JPH0724338B2 - 電子装置 - Google Patents
電子装置Info
- Publication number
- JPH0724338B2 JPH0724338B2 JP6091787A JP6091787A JPH0724338B2 JP H0724338 B2 JPH0724338 B2 JP H0724338B2 JP 6091787 A JP6091787 A JP 6091787A JP 6091787 A JP6091787 A JP 6091787A JP H0724338 B2 JPH0724338 B2 JP H0724338B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- superconductor
- electronic device
- wiring
- substrate
- temperature
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
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- Containers, Films, And Cooling For Superconductive Devices (AREA)
- Production Of Multi-Layered Print Wiring Board (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は電子計算機等の電子装置に係り、特に高密度実
装に適した電子装置に関する。
装に適した電子装置に関する。
従来の電子計算機における高密度実装の動向に関して
は、電気学会雑誌，第104巻第７号，第573頁から第580
頁（昭59−７）において論じられている。又、特開昭59
−144190号公報には、素子を搭載するものであって超電
導体により配線されている多層配線基板が開示されてい
る。又、特開昭60−96599号公報，特開昭60−173885号
公報には、多層配線基板において配線の材質を酸化物超
電導体とし、この酸化超電導体は、BaPb1-xBixO3,SrTiO
3,BaTiO3,KTaO3,（Ca,Sr）TiO3,MgOからなる酸化物超電
導体、BaBiO５−δ,Baをランタン属元素で50％原子以下
の範囲で置換した酸化物超電導体であることが開示され
ている。又、特開昭61−208279号公報，特開昭60−1249
79号公報には、超電導体で配線された半導体素子が開示
されている。
は、電気学会雑誌，第104巻第７号，第573頁から第580
頁（昭59−７）において論じられている。又、特開昭59
−144190号公報には、素子を搭載するものであって超電
導体により配線されている多層配線基板が開示されてい
る。又、特開昭60−96599号公報，特開昭60−173885号
公報には、多層配線基板において配線の材質を酸化物超
電導体とし、この酸化超電導体は、BaPb1-xBixO3,SrTiO
3,BaTiO3,KTaO3,（Ca,Sr）TiO3,MgOからなる酸化物超電
導体、BaBiO５−δ,Baをランタン属元素で50％原子以下
の範囲で置換した酸化物超電導体であることが開示され
ている。又、特開昭61−208279号公報，特開昭60−1249
79号公報には、超電導体で配線された半導体素子が開示
されている。
上記従来技術によると、セラミツクを用いた多層配線基
板が高密度実装に寄与している。しかしながら、セラミ
ツク材料をアルミナとすると、焼成温度を上げる必要が
あるため、配線材料としてはモリブデンやタングステン
など高融点ではあるが電気抵抗の大きな材料を選ばねば
ならず、計算の高速化に限度があつた。低温焼成セラミ
ツクと金や銅の配線材料を使えばこの点を解決できる
が、高速化のためには、線幅を100μｍ以下にして実装
密度を上げる必要があった。又、特開昭59−144190号公
報，特開昭60−96599号公報，特開昭60−173885号公報
に開示のものは、酸化物超電導体の臨海温度は、金属系
の超電導体，ニオブ３ゲルマニウムより低い温度のもの
であり、又、特開昭61−208279号公報，特開昭60−1249
79号公報に開示のものは、Nb,Pb等の臨海温度は低温の
超電導体である。このように、いずれも臨海温度を高温
にし、動作温度を高めることについては配慮されておら
ず、又、超電導体と基板の焼成を同時に行うこと、両者
の熱膨張係数を比較的近いようにし熱歪みによる破損を
少なくすることについては配慮されていないものであ
る。
板が高密度実装に寄与している。しかしながら、セラミ
ツク材料をアルミナとすると、焼成温度を上げる必要が
あるため、配線材料としてはモリブデンやタングステン
など高融点ではあるが電気抵抗の大きな材料を選ばねば
ならず、計算の高速化に限度があつた。低温焼成セラミ
ツクと金や銅の配線材料を使えばこの点を解決できる
が、高速化のためには、線幅を100μｍ以下にして実装
密度を上げる必要があった。又、特開昭59−144190号公
報，特開昭60−96599号公報，特開昭60−173885号公報
に開示のものは、酸化物超電導体の臨海温度は、金属系
の超電導体，ニオブ３ゲルマニウムより低い温度のもの
であり、又、特開昭61−208279号公報，特開昭60−1249
79号公報に開示のものは、Nb,Pb等の臨海温度は低温の
超電導体である。このように、いずれも臨海温度を高温
にし、動作温度を高めることについては配慮されておら
ず、又、超電導体と基板の焼成を同時に行うこと、両者
の熱膨張係数を比較的近いようにし熱歪みによる破損を
少なくすることについては配慮されていないものであ
る。
本発明の目的は、線幅を微細化することなく、比較的高
温の動作温度で高速化を達成することができ、信頼性の
高い電子装置を提供することにある。
温の動作温度で高速化を達成することができ、信頼性の
