JPH07233113A - シクロヘキシルメトキシベンゼン誘導体 - Google Patents
シクロヘキシルメトキシベンゼン誘導体Info
- Publication number
- JPH07233113A JPH07233113A JP2641894A JP2641894A JPH07233113A JP H07233113 A JPH07233113 A JP H07233113A JP 2641894 A JP2641894 A JP 2641894A JP 2641894 A JP2641894 A JP 2641894A JP H07233113 A JPH07233113 A JP H07233113A
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- liquid crystal
- point
- derivative
- trans
- cyclohexylmethoxybenzene
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 ネマチック液晶材料に混合することにより、
高い誘電率の異方性（Δε）を有し且つＣ−Ｎ点を上げ
ることなく高いＮ−Ｉ点を有する液晶組成物を与えるこ
とができる化合物を提供すること。 【構成】 本発明のシクロヘキシルメトキシベンゼン誘
導体は、下記〔化１〕の一般式（Ｉ）で表されるもので
ある。 【化１】
高い誘電率の異方性（Δε）を有し且つＣ−Ｎ点を上げ
ることなく高いＮ−Ｉ点を有する液晶組成物を与えるこ
とができる化合物を提供すること。 【構成】 本発明のシクロヘキシルメトキシベンゼン誘
導体は、下記〔化１〕の一般式（Ｉ）で表されるもので
ある。 【化１】
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、電気光学的表示材料と
して有用なシクロヘキシルメトキシベンゼン誘導体、詳
しくは、ネマチック液晶材料に混合することにより、高
い誘電率の異方性（Δε）を有し且つＣ−Ｎ点を上げる
ことなく高いＮ−Ｉ点を有する液晶組成物を与えること
ができるシクロヘキシルメトキシベンゼン誘導体に関す
るものである。
して有用なシクロヘキシルメトキシベンゼン誘導体、詳
しくは、ネマチック液晶材料に混合することにより、高
い誘電率の異方性（Δε）を有し且つＣ−Ｎ点を上げる
ことなく高いＮ−Ｉ点を有する液晶組成物を与えること
ができるシクロヘキシルメトキシベンゼン誘導体に関す
るものである。
【０００２】
【従来の技術及び発明が解決しようとする課題】液晶材
料に要求される物性として、水、光、熱に安定で、しき
い値電圧が低く、室温を含む広い温度範囲で液晶状態で
あることが望まれる。しかし、一般的には単独の液晶化
合物で全ての要求性能を満たすことは困難で、数種類の
液晶化合物や液晶以外の化合物を混合することで、求め
る性能により近い組成物として使用されている。
料に要求される物性として、水、光、熱に安定で、しき
い値電圧が低く、室温を含む広い温度範囲で液晶状態で
あることが望まれる。しかし、一般的には単独の液晶化
合物で全ての要求性能を満たすことは困難で、数種類の
液晶化合物や液晶以外の化合物を混合することで、求め
る性能により近い組成物として使用されている。
【０００３】一般に誘電率の異方性（Δε）（以下、単
に「Δε」ということがある）が正の液晶組成物を用い
る電界効果型液晶表示装置のしきい値電圧は、組成物の
Δεの平方根に反比例することが知られている。特に近
年、ツイストネマチック（ＴＮ）液晶素子は、バッテリ
ー駆動式が主流となり、そのためには特にしきい値電圧
の低い液晶材料が要求され、また、大きな正のΔεを有
する液晶材料の使用が重要になる。
に「Δε」ということがある）が正の液晶組成物を用い
る電界効果型液晶表示装置のしきい値電圧は、組成物の
Δεの平方根に反比例することが知られている。特に近
年、ツイストネマチック（ＴＮ）液晶素子は、バッテリ
ー駆動式が主流となり、そのためには特にしきい値電圧
の低い液晶材料が要求され、また、大きな正のΔεを有
する液晶材料の使用が重要になる。
【０００４】また、液晶化合物は、低温側から結晶相
（Ｃ）から場合によってスメクチック相（Ｓ）を経由し
てネマチック相（Ｎ）となり、さらに高温で等方性液体
相（Ｉ）を示すが、ここでスメクチック相（Ｓ）とネマ
チック相（Ｎ）のときに液晶状態である。液晶化合物を
