JPH07231037A - 電子装置用配線 - Google Patents
電子装置用配線Info
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- JPH07231037A JPH07231037A JP2013794A JP2013794A JPH07231037A JP H07231037 A JPH07231037 A JP H07231037A JP 2013794 A JP2013794 A JP 2013794A JP 2013794 A JP2013794 A JP 2013794A JP H07231037 A JPH07231037 A JP H07231037A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】低抵抗で微細な配線を有する高性能電子装置を
提供する。 【構成】基板１１上に形成された絶縁層１５上に、アル
ミニウムもしくはアルミニウム合金配線１１３を形成す
る。その際、タングステン等異種導電体と接する部分に
は、窒素を含むタングステンを挾んだ構造にする。
提供する。 【構成】基板１１上に形成された絶縁層１５上に、アル
ミニウムもしくはアルミニウム合金配線１１３を形成す
る。その際、タングステン等異種導電体と接する部分に
は、窒素を含むタングステンを挾んだ構造にする。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、低抵抗で微細な配線を
有する高性能な電子装置に関する。
有する高性能な電子装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】電子装置特に半導体装置に用いられてい
るアルミニウム合金配線の微細化に伴い、配線の寸法
（幅および厚さ）が１μｍ以下のサブミクロン領域で
は、いろいろな方式が検討されている。
るアルミニウム合金配線の微細化に伴い、配線の寸法
（幅および厚さ）が１μｍ以下のサブミクロン領域で
は、いろいろな方式が検討されている。
【０００３】代表的なものに、比較的実現の容易な方法
として積層化がすでに試みられている。例えば、第２６
回アニュアル・プロシーディングス・リライアビリテイ
・フィジックス（１９８８年）第１７３頁から１７８頁
（26th Annual ProceedingReliability Physics(1988)p
p.173−178, H. H. Hoang,“Effects of AnnealingTemp
erature on Electromigration Performance of Multila
yer MetallizationSystems.”）には、アルミニウム層
と高融点金属層等、複数の導電体膜を積層した積層膜
を、配線として使用することが提案されており、積層膜
によって構成された配線の性能についても示されてい
る。また、１９８８年シンポジウム オンブイエルエス
アイ テクノロジー 第８９頁から９０頁（1988 Sympo
sium on VLSI Technology pp.89−90（1988)）および１
９８８ シンポジウム オン ブイエルエスアイ テク
ノロジー 第１０１頁から１０２頁（1988 Symposiumon
VLSI Technology pp.101−102(1988))には、このような
積層膜配線によって構成された多層配線が提案されてい
る。この積層膜配線を構成しているアルミニウムは、タ
ングステンやその合金上に形成されている。
として積層化がすでに試みられている。例えば、第２６
回アニュアル・プロシーディングス・リライアビリテイ
・フィジックス（１９８８年）第１７３頁から１７８頁
（26th Annual ProceedingReliability Physics(1988)p
p.173−178, H. H. Hoang,“Effects of AnnealingTemp
erature on Electromigration Performance of Multila
yer MetallizationSystems.”）には、アルミニウム層
と高融点金属層等、複数の導電体膜を積層した積層膜
を、配線として使用することが提案されており、積層膜
によって構成された配線の性能についても示されてい
る。また、１９８８年シンポジウム オンブイエルエス
