JPH07235577A - 配線評価装置およびその使用方法 - Google Patents
配線評価装置およびその使用方法Info
- Publication number
- JPH07235577A JPH07235577A JP6027934A JP2793494A JPH07235577A JP H07235577 A JPH07235577 A JP H07235577A JP 6027934 A JP6027934 A JP 6027934A JP 2793494 A JP2793494 A JP 2793494A JP H07235577 A JPH07235577 A JP H07235577A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- wiring
- layer
- temperature
- melting point
- resistance
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Landscapes
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 高電流密度印加時の配線の発熱による温度を
高い精度で特定して、確度のよいエレクトロマイグレー
ション耐性評価を可能とする。 【構成】 ｐ型シリコン基板３１の上に気相成長法で形
成されたｎ層３２および熱拡散法で形成されたｐ層２２
と、その表面に設けられたフィールド酸化膜３３の二つ
の開口部に、コンタクトのｎ+層２１およびｐ+層２３
と、ダイオード電極２４，２５を設け、フィールド酸化
膜３３の表面の第１のＡｌ配線２６および第１のＷ配線
２７と、層間絶縁膜３４の表面の第２のＡｌ配線２８お
よび第２のＷ配線２９と、チップ表面を覆うパッシベー
ション膜３５とを有する。
高い精度で特定して、確度のよいエレクトロマイグレー
ション耐性評価を可能とする。 【構成】 ｐ型シリコン基板３１の上に気相成長法で形
成されたｎ層３２および熱拡散法で形成されたｐ層２２
と、その表面に設けられたフィールド酸化膜３３の二つ
の開口部に、コンタクトのｎ+層２１およびｐ+層２３
と、ダイオード電極２４，２５を設け、フィールド酸化
膜３３の表面の第１のＡｌ配線２６および第１のＷ配線
２７と、層間絶縁膜３４の表面の第２のＡｌ配線２８お
よび第２のＷ配線２９と、チップ表面を覆うパッシベー
ション膜３５とを有する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、配線評価装置およびそ
の使用方法に関し、特に、多層の配線の構造を持つ半導
体デバイスのエレクトロマイグレーション耐性評価を行
い、半導体製品の設計基準を定める配線評価装置および
その使用方法に関するものである。
の使用方法に関し、特に、多層の配線の構造を持つ半導
体デバイスのエレクトロマイグレーション耐性評価を行
い、半導体製品の設計基準を定める配線評価装置および
その使用方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来、表面が絶縁層で覆われた半導体基
板の上層に形成される配線層と層間絶縁膜とを有する多
層配線構造を持つ半導体デバイスの配線エレクトロマイ
グレーション耐性の評価は、半導体基板あるいは評価対
象とする配線の近傍の絶縁膜に温度測定用素子を設け、
その配線温度を測定して、評価対象とする配線のエレク
トロマイグレーション耐性を評価することが提案されて
いる（例：特開平２−９０６４６号公報）。
板の上層に形成される配線層と層間絶縁膜とを有する多
層配線構造を持つ半導体デバイスの配線エレクトロマイ
グレーション耐性の評価は、半導体基板あるいは評価対
象とする配線の近傍の絶縁膜に温度測定用素子を設け、
その配線温度を測定して、評価対象とする配線のエレク
トロマイグレーション耐性を評価することが提案されて
いる（例：特開平２−９０６４６号公報）。
【０００３】以下に従来の配線評価装置およびその方法
について説明する。図６は従来の配線評価装置の断面図
である。図６に示すように、ｐ型シリコン基板１の上に
気相成長法で形成されたｎ層２がある。その内部に熱拡
散で形成されたｐ層３がある。シリコン基板１表面には
二つの開口部をもつフィールド酸化膜４が形成されてい
