JPH07263552A - 半導体装置及びその製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【目的】 微細構造の半導体装置において、絶縁層が厚
くてコンタクトホール又はバイアホールのアスペクト比
が高くなるときでも、配線層間の接続を完全に行うこと
のできる半導体装置の製造方法を得る。 【構成】 従来のように配線層の形成と同時にコンタク
トホール内に金属層を形成することにより接続するので
なく、予め接続金属部を形成してから配線層を形成す
る。すなわち、半導体基板１上に形成された接続金属部
用金属層８を接続部のみを残してエッチング除去して接
続金属部４を形成し、しかる後に絶縁層２、配線層たる
金属層６を形成する。接続金属部４が、半導体基板１と
金属層６とを電気的に接続する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、半導体装置の製造方法
であって、内部の半導体基板と配線層との間、あるいは
配線層と配線層との間を接続するための接続部分の製造
方法に関するものであり、さらに、この半導体装置の製
造方法によって製造される半導体装置に関するものであ
る。

【０００２】

【従来の技術】従来の半導体装置の断面構造の一例を図
５（ｃ）に示す。同図において、１は半導体基板、２は
絶縁膜、１１は配線層としての金属層である。絶縁膜２
は半導体基板１と金属層１１とを絶縁する。また、絶縁
膜２の所定の部分に設けられた接続孔（コンタクトホー
ル）１２において金属層１１が接続孔１２に入り込み、
半導体基板１に接触するように形成されるから、半導体
基板１と金属層１０とは接続孔１１の部分で電気的に接
続されている。なお、図５（ｃ）の場合は半導体基板１
と金属層１０とを接続する場合の断面を示しているが、
これに限らず金属層と金属層とを接続する場合もある。
この場合、接続孔１１はスルーホール又はバイアホール
と呼ばれる。

【０００３】次に、従来の半導体装置の製造方法につい
て説明する。図５は半導体装置の製造方法の一例を示し
ている。まず、接続対象である下側の層の半導体基板１
上に絶縁層２を堆積させる。そして、その上にレジスト
３を形成し、さらに写真製版技術により所定のパターン
の開口部１３をレジストに設ける（図５（ａ））。次
に、レジスト３の開口部１３の絶縁層２をエッチングに
より除去し、接続孔１２を形成した後、レジスト３を除
去する（図５（ｂ））。次に、半導体基板１と接続すべ
き金属層１１を絶縁層２上に堆積させる。このとき、金
属層１１の一部は接続孔１２の内部に入り込むから半導
体基板１と接触する。このことにより、金属層１１は、
絶縁層２の接続孔１２において下側の半導体基板１と接
続される（図５（ｃ））。

【０００４】なお、図５は半導体基板１と金属層１１と
を接続する場合を示しているが、半導体基板１に代えて
金属層が形成されており、この金属層と金属層１１とを
接続する場合でも同様である。

【０００５】このように、従来の半導体装置において、
半導体基板１と金属層１１、あるいは金属層と金属層と
を接続するために、層間の絶縁層２の所定の部分を開孔
した後に上層の金属層１１を堆積させていた。

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】ところが、半導体装置
の微細化が進み、図６に示すように孔径ｄが小さくなる
とともに絶縁層２の厚さｈが厚くなることにより、接続
孔１２のアスペクト比（ｈ／ｄ）が高くなってきた。こ
のような場合に図５に示す従来の半導体製造方法を適用
すると、金属層１１が半導体基板１に正しく接続されな
いことがあるという問題あった。すなわち、アスペクト
比が大きい場合において、金属層は接続孔１２内部では
絶縁層２上よりも堆積しにくいから、接続孔１２の内部
で十分な膜厚を確保しにくかった。すると、図６に示す
ように、金属層１１は金属層１１ｂと金属層１１ａとに
分離して形成されるので、半導体基板１と金属層１１ｂ
とが電気的に接続されない。このことにより、半導体装
置の歩留まりが低下するとともに、その信頼性が低下す
るという問題があった。

