JPH07243681A - クリーンルームのクリーン化方法 - Google Patents

クリーンルームのクリーン化方法

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JPH07243681A
JPH07243681A JP3072794A JP3072794A JPH07243681A JP H07243681 A JPH07243681 A JP H07243681A JP 3072794 A JP3072794 A JP 3072794A JP 3072794 A JP3072794 A JP 3072794A JP H07243681 A JPH07243681 A JP H07243681A
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Yuichi Chiba
祐一 千葉
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Fujitsu Integrated Microtechnology Ltd
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Abstract

(57)【要約】 【目的】 本発明は、半導体製造工場のクリーンルー
ムのクリーン化方法に関し、クリーンルーム内における
パーティクルの発生源を根絶し、除害処理装置を新方式
にして腐食・破損・爆発等の障害をなくす。 【構成】 クリーンルーム１内に設置した半導体製造
装置の反応室２をクリーンルーム１内で開放する前に、
反応室２内に水或いは水蒸気３を水・水蒸気導入ライン
４から送り込み、反応室２から排出されるプロセスガス
ならびに反応生成物５を水或いは水蒸気４と接触させて
酸系ガス６として反応室２から排気し、除害処理装置７
と循環水中和処理装置８からなる除害システム９で処理
し、酸排気10ならびに処理水11として外部に排出する。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体製造工場のクリ
ーンルーム内のクリーン化方法に関する。近年の半導体
製造工場のクリーンルームでは、半導体製品の微細加工
技術により、微細なゴミ等のパーティクルの付着でも、
製品歩留りの低下をもたらす為、このゴミ等のパーティ
クルをほとんど無くすためのクリーン化が要求されてお
り、クリーンルーム内のパーティクルの発生およびその
原因を根絶する必要がある。
【０００２】また、半導体製造工場における腐食性ガス
使用後の排気系の除害装置において、使用ガスを混用し
て除害出来ず、腐食・破損・爆発等の事故を発生させる
要因となっており、その為にガスの種類を選択すること
なく、安全に除害を行う必要がある。
【０００３】
【従来の技術】図３は従来例の説明図である。図におい
て、２は反応室、14はガス導入ライン、17は真空排気ラ
イン、20は開放窓である。
【０００４】従来の半導体製造工場のクリーンルームの
クリーン化方法においては、工場内に設置してある空調
システム＋高精密エアフィルタでクリーンルームのクリ
ーン度を保持していた。
【０００５】ところが、図３に示すように、クリーンル
ーム内に設置されている半導体製造装置において、腐食
性ガスを使用後の装置の反応室４よりパーティクル、ま
たはパーティクルの核になる微粒子の発生が近年確認さ
れており、その数は１回に、０.2μｍ以上のパーティク
ルが 5,000〜9,000 個も発生している。
【０００６】これにより、現状の工場システムだけでは
クリーン度の保持が難しく、更にクリーンルーム内のク
リーン度の向上が出来なくなっていた。また、従来の腐
食性ガスの除害処理は、活性炭等の吸着方式を使用して
いたが、除害処理装置の容量がなくて腐食性ガスを溜め
込み、破損・腐食等の障害を起こしていた。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】従って、半導体製造工
場のクリーンルーム内のパーティクルによって、半導体
製品の不良の発生による歩留り低下、クリーンルーム内
の汚染、腐食性ガスの取扱に起因する腐食・破損・爆発
等の障害や事故といった問題を生じていた。
【０００８】本発明は、以上の点を鑑み、半導体製造工
場のクリーンルーム内におけるパーティクルの発生源を
根絶し、除害処理装置を新方式にして破損・腐食等の障
害をなくすことを目的として提供される。
【０００９】
【課題を解決するための手段】図１は本発明の原理説明
図である。図において、１はクリーンルーム、２は反応