アイ テクノロジー 第８９頁から９０頁（1988 Sympo
sium on VLSI Technology pp.89−90（1988)）および１
９８８ シンポジウム オン ブイエルエスアイ テク
ノロジー 第１０１頁から１０２頁（1988 Symposiumon
VLSI Technology pp.101−102(1988))には、このような
積層膜配線によって構成された多層配線が提案されてい
る。この積層膜配線を構成しているアルミニウムは、タ
ングステンやその合金上に形成されている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかし、上記従来技術
の積層構造化によっては、必ずしも微細化に十分対応で
きない。例えば、第５４回応用物理学会学術講演会 講
演予稿集（１９９３年）第６５３頁 講演番号２７ｐ−
ＺＥ−６ 関口，藤居，山中，福本 サブハーフミクロ
ンＡｌＳｉＣｕ／ＣＶＤ−Ｗ積層配線の熱処理時の抵抗
上昇（ExtendedAbstracts (The 54th Autumn Meeting,
1993); The Japan Society of AppliedPhysics, p.653
No.27p−ZE−6, M. Sekiguchi et. al. “Resistance I
ncreaseafter Annealing in Sub−half−micron Width
AlSiCu／CVD−W Layered Interconnects.”）に報告さ
れているように配線層の膜厚、特に、アルミニウム合金
層の膜厚が薄くなってくると、配線層の電気抵抗が増加
するという問題が出てくる。
の積層構造化によっては、必ずしも微細化に十分対応で
きない。例えば、第５４回応用物理学会学術講演会 講
演予稿集（１９９３年）第６５３頁 講演番号２７ｐ−
ＺＥ−６ 関口，藤居，山中，福本 サブハーフミクロ
ンＡｌＳｉＣｕ／ＣＶＤ−Ｗ積層配線の熱処理時の抵抗
上昇（ExtendedAbstracts (The 54th Autumn Meeting,
1993); The Japan Society of AppliedPhysics, p.653
No.27p−ZE−6, M. Sekiguchi et. al. “Resistance I
ncreaseafter Annealing in Sub−half−micron Width
AlSiCu／CVD−W Layered Interconnects.”）に報告さ
れているように配線層の膜厚、特に、アルミニウム合金
層の膜厚が薄くなってくると、配線層の電気抵抗が増加
するという問題が出てくる。
【０００５】前記文献によると、２００ｎｍ厚さのアル
ミニウム合金をタングステンと積層して配線を形成した
場合、電子装置製造工程で通常行われる４５０℃の熱処
理により、数十％〜数百％の抵抗増加が生じている。窒
化チタン（ＴｉＮ）をアルミニウム合金とタングステン
との間に挾んで配線を形成した場合でも５０％以上の抵
抗増加が生じている。このように大きく抵抗が増加する
と、アルミニウム合金を積層した配線を低抵抗配線とし
て用いる利点がなくなってしまう。
ミニウム合金をタングステンと積層して配線を形成した
場合、電子装置製造工程で通常行われる４５０℃の熱処
理により、数十％〜数百％の抵抗増加が生じている。窒
化チタン（ＴｉＮ）をアルミニウム合金とタングステン
との間に挾んで配線を形成した場合でも５０％以上の抵
抗増加が生じている。このように大きく抵抗が増加する
と、アルミニウム合金を積層した配線を低抵抗配線とし
て用いる利点がなくなってしまう。
【０００６】本発明の目的は、このような熱処理による
大幅な抵抗増加の生じることない、微細なアルミニウム
もしくはアルミニウム合金配線を用いた、高性能の電子
装置を提供することにある。
大幅な抵抗増加の生じることない、微細なアルミニウム
もしくはアルミニウム合金配線を用いた、高性能の電子
装置を提供することにある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】上記目的はアルミニウム
もしくはアルミニウム合金と下地材料との反応を抑制す
る導電材料として、両者の間に窒素を含有するタングス
テンの領域を設けることによって達成される。
もしくはアルミニウム合金と下地材料との反応を抑制す