る。その開口部には、コンタクトのｎ+層５およびｐ+層
６と、ダイオード電極７，８が設けられている。フィー
ルド酸化膜４の表面には第１のアルミニウム（Ａｌ）配
線９が、さらに層間絶縁膜１０の表面に第２のＡｌ配線
１１が形成され、最後にチップ表面を覆うパッシベーシ
ョン膜１２が形成されている。
について説明する。図６は従来の配線評価装置の断面図
である。図６に示すように、ｐ型シリコン基板１の上に
気相成長法で形成されたｎ層２がある。その内部に熱拡
散で形成されたｐ層３がある。シリコン基板１表面には
二つの開口部をもつフィールド酸化膜４が形成されてい
る。その開口部には、コンタクトのｎ+層５およびｐ+層
６と、ダイオード電極７，８が設けられている。フィー
ルド酸化膜４の表面には第１のアルミニウム（Ａｌ）配
線９が、さらに層間絶縁膜１０の表面に第２のＡｌ配線
１１が形成され、最後にチップ表面を覆うパッシベーシ
ョン膜１２が形成されている。
【０００４】上記配線評価装置の使用方法は、エレクト
ロマイグレーション耐性評価しようとする対象の第１の
Ａｌ配線９および第２のＡｌ配線１１の電流印加時の配
線温度を、ｎ層２とｐ層３のｐｎ接合部の順方向電圧降
下Ｖｐの温度係数を利用して測定し、第１のＡｌ配線９
および第２のＡｌ配線１１のエレクトロマイグレーショ
ン耐性評価を行い、それによって半導体製品の設計基準
を定めていた。
ロマイグレーション耐性評価しようとする対象の第１の
Ａｌ配線９および第２のＡｌ配線１１の電流印加時の配
線温度を、ｎ層２とｐ層３のｐｎ接合部の順方向電圧降
下Ｖｐの温度係数を利用して測定し、第１のＡｌ配線９
および第２のＡｌ配線１１のエレクトロマイグレーショ
ン耐性評価を行い、それによって半導体製品の設計基準
を定めていた。
【０００５】図７は従来の配線評価装置の別の断面図で
ある。図７に示すように、ｐ型シリコン基板１１の上の
フィールド酸化膜１２の表面に第１のＡｌ配線１３が設
けられている。また層間絶縁膜１４の表面には第２のＡ
ｌ配線１５が形成されている。シリコン基板１１表面を
覆うパッシベーション膜１６が形成されている。パッシ
ベーション膜１６の表面には薄膜抵抗層１７が形成され
ており、その両端が抵抗電極層１８，１９によって接続
されている。
ある。図７に示すように、ｐ型シリコン基板１１の上の
フィールド酸化膜１２の表面に第１のＡｌ配線１３が設
けられている。また層間絶縁膜１４の表面には第２のＡ
ｌ配線１５が形成されている。シリコン基板１１表面を
覆うパッシベーション膜１６が形成されている。パッシ
ベーション膜１６の表面には薄膜抵抗層１７が形成され
ており、その両端が抵抗電極層１８，１９によって接続
されている。
【０００６】上記配線評価装置の使用方法は、パッシベ
ーション膜１６の表面に両端が抵抗電極層１８，１９と
接続された薄膜抵抗層１７が設けられているので、薄膜
抵抗層１７の抵抗値を利用して、エレクトロマイグレー
ション耐性評価を行う対象の第１のＡｌ配線１３および
第２のＡｌ配線１５の電流印加時の配線温度を測定し、
第１のＡｌ配線１３および第２のＡｌ配線１５のエレク
トロマイグレーション耐性評価を行う。
ーション膜１６の表面に両端が抵抗電極層１８，１９と
接続された薄膜抵抗層１７が設けられているので、薄膜
抵抗層１７の抵抗値を利用して、エレクトロマイグレー
ション耐性評価を行う対象の第１のＡｌ配線１３および
第２のＡｌ配線１５の電流印加時の配線温度を測定し、
第１のＡｌ配線１３および第２のＡｌ配線１５のエレク
トロマイグレーション耐性評価を行う。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】一般に、高電流密度に
よる信頼性評価の場合には、評価される配線から発生す
るジュール発熱による温度上昇がいちじるしくなり、比
較的融点の低い配線では結晶体が変化し、温度依存抵抗
係数および配線抵抗値を利用した配線温度の特定値と、
実際の配線温度に誤差が生じることが特開昭６３−５１
６５４号公報の図３に示されている。このため、従来の
配線温度測定による配線寿命予測の信頼性になお改善の
余地が残されており、適切な半導体製品の設計基準を定
めるのに支障をきたすおそれがあった。
よる信頼性評価の場合には、評価される配線から発生す
るジュール発熱による温度上昇がいちじるしくなり、比
