JPH07221049A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
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- JPH07221049A JPH07221049A JP2596994A JP2596994A JPH07221049A JP H07221049 A JPH07221049 A JP H07221049A JP 2596994 A JP2596994 A JP 2596994A JP 2596994 A JP2596994 A JP 2596994A JP H07221049 A JPH07221049 A JP H07221049A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 パッシベートの信頼性の向上と高耐圧化を図
り得る半導体装置の製造方法を提供すること。 【構成】 一定の幅内に隣接するメサ溝１６ａ，１６ｂ
間の凸状の中間部１７がＮ型半導体基板１の表面よりも
低くなるようにエッチングにより形成するようにする。
これにより各メサ溝１６ａ，１６ｂの底部の曲率半径は
従来のダブルモート構造のものに比較して大きくとるこ
とができ、耐圧を高くすることができる。また、Ｎ型半
導体基板１の表面側からダイシングするので、ガラスパ
ッシベーション部７のガラス内部にクラックが入らない
ので、ガラスパッシベートの信頼性が向上する。
り得る半導体装置の製造方法を提供すること。 【構成】 一定の幅内に隣接するメサ溝１６ａ，１６ｂ
間の凸状の中間部１７がＮ型半導体基板１の表面よりも
低くなるようにエッチングにより形成するようにする。
これにより各メサ溝１６ａ，１６ｂの底部の曲率半径は
従来のダブルモート構造のものに比較して大きくとるこ
とができ、耐圧を高くすることができる。また、Ｎ型半
導体基板１の表面側からダイシングするので、ガラスパ
ッシベーション部７のガラス内部にクラックが入らない
ので、ガラスパッシベートの信頼性が向上する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体装置の製造方法
に関し、特に、ＰＮ接合部が形成された半導体基板モー
ト部と称されるメサ溝を設け、ガラスパッシベート後に
隣接するモート部間から分割して半導体チップを製造す
る方法に関するものである。
に関し、特に、ＰＮ接合部が形成された半導体基板モー
ト部と称されるメサ溝を設け、ガラスパッシベート後に
隣接するモート部間から分割して半導体チップを製造す
る方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】ＰＮ接合部を形成した半導体基板を個々
に分割して半導体チップを得る製造方法の１つとして従
来より１つのメサ溝を有するシングルモート構造を備え
た分割方法がある。この分割方法を図７乃至図１０を参
照して説明する。まず、図７の工程では、Ｎ型半導体基
板１の両主面に、それぞれＰ↑＋層２およびＮ↑＋層３
を形成する。次に、図８の工程では、上記半導体基板１
の両面に、それぞれＳｉＯ↓２膜４を形成し、周知のフ
ォトリソグラフィ技術により所定の位置に窓明け部５を
形成する。
に分割して半導体チップを得る製造方法の１つとして従
来より１つのメサ溝を有するシングルモート構造を備え
た分割方法がある。この分割方法を図７乃至図１０を参
照して説明する。まず、図７の工程では、Ｎ型半導体基
板１の両主面に、それぞれＰ↑＋層２およびＮ↑＋層３
を形成する。次に、図８の工程では、上記半導体基板１
の両面に、それぞれＳｉＯ↓２膜４を形成し、周知のフ
ォトリソグラフィ技術により所定の位置に窓明け部５を
形成する。
【０００３】次に、図９の工程では、例えばＨＦ、ＨＮ
Ｏ↓３系の化学腐蝕液に浸漬し、一方の主面側にメサ溝
６を形成する。次に、図１０の工程では、半導体基板１
の両主面のＳｉＯ↓２膜４を除去した後、一方の主面側
のメサ溝６内およびその口縁部周縁にガラスを塗布して
焼成し、ガラスパッシベーション部７を形成する。ま
た、上記ガラスパッシベーション部７および当該パッシ
ベーション部７に対応する他方の主面側の露出部８を除
き、電極金属９を付着される。以上の工程を経ることに
よりシングルモート構造を備えた半導体基板１が得られ
る。次に、上記の半導体基板１を個々のシングルモート
部の中間部から分割する。この場合に、ダイサー、スク
ライブ、レザー等を用いて図１０の矢印１０の方向から
分割して個々の半導体チップとなす。
Ｏ↓３系の化学腐蝕液に浸漬し、一方の主面側にメサ溝
６を形成する。次に、図１０の工程では、半導体基板１
の両主面のＳｉＯ↓２膜４を除去した後、一方の主面側
のメサ溝６内およびその口縁部周縁にガラスを塗布して
焼成し、ガラスパッシベーション部７を形成する。ま
た、上記ガラスパッシベーション部７および当該パッシ
ベーション部７に対応する他方の主面側の露出部８を除
き、電極金属９を付着される。以上の工程を経ることに
よりシングルモート構造を備えた半導体基板１が得られ
る。次に、上記の半導体基板１を個々のシングルモート
部の中間部から分割する。この場合に、ダイサー、スク
ライブ、レザー等を用いて図１０の矢印１０の方向から
