JPH072411B2 - 真空ラミネートハンダマスク被覆印刷回路板の製造方法 - Google Patents
真空ラミネートハンダマスク被覆印刷回路板の製造方法Info
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Description
【発明の詳細な説明】 〔発明の背景〕 この発明は、隆起したレリーフ構造を有する基板表面と
これに適用された光重合性ドライフィルムとの間に、実
質的に空隙のない界面を得る方法を指向している。より
具体的には、この発明は印刷回路板の製造において、ハ
ンダマスク（solder mask）を適用するのに特に適合し
ている。
これに適用された光重合性ドライフィルムとの間に、実
質的に空隙のない界面を得る方法を指向している。より
具体的には、この発明は印刷回路板の製造において、ハ
ンダマスク（solder mask）を適用するのに特に適合し
ている。
フリエル（Friel）の米国特許第4,127,436号は、真空に
おいてフォトレジスト形成層を基板表面に適用する工程
を開示している。ここにおいて、閉じ込められた気泡の
ないラミネートが形成されることが明言されている。
おいてフォトレジスト形成層を基板表面に適用する工程
を開示している。ここにおいて、閉じ込められた気泡の
ないラミネートが形成されることが明言されている。
オイズマ（Oizuma）の米国特許第4,388,129号は、多孔
質繊維性基板を溶媒のない液体樹脂で含浸させ、実質的
にすべての閉じ込められた気泡を消失させ、この結合物
を硬化させる方法を開示している。この気泡は、含浸さ
れた製品を十分な時間（超音波を使用することにより短
縮できる）放置しておくこと、圧縮空気中に未処理なラ
ミネートを置くこと、または脱ガス液体樹脂を使用して
除去し得る。
質繊維性基板を溶媒のない液体樹脂で含浸させ、実質的
にすべての閉じ込められた気泡を消失させ、この結合物
を硬化させる方法を開示している。この気泡は、含浸さ
れた製品を十分な時間（超音波を使用することにより短
縮できる）放置しておくこと、圧縮空気中に未処理なラ
ミネートを置くこと、または脱ガス液体樹脂を使用して
除去し得る。
この発明は、感光性ドライフィルムと隆起したレリーフ
を有する基板との間に実質的に空隙のない界面を得るた
めの方法を指向している。この方法は、（ａ）ラミネー
トを形成するために、基板上にドライフィルムを真空ラ
ミネートすることにより、真空ラミネーションにおける
真空が解放された際に、ドライフィルムと基板間の基板
表面−フィルム界面に空隙を閉じ込め、（ｂ）加圧流体
によりラミネートするために、周囲よりも少なくとも0.
3気圧高い均一に高圧を加えることにより、基板表面−
フィルム界面に閉じ込められた空隙を除去すること、お
よび（ｃ）均一な高圧を解放することを包含する。
を有する基板との間に実質的に空隙のない界面を得るた
めの方法を指向している。この方法は、（ａ）ラミネー
トを形成するために、基板上にドライフィルムを真空ラ
ミネートすることにより、真空ラミネーションにおける
真空が解放された際に、ドライフィルムと基板間の基板
表面−フィルム界面に空隙を閉じ込め、（ｂ）加圧流体
によりラミネートするために、周囲よりも少なくとも0.
3気圧高い均一に高圧を加えることにより、基板表面−
フィルム界面に閉じ込められた空隙を除去すること、お
よび（ｃ）均一な高圧を解放することを包含する。
この発明は、本明細書中で参照することにより組み入れ
られるフリエルの米国特許第4,127,436号に開示された
方法を改良した方法であると考えられる。よってこの特
許の多様な部分が、この明細書において再現される。
られるフリエルの米国特許第4,127,436号に開示された
方法を改良した方法であると考えられる。よってこの特
許の多様な部分が、この明細書において再現される。
フリエルは、フォトレジスト形成層を隆起した領域を有
する表面に適用する方法を開示している。この方法は、 （１） 隆起した領域を有する表面に隣接した面に、未
露光の固体フォトレジスト形成層を配置すると共に、前
記層のもう一方の面を、低度ないし中程度の接着性をも
って、柔軟な、薄い重合体フィルム支持体に接着するこ
と、 （２） 隆起した領域を有する表面とフォトレジスト形
成層表面との間の領域内の絶対ガス圧力を、１気圧より
も低くすること、および （３） 隆起した領域を有する表面に隣接した層の領域
上で前記フィルム支持体の表面全体に一度に圧力をか
け、これによりフォトレジスト形成層を隆起した領域を
有する表面に密接に接触させること、を包含する。
する表面に適用する方法を開示している。この方法は、 （１） 隆起した領域を有する表面に隣接した面に、未
露光の固体フォトレジスト形成層を配置すると共に、前
記層のもう一方の面を、低度ないし中程度の接着性をも
って、柔軟な、薄い重合体フィルム支持体に接着するこ
と、 （２） 隆起した領域を有する表面とフォトレジスト形
成層表面との間の領域内の絶対ガス圧力を、１気圧より
も低くすること、および （３） 隆起した領域を有する表面に隣接した層の領域
上で前記フィルム支持体の表面全体に一度に圧力をか
け、これによりフォトレジスト形成層を隆起した領域を
有する表面に密接に接触させること、を包含する。
この特許において説明されてるように、工程（４）およ
び（５）をいづれかの順序でおこない、ついで工程
（６）を行なうという付加的な製造工程が用いられる。
び（５）をいづれかの順序でおこない、ついで工程
（６）を行なうという付加的な製造工程が用いられる。
（４） 前記フォトレジスト形成層を、化学線照射に像
様露光させること、 （５） 前記フィルム基板を、得られた像担持層から剥
ぎ取ること、および、 （６） 隆起した領域を有する表面上にレジスト像を形
成するため、前記層の領域を像様に取り除くこと。
様露光させること、 （５） 前記フィルム基板を、得られた像担持層から剥
ぎ取ること、および、 （６） 隆起した領域を有する表面上にレジスト像を形
成するため、前記層の領域を像様に取り除くこと。
レジスト像により保護されていない前記表面上の近接し
た領域を、エッチングできる試薬により処理すること、
または前記領域上に物質を被着することにより、永続的
に修飾する追加の工程のようなその他の工程を使用する
ことができる。
た領域を、エッチングできる試薬により処理すること、
または前記領域上に物質を被着することにより、永続的
に修飾する追加の工程のようなその他の工程を使用する
ことができる。
通常、「ドライフィルムレジスト」と呼ばれているフォ
トレジスト形成層は、感光性物質の層である。この感光
性物質から、化学線に像様露光した後、レジスト形成層
の領域を除去することにより、レジスト像を作ることが
できる。ネガ型物質の場合に、露光されなかった領域は
除去され、露光された領域はレジスト像として残る。ポ
ジ型物質の場合には、露光されていない部分がレジスト
像を形成する。フォトレジスト形成層を形成する物質
は、これらの物質が被覆されるフィルム基板よりも虚弱
であり、上昇した温度において適用される場合に、非常
に柔らかく、べとつくようになる。フィルム支持体およ
びフォトレジスト形成層の二層構造は、従来、真空ラミ
ネーション技術を用いたフォトレジスト形成層の塗布に
必要である。フィルム支持体は、フォトレジスト形成層
を隆起した領域を有する表面から離しておくことを可能
にし、前記の柔らかく、べとつく層を隆起した領域に一
致させるために圧力伝達部材として作用する。「感光性
ドライフィルム」という用語は、感光性のない下塗り層
のような他の層を含むものと考えられる。
トレジスト形成層は、感光性物質の層である。この感光
性物質から、化学線に像様露光した後、レジスト形成層
の領域を除去することにより、レジスト像を作ることが
できる。ネガ型物質の場合に、露光されなかった領域は
除去され、露光された領域はレジスト像として残る。ポ
ジ型物質の場合には、露光されていない部分がレジスト
像を形成する。フォトレジスト形成層を形成する物質
は、これらの物質が被覆されるフィルム基板よりも虚弱
であり、上昇した温度において適用される場合に、非常
に柔らかく、べとつくようになる。フィルム支持体およ
びフォトレジスト形成層の二層構造は、従来、真空ラミ
ネーション技術を用いたフォトレジスト形成層の塗布に
必要である。フィルム支持体は、フォトレジスト形成層
を隆起した領域を有する表面から離しておくことを可能
にし、前記の柔らかく、べとつく層を隆起した領域に一
致させるために圧力伝達部材として作用する。「感光性
ドライフィルム」という用語は、感光性のない下塗り層
のような他の層を含むものと考えられる。
この発明において、フリエルの方法により例示されるよ
うな先行技術の真空ラミネーション方法は、ラミネート
構造から空気を除去するために一般的に有用な方法であ
るが、微細な泡または空隙を基板とラミネートされた光
重合性フィルム間の界面に閉じ込めるられている場合に
