JPH07263802A - 半導体発光素子の製造方法 - Google Patents
半導体発光素子の製造方法Info
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- JPH07263802A JPH07263802A JP4663994A JP4663994A JPH07263802A JP H07263802 A JPH07263802 A JP H07263802A JP 4663994 A JP4663994 A JP 4663994A JP 4663994 A JP4663994 A JP 4663994A JP H07263802 A JPH07263802 A JP H07263802A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 発振領域等の発光に係わる領域の結晶性が優
れた回折格子内包型の半導体発光素子を製造可能な方法
を得る。 【構成】 半導体基板１上に、第１導電型クラッド層
２、活性層３、光ガイド層４、エッチングストップ層５
および第２導電型クラッド層６を１回目の結晶成長によ
り形成し、上記第２導電型クラッド層６の一部領域を選
択的にエッチングし、このエッチングされた領域におい
てエッチングストップ層５の上に回折格子18を形成し、
この回折格子18の上に、２回目の結晶成長により再度第
２導電型クラッド層10を形成する。
れた回折格子内包型の半導体発光素子を製造可能な方法
を得る。 【構成】 半導体基板１上に、第１導電型クラッド層
２、活性層３、光ガイド層４、エッチングストップ層５
および第２導電型クラッド層６を１回目の結晶成長によ
り形成し、上記第２導電型クラッド層６の一部領域を選
択的にエッチングし、このエッチングされた領域におい
てエッチングストップ層５の上に回折格子18を形成し、
この回折格子18の上に、２回目の結晶成長により再度第
２導電型クラッド層10を形成する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は半導体レーザー等の半導
体発光素子を製造する方法に関し、特に詳細には、分布
ブラッグ反射型（ＤＢＲ：distributed Bragg reflecto
r ）レーザーや分布帰還型（ＤＦＢ：distributed feed
back）レーザーのように、内部に回折格子を有する半導
体発光素子を製造する方法に関するものである。
体発光素子を製造する方法に関し、特に詳細には、分布
ブラッグ反射型（ＤＢＲ：distributed Bragg reflecto
r ）レーザーや分布帰還型（ＤＦＢ：distributed feed
back）レーザーのように、内部に回折格子を有する半導
体発光素子を製造する方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】発振波長が0.6 〜1.1 μｍ帯にある半導
体発光素子にあっては、例えば情報処理、画像処理の高
機能化等のために、ビーム品質の向上が求められてい
る。そしてこのような要求に応えるために、分布ブラッ
グ反射型（ＤＢＲ）レーザーの応用が考えられている。
体発光素子にあっては、例えば情報処理、画像処理の高
機能化等のために、ビーム品質の向上が求められてい
る。そしてこのような要求に応えるために、分布ブラッ
グ反射型（ＤＢＲ）レーザーの応用が考えられている。
【０００３】従来、このＤＢＲレーザーのように内部に
回折格子を有する半導体発光素子を製造する方法として
は、例えば文献Japanese Journal of Applied Physics,
Vol.29, No.6,pp.L961〜 963(1990)に示される方法が知
られている。この方法を図５を参照して説明すると、ま
ず同図（ａ）のようにＧａＡｓ基板１上にｎ型ＡｌＧａ
