JPH0722414A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
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- JPH0722414A JPH0722414A JP16337493A JP16337493A JPH0722414A JP H0722414 A JPH0722414 A JP H0722414A JP 16337493 A JP16337493 A JP 16337493A JP 16337493 A JP16337493 A JP 16337493A JP H0722414 A JPH0722414 A JP H0722414A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】ＣＶＤ法を用いてタングステンによりコンタク
トホールの埋め込みを行う際に、より径の小さいコンタ
クトホールまで空孔が発生することなく成膜を行なわせ
る。 【構成】ＳｉＨ4 ガスによりＷＦ6 ガスを還元してタン
グステンを成膜する際に、図１に示すように成膜ガスの
流量比を周期的に変化させる。こうすることによりＳｉ
Ｈ4 ガスが過剰な状態と、ＷＦ6 ガスが過剰な状態を作
りだすことができる。過剰なガスはコンタクトホール底
部まで消費されることなく拡散できるため、より多くの
成膜ガスをコンタクトホール中に供給できる。これによ
り、空孔の発生を防ぎながらコンタクトホールを埋めこ
むことが可能となる。
トホールの埋め込みを行う際に、より径の小さいコンタ
クトホールまで空孔が発生することなく成膜を行なわせ
る。 【構成】ＳｉＨ4 ガスによりＷＦ6 ガスを還元してタン
グステンを成膜する際に、図１に示すように成膜ガスの
流量比を周期的に変化させる。こうすることによりＳｉ
Ｈ4 ガスが過剰な状態と、ＷＦ6 ガスが過剰な状態を作
りだすことができる。過剰なガスはコンタクトホール底
部まで消費されることなく拡散できるため、より多くの
成膜ガスをコンタクトホール中に供給できる。これによ
り、空孔の発生を防ぎながらコンタクトホールを埋めこ
むことが可能となる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は半導体装置の製造方法に
関し、特にコンタクトホールの埋め込み工程を有する半
導体装置の製造方法に関する。
関し、特にコンタクトホールの埋め込み工程を有する半
導体装置の製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、半導体装置の高集積化に伴い、コ
ンタクトホールの径は１μｍ以下に微細化されている。
従来の金属配線層の形成方法としてはアルミニウムのス
パッタ法が用いられてきたが、これらの微細なコンタク
トホールにおいては被覆率が悪い、エレクトロマイグレ
ーション、ストレスマイグレーション耐性が悪いなど、
半導体装置の信頼性を低下させる原因となっていた。
ンタクトホールの径は１μｍ以下に微細化されている。
従来の金属配線層の形成方法としてはアルミニウムのス
パッタ法が用いられてきたが、これらの微細なコンタク
トホールにおいては被覆率が悪い、エレクトロマイグレ
ーション、ストレスマイグレーション耐性が悪いなど、
半導体装置の信頼性を低下させる原因となっていた。
【０００３】この問題を解決する方法の一つとして、Ｃ
ＶＤ法を用いたタングステンによるコンタクトホール埋
め込み方法がある。これについて説明すると、図４に示
すように、拡散層１等を形成したシリコン基板２上にＢ
ＰＳＧ膜３を成膜後、拡散層１に達するコンタクトホー
ル４を開口する。次に、チタン、続いて窒化チタンをス
パッタさせて、タングステンに対して密着層とバリア層
の役割をするチタン膜／窒化チタン膜５を形成する。次
に、タングステンをＣＶＤ法により成膜する。この際成
膜は２段階で行う。１段階目ではＷＦ6 ガスをＳｉＨ4
ガスで還元（この時、図５に示すように、先ず時刻ｔ０
からＳｉＨ4 ガスを流し、次いで時刻ｔ１からＷＦ6 ガ
