JPH0723547B2 - プラズマ装置 - Google Patents
プラズマ装置Info
- Publication number
- JPH0723547B2 JPH0723547B2 JP61259780A JP25978086A JPH0723547B2 JP H0723547 B2 JPH0723547 B2 JP H0723547B2 JP 61259780 A JP61259780 A JP 61259780A JP 25978086 A JP25978086 A JP 25978086A JP H0723547 B2 JPH0723547 B2 JP H0723547B2
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- Japan
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- plasma
- gas
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Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は主に高集積半導体素子の製造のためのCVD（Che
mical Vapor Deposition）装置、エッチング装置、スパ
ッタリング装置等に用いられるプラズマ装置に関するも
のである。
mical Vapor Deposition）装置、エッチング装置、スパ
ッタリング装置等に用いられるプラズマ装置に関するも
のである。
電子サイクロトロン共鳴を利用したプラズマ装置は低ガ
ス圧で活性度の高いプラズマを生成出来、イオンエネル
ギの広範囲な選択が可能であり、また大きなイオン電流
とがとれ、イオン流の指向性、均一性に優れるなどの利
点があり、高集積半導体素子の製造を行ううえで必要と
される成膜、エッチング工程に欠かせないものとしてそ
の研究，開発が進められている。
ス圧で活性度の高いプラズマを生成出来、イオンエネル
ギの広範囲な選択が可能であり、また大きなイオン電流
とがとれ、イオン流の指向性、均一性に優れるなどの利
点があり、高集積半導体素子の製造を行ううえで必要と
される成膜、エッチング工程に欠かせないものとしてそ
の研究，開発が進められている。
第３図はCVD装置として構成した従来の電子サイクロト
ロン共鳴を利用するプラズマ装置の縦断面図であり、31
はプラズマ生成室を示している。プラズマ生成室31は周
囲壁を２重構造にして冷却水の通流室31aを備え、また
上部壁中央には石英ガラス板31bにて封止したマイクロ
波導入口31cを、更に下部壁中央には前記マイクロ波導
入口31cと対向する位置に円形のプラズマ引出窓31dを夫
々備えており、前記マイクロ波導入口31cには他端を図
示しないマイクロ波発振器に接続した導波管32の一端が
接続され、またプラズマ引出窓31dに臨ませて反応室33
が配設され、更に周囲にはプラズマ生成室31及びこれに
接続した導波管32の一端部にわたってこれらを囲繞する
態様でこれらと同心状に励磁コイル34を配設してある。
ロン共鳴を利用するプラズマ装置の縦断面図であり、31
はプラズマ生成室を示している。プラズマ生成室31は周
囲壁を２重構造にして冷却水の通流室31aを備え、また
上部壁中央には石英ガラス板31bにて封止したマイクロ
波導入口31cを、更に下部壁中央には前記マイクロ波導
入口31cと対向する位置に円形のプラズマ引出窓31dを夫
々備えており、前記マイクロ波導入口31cには他端を図
示しないマイクロ波発振器に接続した導波管32の一端が
接続され、またプラズマ引出窓31dに臨ませて反応室33
が配設され、更に周囲にはプラズマ生成室31及びこれに
接続した導波管32の一端部にわたってこれらを囲繞する
態様でこれらと同心状に励磁コイル34を配設してある。
反応室33内にはプラズマ引出窓31dに対向させて円盤形
の載置台38が配設され、その上には円板形をなすウェー
ハ等の試料37がそのまま、又は静電吸着等の手段にて着
脱可能に載置され、また反応室33の下部壁には図示しな
い排気装置に連なる排気口33aが開口されている。31g, 33gは原料ガスの供給管である。