【０００７】本発明は、以上のような問題点に鑑みなさ
れたものであり、第１の目的は、半導体装置が微細化す
るとともに絶縁層が厚くなりアスペクト比が高くなる場
合でも、接続孔内に隙間なく一様に接続部材を形成する
ことができる半導体装置の製造方法を得ることであり、
第２の目的は、接続孔内に隙間なく一様に接続部材を形
成することができ、かつ、接続部のリーク特性を改善で
きる半導体装置の製造方法を得ることであり、第３の目
的は、絶縁層内に形成された接続部材が剥離しにくい半
導体装置の製造方法を得ることである。

【０００８】

【課題を解決するための手段】請求項１に係る半導体装
置の製造方法は、半導体装置の第１の層に重ねて金属層
を形成する第１の工程と、上記第１の層と上記第２の層
とを接続する部分を除き上記金属層を除去して接続部を
形成する第２の工程と、上記第１の層及び上記接続部に
重ねて絶縁層を形成する第３の工程と、上記絶縁層をエ
ッチングして上記接続部を露出させる第４の工程と、上
記絶縁層及び上記接続部に重ねて上記第２の層を形成す
る第５の工程とを備えたものである。

【０００９】請求項２に係る半導体装置の製造方法は、
半導体装置の第１の層に重ねてバリアメタル層を形成す
る第１の工程と、上記バリアメタル層に重ねて金属層を
形成する第２の工程と、上記第１の層と上記第２の層と
を接続する部分を除き上記バリアメタル層及び上記金属
層を除去して接続部を形成する第３の工程と、上記第１
の層及び上記接続部に重ねて絶縁層を形成する第４の工
程と、上記絶縁層をエッチングして上記接続部を露出さ
せる第５の工程と、上記絶縁層及び上記接続部に重ねて
上記第２の層を形成する第６の工程とを備えたものであ
る。

【００１０】請求項３に係る半導体装置の製造方法は、
半導体装置の第１の層に重ねて金属層を形成する第１の
工程と、上記第１の層と上記第２の層とを接続する部分
を除き上記金属層を除去して接続部を形成する第２の工
程と、上記第１の層及び上記接続部に重ねて側壁形成層
を形成する第３の工程と、異方性エッチングにより上記
接続部の側面の以外の部分の上記側壁形成層を除去して
側壁を形成する第４の工程と、上記第１の層、上記接続
部及び上記側壁に重ねて絶縁層を形成する第５の工程
と、上記絶縁層をエッチングして上記接続部を露出させ
る第６の工程と、上記絶縁層及び上記接続部に重ねて上
記第２の層を形成する第７の工程とを備えたものであ
る。

【００１１】請求項４に係る半導体装置は、半導体装置
の内部回路を構成する第１の層及び第２の層と、上記第
１の層と上記第２の層とを絶縁する絶縁層と、隙間なく
一様に形成されてなり、上記第１の層と上記第２の層と
を接続する接続部とを備えたものである。

【００１２】請求項５に係る半導体装置は、半導体装置
の内部回路を構成する第１の層及び第２の層と、上記第
１の層上に形成されたバリアメタル層と、上記バリアメ
タル層上に形成されて上記第１の層と上記第２の層とを
絶縁する絶縁層と、隙間なく一様に形成されてなり、上
記第１の層と上記第２の層とを接続する接続部とを備え
たものである。

【００１３】請求項６に係る半導体装置は、半導体装置
の内部回路を構成する第１の層及び第２の層と、上記第
１の層と上記第２の層とを絶縁する絶縁層と、隙間なく
一様に形成されてなり、上記第１の層と上記第２の層と
を接続する接続部と、上記接続部の側面に形成された側
壁とを備えたものである。

