JPH1126867A - 半導体発光装置の製造方法 - Google Patents
半導体発光装置の製造方法Info
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- JPH1126867A JPH1126867A JP17946797A JP17946797A JPH1126867A JP H1126867 A JPH1126867 A JP H1126867A JP 17946797 A JP17946797 A JP 17946797A JP 17946797 A JP17946797 A JP 17946797A JP H1126867 A JPH1126867 A JP H1126867A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 光伝送用光源として重要である高抵抗層埋め
込み構造半導体レーザ等の半導体発光装置の製造方法を
提供することを課題とする。 【解決手段】 少なくとも第１の導電型を有する半導体
基板と、該半導体基板上に配置された第１の導電型を有
する第１のクラッド層、光活性層、第２の導電型を有す
る第２のクラッド層、第２の導電型を有する第２のバッ
ファ層、第２の導電型を有する電極コンタクト層からな
る半導体層構造を有する半導体発光素子における活性層
埋め込み構造の製造工程において、上記層構造を形成し
た後、所定のマスクパターン１１を形成し、その後イオ
ン注入法により半絶縁性高抵抗層を作製する。
込み構造半導体レーザ等の半導体発光装置の製造方法を
提供することを課題とする。 【解決手段】 少なくとも第１の導電型を有する半導体
基板と、該半導体基板上に配置された第１の導電型を有
する第１のクラッド層、光活性層、第２の導電型を有す
る第２のクラッド層、第２の導電型を有する第２のバッ
ファ層、第２の導電型を有する電極コンタクト層からな
る半導体層構造を有する半導体発光素子における活性層
埋め込み構造の製造工程において、上記層構造を形成し
た後、所定のマスクパターン１１を形成し、その後イオ
ン注入法により半絶縁性高抵抗層を作製する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、光伝送用光源とし
て重要である高抵抗層埋め込み構造半導体レーザ等の半
導体発光装置の製造方法に関する。
て重要である高抵抗層埋め込み構造半導体レーザ等の半
導体発光装置の製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来より、光伝送用光源として重要であ
る高抵抗層埋め込み構造半導体レーザ等の半導体発光装
置の製造法に関しては、メサストライプ形成にウェット
エッチングを用いるもの（参考文献: アプライドフィジ
クス レター Vol.59(1991)P.1269参照) や、ドライエ
ッチングを用いるもの( 特願平 7-26778号参照) が提案
されている。これらいずれの場合も第１導電型（１０
０）半導体基板上にバッファ層，活性層，第２の導電型
を有するクラッド層，第２の導電型の電極層結晶成長の
後に、メサストライプ形成のためのウェット又はドライ
エッチングを行い、その後に半絶縁性高抵抗層で埋め込
み成長を行うプロセスで、ほぼ工程的には確立されてい
る。
る高抵抗層埋め込み構造半導体レーザ等の半導体発光装
置の製造法に関しては、メサストライプ形成にウェット
エッチングを用いるもの（参考文献: アプライドフィジ
クス レター Vol.59(1991)P.1269参照) や、ドライエ
ッチングを用いるもの( 特願平 7-26778号参照) が提案
されている。これらいずれの場合も第１導電型（１０
０）半導体基板上にバッファ層，活性層，第２の導電型
を有するクラッド層，第２の導電型の電極層結晶成長の
後に、メサストライプ形成のためのウェット又はドライ
エッチングを行い、その後に半絶縁性高抵抗層で埋め込
み成長を行うプロセスで、ほぼ工程的には確立されてい
る。
【０００３】また、収束イオンビーム（ＦＩＢ）による
