JPH0722509A - 半導体集積回路 - Google Patents

半導体集積回路

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Publication number
JPH0722509A
JPH0722509A JP15232793A JP15232793A JPH0722509A JP H0722509 A JPH0722509 A JP H0722509A JP 15232793 A JP15232793 A JP 15232793A JP 15232793 A JP15232793 A JP 15232793A JP H0722509 A JPH0722509 A JP H0722509A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
input
shift register
node
output buffer
semiconductor integrated
Prior art date
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Withdrawn
Application number
JP15232793A
Other languages
English (en)
Inventor
Yutaka Fujimaki
裕 藤巻
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
JFE Steel Corp
Original Assignee
Kawasaki Steel Corp
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Filing date
Publication date
Application filed by Kawasaki Steel Corp filed Critical Kawasaki Steel Corp
Priority to JP15232793A priority Critical patent/JPH0722509A/ja
Publication of JPH0722509A publication Critical patent/JPH0722509A/ja
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Abstract

(57)【要約】 【目的】 本発明は、入出力バッファ領域の有効利用が
図られた半導体集積回路に関し、従来未使用とされてい
た入出力バッファ領域をテスト用に有効利用する。 【構成】複数の入出力バッファのうちの一部の複数の入
出力バッファが互いに接続され二相クロックで動作する
とともに論理回路内部の所定のノードが接続されたシフ
トレジスタを備えた。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体集積回路に関
し、詳細には、入出力バッファ領域の有効利用が図られ
た半導体集積回路に関する。
【0002】
【従来の技術】従来よりゲートアレイ方式の半導体集積
回路が多用されている。ゲートアレイ方式とは、所定の
構造の基本セルをあらかじめLSIウェハ上に多数形成
しておき、基本セル内および基本セル間の配線を追加す
ることにより所望の動作を行う集積回路を完成させる方
式という。このゲートアレイ方式では配線に関するマス
クパターンを作成するだけで種々の集積回路を完成させ
ることができ、少量多品種生産に向いている。またこの
ようなゲートアレイ方式ではなくても、客先仕様の定ま
らないうちにもしくは客先仕様のいかんにかかわらずL
SIウェハ上に多数の素子を作り込むセミカスタム方式
についても同様である。
【0003】一方、近年の半導体集積回路の高集積化に
伴い、生産された半導体集積回路の良否を効率よくテス
トする技術が増々重要となってきており、半導体集積回
路中に占めるテスト回路の比率が増々大きくなってきて
いる。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】ところで、上述したゲ
ートアレイ方式やセミカスタム方式では、基本セル等を
あらかじめLSIウェハに作り込んでおくために、所定
の仕様に合わせて配線する際に入出力バッファ領域が未
使用として残り、無駄となってしまうという問題があ
る。
【0005】一方では、上述したように、生産された半
導体集積回路の良否を効率よくテストする必要があり、
半導体集積回路に占めるテスト用回路の規模がますます
大きくなってきている。LSIの回路試験時に、故障検
出が困難なノードの、チップ外部からの観測・制御性を
向上させるために、従来、様々なテスト手法が考えられ
ているが、どの方法も追加される回路規模が非常に大き
くなることが問題になっている。
【0006】本発明は、上記事情に鑑み、従来未使用と
されていた入出力バッファ領域がテスト用に有効利用さ
れた半導体集積回路を提供することを目的とする。
【0007】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成する本発
明の半導体集積回路は、半導体チップの周辺部に複数の
入出力バッファを備えるとともに該周辺部に取り囲まれ
た中央部に所定の論理回路を備えてなる半導体集積回路
において、上記複数の入出力バッファのうちの一部の複
数の入出力バッファが互いに接続され二相クロックで動
作するとともに、上記論理回路内部の所定のノードが接
続されたシフトレジスタを構成してなることを特徴とす
るものである。
【0008】
【作用】本発明の半導体集積回路は、入出力バッファ領
域に上記シフトレジスタを備えたものであるため、例え
ばその半導体集積回路内部の、従来のテスト回路ではテ
ストが不可能であったノードをそのシフトレジスタに接
続することにより、テスト回路のための実質的な面積を
増加させることなく有効なテストを行うことができる。
【0009】
【実施例】以下、本発明の実施例について説明する。図
1は、本発明の実施例の半導体集積回路の、1つの入出
力バッファを示した図である。この入出力バッファ10
では入力バッファ11の入力側と出力バッファ12の出
力側が共通のパッド13に接続されている。出力バッフ
ァ12には、クロック信号CLKが‘L’の状態の時バ