の載置台38が配設され、その上には円板形をなすウェー
ハ等の試料37がそのまま、又は静電吸着等の手段にて着
脱可能に載置され、また反応室33の下部壁には図示しな
い排気装置に連なる排気口33aが開口されている。31g, 33gは原料ガスの供給管である。
而してこのようなCVD装置にあっては、試料37を所定温
度に加熱維持しつつ所要の真空度に設定したプラズマ生
成室31,反応室33内に原料ガスを供給する一方、励磁コ
イル34にて磁界を形成しつつプラズマ生成室31内にマイ
クロ波を導入してプラズマを生成させ、これを励磁コイ
ル34にて形成されるプラズマ引出窓31d前方の反応室33
側に向かうに従い磁束密度が低下する発散磁界によって
反応室33内の載置台38上の試料37周辺に投射せしめ、試
料37表面に成膜を行うようになっている（特開昭56−15
5535号）。
度に加熱維持しつつ所要の真空度に設定したプラズマ生
成室31,反応室33内に原料ガスを供給する一方、励磁コ
イル34にて磁界を形成しつつプラズマ生成室31内にマイ
クロ波を導入してプラズマを生成させ、これを励磁コイ
ル34にて形成されるプラズマ引出窓31d前方の反応室33
側に向かうに従い磁束密度が低下する発散磁界によって
反応室33内の載置台38上の試料37周辺に投射せしめ、試
料37表面に成膜を行うようになっている（特開昭56−15
5535号）。
ところで一般にこの種のプラズマ装置にあっては、例え
ば試料37表面にSiO膜を形成する場合、ガス供給管31gか
らO2を、またガス供給管33gからSiH4を夫々供給し、こ
れらのガスを分解，プラズマ化して成膜を行うようにな
っている。ところが従来のプラズマ装置ではプラズマ生
成室31で発生したプラズマは円形のプラズマ引出窓31d
を通じて反応室33内に導かれ、漸次投射域を拡大されて
載置台38上の試料37周辺に対しこれよりも広い円形の領
域に投射されることとなるが、このプラズマ投射域に比
較して反応室33の面積が広いため、反応室33の壁面にお
けるガス供給管33gの開口部とイオン投射域との離隔寸
法が大きく、ガス供給管33gから供給されるSiH4の殆ど
はイオン投射域を横切ることなく排気口33aを経て排気
され、成膜への寄与率、即ち利用効率が低く、SiO2の成
膜速度も遅いという問題があった。
ば試料37表面にSiO膜を形成する場合、ガス供給管31gか
らO2を、またガス供給管33gからSiH4を夫々供給し、こ
れらのガスを分解，プラズマ化して成膜を行うようにな
っている。ところが従来のプラズマ装置ではプラズマ生
成室31で発生したプラズマは円形のプラズマ引出窓31d
を通じて反応室33内に導かれ、漸次投射域を拡大されて
載置台38上の試料37周辺に対しこれよりも広い円形の領
域に投射されることとなるが、このプラズマ投射域に比
較して反応室33の面積が広いため、反応室33の壁面にお
けるガス供給管33gの開口部とイオン投射域との離隔寸
法が大きく、ガス供給管33gから供給されるSiH4の殆ど
はイオン投射域を横切ることなく排気口33aを経て排気
され、成膜への寄与率、即ち利用効率が低く、SiO2の成
膜速度も遅いという問題があった。
本発明はかかる事情に鑑みてなされたものであって、そ
の目的とするところは原料ガスの有効利用効率を大幅に
向上せしめ得るプラズマ装置を提供するにある。
の目的とするところは原料ガスの有効利用効率を大幅に
向上せしめ得るプラズマ装置を提供するにある。
〔問題点を解決するための手段〕 第１の本発明にあってはプラズマ生成室のプラズマ引出
窓と試料の載置台と間に、プラズマ流に沿うようガス拡
散防止管を配設すると共に、その周壁にガス導入口を開
口する。また第２の本発明にあっては、試料室の周壁そ
れ自体をプラズマ流に沿うようプラズマ引出窓から載置
台に向けて断面積が拡大されるよう形成され、その周壁
にガス導入口を開口する。
窓と試料の載置台と間に、プラズマ流に沿うようガス拡
散防止管を配設すると共に、その周壁にガス導入口を開
口する。また第２の本発明にあっては、試料室の周壁そ
れ自体をプラズマ流に沿うようプラズマ引出窓から載置
台に向けて断面積が拡大されるよう形成され、その周壁
にガス導入口を開口する。
