JPH0725640A - カバーガラス - Google Patents
カバーガラスInfo
- Publication number
- JPH0725640A JPH0725640A JP5194210A JP19421093A JPH0725640A JP H0725640 A JPH0725640 A JP H0725640A JP 5194210 A JP5194210 A JP 5194210A JP 19421093 A JP19421093 A JP 19421093A JP H0725640 A JPH0725640 A JP H0725640A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- cover glass
- synthetic quartz
- glass
- raw material
- ccd
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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- Glass Compositions (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】α線量が極めて少ないＣＣＤ用及びＥＰＲＯＭ
用カバーガラス。 【構成】放出されるα線量が０．０１カウント／ｃｍ2
・ｈｒ以下であることを特徴とする合成石英ガラスを用
いたカバーガラス。
用カバーガラス。 【構成】放出されるα線量が０．０１カウント／ｃｍ2
・ｈｒ以下であることを特徴とする合成石英ガラスを用
いたカバーガラス。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、イメージセンサーやラ
インセンサー用のＣＣＤ及びＥＰＲＯＭ等ののカバーガ
ラスに関する。
インセンサー用のＣＣＤ及びＥＰＲＯＭ等ののカバーガ
ラスに関する。
【０００２】
【従来の技術】一般に、イメージセンサーやラインセン
サー用のＣＣＤ及びＥＰＲＯＭ等のカバーガラスとして
可視域の透過率が高く、耐候性の比較的良いホウケイ酸
系ガラス等が使用される。これらのガラスは一般に珪砂
等の天然鉱物を原料に用い、耐熱煉瓦製の溶解炉で製造
される。
サー用のＣＣＤ及びＥＰＲＯＭ等のカバーガラスとして
可視域の透過率が高く、耐候性の比較的良いホウケイ酸
系ガラス等が使用される。これらのガラスは一般に珪砂
等の天然鉱物を原料に用い、耐熱煉瓦製の溶解炉で製造
される。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】従来のイメージセンサ
ーやラインセンサー用のＣＣＤ及びＥＰＲＯＭ等のカバ
ーガラスは、原料である珪砂等の天然鉱物や耐熱煉瓦か
らの不純物としてＵ、Ｔｈ等の放射性物質を含んでい
る。そのためＣＣＤが小サイズ化、高集積化したり、Ｅ
ＰＲＯＭが高集積化するにつれて、放射性物質がα崩壊
するときに放出するα線によってＣＣＤ及びＥＰＲＯＭ
にノイズが発生するという問題が顕在化してきた。また
放射性物質の混入を極力最小限にするために、白金の溶
解炉で製造することも提案されているが、原料に天然鉱
物を用いている点で十分ではない。
ーやラインセンサー用のＣＣＤ及びＥＰＲＯＭ等のカバ
ーガラスは、原料である珪砂等の天然鉱物や耐熱煉瓦か
らの不純物としてＵ、Ｔｈ等の放射性物質を含んでい
る。そのためＣＣＤが小サイズ化、高集積化したり、Ｅ
ＰＲＯＭが高集積化するにつれて、放射性物質がα崩壊
するときに放出するα線によってＣＣＤ及びＥＰＲＯＭ
にノイズが発生するという問題が顕在化してきた。また
放射性物質の混入を極力最小限にするために、白金の溶
解炉で製造することも提案されているが、原料に天然鉱
物を用いている点で十分ではない。
【０００４】
【課題を解決するための手段】本発明は前述の課題を解
決すべくなされたものであり、放出されるα線量が０．
０１カウント／ｃｍ2 ・ｈｒ以下であることを特徴とす
る合成石英ガラスを用いたカバーガラスを提供する。
決すべくなされたものであり、放出されるα線量が０．
０１カウント／ｃｍ2 ・ｈｒ以下であることを特徴とす
る合成石英ガラスを用いたカバーガラスを提供する。
【０００５】本発明において、ＣＣＤ及びＥＰＲＯＭに
ノイズを発生させないために、合成石英ガラスからなる
カバーガラスから放出されるα線量は０．０１カウント
／ｃｍ2 ・ｈｒである。そのために合成石英中に不純物
として含まれる放射性物質は１０ｐｐｂ以下にすること
が好ましく、製法としてはＳｉＣｌ4 を原料として合成
する方法とシリコンアルコキシド（Ｓｉ（ＯＲ）4 、Ｒ
＝アルキル基）を原料として合成する方法が考えられ
る。
ノイズを発生させないために、合成石英ガラスからなる
カバーガラスから放出されるα線量は０．０１カウント
／ｃｍ2 ・ｈｒである。そのために合成石英中に不純物
として含まれる放射性物質は１０ｐｐｂ以下にすること
が好ましく、製法としてはＳｉＣｌ4 を原料として合成
する方法とシリコンアルコキシド（Ｓｉ（ＯＲ）4 、Ｒ
＝アルキル基）を原料として合成する方法が考えられ
る。
【０００６】
［実施例１］ＳｉＣｌ4 を原料として、火炎加水分解反
応により多孔質母材を合成し、多孔質母材を加熱・焼結
してガラス化して合成石英ガラスを作成した。この合成
石英ガラスのα線量を低レベルα線測定装置（住化分析
センター製ＬＡＣＳ−４０００）により測定し、放射性
物質（Ｕ、Ｔｈ）の含有量をＩＣＰ−ＭＡＳ法により分
析した。その結果を表１に示す。
応により多孔質母材を合成し、多孔質母材を加熱・焼結
してガラス化して合成石英ガラスを作成した。この合成
石英ガラスのα線量を低レベルα線測定装置（住化分析
センター製ＬＡＣＳ−４０００）により測定し、放射性
物質（Ｕ、Ｔｈ）の含有量をＩＣＰ−ＭＡＳ法により分
析した。その結果を表１に示す。
【０００７】［実施例２］エチルシリケート（Ｓｉ（Ｏ
ＣＨ3 ）4 ）とエチルアルコールを原料として加水分解
反応・脱水縮合により多孔質ゲルを合成し、この多孔質
ゲルを加熱・焼結して合成石英を作成した。この合成石
英のα線量を実施例１と同様に測定し、放射性物質