スを流して混合する）し窒化チタン膜表面に数ｎｍ程度
のタングステン膜６を成膜させる。この膜は、次に延べ
る２段階目の成膜の時のＷＦ6 ガスによるコンタクトホ
ール底部に対する侵食を抑える効果があり、拡散層１と
シリコン基板２とのＰＮ接合の漏れ電流を抑えるためで
ある。２段階目ではＷＦ6ガスをＨ2 ガスで還元しコン
タクトホール全体をタングステン７で埋め込む。この水
素還元法によるタングステン膜は被覆性に優れているた
め、コンタクトホール中心部に発生する空孔８の発生を
少なくすることができる。
ＶＤ法を用いたタングステンによるコンタクトホール埋
め込み方法がある。これについて説明すると、図４に示
すように、拡散層１等を形成したシリコン基板２上にＢ
ＰＳＧ膜３を成膜後、拡散層１に達するコンタクトホー
ル４を開口する。次に、チタン、続いて窒化チタンをス
パッタさせて、タングステンに対して密着層とバリア層
の役割をするチタン膜／窒化チタン膜５を形成する。次
に、タングステンをＣＶＤ法により成膜する。この際成
膜は２段階で行う。１段階目ではＷＦ6 ガスをＳｉＨ4
ガスで還元（この時、図５に示すように、先ず時刻ｔ０
からＳｉＨ4 ガスを流し、次いで時刻ｔ１からＷＦ6 ガ
スを流して混合する）し窒化チタン膜表面に数ｎｍ程度
のタングステン膜６を成膜させる。この膜は、次に延べ
る２段階目の成膜の時のＷＦ6 ガスによるコンタクトホ
ール底部に対する侵食を抑える効果があり、拡散層１と
シリコン基板２とのＰＮ接合の漏れ電流を抑えるためで
ある。２段階目ではＷＦ6ガスをＨ2 ガスで還元しコン
タクトホール全体をタングステン７で埋め込む。この水
素還元法によるタングステン膜は被覆性に優れているた
め、コンタクトホール中心部に発生する空孔８の発生を
少なくすることができる。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかし、コンタクトホ
ール径が０．５μｍ以下まで微細化してくるとこの方法
でも空孔なく完全に埋め込むことが困難になってくる。
この原因の１つは、１段階目の成膜におけるＳｉＨ4 ガ
スによるＷＦ6 ガスの還元反応が、これらの成膜ガスの
拡散律速状態で起こっているためである。拡散層１の表
面近傍まで拡散してきた成膜ガスは基板表面に達すると
その場で反応してしまうので、コンタクトホール底部に
近づくほど拡散してくる割合が低くなる。この反応が進
行していくとコンタクトホールは次第にオーバーハング
形状になり、水素還元によるタングステンの成膜を行っ
ても空孔なく埋め込むことはできなくなる。また、コン
タクトホール底部ではＳｉＨ4 還元法によるタングステ
ン膜６の膜厚が薄くなるため、水素還元法によるタング
ステン膜の成膜時にバリア（５）の不完全部分でタング
ステンの食い込みが起こり漏れ電流に対する耐性が低く
なる問題もある。
ール径が０．５μｍ以下まで微細化してくるとこの方法
でも空孔なく完全に埋め込むことが困難になってくる。
この原因の１つは、１段階目の成膜におけるＳｉＨ4 ガ
スによるＷＦ6 ガスの還元反応が、これらの成膜ガスの
拡散律速状態で起こっているためである。拡散層１の表
面近傍まで拡散してきた成膜ガスは基板表面に達すると
その場で反応してしまうので、コンタクトホール底部に
近づくほど拡散してくる割合が低くなる。この反応が進
行していくとコンタクトホールは次第にオーバーハング
形状になり、水素還元によるタングステンの成膜を行っ
ても空孔なく埋め込むことはできなくなる。また、コン
タクトホール底部ではＳｉＨ4 還元法によるタングステ
ン膜６の膜厚が薄くなるため、水素還元法によるタング
ステン膜の成膜時にバリア（５）の不完全部分でタング
ステンの食い込みが起こり漏れ電流に対する耐性が低く
なる問題もある。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明の半導体装置の製
造方法は、半導体チップの所定の層間絶縁膜に下層の導
電領域に達するコンタクトホールを形成する工程と、Ｓ
ｉＨ4 ガスに続いてＷＦ6 ガスを供給してタングステン