含有する液晶材料は、室温を含む広い温度範囲で液晶相
を示すことが必要であり、この液晶温度範囲が広いこと
は、広範な使用環境において良好な表示が得られること
を意味するものであり、Ｃ−Ｎ点が低く、Ｎ−Ｉ点の高
いものが好ましい。特に、高温となる環境で使用される
場合にはＮ−Ｉ点は高温側における表示に影響するた
め、Ｎ−Ｉ点の高い液晶材料が必要となるが、一般的に
Ｎ−Ｉ点の高い材料はＣ−Ｎ点も高い傾向にあり、この
Ｃ−Ｎ点があまりにも高い液晶材料は液晶組成物に混合
した場合にその液晶温度範囲を小さくするため好ましく
ない。このため、ネマチック液晶材料に混合して、高い
Δεを与え、さらにＣ−Ｎ点を上げることなくＮ−Ｉ点
を与える化合物が求められていた。
（Ｃ）から場合によってスメクチック相（Ｓ）を経由し
てネマチック相（Ｎ）となり、さらに高温で等方性液体
相（Ｉ）を示すが、ここでスメクチック相（Ｓ）とネマ
チック相（Ｎ）のときに液晶状態である。液晶化合物を
含有する液晶材料は、室温を含む広い温度範囲で液晶相
を示すことが必要であり、この液晶温度範囲が広いこと
は、広範な使用環境において良好な表示が得られること
を意味するものであり、Ｃ−Ｎ点が低く、Ｎ−Ｉ点の高
いものが好ましい。特に、高温となる環境で使用される
場合にはＮ−Ｉ点は高温側における表示に影響するた
め、Ｎ−Ｉ点の高い液晶材料が必要となるが、一般的に
Ｎ−Ｉ点の高い材料はＣ−Ｎ点も高い傾向にあり、この
Ｃ−Ｎ点があまりにも高い液晶材料は液晶組成物に混合
した場合にその液晶温度範囲を小さくするため好ましく
ない。このため、ネマチック液晶材料に混合して、高い
Δεを与え、さらにＣ−Ｎ点を上げることなくＮ−Ｉ点
を与える化合物が求められていた。
【０００５】例えば、特開昭６４−８３０３７号公報に
は、４−（トランス−４−アルキルシクロヘキシルメト
キシ）−４’−置換トランが提案されており、その中で
４’−モノフッ素置換の例もあるが、Ｎ−Ｉ点は高いが
それにつれてＣ−Ｎ点も極めて高く、またΔεの値も不
十分であった。また、特開昭５７−１７６９４３号公報
には、４−（トランス−４’−アルキルシクロヘキシル
メトキシ）安息香酸−３”−クロロ−４”−シアノフェ
ニルエステルが提案されているが、未だ満足のいく化合
物ではなかった。
は、４−（トランス−４−アルキルシクロヘキシルメト
キシ）−４’−置換トランが提案されており、その中で
４’−モノフッ素置換の例もあるが、Ｎ−Ｉ点は高いが
それにつれてＣ−Ｎ点も極めて高く、またΔεの値も不
十分であった。また、特開昭５７−１７６９４３号公報
には、４−（トランス−４’−アルキルシクロヘキシル
メトキシ）安息香酸−３”−クロロ−４”−シアノフェ
ニルエステルが提案されているが、未だ満足のいく化合
物ではなかった。
【０００６】従って、本発明の目的は、ネマチック液晶
材料に混合することにより、高い誘電率の異方性（Δ
ε）を有し且つＣ−Ｎ点を上げることなく高いＮ−Ｉ点
を有する液晶組成物を与えることができる化合物を提供
することにある。
材料に混合することにより、高い誘電率の異方性（Δ
ε）を有し且つＣ−Ｎ点を上げることなく高いＮ−Ｉ点
を有する液晶組成物を与えることができる化合物を提供
することにある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明者らは、種々検討
を重ねた結果、特定のシクロヘキシルメトキシベンゼン
誘導体が、上記目的を達成し得るものであることを見出
し、本発明に到達した。
を重ねた結果、特定のシクロヘキシルメトキシベンゼン
誘導体が、上記目的を達成し得るものであることを見出
し、本発明に到達した。
【０００８】即ち、本発明は、下記〔化２〕（前記〔化
１〕と同じ）の一般式（Ｉ）で表されるシクロヘキシル
メトキシベンゼン誘導体を提供するものである。
１〕と同じ）の一般式（Ｉ）で表されるシクロヘキシル
メトキシベンゼン誘導体を提供するものである。
【０００９】
【化２】
【００１０】以下、本発明のシクロヘキシルメトキシベ
ンゼン誘導体について詳述する。
ンゼン誘導体について詳述する。
【００１１】本発明のシクロヘキシルメトキシベンゼン
誘導体は、上記一般式（Ｉ）で表されるものであり、上
記一般式（Ｉ）中、R1で示される炭素数１〜１０のアル
キル基としては、例えば、メチル、エチル、プロピル、
イソプロピル、ブチル、イソブチル、ペンチル、イソペ
ンチル、ヘキシル、イソヘキシル、ヘプチル、イソヘプ