Ａｓクラッド層（第１導電型クラッド層）２、活性層
３、ＡｌＧａＡｓ光ガイド層４を結晶成長により形成
し、その後同図（ｂ）のように電子ビーム露光法等によ
りレジストによる回折格子パターン９を形成し、次いで
同図（ｃ）のようにこの回折格子パターン９をマスクと
してエッチングを行なって面内に選択的に回折格子18を
形成し、続いで同図（ｄ）のようにその上に２回目の結
晶成長により、ｐ型ＡｌＧａＡｓクラッド層（第２導電
型クラッド層）10、ｐ型ＧａＡｓコンタクト層11を形成
する、というものである。
回折格子を有する半導体発光素子を製造する方法として
は、例えば文献Japanese Journal of Applied Physics,
Vol.29, No.6,pp.L961〜 963(1990)に示される方法が知
られている。この方法を図５を参照して説明すると、ま
ず同図（ａ）のようにＧａＡｓ基板１上にｎ型ＡｌＧａ
Ａｓクラッド層（第１導電型クラッド層）２、活性層
３、ＡｌＧａＡｓ光ガイド層４を結晶成長により形成
し、その後同図（ｂ）のように電子ビーム露光法等によ
りレジストによる回折格子パターン９を形成し、次いで
同図（ｃ）のようにこの回折格子パターン９をマスクと
してエッチングを行なって面内に選択的に回折格子18を
形成し、続いで同図（ｄ）のようにその上に２回目の結
晶成長により、ｐ型ＡｌＧａＡｓクラッド層（第２導電
型クラッド層）10、ｐ型ＧａＡｓコンタクト層11を形成
する、というものである。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかし、この従来方法
で製造される半導体発光素子においては、発光に係わる
発振領域16の活性層３上のｐ型ＡｌＧａＡｓクラッド層
10が、酸化したＡｌＧａＡｓ光ガイド層４の上に再成長
させて形成されるため、その結晶品質が非常に悪いとい
う問題が認められている。このｐ型ＡｌＧａＡｓクラッ
ド層10の結晶品質が悪いと、導波損失が大きくなるばか
りでなく、それとＡｌＧａＡｓ光ガイド層４との界面か
らの転位により素子寿命が短くなるという不具合も生じ
る。
で製造される半導体発光素子においては、発光に係わる
発振領域16の活性層３上のｐ型ＡｌＧａＡｓクラッド層
10が、酸化したＡｌＧａＡｓ光ガイド層４の上に再成長
させて形成されるため、その結晶品質が非常に悪いとい
う問題が認められている。このｐ型ＡｌＧａＡｓクラッ
ド層10の結晶品質が悪いと、導波損失が大きくなるばか
りでなく、それとＡｌＧａＡｓ光ガイド層４との界面か
らの転位により素子寿命が短くなるという不具合も生じ
る。
【０００５】本発明は上記の事情に鑑みてなされたもの
であり、発振領域等の発光に係わる領域の結晶性が優れ
た回折格子内包型の半導体発光素子を製造可能な方法を
提供することを目的とするものである。
であり、発振領域等の発光に係わる領域の結晶性が優れ
た回折格子内包型の半導体発光素子を製造可能な方法を
提供することを目的とするものである。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明による第１の半導
体発光素子の製造方法は、半導体基板上に、第１導電型
クラッド層、活性層、光ガイド層および第２導電型クラ
ッド層を１回目の結晶成長により形成し、上記第２導電
型クラッド層の一部領域を選択的にエッチングし、この
エッチングされた領域において上記光ガイド層の上に回
折格子を形成し、この回折格子の上に、２回目の結晶成
長により再度第２導電型クラッド層を形成することを特
徴とするものである。
体発光素子の製造方法は、半導体基板上に、第１導電型
クラッド層、活性層、光ガイド層および第２導電型クラ
ッド層を１回目の結晶成長により形成し、上記第２導電
型クラッド層の一部領域を選択的にエッチングし、この