ッファとして作用し、クロック信号CLKが‘H’のと
きはその立ち上がりの時点の入力を保持するラッチとし
て作用する。
【0010】図2は、図1に示す入出力バッファを複数
(この例では4個)シリーズに接続して形成したシフト
レジスタの回路図、図3はそのタイミングチャートであ
る。このシフトレジスタ20を構成する入出力バッファ
10a,10b,10c,10dは、交互に、二相クロ
ックのうちの第1のクロックCLK1もしくは第2のク
ロックCLK2で動作するように接続されている。この
二相クロックCLK1,CLK2は、図3に示すように
‘L’の領域が互いに重ならないように調整されてい
る。
【0011】図2に示すシフトレジスタのノードaから
図3に示すような信号が入力されると、例えばクロック
CLK1の立ち上がり1_1の直前のタイミングでは、
ノードaからは信号Bが入力されており、その信号Bは
出力バッファ12a,入力バッファ11aを経由してノ
ードbにまで伝達されている。このとき出力バッファ1
2bには既に信号Aがラッチされており、その信号A
は、入力バッファ11bを経由してノードCまで伝達さ
れている。このような信号状態においてクロックCLK
1の立ち上がり1_1のタイミングで信号Bが出力バッ
ファ12aにラッチされる。またこれと同時に出力バッ
ファ12cには信号Aがラッチされる。
【0012】その後クロックCLK2が立ち下がるとノ
ードbにまで伝達されていた信号Bが出力バッファ12
bを経由し、さらに入力バッファ11bを経由してノー
ドcにまで伝達される。また出力バッファ12cにラッ
チされノードdにまで伝達されていた信号Aは出力バッ
ファ12dを経由し、入力バッファ11dを経由してノ
ードeにあらわれる。
【0013】さらにその後クロックCLK2の立ち上が
り2_2のタイミングで、出力バッファ12bに信号B
がラッチされ、出力バッファ12dに信号Aがラッチさ
れ、これにより信号が前進したことになる。以上の動作
を繰り返すことによりシフトレジスタ20内を信号が順
次シフトされる。
【0014】図4は、図2に示すシフトレジスタ20に
論理回路(図示せず)の内部のノードを接続した回路を
表わした回路図である。各ノードa,b,c,dが、論
理回路内部の、それまで信号状態の観察が不能もしくは
困難であった各ノードに接続されている。この各ノード
の信号は、ノードaについては直接出力バッファ12a
に入力され、ノードb,c,dについてはそれぞれイク
スクルーシブノアゲート14a,14b,14cを経由
して各出力バッファ12b,12c,12dに入力され
る。
【0015】このような接続を行い、テスト時にこのシ
フトレジスタ20を二相クロックCLK1,CLK2で
駆動し、ノードeの信号、即ちパッド13dの信号を確
認することによりノードa,b,c,dの信号をモニタ
することができ、これによりテスト時の可観測性が向上
する。またこのシフトレジスタ20は入出力バッファの
空領域に形成されているため、テスト用の回路規模を実
質的に増加させることもない。
【0016】
【発明の効果】以上説明したように、本発明の半導体集
積回路は、複数の入出力バッファのうちの一部の複数の
入出力バッファが互いに接続され二相クロックで動作す
るとともに論理回路内部の所定のノードが接続されたシ
フトレジスタが形成されているものであり、これによ
り、回路規模の増加を抑えた上で、しかもテスト時の可
観測性の向上が図られる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の実施例の半導体集積回路の、1つの入
出力バッファを示した図である。
【図2】図1に示す入出力バッファを複数(この例では
4個)シリーズに接続して構成したシフトレジスタの回
路図である。
【図3】図2に示すシフトレジスタのタイミングチャー
トである。
【図4】図2に示すシフトレジスタに論理回路(図示せ
ず)の内部のノードを接続した回路を表わした回路図で
ある。
【符号の説明】
10,10a,10b,10c,10d 入出力バッ
ファ 11,11a,11b,11c,11d 入力バッフ
ァ 12,12a,12b,12c,12d 出力バッフ
ァ 13,13d パッド 14a,14b,14c イクスクルーシブノアゲー

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 半導体チップの周辺部に複数の入出力バ
    ッファを備えるとともに該周辺部に取り囲まれた中央部
    に所定の論理回路を備えてなる半導体集積回路におい
    て、 前記複数の入出力バッファのうちの一部の複数の入出力
    バッファが互いに接続され二相クロックで動作するとと
    もに、前記論理回路内部の所定のノードが接続されたシ
    フトレジスタを構成してなることを特徴とする半導体集
    積回路。
JP15232793A 1993-06-23 1993-06-23 半導体集積回路 Withdrawn JPH0722509A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP15232793A JPH0722509A (ja) 1993-06-23 1993-06-23 半導体集積回路

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP15232793A JPH0722509A (ja) 1993-06-23 1993-06-23 半導体集積回路

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPH0722509A true JPH0722509A (ja) 1995-01-24

Family

ID=15538110

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP15232793A Withdrawn JPH0722509A (ja) 1993-06-23 1993-06-23 半導体集積回路

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JP (1) JPH0722509A (ja)

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