、トリアゾール化合
物、水溶性有機溶剤、水又はカルボキシル基含有有機化
合物が挙げられ、アミノアルコール化合物としては、例
えばモノエタノールアミン、エチルアミノエタノール、
ジメチルアミノエタノール、ジエチルアミノエタノー
ル、２−（２−アミノエトキシ）エタノール等を挙げる
ことができ、これら単独で使用しても、また２種以上を
混合して使用してもよい。これらのアミノアルコール化
合物においてモノエタノールアミンが特に好ましく使用
できる。
【００１２】水溶性有機溶剤としては、水溶性を有する
有機溶剤であればよく、特に限定されないが、例えばＮ
−メチル−２−ピロリドン、ジメチルイミダゾリジノ
ン、ジメチルスルホキシド、エチレングリコールモノメ
チルエ−テル、エチレングリコールモノエチルエーテ
ル、エチレングリコールモノプロピルエーテル、エチレ
ングリコールモノブチルエーテル、ジエチレングリコー
ルモノメチルエーテル、ジエチレングリコールモノエチ
ルエーテル、ジエチレングリコールモノプロピルエーテ
ル、ジエチレングリコールモノブチルエーテル、プロピ
レングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコ
ールモノエチルエーテル、プロピレングリコールモノプ
ロピルエーテル、プロピレングリコールモノブチルエー
テル、ジプロピレングリコールモノメチルエーテル、ジ
プロピレングリコールモノエチルエーテル、ジプロピレ
ングリコールモノプロピルエーテル、ジプロピレングリ
コールモノブチルエーテル等を挙げることができる。こ
れらの水溶性有機溶剤は単独でも又は２種以上を組み合
わせて用いてもよい。
有機溶剤であればよく、特に限定されないが、例えばＮ
−メチル−２−ピロリドン、ジメチルイミダゾリジノ
ン、ジメチルスルホキシド、エチレングリコールモノメ
チルエ−テル、エチレングリコールモノエチルエーテ
ル、エチレングリコールモノプロピルエーテル、エチレ
ングリコールモノブチルエーテル、ジエチレングリコー
ルモノメチルエーテル、ジエチレングリコールモノエチ
ルエーテル、ジエチレングリコールモノプロピルエーテ
ル、ジエチレングリコールモノブチルエーテル、プロピ
レングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコ
ールモノエチルエーテル、プロピレングリコールモノプ
ロピルエーテル、プロピレングリコールモノブチルエー
テル、ジプロピレングリコールモノメチルエーテル、ジ
プロピレングリコールモノエチルエーテル、ジプロピレ
ングリコールモノプロピルエーテル、ジプロピレングリ
コールモノブチルエーテル等を挙げることができる。こ
れらの水溶性有機溶剤は単独でも又は２種以上を組み合
わせて用いてもよい。
【００１３】芳香族ヒドロキシ化合物は、クレゾール、
キシレノール、ピロカテコール、レゾルシノール、ヒド
ロキノン、ピロガロール、１，２，４−ベンゼントリオ
ール、サリチルアルコール、ｐ−ヒドロキシベンジルア
ルコール、ｏ−ヒドロキシベンジルアルコール、ｐ−ヒ
ドロキシフェネチルアルコール、ｐ−アミノフェノー
ル、ｍ−アミノフェノール、ジアミノフェノール、アミ
ノレゾルシノール、ｐ−ヒドロキシ安息香酸、ｏ−ヒド
ロキシ安息香酸，２，４−ジヒドロキシ安息香酸、２，
５−ジヒドロキシ安息香酸、３，４−ジヒドロキシ安息
香酸、３，５−ジヒドロキシ安息香酸等を挙げることが
でき、これら化合物の単独又は２種以上を組み合わせて
用いてもよい。中でも剥離性の向上作用に優れたピロカ
テコールが好適である。
キシレノール、ピロカテコール、レゾルシノール、ヒド
ロキノン、ピロガロール、１，２，４−ベンゼントリオ
ール、サリチルアルコール、ｐ−ヒドロキシベンジルア
ルコール、ｏ−ヒドロキシベンジルアルコール、ｐ−ヒ
ドロキシフェネチルアルコール、ｐ−アミノフェノー
ル、ｍ−アミノフェノール、ジアミノフェノール、アミ
ノレゾルシノール、ｐ−ヒドロキシ安息香酸、ｏ−ヒド
ロキシ安息香酸，２，４−ジヒドロキシ安息香酸、２，
５−ジヒドロキシ安息香酸、３，４−ジヒドロキシ安息
香酸、３，５−ジヒドロキシ安息香酸等を挙げることが