較的融点の低い配線では結晶体が変化し、温度依存抵抗
係数および配線抵抗値を利用した配線温度の特定値と、
実際の配線温度に誤差が生じることが特開昭６３−５１
６５４号公報の図３に示されている。このため、従来の
配線温度測定による配線寿命予測の信頼性になお改善の
余地が残されており、適切な半導体製品の設計基準を定
めるのに支障をきたすおそれがあった。
【０００８】また、上述した従来の半導体評価装置の場
合は、評価対象となる配線自体の温度測定を行っている
ので、あくまで近傍の温度を測定している。このため、
温度測定素子の測定誤差を考慮すれば、測定によって得
られる温度の値の精度は、高信頼を要求される半導体製
品の設計基準を定めるために十分とは言えないものであ
った。
合は、評価対象となる配線自体の温度測定を行っている
ので、あくまで近傍の温度を測定している。このため、
温度測定素子の測定誤差を考慮すれば、測定によって得
られる温度の値の精度は、高信頼を要求される半導体製
品の設計基準を定めるために十分とは言えないものであ
った。
【０００９】本発明の目的は、多層配線構造を有した半
導体装置の電流印加時の配線温度を、高精度で特定し、
確度のよいエレクトロマイグレーション耐性評価がで
き、高信頼を要求される半導体製品の設計基準を定める
ための配線評価装置とその使用方法を提供することにあ
る。
導体装置の電流印加時の配線温度を、高精度で特定し、
確度のよいエレクトロマイグレーション耐性評価がで
き、高信頼を要求される半導体製品の設計基準を定める
ための配線評価装置とその使用方法を提供することにあ
る。
【００１０】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に本発明の配線評価装置は、絶縁層を形成させた半導体
基板の上部に、配線層と層間絶縁膜とを順次形成させた
多層配線に、前記配線と同層で同形状の高融点配線と、
前記配線と前記高融点配線から等距離で、前記半導体基
板あるいは前記層間絶縁膜上に温度測定用素子を有す
る。
に本発明の配線評価装置は、絶縁層を形成させた半導体
基板の上部に、配線層と層間絶縁膜とを順次形成させた
多層配線に、前記配線と同層で同形状の高融点配線と、
前記配線と前記高融点配線から等距離で、前記半導体基
板あるいは前記層間絶縁膜上に温度測定用素子を有す
る。
【００１１】上記課題を解決するために本発明の配線評
価装置の使用方法は、絶縁層を形成させた半導体基板の
上部に、配線層と層間絶縁膜とを順次形成させた多層配
線に、前記配線と同層で同形状の高融点配線と、前記配
線と前記高融点配線から等距離で、前記半導体基板ある
いは前記層間絶縁膜に温度測定用素子を有し、前記高融
点配線のみに電流を印加したときの前記高融点配線の温
度と、このときの前記温度測定素子の感応度の関係を測
定し、前記配線のみに電流を印加したときの前記配線の
温度を特定している。
価装置の使用方法は、絶縁層を形成させた半導体基板の
上部に、配線層と層間絶縁膜とを順次形成させた多層配
線に、前記配線と同層で同形状の高融点配線と、前記配
線と前記高融点配線から等距離で、前記半導体基板ある
いは前記層間絶縁膜に温度測定用素子を有し、前記高融
点配線のみに電流を印加したときの前記高融点配線の温
度と、このときの前記温度測定素子の感応度の関係を測
定し、前記配線のみに電流を印加したときの前記配線の
温度を特定している。
【００１２】
【作用】本発明の配線評価装置およびその使用方法によ
れば、高融点配線のみに電流印加したときの温度測定素
子の感応度と、評価対象配線のみに電流印加したときの
温度測定素子の感応度が同じであれば、このときの高融
点配線と評価対象配線の温度が同じとなる。高融点配線
のみに電流を印加したときの高融点配線温度と、このと
きの温度測定素子の感応度のモニタ結果があれば、評価
対象配線のみの電流印加時の評価対象配線温度が、高融
点配線温度と温度測定素子の感応度のモニタ結果と比較
して特定することができる。
れば、高融点配線のみに電流印加したときの温度測定素
子の感応度と、評価対象配線のみに電流印加したときの
温度測定素子の感応度が同じであれば、このときの高融
点配線と評価対象配線の温度が同じとなる。高融点配線
のみに電流を印加したときの高融点配線温度と、このと