エッチングされた領域において上記光ガイド層の上に回
折格子を形成し、この回折格子の上に、２回目の結晶成
長により再度第２導電型クラッド層を形成することを特
徴とするものである。
【０００７】また本発明による第２の半導体発光素子の
製造方法は、半導体基板上に、第１導電型クラッド層、
活性層、光ガイド層、エッチングストップ層および第２
導電型クラッド層を１回目の結晶成長により形成し、上
記第２導電型クラッド層の一部領域を選択的にエッチン
グし、このエッチングされた領域において上記エッチン
グストップ層の上に回折格子を形成し、この回折格子の
上に、２回目の結晶成長により再度第２導電型クラッド
層を形成することを特徴とするものである。
製造方法は、半導体基板上に、第１導電型クラッド層、
活性層、光ガイド層、エッチングストップ層および第２
導電型クラッド層を１回目の結晶成長により形成し、上
記第２導電型クラッド層の一部領域を選択的にエッチン
グし、このエッチングされた領域において上記エッチン
グストップ層の上に回折格子を形成し、この回折格子の
上に、２回目の結晶成長により再度第２導電型クラッド
層を形成することを特徴とするものである。
【０００８】
【作用および発明の効果】上記の各方法で形成される半
導体発光素子においては、選択的エッチングがなされた
後に回折格子が形成された領域以外が、発振領域等の発
光に係わる領域となり得る。そしてこの発光に係わる領
域に関しては、第１導電型クラッド層から第２導電型ク
ラッド層までの全ての層が１回目の結晶成長で形成され
るので、光ガイド層が酸化することを回避でき、よって
その上に、この酸化の影響を受けない優れた結晶品質の
第２導電型クラッド層を形成可能となる。
導体発光素子においては、選択的エッチングがなされた
後に回折格子が形成された領域以外が、発振領域等の発
光に係わる領域となり得る。そしてこの発光に係わる領
域に関しては、第１導電型クラッド層から第２導電型ク
ラッド層までの全ての層が１回目の結晶成長で形成され
るので、光ガイド層が酸化することを回避でき、よって
その上に、この酸化の影響を受けない優れた結晶品質の
第２導電型クラッド層を形成可能となる。
【０００９】以上のように、発光に最も寄与する領域の
第２導電型クラッド層の結晶品質を高めることができれ
ば、導波損失が小さく、かつ信頼性の高い回折格子内包
型の半導体発光素子が得られるようになる。
第２導電型クラッド層の結晶品質を高めることができれ
ば、導波損失が小さく、かつ信頼性の高い回折格子内包
型の半導体発光素子が得られるようになる。
【００１０】なお、特に上記第２の方法では、１回目の
結晶成長において光ガイド層と第２導電型クラッド層と
の間にエッチングストップ層を形成しているので、その
後第２導電型クラッド層を選択的にエッチングする際
に、エッチング深さを、光ガイド層まで届かないで第２
導電型クラッド層は全てエッチングされるような適正深
さに容易に設定できるようになる。
結晶成長において光ガイド層と第２導電型クラッド層と
の間にエッチングストップ層を形成しているので、その
後第２導電型クラッド層を選択的にエッチングする際
に、エッチング深さを、光ガイド層まで届かないで第２
導電型クラッド層は全てエッチングされるような適正深
さに容易に設定できるようになる。
【００１１】第１の方法では、このようなエッチングス
トップ層を形成していないが、その場合はエッチング時
間を制御することによって、エッチング深さを適正深さ
に設定すればよい。
トップ層を形成していないが、その場合はエッチング時
間を制御することによって、エッチング深さを適正深さ
に設定すればよい。
【００１２】
【実施例】以下、図面に示す実施例に基づいて本発明を
詳細に説明する。まず図１を参照して、本発明の第１実
施例によりＤＢＲレーザーを製造する方法を説明する。
詳細に説明する。まず図１を参照して、本発明の第１実