る導電材料として、両者の間に窒素を含有するタングス
テンの領域を設けることによって達成される。
【０００８】
【作用】発明が解決しようとする課題で述べた配線抵抗
の増加は、アルミニウムもしくはアルミニウム合金と下
地材料との反応，合金化によって生じる。窒素を含有す
るタングステンは導電体であり、またアルミニウム（合
金）との反応性が非常に低いため、両者を接して形成し
熱処理を施してもごく僅かな反応しか進行せず大幅な抵
抗増加が起こらない。また、アルミニウム（合金）の結
晶粒成長も阻害されないため、エレクトロマイグレーシ
ョン耐性も同時に改善される。
の増加は、アルミニウムもしくはアルミニウム合金と下
地材料との反応，合金化によって生じる。窒素を含有す
るタングステンは導電体であり、またアルミニウム（合
金）との反応性が非常に低いため、両者を接して形成し
熱処理を施してもごく僅かな反応しか進行せず大幅な抵
抗増加が起こらない。また、アルミニウム（合金）の結
晶粒成長も阻害されないため、エレクトロマイグレーシ
ョン耐性も同時に改善される。
【０００９】
＜実施例１＞図１から図６は本発明の実施例の一つを示
すアルミニウム配線およびその製造方法である。以下で
順を追って説明する。
すアルミニウム配線およびその製造方法である。以下で
順を追って説明する。
【００１０】シリコン基板（１１）上に多結晶シリコン
ゲート１３，タングステン配線１４，絶縁層としてシリ
コン酸化物層１５を形成し、タングステン配線と導通さ
せるために接続孔に選択ＣＶＤ法によりタングステンを
埋め込み、タングステンプラグ１６を形成した。次にス
パッタチャンバ内にアルゴンガスと窒素ガスとの混合気
体を導入し反応性マグネトロンスパッタ法で厚さ５０ｎ
ｍの窒素を含むタングステン層を形成し、引き続き、３
００ｎｍ厚のアルミニウム−シリコン（１重量％）−銅
（０.５重量％ ）合金を１５０℃乃至２５０℃の基板温
度で形成した。通常のフォトリソグラフィー法およびド
ライエッチング法でアルミニウム合金層１１３と窒素を
含むタングステン層１７とからなる所定の配線パターン
を、絶縁層１５と接するように形成した（図１）。配線
パターンの幅は０.３μｍ から２μｍの範囲で０.３，
０.６，１.０，２.０の４種類のものを形成した。窒素
を含むタングステン層１７も、アルゴンガスと窒素ガス
との混合比を変えて、窒素含有率が１７％から５３％
（原子数％）まで４種類の膜を作製して性能を比較検討
した。
ゲート１３，タングステン配線１４，絶縁層としてシリ
コン酸化物層１５を形成し、タングステン配線と導通さ
せるために接続孔に選択ＣＶＤ法によりタングステンを
埋め込み、タングステンプラグ１６を形成した。次にス
パッタチャンバ内にアルゴンガスと窒素ガスとの混合気
体を導入し反応性マグネトロンスパッタ法で厚さ５０ｎ
ｍの窒素を含むタングステン層を形成し、引き続き、３
００ｎｍ厚のアルミニウム−シリコン（１重量％）−銅
（０.５重量％ ）合金を１５０℃乃至２５０℃の基板温
度で形成した。通常のフォトリソグラフィー法およびド
ライエッチング法でアルミニウム合金層１１３と窒素を
含むタングステン層１７とからなる所定の配線パターン
を、絶縁層１５と接するように形成した（図１）。配線
パターンの幅は０.３μｍ から２μｍの範囲で０.３，
０.６，１.０，２.０の４種類のものを形成した。窒素
を含むタングステン層１７も、アルゴンガスと窒素ガス
との混合比を変えて、窒素含有率が１７％から５３％
（原子数％）まで４種類の膜を作製して性能を比較検討
した。
【００１１】ほぼ同様の作り方で、図２から図６までの
構造を持つ電子装置を作製した。異なる部分についての
み説明する。
構造を持つ電子装置を作製した。異なる部分についての
み説明する。
【００１２】図２ではタングステン層１６１をブランケ
ットＣＶＤ法（非選択，全面形成）で形成し、アルミニ
ウム合金層１１３および窒素を含むタングステン層１７
と同時にパターニングし配線層とした。
ットＣＶＤ法（非選択，全面形成）で形成し、アルミニ
ウム合金層１１３および窒素を含むタングステン層１７
と同時にパターニングし配線層とした。
【００１３】図３ではタングステン層１６２，窒素を含
むタングステン層１７，アルミニウム合金層１１３を順
次スパッタ法で形成し、この３層膜を同時にパターニン
グし配線層とした。
むタングステン層１７，アルミニウム合金層１１３を順