室、３は水或いは水蒸気、４は水・水蒸気導入ライン、
５はプロセスガスならびに反応生成物、６は酸系ガス、
７は除害処理装置、８は循環水中和処理装置、９は除害
システム、10は酸排気、11は処理水、12は酸系排気ライ
ン、13は循環水、14はガス導入ライン、15はプロセスガ
ス、16はガス排気ライン、17は真空排気ライン、18はフ
ィルタ、19はバルブ、20は開放窓、21は酸排水ライン、
22は真空ポンプである。
【００１０】図１に示したように、除害システム９は、
循環水13を使用した除害処理装置７と循環水中和処理装
置８とで構成されている。ドライエッチング装置等の反
応室２をクリーンルーム１内で開放する際に、反応室２
内から流出するプロセスガスならびに反応生成物５に起
因するパーティクルおよびパーティクルの核を、水・水
蒸気導入ライン４より水或いは水蒸気３を引き入れて、
水との接触方式によって除去し、その際に発生する酸系
ガス６を、ガス排気ライン16を使用し、真空排気ライン
17を閉じて、除害システム９を通し、酸排気10は酸系排
気ライン12を経由して工場の酸排気ダクトに、処理水11
は酸排水ライン21を経由して工場排水処理装置に送る。
【００１１】すなわち、本発明の目的は、図１に示すよ
うに、クリーンルーム１内に設置した半導体製造装置の
反応室２をクリーンルーム１内で開放する前に、反応室
２内に水或いは水蒸気３を水・水蒸気導入ライン４から
送り込み、反応室２から排出されるプロセスガスならび
に反応生成物５を水或いは水蒸気４と接触させて酸系ガ
ス６として反応室２から排気し、除害処理装置７と循環
水中和処理装置８からなる除害システム９で処理し、酸
排気10ならびに処理水11として外部に排出することによ
り達成される。
【００１２】
【作用】本発明では、図１に示すように、反応室に導入
した水及び水蒸気がプロセスガスならびに反応生成物に
起因するパーティクルやパーティクルの核と接触し、水
と一緒にガス排気ラインに流れる。
【００１３】この時、酸系のガスが発生するため、除害
システムの除外処理装置において循環水に酸系のガスを
溶け込ませて、酸排気を酸排気ダクトに送る。また、汚
れた処理水自体は、除害システムの循環水中和処理装置
において薬品により中和されて排水処理装置に送る。
【００１４】従って、クリーンルーム内でエッチング装
置の反応室内雰囲気を大気に開放しても、クリーンルー
ム内にパーティクルやパーティクルの核は流出しない。
【００１５】
【実施例】図１は本発明の原理説明図であり、本発明の
除害システムの概要図である。図２は本発明の一実施例
の説明図であり、除害システムの内部構造を示す断面図
である。
【００１６】図において、１はクリーンルーム、２は反
応室、３は水或いは水蒸気、４は水・水蒸気導入ライ
ン、５はプロセスガスならびに反応生成物、６は酸系ガ
ス、７は除害処理装置、８は循環水中和処理装置、９は
除害システム、10は酸排気、11は処理水、12は酸系排気
ライン、13は循環水、14はガス導入ライン、15はプロセ
スガス、16はガス排気ライン、17は真空排気ライン、18
はフィルタ、19はバルブ、20は開放窓、21は酸排水ライ
ン、22は真空ポンプ、23は羽根、24はモータ、25〜27は
第１段〜第３段中和薬品投入口である。
【００１７】本発明の一実施例を図１ならびに図２によ
り説明する。ＲＩＥ装置等の各種ドライエッチング装置
に用いるプロセスガスとして、臭化水素（ＨＢｒ）、塩
素（Ｃｌ2 ）、酸素（Ｏ2 ）、三塩化硼素（ＢＣｌ
３）、四塩化珪素（ＳｉＣｌ４）ガス等を用い、装置の
ＲＦ電源で３０時間以上半導体基板上の薄膜等のエッチ
ング処理を行った後、処理した反応室２内を半導体基板
の交換や反応室内の整備・清掃のため、クリーンルーム
１内で開放すると、従来は、通常０．２μｍ以上のパー
ティクルが5,000 〜9,000 個発生し、クリーンルーム１
内に流出していた。
【００１８】本発明の一実施例では、図１に示す反応室
２内に水・水蒸気導入ライン４から水或いは水蒸気３を
１，５００〜３，５００ｃｃ／ｍｉｎ導入し、反応室２
側の圧力制御を５００〜７００Ｔｏｒｒに設定し、真空
ポンプ22を作動して排気しながら、２０〜４０分間、反
応室２内のパーティクルと水の接触方式によって、反応
室２内のプロセスガスならびに反応生成物５をガス排気
ライン16に酸系ガス６として流し、本発明の除害ヒステ
ムに送る。
【００１９】図２に示す除害システム９において、上述
の状態で反応室２から送りこまれた参詣ガス６は、除外
処理装置７と循環水中和処理装置８を用いて同時に酸排
気10と処理水11の除害処理を行う。
