JPH07250209A - 半導体レーザアレイを用いた光記録装置 - Google Patents
半導体レーザアレイを用いた光記録装置Info
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- JPH07250209A JPH07250209A JP6042441A JP4244194A JPH07250209A JP H07250209 A JPH07250209 A JP H07250209A JP 6042441 A JP6042441 A JP 6042441A JP 4244194 A JP4244194 A JP 4244194A JP H07250209 A JPH07250209 A JP H07250209A
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- reflecting surface
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Abstract
(57)【要約】
【目的】半導体レーザアレイを傾けずに記録面上の走査
ピッチを変更でき、低コストで高速記録が可能で且つ画
像品質の良い光記録装置を提供する。 【構成】本発明の光記録装置は、少なくとも２つのレー
ザ光出力部を有する半導体レーザアレイ光源ＬＤＡと、
上記レーザ光出力部からの光束により表示あるいは記録
される表示材料あるいは感光体材料よりなる記録面と、
上記レーザ光出力部からの光束を上記記録面に導き記録
面上を走査する光学手段とを備え、上記半導体レーザア
レイＬＤＡの接合面を主走査方向と垂直に配置し、レー
ザ光出力部近傍に走査方向と垂直な面（副走査方向）内
で光路Ｂ1，Ｂ2を変更する反射面Ｒ1，Ｒ1'，Ｒ2，Ｒ2'
を発光点１個に対し２面設ける。 【効果】半導体レーザアレイの２つのレーザ光出力部か
ら射出された光束のピッチを上記反射面の配置により任
意に変更でき、記録面上の走査ピッチを変更することが
できる。
ピッチを変更でき、低コストで高速記録が可能で且つ画
像品質の良い光記録装置を提供する。 【構成】本発明の光記録装置は、少なくとも２つのレー
ザ光出力部を有する半導体レーザアレイ光源ＬＤＡと、
上記レーザ光出力部からの光束により表示あるいは記録
される表示材料あるいは感光体材料よりなる記録面と、
上記レーザ光出力部からの光束を上記記録面に導き記録
面上を走査する光学手段とを備え、上記半導体レーザア
レイＬＤＡの接合面を主走査方向と垂直に配置し、レー
ザ光出力部近傍に走査方向と垂直な面（副走査方向）内
で光路Ｂ1，Ｂ2を変更する反射面Ｒ1，Ｒ1'，Ｒ2，Ｒ2'
を発光点１個に対し２面設ける。 【効果】半導体レーザアレイの２つのレーザ光出力部か
ら射出された光束のピッチを上記反射面の配置により任
意に変更でき、記録面上の走査ピッチを変更することが
できる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、レーザプリンタ、レー
ザファクシミリ、レーザ製版機、デジタル複写機等の光
書き込み部に応用される、半導体レーザアレイを用いた
光記録装置に関する。
ザファクシミリ、レーザ製版機、デジタル複写機等の光
書き込み部に応用される、半導体レーザアレイを用いた
光記録装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体レーザアレイを用いた光記録装置
としては、例えば特公昭６０−３３０１９号公報に記載
されたもの等がある。上記公報では、半導体レーザアレ
イ光源を傾けることにより、記録面上の走査ピッチを変
更することが開示されている。通常、構成する光学系の
倍率だけでは走査ピッチを任意に変更するためには限界
があるため、アレイ光源を傾けることが知られている
が、その傾きは、アレイ光源の接合面を走査方向（主走
査方向）の面に対しわずかに傾けるため、半導体レーザ
の発散角（接合面に垂直：θ⊥、接合面に平行：θ//）
も当然ながら１ビーム光源に対しほぼ９０°の方向で異
なり、コリメートされたビームは主走査方向に細く、副
走査方向に太いビームとなる。そのため、記録面内で適
正なビームスポット径と光量の２つを同時に確保するた
め、ビームコンプレッサ等のビーム整形用の光学系が必
要となってくる。したがって、光学部品も増加すること
になり、光学部品を配置するためのスペースも確保しな
ければならず、安価でコンパクトな光学系構成にはでき
ないという欠点があった。また、上記公報では本文中
に、半導体レーザアレイの接合面を傾けたため、シリン
ダレンズを傾けて取り付ける必要があると記載されてい
るが、シリンダレンズを傾けて取り付ける場合、シリン
ダレンズの取付精度が画質へ影響することが考えられ
る。
としては、例えば特公昭６０−３３０１９号公報に記載
されたもの等がある。上記公報では、半導体レーザアレ
イ光源を傾けることにより、記録面上の走査ピッチを変
更することが開示されている。通常、構成する光学系の
倍率だけでは走査ピッチを任意に変更するためには限界
があるため、アレイ光源を傾けることが知られている
が、その傾きは、アレイ光源の接合面を走査方向（主走
査方向）の面に対しわずかに傾けるため、半導体レーザ
の発散角（接合面に垂直：θ⊥、接合面に平行：θ//）
も当然ながら１ビーム光源に対しほぼ９０°の方向で異
なり、コリメートされたビームは主走査方向に細く、副
走査方向に太いビームとなる。そのため、記録面内で適
正なビームスポット径と光量の２つを同時に確保するた
め、ビームコンプレッサ等のビーム整形用の光学系が必
要となってくる。したがって、光学部品も増加すること
になり、光学部品を配置するためのスペースも確保しな
ければならず、安価でコンパクトな光学系構成にはでき
ないという欠点があった。また、上記公報では本文中
に、半導体レーザアレイの接合面を傾けたため、シリン
ダレンズを傾けて取り付ける必要があると記載されてい
るが、シリンダレンズを傾けて取り付ける場合、シリン
ダレンズの取付精度が画質へ影響することが考えられ
る。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】本発明は上記事情に鑑
みてなされたものであって、その目的とするところは、 半導体レーザアレイの接合面を傾けること無しに、発
光部の見かけのピッチを変更する、 半導体レーザアレイの発光部のピッチを変更する部材
のコンパクト化を図る、 半導体レーザアレイの発光部のピッチを変更する部材
の加工性を向上する、 半導体レーザアレイの発光部のピッチを変更する部材
の組立性を向上する、 半導体レーザアレイの発光部のピッチを変更する部材
の位置精度を向上する、 上記ピッチの調整を半導体レーザアレイを傾けること
無しに行う、 上記ピッチの調整を半導体レーザアレイを傾けずに行
い、コンパクト性を向上する、 半導体レーザアレイからの光束を有効に反射し、記録
面上の光量を確保する、の各課題を解決し、低コストで
高速記録が可能で且つ画像品質の良い、半導体レーザア
レイを用いた光記録装置を提供することである。
みてなされたものであって、その目的とするところは、 半導体レーザアレイの接合面を傾けること無しに、発