おいて、なお不十分である。印刷回路板の製造および隆
起された回路領域を有する基板表面上のハンダマスクと
して液体／ドライフィルムを使用する場合において、高
密度回路板におけるように隆起した回路伝導領域間の間
隔が減少した場合に、微細な泡または空隙の存在は問題
になる。微細な泡または空隙の大きさが、近接した導電
回路線間に介在する誘電体表面に対して著しく大きくな
るときは、回路の電気的特性は典型的に悪影響を受け、
ある場合には、マスク接着性が弱くなりおよびハンダ工
程において電気的にショートする。この発明において、
高密度回路ラミネート中に存在する微細な泡または空隙
を、加圧流体（例えば、圧縮空気）中にラミネートを短
時間浸漬することにより、永続的に除去し得る。微細な
泡または空隙が除去されるだけでなく、ラミネートを加
圧流体から取り出した場合に、放置するか、他の工程に
おいてでさえ、微細な泡または空隙は再び現れない。実
際上、加圧流体に浸漬することは、光重合性回路ラミネ
ートの物理的性質および露光特性に、不利に影響するこ
となく、浸漬されたラミネートのすべての領域およびす
べての方向に均一な圧力をかけられる。
うな先行技術の真空ラミネーション方法は、ラミネート
構造から空気を除去するために一般的に有用な方法であ
るが、微細な泡または空隙を基板とラミネートされた光
重合性フィルム間の界面に閉じ込めるられている場合に
おいて、なお不十分である。印刷回路板の製造および隆
起された回路領域を有する基板表面上のハンダマスクと
して液体／ドライフィルムを使用する場合において、高
密度回路板におけるように隆起した回路伝導領域間の間
隔が減少した場合に、微細な泡または空隙の存在は問題
になる。微細な泡または空隙の大きさが、近接した導電
回路線間に介在する誘電体表面に対して著しく大きくな
るときは、回路の電気的特性は典型的に悪影響を受け、
ある場合には、マスク接着性が弱くなりおよびハンダ工
程において電気的にショートする。この発明において、
高密度回路ラミネート中に存在する微細な泡または空隙
を、加圧流体（例えば、圧縮空気）中にラミネートを短
時間浸漬することにより、永続的に除去し得る。微細な
泡または空隙が除去されるだけでなく、ラミネートを加
圧流体から取り出した場合に、放置するか、他の工程に
おいてでさえ、微細な泡または空隙は再び現れない。実
際上、加圧流体に浸漬することは、光重合性回路ラミネ
ートの物理的性質および露光特性に、不利に影響するこ
となく、浸漬されたラミネートのすべての領域およびす
べての方向に均一な圧力をかけられる。
この発明の実施において、典型的には、真空ラミネーシ
ョン後のラミネート構造は、周囲よりも少なくとも0.3
気圧、好ましくは少なくとも３気圧高い流体圧力に、１
分間以上、最も好ましくは１分間ないし約10分間の間さ
らされる。この工程は、真空ラミネーションチャンバま
たは別の圧力チャンバ内で起こり得る。好ましい流体は
空気または窒素であるが、水または不活性有機物質もし
くはそれらの溶液のような液体も使用できる。流体加圧
条件は、泡または空隙がない印刷回路ラミネートを保証
するために幾つかの方法で調節し得る。ラミネートされ
たハンダマスクについては、典型的には、空気中で、室
温（例えば、25〜30℃）で、周囲よりも約５〜６気圧
（すなわち、約74〜88psi）高い圧力で、約１分間加圧
することにより、ラミネートは泡または空隙が排除され
る。ラミネート温度を上昇させることにより、泡または
空隙のないラミネートを製造するために必要な時間を１
分間以下に減少させるか、流体圧を減少させることがで
きる。さらに、適用する流体圧を減少させる（例えば、
周囲よりも約0.3気圧（約5psi）以上高い程度まで低下
させる）こと、および／またはラミネート温度を室温よ
りも低くすることにより、泡のないラミネートを製造す
るために必要な時間を、１分間以上に増加させることが
できる。
ョン後のラミネート構造は、周囲よりも少なくとも0.3
気圧、好ましくは少なくとも３気圧高い流体圧力に、１
分間以上、最も好ましくは１分間ないし約10分間の間さ
らされる。この工程は、真空ラミネーションチャンバま
たは別の圧力チャンバ内で起こり得る。好ましい流体は
空気または窒素であるが、水または不活性有機物質もし
くはそれらの溶液のような液体も使用できる。流体加圧
条件は、泡または空隙がない印刷回路ラミネートを保証
するために幾つかの方法で調節し得る。ラミネートされ
たハンダマスクについては、典型的には、空気中で、室
温（例えば、25〜30℃）で、周囲よりも約５〜６気圧
（すなわち、約74〜88psi）高い圧力で、約１分間加圧
することにより、ラミネートは泡または空隙が排除され
る。ラミネート温度を上昇させることにより、泡または
空隙のないラミネートを製造するために必要な時間を１
分間以下に減少させるか、流体圧を減少させることがで
きる。さらに、適用する流体圧を減少させる（例えば、
周囲よりも約0.3気圧（約5psi）以上高い程度まで低下
させる）こと、および／またはラミネート温度を室温よ
りも低くすることにより、泡のないラミネートを製造す
るために必要な時間を、１分間以上に増加させることが
できる。
フォトレジスト形成層は熱可塑性であり、好ましくは、
このフォトレジスト形成層の粘着温度またはそれ以上の
上昇された温度で、ラミネートされる。フォトレジスト
形成層の粘着温度は、該層が強固な結合を形成し、隆起
した領域を有する表面に一致・適合し得る最低の温度で
ある。市販のフォトレジスト物質は、通常、40℃を越え
る粘着温度を有する。いくつかの好ましい物質について
は、ラミネーションの間に使用される表面温度は100℃
以上である。様々な物質の粘着温度は、余剰のモノマー
または可塑化剤を添加することにより、低く（例えば、
室温以下に）することができる。しかしながら、室温以
上に加熱された場合に、フォトレジスト形成層が柔らか
く、べたつくようになることが通常望ましい。ラミネー
ションのために上記上昇された温度を提供するために、
隆起した領域を有する表面を加熱することが好ましい。
このフォトレジスト形成層の粘着温度またはそれ以上の
上昇された温度で、ラミネートされる。フォトレジスト
形成層の粘着温度は、該層が強固な結合を形成し、隆起
した領域を有する表面に一致・適合し得る最低の温度で
ある。市販のフォトレジスト物質は、通常、40℃を越え
る粘着温度を有する。いくつかの好ましい物質について
は、ラミネーションの間に使用される表面温度は100℃
以上である。様々な物質の粘着温度は、余剰のモノマー
または可塑化剤を添加することにより、低く（例えば、
室温以下に）することができる。しかしながら、室温以
上に加熱された場合に、フォトレジスト形成層が柔らか
く、べたつくようになることが通常望ましい。ラミネー
ションのために上記上昇された温度を提供するために、
隆起した領域を有する表面を加熱することが好ましい。
この発明の方法において有用なドライフィルムレジスト
は、典型的には、固体の光硬化性または光重合性層を有
する。セレステ（Celeste）の米国特許第3,469,982号に
開示されているようなこれらの層は、主成分として予備
成形された固体の重合体若しくは巨大分子量の結合剤、
ラジカル付加重合可能なエチレン性不飽和化合物若しく
はモノマー、および化学線照射により活性化されるラジ
カル重合開始システムを有する。そのような層は、典型
的に熱阻害剤（thermal inhibitor）、染料、顔料、充
填剤等のような最終用途特性を改善するための追加成分
を有する。そのようなドライフィルムハンダマスクレジ
ストの例は、ゲルベイ（Gervay）他の米国特許第4,278,
752号、ゲルベイの米国特許第4,621,043号およびテクル
（Tecle）の欧州特許公開第87113013.4号に含まれてい
る。ポジ型フィルムも、コーヘン（Cohen）の米国特許
第4,193,797号において開示されるように使用できる。
は、典型的には、固体の光硬化性または光重合性層を有
する。セレステ（Celeste）の米国特許第3,469,982号に
開示されているようなこれらの層は、主成分として予備
成形された固体の重合体若しくは巨大分子量の結合剤、
ラジカル付加重合可能なエチレン性不飽和化合物若しく
はモノマー、および化学線照射により活性化されるラジ
カル重合開始システムを有する。そのような層は、典型
的に熱阻害剤（thermal inhibitor）、染料、顔料、充
填剤等のような最終用途特性を改善するための追加成分
を有する。そのようなドライフィルムハンダマスクレジ
ストの例は、ゲルベイ（Gervay）他の米国特許第4,278,
752号、ゲルベイの米国特許第4,621,043号およびテクル
（Tecle）の欧州特許公開第87113013.4号に含まれてい
る。ポジ型フィルムも、コーヘン（Cohen）の米国特許
第4,193,797号において開示されるように使用できる。
感光性レジスト形成成分を形成するために、これらの物