【００１４】

【作用】請求項１の発明においては、第１の工程により
半導体装置の第１の層に重ねて金属層を形成し、第２の
工程により上記第１の層と上記第２の層とを接続する部
分を除き上記金属層を除去して接続部を形成し、第３の
工程により上記第１の層及び上記接続部に重ねて絶縁層
を形成し、第４の工程により上記絶縁層をエッチングし
て上記接続部を露出させ、第５の工程により上記絶縁層
及び上記接続部に重ねて上記第２の層を形成する。

【００１５】請求項２の発明においては、第１の工程に
より半導体装置の第１の層に重ねてバリアメタル層を形
成し、第２の工程により上記バリアメタル層に重ねて金
属層を形成し、第３の工程により上記第１の層と上記第
２の層とを接続する部分を除き上記バリアメタル層及び
上記金属層を除去して接続部を形成し、第４の工程によ
り上記第１の層及び上記接続部に重ねて絶縁層を形成
し、第５の工程により上記絶縁層をエッチングして上記
接続部を露出させ、第６の工程により上記絶縁層及び上
記接続部に重ねて上記第２の層を形成する。

【００１６】請求項３の発明においては、第１の工程に
より半導体装置の第１の層に重ねて金属層を形成し、第
２の工程により上記第１の層と上記第２の層とを接続す
る部分を除き上記金属層を除去して接続部を形成し、第
３の工程により上記第１の層及び上記接続部に重ねて側
壁形成層を形成し、第４の工程により異方性エッチング
により上記接続部の側面の以外の部分の上記側壁形成層
を除去して側壁を形成し、第５の工程により上記第１の
層、上記接続部及び上記側壁に重ねて絶縁層を形成し、
第６の工程により上記絶縁層をエッチングして上記接続
部を露出させ、第７の工程により上記絶縁層及び上記接
続部に重ねて上記第２の層を形成する。

【００１７】請求項４の発明においては、隙間なく一様
に形成された接続部が、半導体装置の内部回路を構成す
る第１の層と第２の層とを小さな抵抗値で接続する。

【００１８】請求項５の発明においては、隙間なく一様
に形成された接続部が、半導体装置の内部回路を構成す
る第１の層と第２の層とを小さな抵抗値で接続するとと
もに、バリアメタル層がリークを防止する。

【００１９】請求項６の発明においては、隙間なく一様
に形成された接続部が、半導体装置の内部回路を構成す
る第１の層と第２の層とを小さな抵抗値で接続するとと
もに、接続部の側面に形成された側壁が接続部の剥離を
防止する。

【００２０】

【実施例】

実施例１．この発明の一実施例による半導体装置の断面
構造を図１（ｅ）に示す。同図において、１は半導体基
板、２は半導体基板１上に形成された絶縁層、４は接続
金属部、６は絶縁層２及び接続金属部４上に形成された
金属層である。絶縁層２は半導体基板１と金属層６とを
絶縁するためのものである。また、絶縁層２の所定の部
分に設けられた接続金属部４は、半導体基板１と金属層
６とを電気的に接続する。なお、接続金属部４は、以下
に述べるように金属層６とは異なる工程により形成され
る。

【００２１】次に、この実施例１の半導体装置の製造方
法を図１に基づいて説明する。まず、半導体基板１上
に、例えばアルミ等の接続金属部用金属層８を堆積する
（図１（ａ））。次に、接続金属部用金属層８の上にレ
ジストを堆積し、写真製版技術により、半導体基板１と
金属層６とを接続すべき所定の部分のみレジストを残す
（レジスト３）。その後、エッチングを行って、接続金
属部用金属層８をその部分のみ残し、接続金属部４を形
成する（図１（ｂ））。この接続金属部４は、従来の接
続孔１２内に形成された金属層１１に相当する。しか
し、接続金属部４は、従来の金属層１１による場合と異
なり、接続部分全体において隙間なく一様に形成されて
いる点に特徴がある。このため、この接続金属部４にお
ける抵抗値が小さくなり、半導体装置の高速動作が可能
になる。