次スパッタ法で形成し、この３層膜を同時にパターニン
グし配線層とした。
【００１４】図４では図３の３層膜にさらに、窒素を含
むタングステン層１７１，タングステン層１６３を順次
スパッタ法で形成し、この５層膜を同時にパターニング
し配線層とした。
むタングステン層１７１，タングステン層１６３を順次
スパッタ法で形成し、この５層膜を同時にパターニング
し配線層とした。
【００１５】図５では図１の構造でアルミニウム層１１
３の上側にタングステン層１６４を設け、タングステ
ン，アルミニウム，窒素を含むタングステンを同時にパ
ターニングし配線層とした。
３の上側にタングステン層１６４を設け、タングステ
ン，アルミニウム，窒素を含むタングステンを同時にパ
ターニングし配線層とした。
【００１６】図６では図１と同様な方法でタングステン
プラグ１６を形成し、アルミニウム層１１３を設け、そ
の上側に窒素を含むタングステン層１７１，タングステ
ン層１６５を形成し、アルミニウムから上の３層を同時
にパターニングし配線層とした。
プラグ１６を形成し、アルミニウム層１１３を設け、そ
の上側に窒素を含むタングステン層１７１，タングステ
ン層１６５を形成し、アルミニウムから上の３層を同時
にパターニングし配線層とした。
【００１７】これらの素子の表面に保護膜を形成し最終
的な形態とする。
的な形態とする。
【００１８】配線としての性能を比較するため図１から
図６の構造のそれぞれについて、窒素を含むタングステ
ン層（１７もしくは１７１）が無いものを同時に作製し
た。 (1）配線抵抗の熱処理による変化 完成した配線に４５０℃の熱処理を施し配線抵抗の変化
を測定した。結果を表１に示す。測定した配線の寸法
は、幅０.５μ ，長さ１０００μである。
図６の構造のそれぞれについて、窒素を含むタングステ
ン層（１７もしくは１７１）が無いものを同時に作製し
た。 (1）配線抵抗の熱処理による変化 完成した配線に４５０℃の熱処理を施し配線抵抗の変化
を測定した。結果を表１に示す。測定した配線の寸法
は、幅０.５μ ，長さ１０００μである。
【００１９】
【表１】
【００２０】表から明らかなように、窒素を含むタング
ステン層を設けた場合はそうでない場合より配線抵抗の
増加が少ない。この層がない場合は数１０％以上の増加
があり、低抵抗配線としての利点が失われてしまう。こ
の層を設けると、抵抗増加はほとんどの場合、数％以下
で実用的に問題にならない範囲にあった。
ステン層を設けた場合はそうでない場合より配線抵抗の
増加が少ない。この層がない場合は数１０％以上の増加
があり、低抵抗配線としての利点が失われてしまう。こ
の層を設けると、抵抗増加はほとんどの場合、数％以下
で実用的に問題にならない範囲にあった。
【００２１】(2）通電試験 完成ウエハをチップに切りだし、パッケージへのマウン
ト、およびワイヤボンディングによる組立工程をへて試
験試料を作製した。チップのなかで１.５μ 幅の配線約
５０本に、温度２００℃で電流密度５ＭＡ／cm2 の通電
試験を施した。窒素を含むタングステン層を設けていな
い配線では数十時間ないし数百時間で全数の配線が断線
した。この層を設けたものでは約一千時間経ても断線の
発生がなかった。このテスト結果を実使用条件に換算す
ると、本実施例では１％不良（断線）に至る時間は１０
年以上となり、実用上必要な寿命を保証できることが分
かった。
ト、およびワイヤボンディングによる組立工程をへて試
験試料を作製した。チップのなかで１.５μ 幅の配線約
５０本に、温度２００℃で電流密度５ＭＡ／cm2 の通電
試験を施した。窒素を含むタングステン層を設けていな
い配線では数十時間ないし数百時間で全数の配線が断線
した。この層を設けたものでは約一千時間経ても断線の
発生がなかった。このテスト結果を実使用条件に換算す
ると、本実施例では１％不良（断線）に至る時間は１０
年以上となり、実用上必要な寿命を保証できることが分
かった。
【００２２】なお、この配線のアルミニウム層の結晶粒
組織を透過電子顕微鏡で調べたところ、平均結晶粒径が
４.６μｍ で配線部では、ほぼ完全なバンブー（竹の節
状）構造の結晶粒が形成されていた。２μ幅より細い配
線では完全なバンブー構造が形成されていることは間違
いない。また、窒素を含むタングステン層を設けていな
い配線についてもアルミニウム層の結晶粒組織を透過電
子顕微鏡で調べた。平均結晶粒径は０.６μｍで、幅０.