質を重合体フィルム支持体上に層として被覆することが
できる。表面を修飾するために、このタイプの成分は、
表面を修飾するために、従来、圧力ロール等を用いてラ
ミネートされている。しかしながら、表面が隆起した領
域を有する場合には、小さな泡が隆起した領域の端部
（特に、表面とその隆起した領域の側壁間の角のある接
点）に形成される傾向となる。レジスト像を現像した後
に、および表面の露光されていない領域を修飾する（例
えば、エッチング、ハンダ等により）ためのその使用に
際し、レジスト像を形成した場合に表面を修飾するため
に使用される物質（例えば、酸、ハンダ等）が泡のある
領域においてレジストの下に入り得、保護しようとする
表面を改変し得る。さらに、圧力ロールは隆起した領域
と該ロールの間のレジストを破砕し得る。先行技術の方
法は、フォトレジスト形成層を隆起した領域を有する表
面に適用している。この際に、前記層は、隆起した領域
を有する表面に真空で適用される。フォトレジスト形成
層は前記表面に近接して配置される。この層は、表面に
直接接触するか、または表面から離しておくこと、すな
わち、これらの間の領域が吸引されている間、実質的に
接触させないでおくことができる。排気したのちに、両
者は密接に接触させられる。フォトレジスト形成層を表
面に適用するための力は、隆起した領域を有する表面に
近接する層側と重合体フィルム支持体を有する層側の領
域間のガス圧力の違いにより、フィルム支持体の表面全
体に同時にただちに加えられる。後者の領域は、フィル
ム支持体自体または重合体シート（例えば、ゴム）のよ
うな弾性部材により、フィルム支持体に接触して結合し
得る。フォトレジスト形成層のフィルム支持体を有する
側および隆起した領域を有する表面に近接する側の圧力
は、大気圧以下に減圧される。ついで、フィルム支持体
面上の領域は大気にベントされる。これにより、この支
持体側の圧力が増加し、フォトレジスト形成層を隆起し
た領域を有する表面に密接に接触して押し付ける。これ
によりフォトレジスト形成層が隆起した領域に合致し適
合し、その表面と強固な結合を形成する。
質を重合体フィルム支持体上に層として被覆することが
できる。表面を修飾するために、このタイプの成分は、
表面を修飾するために、従来、圧力ロール等を用いてラ
ミネートされている。しかしながら、表面が隆起した領
域を有する場合には、小さな泡が隆起した領域の端部
（特に、表面とその隆起した領域の側壁間の角のある接
点）に形成される傾向となる。レジスト像を現像した後
に、および表面の露光されていない領域を修飾する（例
えば、エッチング、ハンダ等により）ためのその使用に
際し、レジスト像を形成した場合に表面を修飾するため
に使用される物質（例えば、酸、ハンダ等）が泡のある
領域においてレジストの下に入り得、保護しようとする
表面を改変し得る。さらに、圧力ロールは隆起した領域
と該ロールの間のレジストを破砕し得る。先行技術の方
法は、フォトレジスト形成層を隆起した領域を有する表
面に適用している。この際に、前記層は、隆起した領域
を有する表面に真空で適用される。フォトレジスト形成
層は前記表面に近接して配置される。この層は、表面に
直接接触するか、または表面から離しておくこと、すな
わち、これらの間の領域が吸引されている間、実質的に
接触させないでおくことができる。排気したのちに、両
者は密接に接触させられる。フォトレジスト形成層を表
面に適用するための力は、隆起した領域を有する表面に
近接する層側と重合体フィルム支持体を有する層側の領
域間のガス圧力の違いにより、フィルム支持体の表面全
体に同時にただちに加えられる。後者の領域は、フィル
ム支持体自体または重合体シート（例えば、ゴム）のよ
うな弾性部材により、フィルム支持体に接触して結合し
得る。フォトレジスト形成層のフィルム支持体を有する
側および隆起した領域を有する表面に近接する側の圧力
は、大気圧以下に減圧される。ついで、フィルム支持体
面上の領域は大気にベントされる。これにより、この支
持体側の圧力が増加し、フォトレジスト形成層を隆起し
た領域を有する表面に密接に接触して押し付ける。これ
によりフォトレジスト形成層が隆起した領域に合致し適
合し、その表面と強固な結合を形成する。
保護層の適用を可能にすることに加えて、フォトレジス
ト形成層は全面に対して直角な実質的に均一な全体にわ
たる力が直ちに印加されるので、この層は、隆起領域に
よる流れの不均一性によって表面を横切って押し出され
ることがない。柔軟性フィルム支持体は、直接または弾
性部材からガス圧力の力を受けて、フォトレジスト形成
層を表面の隆起した領域に合致させて圧下させる。弾性
部材がフォトレジスト形成層の接着フィルム支持体に対
して押つけられた場合に、前記部材は加えられる力によ
り、その表面が柔軟性フィルム支持体および形成表面
に、隆起した領域を有する表面に接触して一致するよう
な弾性を有していなければならない。ゴムシートは、こ
の工程に適当である。
ト形成層は全面に対して直角な実質的に均一な全体にわ
たる力が直ちに印加されるので、この層は、隆起領域に
よる流れの不均一性によって表面を横切って押し出され
ることがない。柔軟性フィルム支持体は、直接または弾
性部材からガス圧力の力を受けて、フォトレジスト形成
層を表面の隆起した領域に合致させて圧下させる。弾性
部材がフォトレジスト形成層の接着フィルム支持体に対
して押つけられた場合に、前記部材は加えられる力によ
り、その表面が柔軟性フィルム支持体および形成表面
に、隆起した領域を有する表面に接触して一致するよう
な弾性を有していなければならない。ゴムシートは、こ
の工程に適当である。
薄い、柔軟な重合体フィルム支持体は、フォトレジスト
形成層の一方の面に接着され、層の製造、貯蔵および使
用のためにいずれの場合にも必要とされる。この支持体
は、ラミネーションのためのガス圧力を維持する部材お
よび表面上の隆起した領域に合致させてこの層を押し付
けるための柔軟な加圧部材として役に立つ。ガス圧力の
差を維持するため、またはフォトレジスト形成層を隆起
した領域を有する表面に合致させて押し付けるための加
圧部材を提供するための弾性部材を有する装置におい
て、フィルム支持体は、フォトレジスト形成層が前記装
置の弾力部材またはその他の部分に粘着するのを防止す
る。好ましくは温度変化に対する高い寸法安定性を有す
る適当な支持対フィルムが、高重合体により構成される
広範囲の多種のフィルムから選択し得る。この高重合体
は、例えば、ポリアミド、ポリオレフィン、ポリエステ
ル、ビニル重合体、およびセルロースエステルであり、
好ましくは、0.00025〜0.008インチまたはそれ以上の粘
着性を有するものである。支持体フィルムを取り除く前
に、露光を行なおうとする場合、もちろん、該フィルム
に投射した化学線のほとんどの部分を透過しなければな
らない。露光する前に支持フィルムを取り除いた場合に
は、そのような制限は与えられない。特に適当なフィル
ムは、約0.001インチの厚さを有する透明なポリエチレ
ンテレフタレートフィルムである。適当な取り除き可能
なカバーフィルム（フォトレジスト形成層表面を保護
し、露光工程を実行する前に取り除かれる）は、前記高
分子重合体フィルムの同じ群から選択でき、同じ広範囲
の厚さを有し得る。0.001インチの厚さを有するポリエ
チレンのカバーフィルムが特に適当である。前記支持フ
ィルムおよびカバーフィルムは、光重合性レジストフィ
ルムに良好な保護を提供する。
形成層の一方の面に接着され、層の製造、貯蔵および使
用のためにいずれの場合にも必要とされる。この支持体
は、ラミネーションのためのガス圧力を維持する部材お
よび表面上の隆起した領域に合致させてこの層を押し付
けるための柔軟な加圧部材として役に立つ。ガス圧力の
差を維持するため、またはフォトレジスト形成層を隆起
した領域を有する表面に合致させて押し付けるための加
圧部材を提供するための弾性部材を有する装置におい
て、フィルム支持体は、フォトレジスト形成層が前記装
置の弾力部材またはその他の部分に粘着するのを防止す
る。好ましくは温度変化に対する高い寸法安定性を有す
る適当な支持対フィルムが、高重合体により構成される
広範囲の多種のフィルムから選択し得る。この高重合体
は、例えば、ポリアミド、ポリオレフィン、ポリエステ
ル、ビニル重合体、およびセルロースエステルであり、
好ましくは、0.00025〜0.008インチまたはそれ以上の粘
着性を有するものである。支持体フィルムを取り除く前
に、露光を行なおうとする場合、もちろん、該フィルム
に投射した化学線のほとんどの部分を透過しなければな
らない。露光する前に支持フィルムを取り除いた場合に
は、そのような制限は与えられない。特に適当なフィル
ムは、約0.001インチの厚さを有する透明なポリエチレ
ンテレフタレートフィルムである。適当な取り除き可能
なカバーフィルム（フォトレジスト形成層表面を保護
し、露光工程を実行する前に取り除かれる）は、前記高
分子重合体フィルムの同じ群から選択でき、同じ広範囲