でき、これら化合物の単独又は２種以上を組み合わせて
用いてもよい。中でも剥離性の向上作用に優れたピロカ
テコールが好適である。
【００１４】また、トリアゾール化合物としては、例え
ばベンゾトリアゾール、ｏ−トリルトリアゾール、ｍ−
トリルトリアゾール、ｐ−トリルトリアゾール、カルボ
キシベンゾトリアゾール、１−ヒドロキシベンゾトリア
ゾール、ニトロベンゾトリアゾール、ジヒドロキシプロ
ピルベンゾトリアゾール等を挙げることができる。これ
らの化合物は単独でも又は２種以上組み合わせて用いて
もよい。中でも防食性の向上作用に優れたベンゾトリア
ゾールが好適である。
ばベンゾトリアゾール、ｏ−トリルトリアゾール、ｍ−
トリルトリアゾール、ｐ−トリルトリアゾール、カルボ
キシベンゾトリアゾール、１−ヒドロキシベンゾトリア
ゾール、ニトロベンゾトリアゾール、ジヒドロキシプロ
ピルベンゾトリアゾール等を挙げることができる。これ
らの化合物は単独でも又は２種以上組み合わせて用いて
もよい。中でも防食性の向上作用に優れたベンゾトリア
ゾールが好適である。
【００１５】カルボキシル基含有有機化合物としては、
有機カルボン酸またはそれらの酸無水物であって、分子
中に水酸基を有しない化合物であって、具体例には蟻
酸、酢酸、プロピオン酸、酪酸、イソ酪酸、シュウ酸、
マロン酸、コハク酸、グルタル酸、マレイン酸、フマル
酸、安息香酸、フタル酸、１，２，３−ベンゼントリカ
ルボン酸、グリコール酸、乳酸、リンゴ酸、クエン酸
、無水酢酸、無水フタル酸、無水マレイン酸、無水コ
ハク酸、サリチル酸等を挙げることができるが、これら
に限定されるものではなく、前記要件を満たす化合物で
あればよい。前記カルボキシル基含有有機化合物は単独
又は２種以上を組み合わせて使用されるが、その選択に
当たっては剥離液の各成分との相溶性を考慮して、適宜
選定される。好ましいカルボキシル基含有有機化合物と
しては、蟻酸、フタル酸、安息香酸、無水フタル酸、及
びサリチル酸があり、これらのカルボキシル基含有有機
化合物は剥離安定性の向上作用に優れ、特にフタル酸、
無水フタル酸及びサリチル酸が好適である。
有機カルボン酸またはそれらの酸無水物であって、分子
中に水酸基を有しない化合物であって、具体例には蟻
酸、酢酸、プロピオン酸、酪酸、イソ酪酸、シュウ酸、
マロン酸、コハク酸、グルタル酸、マレイン酸、フマル
酸、安息香酸、フタル酸、１，２，３−ベンゼントリカ
ルボン酸、グリコール酸、乳酸、リンゴ酸、クエン酸
、無水酢酸、無水フタル酸、無水マレイン酸、無水コ
ハク酸、サリチル酸等を挙げることができるが、これら
に限定されるものではなく、前記要件を満たす化合物で
あればよい。前記カルボキシル基含有有機化合物は単独
又は２種以上を組み合わせて使用されるが、その選択に
当たっては剥離液の各成分との相溶性を考慮して、適宜
選定される。好ましいカルボキシル基含有有機化合物と
しては、蟻酸、フタル酸、安息香酸、無水フタル酸、及
びサリチル酸があり、これらのカルボキシル基含有有機
化合物は剥離安定性の向上作用に優れ、特にフタル酸、
無水フタル酸及びサリチル酸が好適である。
【００１６】本発明の剥離液は、Ｎ，Ｎージエチルヒド
ロキシルアミンの単独でも使用できるが、上記他の化合
物を配合して使用することができ、その配合割合は、
（Ａ）をＮ，Ｎージエチルヒドロキシルアミン、（Ｂ）
をアミノアルコール化合物、（Ｃ）を芳香族ヒドロキシ
化合物、（Ｄ）をトリアゾ−ル化合物、（Ｅ）を水溶性
有機溶剤、及び（Ｆ）を水としたとき、 （ｉ）（Ａ）成分と（Ｂ）、（Ｅ）又は（Ｆ）成分とか
らなる二成分系の場合、（Ａ）成分２０〜８０重量％、
（Ｂ）、（Ｅ）又は（Ｆ）成分２０〜８０重量％；
ロキシルアミンの単独でも使用できるが、上記他の化合
物を配合して使用することができ、その配合割合は、
（Ａ）をＮ，Ｎージエチルヒドロキシルアミン、（Ｂ）
をアミノアルコール化合物、（Ｃ）を芳香族ヒドロキシ
化合物、（Ｄ）をトリアゾ−ル化合物、（Ｅ）を水溶性
有機溶剤、及び（Ｆ）を水としたとき、 （ｉ）（Ａ）成分と（Ｂ）、（Ｅ）又は（Ｆ）成分とか
らなる二成分系の場合、（Ａ）成分２０〜８０重量％、