高い電子装置を提供することにある。
上記目的を達成するために、本発明の電子装置は、素子
を搭載し、超電体により配線された多層配線基板を有し
た電子装置において、前記基板がアルミナ，ムライト，
窒化ほう素，炭化けい素からなるセラミックで形成さ
れ、前記超電導体が、銅，酸素と、ランタン，バリウ
ム，ストロンチウム，カルシウム，イットリウム，サマ
リウム，ふっ素，塩素の中から少なくとも二つ以上の元
素とを組み合わせて焼成した酸化物超電導体であること
を特徴とするものである。
を搭載し、超電体により配線された多層配線基板を有し
た電子装置において、前記基板がアルミナ，ムライト，
窒化ほう素，炭化けい素からなるセラミックで形成さ
れ、前記超電導体が、銅，酸素と、ランタン，バリウ
ム，ストロンチウム，カルシウム，イットリウム，サマ
リウム，ふっ素，塩素の中から少なくとも二つ以上の元
素とを組み合わせて焼成した酸化物超電導体であること
を特徴とするものである。
上記のように構成しているので、液体窒素の温度レベル
で超電導体は電気抵抗が零であり、配線密度向上のため
に微細化することが不要となり、焼成温度の高い酸化物
超電導体を使うことにより、セラミック基板材料の選択
の幅が広がり、基板と配線がいずれもセラミックである
ため、超電導体と基板の焼成を同時に行うことも可能で
あり、また両者を熱膨張係数が比較的近いため熱歪みに
よる破損が少ない。
で超電導体は電気抵抗が零であり、配線密度向上のため
に微細化することが不要となり、焼成温度の高い酸化物
超電導体を使うことにより、セラミック基板材料の選択
の幅が広がり、基板と配線がいずれもセラミックである
ため、超電導体と基板の焼成を同時に行うことも可能で
あり、また両者を熱膨張係数が比較的近いため熱歪みに
よる破損が少ない。
〔実施例〕 以下、本発明の一実施例を第１図により説明する。１は
主として半導体素子から構成された集積回路を有するチ
ップで、半田２により基板３上の配線4aに接続されてい
る。基板３は、3a,3b,3cと多層化され、各層に配線4a,4
b,4cが形成され、相互に連結されている。基板３はアル
ミナ，ムライト，窒化ほう素，炭化けい素などからなる
セラミツクで、５〜数十層に重ねて焼成される。配線4
a,4b,4cは、酸化物超電導体であり、銅，酸素のほか
に、ランタン，バリウム，ストロンチウム，カルシウ
ム，イツトリウム，サマリウム，ふつ素，塩素などの中
から、少なくとも二つ以上の元素を組み合わせて焼成さ
れたセラミツクである。また、チツプ１内の配線に、超
電導体を使つてもよい。
主として半導体素子から構成された集積回路を有するチ
ップで、半田２により基板３上の配線4aに接続されてい
る。基板３は、3a,3b,3cと多層化され、各層に配線4a,4
b,4cが形成され、相互に連結されている。基板３はアル
ミナ，ムライト，窒化ほう素，炭化けい素などからなる
セラミツクで、５〜数十層に重ねて焼成される。配線4
a,4b,4cは、酸化物超電導体であり、銅，酸素のほか
に、ランタン，バリウム，ストロンチウム，カルシウ
ム，イツトリウム，サマリウム，ふつ素，塩素などの中
から、少なくとも二つ以上の元素を組み合わせて焼成さ
れたセラミツクである。また、チツプ１内の配線に、超
電導体を使つてもよい。
基板３は、大きさは約100mm角で、搭載された複数のチ
ツプ１間の信号のやりとり及び電源やアースのための配
線基板としての役割を果す。なお、基板から外部へのコ
ネクタ部については省略した。
ツプ１間の信号のやりとり及び電源やアースのための配
線基板としての役割を果す。なお、基板から外部へのコ
ネクタ部については省略した。
この例によれば、まず配線4a,4b,4cに超電導体を使用し
たことにより、超電導転移温度以下で動作させる限り、
電気抵抗が零のため、配線が長くなつても高速化が容易
である。したがつて配線の微細化は不要である。
たことにより、超電導転移温度以下で動作させる限り、
電気抵抗が零のため、配線が長くなつても高速化が容易
である。したがつて配線の微細化は不要である。
基板と配線がいずれもセラミツクであるため、超電導体
と基板の焼成を同時に行うことも可能であり、また両者
の熱膨張計数が比較的近いため熱歪みによる破損が少な
い。
と基板の焼成を同時に行うことも可能であり、また両者
の熱膨張計数が比較的近いため熱歪みによる破損が少な
い。
なお、チツプ１には超電導ジヨセフソン素子や超電導半
導体素子を含めてもよいことはもちろんである。
導体素子を含めてもよいことはもちろんである。
第２図にチツプ１がセラミツク製のチツプキヤリヤ５に
搭載された場合の本発明の他の実施例を示す。チツプキ
ヤリヤ５内の配線は超電導体を使用する。チツプキヤリ
ヤ５と基板３との電気接続は半田６による。チツプキヤ
リヤ５はチツプ１が不良になつたときの保守を容易にす
る。
搭載された場合の本発明の他の実施例を示す。チツプキ
ヤリヤ５内の配線は超電導体を使用する。チツプキヤリ
ヤ５と基板３との電気接続は半田６による。チツプキヤ
リヤ５はチツプ１が不良になつたときの保守を容易にす
る。
以上述べた如く、本発明によれば、液体窒素の温度レベ
ルで多層配線基板中の電気抵抗を零にできるので、配線
の微細化を行うことなく、高速化できるという効果があ
る。又、基板と配線がいずれもセラミックであるため、
超電導体と基板の焼成を同時に行うことも可能であり、
また両者の熱膨張係数が比較的近いため熱歪みによる破
損を少なくできるという効果がある。
ルで多層配線基板中の電気抵抗を零にできるので、配線
の微細化を行うことなく、高速化できるという効果があ
る。又、基板と配線がいずれもセラミックであるため、
超電導体と基板の焼成を同時に行うことも可能であり、
また両者の熱膨張係数が比較的近いため熱歪みによる破
損を少なくできるという効果がある。
第１図は本発明の一実施例の部分断面図、第２図は本発
明の他の実施例を示す部分断面図である。 １……チツプ、２……半田、３……基板、4a,4b,4c……