の厚さを有し得る。0.001インチの厚さを有するポリエ
チレンのカバーフィルムが特に適当である。前記支持フ
ィルムおよびカバーフィルムは、光重合性レジストフィ
ルムに良好な保護を提供する。
この工程は、好ましくは、隆起した領域を有する表面に
近接してフォトレジスト形成層を配置し、該層および表
面間のガス圧力を柔軟性部材により２つのチャンバに分
割された装置内の大気圧未満に減少させることにより実
行される。さらに、この圧力を、例えば、柔軟性部材の
一方の面を、大気に解放させることにより増加させるこ
とにより、フォトレジスト形成層および表面をしっかり
と一緒に押し付け得る。この工程は、例えば、市販のデ
ュポンモデルSMUL-300真空ラミネータにより実施され
る。
近接してフォトレジスト形成層を配置し、該層および表
面間のガス圧力を柔軟性部材により２つのチャンバに分
割された装置内の大気圧未満に減少させることにより実
行される。さらに、この圧力を、例えば、柔軟性部材の
一方の面を、大気に解放させることにより増加させるこ
とにより、フォトレジスト形成層および表面をしっかり
と一緒に押し付け得る。この工程は、例えば、市販のデ
ュポンモデルSMUL-300真空ラミネータにより実施され
る。
この発明において、真空ラミネーションの先行技術は、
基板および真空ラミネートされたドライフィルム間の空
隙のない界面が得られないゆえにかなりの点について不
十分である。印刷回路板の製造および隆起したレリーフ
を有する基板表面においてハンダマスクとしてドライフ
ィルムを使用する場合に、隆起した部分および隆起して
いない部分間の間隔、すなわち、絶縁領域と導電領域間
の間隔が減少する。特に、比較的高いレベルを有する領
域において、ピークと谷の間の間隔が減少し、その構造
に接着性を与えるためドライフィルムに加重条件が加え
られるために、通常の真空ラミネーションにおいて空隙
を回避することが困難になる。
基板および真空ラミネートされたドライフィルム間の空
隙のない界面が得られないゆえにかなりの点について不
十分である。印刷回路板の製造および隆起したレリーフ
を有する基板表面においてハンダマスクとしてドライフ
ィルムを使用する場合に、隆起した部分および隆起して
いない部分間の間隔、すなわち、絶縁領域と導電領域間
の間隔が減少する。特に、比較的高いレベルを有する領
域において、ピークと谷の間の間隔が減少し、その構造
に接着性を与えるためドライフィルムに加重条件が加え
られるために、通常の真空ラミネーションにおいて空隙
を回避することが困難になる。
この発明において先に開示されているように、周囲の大
気圧よりも高い均一な流体圧力を、真空ラミネートされ
た回路基板構造全体に均一にかけることが必要である。
加圧液体またはガス性の流体により加えられることが必
要である高圧は、すべての領域および方向おいてドライ
フィルムラミネート構造に対して均一性をもたらす。典
型的には、真空ラミネータから出た後のラミネート構造
は、ついで圧力チャンバ内に置かれ、チャンバの流体圧
力が約１分間以上、少なくとも0.3気圧、好ましくは少
なくとも３気圧周囲よりも高く上昇される。好ましい流
体は、空気または窒素であるが、水または不活性有機物
質のような液体が使用できる。流体による加圧条件は、
空隙のない印刷回路板ラミネートを保証するために幾つ
かの方法で調節し得る。真空ラミネートされた従来のド
ライフィルムハンダマスクのために、ラミネートは、典
型的には、室温（例えば、25〜30℃）、約５〜６気圧
（すなわち、約74〜88psi）周囲よりも高い圧力で約１
分間加圧されることにより、空隙なしになる。ラミネー
ト温度を上昇させることにより、空隙のないラミネート
を生産するために必要な時間を１分間以下に減少させる
か、必要な流体圧を減少させることができる。代わり
に、適用する流体圧を減少させること（例えば、周囲よ
りも約0.3気圧（約5psi）高い程度までに下げること）
により、および／またはラミネート温度を室温未満にす
ることにより空隙のないラミネートを生産するために必
要な時間を１分間を越えて増加させることができる。実
際に使用される条件は、ラミネート構造を加圧するた
め、および像露光前に空隙のないラミネートの一体性を
確実にするように使用される特別の方法を適応すること
を選択し得る。流体加圧は、多数の真空ラミネート構造
をチャンバ内に設置し、流体圧を上昇させるバッチ法に
おいて、または真空ラミネータから出した後、空隙のな
いラミネートを確実にするために必要な時間中、それぞ
れのラミネートを流体加圧チャンバに入れる連続的なイ
ン−ライン法において実行することができる。
気圧よりも高い均一な流体圧力を、真空ラミネートされ
た回路基板構造全体に均一にかけることが必要である。
加圧液体またはガス性の流体により加えられることが必
要である高圧は、すべての領域および方向おいてドライ
フィルムラミネート構造に対して均一性をもたらす。典
型的には、真空ラミネータから出た後のラミネート構造
は、ついで圧力チャンバ内に置かれ、チャンバの流体圧
力が約１分間以上、少なくとも0.3気圧、好ましくは少
なくとも３気圧周囲よりも高く上昇される。好ましい流
体は、空気または窒素であるが、水または不活性有機物
質のような液体が使用できる。流体による加圧条件は、
空隙のない印刷回路板ラミネートを保証するために幾つ
かの方法で調節し得る。真空ラミネートされた従来のド
ライフィルムハンダマスクのために、ラミネートは、典
型的には、室温（例えば、25〜30℃）、約５〜６気圧
（すなわち、約74〜88psi）周囲よりも高い圧力で約１
分間加圧されることにより、空隙なしになる。ラミネー
ト温度を上昇させることにより、空隙のないラミネート
を生産するために必要な時間を１分間以下に減少させる
か、必要な流体圧を減少させることができる。代わり
に、適用する流体圧を減少させること（例えば、周囲よ
りも約0.3気圧（約5psi）高い程度までに下げること）
により、および／またはラミネート温度を室温未満にす
ることにより空隙のないラミネートを生産するために必
要な時間を１分間を越えて増加させることができる。実
際に使用される条件は、ラミネート構造を加圧するた
め、および像露光前に空隙のないラミネートの一体性を
確実にするように使用される特別の方法を適応すること
を選択し得る。流体加圧は、多数の真空ラミネート構造
をチャンバ内に設置し、流体圧を上昇させるバッチ法に
おいて、または真空ラミネータから出した後、空隙のな
いラミネートを確実にするために必要な時間中、それぞ
れのラミネートを流体加圧チャンバに入れる連続的なイ
ン−ライン法において実行することができる。
裏打ち層は良く知られており、かつ通常、真空ラミネー
ション法に提供される。
ション法に提供される。
ネガ型感光性組成物は好ましく、予備形成された重合体
結合剤を含む。使用する場合、単独で、または他のもの
と組み合わせて使用可能な適当な結合剤は以下のものを
含む：ポリアクリレート、アルファ−アルキルポリアク
リレートエステル（例えば、ポリメチルメタクレートお
よびポリエチルメタクレート）、ポリビニルエステル
（例えば、ポリビニルアセテート、ポリビニルアセテー
ト／アクリレート、ポリビニルアセテート／メタクレー
ト、および加水分解されたポリビニルアセテート）、エ
チレン／ビニルアセテート共重合体、ポリスチレンの重
合体および例えば、マレイン酸無水物やエステルとの共
重合体、塩化ビニリデン共重合体（例えば、塩化ビニリ
デン／アクリロニトリル、塩化ビニリデン／メタクレー
ト、塩化ビニリデン／ビニルアセテート共重合体）、ポ
リ塩化ビニルおよび共重合体（例えば、ポリ塩化ビニル
／アセテート）、飽和および不飽和ポリウレタン、合成
ゴム（例えば、ブタジエン／アクリロニトリル、アクリ
ロニトリル／ブタジエン／スチレン、メタクレート／ア
クリロニトリル／ブタジエン／スチレン共重合体、2-ク
ロロ‐ブタジエン‐1,3-ポリマー、塩素化ゴム、および
スチレン／ブタジエン／スチレン、スチレン／イソプレ
ン／スチレンブロック共重合体）4,000〜1,000,000の平
均分子量を有するポリグリコールの高分子量ポリエチレ
ンオキシド、エポキシド（例えば、アクリレートまたは
メタクレート基を含むエポキシド）、コポリエステル
（例えば、一般式HO（CH2）nOH（式中、ｎは２〜10の整
数）有するポリメチレングリコール、および（１）ヘキ
サヒドロテレフタル酸、セバシン酸およびテレフタル
酸、（２）テレフタル酸、イソフタル酸およびセバシン
酸、（３）テレフタル酸およびセバシン酸、（４）テレ
フタル酸およびイソフタル酸の反応生成物から調製され
るもの、および（５）前記グリコールおよび（ｉ）テレ
フタル酸、イソフタル酸およびセバシン酸、（ii）テレ
フタル酸、イソフタル酸、セバシン酸、およびアジピン
酸から調製されるコポリエステルの混合物）、ナイロン
またはポリアミド（例えばN-メトキシメチルポリヘキサ
メチレンアジパミド）、セルロールエステル（例えば、