膜を前記コンタクトホール部に成長させる工程とを有す
る半導体装置の製造方法において、少なくとも前記ＷＦ
6 ガスの流量を周期的に変化させるというものである。
造方法は、半導体チップの所定の層間絶縁膜に下層の導
電領域に達するコンタクトホールを形成する工程と、Ｓ
ｉＨ4 ガスに続いてＷＦ6 ガスを供給してタングステン
膜を前記コンタクトホール部に成長させる工程とを有す
る半導体装置の製造方法において、少なくとも前記ＷＦ
6 ガスの流量を周期的に変化させるというものである。
【０００６】
【作用】ＳｉＨ4 ガスとＷＦ6 ガスはＷＦ6 ＋１．５Ｓ
ｉＨ4 →Ｗ＋１．５ＳｉＦ4 ＋３Ｈ2 または、ＷＦ6 ＋
２ＳｉＨ4 →Ｗ＋２ＳｉＨＦ3 ＋３Ｈ2 という反応を起
こしてタングステン膜を成膜している。つまり、ＷＦ6
ガスに対してＳｉＨ4 ガスは１．５〜２倍必要となって
いる。本発明のように、流量比を周期的に変化させる
と、ＳｉＨ4 ガスが過剰な状態とＷＦ6 ガスが過剰な状
態を交互に繰り返しに作り出すことができる。過剰なガ
スは表面で反応することができないためにコンタクトホ
ール内部等に拡散する。この後、他方のガスが過剰な状
態になるとそのガスもコンタクトホール内部に拡散し反
応を起こしてタングステンを成膜する。このようにガス
の過剰状態を交互に作り出すことにより成膜ガスがコン
タクトホール内部へ拡散する割合が高まり、空孔なくコ
ンタクトホールを埋め込むことができる。
ｉＨ4 →Ｗ＋１．５ＳｉＦ4 ＋３Ｈ2 または、ＷＦ6 ＋
２ＳｉＨ4 →Ｗ＋２ＳｉＨＦ3 ＋３Ｈ2 という反応を起
こしてタングステン膜を成膜している。つまり、ＷＦ6
ガスに対してＳｉＨ4 ガスは１．５〜２倍必要となって
いる。本発明のように、流量比を周期的に変化させる
と、ＳｉＨ4 ガスが過剰な状態とＷＦ6 ガスが過剰な状
態を交互に繰り返しに作り出すことができる。過剰なガ
スは表面で反応することができないためにコンタクトホ
ール内部等に拡散する。この後、他方のガスが過剰な状
態になるとそのガスもコンタクトホール内部に拡散し反
応を起こしてタングステンを成膜する。このようにガス
の過剰状態を交互に作り出すことにより成膜ガスがコン
タクトホール内部へ拡散する割合が高まり、空孔なくコ
ンタクトホールを埋め込むことができる。
【０００７】
【実施例】次に、本発明の実施例について図面を参照し
て説明する。
て説明する。
【０００８】図１は本発明の第１の実施例における成膜
ガスの流量の時間的変化を示すタイムチャート、図３
（ａ）〜（ｃ）はこの実施例の説明のための工程順断面
図である。
ガスの流量の時間的変化を示すタイムチャート、図３
（ａ）〜（ｃ）はこの実施例の説明のための工程順断面
図である。
【０００９】図３（ａ）に示すように、従来例と同様に
して拡散層１等を形成したシリコン基板２上にＢＰＳＧ
膜３を堆積し、拡散層に達するコンタクトホール４を開
孔し、チタン膜／窒化チタン膜５を成膜する。
して拡散層１等を形成したシリコン基板２上にＢＰＳＧ
膜３を堆積し、拡散層に達するコンタクトホール４を開
孔し、チタン膜／窒化チタン膜５を成膜する。
【００１０】次に、図３（ｂ）に示すように、ＳｉＨ4
還元法によりタングステン膜６を成膜する。すなわち、
圧力を１０Ｔｏｒｒ以下、好ましくは３Ｔｏｒｒ、温度
を４００〜５００℃、好ましくは４５０℃、反応キャリ
アガスとしてＡｒを用いる。図１に示すように、まず、
時刻ｔ０ａにＳｉＨ4 ガスを導入する。その後、時刻ｔ
１ａにＷＦ6 ガスを徐々に導入し、ＳｉＨ4 ／ＷＦ6 の
流量比が２／３〜１／３になる（時刻ｔ２ａ）まで増加
させる。この状態ではＷＦ6 ガス過剰の状態になりコン
タクトホール内部にＷＦ6 ガスが多量に拡散する。次
に、ＳｉＨ4 ガスを徐々に増加させるか、図１に示すよ
うに、ＷＦ6 ガスを徐々に減少させ、ＳｉＨ4 ／ＷＦ6
の流量比が５／１〜１０／１になる（時刻ｔ３ａ）まで
変化させる。この状態ではＳｉＨ4 ガス過剰の状態にな
る。このときコンタクトホール内部ではＷＦ6 ガスとＳ
ｉＨ4 ガスが反応しタングステン膜が成膜される。その
後、ガス流量を徐々に時刻ｔ２ａの状態に戻す（時刻ｔ
