JPH0722415A

JPH0722415A - 半導体装置の製造方法

Info

Publication number: JPH0722415A
Application number: JP16338093A
Authority: JP
Inventors: Yoshiaki Yamada; 義明山田; Nobukazu Ito; 信和伊藤
Original assignee: NEC Corp
Current assignee: NEC Corp
Priority date: 1993-07-01
Filing date: 1993-07-01
Publication date: 1995-01-24
Anticipated expiration: 2014-07-28
Also published as: JP2928057B2

Abstract

(57)【要約】【目的】半導体装置の配線に用いるＡｌ系の金属膜を一
旦流動化して形成する方法において、この金属膜を流動
化前後での膜質を良好な状態に保持し，素子に損傷を与
えず，生産性の良い製造方法を提供する。【構成】Ｔｉ膜１０４，ＴｉＮ膜１０５を成膜した後、
コリメトリ・スパッタリング，通常のスパッタリングに
より第１のＡｌ合金膜１０６，第２のＡｌ合金膜１０７
を基板温度１００℃以下で成膜し、基板温度を上昇させ
てＡｌ合金膜１０６，１０７を流動化してＡｌ合金膜１
１１を形成する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は半導体装置の製造方法に
関し、特に半導体装置の配線に用いるＡｌ系の金属膜の
成膜方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】半導体装置の高集積化に伴ない、素子お
よび配線の横方向寸法はますます微細化されている。し
かしながら、縦方向の微細化，すなわち層間絶縁膜およ
び配線の縦方向の微細化は、配線容量の増加や層間絶縁
膜の絶縁耐圧の不足等の理由により、進んでいない。従
って、配線と素子あるいは（下層）配線等とを接続する
ために層間絶縁膜に設けた接続孔の深さに対するその口
径の比（アスペクト比）は増大する。このため、通常の
スパッタリングにより形成した（例えばＡｌもしくはＡ
ｌ合金からなる）金属膜の接続孔における段差被覆性
は、悪化する。

【０００３】配線に用いる金属膜の表面を平坦にして段
差被覆性を改善する種々の方法が提案されている。その
１つの方法として、Ａｌ系金属膜のスパッタリング中に
半導体基板に直流（ＤＣ）あるいは高周波（ＲＦ）バイ
アスを印加するバイアス・スパッタリングがある。この
方法では、成膜途中のＡｌ系金属膜表面に入射するＡｒ
イオンがこの金属膜表面もある比率でスパッタリングす
るため、このＡｌ系金属膜の表面が平坦化され，段差被
覆性は良好になる。しかしながらこの方法では、入射し
たＡｒイオンがＡｌ系金属膜にとりこまれ、この金属膜
の抵抗値が上昇したり，この金属膜を熱処理したとき突
起（ヒロック）が発生しやするなるという問題が未解決
であり、いまだ実用化されていない。

【０００４】バイアス・スパッタリングによる上記問題
点を解決する方法として、特開昭６３−１９８４０号公
報に開示された方法がある。この方法では、Ａｌ系金属
膜の形成と同時あるいは交互にＡｌイオンもしくはＡｌ
の中性粒子を半導体基板表面に入射させる。これらの入
射の物理的衝撃によるＡｌ系金属膜表面の（スパッタ）
エッチングにより、この表面は平坦化される。

【０００５】この方法では、ＡｒのＡｌ系金属膜中への
混入は防げても、ＡｌイオンのソースガスとしてＡｌＣ
ｌ₃を用いているためにＡｌ系金属膜中へのＣｌの混入
を完全に防ぐことは不可能であり、Ａｌ系金属膜の膜質
劣化を防止することはできない。また、結晶粒の面方位
が一様でないＡｌ系金属膜表面をスパッタリングにより
エッチングすると、スパッタリング率が面方位に依存す
ることから、この膜の表面形状が悪化し、この膜の表面
での光の反射は乱反射となる。最近のリソグラフィでは
ステッパー露光が主流であるが、この場合の目合わせ
（アライメント）がレーザ光の走査により行なわれる。
このため、乱反射する面に対しては目合わせができなく
なるという別の問題も生じる。

【０００６】さらに上記特開昭６３−１９８４０号公報
記載の方法では、スパッタリング装置内において、半導
体基板表面のＡｌ系金属膜からスパッタリングされたＡ
ｌが防着板等に付着し、Ａｌ膜となる。このような防着
板表面等に形成されらＡｌ膜は応力が大きく剥れやす
く、微粒子（パーティクル）の発生原因となる。これら
のパーティクルが半導体基板表面上に再付着すると、配
線の断線，配線間の短絡が増加することになる。