チル、オクチル、イソオクチル、ノニル、イソノニル、
デシル、イソデシルなどの基が挙げられ、アルケニル基
としては、例えば、ビニル、１−ブテニル、１−ヘキセ
ニル、１−ヘプテニル、１−オクテニル、１−ノネニ
ル、１−デセニル、アリル、２−ブテニル、２−ペンテ
ニル、２−ヘキセニル、２−ヘプテニル、２−オクテニ
ル、２−ノネニル、２−デセニル、３−ブテニル、３−
ペンテニル、３−ヘキセニル、３−ヘプテニル、３−オ
クテニル、３−ノネニル、３−デセニル、４−ペンテニ
ル、４−ヘキセニル、４−ヘプテニル、４−オクテニ
ル、４−ノネニル、４−デセニルなどの基が挙げられ、
アルコキシアルキル基としては、例えば、メトキシメチ
ル、エトキシメチル、プロポキシメチル、ブトキシメチ
ル、ペンチロキシメチル、ヘキシロキシメチル、ヘプチ
ロキシメチル、オクチロキシメチル、ノニロキシメチル
などのアルコキシメチル基、メトキシエチル、エトキシ
エチル、プロポキシエチル、ブトキシエチル、ペンチロ
キシエチル、ヘキシロキシエチル、ヘプチロキシエチ
ル、オクチロキシエチルなどのアルコキシエチル基など
が挙げられる。これらの中でも、R1は炭素数１〜１０の
アルコキシメチル基が好ましい。
誘導体は、上記一般式（Ｉ）で表されるものであり、上
記一般式（Ｉ）中、R1で示される炭素数１〜１０のアル
キル基としては、例えば、メチル、エチル、プロピル、
イソプロピル、ブチル、イソブチル、ペンチル、イソペ
ンチル、ヘキシル、イソヘキシル、ヘプチル、イソヘプ
チル、オクチル、イソオクチル、ノニル、イソノニル、
デシル、イソデシルなどの基が挙げられ、アルケニル基
としては、例えば、ビニル、１−ブテニル、１−ヘキセ
ニル、１−ヘプテニル、１−オクテニル、１−ノネニ
ル、１−デセニル、アリル、２−ブテニル、２−ペンテ
ニル、２−ヘキセニル、２−ヘプテニル、２−オクテニ
ル、２−ノネニル、２−デセニル、３−ブテニル、３−
ペンテニル、３−ヘキセニル、３−ヘプテニル、３−オ
クテニル、３−ノネニル、３−デセニル、４−ペンテニ
ル、４−ヘキセニル、４−ヘプテニル、４−オクテニ
ル、４−ノネニル、４−デセニルなどの基が挙げられ、
アルコキシアルキル基としては、例えば、メトキシメチ
ル、エトキシメチル、プロポキシメチル、ブトキシメチ
ル、ペンチロキシメチル、ヘキシロキシメチル、ヘプチ
ロキシメチル、オクチロキシメチル、ノニロキシメチル
などのアルコキシメチル基、メトキシエチル、エトキシ
エチル、プロポキシエチル、ブトキシエチル、ペンチロ
キシエチル、ヘキシロキシエチル、ヘプチロキシエチ
ル、オクチロキシエチルなどのアルコキシエチル基など
が挙げられる。これらの中でも、R1は炭素数１〜１０の
アルコキシメチル基が好ましい。
【００１２】また、ＸおよびＹで表されるハロゲン原子
としては、例えば、塩素、フッ素、臭素などの原子が挙
げられ、これらの中でも共にフッ素原子が好ましい。
としては、例えば、塩素、フッ素、臭素などの原子が挙
げられ、これらの中でも共にフッ素原子が好ましい。
【００１３】従って、本発明のシクロヘキシルメトキシ
ベンゼン誘導体としては、例えば、下記〔化３〕〜〔化
１１〕の化合物No.1〜No.9などが挙げられる。
ベンゼン誘導体としては、例えば、下記〔化３〕〜〔化
１１〕の化合物No.1〜No.9などが挙げられる。
【００１４】
【化３】
【００１５】
【化４】
【００１６】
【化５】
【００１７】
【化６】
【００１８】
【化７】
【００１９】
【化８】
【００２０】
【化９】
【００２１】
【化１０】
【００２２】
【化１１】
【００２３】上記シクロヘキシルメトキシベンゼン誘導
体は、上記一般式（Ｉ）におけるＺで示される基の種類
によって、エステル誘導体、トラン誘導体およびエタン
誘導体に分類される。これらのシクロヘキシルメトキシ
ベンゼン誘導体は、特に制限されることなく常法により
製造することができ、具体的には下記の如く製造するこ
とができる。上記エステル誘導体（上記一般式（Ｉ）に
おいてＺが-COO- または-OCO- で示される化合物）は、
例えば、特開昭５７−１７６９４３号公報記載の方法に
準じて容易に製造することができるし、上記トラン誘導
体（上記一般式（Ｉ）においてＺが-C≡C-で示される化
合物）は、例えば、特開昭６４−８３０３７号公報に記
載の方法に準じて容易に製造することができるし、上記
エタン誘導体（上記一般式（Ｉ）においてＺが-CH2CH2-