３μｍの配線でもバンブー化しない領域が多数観察され
た。結晶粒成長によるバンブー構造化が高信頼化に寄与
していると考えられる。
組織を透過電子顕微鏡で調べたところ、平均結晶粒径が
４.６μｍ で配線部では、ほぼ完全なバンブー（竹の節
状）構造の結晶粒が形成されていた。２μ幅より細い配
線では完全なバンブー構造が形成されていることは間違
いない。また、窒素を含むタングステン層を設けていな
い配線についてもアルミニウム層の結晶粒組織を透過電
子顕微鏡で調べた。平均結晶粒径は０.６μｍで、幅０.
３μｍの配線でもバンブー化しない領域が多数観察され
た。結晶粒成長によるバンブー構造化が高信頼化に寄与
していると考えられる。
【００２３】＜実施例２＞実施例１ではアルミニウム合
金に接している第１の導体層としてタングステン層が形
成されている場合について説明した。この層がタングス
テン以外の導電材料であってもよい。実施例２ではこれ
がチタン，モリブデン，チタンタングステン合金、もし
くは窒化チタンである場合について説明する。
金に接している第１の導体層としてタングステン層が形
成されている場合について説明した。この層がタングス
テン以外の導電材料であってもよい。実施例２ではこれ
がチタン，モリブデン，チタンタングステン合金、もし
くは窒化チタンである場合について説明する。
【００２４】図１ないし図６の構造をこれら４種類の材
料を用いて形成した。チタン，モリブデン，チタンタン
グステン合金（１０重量％チタン）は通常スパッタ法
で、窒化チタンについては反応性スパッタ法で形成し
た。実施例１と同様に４５０℃の熱処理を施して配線抵
抗の変化を測定した。これらの材料とアルミニウム合金
層が直接接触している従来型の構造ではやはり大幅な抵
抗増加があった。チタン，モリブデン，チタンタングス
テン合金の場合はタングステンよりも数十％大きい抵抗
増が、窒化チタンの場合は１／３ないし１／２程度の抵
抗増があった。窒素を含むタングステンを挾んだ場合は
実施例１に述べたのと同程度の抵抗増に収まっており、
配線抵抗を低く保つことができた。
料を用いて形成した。チタン，モリブデン，チタンタン
グステン合金（１０重量％チタン）は通常スパッタ法
で、窒化チタンについては反応性スパッタ法で形成し
た。実施例１と同様に４５０℃の熱処理を施して配線抵
抗の変化を測定した。これらの材料とアルミニウム合金
層が直接接触している従来型の構造ではやはり大幅な抵
抗増加があった。チタン，モリブデン，チタンタングス
テン合金の場合はタングステンよりも数十％大きい抵抗
増が、窒化チタンの場合は１／３ないし１／２程度の抵
抗増があった。窒素を含むタングステンを挾んだ場合は
実施例１に述べたのと同程度の抵抗増に収まっており、
配線抵抗を低く保つことができた。
【００２５】＜実施例３＞実施例１ではアルミニウム合
金層の厚さが３００ｎｍの場合について説明した。実施
例３ではこの層の厚さを変化させたときの効果について
説明する。
金層の厚さが３００ｎｍの場合について説明した。実施
例３ではこの層の厚さを変化させたときの効果について
説明する。
【００２６】図２の構造でアルミニウム合金層１１３の
厚さを変えたものを作製し、同様に４５０℃の熱処理を
施して配線抵抗の変化を測定した。熱処理時間は１２０
分とした。また、タングステン膜形成後、５００℃でア
ンモニアガス雰囲気に晒し、表面を窒素を含む層に変化
させた試料についても同様の構造を作り熱処理を施して
抵抗変化を測定した。結果を表２（および図７）に示
す。
厚さを変えたものを作製し、同様に４５０℃の熱処理を
施して配線抵抗の変化を測定した。熱処理時間は１２０
分とした。また、タングステン膜形成後、５００℃でア
ンモニアガス雰囲気に晒し、表面を窒素を含む層に変化
させた試料についても同様の構造を作り熱処理を施して
抵抗変化を測定した。結果を表２（および図７）に示
す。
【００２７】
【表２】
【００２８】アルミニウム合金層の厚さが厚いと窒素を
含むタングステン層がなくても配線抵抗の増加はそれほ
ど目立たず低抵抗を保つことができる。しかし、アルミ
ニウム合金層の厚さが３００ｎｍ程度以下になると窒素
を含むタングステン層がないと抵抗増加の割合が急増
し、実用上の利点が失われる。これに比べ、窒素を含む
タングステン層１７を挾む構造では抵抗増加が高々数％