【０００７】

【発明が解決しようとする課題】上述の方法では成膜
中，もしくは成膜後のＡｌ系金属膜の表面にＡｒイオ
ン，ＡｌイオンあるいはＡｌの中性粒子を注入してこの
表面を平坦化していたが、ＡｌもしくはＡｌ合金からな
る金属膜の融点の低さを利用してその表面を平坦化する
方法が提案されている。例えば、特開平４−６５８３１
号公報に開示された方法では、まず、スパッタリング・
チャンバー内で基板温度を１００℃以下に保持し、スパ
ッタリングにより半導体基板表面上にＡｌ合金膜を形成
する。次に、大気に晒すこのなく別のチャンバーにこの
半導体基板を移動し、そのチャンバー内で半導体基板が
例えば５５０℃程度に上昇され、上記Ａｌ合金膜が流動
化させられる。この方法によれば、Ａｌ合金膜の表面に
Ａｒイオン，ＡｌイオンあるいはＡｌの中性粒子の注入
を受けないため、前述のような合金膜の抵抗値の上昇，
ヒロックの発生，パーティクルの発生等の問題点は生じ
ない。さらに、流動化により平坦化されたこのＡｌ合金
膜の表面は乱反射しないため、ステッパー露光に対する
支障も起らない。すなわち、この方法によると、前述の
問題点は全て解決されることになる。

【０００８】本発明者は、上記特開平４−６５８３１号
公報に記載された方法の実用性を検証するために、この
方法の追試を行なった。

【０００９】半導体装置の主要製造工程の断面図である
図３を参照して、この追試について説明する。まず、シ
リコン基板２０１の表面に膜厚１μｍ程度のシリコン酸
化膜２０２を形成する。次に、このシリコン酸化膜２０
２の所定個所に、口径０．５μｍ程度のコンタクト孔２
０３を形成する。このコンタクト孔２０３のアスペクト
比は２である。続いて、このシリコン基板２０１を（ス
パッタリング装置の）スパッタリング・チャンバーに挿
入し、基板ホルダーに載置する。このスパッタリング・
チャンバーを高真空にした後、（基板ホルダーにはバイ
アス印加をせずに）Ａｌ合金ターゲットにのみバイアス
印加を行ない、Ａｒガスによりスパッタリングを行な
う。このスパッタリングにより、コンタクト孔２０３表
面を含めたシリコン酸化膜２０２上面には、膜厚０．６
μｍ程度のＡｌ合金膜２０７が堆積される。また、コン
タクト孔２０３の底でのＡｌ合金膜２０７の膜厚は、約
０．０６μｍである〔図３（ａ）〕。

【００１０】上記特開平４−６５８３１号公報では別の
チャンバーに移してこのシリコン基板を加熱している
が、Ａｌ合金膜２０７表面に酸素が吸着されないように
して流動性を良好にするためには、スパッタリング・チ
ャンバー内で加熱した方が好ましい。このためこの基板
ホルダーを３５０〜６００℃に加熱し、Ａｌ合金膜２０
７を流動化させて平坦な表面を有するＡｌ合金膜２１１
を形成する。このとき、コンタクト孔２０３内には、ボ
イド２１３が発生する〔図３（ｂ）〕。上記特開平４−
６５８３１号公報に記載された方法は前述の諸問題点を
解決するにもかかわらず、このボイド２１３の発生のた
め、表面形状の外見からの期待とは異なり、コンタクト
孔２０３部分での配線の断線が生じやすくなり、コンタ
クト抵抗も大きくなるという問題点がある。

【００１１】本発明者の実験によると、上記特開平４−
６５８３１号公報に記載されたように１００℃以下での
スパッタリングによりＡｌ膜を成膜した場合、成膜段階
でのＡｌ膜厚Ｔとコンタクト孔上端部近傍におけるＡｌ
膜のひさし幅Ｄとの関係は、図４のようになる。図３に
示した上記追試の場合、Ｔ＝０．６μｍ，コンタクト孔
の口径φ＝０．５μｍとなることから、Ｄ＝０．２１μ
ｍ，すきまＳ＝０．０８μｍとなる。口径φを変化させ
た本発明者の別の実験によると、Ａｌ膜を流動化させた
ときにＳ＝φ−２Ｄ＜０．２μｍであると、コンタクト
孔内にボイド形成される。この結果から、上記特開平４
−６５８３１号公報に記載の方法でボイドの発生を避け
るためには、コンタクト孔の口径が少なくとも０．７μ
ｍ程度はあることが好ましいことになる。この方法のま
までは、半導体装置の微細化への適用は困難になる。