（Ｂ）、（Ｅ）又は（Ｆ）成分２０〜８０重量％；
【００１７】（ｉｉ）（Ａ）成分と（Ｂ）成分と（Ｃ）
又は（Ｅ）成分とからなる三成分系の場合、（Ａ）成分
１０〜４０重量％、（Ｂ）成分１０〜５０重量％、
（Ｃ）又は（Ｅ）成分５〜６０重量％；
又は（Ｅ）成分とからなる三成分系の場合、（Ａ）成分
１０〜４０重量％、（Ｂ）成分１０〜５０重量％、
（Ｃ）又は（Ｅ）成分５〜６０重量％；
【００１８】（ｉｉｉ）（Ａ）成分と（Ｂ）成分と
（Ｃ）又は（Ｅ）成分と（Ｄ）成分とからなる四成分系
の場合、（Ａ）成分１０〜４０重量％、（Ｂ）成分５０
〜７０重量％、（Ｃ）又は（Ｅ）成分５〜６０重量％、
及び（Ｄ）成分０．２〜１０重量％；
（Ｃ）又は（Ｅ）成分と（Ｄ）成分とからなる四成分系
の場合、（Ａ）成分１０〜４０重量％、（Ｂ）成分５０
〜７０重量％、（Ｃ）又は（Ｅ）成分５〜６０重量％、
及び（Ｄ）成分０．２〜１０重量％；
【００１９】（ｉｖ）（Ａ）成分と（Ｂ）成分と（Ｅ）
成分と（Ｆ）成分からなる四成分系の場合、（Ａ）成分
１０〜４０重量％、（Ｂ）成分５〜３０重量％、（Ｅ）
成分１０〜４０重量％、及び（Ｆ）成分２０〜６０重量
％；
成分と（Ｆ）成分からなる四成分系の場合、（Ａ）成分
１０〜４０重量％、（Ｂ）成分５〜３０重量％、（Ｅ）
成分１０〜４０重量％、及び（Ｆ）成分２０〜６０重量
％；
【００２０】（ｖ）（Ａ）成分と（Ｂ）成分と（Ｃ）成
分と（Ｅ）成分からなる四成分系の場合、（Ａ）成分５
〜２０重量％、（Ｂ）成分１０〜４０重量％、（Ｃ）成
分５〜１５重量％、及び（Ｅ）成分２０〜６０重量％；
分と（Ｅ）成分からなる四成分系の場合、（Ａ）成分５
〜２０重量％、（Ｂ）成分１０〜４０重量％、（Ｃ）成
分５〜１５重量％、及び（Ｅ）成分２０〜６０重量％；
【００２１】（ｖｉ）（Ａ）成分と（Ｂ）成分と（Ｃ）
成分と（Ｄ）成分と（Ｅ）又は（Ｆ）成分からなる五成
分系の場合、（Ａ）成分５〜３０重量％、（Ｂ）成分５
０〜８０重量％、（Ｃ）成分５〜２０重量％、（Ｄ）成
分０．２〜１０重量％、及び（Ｅ）又は（Ｆ）成分５〜
３０重量％；
成分と（Ｄ）成分と（Ｅ）又は（Ｆ）成分からなる五成
分系の場合、（Ａ）成分５〜３０重量％、（Ｂ）成分５
０〜８０重量％、（Ｃ）成分５〜２０重量％、（Ｄ）成
分０．２〜１０重量％、及び（Ｅ）又は（Ｆ）成分５〜
３０重量％；
【００２２】（ｖｉｉ）（Ａ）成分と（Ｂ）成分と
（Ｃ）成分と（Ｅ）成分と（Ｆ）成分からなる五成分系
の場合、（Ａ）成分５〜３０重量％、（Ｂ）成分５〜３
０重量％、（Ｃ）成分５〜１５重量％、（Ｅ）成分１０
〜４０重量％、及び（Ｆ）成分１０〜６０重量％；
（Ｃ）成分と（Ｅ）成分と（Ｆ）成分からなる五成分系
の場合、（Ａ）成分５〜３０重量％、（Ｂ）成分５〜３
０重量％、（Ｃ）成分５〜１５重量％、（Ｅ）成分１０
〜４０重量％、及び（Ｆ）成分１０〜６０重量％；
【００２３】（ｖｉｉｉ）（Ａ）成分と（Ｂ）成分と
（Ｄ）成分と（Ｅ）成分と（Ｆ）成分からなる五成分系
の場合、（Ａ）成分５〜３０重量％、（Ｂ）成分１０〜
５０重量％、（Ｄ）成分０．２〜１０重量％、（Ｅ）成
分１０〜４０重量％、及び（Ｆ）成分５〜３０重量％；
（Ｄ）成分と（Ｅ）成分と（Ｆ）成分からなる五成分系
の場合、（Ａ）成分５〜３０重量％、（Ｂ）成分１０〜
５０重量％、（Ｄ）成分０．２〜１０重量％、（Ｅ）成
分１０〜４０重量％、及び（Ｆ）成分５〜３０重量％；
【００２４】（ｖｉｖ）（Ａ）成分と（Ｂ）成分と
（Ｃ）成分と（Ｄ）成分と（Ｅ）成分と（Ｆ）成分から
なる六成分系の場合、（Ａ）成分１０〜４０重量％、
（Ｂ）成分２０〜７０重量％、（Ｃ）成分５〜１５重量
％、（Ｄ）成分０．２〜１０重量％、（Ｅ）成分５〜４
０重量％、及び（Ｆ）成分５〜３０重量％；の割合で配
合するのが好ましい。
（Ｃ）成分と（Ｄ）成分と（Ｅ）成分と（Ｆ）成分から
なる六成分系の場合、（Ａ）成分１０〜４０重量％、
（Ｂ）成分２０〜７０重量％、（Ｃ）成分５〜１５重量
％、（Ｄ）成分０．２〜１０重量％、（Ｅ）成分５〜４
０重量％、及び（Ｆ）成分５〜３０重量％；の割合で配
合するのが好ましい。
【００２５】上記配合割合において、（Ａ）成分の配合
量がその範囲を逸脱すると剥離性や剥離安定性が悪くな