【００２２】次に、レジスト３を取り去った後、絶縁層
２を堆積させる（図１（ｃ））。次に、エッチングによ
り、接続金属部４の表面が露出するまで、絶縁層２を除
去するとともに平坦化を行う（図１（ｄ））。次に、絶
縁層２及び接続金属部４に重ねてアルミ等の金属層６を
堆積させる（図１（ｅ））。これにより、半導体基板１
と金属層６とは、接続金属部４により所定の部分が電気
的に接続される。

【００２３】以上のように、この実施例１によれば、従
来のように絶縁層２に接続孔１２を形成してから、ここ
に接続金属部となる金属層を形成するのではなく、予め
接続金属部４を形成してから絶縁層２を形成するので、
アスペクト比が高い場合でも、隙間なく一様・均一に形
成された接続金属部４を得ることができて、半導体装置
の信頼性が向上するとともに歩留まりも改善できる。さ
らに、半導体基板１と金属層４との間の抵抗を低くする
ことができて半導体装置の高速動作が可能になる。

【００２４】なお、図１は半導体基板１と金属層６とを
接続する場合を示しているが、半導体基板１に代えて金
属層が形成されていて、この金属層と金属層６とを接続
する場合（すなわち金属配線層同士の接続の場合）でも
同様に適用できる。

【００２５】実施例２．上記実施例１において、接続金
属部４を半導体基板１上に直接形成したが、バリアメタ
ルを介して形成するようにしてもよい。この実施例２に
よる半導体装置の断面構造を図２（ｅ）に示す。同図に
おいて、５はアルミ電極としての接続金属部４の下敷き
になり、アルミの半導体基板１への侵入を防止するため
のバリアメタル部であり、その材質は、例えばチタンナ
イトライドである。また、チタンを半導体基板１側に形
成し、さらに重ねてチタンナイトライドを形成したもの
でもよい。また、半導体基板１、絶縁層２、接続金属部
４、金属層６は、図１（ｅ）に示すものと同じものであ
る。

【００２６】次に、この実施例２の半導体装置の製造方
法を図１に基づいて説明する。まず、半導体基板１上に
バリアメタル層９を堆積し、さらにその上に重ねて接続
金属部用金属層８を堆積する（図１（ａ））。次に、接
続金属部用金属層８の上にレジストを堆積し、写真製版
技術により、半導体基板１と金属層６とを接続すべき所
定の部分のみレジストを残す（レジスト３）。その後、
エッチングを行って、接続金属部用金属層８及びバリア
メタル層９をその部分のみ残し、接続金属部４及びバリ
アメタル部５を形成する（図１（ｂ））。

【００２７】次に、レジスト３を取り去った後、絶縁層
２を堆積させる（図１（ｃ））。次に、エッチングによ
り、接続金属部４の表面が露出するまで、絶縁層２を除
去するとともに平坦化を行う（図１（ｄ））。次に、絶
縁層２及び接続金属部４に重ねて金属層６を堆積させる
（図１（ｅ））。これにより、半導体基板１と金属層６
とは、接続金属部４により所定の部分が電気的に接続さ
れる。

【００２８】以上のように、この実施例２によれば、バ
リアメタル部５の上に接続金属部４を重ねてから絶縁層
２を形成するので、アスペクト比が高い場合でも、隙間
なく一様・均一に形成された接続金属部４を得ることが
できて、半導体装置の信頼性が向上するとともに、歩留
まりも改善できる。さらに、バリアメタル部５を設ける
ことにより、接続部におけるリーク特性を良くできる。

【００２９】なお、図２は半導体基板１と金属層６とを
接続する場合を示しているが、半導体基板１に代えて金
属層が形成されていて、この金属層と金属層６とを接続
する場合（すなわち金属配線層同士の接続の場合）でも
同様に適用できる。