の範囲にあり低抵抗の利点を保つことができる。
含むタングステン層がなくても配線抵抗の増加はそれほ
ど目立たず低抵抗を保つことができる。しかし、アルミ
ニウム合金層の厚さが３００ｎｍ程度以下になると窒素
を含むタングステン層がないと抵抗増加の割合が急増
し、実用上の利点が失われる。これに比べ、窒素を含む
タングステン層１７を挾む構造では抵抗増加が高々数％
の範囲にあり低抵抗の利点を保つことができる。
【００２９】窒素を含むタングステン層を反応性スパッ
タ法で形成した場合はこのように優れた効果があった
が、タングステン層の表面を窒化する方法で形成した場
合には十分な効果がなく、大幅な抵抗増加があった。オ
ージェ分析法（ＡＥＳ）により窒化層を調べたところ、
厚さは１５ｎｍ程度と薄く、組成（Ｗ／Ｎ比）も膜中で
一定でなかった。反応性スパッタ法により形成した場合
は組成はほぼ一定に保たれており、膜厚も２０ｎｍ以上
であれば前述のように熱処理による抵抗増加が数％以下
であった。これらのことから、反応性スパッタ法により
形成した窒素を含むタングステンで膜厚が２０ｎｍ以上
であることがもっとも良い条件といえる。ただ、配線層
全体の厚さは薄いほうが望ましいので無闇に窒素を含む
タングステン層を厚くするのは良くない。
タ法で形成した場合はこのように優れた効果があった
が、タングステン層の表面を窒化する方法で形成した場
合には十分な効果がなく、大幅な抵抗増加があった。オ
ージェ分析法（ＡＥＳ）により窒化層を調べたところ、
厚さは１５ｎｍ程度と薄く、組成（Ｗ／Ｎ比）も膜中で
一定でなかった。反応性スパッタ法により形成した場合
は組成はほぼ一定に保たれており、膜厚も２０ｎｍ以上
であれば前述のように熱処理による抵抗増加が数％以下
であった。これらのことから、反応性スパッタ法により
形成した窒素を含むタングステンで膜厚が２０ｎｍ以上
であることがもっとも良い条件といえる。ただ、配線層
全体の厚さは薄いほうが望ましいので無闇に窒素を含む
タングステン層を厚くするのは良くない。
【００３０】＜実施例４＞実施例１ないし実施例３で形
成した窒素を含むタングステンは高純度のアルゴンガス
と窒素ガスとの混合気体中で反応性スパッタ法を用いて
形成しており、膜の主成分はタングステンと窒素で、こ
れら以外の元素は１％以下であった。混合気体中に微量
（０.０１ ないし１％程度）の酸素を導入すると形成し
た膜中に酸素を含ませることができる。このようにして
膜中に１ないし１０％の酸素を含ませたものについて実
施例１と同様の構造を作製して熱処理による配線抵抗の
増加を測定した。
成した窒素を含むタングステンは高純度のアルゴンガス
と窒素ガスとの混合気体中で反応性スパッタ法を用いて
形成しており、膜の主成分はタングステンと窒素で、こ
れら以外の元素は１％以下であった。混合気体中に微量
（０.０１ ないし１％程度）の酸素を導入すると形成し
た膜中に酸素を含ませることができる。このようにして
膜中に１ないし１０％の酸素を含ませたものについて実
施例１と同様の構造を作製して熱処理による配線抵抗の
増加を測定した。
【００３１】結果は酸素濃度によって異なり、ある範囲
では酸素を含まないものより優れた効果があった。図８
は酸素濃度の関数として配線抵抗の増加率をプロットし
たものである。酸素が少ないうちは酸素を増やすと抵抗
増加が抑えられ良い効果があるが、５％程度を越えない
とむしろ酸素のない場合より抵抗増加が大きく、酸素を
加えることは良くない。
では酸素を含まないものより優れた効果があった。図８
は酸素濃度の関数として配線抵抗の増加率をプロットし
たものである。酸素が少ないうちは酸素を増やすと抵抗
増加が抑えられ良い効果があるが、５％程度を越えない
とむしろ酸素のない場合より抵抗増加が大きく、酸素を
加えることは良くない。
【００３２】
【発明の効果】本発明によれば、製造工程における配線
抵抗の増加がなく、信頼性の高い微細なアルミニウムも
しくはアルミニウム合金配線を得ることができる。
抵抗の増加がなく、信頼性の高い微細なアルミニウムも
しくはアルミニウム合金配線を得ることができる。
【図１】本発明の一実施例の電子装置の断面図。
【図２】本発明の一実施例の電子装置の断面図。
【図３】本発明の一実施例の電子装置の断面図。
【図４】本発明の一実施例の電子装置の断面図。
【図５】本発明の一実施例の電子装置の断面図。