るため好ましくない。
量がその範囲を逸脱すると剥離性や剥離安定性が悪くな
るため好ましくない。
【００２６】また、上記カルボキシル基含有有機化合物
はレジスト剥離用組成物の全量に対して、０．０５〜１
０重量％の割合で配合されるのが好ましい。
はレジスト剥離用組成物の全量に対して、０．０５〜１
０重量％の割合で配合されるのが好ましい。
【００２７】本発明のポジ型レジスト用剥離液は、基板
上に形成されたレジスト膜に対して６０〜１３０℃の温
度で接触させて使用される。この剥離液は、前記処理温
度において、成分の揮発量が少なく経時的に安定である
とともに、レジスト膜の剥離性に優れていた。
上に形成されたレジスト膜に対して６０〜１３０℃の温
度で接触させて使用される。この剥離液は、前記処理温
度において、成分の揮発量が少なく経時的に安定である
とともに、レジスト膜の剥離性に優れていた。
【００２８】次に、実施例により本発明をさらに詳細に
説明するが、本発明はこれらの例によってなんら限定さ
れるものではない。
説明するが、本発明はこれらの例によってなんら限定さ
れるものではない。
【００２９】
実施例１〜１９ シリコンウエーハ上にポジ型レジストＯＦＰＲ−８００
（東京応化工業社製）を乾燥膜厚で１．３５μｍになる
ように塗布し、オーブン中でプレベークした。該シリコ
ンウエーハにレジストパターニング処理したのち、
（ｉ）１５０℃で５分間ポストベーク処理したサンプル
（ａ）、（ｉｉ）１７０℃で５分間ポストベーク処理し
たサンプル（ｂ）及び（ｉｉｉ）１５０℃で５分間ポス
トベークしたのち、硝酸第二セリウムアンモニウム系の
エッチング液である混酸ＣＴ（東京応化工業社製）に浸
漬することでレジストパターンを変質させたサンプル
（ｃ）を作成し、それぞれサンプル（ａ）、（ｂ）及び
（ｃ）のレジスト膜を得た。次いでサンプル（ａ），
（ｂ）及び（ｃ）を表１に示す剥離液に液温８０℃で浸
積し、２分後、５分後および１０分後にとりだして、そ
の剥離性を以下の基準に従って評価した。 ◎・・・・２分未満で剥離する ○・・・・２〜５分未満で剥離する △・・・・５〜１０分で剥離する ×・・・・１０分経過後も剥離しない
（東京応化工業社製）を乾燥膜厚で１．３５μｍになる
ように塗布し、オーブン中でプレベークした。該シリコ
ンウエーハにレジストパターニング処理したのち、
（ｉ）１５０℃で５分間ポストベーク処理したサンプル
（ａ）、（ｉｉ）１７０℃で５分間ポストベーク処理し
たサンプル（ｂ）及び（ｉｉｉ）１５０℃で５分間ポス
トベークしたのち、硝酸第二セリウムアンモニウム系の
エッチング液である混酸ＣＴ（東京応化工業社製）に浸
漬することでレジストパターンを変質させたサンプル
（ｃ）を作成し、それぞれサンプル（ａ）、（ｂ）及び
（ｃ）のレジスト膜を得た。次いでサンプル（ａ），
（ｂ）及び（ｃ）を表１に示す剥離液に液温８０℃で浸
積し、２分後、５分後および１０分後にとりだして、そ
の剥離性を以下の基準に従って評価した。 ◎・・・・２分未満で剥離する ○・・・・２〜５分未満で剥離する △・・・・５〜１０分で剥離する ×・・・・１０分経過後も剥離しない
【００３０】なお、表中、ＭＥＡはモノエタノールアミ
ン、ＡＥＥは２−（２−アミノエトキシ）エタノール、
ＥＡＥはエチルアミノエタノール、Ａはベンゾトリアゾ
ール、ＤＥＢＥはジエチレングリコールモノブチルエー
テル、ＮＭＰはＮ−メチル−２−ピロリドン、Ｐはピロ
カテコール、Ｆはフタル酸、Ｓはサリチル酸をそれぞれ
表わし、括弧内は重量％を示す。また、（Ｇ）の配合量
は（Ａ）〜（Ｆ）の合計量に対する量である。
ン、ＡＥＥは２−（２−アミノエトキシ）エタノール、
ＥＡＥはエチルアミノエタノール、Ａはベンゾトリアゾ
ール、ＤＥＢＥはジエチレングリコールモノブチルエー
テル、ＮＭＰはＮ−メチル−２−ピロリドン、Ｐはピロ
カテコール、Ｆはフタル酸、Ｓはサリチル酸をそれぞれ
表わし、括弧内は重量％を示す。また、（Ｇ）の配合量
は（Ａ）〜（Ｆ）の合計量に対する量である。
【００３１】比較例１〜４ 上記実施例で使用したアミノアルコール化合物を主成分
とするレジスト剥離用組成物のみを使用し、実施例と同