きの温度測定素子の感応度のモニタ結果があれば、評価
対象配線のみの電流印加時の評価対象配線温度が、高融
点配線温度と温度測定素子の感応度のモニタ結果と比較
して特定することができる。
【００１３】特に、高電流印加時において、高融点配線
の結晶体は安定であり、温度依存抵抗係数および配線抵
抗値を利用して高精度で高融点配線温度が特定できるた
め、高電流印加により結晶体が不安定な評価対象となる
配線の温度を特定することが可能となる。また、温度測
定素子は評価対象とする配線の近傍に設置する必要がな
くなる。このとき温度測定用素子は、評価対象配線と高
融点配線とから等距離に設置すればよい。これによって
温度測定用素子と評価対象とする配線との間の距離によ
って生じる配線温度測定誤差は非常に小さくおさえられ
る。
の結晶体は安定であり、温度依存抵抗係数および配線抵
抗値を利用して高精度で高融点配線温度が特定できるた
め、高電流印加により結晶体が不安定な評価対象となる
配線の温度を特定することが可能となる。また、温度測
定素子は評価対象とする配線の近傍に設置する必要がな
くなる。このとき温度測定用素子は、評価対象配線と高
融点配線とから等距離に設置すればよい。これによって
温度測定用素子と評価対象とする配線との間の距離によ
って生じる配線温度測定誤差は非常に小さくおさえられ
る。
【００１４】したがって、多層配線構造を有する半導体
装置に使用される評価対象配線の温度を、より高精度で
特定ができ、より高信頼な多層配線構造を有する半導体
装置のより高信頼なエレクトロマイグレーション耐性評
価を行うことができる。
装置に使用される評価対象配線の温度を、より高精度で
特定ができ、より高信頼な多層配線構造を有する半導体
装置のより高信頼なエレクトロマイグレーション耐性評
価を行うことができる。
【００１５】
【実施例】以下本発明の一実施例について、図面を参照
しながら説明する。
しながら説明する。
【００１６】図１は本発明の第１の実施例における配線
評価装置およびその使用方法を説明するための模式図
（平面図）である。図２は図１のＡ−Ａ’断面図であ
る。図３は、図１のＢ−Ｂ’断面図である。以下本発明
の第１の実施例について図面を参照しながら説明する。
評価装置およびその使用方法を説明するための模式図
（平面図）である。図２は図１のＡ−Ａ’断面図であ
る。図３は、図１のＢ−Ｂ’断面図である。以下本発明
の第１の実施例について図面を参照しながら説明する。
【００１７】ｐ型シリコン基板３１の上に気相成長法で
ｎ層３２が形成されている。その中にｐ層２２が設けら
れている。またシリコン基板３１の表面に設けられたフ
ィールド酸化膜３３には二つの開口部が形成されてい
る。ｎ+層２１およびｐ+層２３のそれぞれには、コンタ
クト孔を通して、ダイオード電極２４および同２５が設
けられている。
ｎ層３２が形成されている。その中にｐ層２２が設けら
れている。またシリコン基板３１の表面に設けられたフ
ィールド酸化膜３３には二つの開口部が形成されてい
る。ｎ+層２１およびｐ+層２３のそれぞれには、コンタ
クト孔を通して、ダイオード電極２４および同２５が設
けられている。
【００１８】フィールド酸化膜３３の表面には第１のＡ
ｌ配線２６および第１のタングステン（Ｗ）配線２７が
形成されている。また、層間絶縁膜３４の表面には第２
のＡｌ配線２８および第２のＷ配線２９が形成されてい
る。それらの上にチップ表面を覆うパッシベーション膜
３５が設けられている。
ｌ配線２６および第１のタングステン（Ｗ）配線２７が
形成されている。また、層間絶縁膜３４の表面には第２
のＡｌ配線２８および第２のＷ配線２９が形成されてい
る。それらの上にチップ表面を覆うパッシベーション膜
３５が設けられている。
【００１９】上記配線評価装置の使用方法について説明
する。まず、第１のＷ配線２７のみに電流印加を行い、
配線抵抗と温度依存抵抗係数とから、第１のＷ配線２７
の配線温度を求める。このときの、ｎ層３２とｐ層２２
よりなるダイオードのｐｎ接合部の順方向電圧降下Ｖｐ
値をモニタする。次に、第１のＷ配線２７のみの電流印
加量を変化させ、第１のＷ配線２７の配線温度と前記ｐ
ｎ接合部の順方向電圧降下Ｖｐ値のモニタ結果を測定す
る。次に、第１のＡｌ配線２６のみに電流印加を行う。
このとき、ｐｎ接合部の順方向電圧降下Ｖｐ値を読み取