【図６】本発明の一実施例の電子装置の断面図。
【図７】本発明の実施例３における本発明の効果を表す
抵抗増加率の測定図。
抵抗増加率の測定図。
【図８】本発明の実施例４における本発明の効果を表す
抵抗増加率の測定図。
抵抗増加率の測定図。
１１…シリコン基板、１３…多結晶シリコンゲート、１
４…タングステン配線、１５…絶縁層、１６…タングス
テンプラグ、１６１，１６２，１６３，１６４，１６５
…タングステン層、１７，１７１…窒素を含むタングス
テン、１１３…アルミニウム合金層。
４…タングステン配線、１５…絶縁層、１６…タングス
テンプラグ、１６１，１６２，１６３，１６４，１６５
…タングステン層、１７，１７１…窒素を含むタングス
テン、１１３…アルミニウム合金層。
Claims (6)
- 【請求項１】基体表面に形成された絶縁層と、前記絶縁
層上もしくは前記絶縁層に取り囲まれるように形成され
た第一の導電体の領域とそれに接続するように形成され
ているアルミニウムもしくはアルミニウム合金からなる
第二の導電体の領域を有する電子装置用配線において、
前記両導電体領域の間に窒素を含有するタングステンの
領域を設けたことを特徴とする電子装置用配線。 - 【請求項２】請求項１において、アルミニウムもしくは
アルミニウム合金からなる導電体領域の上下両側に窒素
を含有するタングステンの領域を挟んで異種導電体領域
を設けた電子装置用配線。 - 【請求項３】請求項１または２において、絶縁層上もし
くは絶縁層に取り囲まれるように形成された第一の導電
体がタングステン，チタン，モリブデン、もしくはこれ
らを主成分とする合金である電子装置用配線。 - 【請求項４】請求項１，２または３において、アルミニ
ウムもしくはアルミニウム合金からなる第二の導電体の
領域の厚さが３００ナノメータ以下である電子装置用配
線。 - 【請求項５】請求項１，２，３または４において、アル
ミニウムもしくはアルミニウム合金からなる第二の導電
体の領域のなかで、幅が概ね１ミクロン以下のものに付
き、その結晶粒界がバンブー化されている電子装置用配
線。 - 【請求項６】請求項１，２，３，４または５において、
窒素を含有するタングステン層がさらに酸素を含有する
電子装置用配線。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2013794A JPH07231037A (ja) | 1994-02-17 | 1994-02-17 | 電子装置用配線 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2013794A JPH07231037A (ja) | 1994-02-17 | 1994-02-17 | 電子装置用配線 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07231037A true JPH07231037A (ja) | 1995-08-29 |
Family
ID=12018751
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2013794A Pending JPH07231037A (ja) | 1994-02-17 | 1994-02-17 | 電子装置用配線 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07231037A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100370157B1 (ko) * | 2000-08-14 | 2003-01-30 | 주식회사 하이닉스반도체 | 반도체 소자의 금속 배선 형성 방법 |
-
1994
- 1994-02-17 JP JP2013794A patent/JPH07231037A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100370157B1 (ko) * | 2000-08-14 | 2003-01-30 | 주식회사 하이닉스반도체 | 반도체 소자의 금속 배선 형성 방법 |
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