施例によりＤＢＲレーザーを製造する方法を説明する。
【００１３】同図（ａ）に示すように、まずｎ型ＧａＡ
ｓ基板１の上に、有機金属気相成長法等により、ｎ型Ａ
ｌＧａＡｓクラッド層（第１導電型クラッド層）２、活
性層３、ＡｌＧａＡｓ光ガイド層４、ＧａＩｎＰエッチ
ングストップ層５、ｐ型ＡｌＧａＡｓクラッド層（第２
導電型クラッド層）６およびｐ型ＧａＡｓコンタクト層
７を連続成長させる。
ｓ基板１の上に、有機金属気相成長法等により、ｎ型Ａ
ｌＧａＡｓクラッド層（第１導電型クラッド層）２、活
性層３、ＡｌＧａＡｓ光ガイド層４、ＧａＩｎＰエッチ
ングストップ層５、ｐ型ＡｌＧａＡｓクラッド層（第２
導電型クラッド層）６およびｐ型ＧａＡｓコンタクト層
７を連続成長させる。
【００１４】続いて上記ｐ型ＧａＡｓコンタクト層７の
上にＳｉＯ2 等からなる絶縁膜８を公知の成膜技術によ
り形成した後、同図（ｂ）に示すように、フォトリソグ
ラフィ技術によりこの絶縁膜８の発振領域以外の部分を
除去する。
上にＳｉＯ2 等からなる絶縁膜８を公知の成膜技術によ
り形成した後、同図（ｂ）に示すように、フォトリソグ
ラフィ技術によりこの絶縁膜８の発振領域以外の部分を
除去する。
【００１５】続いて同図（ｃ）に示すように、上記絶縁
膜８をマスクとして、ｐ型ＧａＡｓコンタクト層７およ
びｐ型ＡｌＧａＡｓクラッド層６を液相エッチングによ
り選択的に除去する。ここで、ｐ型ＡｌＧａＡｓクラッ
ド層６とＡｌＧａＡｓ光ガイド層４との間にはＧａＩｎ
Ｐエッチングストップ層５が介在しているので、ＡｌＧ
ａＡｓ光ガイド層４までエッチングすることなく、容易
にｐ型ＧａＡｓコンタクト層７とｐ型ＡｌＧａＡｓクラ
ッド層６のみを除去することができる。なお、上述のよ
うなエッチングストップ層５を特に設けないで、エッチ
ング時間を制御することによってエッチング深さを適正
深さに設定することもできる。
膜８をマスクとして、ｐ型ＧａＡｓコンタクト層７およ
びｐ型ＡｌＧａＡｓクラッド層６を液相エッチングによ
り選択的に除去する。ここで、ｐ型ＡｌＧａＡｓクラッ
ド層６とＡｌＧａＡｓ光ガイド層４との間にはＧａＩｎ
Ｐエッチングストップ層５が介在しているので、ＡｌＧ
ａＡｓ光ガイド層４までエッチングすることなく、容易
にｐ型ＧａＡｓコンタクト層７とｐ型ＡｌＧａＡｓクラ
ッド層６のみを除去することができる。なお、上述のよ
うなエッチングストップ層５を特に設けないで、エッチ
ング時間を制御することによってエッチング深さを適正
深さに設定することもできる。
【００１６】続いて同図（ｄ）に示すように、上記Ｇａ
ＩｎＰエッチングストップ層５の上に、公知の電子ビー
ム露光法や干渉露光法等を用いて、レジストによる回折
格子パターン９を形成する。この際、露光条件を最適化
することにより、図示のように回折格子パターン９を平
らな部分のみに形成することができる。
ＩｎＰエッチングストップ層５の上に、公知の電子ビー
ム露光法や干渉露光法等を用いて、レジストによる回折
格子パターン９を形成する。この際、露光条件を最適化
することにより、図示のように回折格子パターン９を平
らな部分のみに形成することができる。
【００１７】次に上記回折格子パターン９をマスクとし
て、ＧａＩｎＰのみを選択的にエッチングする薬液を用
いてエッチングする。それにより同図（ｅ）に示すよう
に、ＧａＩｎＰエッチングストップ層５の上のみに回折
格子18が形成される。
て、ＧａＩｎＰのみを選択的にエッチングする薬液を用
いてエッチングする。それにより同図（ｅ）に示すよう
に、ＧａＩｎＰエッチングストップ層５の上のみに回折
格子18が形成される。
【００１８】次いでレジストによる回折格子パターン９
を剥離した後、同図（ｆ）に示すように、ＧａＩｎＰエ
ッチングストップ層５の上に２回目の結晶成長により、
ｐ型ＡｌＧａＡｓクラッド層（第２導電型クラッド層）