セルロースアセテート、セルロースアセテートスクシネ
ートおよびセルロースアセテートブチレート）、セルロ
ースエーテル（例えば、メチルセルロース、エチルセル
ロースおよびベンジルセルロース）、ポリカルボネー
ト、ポリビニルアセタール（例えば、ポリビニルブチラ
ールおよびポリビニルホルマール）、およびポリホルム
アルデヒド。
結合剤を含む。使用する場合、単独で、または他のもの
と組み合わせて使用可能な適当な結合剤は以下のものを
含む：ポリアクリレート、アルファ−アルキルポリアク
リレートエステル（例えば、ポリメチルメタクレートお
よびポリエチルメタクレート）、ポリビニルエステル
（例えば、ポリビニルアセテート、ポリビニルアセテー
ト／アクリレート、ポリビニルアセテート／メタクレー
ト、および加水分解されたポリビニルアセテート）、エ
チレン／ビニルアセテート共重合体、ポリスチレンの重
合体および例えば、マレイン酸無水物やエステルとの共
重合体、塩化ビニリデン共重合体（例えば、塩化ビニリ
デン／アクリロニトリル、塩化ビニリデン／メタクレー
ト、塩化ビニリデン／ビニルアセテート共重合体）、ポ
リ塩化ビニルおよび共重合体（例えば、ポリ塩化ビニル
／アセテート）、飽和および不飽和ポリウレタン、合成
ゴム（例えば、ブタジエン／アクリロニトリル、アクリ
ロニトリル／ブタジエン／スチレン、メタクレート／ア
クリロニトリル／ブタジエン／スチレン共重合体、2-ク
ロロ‐ブタジエン‐1,3-ポリマー、塩素化ゴム、および
スチレン／ブタジエン／スチレン、スチレン／イソプレ
ン／スチレンブロック共重合体）4,000〜1,000,000の平
均分子量を有するポリグリコールの高分子量ポリエチレ
ンオキシド、エポキシド（例えば、アクリレートまたは
メタクレート基を含むエポキシド）、コポリエステル
（例えば、一般式HO（CH2）nOH（式中、ｎは２〜10の整
数）有するポリメチレングリコール、および（１）ヘキ
サヒドロテレフタル酸、セバシン酸およびテレフタル
酸、（２）テレフタル酸、イソフタル酸およびセバシン
酸、（３）テレフタル酸およびセバシン酸、（４）テレ
フタル酸およびイソフタル酸の反応生成物から調製され
るもの、および（５）前記グリコールおよび（ｉ）テレ
フタル酸、イソフタル酸およびセバシン酸、（ii）テレ
フタル酸、イソフタル酸、セバシン酸、およびアジピン
酸から調製されるコポリエステルの混合物）、ナイロン
またはポリアミド（例えばN-メトキシメチルポリヘキサ
メチレンアジパミド）、セルロールエステル（例えば、
セルロースアセテート、セルロースアセテートスクシネ
ートおよびセルロースアセテートブチレート）、セルロ
ースエーテル（例えば、メチルセルロース、エチルセル
ロースおよびベンジルセルロース）、ポリカルボネー
ト、ポリビニルアセタール（例えば、ポリビニルブチラ
ールおよびポリビニルホルマール）、およびポリホルム
アルデヒド。
感光性組成物の水性現像（溶媒現像に比較して）が要望
される場合に、結合剤は、該組成物を水性現像で処理可
能にする酸基その他の基を十分に含むべきである。有用
な水性処理可能な結合剤は、米国特許第3,458,311号お
よび米国特許第4,273,857号に開示されている結合剤を
含む。有用な水性処理可能な両性重合体は、米国特許第
4,293,635号において開示されるようなN-アルキルアク
リルアミド、またはメタクリルアミド、酸性フィルム形
成性モノマーおよびアルキルもしくはヒドロキシルアル
キルアクリレートから誘導された相互重合体を含む。現
像において、感光性層は照射により露光されなかった部
分は除去されるが、現像の間じゅう、１重量％炭酸ナト
リウムを含む完全な水溶液のような液体により実質的に
影響を受けない。例示的に述べると、温度40℃で５分間
で液体または溶液により、化学線照射に露光されていな
い化合物の領域は除去されるが、露光された領域は除去
されない。
される場合に、結合剤は、該組成物を水性現像で処理可
能にする酸基その他の基を十分に含むべきである。有用
な水性処理可能な結合剤は、米国特許第3,458,311号お
よび米国特許第4,273,857号に開示されている結合剤を
含む。有用な水性処理可能な両性重合体は、米国特許第
4,293,635号において開示されるようなN-アルキルアク
リルアミド、またはメタクリルアミド、酸性フィルム形
成性モノマーおよびアルキルもしくはヒドロキシルアル
キルアクリレートから誘導された相互重合体を含む。現
像において、感光性層は照射により露光されなかった部
分は除去されるが、現像の間じゅう、１重量％炭酸ナト
リウムを含む完全な水溶液のような液体により実質的に
影響を受けない。例示的に述べると、温度40℃で５分間
で液体または溶液により、化学線照射に露光されていな
い化合物の領域は除去されるが、露光された領域は除去
されない。
単独のモノマーまたはその他と組み合せとして使用可能
な適当なモノマーは、以下のものを含む:t-ブチルアク
リレート、1,5-ペンタンジオールジアクリレート、N,N-
ジエチルアミノエチルアクリレート、エチレングリコー
ルジアクリレート、1,4-ブタンジオールジアクリレー
ト、ジエチレングリコールジアクリレート、ヘキサメチ
レングリコールジアクリレート、1,3-プロパンジオール
ジアクリレート、デカメチレングリコールジアクリレー
ト、デカメチレングリコールジメタクリレート、1,4-シ
クロヘキサンジオールジアクリレート、2,2-ジメチロー
ルプロパンジアクリレート、グリセロールジアクリレー
ト、トリプロピレンジアクリレート、グリセールトリア
クリレート、トリメチロールプロパントリアクリレー
ト、ペンタエリトリトールトリアクリレート、ポリオキ
シエチルレートトリメチロールプロパントリアクリレー
トおよびトリメタクレート、並びに米国特許第3,380,83
1号において開示される同様の化合物、2,2-ジ（p-ヒド
ロキシフェニル）プロパンジアクリレート、ペンタエリ
トリトールテトラアクリレート、2,2-ジ‐（p-ヒドロキ
シフェニル）‐プロパンジメタクレート、トリエチレン
グリコールジアクリレート、ポリオキシエチル‐2,2-ジ
‐（p-ヒドロキシフェニル）‐プロパンジメタクレー
ト、ビスフェノールＡのジ‐（3-メタクリルオキシ‐2-
ヒドロキシプロピル）エーテル、ビスフェノールＡのジ
−（2-メタクリルオキシエチル）エーテル、テトラクロ
ロ‐ビスフェノールＡのジ‐（3-アクリルオキシ‐2-ヒ
ドロキシプロピル）エーテル、テトラクロロ‐ビスフェ
ノールＡのジ‐（2-メタクリル‐オキシエチル）エーテ
ル、テトラブロモ‐ビスフェノールＡのジ‐（3-メタク
リルオキシ‐2-ヒドロキシプロピル）エーテル、テトラ
ブロモ‐ビスフェノールＡのジ‐（2-メタクリルオキシ
エチル）エーテル、1,4-ブタンジオールのジ‐（3-メタ
クリルオキシ‐2-ヒドロキシプロピル）エーテル、ジフ
ェノール酸のジ‐（3-メタクリルオキシ‐2-ヒドロキシ
プロピル）エーテル、トリエチレングリコールジタクリ
レート、ポリオキシプロピルトリメチロールプロパント
リアクリレート（462）、エチレングリコールジメタク
リレート、ブチレングリコールジメタクリレート、1,3-
プロパンジオールジメタクレート、1,2,4-ブタントリオ
ールトリメタクレート、2,2,4-トリメチル‐1,3-ペンタ
ジオールジメタクレート、ペンタエリトリトールトリメ
タクレート、1-フェニルエチレン‐1,2-ジメタクレー
ト、ペンタエリトリトロールテトラメタクレート、トリ
メチロールプロパントリメタクレート、1,5-ペンタンジ
オールジメタクリレート、ジアリルフマレート、スチレ
ン、1,4-ベンゼンジオールジメタクレート、1,4-ジイソ
プロペニルベンゼン、および1,3,5-トリイソプロペニル
ベンゼン。
な適当なモノマーは、以下のものを含む:t-ブチルアク
リレート、1,5-ペンタンジオールジアクリレート、N,N-
ジエチルアミノエチルアクリレート、エチレングリコー
ルジアクリレート、1,4-ブタンジオールジアクリレー
ト、ジエチレングリコールジアクリレート、ヘキサメチ
レングリコールジアクリレート、1,3-プロパンジオール
ジアクリレート、デカメチレングリコールジアクリレー
ト、デカメチレングリコールジメタクリレート、1,4-シ
クロヘキサンジオールジアクリレート、2,2-ジメチロー
ルプロパンジアクリレート、グリセロールジアクリレー
ト、トリプロピレンジアクリレート、グリセールトリア
クリレート、トリメチロールプロパントリアクリレー
ト、ペンタエリトリトールトリアクリレート、ポリオキ
シエチルレートトリメチロールプロパントリアクリレー
トおよびトリメタクレート、並びに米国特許第3,380,83
1号において開示される同様の化合物、2,2-ジ（p-ヒド
ロキシフェニル）プロパンジアクリレート、ペンタエリ
トリトールテトラアクリレート、2,2-ジ‐（p-ヒドロキ
シフェニル）‐プロパンジメタクレート、トリエチレン
グリコールジアクリレート、ポリオキシエチル‐2,2-ジ
