JPH07226546A - 磁気抵抗素子およびその製造方法 - Google Patents
磁気抵抗素子およびその製造方法Info
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- JPH07226546A JPH07226546A JP6015172A JP1517294A JPH07226546A JP H07226546 A JPH07226546 A JP H07226546A JP 6015172 A JP6015172 A JP 6015172A JP 1517294 A JP1517294 A JP 1517294A JP H07226546 A JPH07226546 A JP H07226546A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 検出要素の電気抵抗値を等しく揃えることで
性能の良い磁気抵抗素子およびその製造方法を提供する
ことを目的とする。 【構成】 磁気抵抗材料の一定の幅を有する細長いエレ
メント１２ａ，１２ｂ，１２ｃ，１２ｄを一定の間隔１
３ａ，１３ｂ，１３ｃで複数個平行に並べてつづら折り
状に接続した複数の検出要素１１ａ，１１ｂ，１１ｃ，
１１ｄを接続してブリッジ回路を構成するエレメントと
同材料の引き回し電極１４ａ，１４ｂ，１４ｃ，１４ｄ
を備え、この検出要素１１ａ，１１ｂ，１１ｃ，１１ｄ
のそれぞれ隣合う検出要素間の間隔１５ｂ，１５ｃ，１
５ｄを等しくし、この間隔１５ｂ，１５ｃ，１５ｄと最
も外側の検出要素１１ａ，１１ｄと隣合って平行に並べ
られた引き回し電極１４ａ，１４ｄとの間隔１５ａ，１
５ｅを全て等しくした。
性能の良い磁気抵抗素子およびその製造方法を提供する
ことを目的とする。 【構成】 磁気抵抗材料の一定の幅を有する細長いエレ
メント１２ａ，１２ｂ，１２ｃ，１２ｄを一定の間隔１
３ａ，１３ｂ，１３ｃで複数個平行に並べてつづら折り
状に接続した複数の検出要素１１ａ，１１ｂ，１１ｃ，
１１ｄを接続してブリッジ回路を構成するエレメントと
同材料の引き回し電極１４ａ，１４ｂ，１４ｃ，１４ｄ
を備え、この検出要素１１ａ，１１ｂ，１１ｃ，１１ｄ
のそれぞれ隣合う検出要素間の間隔１５ｂ，１５ｃ，１
５ｄを等しくし、この間隔１５ｂ，１５ｃ，１５ｄと最
も外側の検出要素１１ａ，１１ｄと隣合って平行に並べ
られた引き回し電極１４ａ，１４ｄとの間隔１５ａ，１
５ｅを全て等しくした。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は磁気抵抗素子およびその
製造方法に関し、周期的な磁気素子を保有する移動体の
磁気信号を固定点の磁気抵抗素子の電気抵抗値変化に変
換することにより、移動体の移動量を検出する磁気抵抗
素子およびその製造方法に関する。
製造方法に関し、周期的な磁気素子を保有する移動体の
磁気信号を固定点の磁気抵抗素子の電気抵抗値変化に変
換することにより、移動体の移動量を検出する磁気抵抗
素子およびその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】以下に従来の磁気抵抗素子について説明
する。
する。
【０００３】このような磁気抵抗素子を用いた移動体検
出システムの概略構造を示す図３において、回転軸３１
を中心に回転する移動体のロータ３２には、その円周面
に磁気信号３３，３４のようにＮ極、Ｓ極の着磁が周期
的になされている。一方、基板３５の上には検出要素３
５ａ，３５ｂなどよりなる磁気抵抗素子が形成されてい
る。回転するロータ３２の円周に検出要素３５ａ，３５
ｂを近づけることにより、磁気信号の変化を検知しロー
タ３２の動きを知るものである。
出システムの概略構造を示す図３において、回転軸３１
を中心に回転する移動体のロータ３２には、その円周面
に磁気信号３３，３４のようにＮ極、Ｓ極の着磁が周期
的になされている。一方、基板３５の上には検出要素３
５ａ，３５ｂなどよりなる磁気抵抗素子が形成されてい
る。回転するロータ３２の円周に検出要素３５ａ，３５
ｂを近づけることにより、磁気信号の変化を検知しロー
タ３２の動きを知るものである。
【０００４】磁気抵抗素子に電圧を与え、出力を取り出
す回路を示す図４において、検出要素４１ａ，４１ｂ，
４１ｃ，４１ｄはそれぞれ検出要素４１ａ，４１ｂ，４
１ｄ，４１ｃの順に接続され、さらに検出要素４１ａ，
４１ｃの端部が接続されることにより検出要素４１ａ，
４１ｂ，４１ｄ，４１ｃはリング状に接続されている。
す回路を示す図４において、検出要素４１ａ，４１ｂ，
４１ｃ，４１ｄはそれぞれ検出要素４１ａ，４１ｂ，４
１ｄ，４１ｃの順に接続され、さらに検出要素４１ａ，
４１ｃの端部が接続されることにより検出要素４１ａ，
４１ｂ，４１ｄ，４１ｃはリング状に接続されている。
【０００５】そして、検出要素４１ａと４１ｃ間の接続
線に接続された引き回し電極４２ａに印加電圧Ｖｃｃが
印加され、検出要素４１ｂと４１ｄ間の接続線に接続さ
れた引き回し電極４２ｂはアースＧに接続され、検出要
素４１ａ，４１ｂ，４１ｄ，４１ｃは印加電圧Ｖｃｃと
アースＧの間にブリッジを形成している。
線に接続された引き回し電極４２ａに印加電圧Ｖｃｃが
印加され、検出要素４１ｂと４１ｄ間の接続線に接続さ
れた引き回し電極４２ｂはアースＧに接続され、検出要
素４１ａ，４１ｂ，４１ｄ，４１ｃは印加電圧Ｖｃｃと
アースＧの間にブリッジを形成している。
【０００６】さらに検出要素４１ａと４１ｂ間の接続線
に接続された引き回し電極４２ｃと、検出要素４１ｃと
４１ｄ間の接続線に接続された引き回し電極４２ｄは、
出力端子４３を有する増幅アンプ４４に接続されてい
る。そして、磁気信号の変化を高精度に検知するため、
検出要素４１ａ，４１ｂ，４１ｃ，４１ｄの電気抵抗値
がそれぞれ等しいことが要求される。
に接続された引き回し電極４２ｃと、検出要素４１ｃと
４１ｄ間の接続線に接続された引き回し電極４２ｄは、
出力端子４３を有する増幅アンプ４４に接続されてい
る。そして、磁気信号の変化を高精度に検知するため、
検出要素４１ａ，４１ｂ，４１ｃ，４１ｄの電気抵抗値
がそれぞれ等しいことが要求される。
【０００７】従来の磁気抵抗素子の抵抗体のパターンを
示す図５において、５１ａ，５１ｂ，５１ｃ，５１ｄは
各々検出要素である。個々の検出要素は細長いエレメン
ト５２ａ，５２ｂ，５２ｃ，５２ｄが間隔５３ａ，５３
ｂ，５３ｃを置いてつづら折り状に接続する構成からな
る。各々電気抵抗値を等しくするため、全ての検出要素
においてエレメントの幅、長さ、本数、エレメント間の
間隔は等しい。検出要素５１ａ，５１ｂ，５１ｃ，５１
ｄはブリッジを形成するため、検出要素のエレメント５
２ａ，５２ｂ，５２ｃ，５２ｄの幅より十分広い幅をも
つ前記エレメントと同じ磁気抵抗材料よりなる引き回し
電極５４ａ，５４ｂ，５４ｃ，５４ｄに接続している。
示す図５において、５１ａ，５１ｂ，５１ｃ，５１ｄは
各々検出要素である。個々の検出要素は細長いエレメン
ト５２ａ，５２ｂ，５２ｃ，５２ｄが間隔５３ａ，５３
ｂ，５３ｃを置いてつづら折り状に接続する構成からな
る。各々電気抵抗値を等しくするため、全ての検出要素
においてエレメントの幅、長さ、本数、エレメント間の
間隔は等しい。検出要素５１ａ，５１ｂ，５１ｃ，５１
ｄはブリッジを形成するため、検出要素のエレメント５
２ａ，５２ｂ，５２ｃ，５２ｄの幅より十分広い幅をも
つ前記エレメントと同じ磁気抵抗材料よりなる引き回し
電極５４ａ，５４ｂ，５４ｃ，５４ｄに接続している。
【０００８】そして、引き回し電極５４ａの端部には印
加電圧Ｖｃｃ、引き回し電極５４ｂの端部にはアースＧ
が接続されている。前記構成により計算上は検出要素５
１ａ，５１ｂ，５１ｃ，５１ｄの電気抵抗値を等しくす
ることができるため、検出要素間の間隔５５ｂ，５５
ｃ，５５ｄおよび最も外側の検出要素５１ｃ，５１ｄと
引き回し電極５４ａ，５４ｂ間の間隔５５ａ，５５ｅを
各々等しくする必要はなく、任意の組み合わせで間隔５
５ａ，５５ｂ，５５ｃ，５５ｄ，５５ｅを設定すること
ができる。
加電圧Ｖｃｃ、引き回し電極５４ｂの端部にはアースＧ
が接続されている。前記構成により計算上は検出要素５
１ａ，５１ｂ，５１ｃ，５１ｄの電気抵抗値を等しくす
ることができるため、検出要素間の間隔５５ｂ，５５
ｃ，５５ｄおよび最も外側の検出要素５１ｃ，５１ｄと
引き回し電極５４ａ，５４ｂ間の間隔５５ａ，５５ｅを
各々等しくする必要はなく、任意の組み合わせで間隔５
５ａ，５５ｂ，５５ｃ，５５ｄ，５５ｅを設定すること
ができる。
【０００９】図５においては間隔５５ａと５５ｅは等し
く、間隔５５ｂと５５ｃと５５ｄは等しいが、間隔５５
ｂ，５５ｃ，５５ｄは間隔５５ａ，５５ｅよりは広い構
成になっている。
く、間隔５５ｂと５５ｃと５５ｄは等しいが、間隔５５
ｂ，５５ｃ，５５ｄは間隔５５ａ，５５ｅよりは広い構
成になっている。
【００１０】次に磁気抵抗素子の製造方法を説明する。
平滑な基板上に磁気抵抗材料の薄膜を真空プロセスによ
り均一に形成し、その上にフォトレジストを均一に塗布
し、その上に図５のパターンのフォトマスクを重ね、そ
の上から光を照射する。現像により露光されたフォトレ
ジストは除去され、磁気抵抗材料の薄膜上にフォトレジ
ストによる図５のパターンが形成される。これをエッチ
ングすることにより露出した磁気抵抗材料の薄膜を選択
的に除去し、基板上に磁気抵抗材料よりなる図５のパタ
ーンを形成することができる。１プロセス１基板から多
数個の磁気抵抗素子を得るため、大面積に磁気抵抗素子
パターンを形成することが要求される。
平滑な基板上に磁気抵抗材料の薄膜を真空プロセスによ
り均一に形成し、その上にフォトレジストを均一に塗布
し、その上に図５のパターンのフォトマスクを重ね、そ
の上から光を照射する。現像により露光されたフォトレ
ジストは除去され、磁気抵抗材料の薄膜上にフォトレジ
ストによる図５のパターンが形成される。これをエッチ
ングすることにより露出した磁気抵抗材料の薄膜を選択
的に除去し、基板上に磁気抵抗材料よりなる図５のパタ
ーンを形成することができる。１プロセス１基板から多
数個の磁気抵抗素子を得るため、大面積に磁気抵抗素子
パターンを形成することが要求される。
【００１１】
【発明が解決しようとする課題】理想的な露光の場合、
平行光でかつ平坦な基板を用いフォトマスクと基板を完
全に密着させて、基板に対して垂直に光を当てて露光を
行った場合、フォトマスクのパターンを忠実にレジスト
パターンとして基板上に形成することができる。したが
って、図５の磁気抵抗素子パターンにおいても、マスク
設計通り検出要素５１ａ，５１ｂ，５１ｃ，５１ｄの電
気抵抗値を等しく形成することができるため問題はな
い。
平行光でかつ平坦な基板を用いフォトマスクと基板を完
全に密着させて、基板に対して垂直に光を当てて露光を
行った場合、フォトマスクのパターンを忠実にレジスト
パターンとして基板上に形成することができる。したが
って、図５の磁気抵抗素子パターンにおいても、マスク
設計通り検出要素５１ａ，５１ｂ，５１ｃ，５１ｄの電
気抵抗値を等しく形成することができるため問題はな
い。
【００１２】しかし、上記方法による露光は現実には困
難である。なぜならば、フォトマスクと基板を完全に平
坦にし密着させることは困難であるし、広い面積にわた
って平行光を作ることも困難である。したがって、一般
的にはプロキシミティ露光または投影露光という方法が
用いられる。これらの方法は、フォトマスクと基板の距
離が離れているため、光の回折が起こり本来影になる部
分にも光が回り込む。投影露光においてはさらにフォト
マスクを通過した光をレンズなどの光学部品を経て基板
上に照射するため、光はさらに広がりプロキシミティ露
光に比べ解像度は低下する。光の回折はパターン間の間
隔と光の波長と開口率の影響を受ける。
難である。なぜならば、フォトマスクと基板を完全に平
坦にし密着させることは困難であるし、広い面積にわた
って平行光を作ることも困難である。したがって、一般
的にはプロキシミティ露光または投影露光という方法が
用いられる。これらの方法は、フォトマスクと基板の距
離が離れているため、光の回折が起こり本来影になる部
分にも光が回り込む。投影露光においてはさらにフォト
マスクを通過した光をレンズなどの光学部品を経て基板
上に照射するため、光はさらに広がりプロキシミティ露
光に比べ解像度は低下する。光の回折はパターン間の間
隔と光の波長と開口率の影響を受ける。
【００１３】また、電子部品の製造では、安価な装置
（解像度が低い装置）を使用することが多いため、露光
光は理想的な平行光ではなく発散光、あるいは収斂光で
あり光の中心からずれるほど非平行光となる。かつ使用
する基板の平坦度も悪い場合が多い。このような場合、
露光光は基板に対して垂直には当たらず、斜めから当た
ることになる。フォトマスクの基板に対する平行度がず
れた場合、反った基板を使用した場合、焦点がずれた場
合などではたとえ平行光を使っていたとしても基板に対
して斜めから露光するときと同じ現象が起こる。したが
って、斜めからの露光に対処することが求められる。
（解像度が低い装置）を使用することが多いため、露光
光は理想的な平行光ではなく発散光、あるいは収斂光で
あり光の中心からずれるほど非平行光となる。かつ使用
する基板の平坦度も悪い場合が多い。このような場合、
露光光は基板に対して垂直には当たらず、斜めから当た
ることになる。フォトマスクの基板に対する平行度がず
れた場合、反った基板を使用した場合、焦点がずれた場
合などではたとえ平行光を使っていたとしても基板に対
して斜めから露光するときと同じ現象が起こる。したが
って、斜めからの露光に対処することが求められる。
【００１４】斜めからの光で露光した場合の垂直光の場
合との違いは、パターン幅が隣接する間隔の影響を受け
ることである。斜めからの光の場合、フォトマスクを通
過する光は左右対称に回折を起こすのではなく、左右非
対称に回折する。その時の回折光を含む散乱光の強度は
フォトマスクの開口が大きい程大きくなるため、開口が
大きいところの左右ではパターン幅が異なってしまうと
いう現象が見られる。
合との違いは、パターン幅が隣接する間隔の影響を受け
ることである。斜めからの光の場合、フォトマスクを通
過する光は左右対称に回折を起こすのではなく、左右非
対称に回折する。その時の回折光を含む散乱光の強度は
フォトマスクの開口が大きい程大きくなるため、開口が
大きいところの左右ではパターン幅が異なってしまうと
いう現象が見られる。
【００１５】したがって、図５の従来のパターンにおい
ては、引き回し電極５４ａと検出要素５１ａ間の間隔５
５ａと検出要素間の間隔５５ｂが異なっていてアンバラ
ンスであるため、回折光を含む散乱光の影響もアンバラ
ンスとなり、検出要素５１ｃと５１ａのパターン幅のバ
ランスが悪くなることが起こり得るため、そのときは電
気抵抗値を等しく形成することができなくなる。
ては、引き回し電極５４ａと検出要素５１ａ間の間隔５
５ａと検出要素間の間隔５５ｂが異なっていてアンバラ
ンスであるため、回折光を含む散乱光の影響もアンバラ
ンスとなり、検出要素５１ｃと５１ａのパターン幅のバ
ランスが悪くなることが起こり得るため、そのときは電
気抵抗値を等しく形成することができなくなる。
【００１６】本発明は上記従来の問題点を解決するもの
で、磁気抵抗素子の各構成検出要素の電気抵抗値を一定
値に揃えることができる磁気抵抗素子およびその製造方
法を提供することを目的とする。
で、磁気抵抗素子の各構成検出要素の電気抵抗値を一定
値に揃えることができる磁気抵抗素子およびその製造方
法を提供することを目的とする。
【００１７】
【課題を解決するための手段】この目的を達成するため
に本発明の磁気抵抗素子は、それぞれ隣合う検出要素間
の間隔と最も外側の検出要素と引き回し電極との間隔を
全て等しくしたものである。
に本発明の磁気抵抗素子は、それぞれ隣合う検出要素間
の間隔と最も外側の検出要素と引き回し電極との間隔を
全て等しくしたものである。
【００１８】
【作用】この構成によって、各検出要素を構成するエレ
メントの幅、長さ、本数、エレメントの間隔は全て等し
くしたままで、隣合う検出要素間の間隔と最も外側の検
出要素と引き回し電極間の間隔とが全て等しいという構
成になる。この構成では、各検出要素の右側だけの間隔
を比較しても全ての検出要素において同等となり、ま
た、各検出要素の左側だけの間隔を比較しても全ての検
出要素において同等となる。したがって、斜めからの光
で露光した場合、つまり非対称な光の回折によりパター
ン幅が隣接する間隔のうち左右どちらか一方の間隔の影
響をより強く受ける場合、各検出要素の最も外側の左右
どちらか一本のエレメントの幅が狭くなったとしても、
影響を受ける間隔が等しければその変化量は等しくなる
ため、各検出要素間のパターン幅のバランスは保たれ、
平均パターン幅が全て等しくなり、電気抵抗値を等しく
形成することが可能になる。
メントの幅、長さ、本数、エレメントの間隔は全て等し
くしたままで、隣合う検出要素間の間隔と最も外側の検
出要素と引き回し電極間の間隔とが全て等しいという構
成になる。この構成では、各検出要素の右側だけの間隔
を比較しても全ての検出要素において同等となり、ま
た、各検出要素の左側だけの間隔を比較しても全ての検
出要素において同等となる。したがって、斜めからの光
で露光した場合、つまり非対称な光の回折によりパター
ン幅が隣接する間隔のうち左右どちらか一方の間隔の影
響をより強く受ける場合、各検出要素の最も外側の左右
どちらか一本のエレメントの幅が狭くなったとしても、
影響を受ける間隔が等しければその変化量は等しくなる
ため、各検出要素間のパターン幅のバランスは保たれ、
平均パターン幅が全て等しくなり、電気抵抗値を等しく
形成することが可能になる。
【００１９】この構成により反った基板にも対応でき
る。また、光の中心から離れた非平行光の部分でも幅広
く使えるようになり、一度に露光する面積を広くでき、
良品率が向上する。
る。また、光の中心から離れた非平行光の部分でも幅広
く使えるようになり、一度に露光する面積を広くでき、
良品率が向上する。
【００２０】
（実施例１）以下本発明の第１の実施例の磁気抵抗素子
について、図面を参照しながら説明する。本実施例によ
る磁気抵抗素子の抵抗体のパターンを示す図１におい
て、検出要素１１ａ，１１ｂ，１１ｃ，１１ｄの個々の
検出要素は一定の幅を有する細長いエレメント１２ａ，
１２ｂ，１２ｃ，１２ｄが間隔１３ａ，１３ｂ，１３ｃ
を置いてつづら折り状に接続する構成からなる。各々電
気抵抗値を等しくするため、全ての検出要素においてエ
レメントの幅、長さ、本数、エレメント間隔１３ａ，１
３ｂ，１３ｃは等しい。検出要素１１ａ，１１ｂ，１１
ｃ，１１ｄはブリッジを形成するため、検出要素のエレ
メントの幅より十分広い幅をもつ検出要素と同じ磁気抵
抗材料よりなる引き回し電極１４ａ，１４ｂ，１４ｃ，
１４ｄに接続している。図５に示す従来の磁気抵抗素子
の抵抗体のパターンの構成と異なるのはそれぞれ隣合う
検出要素間の間隔１５ｂ，１５ｃ，１５ｄおよび最も外
側の検出要素１１ａ，１１ｄと平行に隣合って並べられ
た引き回し電極１４ａ，１４ｂ間の間隔を全て等しくし
た点である。
について、図面を参照しながら説明する。本実施例によ
る磁気抵抗素子の抵抗体のパターンを示す図１におい
て、検出要素１１ａ，１１ｂ，１１ｃ，１１ｄの個々の
検出要素は一定の幅を有する細長いエレメント１２ａ，
１２ｂ，１２ｃ，１２ｄが間隔１３ａ，１３ｂ，１３ｃ
を置いてつづら折り状に接続する構成からなる。各々電
気抵抗値を等しくするため、全ての検出要素においてエ
レメントの幅、長さ、本数、エレメント間隔１３ａ，１
３ｂ，１３ｃは等しい。検出要素１１ａ，１１ｂ，１１
ｃ，１１ｄはブリッジを形成するため、検出要素のエレ
メントの幅より十分広い幅をもつ検出要素と同じ磁気抵
抗材料よりなる引き回し電極１４ａ，１４ｂ，１４ｃ，
１４ｄに接続している。図５に示す従来の磁気抵抗素子
の抵抗体のパターンの構成と異なるのはそれぞれ隣合う
検出要素間の間隔１５ｂ，１５ｃ，１５ｄおよび最も外
側の検出要素１１ａ，１１ｄと平行に隣合って並べられ
た引き回し電極１４ａ，１４ｂ間の間隔を全て等しくし
た点である。
【００２１】そして、引き回し電極１４ａの端部には印
加電圧Ｖｃｃが印加され、引き回し電極１４ｂの端部は
アースＧに接続されている。
加電圧Ｖｃｃが印加され、引き回し電極１４ｂの端部は
アースＧに接続されている。
【００２２】次に磁気抵抗素子の製造方法について説明
する。一般に磁気抵抗材料は、ニッケル、鉄、コバルト
の合金であるパーマロイが使用されている。ガラスなど
の平滑な絶縁基板上に蒸着などの真空プロセスにより均
一に磁気抵抗材料を形成する。この上にポジ型フォトレ
ジストを均一に塗布する。図１の構成からなるフォトマ
スクをその上に重ね露光現像のフォトプロセスを経て、
基板上にポジ型フォトレジストからなる図１のパターン
が形成される。これをマスクとして、露出している磁気
抵抗材料をエッチング除去することにより、図１のパタ
ーンからなる磁気抵抗素子が得られる。
する。一般に磁気抵抗材料は、ニッケル、鉄、コバルト
の合金であるパーマロイが使用されている。ガラスなど
の平滑な絶縁基板上に蒸着などの真空プロセスにより均
一に磁気抵抗材料を形成する。この上にポジ型フォトレ
ジストを均一に塗布する。図１の構成からなるフォトマ
スクをその上に重ね露光現像のフォトプロセスを経て、
基板上にポジ型フォトレジストからなる図１のパターン
が形成される。これをマスクとして、露出している磁気
抵抗材料をエッチング除去することにより、図１のパタ
ーンからなる磁気抵抗素子が得られる。
【００２３】図５の従来パターンを用いた場合、たとえ
ば基板に対して左上から斜めに露光する条件下では、エ
レメント間隔５３ａ＝５３ｂ＝５３ｃの関係から、各検
出要素の４本のエレメントの内右側の３本（５２ｂ，５
２ｃ，５２ｄ）のパターン幅は全て等しくなるが、最も
左側のエレメント５２ａはそれらより細くなり、５５ａ
＜５５ｂの関係から、５１ｃの５２ａは５１ａの５２ａ
より太くなり、検出要素５１ｃと５１ａの電気抵抗値は
等しくならない。しかし、本実施例による図１のパター
ンを用いた場合、同様の条件下で、各検出要素の４本の
エレメントの内右側の３本（１２ｂ，１２ｃ，１２ｄ）
のパターン幅は全て等しいのに加えて、最も左側のエレ
メント１２ａはそれらより細くなるが、１５ａ＝１５ｂ
＝１５ｃ＝１５ｄの関係から、検出要素１１ａ，１１
ｂ，１１ｃ，１１ｄの各々の最も左側のエレメント１２
ａの幅は全て等しい幅となり、検出要素１１ａ，１１
ｂ，１１ｃ，１１ｄの電気抵抗値は全て等しくなる。
ば基板に対して左上から斜めに露光する条件下では、エ
レメント間隔５３ａ＝５３ｂ＝５３ｃの関係から、各検
出要素の４本のエレメントの内右側の３本（５２ｂ，５
２ｃ，５２ｄ）のパターン幅は全て等しくなるが、最も
左側のエレメント５２ａはそれらより細くなり、５５ａ
＜５５ｂの関係から、５１ｃの５２ａは５１ａの５２ａ
より太くなり、検出要素５１ｃと５１ａの電気抵抗値は
等しくならない。しかし、本実施例による図１のパター
ンを用いた場合、同様の条件下で、各検出要素の４本の
エレメントの内右側の３本（１２ｂ，１２ｃ，１２ｄ）
のパターン幅は全て等しいのに加えて、最も左側のエレ
メント１２ａはそれらより細くなるが、１５ａ＝１５ｂ
＝１５ｃ＝１５ｄの関係から、検出要素１１ａ，１１
ｂ，１１ｃ，１１ｄの各々の最も左側のエレメント１２
ａの幅は全て等しい幅となり、検出要素１１ａ，１１
ｂ，１１ｃ，１１ｄの電気抵抗値は全て等しくなる。
【００２４】６０mm角基板から２５０個の磁気抵抗素子
を得られるようにフォトマスクを設計したとき、検出要
素間の電気抵抗値のばらつきを±０．５％以内を良品規
格とした場合、図５の従来パターンに比べ、より多くの
磁気抵抗素子の検出要素の電気抵抗値をより等しく揃え
ることができ、良品率は向上した。
を得られるようにフォトマスクを設計したとき、検出要
素間の電気抵抗値のばらつきを±０．５％以内を良品規
格とした場合、図５の従来パターンに比べ、より多くの
磁気抵抗素子の検出要素の電気抵抗値をより等しく揃え
ることができ、良品率は向上した。
【００２５】（実施例２）以下本発明の第２の実施例に
ついて、図面を参照しながら説明する。本実施例による
磁気抵抗素子の抵抗体のパターンを示す図２において、
個々の検出要素２１ａ，２１ｂ，２１ｃ，２１ｄは細長
いエレメント２２ａ，２２ｂ，２２ｃ，２２ｄが一定の
間隔２３ａ，２３ｂ，２３ｃを置いてつづら折り状に接
続する構成からなる。各々電気抵抗値を等しくするた
め、全ての検出要素においてエレメントの幅、長さ、本
数、エレメントの間隔２３ａ，２３ｂ，２３ｃは等し
い。検出要素２１ａ，２１ｂ，２１ｃ，２１ｄはブリッ
ジを形成するため、検出要素のエレメントの幅より十分
広い幅をもつ検出要素と同じ磁気抵抗材料よりなる引き
回し電極２４ａ，２４ｂ，２４ｃ，２４ｄに接続してい
る。
ついて、図面を参照しながら説明する。本実施例による
磁気抵抗素子の抵抗体のパターンを示す図２において、
個々の検出要素２１ａ，２１ｂ，２１ｃ，２１ｄは細長
いエレメント２２ａ，２２ｂ，２２ｃ，２２ｄが一定の
間隔２３ａ，２３ｂ，２３ｃを置いてつづら折り状に接
続する構成からなる。各々電気抵抗値を等しくするた
め、全ての検出要素においてエレメントの幅、長さ、本
数、エレメントの間隔２３ａ，２３ｂ，２３ｃは等し
い。検出要素２１ａ，２１ｂ，２１ｃ，２１ｄはブリッ
ジを形成するため、検出要素のエレメントの幅より十分
広い幅をもつ検出要素と同じ磁気抵抗材料よりなる引き
回し電極２４ａ，２４ｂ，２４ｃ，２４ｄに接続してい
る。
【００２６】従来の構成および実施例１の構成と異なる
のは、検出要素のエレメント２２ａ，２２ｂ，２２ｃ，
２２ｄとほぼ等しい幅と長さ、および間隔を持つ独立パ
ターン２５ａ，２５ｂ，２５ｃ，２５ｄ，２５ｅを隣合
う検出要素間と、最も外側の検出要素２１ａ，２１ｄの
外側に設け、隣合う検出要素２１ａ，２１ｂ，２１ｃ，
２１ｄと独立パターン２５ａ，２５ｂ，２５ｃ，２５
ｄ，２５ｅ間の間隔２６ａ，２６ｂ，２６ｃ，２６ｄ，
２６ｅをエレメント２２ａ，２２ｂ，２２ｃ，２２ｄ間
の間隔２３ａ，２３ｂ，２３ｃに全て等しくした点であ
る。そして、引き回し電極２４ａの端部には印加電圧Ｖ
ｃｃが印加され、引き回し電極２４ｂの端部はアースＧ
に接続されている。
のは、検出要素のエレメント２２ａ，２２ｂ，２２ｃ，
２２ｄとほぼ等しい幅と長さ、および間隔を持つ独立パ
ターン２５ａ，２５ｂ，２５ｃ，２５ｄ，２５ｅを隣合
う検出要素間と、最も外側の検出要素２１ａ，２１ｄの
外側に設け、隣合う検出要素２１ａ，２１ｂ，２１ｃ，
２１ｄと独立パターン２５ａ，２５ｂ，２５ｃ，２５
ｄ，２５ｅ間の間隔２６ａ，２６ｂ，２６ｃ，２６ｄ，
２６ｅをエレメント２２ａ，２２ｂ，２２ｃ，２２ｄ間
の間隔２３ａ，２３ｂ，２３ｃに全て等しくした点であ
る。そして、引き回し電極２４ａの端部には印加電圧Ｖ
ｃｃが印加され、引き回し電極２４ｂの端部はアースＧ
に接続されている。
【００２７】次に磁気抵抗素子の製造方法について説明
する。一般に磁気抵抗材料は、ニッケル、鉄、コバルト
の合金であるパーマロイが使用される。ガラスなどの平
滑な絶縁基板上に蒸着など真空プロセスにより均一に磁
気抵抗材料を形成する。この上にポジ型フォトレジスト
を均一に塗布する。図２の構成からなるフォトマスクを
その上に重ね露光現像のフォトプロセスを経て、基板上
にポジ型フォトレジストからなる図２のパターンが形成
される。これをマスクとして、露出している磁気抵抗材
料をエッチング除去することにより、図２のパターンか
らなる磁気抵抗素子が得られる。
する。一般に磁気抵抗材料は、ニッケル、鉄、コバルト
の合金であるパーマロイが使用される。ガラスなどの平
滑な絶縁基板上に蒸着など真空プロセスにより均一に磁
気抵抗材料を形成する。この上にポジ型フォトレジスト
を均一に塗布する。図２の構成からなるフォトマスクを
その上に重ね露光現像のフォトプロセスを経て、基板上
にポジ型フォトレジストからなる図２のパターンが形成
される。これをマスクとして、露出している磁気抵抗材
料をエッチング除去することにより、図２のパターンか
らなる磁気抵抗素子が得られる。
【００２８】図５の従来の磁気抵抗素子の抵抗体のパタ
ーンを用いた場合、たとえば基板に対して左上から斜め
に露光する条件下では、エレメント間隔５３ａ＝５３ｂ
＝５３ｃの関係から、各検出要素の４本のエレメントの
内右側の３本（５２ｂ，５２ｃ，５２ｄ）のパターン幅
は全て等しくなるが、最も左側のエレメント５２ａはそ
れらより細くなり、引き回し電極５４ａと検出要素５１
ｃとの間隔５５ａ＜検出要素間の間隔５５ｂの関係か
ら、検出要素５１ｃのエレメント５２ａは検出要素５１
ａのエレメント５２ａより太くなり、検出要素５１ｃと
５１ａの電気抵抗値は等しくならない。しかし、本実施
例による図２のパターンを用いた場合、同様の条件下で
も、検出要素間隔２６ａ＝２６ｂ＝２６ｃ＝２６ｄ＝２
６ｅ＝エレメント間隔２３ａ＝２３ｂ＝２３の関係か
ら、各検出要素の４本のエレメントのパターン幅は全て
等しくなり、検出要素２１ｃ，２１ｄ，２１ａ，２１ｂ
の電気抵抗値は全て等しくなる。
ーンを用いた場合、たとえば基板に対して左上から斜め
に露光する条件下では、エレメント間隔５３ａ＝５３ｂ
＝５３ｃの関係から、各検出要素の４本のエレメントの
内右側の３本（５２ｂ，５２ｃ，５２ｄ）のパターン幅
は全て等しくなるが、最も左側のエレメント５２ａはそ
れらより細くなり、引き回し電極５４ａと検出要素５１
ｃとの間隔５５ａ＜検出要素間の間隔５５ｂの関係か
ら、検出要素５１ｃのエレメント５２ａは検出要素５１
ａのエレメント５２ａより太くなり、検出要素５１ｃと
５１ａの電気抵抗値は等しくならない。しかし、本実施
例による図２のパターンを用いた場合、同様の条件下で
も、検出要素間隔２６ａ＝２６ｂ＝２６ｃ＝２６ｄ＝２
６ｅ＝エレメント間隔２３ａ＝２３ｂ＝２３の関係か
ら、各検出要素の４本のエレメントのパターン幅は全て
等しくなり、検出要素２１ｃ，２１ｄ，２１ａ，２１ｂ
の電気抵抗値は全て等しくなる。
【００２９】６０mm角基板から２５０個の磁気抵抗素子
を得られるようにフォトマスクを設計したとき、検出要
素間の電気抵抗値のばらつきを±０．５％以内を良品規
格とした場合、図５の従来パターンに比べ、より多くの
磁気抵抗素子の検出要素の電気抵抗値をより等しく揃え
ることができ、良品率は向上した。
を得られるようにフォトマスクを設計したとき、検出要
素間の電気抵抗値のばらつきを±０．５％以内を良品規
格とした場合、図５の従来パターンに比べ、より多くの
磁気抵抗素子の検出要素の電気抵抗値をより等しく揃え
ることができ、良品率は向上した。
【００３０】
【発明の効果】以上の説明により明らかなように本発明
の磁気抵抗素子およびその製造方法によれば、隣合う検
出要素間の間隔が等しいパターンにより磁気抵抗素子を
構成することで、各検出要素のエレメントの幅を均一に
揃えて形成できるため、各検出要素の電気抵抗値を揃え
ることができ、性能の良い磁気抵抗素子を提供すること
ができる。
の磁気抵抗素子およびその製造方法によれば、隣合う検
出要素間の間隔が等しいパターンにより磁気抵抗素子を
構成することで、各検出要素のエレメントの幅を均一に
揃えて形成できるため、各検出要素の電気抵抗値を揃え
ることができ、性能の良い磁気抵抗素子を提供すること
ができる。
【図１】本発明の第１の実施例の磁気抵抗素子のパター
ンの平面図
ンの平面図
【図２】本発明の第２の実施例の磁気抵抗素子のパター
ンの平面図
ンの平面図
【図３】従来の移動体の移動量検出システムの概念を示
す斜視図
す斜視図
【図４】従来の磁気抵抗素子の接続回路図
【図５】従来の磁気抵抗素子のパターンの平面図
１１ａ，１１ｂ，１１ｃ，１１ｄ，２１ａ，２１ｂ，２
１ｃ，２１ｄ 検出要素 １２ａ，１２ｂ，１２ｃ，１２ｄ，２２ａ，２２ｂ，２
２ｃ，２２ｄ エレメント １３ａ，１３ｂ，１３ｃ，２３ａ，２３ｂ，２３ｃ エ
レメント間の間隔 １４ａ，１４ｂ，１４ｃ，１４ｄ，２４ａ，２４ｂ，２
４ｃ，２４ｄ 引き回し電極 １５ａ，１５ｅ 最も外側の検出要素と引き回し電極間
の間隔 １５ｂ，１５ｃ，１５ｄ 隣合う検出要素間の間隔 ２５ａ，２５ｂ，２５ｃ，２５ｄ，２５ｅ 独立パター
ン ２６ａ，２６ｂ，２６ｃ，２６ｄ，２６ｅ 独立パター
ンと検出要素間の間隔 ３１ 回転軸 ３２ ロータ ３３，３４ 磁気信号 ３５ 基板 ４３ 出力端子 ４４ 増幅アンプ
１ｃ，２１ｄ 検出要素 １２ａ，１２ｂ，１２ｃ，１２ｄ，２２ａ，２２ｂ，２
２ｃ，２２ｄ エレメント １３ａ，１３ｂ，１３ｃ，２３ａ，２３ｂ，２３ｃ エ
レメント間の間隔 １４ａ，１４ｂ，１４ｃ，１４ｄ，２４ａ，２４ｂ，２
４ｃ，２４ｄ 引き回し電極 １５ａ，１５ｅ 最も外側の検出要素と引き回し電極間
の間隔 １５ｂ，１５ｃ，１５ｄ 隣合う検出要素間の間隔 ２５ａ，２５ｂ，２５ｃ，２５ｄ，２５ｅ 独立パター
ン ２６ａ，２６ｂ，２６ｃ，２６ｄ，２６ｅ 独立パター
ンと検出要素間の間隔 ３１ 回転軸 ３２ ロータ ３３，３４ 磁気信号 ３５ 基板 ４３ 出力端子 ４４ 増幅アンプ
フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｈ０１Ｌ 43/12 (72)発明者 森杉 和司 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器 産業株式会社内 (72)発明者 倉増 敬三郎 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器 産業株式会社内 (72)発明者 山下 清春 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器 産業株式会社内
Claims (4)
- 【請求項１】 基板上に形成された磁気抵抗材料の一定
の幅を有する細長いエレメントを一定の間隔を設けて複
数個平行に並べてつづら折り状に接続した一つの検出要
素を複数個備え、前記複数個の検出要素を接続してブリ
ッジ回路を構成する前記エレメントと同材料の引き回し
電極を備えた磁気抵抗素子において、前記複数個の検出
要素のそれぞれ隣合う検出要素間の間隔を等しくすると
ともに、この間隔と、最も外側の検出要素と隣合って平
行に並べられた前記引き回し電極との間隔を全て等しく
した磁気抵抗素子。 - 【請求項２】 平滑な基板上に磁気抵抗材料の薄膜を形
成し、フォトリソグラフィにより前記薄膜を選択的に除
去して、一定の幅を有する細長いエレメントを一定の間
隔で複数個平行に並べつづら折り状に接続した検出要素
と複数個平行に並べた前記検出要素を接続してブリッジ
回路を構成する前記エレメントと同材料の引き回し電極
とを同時に形成する工程を含み、前記検出要素を複数個
平行に並べ、隣合う検出要素間の間隔を等しく形成する
とともに、最も外側の検出要素とそれに隣合う前記引き
回し電極との間隔を全て等しく形成する磁気抵抗素子の
製造方法。 - 【請求項３】 基板上に形成された磁気抵抗材料の一定
の幅を有する細長いエレメントを一定の間隔を設けて複
数個平行に並べてつづら折り状に接続した一つの検出要
素を複数個備え、前記複数個の検出要素を接続してブリ
ッジ回路を構成する前記エレメントと同材料の引き回し
電極を備えた磁気抵抗素子において、それぞれ隣合う検
出要素の間と、最も外側の検出要素の外側にこの検出要
素のエレメントと等しい幅と間隔を有する前記検出要素
のエレメントと同材料の独立パターンを隣接させた磁気
抵抗素子。 - 【請求項４】 平滑な基板上に磁気抵抗材料の薄膜を形
成し、フォトリソグラフィにより前記薄膜を選択的に除
去して、一定の幅を有する細長いエレメントを一定の間
隔で複数個平行に並べつづら折り状に接続した検出要素
と、この検出要素のエレメントと等しい幅と間隔を有す
る前記磁気抵抗材料の独立パターンとを同時に形成する
工程を含み、前記検出要素を複数個平行に並べ、それぞ
れ隣合う検出要素間と最も外側の検出要素の外側に前記
独立パターンを隣接して形成する磁気抵抗素子の製造方
法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP01517294A JP3336716B2 (ja) | 1994-02-09 | 1994-02-09 | 磁気抵抗素子およびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP01517294A JP3336716B2 (ja) | 1994-02-09 | 1994-02-09 | 磁気抵抗素子およびその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07226546A true JPH07226546A (ja) | 1995-08-22 |
| JP3336716B2 JP3336716B2 (ja) | 2002-10-21 |
Family
ID=11881397
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP01517294A Expired - Fee Related JP3336716B2 (ja) | 1994-02-09 | 1994-02-09 | 磁気抵抗素子およびその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3336716B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2022107765A1 (ja) * | 2020-11-23 | 2022-05-27 | パナソニックＩｐマネジメント株式会社 | 磁気センサ |
| US11543470B2 (en) | 2020-07-21 | 2023-01-03 | Tdk Corporation | Magnetic sensor |
-
1994
- 1994-02-09 JP JP01517294A patent/JP3336716B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US11543470B2 (en) | 2020-07-21 | 2023-01-03 | Tdk Corporation | Magnetic sensor |
| US11686787B2 (en) | 2020-07-21 | 2023-06-27 | Tdk Corporation | Magnetic sensor |
| WO2022107765A1 (ja) * | 2020-11-23 | 2022-05-27 | パナソニックＩｐマネジメント株式会社 | 磁気センサ |
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3336716B2 (ja) | 2002-10-21 |
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