10、ｐ型ＧａＡｓコンタクト層11を選択埋め込み成長さ
せる。
を剥離した後、同図（ｆ）に示すように、ＧａＩｎＰエ
ッチングストップ層５の上に２回目の結晶成長により、
ｐ型ＡｌＧａＡｓクラッド層（第２導電型クラッド層）
10、ｐ型ＧａＡｓコンタクト層11を選択埋め込み成長さ
せる。
【００１９】次に図２に示すように、リッジ構造にする
ための溝13を形成した後、ＳｉＯ2等からなる絶縁膜12
を選択的に形成し、さらにｐ側電極14およびｎ側電極15
を形成して、同図に示すような全体形状のＤＢＲレーザ
ー30が完成する。
ための溝13を形成した後、ＳｉＯ2等からなる絶縁膜12
を選択的に形成し、さらにｐ側電極14およびｎ側電極15
を形成して、同図に示すような全体形状のＤＢＲレーザ
ー30が完成する。
【００２０】上記の方法で形成されたＤＢＲレーザー30
においては、回折格子18が形成されたＤＢＲ領域17以外
が発振領域16となる。そしてこの発振領域16に関して
は、ｎ型ＡｌＧａＡｓクラッド層２、活性層３、ＡｌＧ
ａＡｓ光ガイド層４、ＧａＩｎＰエッチングストップ層
５、ｐ型ＡｌＧａＡｓクラッド層６およびｐ型ＧａＡｓ
コンタクト層７までが全て１回目の結晶成長で形成され
るので、光ガイド層４が酸化することを回避でき、よっ
てその上に、このような酸化の影響を受けないで結晶品
質が高く保たれたｐ型ＡｌＧａＡｓクラッド層６を形成
可能となる。
においては、回折格子18が形成されたＤＢＲ領域17以外
が発振領域16となる。そしてこの発振領域16に関して
は、ｎ型ＡｌＧａＡｓクラッド層２、活性層３、ＡｌＧ
ａＡｓ光ガイド層４、ＧａＩｎＰエッチングストップ層
５、ｐ型ＡｌＧａＡｓクラッド層６およびｐ型ＧａＡｓ
コンタクト層７までが全て１回目の結晶成長で形成され
るので、光ガイド層４が酸化することを回避でき、よっ
てその上に、このような酸化の影響を受けないで結晶品
質が高く保たれたｐ型ＡｌＧａＡｓクラッド層６を形成
可能となる。
【００２１】以上のように、発光に最も寄与する発振領
域16のｐ型ＡｌＧａＡｓクラッド層６の結晶品質を高め
ることができれば、導波損失が小さく、かつ信頼性の高
いＤＢＲレーザー30が得られる。
域16のｐ型ＡｌＧａＡｓクラッド層６の結晶品質を高め
ることができれば、導波損失が小さく、かつ信頼性の高
いＤＢＲレーザー30が得られる。
【００２２】また本発明は、上に述べたようなＤＢＲレ
ーザーに限らず、ＤＦＢレーザーや、ＤＢＲレーザーあ
るいはＤＦＢレーザーと光増幅器、光変調器、光スイッ
チ、電子回路等を集積化してなる半導体発光素子を製造
する際にも、同様に適用可能である。以下、そのような
集積化半導体発光素子の製造に適用された本発明の第２
実施例を、図３を参照して説明する。
ーザーに限らず、ＤＦＢレーザーや、ＤＢＲレーザーあ
るいはＤＦＢレーザーと光増幅器、光変調器、光スイッ
チ、電子回路等を集積化してなる半導体発光素子を製造
する際にも、同様に適用可能である。以下、そのような
集積化半導体発光素子の製造に適用された本発明の第２
実施例を、図３を参照して説明する。
【００２３】この第２実施例の方法によって製造される
半導体発光素子は、ＤＦＢレーザーと光増幅器とが１チ
ップに集積されてなる集積化光源である。まず図３
（ａ）に示すように、ｎ型ＧａＡｓ基板１の上に、有機
金属気相成長法等により、ｎ型ＡｌＧａＡｓクラッド層
（第１導電型クラッド層）２、活性層３、ＡｌＧａＡｓ
光ガイド層４、ＧａＩｎＰエッチングストップ層５、ｐ
型ＡｌＧａＡｓクラッド層（第２導電型クラッド層）６
およびｐ型ＧａＡｓコンタクト層７を連続成長させ、そ
の後上記ｐ型ＧａＡｓコンタクト層７の上に、ＳｉＯ2
等からなる絶縁膜８を選択的に形成する。
半導体発光素子は、ＤＦＢレーザーと光増幅器とが１チ
ップに集積されてなる集積化光源である。まず図３
（ａ）に示すように、ｎ型ＧａＡｓ基板１の上に、有機