第１の発明のあっては、ガス拡散防止管がその周壁に開
口するガス導入口から導入されたガスの拡散を防止して
プラズマ流中にとどまらせることで、プラズマ化、ラジ
カル化を積極的に促進し、処理ガスの利用効率を高め
る。
口するガス導入口から導入されたガスの拡散を防止して
プラズマ流中にとどまらせることで、プラズマ化、ラジ
カル化を積極的に促進し、処理ガスの利用効率を高め
る。
第２の発明にあっては、試料室の周壁それ自体がプラズ
マ流に沿うよう形成され、その周壁に開口するガス導入
口から導入されたガス拡散を防止してプラズマ流中にと
どまらせることで、同様にプラズマ化、ラジカル化が積
極的に促進され、処理ガスの利用効率を高める。
マ流に沿うよう形成され、その周壁に開口するガス導入
口から導入されたガス拡散を防止してプラズマ流中にと
どまらせることで、同様にプラズマ化、ラジカル化が積
極的に促進され、処理ガスの利用効率を高める。
以下本発明をCVD装置として構成した実施例につき図面
に基づき具体的に説明する。第１図は本発明に係るプラ
ズマ装置（以下本発明装置という）の縦断面図であり、
図中１はプラズマ生成室、２は導波管、３は試料Ｓに対
し成膜を施す試料室たる反応室、４は励磁コイルを示し
ている。
に基づき具体的に説明する。第１図は本発明に係るプラ
ズマ装置（以下本発明装置という）の縦断面図であり、
図中１はプラズマ生成室、２は導波管、３は試料Ｓに対
し成膜を施す試料室たる反応室、４は励磁コイルを示し
ている。
プラズマ生成室１はステンレス鋼製であって、周囲壁を
二重構造として水冷ジャケット1aを備える中空円筒形に
形成され、上部壁中央には石英ガラス板1bで閉鎖された
マイクロ波導入口1cを備え、また下部壁中央には前記マ
イクロ波導入口1cと対向する位置にプラズマ引出窓1dを
備えており、前記マイクロ波導入口1cには導波管２の一
端部が接続され、またプラズマ引出窓1dにはこれに臨ま
せて反応室３が配設され、更に周囲にはプラズマ生成室
１及びこれに連結された導波管２の一端部にわたって励
磁コイル４が周設せしめられている。1gはプラズマ生成
室１に連結されたプラズマ維持用ガスの供給管1h,1iは
夫々水冷ジャケット1aに連結した冷却水の供給管，排出
管を示している。
二重構造として水冷ジャケット1aを備える中空円筒形に
形成され、上部壁中央には石英ガラス板1bで閉鎖された
マイクロ波導入口1cを備え、また下部壁中央には前記マ
イクロ波導入口1cと対向する位置にプラズマ引出窓1dを
備えており、前記マイクロ波導入口1cには導波管２の一
端部が接続され、またプラズマ引出窓1dにはこれに臨ま
せて反応室３が配設され、更に周囲にはプラズマ生成室
１及びこれに連結された導波管２の一端部にわたって励
磁コイル４が周設せしめられている。1gはプラズマ生成
室１に連結されたプラズマ維持用ガスの供給管1h,1iは
夫々水冷ジャケット1aに連結した冷却水の供給管，排出
管を示している。
導波管２の他端部は図示しないマイクロ波発振器に接続
されており、ここで発せられたマイクロ波をマイクロ波
導入口1cからプラズマ生成室１内に導入するようにして
ある。励磁コイル４は図示しない直流電源に接続されて
おり、直流電流の通流によってプラズマ生成室１内にマ
イクロ波の導入によりプラズマを生成し得るよう磁界を
形成すると共に、反応室３側に向けて磁束密度が低くな
る発散磁界を形成し、プラズマ生成室１内に生成された
プラズマを反応室３内に導入せしめるようになってい
る。
されており、ここで発せられたマイクロ波をマイクロ波
導入口1cからプラズマ生成室１内に導入するようにして
ある。励磁コイル４は図示しない直流電源に接続されて
おり、直流電流の通流によってプラズマ生成室１内にマ
イクロ波の導入によりプラズマを生成し得るよう磁界を
形成すると共に、反応室３側に向けて磁束密度が低くな
る発散磁界を形成し、プラズマ生成室１内に生成された
プラズマを反応室３内に導入せしめるようになってい
る。
反応室３は中空の円筒形に形成され、プラズマ引出窓1d
と対向する底壁に図示しない排気装置に連なる排気口3a
を開口してあり、、また反応室３内には前記プラズマ引
出窓1dと対向する位置に試料の載置台５が配設されてい
る。