光部の見かけのピッチを変更する、 半導体レーザアレイの発光部のピッチを変更する部材
のコンパクト化を図る、 半導体レーザアレイの発光部のピッチを変更する部材
の加工性を向上する、 半導体レーザアレイの発光部のピッチを変更する部材
の組立性を向上する、 半導体レーザアレイの発光部のピッチを変更する部材
の位置精度を向上する、 上記ピッチの調整を半導体レーザアレイを傾けること
無しに行う、 上記ピッチの調整を半導体レーザアレイを傾けずに行
い、コンパクト性を向上する、 半導体レーザアレイからの光束を有効に反射し、記録
面上の光量を確保する、の各課題を解決し、低コストで
高速記録が可能で且つ画像品質の良い、半導体レーザア
レイを用いた光記録装置を提供することである。
【０００４】
【課題を解決するための手段】上記の課題を解決する
ため、請求項１の光記録装置は、少なくとも２つのレー
ザ光出力部を有する半導体レーザアレイ光源と、上記レ
ーザ光出力部からの光束により表示あるいは記録される
表示材料あるいは感光体材料よりなる記録面と、上記レ
ーザ光出力部からの光束を上記記録面に導き上記記録面
上を走査する光学手段とを備え、上記半導体レーザアレ
イの接合面を走査方向と垂直に配置し、レーザ光出力部
近傍に走査方向と垂直な面（副走査方向）内で光路を変
更する反射面を発光点１個に対し２面設けたことを特徴
としている。
ため、請求項１の光記録装置は、少なくとも２つのレー
ザ光出力部を有する半導体レーザアレイ光源と、上記レ
ーザ光出力部からの光束により表示あるいは記録される
表示材料あるいは感光体材料よりなる記録面と、上記レ
ーザ光出力部からの光束を上記記録面に導き上記記録面
上を走査する光学手段とを備え、上記半導体レーザアレ
イの接合面を走査方向と垂直に配置し、レーザ光出力部
近傍に走査方向と垂直な面（副走査方向）内で光路を変
更する反射面を発光点１個に対し２面設けたことを特徴
としている。
【０００５】上記の課題を解決するため、請求項２の
光記録装置は、上記反射面のうち、発光部後の第１反射
を行う面を構成する部材が、隣接する発光部からの光束
を各々独立に反射する２反射面からなることを特徴とし
ている。
光記録装置は、上記反射面のうち、発光部後の第１反射
を行う面を構成する部材が、隣接する発光部からの光束
を各々独立に反射する２反射面からなることを特徴とし
ている。
【０００６】上記の課題を解決するため、請求項３の
光記録装置は、上記反射面のうち、発光部後の第２反射
を行う面を構成する部材が、隣接する発光部のほぼ中央
に配置され、その隣接する発光部からの光束を各々独立
に反射する２反射面からなることを特徴としている。
光記録装置は、上記反射面のうち、発光部後の第２反射
を行う面を構成する部材が、隣接する発光部のほぼ中央
に配置され、その隣接する発光部からの光束を各々独立
に反射する２反射面からなることを特徴としている。
【０００７】上記の課題を解決するため、請求項４の
光記録装置は、上記反射面を有する部材のうち、第１の
反射面を有する部材が同一の基板上に配置され、上記半
導体レーザアレイの発光点間隔より大きめに配列されて
いることを特徴としている。
光記録装置は、上記反射面を有する部材のうち、第１の
反射面を有する部材が同一の基板上に配置され、上記半
導体レーザアレイの発光点間隔より大きめに配列されて
いることを特徴としている。
【０００８】上記の課題を解決するため、請求項５の
光記録装置は、上記反射面を有する部材のうち、第１の
反射面を有する部材あるいは第２の反射面を有する部材
が、上記半導体レーザアレイと同一の部材からなり、半
導体レーザアレイと一体化加工されていることを特徴と
している。
光記録装置は、上記反射面を有する部材のうち、第１の
反射面を有する部材あるいは第２の反射面を有する部材
が、上記半導体レーザアレイと同一の部材からなり、半
導体レーザアレイと一体化加工されていることを特徴と
している。
【０００９】上記の課題を解決するため、請求項６の
光記録装置は、上記反射面を有する部材のうち、第１の
反射面を有する部材あるいは第２の反射面を有する部材
の何れか一方が同一の基板上に配置され、その基板が半
導体レーザアレイの射出光束の光軸方向に移動可能であ
ることを特徴としている。
光記録装置は、上記反射面を有する部材のうち、第１の
反射面を有する部材あるいは第２の反射面を有する部材
の何れか一方が同一の基板上に配置され、その基板が半
導体レーザアレイの射出光束の光軸方向に移動可能であ
ることを特徴としている。
【００１０】上記の課題を解決するため、請求項７の
光記録装置は、上記反射面を有する部材のうち、第１の
反射面を有する部材あるいは第２の反射面を有する部材
の何れか一方が同一の基板上に配置され、その基板が半
導体レーザアレイの射出光束の光軸回りに回転可能であ
ることを特徴としている。
光記録装置は、上記反射面を有する部材のうち、第１の
反射面を有する部材あるいは第２の反射面を有する部材
の何れか一方が同一の基板上に配置され、その基板が半
導体レーザアレイの射出光束の光軸回りに回転可能であ
ることを特徴としている。
【００１１】上記の課題を解決するため、請求項８の
光記録装置は、上記反射面が半導体レーザアレイの接合
面と垂直方向に長い反射面となっていることを特徴とし
ている。
光記録装置は、上記反射面が半導体レーザアレイの接合
面と垂直方向に長い反射面となっていることを特徴とし
ている。
【００１２】
【作用】本発明の半導体レーザアレイを用いた光記録装
置では、半導体レーザアレイ光源の少なくとも２つのレ
ーザ光出力部からの光束を偏向器を用いた光走査光学系
等の光学手段により表示材料あるいは感光体材料よりな
る記録面に導き上記記録面上を走査して表示あるいは記
録が行われる。このような光記録装置において、本発明
では、上記半導体レーザアレイの接合面を走査方向と垂
直に配置し、レーザ光出力部近傍に走査方向と垂直な面
（副走査方向）内で光路を変更する反射面を発光点１個
に対し２面設けたことにより、半導体レーザアレイ光源
の２つのレーザ光出力部から射出された光束のピッチを
上記反射面の配置により任意に変更でき、半導体レーザ
アレイを傾けずに記録面上の２つのスポット間のピッチ
（走査ピッチ）を変更することが可能となる。これによ
り、半導体レーザアレイの配置を通常の半導体レーザの
配置と同じにできるため、ビーム整形用の光学部品を新
たに設ける必要がなく、従来のような光学系の部品点数
の増加が不要となる。
置では、半導体レーザアレイ光源の少なくとも２つのレ
ーザ光出力部からの光束を偏向器を用いた光走査光学系
等の光学手段により表示材料あるいは感光体材料よりな
る記録面に導き上記記録面上を走査して表示あるいは記
録が行われる。このような光記録装置において、本発明
では、上記半導体レーザアレイの接合面を走査方向と垂
直に配置し、レーザ光出力部近傍に走査方向と垂直な面
（副走査方向）内で光路を変更する反射面を発光点１個
に対し２面設けたことにより、半導体レーザアレイ光源
の２つのレーザ光出力部から射出された光束のピッチを
上記反射面の配置により任意に変更でき、半導体レーザ
アレイを傾けずに記録面上の２つのスポット間のピッチ
（走査ピッチ）を変更することが可能となる。これによ