マスクレスイオン注入技術に関しては、現在主として電
子，光デバイスの素子間分離や、ＬＳＩ局所リペアント
等に多く使用されている。汎用イオン注入技術と異なる
点は、ビームがサブミクロンに収束されていることと、
液体金属イオン源を使用する点である。化合物半導体の
イオン源としては、他の金属と共晶合金化し融点を下げ
て用いられる（（参考文献: 穴沢、電子材料、1984年３
月号、ｐ56、石谷、応用物理、Vol.53(1984)p.189 参
照) 。
マスクレスイオン注入技術に関しては、現在主として電
子，光デバイスの素子間分離や、ＬＳＩ局所リペアント
等に多く使用されている。汎用イオン注入技術と異なる
点は、ビームがサブミクロンに収束されていることと、
液体金属イオン源を使用する点である。化合物半導体の
イオン源としては、他の金属と共晶合金化し融点を下げ
て用いられる（（参考文献: 穴沢、電子材料、1984年３
月号、ｐ56、石谷、応用物理、Vol.53(1984)p.189 参
照) 。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、かかる
従来技術の方法で作製される半導体レーザは、作製の工
程上、メサストライプ形成のためのウェット又はドライ
エッチングを行い、この後に半絶縁性高抵抗層で埋め込
み成長を行うので、工程の複雑性及び長時間性，完成素
子の歩留りについて問題がある。
従来技術の方法で作製される半導体レーザは、作製の工
程上、メサストライプ形成のためのウェット又はドライ
エッチングを行い、この後に半絶縁性高抵抗層で埋め込
み成長を行うので、工程の複雑性及び長時間性，完成素
子の歩留りについて問題がある。
【０００５】本発明は、光伝送用光源として重要である
高抵抗層埋め込み構造半導体レーザ等の半導体発光装置
を経済的に大量に作製するために、工程の簡略化，短時
間化，高歩留り化を図った半導体発光装置の製造方法を
提供することにある。
高抵抗層埋め込み構造半導体レーザ等の半導体発光装置
を経済的に大量に作製するために、工程の簡略化，短時
間化，高歩留り化を図った半導体発光装置の製造方法を
提供することにある。
【０００６】
【課題を解決するための手段】前記課題を解決する第１
の半導体発光装置の製造方法は、少なくとも第１の導電
型を有する半導体基板と、該半導体基板上に配置された
第１の導電型を有する第１のクラッド層、光活性層、第
２の導電型を有する第２のクラッド層、第２の導電型を
有する第２のバッファ層、第２の導電型を有する電極コ
ンタクト層からなる半導体層構造を有する半導体発光素
子における活性層埋め込み構造の製造工程において、上
記層構造を形成した後、所定のマスクパターンを形成
し、その後イオン注入法により半絶縁性高抵抗層を作製
することを特徴とする。
の半導体発光装置の製造方法は、少なくとも第１の導電
型を有する半導体基板と、該半導体基板上に配置された
第１の導電型を有する第１のクラッド層、光活性層、第
２の導電型を有する第２のクラッド層、第２の導電型を
有する第２のバッファ層、第２の導電型を有する電極コ
ンタクト層からなる半導体層構造を有する半導体発光素
子における活性層埋め込み構造の製造工程において、上
記層構造を形成した後、所定のマスクパターンを形成
し、その後イオン注入法により半絶縁性高抵抗層を作製
することを特徴とする。
【０００７】第２の半導体発光装置の製造方法は、少な
くとも第１の導電型を有する半導体基板と、該半導体基
板上に配置された第１の導電型を有する第１のクラッド
層、光活性層、第２の導電型を有する第２のクラッド
層、第２の導電型を有する第２のバッファ層、第２の導
電型を有する電極コンタクト層からなる半導体層構造を
有する半導体発光素子における活性層埋め込み構造の製
造工程において、上記層構造を形成した後、収束イオン
ビーム装置を用いてイオン注入することにより半絶縁性
高抵抗層を作製することを特徴とする。
くとも第１の導電型を有する半導体基板と、該半導体基
板上に配置された第１の導電型を有する第１のクラッド
層、光活性層、第２の導電型を有する第２のクラッド