【００３０】実施例３．なお、上記実施例１及び実施例
２において、接続金属部４の側面に密着層を形成するよ
うにしてもよい。この実施例３による半導体装置の断面
構造を図４（ｇ）に示す。同図において、７ａ、７ｂは
接続金属部４が半導体基板１及び絶縁層２から取れにく
くするための密着層である。また、半導体基板１、絶縁
層２、接続金属部４、バリアメタル部５、金属層６は、
図２（ｅ）に示すものと同じもの、あるいは相当するも
のである。

【００３１】次に、この実施例３の半導体装置の製造方
法を図３及び図４に基づいて説明する。まず、半導体基
板１上にバリアメタル層９を堆積し、さらにその上に重
ねてタングステン等の接続金属部用金属層８を堆積する
（図３（ａ））。次に、接続金属部用金属層８の上にレ
ジストを堆積し、写真製版技術により、半導体基板１と
金属層６とを接続すべき所定の部分のみレジストを残す
（レジスト３）。その後、エッチングを行って、接続金
属部用金属層８及びバリアメタル層９をその部分のみ残
し、接続金属部４及びバリアメタル部５を形成する（図
３（ｂ））。

【００３２】次に、レジスト３を取り去った後、半導体
基板１及び接続金属４の上にチタンナイトライド等の密
着層形成層１０を形成する（図３（ｃ））。次に、異方
性ドライエッチングにより、接続金属部４の側面に密着
している部分の除き、密着層形成層１０を除去してサイ
ドウォール状の密着層７ａ、７ｂを形成し、接続金属部
４のパターンエッジを密着層７ａ、７ｂにより枠付けを
行う（図３（ｄ））。

【００３３】次に、絶縁層２を堆積する（図４
（ｅ））。次に、エッチングにより、接続金属部４の表
面が露出するまで、絶縁層２を除去するとともに平坦化
を行う（図４（ｆ））。次に、絶縁層２及び接続金属部
４に重ねてアルミ等の金属層６を堆積させる（図４
（ｇ））。これにより、半導体基板１と金属層６とは、
接続金属部４により所定の部分が電気的に接続される。
さらに、図４（ｇ）の構造によれば、密着層７ａ、７ｂ
が絶縁層２と接続金属部４との間に形成されているの
で、接続金属部４は絶縁層２に密着して取れにくくな
る。

【００３４】以上のように、この実施例３によれば、バ
リアメタル部５の上に接続金属部４を形成してから絶縁
層２を形成するとともに、接続金属部４のパターンエッ
ジに密着層７ａ、７ｂが設けられているので、アスペク
ト比が高い場合でも、隙間なく一様・均一に金属が形成
された接続金属部４を得ることができ、さらに、接続金
属部４と絶縁層２とが密着して取れにくくなる。したが
って、製造工程における歩留まりがさらに向上するとと
もに、半導体装置の信頼性が向上する。このことは、接
続金属部４に絶縁層２との密着特性のよくないタングス
テンを用いる場合に、特に有効である。

【００３５】なお、図３及び図４は半導体基板１と金属
層６とを接続する場合を示しているが、半導体基板１に
代えて金属層が形成されていて、この金属層と金属層６
とを接続する場合（すなわち金属配線層同士の接続の場
合）でも同様に適用できるのは、言うまでもない。

【００３６】

【発明の効果】以上のように、請求項１の発明によれ
ば、半導体装置の第１の層に重ねて金属層を形成する第
１の工程と、上記第１の層と上記第２の層とを接続する
部分を除き上記金属層を除去して接続部を形成する第２
の工程と、上記第１の層及び上記接続部に重ねて絶縁層
を形成する第３の工程と、上記絶縁層をエッチングして
上記接続部を露出させる第４の工程と、上記絶縁層及び
上記接続部に重ねて上記第２の層を形成する第５の工程
とを備えたので、接続部のアスペクト比が高い場合で
も、隙間なく一様に形成された接続部を得ることができ
て、半導体装置の信頼性が向上するとともに、歩留まり
も改善できる。