‐（p-ヒドロキシフェニル）‐プロパンジメタクレー
ト、ビスフェノールＡのジ‐（3-メタクリルオキシ‐2-
ヒドロキシプロピル）エーテル、ビスフェノールＡのジ
−（2-メタクリルオキシエチル）エーテル、テトラクロ
ロ‐ビスフェノールＡのジ‐（3-アクリルオキシ‐2-ヒ
ドロキシプロピル）エーテル、テトラクロロ‐ビスフェ
ノールＡのジ‐（2-メタクリル‐オキシエチル）エーテ
ル、テトラブロモ‐ビスフェノールＡのジ‐（3-メタク
リルオキシ‐2-ヒドロキシプロピル）エーテル、テトラ
ブロモ‐ビスフェノールＡのジ‐（2-メタクリルオキシ
エチル）エーテル、1,4-ブタンジオールのジ‐（3-メタ
クリルオキシ‐2-ヒドロキシプロピル）エーテル、ジフ
ェノール酸のジ‐（3-メタクリルオキシ‐2-ヒドロキシ
プロピル）エーテル、トリエチレングリコールジタクリ
レート、ポリオキシプロピルトリメチロールプロパント
リアクリレート（462）、エチレングリコールジメタク
リレート、ブチレングリコールジメタクリレート、1,3-
プロパンジオールジメタクレート、1,2,4-ブタントリオ
ールトリメタクレート、2,2,4-トリメチル‐1,3-ペンタ
ジオールジメタクレート、ペンタエリトリトールトリメ
タクレート、1-フェニルエチレン‐1,2-ジメタクレー
ト、ペンタエリトリトロールテトラメタクレート、トリ
メチロールプロパントリメタクレート、1,5-ペンタンジ
オールジメタクリレート、ジアリルフマレート、スチレ
ン、1,4-ベンゼンジオールジメタクレート、1,4-ジイソ
プロペニルベンゼン、および1,3,5-トリイソプロペニル
ベンゼン。
別のクラスのモノマーは、アルキレンまたは２〜15個の
炭素を有するアルキレングリコールから調製されるポリ
アルキレングリコールジアクリレート若しくは１〜10個
のエーテル結合を有するポリアルキレンエーテルグリコ
ール、および米国特許第2,927,022号において開示され
ているもの（例えば、特に、存在する場合、末端結合と
して複数の付加重合可能なエチレン結合を有するもの）
である。特に好ましいものは、そのような結合の少なく
とも一つ、好ましくはほとんどが、二重結合炭素と共役
しているものである。前記二重結合炭素は、炭素に、お
よび窒素原子、酸素原子および硫黄原子のようなヘテロ
原子に二重結合した炭素を含んでいる。エチレン性不飽
和基、特にビニリデン基が、エーテルまたはアミド構造
と共役しているような物質が顕著である。
炭素を有するアルキレングリコールから調製されるポリ
アルキレングリコールジアクリレート若しくは１〜10個
のエーテル結合を有するポリアルキレンエーテルグリコ
ール、および米国特許第2,927,022号において開示され
ているもの（例えば、特に、存在する場合、末端結合と
して複数の付加重合可能なエチレン結合を有するもの）
である。特に好ましいものは、そのような結合の少なく
とも一つ、好ましくはほとんどが、二重結合炭素と共役
しているものである。前記二重結合炭素は、炭素に、お
よび窒素原子、酸素原子および硫黄原子のようなヘテロ
原子に二重結合した炭素を含んでいる。エチレン性不飽
和基、特にビニリデン基が、エーテルまたはアミド構造
と共役しているような物質が顕著である。
化学線により活性化でき、かつ185℃以下において熱不
活性な好ましいラジカル発生付加重合開始剤は、共役炭
素環系内の２つの環内炭素を有する化合物である飽和若
しくは不飽和多核キノンを含む。該ラジカル付加重合開
始剤は、例えば、9,10-アンスラキノン、1-クロロアン
スラキノン、2-クロロアンスラキノン、2-メチルアンス
ラキノン、2-エチルアンスラキノン、2-tert-ブチルア
ンスラキノン、オクタメチルアンスラキノン、1,4-ナフ
トキノン、9,10-フェナントレンキノリン、1,2-ベンズ
アンスラキノン、2,3-ベンズアンスラキノン、2-メチル
‐1,4-ナフトキノン、2,3-ジクロロナフトキノン、1,4-
ジメチルアンスラキノン、2,3-ジメチルアンスラキノ
ン、2-フェニルアンスラキノン、2,3-ジフェニルアンス
ラキノン、アンスラキノンアルファ硫酸ナトリウム塩、
3-クロロ‐2-メチルアンスラキノン、レテンキノン、7,
8,9,10-テトラヒドロ‐ナフタセンキノン、および1,2,
3,4-テトラヒドロベンズ（ａ）‐アンスラセン‐7,12-
ジオンである。同様に有用であるが、いくつかは85℃と
いう低い温度で熱活性のある光開始剤は、米国特許第2,
760,860号において開示され、隣位ケトアルドニル（ket
oaldonyl）アルコールを含む。このアルコールは、ベン
ゾイン、ピバロイン、アシロインエーテル（例えば、ベ
ンゾインメチルおよびエチルエーテル）、α‐ヒドロカ
−ボン置換芳香族アシロイン（a-メチルベンゾイン、α
‐アリルベンゾインおよびα‐フェニルベンゾインを含
む）のようなものである。フェナジン、オキサジンおよ
びキノン類の染料と同様に、光還元可能な染料および還
元剤は、米国特許第2,850,445号、第2,875,047号、第3,
097,096号、第3,074,974号、第3,097,097号および第3,1
45,104号において開示されている。米国特許第3,427,16
1号、第3,479,185号および第3,549,367号において開示
されるミヒラーケトン、ベンゾフェノン、水素供与体を
有する2,4,5-トリフェニル‐イミダゾール二量体および
それらの混合物は、開始剤として使用し得る。同様に光
開始剤および光禁止剤とともに有用なものは、米国特許
第4,162,162号において開示される増感剤である。
活性な好ましいラジカル発生付加重合開始剤は、共役炭
素環系内の２つの環内炭素を有する化合物である飽和若
しくは不飽和多核キノンを含む。該ラジカル付加重合開
始剤は、例えば、9,10-アンスラキノン、1-クロロアン
スラキノン、2-クロロアンスラキノン、2-メチルアンス
ラキノン、2-エチルアンスラキノン、2-tert-ブチルア
ンスラキノン、オクタメチルアンスラキノン、1,4-ナフ
トキノン、9,10-フェナントレンキノリン、1,2-ベンズ
アンスラキノン、2,3-ベンズアンスラキノン、2-メチル
‐1,4-ナフトキノン、2,3-ジクロロナフトキノン、1,4-
ジメチルアンスラキノン、2,3-ジメチルアンスラキノ
ン、2-フェニルアンスラキノン、2,3-ジフェニルアンス
ラキノン、アンスラキノンアルファ硫酸ナトリウム塩、
3-クロロ‐2-メチルアンスラキノン、レテンキノン、7,
8,9,10-テトラヒドロ‐ナフタセンキノン、および1,2,
3,4-テトラヒドロベンズ（ａ）‐アンスラセン‐7,12-
ジオンである。同様に有用であるが、いくつかは85℃と
いう低い温度で熱活性のある光開始剤は、米国特許第2,
760,860号において開示され、隣位ケトアルドニル（ket
oaldonyl）アルコールを含む。このアルコールは、ベン
ゾイン、ピバロイン、アシロインエーテル（例えば、ベ
ンゾインメチルおよびエチルエーテル）、α‐ヒドロカ
−ボン置換芳香族アシロイン（a-メチルベンゾイン、α
‐アリルベンゾインおよびα‐フェニルベンゾインを含
む）のようなものである。フェナジン、オキサジンおよ
びキノン類の染料と同様に、光還元可能な染料および還
元剤は、米国特許第2,850,445号、第2,875,047号、第3,
097,096号、第3,074,974号、第3,097,097号および第3,1
45,104号において開示されている。米国特許第3,427,16
1号、第3,479,185号および第3,549,367号において開示
されるミヒラーケトン、ベンゾフェノン、水素供与体を
有する2,4,5-トリフェニル‐イミダゾール二量体および
それらの混合物は、開始剤として使用し得る。同様に光
開始剤および光禁止剤とともに有用なものは、米国特許
第4,162,162号において開示される増感剤である。
光重合性組成物において使用可能な熱重合禁止剤は、p-
メトキシフェノール、ヒドロキノン、アルキル或いはア
リール置換されたヒドロキノンおよびキノン、tert-ブ
チルカテコール、ピロガロール、銅レジネート、ナフチ
ルアミン、ベータ‐ナフトール、塩化第一銅、2,6-ジ‐
tert-ブチル‐p-クレゾール、フェノチアジン、ピリジ
ン、ニトロベンゼンおよびジニトロベンゼン、p-トルキ
ノンおよびクロルアニルである。同様に有用な熱重合禁
止剤は、米国特許第4,168,982号において開示されるニ
トロソ化合物である。
メトキシフェノール、ヒドロキノン、アルキル或いはア
リール置換されたヒドロキノンおよびキノン、tert-ブ
チルカテコール、ピロガロール、銅レジネート、ナフチ
ルアミン、ベータ‐ナフトール、塩化第一銅、2,6-ジ‐
tert-ブチル‐p-クレゾール、フェノチアジン、ピリジ
ン、ニトロベンゼンおよびジニトロベンゼン、p-トルキ
ノンおよびクロルアニルである。同様に有用な熱重合禁
止剤は、米国特許第4,168,982号において開示されるニ
トロソ化合物である。