金属気相成長法等により、ｎ型ＡｌＧａＡｓクラッド層
（第１導電型クラッド層）２、活性層３、ＡｌＧａＡｓ
光ガイド層４、ＧａＩｎＰエッチングストップ層５、ｐ
型ＡｌＧａＡｓクラッド層（第２導電型クラッド層）６
およびｐ型ＧａＡｓコンタクト層７を連続成長させ、そ
の後上記ｐ型ＧａＡｓコンタクト層７の上に、ＳｉＯ2
等からなる絶縁膜８を選択的に形成する。
【００２４】続いて同図（ｂ）に示すように、上記絶縁
膜８をマスクとして、ｐ型ＧａＡｓコンタクト層７およ
びｐ型ＡｌＧａＡｓクラッド層６を液相エッチングによ
り選択的に除去する。この場合も、ｐ型ＡｌＧａＡｓク
ラッド層６とＡｌＧａＡｓ光ガイド層４との間にはＧａ
ＩｎＰエッチングストップ層５が介在しているので、Ａ
ｌＧａＡｓ光ガイド層４までエッチングすることなく、
容易にｐ型ＧａＡｓコンタクト層７とｐ型ＡｌＧａＡｓ
クラッド層６のみを除去することができる。
膜８をマスクとして、ｐ型ＧａＡｓコンタクト層７およ
びｐ型ＡｌＧａＡｓクラッド層６を液相エッチングによ
り選択的に除去する。この場合も、ｐ型ＡｌＧａＡｓク
ラッド層６とＡｌＧａＡｓ光ガイド層４との間にはＧａ
ＩｎＰエッチングストップ層５が介在しているので、Ａ
ｌＧａＡｓ光ガイド層４までエッチングすることなく、
容易にｐ型ＧａＡｓコンタクト層７とｐ型ＡｌＧａＡｓ
クラッド層６のみを除去することができる。
【００２５】続いて同図（ｃ）に示すように、上記Ｇａ
ＩｎＰエッチングストップ層５の上に、公知の電子ビー
ム露光法や干渉露光法等を用いて、レジストによる回折
格子パターン９を形成する。この際、露光条件を最適化
することにより、図示のように回折格子パターン９を平
らな部分のみに形成することができる。
ＩｎＰエッチングストップ層５の上に、公知の電子ビー
ム露光法や干渉露光法等を用いて、レジストによる回折
格子パターン９を形成する。この際、露光条件を最適化
することにより、図示のように回折格子パターン９を平
らな部分のみに形成することができる。
【００２６】次に上記回折格子パターン９をマスクとし
て、ＧａＩｎＰのみを選択的にエッチングする薬液を用
いてエッチングする。それにより同図（ｄ）に示すよう
に、ＧａＩｎＰエッチングストップ層５の上のみに回折
格子18が形成される。
て、ＧａＩｎＰのみを選択的にエッチングする薬液を用
いてエッチングする。それにより同図（ｄ）に示すよう
に、ＧａＩｎＰエッチングストップ層５の上のみに回折
格子18が形成される。
【００２７】次いでレジストによる回折格子パターン９
を剥離した後、同図（ｅ）に示すように、ＧａＩｎＰエ
ッチングストップ層５の上に２回目の結晶成長により、
ｐ型ＡｌＧａＡｓクラッド層（第２導電型クラッド層）
10、ｐ型ＧａＡｓコンタクト層11を選択埋め込み成長さ
せる。
を剥離した後、同図（ｅ）に示すように、ＧａＩｎＰエ
ッチングストップ層５の上に２回目の結晶成長により、
ｐ型ＡｌＧａＡｓクラッド層（第２導電型クラッド層）
10、ｐ型ＧａＡｓコンタクト層11を選択埋め込み成長さ
せる。
【００２８】続いて図４に示すように、ＤＦＢ領域19を
リッジ構造にするとともに、光増幅領域20をテーパ構造
にするための溝13を形成した後、ＳｉＯ2 等からなる絶
縁膜12を選択的に形成し、さらにｐ側電極14およびｎ側
電極15を形成して、同図に示すような全体形状の集積化
光源40が完成する。
リッジ構造にするとともに、光増幅領域20をテーパ構造
にするための溝13を形成した後、ＳｉＯ2 等からなる絶
縁膜12を選択的に形成し、さらにｐ側電極14およびｎ側
電極15を形成して、同図に示すような全体形状の集積化
光源40が完成する。
【００２９】上記の方法で形成された集積化光源40にお
いても、光増幅領域20に関しては、ｎ型ＡｌＧａＡｓク
ラッド層２、活性層３、ＡｌＧａＡｓ光ガイド層４、Ｇ