り、半導体レーザアレイの配置を通常の半導体レーザの
配置と同じにできるため、ビーム整形用の光学部品を新
たに設ける必要がなく、従来のような光学系の部品点数
の増加が不要となる。
【００１３】
【実施例】以下、本発明の構成・動作及び作用について
図面を参照して詳細に説明する。本発明では、少なくと
も２つのレーザ光出力部を有する半導体レーザアレイ
(以下、レーザダイオードアレイ（ＬＤＡ）と呼ぶ）の
接合面を主走査方向に対し垂直に配置することを特徴と
する。図１は本発明に用いるレーザダイオードアレイ
（ＬＤＡ）の１例を示している。この例では、２つの発
光部が距離Ｌを置いて配列されており、各発光部からヘ
テロダイン接合面１と直交する方向を長軸とする楕円ビ
ームＢ1，Ｂ2が出射する。これら楕円ビームＢ1，Ｂ2の
発散角は、長軸方向（ヘテロダイン接合面に垂直な方向
の発散角：θ⊥）がエネルギー半値で３０°幅程度であ
り、短軸方向（ヘテロダイン接合面に平行な方向の発散
角：θ//）がエネルギー半値で１０°幅程度である。ま
た、発光部間の距離Ｌは、０．１ｍｍ程度が限界とされ
ている。
図面を参照して詳細に説明する。本発明では、少なくと
も２つのレーザ光出力部を有する半導体レーザアレイ
(以下、レーザダイオードアレイ（ＬＤＡ）と呼ぶ）の
接合面を主走査方向に対し垂直に配置することを特徴と
する。図１は本発明に用いるレーザダイオードアレイ
（ＬＤＡ）の１例を示している。この例では、２つの発
光部が距離Ｌを置いて配列されており、各発光部からヘ
テロダイン接合面１と直交する方向を長軸とする楕円ビ
ームＢ1，Ｂ2が出射する。これら楕円ビームＢ1，Ｂ2の
発散角は、長軸方向（ヘテロダイン接合面に垂直な方向
の発散角：θ⊥）がエネルギー半値で３０°幅程度であ
り、短軸方向（ヘテロダイン接合面に平行な方向の発散
角：θ//）がエネルギー半値で１０°幅程度である。ま
た、発光部間の距離Ｌは、０．１ｍｍ程度が限界とされ
ている。
【００１４】図２はレーザダイオードアレイ（ＬＤＡ）
から放射された２つの光束（以下、ビームと記す）を、
それぞれスポットSP1，SP2として被走査面（表示材料あ
るいは感光体材料よりなる記録面）上に結像させた状態
を説明図として示している。この場合、２ビームをポリ
ゴンミラー等の偏向器を用いた光走査光学系により同時
に偏向させることにより、スポットSP1 によりラインｌ
1 を、また、スポットSP2 によりラインｌ2 を同時に走
査できる。上述の如く、レーザダイオードアレイ（ＬＤ
Ａ）における発光部の間隔Ｌは０．１ｍｍ程度が限度で
それ以上に小さくできず、この間隔Ｌを直接に上記ライ
ンｌ1，ｌ2の間隔Ｐs に対応させると、間隔Ｐs が大き
すぎるので、従来は図３に示すように、レーザダイオー
ドアレイ（ＬＤＡ）のヘテロダイン接合面１の方向を主
走査方向に対して微小角θだけ傾け、図３のＰLSを図２
のライン間隔Ｐs と対応させることが行われている（前
記公報及び特開昭５６−６９６１１号公報等）。このた
め、図３のＬ・cosθ に対応して、スポットSP1，SP2間
は主走査方向（図２の左右方向）にＰM だけずれること
になり、従来のレーザダイオードアレイ（ＬＤＡ）を傾
ける方法では、記録時にこのずれを補正しなければなら
なくなる。
から放射された２つの光束（以下、ビームと記す）を、
それぞれスポットSP1，SP2として被走査面（表示材料あ
るいは感光体材料よりなる記録面）上に結像させた状態
を説明図として示している。この場合、２ビームをポリ
ゴンミラー等の偏向器を用いた光走査光学系により同時
に偏向させることにより、スポットSP1 によりラインｌ
1 を、また、スポットSP2 によりラインｌ2 を同時に走
査できる。上述の如く、レーザダイオードアレイ（ＬＤ
Ａ）における発光部の間隔Ｌは０．１ｍｍ程度が限度で
それ以上に小さくできず、この間隔Ｌを直接に上記ライ
ンｌ1，ｌ2の間隔Ｐs に対応させると、間隔Ｐs が大き
すぎるので、従来は図３に示すように、レーザダイオー
ドアレイ（ＬＤＡ）のヘテロダイン接合面１の方向を主
走査方向に対して微小角θだけ傾け、図３のＰLSを図２
のライン間隔Ｐs と対応させることが行われている（前
記公報及び特開昭５６−６９６１１号公報等）。このた
め、図３のＬ・cosθ に対応して、スポットSP1，SP2間
は主走査方向（図２の左右方向）にＰM だけずれること
になり、従来のレーザダイオードアレイ（ＬＤＡ）を傾
ける方法では、記録時にこのずれを補正しなければなら
なくなる。
【００１５】図４は光記録装置に用いられる光走査光学
系の一例を簡略化して示している。図４の上側の図は、
発光源１０から、被走査面（記録面）８に至る光路を同
一平面上に展開した状態を表わすが、この図で上下方向
は、被走査面８上では主走査方向に対応している。そこ
で、この図で上下方向を簡単に主走査方向と表わすこと
にする。この図はまた、ポリゴンミラー等の偏向器の偏
向反射面４により偏向されるビームが掃引する面、すな
わち「偏向面」におけるビームの状態を示している。一
方、図４の下側の図は、上記光路に沿って同一平面上に
展開した状態を示すが、この図の表わされている平面
は、光路を含み、上記偏向面に直交する面である。この
面を、簡単に「偏向面に直交する面」と言う。この偏向
面に直交する面でのビームの状態を表わす図４下側の図
において、上下方向は副走査方向に対応するので、以
下、この方向を簡単に副走査方向と呼ぶ。図４におい
て、発光源１０からの発散性のビームはコリメート部１
１により平行光束化され、シリンドリカルレンズ１２に
より偏向面に直交する面内で、主走査方向に平行な線像
として、偏向反射面４の近傍に結像する。結像レンズ１
３は球面系のレンズで、１４はアナモフィックなレンズ
で副走査方向にのみ屈折力を有するものであり、主走査
方向では、平行光束を１３のレンズにより被走査面８上
に集光し、副走査方向に関しては、１３と１４のレンズ
により偏向反射面４と被走査面８とを幾何光学的に略共
役関係にするものである。したがって、ビームは被走査
面８上にスポット状に結像する。
系の一例を簡略化して示している。図４の上側の図は、
発光源１０から、被走査面（記録面）８に至る光路を同
一平面上に展開した状態を表わすが、この図で上下方向
は、被走査面８上では主走査方向に対応している。そこ
で、この図で上下方向を簡単に主走査方向と表わすこと
にする。この図はまた、ポリゴンミラー等の偏向器の偏
向反射面４により偏向されるビームが掃引する面、すな
わち「偏向面」におけるビームの状態を示している。一
方、図４の下側の図は、上記光路に沿って同一平面上に
展開した状態を示すが、この図の表わされている平面
は、光路を含み、上記偏向面に直交する面である。この
面を、簡単に「偏向面に直交する面」と言う。この偏向
面に直交する面でのビームの状態を表わす図４下側の図
において、上下方向は副走査方向に対応するので、以
下、この方向を簡単に副走査方向と呼ぶ。図４におい
て、発光源１０からの発散性のビームはコリメート部１
１により平行光束化され、シリンドリカルレンズ１２に
より偏向面に直交する面内で、主走査方向に平行な線像
として、偏向反射面４の近傍に結像する。結像レンズ１
３は球面系のレンズで、１４はアナモフィックなレンズ