【００１２】成膜段階でのＡｌ膜厚Ｔに対するひさし幅
Ｄを小さく抑える公知の方法としてコリメトリ・スパッ
タリングがある。コリメトリ・スパッタリングによりＡ
ｌ膜を成膜した場合の本発明者の実験によると、この場
合のＡｌ膜厚Ｔのひさし幅Ｄとの関係は、例えば図５の
ようになり、Ｔ＝０．６μｍのときＤ＝０．０７μｍと
なる。

【００１３】模式図６を参照すると、スパッタリング・
チャンバー内に設けられた（基板ホルダーに載置され
た）シリコン基板３０１とＡｌ合金ターゲット３２１と
の間にコリメート板３２２を挿入することにより、コリ
メトリ・スパッタリングが行なえる。コリメート板３２
２には多数の穴が設けられている。Ａｌ合金ターゲット
３２１から任意の方向にスパッタされたＡｌがこの穴に
よりシリコン基板３０１表面に対して垂直な方向に進む
もののみが通過することになるため、図５に示したよう
にＡｌ膜厚Ｔに対してひさし幅Ｄが小さくなり、さらに
コンタクト孔の底におけるＡｌ膜の膜厚も通常のスパッ
タリングによるものより厚めになる。

【００１４】本発明者は、さらに、上記特開平４−６５
８３１号公報に記載の方法と公知のコリメトリ・スパッ
タリングとを組み合わせた実験を試みた。図６と半導体
装置の主要製造工程の断面図である図７および図８とを
併せて参照すると、この実験は以下のようになる。

【００１５】まず、シリコン基板３０１の表面に膜厚１
μｍ程度のシリコン酸化膜３０２を形成する。次に、こ
のシリコン酸化膜３０２の所定個所に、口径０．５μｍ
程度の（アスペクト比＝２）コンタクト孔３０３を形成
する。このシリコン基板３０１をスパッタリング・チャ
ンバーに挿入し、基板ホルダーに載置する。このスパッ
タリング・チャンバーは、基板ホルダーとＡｌ合金ター
ゲット３２１との間にコリメート板３２２が挿入できる
ようになっている。

【００１６】次に、基板ホルダーとＡｌ合金ターゲット
３２１との間にコリメート板３２２を挿入した状態で、
Ａｌ合金ターゲット３２１にのみバイアス印加を行な
い、Ａｒガスによりスパッタリングを行なう。シリコン
酸化膜３０２上面に膜厚０．３μｍ程度のＡｌ合金膜３
０６ａが堆積されたこのコリメトリ・スパッタリングの
途中での断面図を、図７に示す。この段階では、コンタ
クト孔３０３の側壁でのＡｌ合金膜３０６ａ膜厚は、ひ
さし幅Ｄと等しく、約０．０２μｍである。また、コン
タクト孔３０３の底でのＡｌ合金膜３０６ａ膜厚は、約
０．０９μｍである。

【００１７】さらにコリメトリ・スパッタリングを行な
い、シリコン酸化膜３０２上面に膜厚０．６μｍ程度の
Ａｌ合金膜３０６ａａが堆積されたときの断面図を、図
８（ａ）に示す。このとき、ひさし幅Ｄは約０．０７μ
ｍ，コンタクト孔３０３の底でのＡｌ合金膜３０６ａａ
の膜厚は約０．１８μｍであるが、コンタクト孔３０３
の側壁でのＡｌ合金膜３０６ａａの膜厚は０．０２μｍ
より薄くなる。なお、通常のスパッタリングのパワーと
同じパワーで行なうコリメトリ・スパッタリングにおけ
るＡｌ合金膜３０６ａａの成長速度は、コリメート板３
２２の穴の径および密度とこの板の厚さとに依存する
が、一般に、コリメート板３２２を用いない通常のスパ
ッタリングに比べて、１／１０〜１／７程度となる。