様の剥離性評価を行った。その結果を表１に比較例とし
て示す。
とするレジスト剥離用組成物のみを使用し、実施例と同
様の剥離性評価を行った。その結果を表１に比較例とし
て示す。
【００３２】
【表１】
【００３３】上記表から明らかなようにＮ，Ｎージエチ
ルヒドロキシルアミンを必須成分として含有してなるポ
ジ型レジスト用剥離液は基板に形成されたレジスト膜に
対する剥離性が優れ、かつその経時安定性が良好であ
る。
ルヒドロキシルアミンを必須成分として含有してなるポ
ジ型レジスト用剥離液は基板に形成されたレジスト膜に
対する剥離性が優れ、かつその経時安定性が良好であ
る。
【００３４】
【発明の効果】本発明のポジ型レジスト用剥離液は、剥
離性に優れ、特に、過酷な物理的、化学的環境に曝さ
れ、変質したレジストをも容易に剥離することができ、
半導体素子や液晶パネル素子等の製造に好適に用いるこ
とができる。
離性に優れ、特に、過酷な物理的、化学的環境に曝さ
れ、変質したレジストをも容易に剥離することができ、
半導体素子や液晶パネル素子等の製造に好適に用いるこ
とができる。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 田中 初幸 神奈川県川崎市中原区中丸子150番地 東 京応化工業株式会社内 (72)発明者 中山 寿昌 神奈川県川崎市中原区中丸子150番地 東 京応化工業株式会社内
Claims (5)
- 【請求項１】 Ｎ，Ｎージエチルヒドロキシルアミンを
含有してなるポジ型レジスト用剥離液。 - 【請求項２】 Ｎ，Ｎージエチルヒドロキシルアミンと
アミノアルコール化合物を含有することを特徴とするポ
ジ型レジスト用剥離液。 - 【請求項３】 Ｎ，Ｎージエチルヒドロキシルアミン、
アミノアルコール化合物、並びに水溶性有機溶剤、水又
は配合剤の少なくとも１種との混合物、或はＮ，Ｎージ
エチルヒドロキシルアミンとアミノアルコール化合物及
び水溶性有機溶剤、水又は配合剤の少なくとも１種と、
カルボキシル基含有有機化合物との混合物であることを
特徴とするポジ型レジスト用剥離液。 - 【請求項４】 配合剤が芳香族ヒドロキシ化合物及びト
リアゾール化合物から選ばれた少なくとも１種であるこ
とを特徴とする請求項３記載のポジ型レジスト用剥離
液。 - 【請求項５】 Ｎ，Ｎージエチルヒドロキシルアミンの
含有量が２０〜８０重量％であることを特徴とする請求
項２、３又は４記載のポジ型レジスト用剥離液。
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|---|---|---|---|
| JP8358294A JP3406055B2 (ja) | 1994-03-31 | 1994-03-31 | ポジ型レジスト用剥離液 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8358294A JP3406055B2 (ja) | 1994-03-31 | 1994-03-31 | ポジ型レジスト用剥離液 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07271057A true JPH07271057A (ja) | 1995-10-20 |
| JP3406055B2 JP3406055B2 (ja) | 2003-05-12 |
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ID=13806494
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8358294A Expired - Fee Related JP3406055B2 (ja) | 1994-03-31 | 1994-03-31 | ポジ型レジスト用剥離液 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3406055B2 (ja) |