で副走査方向にのみ屈折力を有するものであり、主走査
方向では、平行光束を１３のレンズにより被走査面８上
に集光し、副走査方向に関しては、１３と１４のレンズ
により偏向反射面４と被走査面８とを幾何光学的に略共
役関係にするものである。したがって、ビームは被走査
面８上にスポット状に結像する。
【００１６】さて、図４に示す如き光走査光学系の発光
源として、図１に示すようなレーザダイオードアレイ
（ＬＤＡ）を用いると、前述のようにレーザダイオード
アレイ（ＬＤＡ）から放射されるビームの発散角は、ヘ
テロダイン接合面１に直交する方向で大きい。したがっ
て、これらビームをコリメート部でコリメートすると、
平行光束化された各ビームの光束径はコリメート部の
Ｎ．Ａ．が非常に小さく無い限り、ヘテロダイン接合面
に直交する方向において大きくなる。また、レーザダイ
オードアレイを、そのヘテロダイン接合面が主走査方向
に所定角だけ傾けて使用する場合にも、傾け角は微小で
あるので、結局、コリメートされた各ビームは主走査方
向に細く、副走査方向に太いビームとなる。ただしこの
場合には、ビームの楕円形状の短軸及び長軸が主・副走
査方向に対して傾いたものとなる。このため、図４の光
走査光学系で、かかるビームを被走査面８上に結像させ
ると、結像スポットの形状は、図２に示すスポットS
P1，SP2のような、副走査方向に若干長い良好な形状と
はならず、若干歪んだものとなる。また、前述したよう
にスポットSP1，SP2の被走査面上での位置もＰM だけず
れたものとなる。したがって、図４に示すような光走査
光学系においては、レーザダイオードアレイの接合面を
傾けて走査ピッチに合わせる方法では問題がある。
源として、図１に示すようなレーザダイオードアレイ
（ＬＤＡ）を用いると、前述のようにレーザダイオード
アレイ（ＬＤＡ）から放射されるビームの発散角は、ヘ
テロダイン接合面１に直交する方向で大きい。したがっ
て、これらビームをコリメート部でコリメートすると、
平行光束化された各ビームの光束径はコリメート部の
Ｎ．Ａ．が非常に小さく無い限り、ヘテロダイン接合面
に直交する方向において大きくなる。また、レーザダイ
オードアレイを、そのヘテロダイン接合面が主走査方向
に所定角だけ傾けて使用する場合にも、傾け角は微小で
あるので、結局、コリメートされた各ビームは主走査方
向に細く、副走査方向に太いビームとなる。ただしこの
場合には、ビームの楕円形状の短軸及び長軸が主・副走
査方向に対して傾いたものとなる。このため、図４の光
走査光学系で、かかるビームを被走査面８上に結像させ
ると、結像スポットの形状は、図２に示すスポットS
P1，SP2のような、副走査方向に若干長い良好な形状と
はならず、若干歪んだものとなる。また、前述したよう
にスポットSP1，SP2の被走査面上での位置もＰM だけず
れたものとなる。したがって、図４に示すような光走査
光学系においては、レーザダイオードアレイの接合面を
傾けて走査ピッチに合わせる方法では問題がある。
【００１７】本発明はこれらの問題を解決する手段を提
供するものであり、レーザダイオードアレイの接合面を
傾けること無しに、発光部の見かけのピッチを変更する
ことのできる手段を提供するものである。すなわち、本
発明では、レーザダイオードアレイの接合面を主走査方
向と垂直に配置し、発光部の見かけのピッチを変更する
手段（後述する）を設け、ビームの楕円形状の長軸及び
短軸を主・副走査方向に一致させることにより、ビーム
形状を通常の光学系により調整可能とし、スポットを良
好な形状に整形することを可能としたものである。ま
た、レーザダイオードアレイの接合面を走査方向と垂直
に配置したことにより、被走査面上での２つのスポット
の主走査方向での位置ずれの問題も解消される。
供するものであり、レーザダイオードアレイの接合面を
傾けること無しに、発光部の見かけのピッチを変更する
ことのできる手段を提供するものである。すなわち、本
発明では、レーザダイオードアレイの接合面を主走査方
向と垂直に配置し、発光部の見かけのピッチを変更する
手段（後述する）を設け、ビームの楕円形状の長軸及び
短軸を主・副走査方向に一致させることにより、ビーム
形状を通常の光学系により調整可能とし、スポットを良
好な形状に整形することを可能としたものである。ま
た、レーザダイオードアレイの接合面を走査方向と垂直
に配置したことにより、被走査面上での２つのスポット
の主走査方向での位置ずれの問題も解消される。
【００１８】本発明の光記録装置における光学系として
は、図４に示すような従来から用いられている発光部が
一つの場合の光走査光学系と同様のものを用い、さらに
光源１０にレーザダイオードアレイ（ＬＤＡ）を用い、
複数の光束により高速走査を可能にするものである。そ
こでまず、副走査方向における被走査面８上のスポット
間ピッチＰssより、レーザダイオードアレイ（ＬＤＡ）
の接合面を主走査方向と垂直に配置（副走査方向と平行
に配置）した場合に必要とされる光源部の発光点間のピ
ッチＰLSを求める。画素密度をσ（ｄｐｉ（dots／inc
h）：１inch＝２５．４ｍｍ）とし、副走査方向におけ
るポリゴンミラー等の偏向反射面４上のピッチをＰpsと
すると、ポリゴンミラーの偏向反射面４と被走査面８と
の共役横倍率βsより、 Ｐss＝２５．４／σ (ｍｍ) ・・・(1) Ｐps＝Ｐss／|βs| ＝(２５．４／σ)／｜βs｜ (ｍｍ) ・・・（２） となり、さらに、シリンドリカルレンズ１２の焦点距離
をｆＣＹ、コリメートレンズ１１の焦点距離をｆCOL と
すると、 ＰLS／ｆCOL＝Ｐps／ｆCY ・・・(3) が成り立つため、(2)，(3)式より、光源部の発光点間の
ピッチＰLSは、 ＰLS＝Ｐps・(ｆCOL／ｆCY) ＝(２５．４／σ)・(ｆCOL／ｆCY)／|βs| (ｍｍ) ・・・(4) となる。
は、図４に示すような従来から用いられている発光部が
一つの場合の光走査光学系と同様のものを用い、さらに
光源１０にレーザダイオードアレイ（ＬＤＡ）を用い、
複数の光束により高速走査を可能にするものである。そ
こでまず、副走査方向における被走査面８上のスポット
間ピッチＰssより、レーザダイオードアレイ（ＬＤＡ）
の接合面を主走査方向と垂直に配置（副走査方向と平行
に配置）した場合に必要とされる光源部の発光点間のピ
ッチＰLSを求める。画素密度をσ（ｄｐｉ（dots／inc
h）：１inch＝２５．４ｍｍ）とし、副走査方向におけ
るポリゴンミラー等の偏向反射面４上のピッチをＰpsと
すると、ポリゴンミラーの偏向反射面４と被走査面８と
の共役横倍率βsより、 Ｐss＝２５．４／σ (ｍｍ) ・・・(1) Ｐps＝Ｐss／|βs| ＝(２５．４／σ)／｜βs｜ (ｍｍ) ・・・（２） となり、さらに、シリンドリカルレンズ１２の焦点距離
をｆＣＹ、コリメートレンズ１１の焦点距離をｆCOL と
すると、 ＰLS／ｆCOL＝Ｐps／ｆCY ・・・(3) が成り立つため、(2)，(3)式より、光源部の発光点間の
ピッチＰLSは、 ＰLS＝Ｐps・(ｆCOL／ｆCY) ＝(２５．４／σ)・(ｆCOL／ｆCY)／|βs| (ｍｍ) ・・・(4) となる。
【００１９】次に、ビームスポット径について説明す