る。次に第１のＷ配線２７の配線温度とｐｎ接合部の順
方向電圧降下Ｖｐ値のモニタ結果とを比較して、第１の
Ａｌ配線２６の配線温度を特定する。第２のＡｌ配線２
８の配線温度についても、第１のＡｌ配線２６の配線温
度の特定と同様に行う。すなわち、第２のＷ配線２９の
配線温度と前記ｐｎ接合部の順方向電圧降下Ｖｐ値のモ
ニタ結果を利用して求める。
する。まず、第１のＷ配線２７のみに電流印加を行い、
配線抵抗と温度依存抵抗係数とから、第１のＷ配線２７
の配線温度を求める。このときの、ｎ層３２とｐ層２２
よりなるダイオードのｐｎ接合部の順方向電圧降下Ｖｐ
値をモニタする。次に、第１のＷ配線２７のみの電流印
加量を変化させ、第１のＷ配線２７の配線温度と前記ｐ
ｎ接合部の順方向電圧降下Ｖｐ値のモニタ結果を測定す
る。次に、第１のＡｌ配線２６のみに電流印加を行う。
このとき、ｐｎ接合部の順方向電圧降下Ｖｐ値を読み取
る。次に第１のＷ配線２７の配線温度とｐｎ接合部の順
方向電圧降下Ｖｐ値のモニタ結果とを比較して、第１の
Ａｌ配線２６の配線温度を特定する。第２のＡｌ配線２
８の配線温度についても、第１のＡｌ配線２６の配線温
度の特定と同様に行う。すなわち、第２のＷ配線２９の
配線温度と前記ｐｎ接合部の順方向電圧降下Ｖｐ値のモ
ニタ結果を利用して求める。
【００２０】このようにして得られた第１のＡｌ配線２
６および第２のＡｌ配線２８の電流印加量と配線温度か
ら、第１のＡｌ配線２６および第２のＡｌ配線２８のエ
レクトロマイグレーション耐性の評価を行い半導体製品
の設計基準を求める。
６および第２のＡｌ配線２８の電流印加量と配線温度か
ら、第１のＡｌ配線２６および第２のＡｌ配線２８のエ
レクトロマイグレーション耐性の評価を行い半導体製品
の設計基準を求める。
【００２１】図４は本発明の第２の実施例における配線
評価装置およびその使用方法を説明するための模式図
（平面図）である。図５は図１のＣ−Ｃ’断面図であ
る。以下本発明の第２の実施例について図面を参照しな
がら説明する。
評価装置およびその使用方法を説明するための模式図
（平面図）である。図５は図１のＣ−Ｃ’断面図であ
る。以下本発明の第２の実施例について図面を参照しな
がら説明する。
【００２２】ｐ型シリコン基板５１の上のフィールド酸
化膜５２の表面に第１のＡｌ配線４１および第１のＷ配
線４２が形成されている。その上に、層間絶縁膜５３が
形成され、その表面に第２のＡｌ配線４３および第２の
Ｗ配線４４が形成されている。さらにその表面を覆うパ
ッシベーション膜５４が形成され、パッシベーション膜
５４の表面に両端が抵抗電極層４６，４７と接続された
薄膜抵抗層４５が形成されている。
化膜５２の表面に第１のＡｌ配線４１および第１のＷ配
線４２が形成されている。その上に、層間絶縁膜５３が
形成され、その表面に第２のＡｌ配線４３および第２の
Ｗ配線４４が形成されている。さらにその表面を覆うパ
ッシベーション膜５４が形成され、パッシベーション膜
５４の表面に両端が抵抗電極層４６，４７と接続された
薄膜抵抗層４５が形成されている。
【００２３】上記配線評価装置の使用方法は、まず、第
１のＷ配線４２のみに電流印加を行い、配線抵抗と温度
依存抵抗係数を利用して、第１のＷ配線４２の配線温度
を求める。このとき、薄膜抵抗層４５の抵抗値をモニタ
する。次に、第１のＷ配線４２のみの電流印加量を変化
させ、第１のＷ配線４２の配線温度と薄膜抵抗層４５の
抵抗値のモニタ結果を得る。次に、第１のＡｌ配線４１
のみに電流印加を行う。このとき、前記薄膜抵抗層４５
の抵抗値を読み取り、第１のＷ配線４２の配線温度と前
記薄膜抵抗層４５の抵抗値のモニタ結果と比較して、第
１のＡｌ配線４１の配線温度を特定する。
１のＷ配線４２のみに電流印加を行い、配線抵抗と温度
依存抵抗係数を利用して、第１のＷ配線４２の配線温度
を求める。このとき、薄膜抵抗層４５の抵抗値をモニタ
する。次に、第１のＷ配線４２のみの電流印加量を変化
させ、第１のＷ配線４２の配線温度と薄膜抵抗層４５の
抵抗値のモニタ結果を得る。次に、第１のＡｌ配線４１
のみに電流印加を行う。このとき、前記薄膜抵抗層４５
の抵抗値を読み取り、第１のＷ配線４２の配線温度と前
記薄膜抵抗層４５の抵抗値のモニタ結果と比較して、第
１のＡｌ配線４１の配線温度を特定する。
【００２４】第２のＡｌ配線４３の配線温度について