様々の染料および顔料は、レジスト像の可視性を増大さ
せるために添加することができる。しかしながら、使用
されるいづれかの色素も、好ましくは、使用される化学
線照射に対して透過性でなければならない。
せるために添加することができる。しかしながら、使用
されるいづれかの色素も、好ましくは、使用される化学
線照射に対して透過性でなければならない。
モノマー、開始系および結合剤を基にとして、これらの
組成物は、通常、モノマー20〜40重量部、開始系0.01〜
10.0重量部および結合剤10〜90重量部を含んでいる。さ
らに通常は、モノマー25〜35部、開始系1.0〜8.0部およ
び結合剤40〜70部を含んでいる。典型的には、粒子は10
〜45重量部、最も好ましくは25〜35部の割合で存在して
いる。これよりも低い割合および高い割合は、この明細
書に開示される結果を得るという条件で使用することが
できる。
組成物は、通常、モノマー20〜40重量部、開始系0.01〜
10.0重量部および結合剤10〜90重量部を含んでいる。さ
らに通常は、モノマー25〜35部、開始系1.0〜8.0部およ
び結合剤40〜70部を含んでいる。典型的には、粒子は10
〜45重量部、最も好ましくは25〜35部の割合で存在して
いる。これよりも低い割合および高い割合は、この明細
書に開示される結果を得るという条件で使用することが
できる。
この発明の流体加圧工程は、従来の真空ラミネーション
の文脈において開示されているが、同様に、従来のドラ
イフィルムフォトレジストを銅貼り基板物質または電気
伝導性回路板もしくはデバイスを製造するための基板物
質に、ラミネーションする際に閉じ込められた微細な泡
または空隙を除去するために有用である。このような従
来のラミネーション工程の説明は、セレステの米国特許
第3,469,982号において開示されるものである。同様
に、ドライフィルムラミネーションについての説明は、
フィクス（Fickes）の米国特許第4,069,076号において
開示されるようなドライフィルムラミネーションが水ま
たは液体のような流体界面により補助されているもので
ある。この発明において使用される典型的な基板物質
は、粗織りガラス繊維、銅貼り表面が規則正しい低い織
り領域を有するエポキシ基板、および研磨して洗浄され
またはスクラブされる銅貼り基板である。
の文脈において開示されているが、同様に、従来のドラ
イフィルムフォトレジストを銅貼り基板物質または電気
伝導性回路板もしくはデバイスを製造するための基板物
質に、ラミネーションする際に閉じ込められた微細な泡
または空隙を除去するために有用である。このような従
来のラミネーション工程の説明は、セレステの米国特許
第3,469,982号において開示されるものである。同様
に、ドライフィルムラミネーションについての説明は、
フィクス（Fickes）の米国特許第4,069,076号において
開示されるようなドライフィルムラミネーションが水ま
たは液体のような流体界面により補助されているもので
ある。この発明において使用される典型的な基板物質
は、粗織りガラス繊維、銅貼り表面が規則正しい低い織
り領域を有するエポキシ基板、および研磨して洗浄され
またはスクラブされる銅貼り基板である。
この発明をより詳細に説明するために、以下の実施例が
提供される。
提供される。
バークレルタイプ（Vacrel Type）8100ドライフィルム
ハンダマスクを使用し、約3.5ミルの隆起した高さを有
する立体回路を有する印刷回路板を、標準ハンダマスク
真空ラミネータ、すなわちSMUL-300中で、150〜160゜Ｆ
で、０〜６バールの真空圧で、ラミネートした。次いで
パネルを検査し、接近して配置された回路トレースとフ
ィルムが十分に流されていない高い回路トレースの側面
の間の幾つかの範囲に閉じ込められた泡があることが分
かった。これらの泡は、ドライフィルムが基板に対して
回路高さにわたり流れることができないことにより生じ
る。これらの閉じ込められた泡を除去するために、ラミ
ネートされたパネルを約25℃の室温の加圧チャンバ内に
置いた。該チャンバは、空気を用いて80psi（周囲より
も約5.4気圧高い）の圧力で、一分間加圧された。加圧
チャンバ内の観察窓を介して、増大された圧力が、カバ
ーシートによりバークレルドライフィルムをその場で押
し出して、回路を包み、空隙を除去することが観察され
た。
ハンダマスクを使用し、約3.5ミルの隆起した高さを有
する立体回路を有する印刷回路板を、標準ハンダマスク
真空ラミネータ、すなわちSMUL-300中で、150〜160゜Ｆ
で、０〜６バールの真空圧で、ラミネートした。次いで
パネルを検査し、接近して配置された回路トレースとフ
ィルムが十分に流されていない高い回路トレースの側面
の間の幾つかの範囲に閉じ込められた泡があることが分
かった。これらの泡は、ドライフィルムが基板に対して
回路高さにわたり流れることができないことにより生じ
る。これらの閉じ込められた泡を除去するために、ラミ
ネートされたパネルを約25℃の室温の加圧チャンバ内に
置いた。該チャンバは、空気を用いて80psi（周囲より
も約5.4気圧高い）の圧力で、一分間加圧された。加圧
チャンバ内の観察窓を介して、増大された圧力が、カバ
ーシートによりバークレルドライフィルムをその場で押
し出して、回路を包み、空隙を除去することが観察され
た。
加圧工程の前に、マイラー（登録商標）ポリエステルカ
バーシートを取り除くことを除いて、この実施例を繰り
返した。再び、空隙のない界面が得られた。加圧よりも
先に、カバーシートを取り除くことは、カバーシートが
次の像露光に必要ではない場合に好ましいと考えられ
た。
バーシートを取り除くことを除いて、この実施例を繰り
返した。再び、空隙のない界面が得られた。加圧よりも
先に、カバーシートを取り除くことは、カバーシートが
次の像露光に必要ではない場合に好ましいと考えられ
た。
Claims (2)
- 【請求項１】感光性ハンダマスク用ドライフィルムと隆
起したレリーフを有する印刷回路板との間の実質的に空
隙のない界面を得るための以下の工程を包含する方法 （ａ）該印刷回路板上に該感光性ハンダマスク用ドライ
フィルムを真空ラミネートする工程、 （ｂ）周囲圧力において該印刷回路板上の該感光性ハン
ダマスク用ドライフィルムのラミネートを得るために真
空を開放する工程、 （ｃ）加圧されたガスにより周囲よりも少なくとも0.3
気圧高い、均一な高圧を該ラミネートに加えることによ
り、該印刷回路板表面−該感光性ハンダマスク用ドライ
フィルム界面に閉じ込められた空隙を除去する工程、お
よび、 （ｄ）均一な高圧を開放する工程。 - 【請求項２】感光性ハンダマスク用ドライフィルムと印
刷回路板との間の実質的に空隙のない界面を得るための
以下の工程を包含する方法 （ａ）ラミネートを形成するために、該印刷回路板上に
該ハンダマスク用感光性ドライフィルムをラミネートす
る工程、 （ｂ）加圧されたガスにより周囲よりも少なくとも0.3
気圧高い、均一な高圧を該ラミネートに加えることによ
り、該印刷回路板表面−該感光性ハンダマスク用ドライ
フィルム界面に閉じ込められた空隙または泡を除去する
工程、および、 （ｃ）均一な高圧を開放する工程。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US07/288,915 US4927733A (en) | 1988-12-23 | 1988-12-23 | Conformation of vacuum - laminated solder mask coated printed circuit boards by fluid pressurizing |
| US288915 | 1988-12-23 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02226152A JPH02226152A (ja) | 1990-09-07 |
| JPH072411B2 true JPH072411B2 (ja) | 1995-01-18 |
Family
ID=23109211
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1336163A Expired - Lifetime JPH072411B2 (ja) | 1988-12-23 | 1989-12-25 | 真空ラミネートハンダマスク被覆印刷回路板の製造方法 |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4927733A (ja) |
| EP (1) | EP0382936A3 (ja) |
| JP (1) | JPH072411B2 (ja) |
| CN (1) | CN1043800A (ja) |
| CA (1) | CA2006206A1 (ja) |