層、第２の導電型を有する第２のバッファ層、第２の導
電型を有する電極コンタクト層からなる半導体層構造を
有する半導体発光素子における活性層埋め込み構造の製
造工程において、上記層構造を形成した後、収束イオン
ビーム装置を用いてイオン注入することにより半絶縁性
高抵抗層を作製することを特徴とする。
【０００８】また、上記第１及び第２の半導体発光装置
の製造方法において、上記イオンとして、Ｆｅ，Ｇａ，
Ｈ，Ｂ，Ｏ，Ｃｒのうちの少なくとも何れか一種を用い
ることを特徴とする。
の製造方法において、上記イオンとして、Ｆｅ，Ｇａ，
Ｈ，Ｂ，Ｏ，Ｃｒのうちの少なくとも何れか一種を用い
ることを特徴とする。
【０００９】［作用］従来の方法で作製される半導体レ
ーザは、作製の工程上、メサストライプ形成のためのウ
ェット又はドライエッチングを行い、この後に半絶縁性
高抵抗層で埋め込み成長を行うので、工程の複雑性及び
長時間性，完成素子の歩留りについての問題があった。
すなわち、メサストライプ形成のエッチング工程，結晶
成長を２回以上行う工程のプロセスそのものの複雑性と
再現性について改良の余地が大いにあった。本発明で
は、メサストライプ形成にイオン注入法を用いるため
に、メサのためのエッチングを要せず、また結晶成長に
おいても連続した１回成長であるために、プロセスの簡
便性，時間短縮について大いに貢献し得る。また、パラ
メータの多いエッチング条件に比して、少ない条件で操
作可能なイオン注入法においては、完成素子の歩留りの
向上が期待できる。
ーザは、作製の工程上、メサストライプ形成のためのウ
ェット又はドライエッチングを行い、この後に半絶縁性
高抵抗層で埋め込み成長を行うので、工程の複雑性及び
長時間性，完成素子の歩留りについての問題があった。
すなわち、メサストライプ形成のエッチング工程，結晶
成長を２回以上行う工程のプロセスそのものの複雑性と
再現性について改良の余地が大いにあった。本発明で
は、メサストライプ形成にイオン注入法を用いるため
に、メサのためのエッチングを要せず、また結晶成長に
おいても連続した１回成長であるために、プロセスの簡
便性，時間短縮について大いに貢献し得る。また、パラ
メータの多いエッチング条件に比して、少ない条件で操
作可能なイオン注入法においては、完成素子の歩留りの
向上が期待できる。
【００１０】
【発明の実施の形態】次に、本発明の好適な実施の形態
を図面を参照して説明するが、本発明はこれらに限定さ
れるものではない。
を図面を参照して説明するが、本発明はこれらに限定さ
れるものではない。
【００１１】図１は、本発明の実施の形態にかかる半導
体レーザの構造図である。図２乃至図４は図１の半導体
レーザの製造工程の各段階における構造を示す図であ
る。ここで、これらの図面において、符号１はｎ型Ｉｎ
Ｐ基板、２はｎ型ＩｎＰバッファ層、３は波長1.3 μｍ
帯のノンドープＩｎＧａＡｓＰ活性層、４はｐ型ＩｎＰ
クラッド層，５は波長1.3 μｍ帯ｐ型ＩｎＧａＡｓＰバ
ッファ層、６はｐ型ＩｎＧａＡｓ電極層、７は半絶縁性
Ｆｅイオン注入空乏化層（電流阻止層）、８はＳｉＯ2
膜、９はｐ型電極、１０はｎ型電極、１１はイオン注入
用マスク、１２は注入イオンを各々図示する。
体レーザの構造図である。図２乃至図４は図１の半導体
レーザの製造工程の各段階における構造を示す図であ
る。ここで、これらの図面において、符号１はｎ型Ｉｎ
Ｐ基板、２はｎ型ＩｎＰバッファ層、３は波長1.3 μｍ
帯のノンドープＩｎＧａＡｓＰ活性層、４はｐ型ＩｎＰ
クラッド層，５は波長1.3 μｍ帯ｐ型ＩｎＧａＡｓＰバ
ッファ層、６はｐ型ＩｎＧａＡｓ電極層、７は半絶縁性
Ｆｅイオン注入空乏化層（電流阻止層）、８はＳｉＯ2
膜、９はｐ型電極、１０はｎ型電極、１１はイオン注入
用マスク、１２は注入イオンを各々図示する。
【００１２】ここで、活性層３は発光波長1.3 μｍ帯に
相当するＩｎＧａＡｓＰ半導体結晶である。該活性層３
は、ｎ型ＩｎＰ基板１上のメサストライプにおいて、ｐ
型ＩｎＰクラッド層４とｎ型ＩｎＰバッファ層２とによ
って、上下から挟まれている。メサ脇にはＦｅイオンを
注入することによって半絶縁性高抵抗ＩｎＰ結晶からな