【００１８】コリメート板３２２を基板ホルダー上から
遠ざけ、基板ホルダーを３５０〜６００℃に加熱する
と、図８（ｂ）に示す断面図のように、Ａｌ合金膜３０
６ａａが流動化させて平坦な表面を有するＡｌ合金膜３
１１が形成され、コンタクト孔３０３の底はＡｌ合金膜
３１１ａが形成される。Ａｌ合金膜３１１とＡｌ合金膜
３１１ａとは接続していないため、コンタクト孔３０３
において、Ａｌ合金膜３１１により形成される配線は断
線することになる。このためこの方法は、ボイドの発生
は無いが実用には適さないことになる。

【００１９】Ａｌ合金膜３０６ａａの形状が図８（ａ）
に示したようになるのは、以下の原因によるものと考え
られる。スパッタリングの際のプラズマによりコリメー
ト板３２２加熱され、このコリメート板３２２からの熱
輻射により成膜されたＡｌ合金膜の温度が徐々に上昇
し、Ａｌのマイグレーションが生じる。スパッタリング
を行なう１０^-8Ｔｏｒｒ程度の高真空のもとでは、Ａｌ
のマイグレーションは１２０℃程度から起り，２５０℃
程度ではかなり盛んになる。図７に示した段階では、Ａ
ｌ合金膜３０６ａの温度は１００℃に満たない。それに
対して、図８（ａ）に示した段階では、Ａｌ合金膜３０
６ａａの温度が３００℃以上になり、Ａｌの結晶粒の成
長（グレイン成長）が顕著になる。１００℃以下に保持
されていたＡｌ合金膜に比べて、グレイン成長の進行し
たＡｌ合金膜３０６ａａを熱処理しても、これの流動化
がスムーズに行なわれなくなり、図８（ｂ）に示したよ
うにコンタクト孔３０３を良好に埋設しなくなる。な
お、コンタクト孔３０３を形成した後、Ｔｉ膜，ＴｉＮ
膜等のバリアメタル膜を形成し、その後にＡｌ合金膜を
形成した場合、Ａｌのマイグレーションはさらに盛んに
なる。この場合、流動化した後での完全な断線は起らな
いが、コンタクト抵抗は高くなる。

【００２０】スパッタリング装置に工夫を加え，生産性
を犠牲にするならば、上記コリメトリ・スパッタリング
は極めて有効になる。この場合、加熱機構を有する基板
ホルダーにさらに冷却機構を設けることになる。この冷
却機構の付加の困難性は無視しても、生産性の向上は望
めず、前述したように通常のスパッタリングに比べて、
１／１０〜１／７程度のままである。

【００２１】したがって本発明の目的は、半導体装置の
配線に用いるＡｌ系の金属膜を一旦流動化して形成する
方法において、生産性を極端に低下させることなく、堆
積された金属膜を流動化し易い状態に保持し，流動化工
程において半導体基板表面に形成された素子に損傷を与
えず，流動化後のこのＡｌ系の金属膜の膜質が良好とな
るとともに、この金属膜を用いて形成した配線が接続孔
において断線することなく，かつコンタクト抵抗が上昇
することがないＡｌ系の金属膜の製造方法を提供するこ
とにある。

【００２２】

【課題を解決するための手段】本発明の半導体装置の製
造方法は、コリメトリ・スパッタリングにより所定の接
続孔を有して半導体基板の表面上に設けられた絶縁膜上
にＡｌもしくはＡｌ合金からなる第１の金属膜を堆積す
る工程と、スパッタリングにより第１の金属膜上にＡｌ
もしくはＡｌ合金からなる第２の金属膜を堆積する工程
と、上記第１並びに第２の金属膜を流動化する工程とを
含んでいる。

【００２３】好ましくは、第１の金属膜の堆積，第２の
金属膜の堆積，および第１並びに第２の金属膜の流動化
が、同一の真空室内で行なわれる。

【００２４】

【実施例】次に、本発明について図面を参照して説明す
る。

【００２５】半導体装置の製造工程の断面図である図１
と図２とを参照すると、本発明の一実施例は、以下のよ
うになっている。

【００２６】まず、シリコン基板１０１の表面を覆う膜
厚１．０μｍ程度の酸化シリコン膜１０２の所定個所
に、公知のリソグラフィ，エッチング技術を用いて、口
径が０．５μｍ程度のコンタクト孔１０３（アスペクト
比＝２）が形成される。このコンタクト孔１０３は、シ
リコン基板１０１表面に形成された素子（図示せず）や
シリコン基板１０１上に形成された（下層）配線（図示
せず）に達する。