【００３７】また、請求項２の発明によれば、半導体装
置の第１の層に重ねてバリアメタル層を形成する第１の
工程と、上記バリアメタル層に重ねて金属層を形成する
第２の工程と、上記第１の層と上記第２の層とを接続す
る部分を除き上記バリアメタル層及び上記金属層を除去
して接続部を形成する第３の工程と、上記第１の層及び
上記接続部に重ねて絶縁層を形成する第４の工程と、上
記絶縁層をエッチングして上記接続部を露出させる第５
の工程と、上記絶縁層及び上記接続部に重ねて上記第２
の層を形成する第６の工程とを備えたので、接続部のア
スペクト比が高い場合でも、隙間なく一様に形成された
接続部を得ることができて、半導体装置の信頼性が向上
するとともに、歩留まりも改善できる。さらに、接続部
におけるリーク特性を良くできる。

【００３８】また、請求項３の発明によれば、半導体装
置の第１の層に重ねて金属層を形成する第１の工程と、
上記第１の層と上記第２の層とを接続する部分を除き上
記金属層を除去して接続部を形成する第２の工程と、上
記第１の層及び上記接続部に重ねて側壁形成層を形成す
る第３の工程と、異方性エッチングにより上記接続部の
側面の以外の部分の上記側壁形成層を除去して側壁を形
成する第４の工程と、上記第１の層、上記接続部及び上
記側壁に重ねて絶縁層を形成する第５の工程と、上記絶
縁層をエッチングして上記接続部を露出させる第６の工
程と、上記絶縁層及び上記接続部に重ねて上記第２の層
を形成する第７の工程とを備えたので、接続部のアスペ
クト比が高い場合でも、隙間なく一様に形成された接続
部を得ることができ、さらに、接続部と絶縁層とが密着
して取れにくくなるので、製造工程における歩留まりが
さらに向上するとともに、半導体装置の信頼性が向上す
る。

【００３９】また、請求項４の発明によれば、半導体装
置の内部回路を構成する第１の層及び第２の層と、上記
第１の層と上記第２の層とを絶縁する絶縁層と、隙間な
く一様に形成されてなり、上記第１の層と上記第２の層
とを接続する接続部とを備えたので、接続部の抵抗が小
さくなり半導体装置の高速動作が可能になる。

【００４０】また、請求項５の発明によれば、半導体装
置の内部回路を構成する第１の層及び第２の層と、上記
第１の層上に形成されたバリアメタル層と、上記バリア
メタル層上に形成されて上記第１の層と上記第２の層と
を絶縁する絶縁層と、隙間なく一様に形成されてなり、
上記第１の層と上記第２の層とを接続する接続部とを備
えたので、接続部の抵抗が小さくなり半導体装置の高速
動作が可能になるとともに、接続部におけるリーク特性
が改善する。

【００４１】また、請求項６の発明によれば、半導体装
置の内部回路を構成する第１の層及び第２の層と、上記
第１の層と上記第２の層とを絶縁する絶縁層と、隙間な
く一様に形成されてなり、上記第１の層と上記第２の層
とを接続する接続部と、上記接続部の側面に形成された
側壁とを備えたので、接続部の抵抗が小さくなり半導体
装置の高速動作が可能になるとともに、接続部と絶縁層
とが密着して取れにくい信頼性の高い半導体装置が得ら
れる。