る、電流阻止層７によって埋め込まれている。すなわ
ち、Ｆｅイオンを注入によってメサストライプの作製を
行う。メサストライプの上端部には、ｐ型電極９と良好
なコンタクトが得られるように、ｐ型ＩｎＧａＡｓ電極
層６が設けられている。また、電極層６とｐ型ＩｎＰク
ラッド層２との間には、ホールの注入効率を向上させる
ため、波長1.3 μｍ帯ｐ型ＩｎＧａＡｓＰバッファ層５
が挿入されている。ｎ型電極１０は、ｎ型基板１の裏面
全面に形成されている。一方ｐ型電極９は素子上面に形
成されており、ｐ型電極９と電流阻止層７との間には、
一部、ＳｉＯ2 膜８によって隔てられている。
相当するＩｎＧａＡｓＰ半導体結晶である。該活性層３
は、ｎ型ＩｎＰ基板１上のメサストライプにおいて、ｐ
型ＩｎＰクラッド層４とｎ型ＩｎＰバッファ層２とによ
って、上下から挟まれている。メサ脇にはＦｅイオンを
注入することによって半絶縁性高抵抗ＩｎＰ結晶からな
る、電流阻止層７によって埋め込まれている。すなわ
ち、Ｆｅイオンを注入によってメサストライプの作製を
行う。メサストライプの上端部には、ｐ型電極９と良好
なコンタクトが得られるように、ｐ型ＩｎＧａＡｓ電極
層６が設けられている。また、電極層６とｐ型ＩｎＰク
ラッド層２との間には、ホールの注入効率を向上させる
ため、波長1.3 μｍ帯ｐ型ＩｎＧａＡｓＰバッファ層５
が挿入されている。ｎ型電極１０は、ｎ型基板１の裏面
全面に形成されている。一方ｐ型電極９は素子上面に形
成されており、ｐ型電極９と電流阻止層７との間には、
一部、ＳｉＯ2 膜８によって隔てられている。
【００１３】図１に示した半導体レーザの作製法を図２
を用いて説明する。先ず、図２に示すように、（１０
０）面ｎ型ＩｎＰ基板（キャリア濃度：２×１０18ｃｍ
-3）１の上に、Ｓｅをドーパントとするｎ側ＩｎＰバッ
ファ層（キャリア濃度：２×１０18ｃｍ-3、厚さ：0.２
μｍ）２、発光波長1.3 μｍに相当するノンドープＩｎ
ＧａＡｓＰ活性層（厚さ：0.15μｍ）３、Ｚｎをドーパ
ントとするｐ型ＩｎＰクラッド層（キャリア濃度：２×
１０18ｃｍ-3、厚さ：1.5 μｍ）４、Ｚｎをドーパント
とする1.3 μｍ帯ｐ型ＩｎＧａＡｓＰバッファ層（キャ
リア濃度：３×１０18ｃｍ-3、厚さ：0.２μｍ）５、Ｚ
ｎをドーパントとするｐ型ＩｎＧａＡｓ電極層（キャリ
ア濃度：３×１０18ｃｍ-3、厚さ：0.３μｍ）６を、減
圧有機金属気相成長法により形成した後、メサストライ
プ形成用イオン注入のためのマスク（幅2.0 μｍ、厚
さ：0.２μｍ）１１を形成する。なお、後述するＦＩＢ
注入法ではマスク工程は不要となる。
を用いて説明する。先ず、図２に示すように、（１０
０）面ｎ型ＩｎＰ基板（キャリア濃度：２×１０18ｃｍ
-3）１の上に、Ｓｅをドーパントとするｎ側ＩｎＰバッ
ファ層（キャリア濃度：２×１０18ｃｍ-3、厚さ：0.２
μｍ）２、発光波長1.3 μｍに相当するノンドープＩｎ
ＧａＡｓＰ活性層（厚さ：0.15μｍ）３、Ｚｎをドーパ
ントとするｐ型ＩｎＰクラッド層（キャリア濃度：２×
１０18ｃｍ-3、厚さ：1.5 μｍ）４、Ｚｎをドーパント
とする1.3 μｍ帯ｐ型ＩｎＧａＡｓＰバッファ層（キャ
リア濃度：３×１０18ｃｍ-3、厚さ：0.２μｍ）５、Ｚ
ｎをドーパントとするｐ型ＩｎＧａＡｓ電極層（キャリ
ア濃度：３×１０18ｃｍ-3、厚さ：0.３μｍ）６を、減
圧有機金属気相成長法により形成した後、メサストライ
プ形成用イオン注入のためのマスク（幅2.0 μｍ、厚
さ：0.２μｍ）１１を形成する。なお、後述するＦＩＢ
注入法ではマスク工程は不要となる。
【００１４】次いで、図３に示すように、Ｆｅイオン注
入（ドーズ量１×１０14ｃｍ-2、注入エネルギー300ke
v) を行う。すると、図４に示すように、注入領域は半
絶縁性電流阻止層７となり、メサストライプが形成され
る。そして、イオン注入マスク１１を剥がす。最後に、
ｎ型電極１０、ＳｉＯ2 マスク及びｐ型電極９を形成
し、個々のレーザチップに切り出して、図１に示す構造
の半導体レーザを作製した。