と対向する底壁に図示しない排気装置に連なる排気口3a
を開口してあり、、また反応室３内には前記プラズマ引
出窓1dと対向する位置に試料の載置台５が配設されてい
る。
そして本発明にあっては前記プラズマ引出窓1dから載置
台５に至る間にガス拡散防止管６が配設されている。こ
のガス拡散防止管６は円筒形があって上端部の内径はプ
ラズマ引出窓1dの直径に略等しく設定し、ここから下端
部に向かうに従って内径を拡大し、下端部では内径が載
置台５の直径と略等しくなるよう設定されており、前記
上端部をプラズマ引出窓1dの反応室側の開口部にこれと
同心状に固定され、上端部は載置台５の上方にこれとの
間に所要の間隔を隔てて位置するよう延在されている。
3gはプロセスガスを供給するガス供給管であり、反応室
３の側壁及び前記ガス拡散防止管６の周壁を貫通して延
在させ、その先端をガス拡散防止管６の周壁内面に開口
せしめてある。
台５に至る間にガス拡散防止管６が配設されている。こ
のガス拡散防止管６は円筒形があって上端部の内径はプ
ラズマ引出窓1dの直径に略等しく設定し、ここから下端
部に向かうに従って内径を拡大し、下端部では内径が載
置台５の直径と略等しくなるよう設定されており、前記
上端部をプラズマ引出窓1dの反応室側の開口部にこれと
同心状に固定され、上端部は載置台５の上方にこれとの
間に所要の間隔を隔てて位置するよう延在されている。
3gはプロセスガスを供給するガス供給管であり、反応室
３の側壁及び前記ガス拡散防止管６の周壁を貫通して延
在させ、その先端をガス拡散防止管６の周壁内面に開口
せしめてある。
而してこのような本発明装置にあっては反応室３の載置
台５上に試料Ｓを装着して所定温度に加熱維持しプラズ
マ生成室1,反応室３内を所要の真空度に設定した後、ガ
ス供給管1g,3gを通じてプラズマ生成室1,反応室３内に
原料ガスを供給し、励磁コイル４に直流電流を通流する
と共に、導波管２を通じてマイクロ波を導入して電子サ
イクロトロン共鳴条件を成立させてプラズマを発生せし
める。発生させたプラズマは励磁コイル４にて形成され
る磁界の作用によりプラズマ引出窓1dを通じて反応室３
内の試料Ｓ周辺に投射する。
台５上に試料Ｓを装着して所定温度に加熱維持しプラズ
マ生成室1,反応室３内を所要の真空度に設定した後、ガ
ス供給管1g,3gを通じてプラズマ生成室1,反応室３内に
原料ガスを供給し、励磁コイル４に直流電流を通流する
と共に、導波管２を通じてマイクロ波を導入して電子サ
イクロトロン共鳴条件を成立させてプラズマを発生せし
める。発生させたプラズマは励磁コイル４にて形成され
る磁界の作用によりプラズマ引出窓1dを通じて反応室３
内の試料Ｓ周辺に投射する。
このような実施例にあっては、ガス供給管3gから供給さ
れるプロセスガスはプラズマ投射域に沿うよう配したガ
ス輸送管６を通じて直接プラズマ流内に導かれることと
なり、プラズマ流との接触機会が多くなって、プロセス
ガスに無駄を生じない。
れるプロセスガスはプラズマ投射域に沿うよう配したガ
ス輸送管６を通じて直接プラズマ流内に導かれることと
なり、プラズマ流との接触機会が多くなって、プロセス
ガスに無駄を生じない。
第２図は本発明の他の実施例を示す模式的断面図であ
り、第１図に示したガス輸送管を反応室の周壁それ自体
にて構成するようにしてある。
り、第１図に示したガス輸送管を反応室の周壁それ自体
にて構成するようにしてある。
即ち、反応室13の周壁のうちプラズマ引出窓1dと載置台
５との間に対応する部分の周壁は上端部でその内径がプ
ラズマ引出窓1dの直径と略等しくなるよう設定し、ここ
から下端側に向かうに従って、内壁が略プラズマ流に沿
うよう拡径し、下端部内径は載置台５の直径に略等しく
なるよう設定してガス拡散防止管部13bを形成すると共
に、このガス拡散防止管部13bに繋げてその下端部に載
置台５を配する円筒部13cを形成して構成されている。
この円筒部13cの下端中央部には排気口13aが開口され、
またガス拡散防止管部13bの中間部周壁にはプロセスガ
ス供給用のガス管13gが連結されている。
５との間に対応する部分の周壁は上端部でその内径がプ
ラズマ引出窓1dの直径と略等しくなるよう設定し、ここ
から下端側に向かうに従って、内壁が略プラズマ流に沿