Cited By (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5795702A (en) * | 1995-09-29 | 1998-08-18 | Tokyo Ohka Kogyo Co, Ltd. | Photoresist stripping liquid compositions and a method of stripping photoresists using the same |
| US5798323A (en) * | 1997-05-05 | 1998-08-25 | Olin Microelectronic Chemicals, Inc. | Non-corrosive stripping and cleaning composition |
| JP2001005201A (ja) * | 1999-06-21 | 2001-01-12 | Nichigo Morton Co Ltd | フォトレジスト剥離剤 |
| US6372050B2 (en) | 1997-05-05 | 2002-04-16 | Arch Specialty Chemicals, Inc. | Non-corrosive stripping and cleaning composition |
| KR100497587B1 (ko) * | 1999-12-27 | 2005-07-01 | 도오꾜오까고오교 가부시끼가이샤 | 포토레지스트용 박리액 및 이것을 사용한 포토레지스트박리방법 |
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| WO2009051237A1 (ja) * | 2007-10-17 | 2009-04-23 | Henkel Corporation | 剥離液組成物、それを用いた樹脂層の剥離方法 |
| JP2015040290A (ja) * | 2013-08-23 | 2015-03-02 | 東栄化成株式会社 | アルカリ現像装置用洗浄剤組成物、およびアルカリ現像装置の洗浄方法 |
| US9217929B2 (en) * | 2004-07-22 | 2015-12-22 | Air Products And Chemicals, Inc. | Composition for removing photoresist and/or etching residue from a substrate and use thereof |
| JP2017054969A (ja) * | 2015-09-10 | 2017-03-16 | キヤノン株式会社 | 除去対象物の除去方法 |
-
1994
- 1994-03-31 JP JP8358294A patent/JP3406055B2/ja not_active Expired - Fee Related
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| WO1998050516A1 (en) * | 1997-05-05 | 1998-11-12 | Olin Microelectronic Chemicals, Inc. | Non-corrosive stripping and cleaning composition |
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| WO2009051237A1 (ja) * | 2007-10-17 | 2009-04-23 | Henkel Corporation | 剥離液組成物、それを用いた樹脂層の剥離方法 |
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| JP2017054969A (ja) * | 2015-09-10 | 2017-03-16 | キヤノン株式会社 | 除去対象物の除去方法 |
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3406055B2 (ja) | 2003-05-12 |
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