入（ドーズ量１×１０14ｃｍ-2、注入エネルギー300ke
v) を行う。すると、図４に示すように、注入領域は半
絶縁性電流阻止層７となり、メサストライプが形成され
る。そして、イオン注入マスク１１を剥がす。最後に、
ｎ型電極１０、ＳｉＯ2 マスク及びｐ型電極９を形成
し、個々のレーザチップに切り出して、図１に示す構造
の半導体レーザを作製した。
【００１５】本実施の形態では、活性層としてＩｎＧａ
Ａｓ半導体層のみからなるものについて述べたが、多重
量子井戸構造や歪層超格子等複数の半導体層から構成さ
れる活性層を備えた半導体レーザにおいても、本発明と
同様な構造の半絶縁性高抵抗埋め込み構造半導体レーザ
が実現できる。
Ａｓ半導体層のみからなるものについて述べたが、多重
量子井戸構造や歪層超格子等複数の半導体層から構成さ
れる活性層を備えた半導体レーザにおいても、本発明と
同様な構造の半絶縁性高抵抗埋め込み構造半導体レーザ
が実現できる。
【００１６】なお、活性層の材料系としては、ＩｎＧａ
ＡｓＰ／ＩｎＰ系を用いて説明したが、これに限定され
ることはなく、イオン注入によって半絶縁性高抵抗層が
生成する材料を使用する限り、ＩｎＧａＡｓ／ＩｎＡｌ
Ａｓ，ＧａＡｓ／ＡｌＧａＡｓ系であっても可能であ
る。
ＡｓＰ／ＩｎＰ系を用いて説明したが、これに限定され
ることはなく、イオン注入によって半絶縁性高抵抗層が
生成する材料を使用する限り、ＩｎＧａＡｓ／ＩｎＡｌ
Ａｓ，ＧａＡｓ／ＡｌＧａＡｓ系であっても可能であ
る。
【００１７】また、半導体レーザとしては、本実施の形
態で述べたファブリペロー型レーザに限定されるもので
はなく、回折格子を備えた分布帰還型半導体（ＤＦＢ）
レーザや、分布ブラッグ型半導体（ＤＢＲ）レーザであ
ってもよい。
態で述べたファブリペロー型レーザに限定されるもので
はなく、回折格子を備えた分布帰還型半導体（ＤＦＢ）
レーザや、分布ブラッグ型半導体（ＤＢＲ）レーザであ
ってもよい。
【００１８】また、本発明は半導体レーザのみに限定さ
れるものではなく、外部変調器を備えた半導体レーザ等
の複数の素子を集積した集積型発光装置においても、本
実施の形態と同様な素子構造を得ることができる。
れるものではなく、外部変調器を備えた半導体レーザ等
の複数の素子を集積した集積型発光装置においても、本
実施の形態と同様な素子構造を得ることができる。
【００１９】注入イオン法はマスクの必要な一様イオン
注入法のみでなく、マスクレスである収束イオンビーム
（ＦＩＢ）装置を用いることにより、更に、プロセスの
簡略化が実現できる。
注入法のみでなく、マスクレスである収束イオンビーム
（ＦＩＢ）装置を用いることにより、更に、プロセスの
簡略化が実現できる。
【００２０】また、イオン種はＧａ，Ｈ，Ｂ，Ｏ，Ｃｒ
等のイオン注入により半絶縁性を示すものであれば、Ｆ
ｅに限定されるものではない。
等のイオン注入により半絶縁性を示すものであれば、Ｆ
ｅに限定されるものではない。
【００２１】
【発明の効果】以上、実施の形態と共に説明したよう
に、本発明の半導体発光装置の製造方法によれば、メサ
ストライプ形成にイオン注入法を用いるため、メサのた
めのエッチングを要せず、また結晶成長においても連続
した一回成長であるために、プロセスの簡便性，時間短
縮について大いに貢献し得る。また、パラメータの多い
エッチング条件に比して、少ない条件で操作可能なイオ
ン注入法においては、完成素子の歩留りの向上が期待で
きる。
に、本発明の半導体発光装置の製造方法によれば、メサ
ストライプ形成にイオン注入法を用いるため、メサのた
めのエッチングを要せず、また結晶成長においても連続
した一回成長であるために、プロセスの簡便性，時間短
縮について大いに貢献し得る。また、パラメータの多い
エッチング条件に比して、少ない条件で操作可能なイオ
ン注入法においては、完成素子の歩留りの向上が期待で
きる。
【図１】本発明の実施の形態の半導体レーザの構造図で
ある。
ある。
【図２】本発明の実施の形態の半導体レーザの製造工程
図である。
図である。
【図３】本発明の実施の形態の半導体レーザの製造工程
図である。
図である。