（Ｕ、Ｔｈ）の含有量を実施例１と同様に分析した。そ
の結果を表１に示す。
ＣＨ3 ）4 ）とエチルアルコールを原料として加水分解
反応・脱水縮合により多孔質ゲルを合成し、この多孔質
ゲルを加熱・焼結して合成石英を作成した。この合成石
英のα線量を実施例１と同様に測定し、放射性物質
（Ｕ、Ｔｈ）の含有量を実施例１と同様に分析した。そ
の結果を表１に示す。
【０００８】［比較例］天然鉱物を原料として耐熱煉瓦
製の溶解炉で溶解・成形した従来のＣＣＤ用カバーガラ
スについても同様の測定を行った。その結果も比較例
１、２として表１に示す。
製の溶解炉で溶解・成形した従来のＣＣＤ用カバーガラ
スについても同様の測定を行った。その結果も比較例
１、２として表１に示す。
【０００９】
【表１】
【００１０】
【発明の効果】本発明は、従来のＣＣＤ用カバーガラス
やＥＰＲＯＭ用カバーガラスに比べて極めて少ないα線
量を示し、また従来のそれらカバーガラスを凌ぐ耐候性
も有する。
やＥＰＲＯＭ用カバーガラスに比べて極めて少ないα線
量を示し、また従来のそれらカバーガラスを凌ぐ耐候性
も有する。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 八田 剛太郎 千葉県船橋市行田１−50−１ 岩城硝子株 式会社内 (72)発明者 酒本 修 千葉県船橋市行田１−50−１ 岩城硝子株 式会社内
Claims (2)
- 【請求項１】放出されるα線量が０．０１カウント／ｃ
ｍ2 ・ｈｒ以下であることを特徴とする合成石英ガラス
を用いたカバーガラス。 - 【請求項２】合成石英ガラスに不純物として含まれる
Ｕ、Ｔｈ等の放射性物質の含有量が１０ｐｐｂ以下であ
ることを特徴とする請求項１記載のカバーガラス。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5194210A JPH0725640A (ja) | 1993-07-09 | 1993-07-09 | カバーガラス |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5194210A JPH0725640A (ja) | 1993-07-09 | 1993-07-09 | カバーガラス |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0725640A true JPH0725640A (ja) | 1995-01-27 |
Family
ID=16320786
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5194210A Pending JPH0725640A (ja) | 1993-07-09 | 1993-07-09 | カバーガラス |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0725640A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7026542B2 (en) | 2001-12-13 | 2006-04-11 | Asahi Glass Company, Limited | Cover glass for a solar battery, a method for producing the cover glass and a solar battery module using the cover glass |
| JP2019127494A (ja) * | 2018-01-19 | 2019-08-01 | 信越化学工業株式会社 | 石英ガラス繊維含有プリプレグ、石英ガラス繊維含有フィルム及び石英ガラス繊維含有基板 |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6148422A (ja) * | 1984-08-17 | 1986-03-10 | Nippon Chem Ind Co Ltd:The | 高純度シリカ及びその製法 |
| JPS6212608A (ja) * | 1985-07-11 | 1987-01-21 | Nippon Chem Ind Co Ltd:The | 高純度シリカ及びその製造方法 |
| JPH01173639A (ja) * | 1987-12-26 | 1989-07-10 | Sony Corp | 固体撮像装置 |
-
1993
- 1993-07-09 JP JP5194210A patent/JPH0725640A/ja active Pending
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6148422A (ja) * | 1984-08-17 | 1986-03-10 | Nippon Chem Ind Co Ltd:The | 高純度シリカ及びその製法 |
| JPS6212608A (ja) * | 1985-07-11 | 1987-01-21 | Nippon Chem Ind Co Ltd:The | 高純度シリカ及びその製造方法 |
| JPH01173639A (ja) * | 1987-12-26 | 1989-07-10 | Sony Corp | 固体撮像装置 |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7026542B2 (en) | 2001-12-13 | 2006-04-11 | Asahi Glass Company, Limited | Cover glass for a solar battery, a method for producing the cover glass and a solar battery module using the cover glass |
| JP2019127494A (ja) * | 2018-01-19 | 2019-08-01 | 信越化学工業株式会社 | 石英ガラス繊維含有プリプレグ、石英ガラス繊維含有フィルム及び石英ガラス繊維含有基板 |
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