で示される化合物）は、上記トラン誘導体あるいはその
中間体であるエテン誘導体を水添することで容易に製造
することができる。
体は、上記一般式（Ｉ）におけるＺで示される基の種類
によって、エステル誘導体、トラン誘導体およびエタン
誘導体に分類される。これらのシクロヘキシルメトキシ
ベンゼン誘導体は、特に制限されることなく常法により
製造することができ、具体的には下記の如く製造するこ
とができる。上記エステル誘導体（上記一般式（Ｉ）に
おいてＺが-COO- または-OCO- で示される化合物）は、
例えば、特開昭５７−１７６９４３号公報記載の方法に
準じて容易に製造することができるし、上記トラン誘導
体（上記一般式（Ｉ）においてＺが-C≡C-で示される化
合物）は、例えば、特開昭６４−８３０３７号公報に記
載の方法に準じて容易に製造することができるし、上記
エタン誘導体（上記一般式（Ｉ）においてＺが-CH2CH2-
で示される化合物）は、上記トラン誘導体あるいはその
中間体であるエテン誘導体を水添することで容易に製造
することができる。
【００２４】上述の如く得られる本発明のシクロヘキシ
ルメトキシベンゼン誘導体を、周知の液晶材料（母液
晶）に混合する事によって、Ｃ−Ｎ点を上げることなく
Ｎ−Ｉ点を上げ、更に誘電率の異方性（Δε）を上げる
ことができる。
ルメトキシベンゼン誘導体を、周知の液晶材料（母液
晶）に混合する事によって、Ｃ−Ｎ点を上げることなく
Ｎ−Ｉ点を上げ、更に誘電率の異方性（Δε）を上げる
ことができる。
【００２５】上記母液晶を構成する化合物としては、例
えば、下記〔化１２〕に示す化合物などが挙げられ、該
母液晶は、通常これらの化合物を数種以上混合して用い
られるものである。
えば、下記〔化１２〕に示す化合物などが挙げられ、該
母液晶は、通常これらの化合物を数種以上混合して用い
られるものである。
【００２６】
【化１２】
【００２７】従って、上記一般式（１）〜（３）で表さ
れるネマチック液晶化合物の具体例としては、下記〔化
１３〕の各化合物が挙げられる。
れるネマチック液晶化合物の具体例としては、下記〔化
１３〕の各化合物が挙げられる。
【００２８】
【化１３】
【００２９】本発明のシクロヘキシルメトキシベンゼン
誘導体の配合量は、上記母液晶１００重量部に対して、
好ましくは１〜３０重量部である。
誘導体の配合量は、上記母液晶１００重量部に対して、
好ましくは１〜３０重量部である。
【００３０】
【実施例】以下、実施例により本発明のシクロヘキシル
メトキシベンゼン誘導体の製造方法及び性質を更に詳細
に説明する。
メトキシベンゼン誘導体の製造方法及び性質を更に詳細
に説明する。
【００３１】実施例１：４−（トランス−４’−メトキ
シメチルシクロヘキシル）メトキシ−３’，４’−ジフ
ルオロトラン（前記〔化９〕の化合物No.7）の合成 （１）トランス−４−メトキシメチルシクロヘキシルメ
タノールの合成 水素化ナトリウム（５５％油性）６５．５ｇをＮ，Ｎ’
−ジメチルホルムアミド１０００ｍｌに分散し、ここに
トランス−１，４−シクロヘキサンジメタノール２５
９．６ｇをＮ，Ｎ’−ジメチルホルムアミド５００ｍｌ
に溶解した溶液を滴下した。そのまま室温で３時間撹拌
した後、一晩放置した。ここにヨウ化メチル２１２．９
ｇをＮ，Ｎ’−ジメチルホルムアミド１００ｍｌに溶解
した溶液を滴下し、そのまま室温で４時間撹拌した後、
析出物をろ別した。ろ液を脱溶媒後、水１ｌを加えて、
酢酸エチルで抽出した。乾燥、脱溶媒後、生成物を酢酸
エチル／ｎ−ヘキサン（１／２）を展開溶媒としてシリ
カゲルカラム処理を行ない、目的物のトランス−４−メ
トキシメチルシクロヘキシルメタノールを１２２．２ｇ
を得た。
シメチルシクロヘキシル）メトキシ−３’，４’−ジフ
ルオロトラン（前記〔化９〕の化合物No.7）の合成 （１）トランス−４−メトキシメチルシクロヘキシルメ
タノールの合成 水素化ナトリウム（５５％油性）６５．５ｇをＮ，Ｎ’
−ジメチルホルムアミド１０００ｍｌに分散し、ここに
トランス−１，４−シクロヘキサンジメタノール２５
９．６ｇをＮ，Ｎ’−ジメチルホルムアミド５００ｍｌ
に溶解した溶液を滴下した。そのまま室温で３時間撹拌
した後、一晩放置した。ここにヨウ化メチル２１２．９
ｇをＮ，Ｎ’−ジメチルホルムアミド１００ｍｌに溶解
した溶液を滴下し、そのまま室温で４時間撹拌した後、
析出物をろ別した。ろ液を脱溶媒後、水１ｌを加えて、
酢酸エチルで抽出した。乾燥、脱溶媒後、生成物を酢酸