も、第１のＡｌ配線４１の配線温度の特定と同様にし
て、第２のＷ配線４４の配線温度と薄膜抵抗層４５の抵
抗値のモニタ結果を利用して求める。
も、第１のＡｌ配線４１の配線温度の特定と同様にし
て、第２のＷ配線４４の配線温度と薄膜抵抗層４５の抵
抗値のモニタ結果を利用して求める。
【００２５】このようにして得られた第１のＡｌ配線４
１および第２のＡｌ配線４３の電流印加量と配線温度か
ら、第１のＡｌ配線４１および第２のＡｌ配線４３のエ
レクトロマイグレーション耐性評価を行い半導体製品の
設計基準を求める。
１および第２のＡｌ配線４３の電流印加量と配線温度か
ら、第１のＡｌ配線４１および第２のＡｌ配線４３のエ
レクトロマイグレーション耐性評価を行い半導体製品の
設計基準を求める。
【００２６】
【発明の効果】本発明は、評価対象配線の温度が高電流
印加の高融点配線温度と温度測定用素子の感応度の関係
を利用して特定することができ、評価対象配線の温度測
定が従来よりも正確に行うことができる。このため、評
価用半導体装置により得られたデータに基づき、高信頼
を要求される半導体製品の寿命予測を、より高精度で実
施できるという効果がある。
印加の高融点配線温度と温度測定用素子の感応度の関係
を利用して特定することができ、評価対象配線の温度測
定が従来よりも正確に行うことができる。このため、評
価用半導体装置により得られたデータに基づき、高信頼
を要求される半導体製品の寿命予測を、より高精度で実
施できるという効果がある。
【図１】本発明による第１の実施例を説明するための模
式図
式図
【図２】図１のＡ−Ａ’断面図
【図３】図１のＢ−Ｂ’断面図
【図４】本発明による第２の実施例を説明するための模
式図
式図
【図５】図４のＣ−Ｃ’断面図
【図６】本発明による第１の従来例を説明するための断
面図
面図
【図７】本発明による第２の従来例を説明するための断
面図
面図
２１ ｎ+層 ２２ ｐ層 ２３ ｐ+層 ２４，２５ ダイオード電極 ２６ 第１のＡｌ配線 ２７ 第１のＷ配線 ２８ 第２のＡｌ配線 ２９ 第２のＷ配線 ３１ ｐ型シリコン基板 ３２ ｎ層 ３３ フィールド酸化膜 ３４ 層間絶縁膜 ３５ パッシベーション膜 ４１ 第１のＡｌ配線 ４２ 第１のＷ配線 ４３ 第２のＡｌ配線 ４４ 第２のＷ配線 ４５ 薄膜抵抗層 ４６，４７ 抵抗電極層 ５１ ｐ型シリコン基板 ５２ フィールド酸化膜 ５３ 層間絶縁膜 ５４ パッシベーション膜
Claims (2)
- 【請求項１】 絶縁層を形成させた半導体基板の上部
に、配線層と層間絶縁膜とを順次形成させた多層配線
に、前記配線と同層で同形状の高融点配線と、前記配線
と前記高融点配線から等距離で、前記半導体基板あるい
は前記層間絶縁膜上に温度測定用素子を有することを特
徴とする配線評価装置。 - 【請求項２】 絶縁層を形成させた半導体基板の上部
に、配線層と層間絶縁膜とを順次形成させた多層配線
に、前記配線と同層で同形状の高融点配線と、前記配線
と前記高融点配線から等距離で、前記半導体基板あるい
は前記層間絶縁膜に温度測定用素子を有し、前記高融点
配線のみに電流を印加したときの前記高融点配線の温度
と、このときの前記温度測定素子の感応度の関係を測定
し、前記配線のみに電流を印加したときの前記配線の温
度を特定することを特徴とする配線評価装置の使用方
法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP02793494A JP3284731B2 (ja) | 1994-02-25 | 1994-02-25 | 配線評価装置およびその使用方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP02793494A JP3284731B2 (ja) | 1994-02-25 | 1994-02-25 | 配線評価装置およびその使用方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07235577A true JPH07235577A (ja) | 1995-09-05 |
| JP3284731B2 JP3284731B2 (ja) | 2002-05-20 |
Family
ID=12234732