【００２７】次に、このシリコン基板１０１がスパッタ
リング装置の第１のスパッタリング・チャンバー（図示
せず）に挿入され、基板ホルダー（図示せず）に載置さ
れる。続いて、Ｎ₂ガスが遮断された状態でＡｒガスが
流入されてスパッタリング用の放電（スパッタリング放
電）がオン状態になり、Ｔｉターゲット（図示せず）か
らＴｉのスパッタリングが開始され、膜厚５０ｎｍ程度
のＴｉ膜１０４が酸化シリコン膜１０２上に堆積され
る。引き続いて、スパッタリング放電がオン状態に保持
され、ＡｒガスにはＮ₂ガスが３０〜１００％添加され
て流入される。この状態でスパッタリンズされたＴｉ
は、添加されたこのＮ₂ガスと反応してＴｉＮとなる。
この反応性スパッタリングにより、Ｔｉ膜１０４上には
膜厚５０ｎｍ程度のＴｉＮ膜１０５が堆積される〔図１
（ａ）〕。このとき、コンタクト孔１０３の側壁部にお
けるＴｉ膜１０４およびＴｉＮ膜１０５の合計膜厚は、
２ｎｍに満たない値である。

【００２８】次に、上記放電がオフ状態になり，上記Ａ
ｒガスが遮断された後、シリコン基板１０１は、第１の
スパッタリング・チャンバーから第２のスパッタリング
・チャンバー（図示せず）に移動され、基板ホルダー
（図示せず）に載置される。続いて、Ａｌ合金ターゲン
ト（図示せず）とシリコン基板１０１との間にコリメー
ト板（図示せず）を挿入し、Ａｒガスが流入されてスパ
ッタリング放電がオン状態になり、Ａｌ合金ターゲット
からＡｌ合金がコリメイト・スパッタリングされ、膜厚
０．３μｍ程度の第１のＡｌ合金膜１０６がＴｉＮ膜１
０５の上面に堆積される。このとき、コンタクト孔１０
３の側壁での第１のＡｌ合金膜１０６膜厚は約０．０２
μｍであり、コンタクト孔１０３の底での第１のＡｌ合
金膜１０６膜厚は約０．０９μｍである〔図１
（ｂ）〕。

【００２９】次に、Ａｒガスが流入されてスパッタリン
グ放電がオン状態のままでコリメート板がＡｌ合金ター
ゲントとシリコン基板１０１との間から除去される。こ
れによりＡｌ合金の通常のスパッタリングが行なわれ、
膜厚０．３μｍ程度の第２のＡｌ合金膜１０７が第１の
Ａｌ合金膜１０６の上面に堆積される。この段階での基
板ホルダーの温度は、高々１００℃程度である。このと
き、コンタクト孔１０３の上端部でのＡｌ合金膜１０
６，１０７からなるひさし幅は約０．１μｍであり、コ
ンタクト孔１０３の底でのＡｌ合金膜１０６，１０７の
合計膜厚は約０．１２μｍであり、コンタクト孔１０３
の上端部における第２のＡｌ合金膜１０７のすきまは約
０．３μｍとなる〔図２（ａ）〕。

【００３０】次に、スパッタリング放電がオフ状態にな
り、ほぼ同時に、基板ホルダーの加熱が開始され、約１
分後には基板温度が３５０〜６００℃程度になる。その
結果、第１のＡｌ合金膜１０６および第２のＡｌ合金膜
１０７が流動化されてＡｌ合金膜１１１となり、ボイド
を発生することなくコンタクト孔１０３はこのＡｌ合金
膜１１１により埋設される。続いて、公知のリソグラフ
技術とエッチング技術とにより、Ａｌ合金膜１１１，Ｔ
ｉＮ膜１０５およびＴｉ膜１０４が順次エッチングさ
れ、配線１１２が形成される〔図２（ｂ）〕なお、この
流動化は第２のスパッタリング・チャンバー内で行なわ
ず、別のチャンバー内で行なってもよい。この場合に
は、Ａｌ合金膜１１１表面への酸素の吸着を防ぐため、
シリコン基板１０１の移し替えを１×１０^-8Ｔｏｒｒ程
度の高真空内で行なう必要がある。