エチル／ｎ−ヘキサン（１／２）を展開溶媒としてシリ
カゲルカラム処理を行ない、目的物のトランス−４−メ
トキシメチルシクロヘキシルメタノールを１２２．２ｇ
を得た。
【００３２】（２）４−（トランス−４’−メトキシメ
チルシクロヘキシル）メトキシ−１−ブロモベンゼンの
合成 （１）で得られたトランス−４−メトキシメチルシクロ
ヘキシルメタノール８．３ｇ、４−ブロモフェノール１
０．０ｇおよびトリフェニルホスフィン１５．１ｇを乾
燥ジエチルエーテル８０ｍｌに溶解した。これにアゾジ
カルボン酸ジイソプロピル１１．６ｇを滴下し、室温で
３時間撹拌後析出したトリフェニルホスフィンオキシド
をろ別した。脱溶媒後、生成物を酢酸エチル／ｎ−ヘキ
サン（１０／９０）を展開溶媒としてシリカゲルカラム
処理を行ない、目的物の４−（トランス−４’−メトキ
シメチルシクロヘキシル）メトキシ−１−ブロモベンゼ
ンを１４．１ｇ得た。
チルシクロヘキシル）メトキシ−１−ブロモベンゼンの
合成 （１）で得られたトランス−４−メトキシメチルシクロ
ヘキシルメタノール８．３ｇ、４−ブロモフェノール１
０．０ｇおよびトリフェニルホスフィン１５．１ｇを乾
燥ジエチルエーテル８０ｍｌに溶解した。これにアゾジ
カルボン酸ジイソプロピル１１．６ｇを滴下し、室温で
３時間撹拌後析出したトリフェニルホスフィンオキシド
をろ別した。脱溶媒後、生成物を酢酸エチル／ｎ−ヘキ
サン（１０／９０）を展開溶媒としてシリカゲルカラム
処理を行ない、目的物の４−（トランス−４’−メトキ
シメチルシクロヘキシル）メトキシ−１−ブロモベンゼ
ンを１４．１ｇ得た。
【００３３】（３）４−（トランス−４’−メトキシメ
チルシクロヘキシル）メトキシフェニル−２−メチル−
３−ブチン−２−オールの合成 （２）で得られた４−（トランス−４’−メトキシメチ
ルシクロヘキシル）メトキシ−４’−ブロモベンゼン１
４．１ｇ、２−メチル−３−ブチン−２−オール５．７
ｇ、トリフェニルホスフィン０．２４ｇ、ビス（トリフ
ェニルホスフィン）パラジウム（ＩＩ）クロライド９５
ｍｇおよびヨウ化銅６９ｍｇを５０ｍｌのトリエチルア
ミンに溶解し、アルゴン雰囲気および還流（９０℃）下
で３時間反応させた。室温まで冷却し、希塩酸を加えた
後、トルエンで抽出し、水洗した。乾燥、脱溶媒後、生
成物を酢酸エチル／ｎ−ヘキサン（２０／８０）を展開
溶媒としてシリカゲルカラム処理を行なった。次いでｎ
−ヘキサンで再結晶を行ない、目的物の４−（トランス
−４’−メトキシメチルシクロヘキシル）メトキシフェ
ニル−２−メチル−３−ブチン−２−オールを９．３ｇ
得た。
チルシクロヘキシル）メトキシフェニル−２−メチル−
３−ブチン−２−オールの合成 （２）で得られた４−（トランス−４’−メトキシメチ
ルシクロヘキシル）メトキシ−４’−ブロモベンゼン１
４．１ｇ、２−メチル−３−ブチン−２−オール５．７
ｇ、トリフェニルホスフィン０．２４ｇ、ビス（トリフ
ェニルホスフィン）パラジウム（ＩＩ）クロライド９５
ｍｇおよびヨウ化銅６９ｍｇを５０ｍｌのトリエチルア
ミンに溶解し、アルゴン雰囲気および還流（９０℃）下
で３時間反応させた。室温まで冷却し、希塩酸を加えた
後、トルエンで抽出し、水洗した。乾燥、脱溶媒後、生
成物を酢酸エチル／ｎ−ヘキサン（２０／８０）を展開
溶媒としてシリカゲルカラム処理を行なった。次いでｎ
−ヘキサンで再結晶を行ない、目的物の４−（トランス
−４’−メトキシメチルシクロヘキシル）メトキシフェ
ニル−２−メチル−３−ブチン−２−オールを９．３ｇ
得た。
【００３４】（４）４−（トランス−４’−メトキシメ
チルシクロヘキシル）メトキシフェニルアセチレンの合
成 （３）で得られた４−（トランス−４’−メトキシメチ
ルシクロヘキシル）メトキシフェニル−２−メチル−３
−ブチン−２−オール６．３ｇおよび水素化ナトリウム
０．１３ｇをトルエン９０ｍｌに分散し、アルゴン雰囲
気下で加温し、生成したアセトンを留去した。反応後、
室温まで冷却し、希塩酸および水で洗浄した。乾燥、脱
溶媒を行ない、生成物を酢酸エチル／ｎ−ヘキサン（１
０／９０）を展開溶媒としてシリカゲルカラム処理を行
ない、目的物の４−（トランス−４’−メトキシメチル
シクロヘキシル）メトキシフェニルアセチレンを４．６
ｇ得た。
チルシクロヘキシル）メトキシフェニルアセチレンの合
成 （３）で得られた４−（トランス−４’−メトキシメチ
ルシクロヘキシル）メトキシフェニル−２−メチル−３