【図面の簡単な説明】

【図１】この発明の実施例１に係る半導体装置の製造方
法を示す図である。

【図２】この発明の実施例２に係る半導体装置の製造方
法を示す図である。

【図３】この発明の実施例３に係る半導体装置の製造方
法を示す図である。

【図４】この発明の実施例３に係る半導体装置の製造方
法を示す図である。

【図５】従来の半導体装置の製造方法を示す図である。

【図６】従来の半導体装置の断面図である。

【符号の説明】

１ 半導体基板 ２ 絶縁層 ３ レジスト ４ 接続金属部 ５ バリアメタル部 ６ 金属層 ７ 密着層 ８ 接続金属部用金属層 ９ バリアメタル層 １０ 密着層形成層

Claims (6)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 半導体装置の内部の第１の層と第２の層
   とを接続する接続部を形成する工程を含む半導体装置の
   製造方法において、 半導体装置の第１の層に重ねて金属層を形成する第１の
   工程と、上記第１の層と上記第２の層とを接続する部分
   を除き上記金属層を除去して接続部を形成する第２の工
   程と、上記第１の層及び上記接続部に重ねて絶縁層を形
   成する第３の工程と、上記絶縁層をエッチングして上記
   接続部を露出させる第４の工程と、上記絶縁層及び上記
   接続部に重ねて上記第２の層を形成する第５の工程とを
   備えることを特徴とする半導体装置の製造方法。
2. 【請求項２】 半導体装置の内部の第１の層と第２の層
   とを接続する接続部を形成する工程を含む半導体装置の
   製造方法において、 半導体装置の第１の層に重ねてバリアメタル層を形成す
   る第１の工程と、上記バリアメタル層に重ねて金属層を
   形成する第２の工程と、上記第１の層と上記第２の層と
   を接続する部分を除き上記バリアメタル層及び上記金属
   層を除去して接続部を形成する第３の工程と、上記第１
   の層及び上記接続部に重ねて絶縁層を形成する第４の工
   程と、上記絶縁層をエッチングして上記接続部を露出さ
   せる第５の工程と、上記絶縁層及び上記接続部に重ねて
   上記第２の層を形成する第６の工程とを備えることを特
   徴とする半導体装置の製造方法。
3. 【請求項３】 半導体装置の内部の第１の層と第２の層
   とを接続する接続部を形成する工程を含む半導体装置の
   製造方法において、 半導体装置の第１の層に重ねて金属層を形成する第１の
   工程と、上記第１の層と上記第２の層とを接続する部分
   を除き上記金属層を除去して接続部を形成する第２の工
   程と、上記第１の層及び上記接続部に重ねて側壁形成層
   を形成する第３の工程と、異方性エッチングにより上記
   接続部の側面の以外の部分の上記側壁形成層を除去して
   側壁を形成する第４の工程と、上記第１の層、上記接続
   部及び上記側壁に重ねて絶縁層を形成する第５の工程
   と、上記絶縁層をエッチングして上記接続部を露出させ
   る第６の工程と、上記絶縁層及び上記接続部に重ねて上
   記第２の層を形成する第７の工程とを備えることを特徴
   とする半導体装置の製造方法。
4. 【請求項４】 半導体装置の内部回路を構成する第１の
   層及び第２の層と、上記第１の層と上記第２の層とを絶
   縁する絶縁層と、隙間なく一様に形成されてなり、上記
   第１の層と上記第２の層とを接続する接続部とを備えた
   半導体装置。
5. 【請求項５】 半導体装置の内部回路を構成する第１の
   層及び第２の層と、上記第１の層上に形成されたバリア
   メタル層と、上記バリアメタル層上に形成されて上記第
   １の層と上記第２の層とを絶縁する絶縁層と、隙間なく
   一様に形成されてなり、上記第１の層と上記第２の層と
   を接続する接続部とを備えた半導体装置。
6. 【請求項６】 半導体装置の内部回路を構成する第１の
   層及び第２の層と、上記第１の層と上記第２の層とを絶
   縁する絶縁層と、隙間なく一様に形成されてなり、上記
   第１の層と上記第２の層とを接続する接続部と、上記接
   続部の側面に形成された側壁とを備えた半導体装置。