る。コリメート部１１を出射した光束はアパーチャ（図
４の１１と１２の間に配置される）によりその大きさを
規制されるが、アパーチャの大きさを主走査方向で２Ｗ
AM、副走査方向で２ＷASとし、被走査面８上のビームス
ポット径を主走査方向で２ＷSM、副走査方向で２ＷSSと
し、ポリゴンミラー等の偏向器の偏向反射面４近傍の副
走査方向におけるビームウェスト径を２ＷPSとすると、 ＷSS＝ＷPS・|βs| ・・・(5) ＷPS＝Ｋ・(λ・ｆCY／ＷAS) ・・・(6) となる。よって、 ＷSS＝Ｋ・(λ・ｆCY／ＷAS)・|βs| ・・・(7) で与えられる。ここで、λはレーザ光の波長、Ｋは定数
であり、ガウシャンビームであれば、 Ｋ＝１／π ・・・(8) で与えられる。
る。コリメート部１１を出射した光束はアパーチャ（図
４の１１と１２の間に配置される）によりその大きさを
規制されるが、アパーチャの大きさを主走査方向で２Ｗ
AM、副走査方向で２ＷASとし、被走査面８上のビームス
ポット径を主走査方向で２ＷSM、副走査方向で２ＷSSと
し、ポリゴンミラー等の偏向器の偏向反射面４近傍の副
走査方向におけるビームウェスト径を２ＷPSとすると、 ＷSS＝ＷPS・|βs| ・・・(5) ＷPS＝Ｋ・(λ・ｆCY／ＷAS) ・・・(6) となる。よって、 ＷSS＝Ｋ・(λ・ｆCY／ＷAS)・|βs| ・・・(7) で与えられる。ここで、λはレーザ光の波長、Ｋは定数
であり、ガウシャンビームであれば、 Ｋ＝１／π ・・・(8) で与えられる。
【００２０】ここで、レーザダイオードアレイ（ＬＤ
Ａ）の接合面を主走査方向と垂直に配置（副走査方向と
平行に配置）した場合、コリメート部出射光束の大きさ
２ＷCSは、 ２ＷCS＝２ｆCOL・sin(α・(θ//)／２) ・・・(9) と表わすことができる。ここで、α＝√２／√(ln２)、
θ//はヘテロダイン接合面に平行な方向の発散角でエネ
ルギー半値の全角である。前述のように、θ//は１０°
程度であるため、θ//＝１０°とすれば、 sin(α・(θ//)／２)≒０．１５ ・・・(10) であり、したがって、一般的なコリメートレンズのＮ．
Ａ．は０．３程度であるため、 sin(α・(θ//)／２)＜Ｎ．Ａ． ・・・(11) となり、上記アパーチャの大きさは、 ２ＷAS≦２ＷCS ・・・(12) となる。この時、 ２ＷAS＝２ＷCS ・・・(13) の場合が最も光利用効率が高くなる。
Ａ）の接合面を主走査方向と垂直に配置（副走査方向と
平行に配置）した場合、コリメート部出射光束の大きさ
２ＷCSは、 ２ＷCS＝２ｆCOL・sin(α・(θ//)／２) ・・・(9) と表わすことができる。ここで、α＝√２／√(ln２)、
θ//はヘテロダイン接合面に平行な方向の発散角でエネ
ルギー半値の全角である。前述のように、θ//は１０°
程度であるため、θ//＝１０°とすれば、 sin(α・(θ//)／２)≒０．１５ ・・・(10) であり、したがって、一般的なコリメートレンズのＮ．
Ａ．は０．３程度であるため、 sin(α・(θ//)／２)＜Ｎ．Ａ． ・・・(11) となり、上記アパーチャの大きさは、 ２ＷAS≦２ＷCS ・・・(12) となる。この時、 ２ＷAS＝２ＷCS ・・・(13) の場合が最も光利用効率が高くなる。
【００２１】さて、本発明では、レーザダイオードアレ
イ（ＬＤＡ）の接合面を主走査方向と垂直に配置（副走
査方向と平行に配置）し、このとき必要とされる上記光
源部の発光点間ピッチＰLSを得るため、レーザダイオー
ドアレイ（ＬＤＡ）のレーザ光出力部近傍に、主走査方
向と垂直な面（副走査方向）内で光路を変更する反射面
を発光点１個に対し２面設ける（請求項１）。例えば、
図５の実施例に示すような反射面Ｒ1，Ｒ2及びＲ1'，Ｒ
2'を用いることにより、発光点ピッチＰLSを可変にする
ことができる。すなわち、レーザダイオードアレイ（Ｌ
ＤＡ）が出射する光束Ｂ1，Ｂ2に対し、図５に示すよう
に、それぞれ反射面Ｒ1，Ｒ2及びＲ1'，Ｒ2'を設けて見
かけ上の発光点間距離ＬをＰLSに変更する。これにより
レーザダイオードアレイ（ＬＤＡ）を傾けずに被走査面
（記録面）８上の２つのスポット間のピッチ（走査ピッ
チ）を変更することができる。また、この場合、ビーム
の楕円形状の長軸及び短軸が主・副走査方向に一致して
いるため、スポット径を上記アパーチャや通常のシリン
ドリカルレンズ等の光学系により調整可能となり、スポ
ットを良好な形状に整形することができる。また、レー
ザダイオードアレイの接合面を走査方向と垂直に配置し
たことにより、被走査面上での２つのスポットの主走査
方向での位置ずれが無くなる。
イ（ＬＤＡ）の接合面を主走査方向と垂直に配置（副走
査方向と平行に配置）し、このとき必要とされる上記光
源部の発光点間ピッチＰLSを得るため、レーザダイオー
ドアレイ（ＬＤＡ）のレーザ光出力部近傍に、主走査方
向と垂直な面（副走査方向）内で光路を変更する反射面
を発光点１個に対し２面設ける（請求項１）。例えば、
図５の実施例に示すような反射面Ｒ1，Ｒ2及びＲ1'，Ｒ
2'を用いることにより、発光点ピッチＰLSを可変にする
ことができる。すなわち、レーザダイオードアレイ（Ｌ
ＤＡ）が出射する光束Ｂ1，Ｂ2に対し、図５に示すよう
に、それぞれ反射面Ｒ1，Ｒ2及びＲ1'，Ｒ2'を設けて見
かけ上の発光点間距離ＬをＰLSに変更する。これにより
レーザダイオードアレイ（ＬＤＡ）を傾けずに被走査面
（記録面）８上の２つのスポット間のピッチ（走査ピッ
チ）を変更することができる。また、この場合、ビーム
の楕円形状の長軸及び短軸が主・副走査方向に一致して
いるため、スポット径を上記アパーチャや通常のシリン
ドリカルレンズ等の光学系により調整可能となり、スポ
ットを良好な形状に整形することができる。また、レー
ザダイオードアレイの接合面を走査方向と垂直に配置し
たことにより、被走査面上での２つのスポットの主走査
方向での位置ずれが無くなる。
【００２２】次に、図６は本発明の別の実施例を示す図
であって、上記反射面のうち、発光部後の第１反射を行
う面Ｒ1，Ｒ1' を構成する部材が、隣接する発光部から
の光束を各々独立に反射する２反射面からなることを特
徴とするものである（請求項２）。すなわち、本実施例
では、図６に示すように、発光部後の第１反射を行う面
Ｒ1，Ｒ1' を一つの基板１５に配置することにより、反
射面Ｒ1，Ｒ1' を同時に加工可能としたものである。ま
た、図５において、上記反射面のうち、発光部後の第２
反射を行う面を構成する部材は、隣接する発光部のほぼ
中央に配置され、その隣接する発光部からの光束を各々
独立に反射する２反射面Ｒ2，Ｒ2' からなっている（請
求項３）。すなわち、図５に示すように、反射面Ｒ2，
Ｒ2' を有する部材を隣接する発光点のほぼ中央に配置
することにより、２つの発光点からの光束を独立に反射
可能とする。
であって、上記反射面のうち、発光部後の第１反射を行
う面Ｒ1，Ｒ1' を構成する部材が、隣接する発光部から
の光束を各々独立に反射する２反射面からなることを特
徴とするものである（請求項２）。すなわち、本実施例
では、図６に示すように、発光部後の第１反射を行う面
Ｒ1，Ｒ1' を一つの基板１５に配置することにより、反