−ブチン−２−オール６．３ｇおよび水素化ナトリウム
０．１３ｇをトルエン９０ｍｌに分散し、アルゴン雰囲
気下で加温し、生成したアセトンを留去した。反応後、
室温まで冷却し、希塩酸および水で洗浄した。乾燥、脱
溶媒を行ない、生成物を酢酸エチル／ｎ−ヘキサン（１
０／９０）を展開溶媒としてシリカゲルカラム処理を行
ない、目的物の４−（トランス−４’−メトキシメチル
シクロヘキシル）メトキシフェニルアセチレンを４．６
ｇ得た。
【００３５】（５）４−（トランス−４’−メトキシメ
チルシクロヘキシル）メトキシ−３’，４’−ジフルオ
ロトランの合成 （４）で得られた４−（トランス−４’−メトキシメチ
ルシクロヘキシル）メトキシフェニルアセチレン４．５
ｇ、１−ブロモ−３，４−ジフルオロベンゼン３．７
ｇ、トリフェニルホスフィン９２ｍｇ、ビス（トリフェ
ニルホスフィン）パラジウム（II）クロライド３７ｍｇ
およびヨウ化銅２７ｍｇをトリエチルアミン４０ｍｌに
溶解し、アルゴン雰囲気下、還流（９０℃）下で３時間
反応させた。室温まで冷却し、希塩酸を加えた後、トル
エンで抽出し、水洗した。乾燥、脱溶媒後、生成物を酢
酸エチル／ｎ−ヘキサン（１０／９０）を展開溶媒とし
てシリカゲルカラム処理を行なった。次いでエタノール
／酢酸エチル（１３／１）で再結晶を行ない、更にｎ−
ヘキサンでもう一度再結晶を行ない、白色結晶を３．５
ｇ得た。
チルシクロヘキシル）メトキシ−３’，４’−ジフルオ
ロトランの合成 （４）で得られた４−（トランス−４’−メトキシメチ
ルシクロヘキシル）メトキシフェニルアセチレン４．５
ｇ、１−ブロモ−３，４−ジフルオロベンゼン３．７
ｇ、トリフェニルホスフィン９２ｍｇ、ビス（トリフェ
ニルホスフィン）パラジウム（II）クロライド３７ｍｇ
およびヨウ化銅２７ｍｇをトリエチルアミン４０ｍｌに
溶解し、アルゴン雰囲気下、還流（９０℃）下で３時間
反応させた。室温まで冷却し、希塩酸を加えた後、トル
エンで抽出し、水洗した。乾燥、脱溶媒後、生成物を酢
酸エチル／ｎ−ヘキサン（１０／９０）を展開溶媒とし
てシリカゲルカラム処理を行なった。次いでエタノール
／酢酸エチル（１３／１）で再結晶を行ない、更にｎ−
ヘキサンでもう一度再結晶を行ない、白色結晶を３．５
ｇ得た。
【００３６】得られた白色結晶の赤外分光分析の結果は
以下の通りであり、目的物の生成を確認した。２９４０
ｃｍ-1、２９１０ｃｍ-1、２８５０ｃｍ-1、２２１０ｃ
ｍ-1、１６００ｃｍ-1、１５９０ｃｍ-1、１５１０ｃｍ
-1、１４２０ｃｍ-1、１３２０ｃｍ-1、１２６０ｃ
ｍ-1、１２４０ｃｍ-1、１１００ｃｍ-1、１０３０ｃｍ
-1、１０００ｃｍ-1、８７０ｃｍ-1、８３０ｃｍ-1
以下の通りであり、目的物の生成を確認した。２９４０
ｃｍ-1、２９１０ｃｍ-1、２８５０ｃｍ-1、２２１０ｃ
ｍ-1、１６００ｃｍ-1、１５９０ｃｍ-1、１５１０ｃｍ
-1、１４２０ｃｍ-1、１３２０ｃｍ-1、１２６０ｃ
ｍ-1、１２４０ｃｍ-1、１１００ｃｍ-1、１０３０ｃｍ
-1、１０００ｃｍ-1、８７０ｃｍ-1、８３０ｃｍ-1
【００３７】また、得られた白色結晶は、Ｃ−Ｎ点が１
０４℃、Ｎ−Ｉ点が１２３℃、Δεが６．６（外挿値）
であり、Ｃ−Ｎ点が比較的低く、Ｎ−Ｉ点およびΔεが
高いので、液晶材料に混合してＣ−Ｎ点を上げることな
く、Ｎ−Ｉ点およびΔεを上げることができる。これに
対し、特開昭６４−８３０３７号公報に記載されている
４−（トランス−４’−プロピルメチルシクロヘキシ
ル）メトキシ−４’−フルオロトランはＣ−Ｎ点が１４
６℃、Ｎ−Ｉ点が１９４℃であり、Ｃ−Ｎ点が高すぎて
実用上満足できるものではなかった。
０４℃、Ｎ−Ｉ点が１２３℃、Δεが６．６（外挿値）
であり、Ｃ−Ｎ点が比較的低く、Ｎ−Ｉ点およびΔεが
高いので、液晶材料に混合してＣ−Ｎ点を上げることな
く、Ｎ−Ｉ点およびΔεを上げることができる。これに
対し、特開昭６４−８３０３７号公報に記載されている
４−（トランス−４’−プロピルメチルシクロヘキシ
ル）メトキシ−４’−フルオロトランはＣ−Ｎ点が１４
６℃、Ｎ−Ｉ点が１９４℃であり、Ｃ−Ｎ点が高すぎて
実用上満足できるものではなかった。
【００３８】実施例２：１−（４’−（トランス−４”
−メトキシメチルシクロヘキシル）メトキシフェニル）
−２−（３’，４’−ジフルオロフェニル）エタン（前
記〔化８〕の化合物No.6）の合成 実施例１で得られたトランス−４−（４’−メトキシメ