うよう拡径し、下端部内径は載置台５の直径に略等しく
なるよう設定してガス拡散防止管部13bを形成すると共
に、このガス拡散防止管部13bに繋げてその下端部に載
置台５を配する円筒部13cを形成して構成されている。
この円筒部13cの下端中央部には排気口13aが開口され、
またガス拡散防止管部13bの中間部周壁にはプロセスガ
ス供給用のガス管13gが連結されている。
他の構成は前記第１図に示した実施例と略同様であり、
対応する部分には同じ符号を付して説明を省略する。
対応する部分には同じ符号を付して説明を省略する。
次に本発明装置と従来装置とについての比較試験結果を
具体的な数値を挙げて説明する。
具体的な数値を挙げて説明する。
ガス供給管1g及び31gよりO2を35sccmの割合でプラズマ
生成室1,31内に、またガス供給管3g,13g,33gよりSiH4を
28sccmの割合で反応室3,13,33内に導入してガス圧力を
1.43×10-3Torrに保持し、マイクロ波入力を300Wにして
載置台5,35上のSiウェーハ上へSiO2を堆積したところ、
従来装置（第３図）ではガス利用効率8.5％，堆積速度1
960Å／分であったが、本発明装置（第１図，第３図に
示す各実施例）ではガス利用効率11.5％，堆積速度2650
Å／分に向上した。
生成室1,31内に、またガス供給管3g,13g,33gよりSiH4を
28sccmの割合で反応室3,13,33内に導入してガス圧力を
1.43×10-3Torrに保持し、マイクロ波入力を300Wにして
載置台5,35上のSiウェーハ上へSiO2を堆積したところ、
従来装置（第３図）ではガス利用効率8.5％，堆積速度1
960Å／分であったが、本発明装置（第１図，第３図に
示す各実施例）ではガス利用効率11.5％，堆積速度2650
Å／分に向上した。
このような本発明の実施例にあっては、反応室の容積が
格段にコンパクト化され、装置全体の小型化が図れる
外、有効利用効率も大きくなって原料ガスの一層の節減
が図れる効果がある。
格段にコンパクト化され、装置全体の小型化が図れる
外、有効利用効率も大きくなって原料ガスの一層の節減
が図れる効果がある。
なお、上述の各実施例は本発明装置をCVD装置に適用し
た構成を示したが、何らこれに限るものではなく、例え
ばエッチング装置、スパッタリング装置等にも適用し得
ることは勿論である。
た構成を示したが、何らこれに限るものではなく、例え
ばエッチング装置、スパッタリング装置等にも適用し得
ることは勿論である。
以上の如く本発明にあってはプラズマ引出窓と試料の載
置台との間にプラズマ流に沿うようプラズマ引出窓から
載置台に向かうに従い断面積が拡大されたガス拡散防止
管又はガス拡散防止管部を設け、夫々の周壁にはガス導
入口を開口したから、供給される処理ガスがガス拡散防
止管内又はガス拡散防止管部内のプラズマ流中にこれを
横切る向きに供給せしめられることとなり、プラズマと
の衝突により無駄なくプラズマ化、ラジカル化されるこ
ととなってガスの有効利用が図れ、それだけ成膜、エッ
チング等のプロセス加工能率も向上する。またこのよう
なガス輸送管を反応室それ自体の周壁にて兼用する構成
とすれば試料室が極めてコンパクトとなり、原料ガスの
一層の節減が図れるなど本発明は優れた効果を奏するも
のである。
置台との間にプラズマ流に沿うようプラズマ引出窓から
載置台に向かうに従い断面積が拡大されたガス拡散防止
管又はガス拡散防止管部を設け、夫々の周壁にはガス導
入口を開口したから、供給される処理ガスがガス拡散防
止管内又はガス拡散防止管部内のプラズマ流中にこれを
横切る向きに供給せしめられることとなり、プラズマと
の衝突により無駄なくプラズマ化、ラジカル化されるこ
ととなってガスの有効利用が図れ、それだけ成膜、エッ
チング等のプロセス加工能率も向上する。またこのよう
なガス輸送管を反応室それ自体の周壁にて兼用する構成
とすれば試料室が極めてコンパクトとなり、原料ガスの
一層の節減が図れるなど本発明は優れた効果を奏するも
のである。
第１図は本発明の実施例を示す模式的縦断面図、第２図
は本発明の他の実施例を示す模式的縦断面図、第３図は