４ａ）。このようなサイクルを繰り返すことで過剰な状
態の時に拡散した成膜ガス同士をコンタクトホール中で
反応させオーバーハングを起こらなくさせる。このよう
にして厚さ５０ｎｍのタングステン膜を形成する場合、
ガス流量比の増減のサイクルを３回、合計１分で成膜す
ることができる。
還元法によりタングステン膜６を成膜する。すなわち、
圧力を１０Ｔｏｒｒ以下、好ましくは３Ｔｏｒｒ、温度
を４００〜５００℃、好ましくは４５０℃、反応キャリ
アガスとしてＡｒを用いる。図１に示すように、まず、
時刻ｔ０ａにＳｉＨ4 ガスを導入する。その後、時刻ｔ
１ａにＷＦ6 ガスを徐々に導入し、ＳｉＨ4 ／ＷＦ6 の
流量比が２／３〜１／３になる（時刻ｔ２ａ）まで増加
させる。この状態ではＷＦ6 ガス過剰の状態になりコン
タクトホール内部にＷＦ6 ガスが多量に拡散する。次
に、ＳｉＨ4 ガスを徐々に増加させるか、図１に示すよ
うに、ＷＦ6 ガスを徐々に減少させ、ＳｉＨ4 ／ＷＦ6
の流量比が５／１〜１０／１になる（時刻ｔ３ａ）まで
変化させる。この状態ではＳｉＨ4 ガス過剰の状態にな
る。このときコンタクトホール内部ではＷＦ6 ガスとＳ
ｉＨ4 ガスが反応しタングステン膜が成膜される。その
後、ガス流量を徐々に時刻ｔ２ａの状態に戻す（時刻ｔ
４ａ）。このようなサイクルを繰り返すことで過剰な状
態の時に拡散した成膜ガス同士をコンタクトホール中で
反応させオーバーハングを起こらなくさせる。このよう
にして厚さ５０ｎｍのタングステン膜を形成する場合、
ガス流量比の増減のサイクルを３回、合計１分で成膜す
ることができる。
【００１１】続いて、従来例と同様に、ＷＦ6 ガスとＨ
2 ガスを用いて、図３（ｃ）に示すように、コンタクト
ホールをタングステン膜７で埋め込む。タングステン膜
６によるオーバーハングが殆んどないので、タングステ
ン膜７中に空孔が生じる危険性は緩和される。
2 ガスを用いて、図３（ｃ）に示すように、コンタクト
ホールをタングステン膜７で埋め込む。タングステン膜
６によるオーバーハングが殆んどないので、タングステ
ン膜７中に空孔が生じる危険性は緩和される。
【００１２】図２は本発明の第２の実施例における成膜
ガスの流量の時間的変化を示すタイムチャートである。
ガスの流量の時間的変化を示すタイムチャートである。
【００１３】まず、第１の実施例と同様にしてコンタク
トホールを開孔した基板上にスパッタ法によりチタン膜
／窒化チタン膜を成膜する。そして、図２に示すよう
に、時刻ｔ０ｂにＳｉＨ4 ガスを導入する。この状態で
は、ＳｉＨ4 ガスは反応するガスが無いためコンタクト
ホール内部を含めた基板全体に均一に拡散している。次
に、時刻ｔ１ｂにＷＦ6 ガスを導入し、それと同時にＳ
ｉＨ4 ガスを止める。この状態では、先に基板上に拡散
したＳｉＨ4 ガスとＷＦ6 ガスが反応するため成膜はコ
ンタクトホール内部でも基板表面と同様に起こる。ま
た、反応できなかったＷＦ6 ガスは、ＳｉＨ4 ガスと同
様にしてコンタクトホール内部を含めた基板全体に均一
に拡散する。この後、時刻ｔ２ｂに、ＳｉＨ4 ガスを導
入し、ＷＦ6ガスの供給を止めると、上述と同様の理由
から、コンタクトホール内部での反応が基板表面と同様
に起こる。このようなサイクルを繰り返すと基板表面で
形成されるタングステン膜とコンタクトホール内部で成
膜されるタングステン膜の膜厚に差がなくなるため第１
の実施例よりもさらにオーバーハングが起こりにくくな
る。
トホールを開孔した基板上にスパッタ法によりチタン膜
／窒化チタン膜を成膜する。そして、図２に示すよう
に、時刻ｔ０ｂにＳｉＨ4 ガスを導入する。この状態で
は、ＳｉＨ4 ガスは反応するガスが無いためコンタクト
ホール内部を含めた基板全体に均一に拡散している。次
に、時刻ｔ１ｂにＷＦ6 ガスを導入し、それと同時にＳ
ｉＨ4 ガスを止める。この状態では、先に基板上に拡散
したＳｉＨ4 ガスとＷＦ6 ガスが反応するため成膜はコ
ンタクトホール内部でも基板表面と同様に起こる。ま
た、反応できなかったＷＦ6 ガスは、ＳｉＨ4 ガスと同