射面Ｒ1，Ｒ1' を同時に加工可能としたものである。ま
た、図５において、上記反射面のうち、発光部後の第２
反射を行う面を構成する部材は、隣接する発光部のほぼ
中央に配置され、その隣接する発光部からの光束を各々
独立に反射する２反射面Ｒ2，Ｒ2' からなっている（請
求項３）。すなわち、図５に示すように、反射面Ｒ2，
Ｒ2' を有する部材を隣接する発光点のほぼ中央に配置
することにより、２つの発光点からの光束を独立に反射
可能とする。
【００２３】さらに、上記反射面を有する部材のうち、
第１の反射面Ｒ1，Ｒ1' を有する部材は同一の基板上に
配置され、レーザダイオードアレイ（ＬＤＡ）の発光点
間隔より大きめに配列されている（請求項４）。すなわ
ち、図５、図６に示すように第１の反射面Ｒ1，Ｒ1' を
レーザダイオードアレイ（ＬＤＡ）の発光点間隔より大
きめに配置することにより、各光束をケラレ無く反射す
ることができる。また、上記反射面を有する部材のう
ち、第１の反射面Ｒ1，Ｒ1' を有する部材あるいは第２
の反射面Ｒ2，Ｒ2' を有する部材を、レーザダイオード
アレイ（ＬＤＡ）と同一の部材で構成し、レーザダイオ
ードアレイ（ＬＤＡ）と一体化加工することができる
（請求項５）。すなわち、図６に示すように反射面
Ｒ2，Ｒ2'が基板１６と、反射面Ｒ1，Ｒ1' が基板１５
と同一部材からなり、且つレーザダイオードアレイ（Ｌ
ＤＡ）と一体加工することにより、精度良く加工するこ
とができる。尚、一体加工については、フォトエッチン
グ等の処理を用いる。
第１の反射面Ｒ1，Ｒ1' を有する部材は同一の基板上に
配置され、レーザダイオードアレイ（ＬＤＡ）の発光点
間隔より大きめに配列されている（請求項４）。すなわ
ち、図５、図６に示すように第１の反射面Ｒ1，Ｒ1' を
レーザダイオードアレイ（ＬＤＡ）の発光点間隔より大
きめに配置することにより、各光束をケラレ無く反射す
ることができる。また、上記反射面を有する部材のう
ち、第１の反射面Ｒ1，Ｒ1' を有する部材あるいは第２
の反射面Ｒ2，Ｒ2' を有する部材を、レーザダイオード
アレイ（ＬＤＡ）と同一の部材で構成し、レーザダイオ
ードアレイ（ＬＤＡ）と一体化加工することができる
（請求項５）。すなわち、図６に示すように反射面
Ｒ2，Ｒ2'が基板１６と、反射面Ｒ1，Ｒ1' が基板１５
と同一部材からなり、且つレーザダイオードアレイ（Ｌ
ＤＡ）と一体加工することにより、精度良く加工するこ
とができる。尚、一体加工については、フォトエッチン
グ等の処理を用いる。
【００２４】次に図７は本発明のさらに別の実施例を示
す図であって、上記反射面を有する部材のうち、第１の
反射面Ｒ1，Ｒ1' を有する部材あるいは第２の反射面Ｒ
2 ，Ｒ2'を有する部材の何れか一方が同一の基板上に配
置され、その基板がレーザダイオードアレイ（ＬＤＡ）
の射出光束Ｂ1，Ｂ22の光軸方向に移動可能としたもの
である（請求項６）。すなわち、図７のように第１の反
射面Ｒ1，Ｒ1' を有する部材を図６に示したような同一
の基板１５上に配置し、その基板をレーザダイオードア
レイ（ＬＤＡ）の射出光束Ｂ1，Ｂ2の光軸方向に移動す
ることにより、見かけ上の発光点間ピッチＰLSをＰLS’
に変更可能となる。このとき、第１の反射面Ｒ1，Ｒ1'
の移動量をｘとすると（ｘはＬＤＡ側を＋、ＬＤＡと反
対側が−となる）、 ＰLS’＝ＰLS＋２ｘ ・・・(14) となる。また、図７では第１の反射面Ｒ1，Ｒ1' を移動
させたが、図６に示すような第２の反射面Ｒ2，Ｒ2' を
有する基板１６を移動させても同様の効果が得られる。
このように、同一基板上に第１の反射面Ｒ1，Ｒ1' ある
いは第２の反射面Ｒ2 ，Ｒ2' が配置されている場合、
光軸方向への移動が容易で且つ精度良く行うことがで
き、容易に発光点間ピッチの調整を行うことができる。
す図であって、上記反射面を有する部材のうち、第１の
反射面Ｒ1，Ｒ1' を有する部材あるいは第２の反射面Ｒ
2 ，Ｒ2'を有する部材の何れか一方が同一の基板上に配
置され、その基板がレーザダイオードアレイ（ＬＤＡ）
の射出光束Ｂ1，Ｂ22の光軸方向に移動可能としたもの
である（請求項６）。すなわち、図７のように第１の反
射面Ｒ1，Ｒ1' を有する部材を図６に示したような同一
の基板１５上に配置し、その基板をレーザダイオードア
レイ（ＬＤＡ）の射出光束Ｂ1，Ｂ2の光軸方向に移動す
ることにより、見かけ上の発光点間ピッチＰLSをＰLS’
に変更可能となる。このとき、第１の反射面Ｒ1，Ｒ1'
の移動量をｘとすると（ｘはＬＤＡ側を＋、ＬＤＡと反
対側が−となる）、 ＰLS’＝ＰLS＋２ｘ ・・・(14) となる。また、図７では第１の反射面Ｒ1，Ｒ1' を移動
させたが、図６に示すような第２の反射面Ｒ2，Ｒ2' を
有する基板１６を移動させても同様の効果が得られる。
このように、同一基板上に第１の反射面Ｒ1，Ｒ1' ある
いは第２の反射面Ｒ2 ，Ｒ2' が配置されている場合、
光軸方向への移動が容易で且つ精度良く行うことがで
き、容易に発光点間ピッチの調整を行うことができる。
【００２５】次に図８は本発明のさらに別の実施例を示
す図であって、上記反射面を有する部材のうち、第１の
反射面Ｒ1，Ｒ1' を有する部材あるいは第２の反射面Ｒ
2 ，Ｒ2'を有する部材の何れか一方を同一の基板上に配
置し、その基板をレーザダイオードアレイ（ＬＤＡ）の
射出光束Ｂ1，Ｂ2の光軸回りに回転可能に設けた例であ
る（請求項７）。図７の実施例では第１の反射面Ｒ1，
Ｒ1' あるいは第２の反射面Ｒ2 ，Ｒ2'の何れか一方を
光軸方向に移動したが、例えば図８の実施例では、第２
の反射面Ｒ2 ，Ｒ2'をレーザダイオードアレイ（ＬＤ
Ａ）の射出光束Ｂ1，Ｂ2 の光軸回りに回転することで
見かけ上の発光点間ピッチＰLSをＰLS''に変更でき、主
走査断面(主走査方向の断面)ではΔの間隔にビームを移
動することが可能となる。
す図であって、上記反射面を有する部材のうち、第１の
反射面Ｒ1，Ｒ1' を有する部材あるいは第２の反射面Ｒ
2 ，Ｒ2'を有する部材の何れか一方を同一の基板上に配
置し、その基板をレーザダイオードアレイ（ＬＤＡ）の
射出光束Ｂ1，Ｂ2の光軸回りに回転可能に設けた例であ
る（請求項７）。図７の実施例では第１の反射面Ｒ1，
Ｒ1' あるいは第２の反射面Ｒ2 ，Ｒ2'の何れか一方を
光軸方向に移動したが、例えば図８の実施例では、第２
の反射面Ｒ2 ，Ｒ2'をレーザダイオードアレイ（ＬＤ
Ａ）の射出光束Ｂ1，Ｂ2 の光軸回りに回転することで
見かけ上の発光点間ピッチＰLSをＰLS''に変更でき、主
走査断面(主走査方向の断面)ではΔの間隔にビームを移
動することが可能となる。
【００２６】次に図９は本発明のさらに別の実施例を示
す図であって、上記反射面をレーザダイオードアレイ
（ＬＤＡ）の接合面と垂直方向に長い反射面としたもの
である（請求項８）。すなわち、レーザダイオードアレ
イ（ＬＤＡ）はヘテロダイン接合面に対し垂直方向に発
散角が大きいため、そちらの方向の反射面を長くするこ
とで光束のケラレを低減し、効果的に反射することがで
き、光利用効率を向上することができる。尚、本発明で
はヘテロダイン接合面を主走査方向と垂直に配置してい
るため、主走査方向のビーム幅が大きくなっており、こ