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP02793494A Expired - Fee Related JP3284731B2 (ja) | 1994-02-25 | 1994-02-25 | 配線評価装置およびその使用方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3284731B2 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005223297A (ja) * | 2004-02-09 | 2005-08-18 | Nec Electronics Corp | 集積回路装置及びその製造方法 |
| WO2006098023A1 (ja) * | 2005-03-16 | 2006-09-21 | Fujitsu Limited | 半導体装置及びその製造方法 |
| US10048137B2 (en) | 2013-10-07 | 2018-08-14 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Semiconductor devices including electrodes for temperature measurement |
-
1994
- 1994-02-25 JP JP02793494A patent/JP3284731B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005223297A (ja) * | 2004-02-09 | 2005-08-18 | Nec Electronics Corp | 集積回路装置及びその製造方法 |
| US7777288B2 (en) | 2004-02-09 | 2010-08-17 | Nec Electronics Corporation | Integrated circuit device and fabrication method therefor |
| JP4541717B2 (ja) * | 2004-02-09 | 2010-09-08 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | 集積回路装置及びその製造方法 |
| WO2006098023A1 (ja) * | 2005-03-16 | 2006-09-21 | Fujitsu Limited | 半導体装置及びその製造方法 |
| US8334533B2 (en) | 2005-03-16 | 2012-12-18 | Fujitsu Semiconductor Limited | Semiconductor device including a circuit area and a monitor area having a plurality of monitor layers and method for manufacturing the same |
| US8673657B2 (en) | 2005-03-16 | 2014-03-18 | Fujitsu Semiconductor Limited | Semiconductor device including a circuit area and a monitor area having a plurality of monitor layers and method for manufacturing the same |
| US10048137B2 (en) | 2013-10-07 | 2018-08-14 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Semiconductor devices including electrodes for temperature measurement |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3284731B2 (ja) | 2002-05-20 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US6508585B2 (en) | Differential scanning calorimeter | |