様にしてコンタクトホール内部を含めた基板全体に均一
に拡散する。この後、時刻ｔ２ｂに、ＳｉＨ4 ガスを導
入し、ＷＦ6ガスの供給を止めると、上述と同様の理由
から、コンタクトホール内部での反応が基板表面と同様
に起こる。このようなサイクルを繰り返すと基板表面で
形成されるタングステン膜とコンタクトホール内部で成
膜されるタングステン膜の膜厚に差がなくなるため第１
の実施例よりもさらにオーバーハングが起こりにくくな
る。
【００１４】このようにして所定の膜厚のタングステン
膜を成膜した後、Ｈ2 ガスとＷＦ6ガスを用いて２段階
目の成膜を行うことで、空孔のないタングステン膜によ
るコンタクトホール埋め込みを行なうことが可能とな
る。
膜を成膜した後、Ｈ2 ガスとＷＦ6ガスを用いて２段階
目の成膜を行うことで、空孔のないタングステン膜によ
るコンタクトホール埋め込みを行なうことが可能とな
る。
【００１５】
【発明の効果】以上のように本発明の半導体装置の製造
方法によれば、０．５μｍ以下の径のコンタクトホール
であっても空孔なくタングステン膜で埋め込むことが可
能となる。また、ＳｉＨ4 還元法により成膜されたコン
タクトホール底部のタングステン膜厚が従来の製造方法
と比べ増加するため、漏れ電流に対する耐性が高まる効
果がある。
方法によれば、０．５μｍ以下の径のコンタクトホール
であっても空孔なくタングステン膜で埋め込むことが可
能となる。また、ＳｉＨ4 還元法により成膜されたコン
タクトホール底部のタングステン膜厚が従来の製造方法
と比べ増加するため、漏れ電流に対する耐性が高まる効
果がある。
【図１】第１の実施例における成膜ガスの流量変化を示
すタイムチャートである。
すタイムチャートである。
【図２】第２の実施例における成膜ガスの流量変化を示
すタイムチャートである。
すタイムチャートである。
【図３】本発明の実施例の説明のため（ａ）〜（ｃ）に
分図して示す工程順断面図である。
分図して示す工程順断面図である。
【図４】従来の技術の説明のための断面図である。
【図５】従来の技術における成膜ガスの流量変化を示す
タイムチャートである。
タイムチャートである。
１ 拡散層 ２ シリコン基板 ３ ＢＰＳＧ膜 ４ コンタクトホール ５ チタン膜／窒化チタン膜 ６ ＳｉＨ4 還元によるタングステン膜 ７ Ｈ2 還元によるタングステン膜 ８ 空孔
フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｈ０１Ｌ 21/768 8826−4Ｍ Ｈ０１Ｌ 21/90 Ｄ
Claims (3)
- 【請求項１】 半導体チップの所定の層間絶縁膜に下層
の導電領域に達するコンタクトホールを形成する工程
と、ＳｉＨ4 ガスに続いてＷＦ6 ガスを供給してタング
ステン膜を前記コンタクトホール部に選択成長させる工
程とを有する半導体装置の製造方法において、少なくと
も前記ＷＦ6 ガスの流量を周期的に変化させることを特
徴とする半導体装置の製造方法。 - 【請求項２】 コンタクトホールの底部にチタン膜と窒
化チタン膜を順次に堆積させたのちタングステン膜を成
長させる請求項１記載の半導体装置の製造方法。 - 【請求項３】 ＳｉＨ4 ガスの流量とＷＦ6 ガスの流量
とを互いに逆方向に増減させる請求項１または２記載の
半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5163374A JP2684960B2 (ja) | 1993-07-01 | 1993-07-01 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5163374A JP2684960B2 (ja) | 1993-07-01 | 1993-07-01 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0722414A true JPH0722414A (ja) | 1995-01-24 |
| JP2684960B2 JP2684960B2 (ja) | 1997-12-03 |
Family
ID=15772673