Families Citing this family (15)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5116718A (en) * | 1989-09-28 | 1992-05-26 | At&T Bell Laboratories | Contact printing process |
| US5006182A (en) * | 1989-11-17 | 1991-04-09 | E. I. Du Pont De Nemours And Company | Method for fabricating multilayer circuits |
| JP2747096B2 (ja) * | 1990-07-24 | 1998-05-06 | 北川工業株式会社 | ３次元回路基板の製造方法 |
| DE4222267A1 (de) * | 1991-09-19 | 1993-04-01 | Anger Electronic Gmbh | Vorrichtung zum kaschieren (laminieren) von bedruckten und unbedruckten folien |
| JPH0669649A (ja) * | 1992-08-21 | 1994-03-11 | Toppan Printing Co Ltd | プリント配線板の製造方法 |
| IT1274181B (it) * | 1994-05-18 | 1997-07-15 | Amedeo Candore | Laminazione di pellicole fotosensibili per formare una maschera di saldatura su schede di circuito stampato |
| US6306237B1 (en) * | 1995-11-28 | 2001-10-23 | Roy D. Wemyss | Lamination of surfaces using pressurized liquid |
| US6037096A (en) * | 1998-05-26 | 2000-03-14 | International Business Machines Corporation | Film composition and method for a planar surface atop a plated through hole |
| US6090474A (en) * | 1998-09-01 | 2000-07-18 | International Business Machines Corporation | Flowable compositions and use in filling vias and plated through-holes |
| IT1313117B1 (it) * | 1999-08-25 | 2002-06-17 | Morton Int Inc | Apparecchiatura di applicazione a vuoto dotata di mezzi trasportatorie procedimento per applicare un resist a film secco ad un pannello di |
| EP1117006A1 (en) * | 2000-01-14 | 2001-07-18 | Shipley Company LLC | Photoresist having increased photospeed |
| KR20070009760A (ko) * | 2005-07-14 | 2007-01-19 | 삼성전자주식회사 | 액정표시장치의 제조장치와 액정표시장치의 제조방법 |
| JP4993068B2 (ja) * | 2006-08-21 | 2012-08-08 | 富士電機株式会社 | 絶縁膜形成方法 |
| US9902006B2 (en) | 2014-07-25 | 2018-02-27 | Raytheon Company | Apparatus for cleaning an electronic circuit board |
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Citations (1)
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|---|---|---|---|---|
| US4127436A (en) | 1975-04-17 | 1978-11-28 | E. I. Du Pont De Nemours And Company | Vacuum laminating process |
Family Cites Families (10)
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|---|---|---|---|---|
| GB1508129A (en) * | 1975-10-20 | 1978-04-19 | Microwave & Electronic Syst | Application of photosensitive material to an article |
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| JPS56150548A (en) * | 1980-04-24 | 1981-11-21 | Fujitsu Ltd | Method of laminating dry film |
| JPS59206200A (ja) * | 1983-05-06 | 1984-11-21 | Mitsubishi Monsanto Chem Co | 積層体製造用金型及び積層体の製造方法 |
| FR2587273B1 (fr) * | 1985-09-19 | 1988-04-08 | Darragon Sa | Procede et presse-autoclave de stratification de circuits imprimes multicouches et/ou de plastification d'elements plats, et dispositif de transformation en presse-autoclave de ce type |
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| JPS62196146A (ja) * | 1986-02-21 | 1987-08-29 | 鳴海製陶株式会社 | セラミツクシ−ト積層体の圧着装置 |
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| CA2006205A1 (en) * | 1988-12-23 | 1990-06-23 | Gary K. Stout | Bubble free liquid solder mask-coated printed circuit boards by fluid pressurizing |
-
1988
- 1988-12-23 US US07/288,915 patent/US4927733A/en not_active Expired - Lifetime
-
1989
- 1989-12-20 EP EP19890123538 patent/EP0382936A3/en not_active Withdrawn
- 1989-12-20 CA CA002006206A patent/CA2006206A1/en not_active Abandoned
- 1989-12-23 CN CN89109483A patent/CN1043800A/zh active Pending
- 1989-12-25 JP JP1336163A patent/JPH072411B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4127436A (en) | 1975-04-17 | 1978-11-28 | E. I. Du Pont De Nemours And Company | Vacuum laminating process |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| EP0382936A2 (en) | 1990-08-22 |
| CA2006206A1 (en) | 1990-06-23 |
| CN1043800A (zh) | 1990-07-11 |
| US4927733A (en) | 1990-05-22 |
| JPH02226152A (ja) | 1990-09-07 |
| EP0382936A3 (en) | 1991-11-21 |
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