チルシクロヘキシル）メトキシ−３’，４’−ジフルオ
ロトラン２．０ｇおよび１０％パラジウムカーボン０．
２ｇをエタノール２０ｍｌに分散し、水素添加後、触媒
をろ別した。脱溶媒後、生成物を酢酸エチル／ｎ−ヘキ
サン（５／９５）を展開溶媒としてシリカゲルカラム処
理を行なった。更にｎ−ヘキサンを展開溶媒としてシリ
カゲルカラム処理を行ない、融点９６℃の白色結晶を
１．２ｇ得た。
−メトキシメチルシクロヘキシル）メトキシフェニル）
−２−（３’，４’−ジフルオロフェニル）エタン（前
記〔化８〕の化合物No.6）の合成 実施例１で得られたトランス−４−（４’−メトキシメ
チルシクロヘキシル）メトキシ−３’，４’−ジフルオ
ロトラン２．０ｇおよび１０％パラジウムカーボン０．
２ｇをエタノール２０ｍｌに分散し、水素添加後、触媒
をろ別した。脱溶媒後、生成物を酢酸エチル／ｎ−ヘキ
サン（５／９５）を展開溶媒としてシリカゲルカラム処
理を行なった。更にｎ−ヘキサンを展開溶媒としてシリ
カゲルカラム処理を行ない、融点９６℃の白色結晶を
１．２ｇ得た。
【００３９】得られた白色結晶の赤外分光分析の結果は
以下の通りであり、目的物の生成を確認した。２９４０
ｃｍ-1、２９１４ｃｍ-1、２８５０ｃｍ-1、１６００ｃ
ｍ-1、１５９０ｃｍ-1、１５８０ｃｍ-1、１４６０ｃｍ
-1、１４２０ｃｍ-1、１３２０ｃｍ-1、１２８０ｃ
ｍ-1、１２６０ｃｍ-1、１２３０ｃｍ-1、１２００ｃｍ
-1、１１００ｃｍ-1、１０４０ｃｍ-1、９４０ｃｍ-1、
８００ｃｍ-1
以下の通りであり、目的物の生成を確認した。２９４０
ｃｍ-1、２９１４ｃｍ-1、２８５０ｃｍ-1、１６００ｃ
ｍ-1、１５９０ｃｍ-1、１５８０ｃｍ-1、１４６０ｃｍ
-1、１４２０ｃｍ-1、１３２０ｃｍ-1、１２８０ｃ
ｍ-1、１２６０ｃｍ-1、１２３０ｃｍ-1、１２００ｃｍ
-1、１１００ｃｍ-1、１０４０ｃｍ-1、９４０ｃｍ-1、
８００ｃｍ-1
【００４０】実施例３ 下記〔表１〕に示す本発明のシクロヘキシルメトキシベ
ンゼン誘導体（実施例１および２で得られた化合物No.7
および化合物No.6）を、母液晶である市販液晶Ａ（下記
〔化１４〕に示す組成）に混合して、液晶組成物として
のＮ−Ｉ点およびΔεの評価をした。また、母液晶のみ
（無添加）の場合についてのＮ−Ｉ点およびΔεも評価
した。それらの結果を下記〔表１〕に示す。
ンゼン誘導体（実施例１および２で得られた化合物No.7
および化合物No.6）を、母液晶である市販液晶Ａ（下記
〔化１４〕に示す組成）に混合して、液晶組成物として
のＮ−Ｉ点およびΔεの評価をした。また、母液晶のみ
（無添加）の場合についてのＮ−Ｉ点およびΔεも評価
した。それらの結果を下記〔表１〕に示す。
【００４１】
【化１４】
【００４２】
【表１】
【００４３】ここで使用される市販液晶Ａは高いＮ−Ｉ
点を有する液晶組成物であるが、化合物No.7は更にＮ−
Ｉ点を上げることができ、化合物No.6も悪影響を与える
ことなく、共にΔεを著しく上げることができるもので
あることが判る。
点を有する液晶組成物であるが、化合物No.7は更にＮ−
Ｉ点を上げることができ、化合物No.6も悪影響を与える
ことなく、共にΔεを著しく上げることができるもので
あることが判る。
【００４４】
【発明の効果】本発明のシクロヘキシルメトキシベンゼ
ン誘導体は、ネマチック液晶材料に混合することによ
り、高い誘電率の異方性（Δε）を有し且つＣ−Ｎ点を
上げることなく高いＮ−Ｉ点を有する液晶組成物を与え
ることができるものである（請求項１）。また、本発明
のシクロヘキシルメトキシベンゼン誘導体は、前記一般
式（Ｉ）においてR1を特定の基とすることにより、上記
効果を更に向上させる（請求項２）。
ン誘導体は、ネマチック液晶材料に混合することによ
り、高い誘電率の異方性（Δε）を有し且つＣ−Ｎ点を
上げることなく高いＮ−Ｉ点を有する液晶組成物を与え
ることができるものである（請求項１）。また、本発明
のシクロヘキシルメトキシベンゼン誘導体は、前記一般
式（Ｉ）においてR1を特定の基とすることにより、上記
効果を更に向上させる（請求項２）。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｇ０２Ｆ 1/13 ５００ (72)発明者 村田 ゆかり 埼玉県浦和市白幡５丁目２番13号 旭電化 工業株式会社内
Claims (2)
- 【請求項１】 下記〔化１〕の一般式（Ｉ）で表される