従来装置の模式的縦断面図である。 １……プラズマ生成室、1d……プラズマ引出窓、1g……
ガス供給管、２……導波管、3,13……反応室、3g,13g…
…ガス供給管、４……励磁コイル、６……ガス拡散防止
管、13b……ガス拡散防止管部、Ｓ……試料
は本発明の他の実施例を示す模式的縦断面図、第３図は
従来装置の模式的縦断面図である。 １……プラズマ生成室、1d……プラズマ引出窓、1g……
ガス供給管、２……導波管、3,13……反応室、3g,13g…
…ガス供給管、４……励磁コイル、６……ガス拡散防止
管、13b……ガス拡散防止管部、Ｓ……試料
Claims (2)
- 【請求項１】電子サイクロトロン共鳴を利用してプラズ
マを発生させるプラズマ生成室のプラズマ引出窓に面し
て載置台を備える試料室を設けたプラズマ装置におい
て、前記プラズマ引出窓と試料室内の載置台とにわたっ
てプラズマ流に沿うよう設置され、プラズマ引出窓から
載置台に向かうに従い断面積が拡大され、その周壁にガ
ス導入口が開口されたガス拡散防止管を具備することを
特徴とするプラズマ装置。 - 【請求項２】電子サイクロトロン共鳴を利用してプラズ
マを発生させるプラズマ生成室のプラズマ引出窓に面し
て載置台を備える試料室を設けたプラズマ装置におい
て、前記試料室は前記プラズマ引出窓と載置台との間で
プラズマ流に沿うようプラズマ引出窓から載置台に向け
て断面積が拡大されるよう形成され、その周壁にはガス
導入口が開口されたガス拡散防止管部を具備することを
特徴とするプラズマ装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61259780A JPH0723547B2 (ja) | 1986-10-30 | 1986-10-30 | プラズマ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61259780A JPH0723547B2 (ja) | 1986-10-30 | 1986-10-30 | プラズマ装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63114985A JPS63114985A (ja) | 1988-05-19 |
| JPH0723547B2 true JPH0723547B2 (ja) | 1995-03-15 |
Family
ID=17338871
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61259780A Expired - Fee Related JPH0723547B2 (ja) | 1986-10-30 | 1986-10-30 | プラズマ装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0723547B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0336723A (ja) * | 1989-07-04 | 1991-02-18 | Fujitsu Ltd | 半導体装置の製造方法及び電子サイクロトロン共鳴エッチング装置 |
| JP2570082Y2 (ja) * | 1991-08-22 | 1998-04-28 | 住友金属工業株式会社 | プラズマ装置 |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5943991B2 (ja) * | 1980-02-06 | 1984-10-25 | 日本真空技術株式会社 | マイクロ波プラズマ処理装置 |
| JPS59143074A (ja) * | 1983-02-04 | 1984-08-16 | Fujitsu Ltd | マイクロ波処理装置 |
-
1986
- 1986-10-30 JP JP61259780A patent/JPH0723547B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS63114985A (ja) | 1988-05-19 |
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