| US4734641A (en) | Method for the thermal characterization of semiconductor packaging systems | |
| JPH1123338A (ja) | 感熱式流量検出素子およびそれを用いた流量センサ | |
| US6118166A (en) | Thin-film microstructure sensor having a temperature-sensitive resistor to provide a large TCR with little variation | |
| US5504017A (en) | Void detection in metallization patterns | |
| US20070009240A1 (en) | Semiconductor test device | |
| US20030029232A1 (en) | Coupon for measuring corrosion rates and system | |
| US20030037590A1 (en) | Method of self-testing a semiconductor chemical gas sensor including an embedded temperature sensor | |
| JP3682151B2 (ja) | 配線評価方法および配線評価装置 | |
| JPH07235577A (ja) | 配線評価装置およびその使用方法 | |
| TW544830B (en) | A method of testing an integrated circuit | |
| US8294247B2 (en) | High-power device having thermocouple embedded therein and method for manufacturing the same | |
| JP3741885B2 (ja) | 半導体素子の金属配線パッケージレベルテストパターン及びテスト方法 | |
| JPH11118616A (ja) | 温度センサ、測温機能付き半導体ウエハ、および熱電対センサを形成する方法 | |
| US6784000B2 (en) | Method for measurement of electromigration in semiconductor integrated circuits | |
| US6770847B2 (en) | Method and system for Joule heating characterization | |
| EP1215484A2 (en) | Differential scanning calorimeter | |
| JPH0290646A (ja) | 試験用半導体素子 | |
| JPH0883880A (ja) | 温度センサ付き半導体パッケージ | |
| JPH10335739A (ja) | 発光素子モジュールおよび発光素子の温度制御方法 | |
| JPH0288976A (ja) | 導体膜の膜質試験方法 | |
| JPH06151537A (ja) | 配線寿命の評価方法 | |
| CN115524008A (zh) | 一种红外实时监测功率二极管芯片温度的方法 | |
| JPH0864651A (ja) | 微細配線の温度測定方法及び装置 | |
| JP2867525B2 (ja) | コンタクトホール・エレクトロマイグレーション試験デバイスおよびその製造方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080308 Year of fee payment: 6 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090308 Year of fee payment: 7 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100308 Year of fee payment: 8 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |