JPH053140A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 電子出願以前の出願であるので 要約・選択図及び出願人の識別番号は存在しない。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 この発明は、半導体装置の製造方法に係り、特 にＴ型断面形状を有するレジストのパターニング に関するものである。 〔従来の技術〕 第２図（ａ）〜（ｄ）に従来のフォトレジスト のパターニング方法を示す。紫外線（ＵＶ）を通 過する基板（例えば石英）１ａとＵＶを遮断する 膜(例えばＣｒ)１ｂからなるマスク１を介し（第 ２図（ａ））、あらかじめフォトレジスト２を塗 布した基板３上に光（ＵＶ）を照射すると、ポジ 型レジストの場合、光が照射された部分が反応し、 現像することによって除去される（第２図（ｂ）， （ｃ））。このレジストパターン上に電極金属を 蒸着し、リフトオフ法により不要の電極金属をフ ォトレジスト２とともに除去すれば、第２図（ｄ） のように金属パターン４が形成される。なお、ネ ガレジストでは逆に残る。また、第２図（ａ）の ｈはプランクの定数、νは光の振動数を示す。 〔発明が解決しようとする課題〕 従来のレジストのパターニングは、以上のよう に行われているので、マスク１直下での光の強度 分布が第２図（ｂ）のようになり、光の回折現象 のため、マクスパターンより広い部分まで露光さ れてしまうため、現像後のパターンはマスクパタ ーンより大きくなる。したがって、微細パターン の形成が難しい。また、このレジストパターンを 用いてリフトオフ法で形成した金属パターン４は 第２図（ｄ）のようになり、台形断面形状となる ため、線幅Ｌが短くなると、金属の断面積が小さ くなり、配線抵抗が増大する等の問題点があった。 この発明は、上記の問題点を解消するためにな されたもので、容易に微細なＴ型レジストパター ンを形成できる半導体装置の製造方法を得ること を目的とする。 〔課題を解決するための手段〕 この発明に係る半導体装置の製造方法は、マス クを用いて光学露光を行う際に、隣り合った回折 光が重なり合うように隣接してスリットを設け、 スリットからそのまま通った光より両スリット間 の中央の強度が強くなるようにして光強度に分布 をもたせ、この光強度分布を有する光によってフ ォトレジストを感光させ、Ｔ型のレジスト形状を 形成するものである。 〔作用〕 この発明においては、回折光を利用し、中央の 光の強度が強くなるような強度分布を設けてレジ ストを感光させることから、隣り合ったスリット からの回折光が重なり合い、中央部分の光強度が 強くなり、Ｔ型断面形状を有する微細なパターン を形成することができる。 〔実施例〕 以下、この発明の一実施例を第１図（ａ）〜 （ｅ）について説明する。 第１図において、各構成要素は第２図の各々と 同等であるが、マスク１のマスクパターンを隣り 合う２つのスリットを形成したパターンとしてあ る。 次に、レジストパターンの形成方法について説 明する。 第１図（ａ）に示すようなマスク１を用い、光 露光法で露光した場合、隣り合った回折光により 合成されたマスク１直下の光強度、すなわち中央 の光強度は第１図（ｂ），（ｃ）のような光強度 分布をもつことになる。その結果、感光されたレ ジストパターンは第１図（ｄ）のようなＴ型形状 となり、電極金属蒸着後のリフトオフ後の金属パ ターン４は第１図（ｅ）のようにＴ型となる。 〔発明の効果〕 以上説明したように、この発明は、マスクを用 いて光学露光を行う際に、隣り合った回折光が重 なり合うように隣接してスリットを設け、スリッ トからそのまま通った光より両スリット間の中央 の強度が強くなるようにして光強度に分布をもた せ、この光強度分布を有する光によってフォトレ ジストを感光させ、Ｔ型のレジスト形状を形成す るので、隣り合うスリットからの回折光が重なり 合い中央部分の光強度が大きくなり、容易にＴ型 形状を有する微細レジストパターンが得られる。 また、このレジストパターンにより金属をリフト オフ法で形成することにより、基板との接触面積 が小さく、かつ断面積の大きいＴ型断面形状を有 する電極を得ることができる効果がある。

【図面の簡単な説明】 第１図はこの発明によるレジストパターン形成 方法に工程を示す図で、第２図は従来のレジスト パターン形成方法の工程を示す図である。 図において、１はマスク、２はフォトレジスト、 ３は基板、４は金属パターンである。 なお、各図中の同一符号は同一または相当部分 を示す。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.⁵ 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 7352−4Ｍ Ｈ０１Ｌ 21/30 ３６１ Ｖ

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 マスクを用いて光学露光を行う際に、隣り合っ た回折光が重なり合うように隣接してスリットを 設け、前記スリットからそのまま通った光より前 記両スリット間の中央の強度が強くなるようにし て光強度に分布をもたせ、この光強度分布を有す る光によってフォトレジストを感光させ、Ｔ型の レジスト形状を形成することを特徴とする半導体 装置の製造方法。