【００３１】上記一実施例では、冷却機構を有する基板
ホルダーを用いたコリメトリ・スパッタリングによるＡ
ｌ合金膜の成膜のように極端に生産性の低下する成膜法
ではなく、Ａｌのマイグレーションが起らない基板温度
の範囲でのコリメトリ・スパッタリングと通常のスパッ
タリングとによる第１のＡｌ合金膜と第２のＡｌ合金膜
との成膜を行なっている。このため、極端に生産性の低
下することなく、成膜段階過程でのグレイン成長に依存
する流動化の阻害要因は排除される。さらに、本実施例
による成膜法では、コンタクト孔の底部およびコンタク
ト孔の側壁部にもそれぞれ０．１２μｍ，０．０３〜
０．０５μｍ程度のＡｌ合金膜が形成され、コンタクト
孔の上端部でのＡｌ合金膜のすきまが約０．３μｍとな
る。このように、流動化の阻害要因は排除されること
と、コンタクト孔近傍における成膜終了段階でのＡｌ合
金膜の形状が良好であることとから、ボイド，段切れを
発生することなくＡＬ合金膜の流動化が行なえる。ま
た、ＴｉＮ膜およびＴｉ膜からなるバリアメタル膜とＡ
ｌ合金膜とに濡性があるため、これらのバリアメタル膜
の存在により、流動化が容易に行なわれる。また、本実
施例の流動化工程では、半導体素子に損傷を与えること
は避けられる。このため、本実施例によるＡｌ合金膜か
ら配線を形成したとき、この配線の抵抗が上昇すること
なく、コンタクト孔でのこの配線の断線，コンタクト抵
抗の上昇も避けられる。

【００３２】

【発明の効果】以上説明したように本発明の半導体装置
の製造方法は、半導体装置の配線に用いるＡｌ系の金属
膜を一旦流動化して形成する方法において、生産性を極
端に低下させることなく、堆積された金属膜を流動化し
易い状態に保持し，流動化工程において半導体基板表面
に形成された素子に損傷を与えず，流動化後のこのＡｌ
系の金属膜の膜質が良好となるとともに、この金属膜を
用いて形成した配線が接続孔において断線することな
く，かつコンタクト抵抗が上昇することが避けられる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の一実施例の製造工程の断面図である。

【図２】上記一実施例の製造工程の断面図である。

【図３】従来のスパッタリングを用いた半導体装置の主
要製造工程の断面図である。

【図４】従来のスパッタリングの問題点を説明するため
のグラフである。

【図５】従来のコリメトリ・スパッタリンズの問題点を
説明するためのグラフである。

【図６】従来のコリメトリ・スパッタリンズを説明する
ための模式図である。

【図７】従来のコリメトリ・スパッタリングを用いた半
導体装置の主要製造工程の断面図である。

【図８】従来のコリメトリ・スパッタリングを用いた半
導体装置の主要製造工程の断面図である。

【符号の説明】

１０１，２０１，３０１シリコン基板１０２，２０２，３０２シリコン酸化膜１０３，２０３，３０３コンタクト孔１０４Ｔｉ膜１０５ＴｉＮ膜１０６第１のＡｌ合金膜１０７第２のＡｌ合金膜１１１，２０７，２１１，３０６ａ，３０６ａａ，３１
１，３１１ａＡｌ合金膜１１２配線２１３ボイド３２１Ａｌ合金ターゲット３２２コリメート板

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.⁶ 識別記号庁内整理番号ＦＩ技術表示箇所Ｃ２３Ｃ 16/44 Ｈ０１Ｌ 21/203 Ｓ 8122−4Ｍ 21/768 8826−4ＭＨ０１Ｌ 21/90 Ｃ

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】所定の接続孔を有して半導体基板の表面
上に設けられた絶縁膜上に、コリメトリ・スパッタリン
グにより、アルミニウム，もしくはアルミニウム合金か
らなる第１の金属膜を堆積する工程と、前記第１の金属膜上に、スパッタリングにより、アルミ
ニウム，もしくはアルミニウム合金からなる第２の金属
膜を堆積する工程と、前記第１の金属膜並びに前記第２の金属膜を流動化させ
る工程とを含むことを特徴とする半導体装置の製造方
法。
【請求項２】前記第１の金属膜の堆積，前記第２の金
属膜の堆積，および前記第１の金属膜並びに前記第２の
金属膜の流動化が、同一の真空室内で行なわれることを
特徴とする請求項１記載の半導体装置の製造方法。