配線。
明の他の実施例を示す部分断面図である。 １……チツプ、２……半田、３……基板、4a,4b,4c……
配線。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 昭59−144190（ＪＰ，Ａ) 特開 昭60−96599（ＪＰ，Ａ) 特開 昭60−173885（ＪＰ，Ａ) 特開 昭61−242082（ＪＰ，Ａ) 特開 昭61−208279（ＪＰ，Ａ) 特開 昭61−171180（ＪＰ，Ａ) 特開 昭60−124979（ＪＰ，Ａ) 特開 昭60−88483（ＪＰ，Ａ)
Claims (3)
- 【請求項１】素子を搭載し、超電導体により配線された
多層配線基板を有した電子装置において、前記基板がア
ルミナ，ムライト，窒化ほう素，炭化けい素からなるセ
ラミックで形成され、前記超電導体が、銅，酸素と、ラ
ンタン，バリウム，ストロンチウム，カルシウム，イッ
トリウム，サマリウム，ふっ素，塩素の中から少なくと
も二つ以上の元素とを組み合わせて焼成した酸化物超電
導体であることを特徴とする電子装置。 - 【請求項２】前記素子が半導体で構成されていることを
特徴とする特許請求の範囲第１項に記載の電子装置。 - 【請求項３】前記素子が前記酸化物超電導体で配線され
たチップキャリアに搭載されていることを特徴とする特
許請求の範囲第１項に記載の電子装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6091787A JPH0724338B2 (ja) | 1987-03-18 | 1987-03-18 | 電子装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6091787A JPH0724338B2 (ja) | 1987-03-18 | 1987-03-18 | 電子装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63228696A JPS63228696A (ja) | 1988-09-22 |
| JPH0724338B2 true JPH0724338B2 (ja) | 1995-03-15 |
Family
ID=13156211
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6091787A Expired - Lifetime JPH0724338B2 (ja) | 1987-03-18 | 1987-03-18 | 電子装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0724338B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6427294A (en) * | 1987-04-27 | 1989-01-30 | Fujitsu Ltd | Multilayer circuit board for superconducting ceramics circuit and manufacture thereof |
Family Cites Families (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS58125882A (ja) * | 1982-01-22 | 1983-07-27 | Hitachi Ltd | 超電導素子配線用ワイヤ |
| JPS59144190A (ja) * | 1983-02-08 | 1984-08-18 | Agency Of Ind Science & Technol | 超伝導回路用実装基板 |
| JPS6088483A (ja) * | 1983-10-21 | 1985-05-18 | Agency Of Ind Science & Technol | 超電導集積回路の配線基板組立法 |
| JPS6096599A (ja) * | 1983-10-31 | 1985-05-30 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 酸化物超伝導体薄膜の製造方法 |
| JPS60124979A (ja) * | 1983-12-12 | 1985-07-04 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 超伝導回路チツプ |
| JPS60173885A (ja) * | 1984-02-18 | 1985-09-07 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 酸化物超伝導材料およびその製造方法 |
| JPS61171180A (ja) * | 1985-01-24 | 1986-08-01 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 半導体結合超伝導素子 |
| JPS61208279A (ja) * | 1985-03-12 | 1986-09-16 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 超伝導三端子素子及びその製造方法 |
| JPS61242082A (ja) * | 1985-04-19 | 1986-10-28 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 半導体素子 |
-
1987
- 1987-03-18 JP JP6091787A patent/JPH0724338B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS63228696A (ja) | 1988-09-22 |
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