ａＩｎＰエッチングストップ層５、ｐ型ＡｌＧａＡｓク
ラッド層６およびｐ型ＧａＡｓコンタクト層７までが全
て１回目の結晶成長で形成されるので、光ガイド層４が
酸化することを回避でき、よってその上に、このような
酸化の影響を受けないで結晶品質が高く保たれたｐ型Ａ
ｌＧａＡｓクラッド層６を形成可能となる。
いても、光増幅領域20に関しては、ｎ型ＡｌＧａＡｓク
ラッド層２、活性層３、ＡｌＧａＡｓ光ガイド層４、Ｇ
ａＩｎＰエッチングストップ層５、ｐ型ＡｌＧａＡｓク
ラッド層６およびｐ型ＧａＡｓコンタクト層７までが全
て１回目の結晶成長で形成されるので、光ガイド層４が
酸化することを回避でき、よってその上に、このような
酸化の影響を受けないで結晶品質が高く保たれたｐ型Ａ
ｌＧａＡｓクラッド層６を形成可能となる。
【００３０】以上のように、発光に最も寄与する光増幅
領域20のｐ型ＡｌＧａＡｓクラッド層６の結晶品質を高
めることができれば、導波損失が小さく、かつ信頼性の
高い集積化光源40が得られる。
領域20のｐ型ＡｌＧａＡｓクラッド層６の結晶品質を高
めることができれば、導波損失が小さく、かつ信頼性の
高い集積化光源40が得られる。
【００３１】なお、上述した２つの実施例ではｎ型基板
１を用いているが、本発明の方法はｐ型基板を用いて半
導体発光素子を製造する際にも適用可能であり、その場
合にも上記と同様の作用、効果を奏するものである。ま
た活性層３の構造は、バルク構造、量子井戸構造、歪量
子井戸構造のいずれであってもよい。
１を用いているが、本発明の方法はｐ型基板を用いて半
導体発光素子を製造する際にも適用可能であり、その場
合にも上記と同様の作用、効果を奏するものである。ま
た活性層３の構造は、バルク構造、量子井戸構造、歪量
子井戸構造のいずれであってもよい。
【図１】本発明の第１実施例の方法によりＤＢＲレーザ
ーを作製する途中の工程を示す概略図
ーを作製する途中の工程を示す概略図
【図２】完成した上記ＤＢＲレーザーを示す斜視図
【図３】本発明の第２実施例の方法により、ＤＦＢレー
ザーを含む集積化光源を作製する途中の工程を示す概略
図
ザーを含む集積化光源を作製する途中の工程を示す概略
図
【図４】完成した上記集積化光源を示す概略斜視図
【図５】従来の半導体発光素子の製造方法を説明する概
略図
略図
１ ｎ型ＧａＡｓ基板 ２ ｎ型ＡｌＧａＡｓクラッド層（第１導電型クラッ
ド層） ３ 活性層 ４ ＡｌＧａＡｓ光ガイド層 ５ ＧａＩｎＰエッチングストップ層 ６ ｐ型ＡｌＧａＡｓクラッド層（第２導電型クラッ
ド層） ７ ｐ型ＧａＡｓコンタクト層 ８、12 絶縁膜 ９ レジストによる回折格子パターン 10 ｐ型ＡｌＧａＡｓクラッド層（第２導電型クラッ
ド層） 11 ｐ型ＧａＡｓコンタクト層 13 溝 14 ｐ側電極 15 ｎ側電極 16 発振領域 17 ＤＢＲ領域 18 回折格子 19 ＤＦＢ領域 20 光増幅領域 30 ＤＢＲレーザー 40 集積化光源
ド層） ３ 活性層 ４ ＡｌＧａＡｓ光ガイド層 ５ ＧａＩｎＰエッチングストップ層 ６ ｐ型ＡｌＧａＡｓクラッド層（第２導電型クラッ
ド層） ７ ｐ型ＧａＡｓコンタクト層 ８、12 絶縁膜 ９ レジストによる回折格子パターン 10 ｐ型ＡｌＧａＡｓクラッド層（第２導電型クラッ
ド層） 11 ｐ型ＧａＡｓコンタクト層 13 溝 14 ｐ側電極 15 ｎ側電極 16 発振領域 17 ＤＢＲ領域 18 回折格子 19 ＤＦＢ領域 20 光増幅領域 30 ＤＢＲレーザー 40 集積化光源
Claims (2)
- 【請求項１】 回折格子を内包する半導体発光素子の製
造方法であって、 半導体基板上に、第１導電型クラッド層、活性層、光ガ
イド層および第２導電型クラッド層を１回目の結晶成長
により形成し、 前記第２導電型クラッド層の一部領域を選択的にエッチ
ングし、 このエッチングされた領域において前記光ガイド層の上