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5163374A Expired - Lifetime JP2684960B2 (ja) | 1993-07-01 | 1993-07-01 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2684960B2 (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2002041379A1 (en) * | 2000-11-17 | 2002-05-23 | Tokyo Electron Limited | Method of forming metal wiring and semiconductor manufacturing apparatus for forming metal wiring |
| JP2005518088A (ja) * | 2001-07-16 | 2005-06-16 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド | タングステン複合膜の形成 |
| US7542108B2 (en) | 2001-02-16 | 2009-06-02 | Hitachi, Ltd. | Liquid crystal display device |
| KR20220011081A (ko) * | 2020-07-20 | 2022-01-27 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | 에칭 방법 및 에칭 장치 |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01206623A (ja) * | 1988-02-15 | 1989-08-18 | Toshiba Corp | 半導体装置の製造方法 |
| JPH02277231A (ja) * | 1989-04-18 | 1990-11-13 | Hitachi Ltd | 半導体集積回路装置の製造方法およびそれに用いる製造装置 |
| JPH04765A (ja) * | 1990-04-17 | 1992-01-06 | Fujitsu Ltd | 半導体装置の製造方法 |
| JPH05114578A (ja) * | 1991-10-22 | 1993-05-07 | Matsushita Electron Corp | 半導体装置及びその製造方法 |
-
1993
- 1993-07-01 JP JP5163374A patent/JP2684960B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| JP2008283220A (ja) * | 2000-11-17 | 2008-11-20 | Tokyo Electron Ltd | タングステン膜の形成方法 |
| US7542108B2 (en) | 2001-02-16 | 2009-06-02 | Hitachi, Ltd. | Liquid crystal display device |
| JP2005518088A (ja) * | 2001-07-16 | 2005-06-16 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド | タングステン複合膜の形成 |
| KR20220011081A (ko) * | 2020-07-20 | 2022-01-27 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | 에칭 방법 및 에칭 장치 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2684960B2 (ja) | 1997-12-03 |
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