のため、図９の実施例では、各反射面Ｒ1，Ｒ1'，Ｒ2，
Ｒ2'を主走査方向に長い反射面としている。
す図であって、上記反射面をレーザダイオードアレイ
（ＬＤＡ）の接合面と垂直方向に長い反射面としたもの
である（請求項８）。すなわち、レーザダイオードアレ
イ（ＬＤＡ）はヘテロダイン接合面に対し垂直方向に発
散角が大きいため、そちらの方向の反射面を長くするこ
とで光束のケラレを低減し、効果的に反射することがで
き、光利用効率を向上することができる。尚、本発明で
はヘテロダイン接合面を主走査方向と垂直に配置してい
るため、主走査方向のビーム幅が大きくなっており、こ
のため、図９の実施例では、各反射面Ｒ1，Ｒ1'，Ｒ2，
Ｒ2'を主走査方向に長い反射面としている。
【００２７】
【発明の効果】以上説明したように、請求項１の光記録
装置では、半導体レーザアレイ（レーザダイオードアレ
イ）の接合面を走査方向と垂直に配置し、レーザ光出力
部近傍に走査方向と垂直な面（副走査方向）内で光路を
変更する反射面を発光点１個に対し２面設けることによ
り、半導体レーザアレイの２つのレーザ光出力部から射
出された光束のピッチを上記反射面の配置により任意に
変更でき、半導体レーザアレイを傾けずに記録面上の２
つのスポット間のピッチ（走査ピッチ）を変更すること
ができる。これにより、半導体レーザアレイの配置を通
常の半導体レーザの配置と同じにできるため、ビーム整
形用の特別な光学部品を新たに設ける必要がなく、従来
技術のような光学系の部品点数の増加が不要となる。し
たがって、本発明によれば、低コストで高速記録が可能
で且つ画像品質の良い光記録装置が実現できる。
装置では、半導体レーザアレイ（レーザダイオードアレ
イ）の接合面を走査方向と垂直に配置し、レーザ光出力
部近傍に走査方向と垂直な面（副走査方向）内で光路を
変更する反射面を発光点１個に対し２面設けることによ
り、半導体レーザアレイの２つのレーザ光出力部から射
出された光束のピッチを上記反射面の配置により任意に
変更でき、半導体レーザアレイを傾けずに記録面上の２
つのスポット間のピッチ（走査ピッチ）を変更すること
ができる。これにより、半導体レーザアレイの配置を通
常の半導体レーザの配置と同じにできるため、ビーム整
形用の特別な光学部品を新たに設ける必要がなく、従来
技術のような光学系の部品点数の増加が不要となる。し
たがって、本発明によれば、低コストで高速記録が可能
で且つ画像品質の良い光記録装置が実現できる。
【００２８】請求項２の光記録装置では、上記反射面の
うち、発光部後の第１反射を行う面を構成する部材が、
隣接する発光部からの光束を各々独立に反射する２反射
面からなることにより、反射面２面を同時に加工するこ
とができるため、加工性が向上すると共にコンパクトな
構成とすることができる。
うち、発光部後の第１反射を行う面を構成する部材が、
隣接する発光部からの光束を各々独立に反射する２反射
面からなることにより、反射面２面を同時に加工するこ
とができるため、加工性が向上すると共にコンパクトな
構成とすることができる。
【００２９】請求項３の光記録装置では、上記反射面の
うち、発光部後の第２反射を行う面を構成する部材が、
隣接する発光部のほぼ中央に配置され、その隣接する発
光部からの光束を各々独立に反射する２反射面からなる
ことにより、反射面２面を同時に加工することができ、
且つ小型化が可能となり、半導体レーザアレイの光束を
ケラずに配置することができる。
うち、発光部後の第２反射を行う面を構成する部材が、
隣接する発光部のほぼ中央に配置され、その隣接する発
光部からの光束を各々独立に反射する２反射面からなる
ことにより、反射面２面を同時に加工することができ、
且つ小型化が可能となり、半導体レーザアレイの光束を
ケラずに配置することができる。
【００３０】請求項４の光記録装置では、上記反射面を
有する部材のうち、第１の反射面を有する部材が同一の
基板上に配置されているため、装置の小型化及び組立性
が向上し、且つ第１の反射面が半導体レーザアレイの発
光点間隔より大きめに配列されていることにより、半導
体レーザアレイからの光束を効率良く反射することがで
きる。
有する部材のうち、第１の反射面を有する部材が同一の
基板上に配置されているため、装置の小型化及び組立性
が向上し、且つ第１の反射面が半導体レーザアレイの発
光点間隔より大きめに配列されていることにより、半導
体レーザアレイからの光束を効率良く反射することがで
きる。
【００３１】請求項５の光記録装置では、上記反射面を
有する部材のうち、第１の反射面を有する部材あるいは
第２の反射面を有する部材が、上記半導体レーザアレイ
と同一の部材からなり、半導体レーザアレイと一体化加
工されていることにより、装置の小型化及び組立性が向
上し、且つ取付精度の向上、部品点数の削減を図ること
ができる。
有する部材のうち、第１の反射面を有する部材あるいは
第２の反射面を有する部材が、上記半導体レーザアレイ
と同一の部材からなり、半導体レーザアレイと一体化加
工されていることにより、装置の小型化及び組立性が向
上し、且つ取付精度の向上、部品点数の削減を図ること
ができる。
【００３２】請求項６の光記録装置では、上記反射面を
有する部材のうち、第１の反射面を有する部材あるいは
第２の反射面を有する部材の何れか一方が同一の基板上
に配置され、その基板が半導体レーザアレイの射出光束
の光軸方向に移動可能であることにより、半導体レーザ
アレイを傾けることなく半導体レーザアレイの見かけの
発光点間ピッチを容易に変更できるため、記録面上のス
ポット間ピッチの変更を光量ロスなく行うことができ
る。
有する部材のうち、第１の反射面を有する部材あるいは
第２の反射面を有する部材の何れか一方が同一の基板上
に配置され、その基板が半導体レーザアレイの射出光束
の光軸方向に移動可能であることにより、半導体レーザ
アレイを傾けることなく半導体レーザアレイの見かけの
発光点間ピッチを容易に変更できるため、記録面上のス
ポット間ピッチの変更を光量ロスなく行うことができ
る。
【００３３】請求項７の光記録装置では、上記反射面を
有する部材のうち、第１の反射面を有する部材あるいは
第２の反射面を有する部材の何れか一方が同一の基板上
に配置され、その基板が半導体レーザアレイの射出光束
の光軸回りに回転可能であることにより、半導体レーザ
アレイを傾けることなく半導体レーザアレイの見かけの
発光点間ピッチを容易に変更できるため、光学系部品を
増加しなくとも、記録面上のスポット間ピッチ及びビー
ムスポット径と光量が適正に得られる。
有する部材のうち、第１の反射面を有する部材あるいは
第２の反射面を有する部材の何れか一方が同一の基板上
に配置され、その基板が半導体レーザアレイの射出光束
の光軸回りに回転可能であることにより、半導体レーザ
アレイを傾けることなく半導体レーザアレイの見かけの
発光点間ピッチを容易に変更できるため、光学系部品を
増加しなくとも、記録面上のスポット間ピッチ及びビー
ムスポット径と光量が適正に得られる。
【００３４】請求項８の光記録装置では、上記反射面が
半導体レーザアレイの接合面と垂直方向に長い反射面と
なっていることにより、半導体レーザアレイの射出光束
の発散角方向と反射面の大きさが対応できるため、効率