に回折格子を形成し、 この回折格子の上に、２回目の結晶成長により再度第２
導電型クラッド層を形成することを特徴とする半導体発
光素子の製造方法。 - 【請求項２】 回折格子を内包する半導体発光素子の製
造方法であって、 半導体基板上に、第１導電型クラッド層、活性層、光ガ
イド層、エッチングストップ層および第２導電型クラッ
ド層を１回目の結晶成長により形成し、 前記第２導電型クラッド層の一部領域を選択的にエッチ
ングし、 このエッチングされた領域において前記エッチングスト
ップ層の上に回折格子を形成し、 この回折格子の上に、２回目の結晶成長により再度第２
導電型クラッド層を形成することを特徴とする半導体発
光素子の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4663994A JPH07263802A (ja) | 1994-03-17 | 1994-03-17 | 半導体発光素子の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4663994A JPH07263802A (ja) | 1994-03-17 | 1994-03-17 | 半導体発光素子の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07263802A true JPH07263802A (ja) | 1995-10-13 |
Family
ID=12752881
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4663994A Pending JPH07263802A (ja) | 1994-03-17 | 1994-03-17 | 半導体発光素子の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07263802A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007243072A (ja) * | 2006-03-10 | 2007-09-20 | Toyota Central Res & Dev Lab Inc | 半導体光増幅器複合半導体レーザー装置 |
| JP2011029667A (ja) * | 1996-03-22 | 2011-02-10 | Philips Lumileds Lightng Co Llc | 発光素子 |
| JP2013077744A (ja) * | 2011-09-30 | 2013-04-25 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体レーザ及びその製造方法 |
-
1994
- 1994-03-17 JP JP4663994A patent/JPH07263802A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2011029667A (ja) * | 1996-03-22 | 2011-02-10 | Philips Lumileds Lightng Co Llc | 発光素子 |
| JP2007243072A (ja) * | 2006-03-10 | 2007-09-20 | Toyota Central Res & Dev Lab Inc | 半導体光増幅器複合半導体レーザー装置 |
| JP2013077744A (ja) * | 2011-09-30 | 2013-04-25 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体レーザ及びその製造方法 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20030318 |