【００２０】すなわち、図２に示すように、循環水13を
１２ｌ／ｍｉｎ流し、圧力８ｋｇ／ｃｍ2 で除害処理す
る。除害処理装置７のタンク内には循環水13が充満して
おり、攪拌用の羽根23はモーター24で３，０００回転／
ｍｉｎの早さで回転している。
【００２１】除害処理装置７からの酸排気10は酸系排気
ライン12を経由してクリーンルーム１内から天井裏にあ
る工場の酸排気ダクトに送られる。この酸排気10を図２
に示したＡの場所でディテクタにより排気ガス濃度を測
定した結果、Ｂｒ、Ｃｌ2 共に０ｐｐｍであった。
【００２２】除害処理装置７で処理した酸が溶け込んだ
循環水13は循環水中和処理装置8 に送られ、硫酸や苛性
ソーダ等の中和薬品を第１段〜第３段の中和薬品投入口
25〜27より必要量を順次投入して、処理水11を第１段、
第２段、第３段と順次、循環水中和処理装置８内で中和
を繰り返した後、ＰＨ７の処理水11として、酸排水ライ
ン21を経由してクリーンルーム１内から、外の工場排水
処理装置に送られる。この処理水11を図２に示したＢの
場所でディテクタによりイオン濃度を測定した結果、Ｂ
ｒ、Ｃｌ2 共０ｐｐｍであった。
【００２３】上記実施例ではプロセスガスとして塩素並
びに臭素系反応ガスを用いたが、六弗化硫黄（ＳＦ6 ）
等の弗素系反応ガスを用いた場合も弗素処理用の除害装
置を用いて、同様の効果が確認された。
【００２４】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
クリーンルーム内に流出するパーティクル及びパーティ
クルの核を防止する効果が上がり、反応室を常圧に戻し
て開放する際にパーティクルカウンタで測定した結果、
０.2μｍ以上のパーティクルが２〜９個と大巾に減少し
た。
【００２５】また、新方式による除害処理により、安全
性の高い定期交換の要らない腐食性ガスの除害効果が得
られ、一年以上経過しても、デイテクタの測定結果は０
ｐｐｍであった。
【００２６】これにより、新方式による半導体製造工場
のクリーンルーム内及び除害装置やエッチング装置のク
リーン化に寄与するところが大きい。
【図面の簡単な説明】
【図１】 本発明の原理説明図
【図２】 本発明の一実施例の説明図
【図３】 従来例の説明図
【符号の説明】
図において １ クリーンルーム ２ 反応室 ３ 水或いは水蒸気 ４ 水・水蒸気導入ライン ５ プロセスガスならびに反応生成物 ６ 酸系ガス ７ 除害処理装置 ８ 循環水中和処理装置 ９ 除害システム 10 酸排気 11 処理水 12 酸系排気ライン 13 循環水 14 ガス導入ライン 15 プロセスガス 16 ガス排気ライン 17 真空排気ライン 18 フィルタ 19 バルブ 20 開放窓 21 酸排水ライン 22 真空ポンプ 23 羽根 24 モータ 25 第１段中和薬品投入口 26 第２段中和薬品投入口 27 第３段中和薬品投入口

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 クリーンルーム(1) 内に設置した半導体
    製造装置の反応室(2) を該クリーンルーム(1) 内で開放
    する前に、該反応室(2) 内に水或いは水蒸気(3) を水・
    水蒸気導入ライン(4) から送り込み、該反応室(2) から
    排出されるプロセスガスならびに反応生成物(5) を該水
    或いは水蒸気(4) と接触させて酸系ガス(6) として該反
    応室(2) から排気し、除害処理装置(7) と循環水中和処
    理装置(8) からなる除害システム(9) で処理し、酸排気
    (10)ならびに処理水(11)として外部に排出することを特
    徴とするクリーンルームのクリーン化方法。
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20110259369A1 (en) * 2011-05-18 2011-10-27 Auria Solar Co., Ltd. Method for cleaning deposition chamber

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US20110259369A1 (en) * 2011-05-18 2011-10-27 Auria Solar Co., Ltd. Method for cleaning deposition chamber

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