良く反射ができ、記録面上の光量を確保することができ
る。
半導体レーザアレイの接合面と垂直方向に長い反射面と
なっていることにより、半導体レーザアレイの射出光束
の発散角方向と反射面の大きさが対応できるため、効率
良く反射ができ、記録面上の光量を確保することができ
る。
【図１】本発明の光記録装置に用いられる半導体レーザ
アレイの一例を示す斜視図である。
アレイの一例を示す斜視図である。
【図２】図１に示す半導体レーザアレイからの出射光束
をスポットとして記録面上に結像させた状態の一例を示
す説明図である。
をスポットとして記録面上に結像させた状態の一例を示
す説明図である。
【図３】従来のスポット間ピッチを半導体レーザアレイ
を傾けることにより調整する方法の説明図である。
を傾けることにより調整する方法の説明図である。
【図４】本発明の光記録装置に用いられる光走査光学系
（光学手段）の構成例を簡略化して示した図である。
（光学手段）の構成例を簡略化して示した図である。
【図５】本発明の一実施例を示す光記録装置の光源部
（半導体レーザアレイ及び反射面）の説明図である。
（半導体レーザアレイ及び反射面）の説明図である。
【図６】本発明の別の実施例を示す光記録装置の光源部
（半導体レーザアレイ及び反射面）の説明図である。
（半導体レーザアレイ及び反射面）の説明図である。
【図７】本発明のさらに別の実施例を示す光記録装置の
光源部（半導体レーザアレイ及び反射面）の説明図であ
る。
光源部（半導体レーザアレイ及び反射面）の説明図であ
る。
【図８】本発明のさらに別の実施例を示す光記録装置の
光源部（半導体レーザアレイ及び反射面）の説明図であ
る。
光源部（半導体レーザアレイ及び反射面）の説明図であ
る。
【図９】本発明のさらに別の実施例を示す光記録装置の
光源部（半導体レーザアレイ及び反射面）の説明図であ
る。
光源部（半導体レーザアレイ及び反射面）の説明図であ
る。
１：ヘテロダイン接合面 ４：偏向器の偏向反射面 ８：記録面（被走査面） １０：発光源 １１：コリメート部 １２：シリンドリカルレンズ １３，１４：結像レンズ １５：第１の反射面を有する部材が配置される基板 １６：第２の反射面を有する部材が配置される基板 Ｂ1 ，Ｂ2 ：半導体レーザアレイの射出光束（光路） ＬＤＡ：半導体レーザアレイ（レーザダイオードアレ
イ） Ｌ：半導体レーザアレイの発光部の間隔 ＰLS：発光点間ピッチ Ｒ1 ，Ｒ1'：第１の反射面 Ｒ2 ，Ｒ2'：第２の反射面
イ） Ｌ：半導体レーザアレイの発光部の間隔 ＰLS：発光点間ピッチ Ｒ1 ，Ｒ1'：第１の反射面 Ｒ2 ，Ｒ2'：第２の反射面
Claims (8)
- 【請求項１】少なくとも２つのレーザ光出力部を有する
半導体レーザアレイ光源と、上記レーザ光出力部からの
光束により表示あるいは記録される表示材料あるいは感
光体材料よりなる記録面と、上記レーザ光出力部からの
光束を上記記録面に導き上記記録面上を走査する光学手
段とを備え、上記半導体レーザアレイの接合面を走査方
向と垂直に配置し、レーザ光出力部近傍に走査方向と垂
直な面（副走査方向）内で光路を変更する反射面を発光
点１個に対し２面設けたことを特徴とする光記録装置。 - 【請求項２】上記反射面のうち、発光部後の第１反射を
行う面を構成する部材が、隣接する発光部からの光束を
各々独立に反射する２反射面からなることを特徴とする
請求項１記載の光記録装置。 - 【請求項３】上記反射面のうち、発光部後の第２反射を
行う面を構成する部材が、隣接する発光部のほぼ中央に
配置され、その隣接する発光部からの光束を各々独立に
反射する２反射面からなることを特徴とする請求項１，
２記載の光記録装置。 - 【請求項４】上記反射面を有する部材のうち、第１の反
射面を有する部材が同一の基板上に配置され、上記半導
体レーザアレイの発光点間隔より大きめに配列されてい
ることを特徴とする請求項１〜３記載の光記録装置。 - 【請求項５】上記反射面を有する部材のうち、第１の反
射面を有する部材あるいは第２の反射面を有する部材
が、上記半導体レーザアレイと同一の部材からなり、半
導体レーザアレイと一体化加工されていることを特徴と
する請求項１〜３記載の光記録装置。 - 【請求項６】上記反射面を有する部材のうち、第１の反
射面を有する部材あるいは第２の反射面を有する部材の
何れか一方が同一の基板上に配置され、その基板が半導
体レーザアレイの射出光束の光軸方向に移動可能である
ことを特徴とする請求項１〜３記載の光記録装置。 - 【請求項７】上記反射面を有する部材のうち、第１の反
射面を有する部材あるいは第２の反射面を有する部材の
何れか一方が同一の基板上に配置され、その基板が半導
体レーザアレイの射出光束の光軸回りに回転可能である
ことを特徴とする請求項１〜３記載の光記録装置。 - 【請求項８】上記反射面が半導体レーザアレイの接合面
と垂直方向に長い反射面となっていることを特徴とする
請求項１〜３記載の光記録装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6042441A JPH07250209A (ja) | 1994-03-14 | 1994-03-14 | 半導体レーザアレイを用いた光記録装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6042441A JPH07250209A (ja) | 1994-03-14 | 1994-03-14 | 半導体レーザアレイを用いた光記録装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07250209A true JPH07250209A (ja) | 1995-09-26 |
Family
ID=12636171
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6042441A Pending JPH07250209A (ja) | 1994-03-14 | 1994-03-14 | 半導体レーザアレイを用いた光記録装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07250209A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002335035A (ja) * | 2001-05-10 | 2002-11-22 | Hamamatsu Photonics Kk | 半導体レーザ装置 |
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| JP2007030497A (ja) * | 2005-06-21 | 2007-02-08 | Ricoh Co Ltd | 光源ユニット、画像形成装置および印刷装置 |
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-
1994
- 1994-03-14 JP JP6042441A patent/JPH07250209A/ja active Pending
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