【図４】本発明の実施の形態の半導体レーザの製造工程
図である。
図である。
１ ｎ型ＩｎＰ基板 ２ ｎ型ＩｎＰバッファ層 ３ 波長1.3 μｍ帯のノンドープＩｎＧａＡｓＰ活性層 ４ ｐ型ＩｎＰクラッド層 ５ 波長1.3 μｍ帯ｐ型ＩｎＧａＡｓＰバッファ層 ６ ｐ型ＩｎＧａＡｓ電極層 ７ 半絶縁性Ｆｅイオン注入空乏化層（電流阻止層） ８ ＳｉＯ2 膜 ９ ｐ型電極 １０ ｎ型電極 １１ イオン注入用マスク １２ 注入イオン
Claims (3)
- 【請求項１】 少なくとも第１の導電型を有する半導体
基板と、 該半導体基板上に配置された第１の導電型を有する第１
のクラッド層、光活性層、第２の導電型を有する第２の
クラッド層、第２の導電型を有する第２のバッファ層、
第２の導電型を有する電極コンタクト層からなる半導体
層構造を有する半導体発光素子における活性層埋め込み
構造の製造工程において、 上記層構造を形成した後、所定のマスクパターンを形成
し、その後イオン注入法により半絶縁性高抵抗層を作製
することを特徴とする半導体発光装置の製造方法。 - 【請求項２】 少なくとも第１の導電型を有する半導体
基板と、 該半導体基板上に配置された第１の導電型を有する第１
のクラッド層、光活性層、第２の導電型を有する第２の
クラッド層、第２の導電型を有する第２のバッファ層、
第２の導電型を有する電極コンタクト層からなる半導体
層構造を有する半導体発光素子における活性層埋め込み
構造の製造工程において、 上記層構造を形成した後、収束イオンビーム装置を用い
てイオン注入することにより半絶縁性高抵抗層を作製す
ることを特徴とする半導体発光装置の製造方法。 - 【請求項３】 請求項１又は２において、 上記イオンとして、Ｆｅ，Ｇａ，Ｈ，Ｂ，Ｏ，Ｃｒのう
ちの少なくとも何れか一種を用いることを特徴とする半
導体発光装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17946797A JPH1126867A (ja) | 1997-07-04 | 1997-07-04 | 半導体発光装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17946797A JPH1126867A (ja) | 1997-07-04 | 1997-07-04 | 半導体発光装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1126867A true JPH1126867A (ja) | 1999-01-29 |
Family
ID=16066367
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP17946797A Withdrawn JPH1126867A (ja) | 1997-07-04 | 1997-07-04 | 半導体発光装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH1126867A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2014129709A1 (ko) * | 2013-02-20 | 2014-08-28 | 고려대학교 산학협력단 | 투명 전극을 구비하는 수직형 발광소자 및 그 제조 방법 |
| DE102019102499A1 (de) * | 2019-01-31 | 2020-08-06 | Forschungsverbund Berlin E.V. | Vorrichtung zur Erzeugung von Laserstrahlung |
-
1997
- 1997-07-04 JP JP17946797A patent/JPH1126867A/ja not_active Withdrawn
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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