シクロヘキシルメトキシベンゼン誘導体。 【化１】 - 【請求項２】 上記一般式（Ｉ）中のR1が炭素数１〜１
０のアルコキシメチル基である請求項１記載のシクロヘ
キシルメトキシベンゼン誘導体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP02641894A JP3469291B2 (ja) | 1994-02-24 | 1994-02-24 | シクロヘキシルメトキシベンゼン誘導体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP02641894A JP3469291B2 (ja) | 1994-02-24 | 1994-02-24 | シクロヘキシルメトキシベンゼン誘導体 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07233113A true JPH07233113A (ja) | 1995-09-05 |
| JP3469291B2 JP3469291B2 (ja) | 2003-11-25 |
Family
ID=12192994
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP02641894A Expired - Fee Related JP3469291B2 (ja) | 1994-02-24 | 1994-02-24 | シクロヘキシルメトキシベンゼン誘導体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3469291B2 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0884302A4 (en) * | 1996-02-07 | 1999-05-19 | Chisso Corp | CARBOXYL ESTER DERIVATIVES WITH ETHER GROUP AND LIQUID CRYSTAL COMPOSITION CONTAINING THEM |
| US6149990A (en) * | 1996-02-07 | 2000-11-21 | Chisso Corporation | Carboxylate derivatives comprising an ether group and liquid crystal composition comprising the same |
| CN109135764A (zh) * | 2017-06-27 | 2019-01-04 | 江苏和成显示科技有限公司 | 一种具有负的介电各向异性的液晶组合物及液晶显示器件 |
-
1994
- 1994-02-24 JP JP02641894A patent/JP3469291B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0884302A4 (en) * | 1996-02-07 | 1999-05-19 | Chisso Corp | CARBOXYL ESTER DERIVATIVES WITH ETHER GROUP AND LIQUID CRYSTAL COMPOSITION CONTAINING THEM |
| US6149990A (en) * | 1996-02-07 | 2000-11-21 | Chisso Corporation | Carboxylate derivatives comprising an ether group and liquid crystal composition comprising the same |
| CN109135764A (zh) * | 2017-06-27 | 2019-01-04 | 江苏和成显示科技有限公司 | 一种具有负的介电各向异性的液晶组合物及液晶显示器件 |
| CN109135764B (zh) * | 2017-06-27 | 2022-03-11 | 江苏和成显示科技有限公司 | 一种具有负的介电各向异性的液晶组合物及液晶显示器件 |
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3469291B2 (ja) | 2003-11-25 |
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