分割して個々の半導体チップとなす。
【０００４】次に、ダブルモート構造を備えた半導体基
板を個々の半導体チップに分割する方法について、図１
１乃至図１４を参照して説明する。図１１の工程では、
図７と同様にＮ型半導体基板１の両主面にそれぞれＰ↑
＋層２およびＮ↑＋層３を形成する。次に、図１２の工
程では、上記半導体基板１の両面にそれぞれＳｉＯ↓２
膜４を形成し、周知のフォトリソグラフィ技術により２
箇所に窓明け部５ａ，５ｂを形成する。
板を個々の半導体チップに分割する方法について、図１
１乃至図１４を参照して説明する。図１１の工程では、
図７と同様にＮ型半導体基板１の両主面にそれぞれＰ↑
＋層２およびＮ↑＋層３を形成する。次に、図１２の工
程では、上記半導体基板１の両面にそれぞれＳｉＯ↓２
膜４を形成し、周知のフォトリソグラフィ技術により２
箇所に窓明け部５ａ，５ｂを形成する。
【０００５】次に、図１３の工程では、図９の工程と同
様に、例えばＨＦ、ＨＮＯ↓３系の化学腐蝕液に浸漬
し、一方の主面側に２つのメサ溝６を形成する。次に、
図１４の工程では、図１０の工程と同様に、Ｎ型半導体
基板１の両主面のＳｉＯ↓２膜４を除去した後、一方の
主面側の２つのメサ溝６ａ，６ｂ内およびその口縁部周
縁にガラスを塗布して焼成し、ガラスパッシベーション
部７ａ，７ｂを形成する。また、上記ガラスパッシベー
ション部７ａ，７ｂを除き、一方の主面側及び他方の主
面側表面に電極金属９を付着させる。以上の工程を経る
ことによりダブルモート構造を備えた半導体基板が得ら
れる。次に、上記の半導体基板をダブルモート部の中間
部から分割する。すなわち、ダイサー、スクライブ、レ
ザー等を用い、矢印１１の方向から分割して個々の半導
体チップとなす。
様に、例えばＨＦ、ＨＮＯ↓３系の化学腐蝕液に浸漬
し、一方の主面側に２つのメサ溝６を形成する。次に、
図１４の工程では、図１０の工程と同様に、Ｎ型半導体
基板１の両主面のＳｉＯ↓２膜４を除去した後、一方の
主面側の２つのメサ溝６ａ，６ｂ内およびその口縁部周
縁にガラスを塗布して焼成し、ガラスパッシベーション
部７ａ，７ｂを形成する。また、上記ガラスパッシベー
ション部７ａ，７ｂを除き、一方の主面側及び他方の主
面側表面に電極金属９を付着させる。以上の工程を経る
ことによりダブルモート構造を備えた半導体基板が得ら
れる。次に、上記の半導体基板をダブルモート部の中間
部から分割する。すなわち、ダイサー、スクライブ、レ
ザー等を用い、矢印１１の方向から分割して個々の半導
体チップとなす。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】従来のシングルモート
構造を備えた半導体基板の分割方法は、当該半導体基板
の裏面側からハーフカットし、ガラスパッシベーション
部７からブレーキングするので、ガラス内部にクラック
が入り、パッシベートとしての信頼性に欠けるところが
あるという解決すべき課題があった。また、従来のダブ
ルモート構造を備えた半導体基板の分割方法は、該基板
の有効利用を図る見地から一定の寸法幅内に２つのモー
トを設けなければならない。かかる場合には１つのモー
トを有するシングルモート構造に比較してモート底部の
曲率半径が小さくなり、耐圧が低くなるという解決すべ
き課題があった。
構造を備えた半導体基板の分割方法は、当該半導体基板
の裏面側からハーフカットし、ガラスパッシベーション
部７からブレーキングするので、ガラス内部にクラック
が入り、パッシベートとしての信頼性に欠けるところが
あるという解決すべき課題があった。また、従来のダブ
ルモート構造を備えた半導体基板の分割方法は、該基板
の有効利用を図る見地から一定の寸法幅内に２つのモー
トを設けなければならない。かかる場合には１つのモー
トを有するシングルモート構造に比較してモート底部の
曲率半径が小さくなり、耐圧が低くなるという解決すべ
き課題があった。
【０００７】
【発明の目的】本発明は、上記のような各課題を解決す
るためになされたもので、パッシベートの信頼性の向上
と高耐圧化をともに図り得る半導体装置の製造方法を提
供することを目的とするものである。
るためになされたもので、パッシベートの信頼性の向上
と高耐圧化をともに図り得る半導体装置の製造方法を提
供することを目的とするものである。
【０００８】
【問題点を解決するための手段】本発明の半導体装置の
製造方法は、ＰＮ接合部を有する半導体基板にダブルモ
ート部を形成し、該モート部にガラスを塗布焼成し、隣
接するモート部間から該半導体基板を分割する工程を含
む半導体装置の製造方法において、隣接するモート部間
の凸部が前記半導体基板の表面よりも低くなるようにエ
ッチングによって形成する工程と、該モート部内全体に
ガラスを塗布焼成した後に、上記の隣接するモート部間
の凸部上面のガラスを除去する工程と、該凸部から半導
体基板を分割する工程とを含むことを特徴とするもので
ある。
製造方法は、ＰＮ接合部を有する半導体基板にダブルモ
ート部を形成し、該モート部にガラスを塗布焼成し、隣
接するモート部間から該半導体基板を分割する工程を含
む半導体装置の製造方法において、隣接するモート部間
の凸部が前記半導体基板の表面よりも低くなるようにエ
ッチングによって形成する工程と、該モート部内全体に
ガラスを塗布焼成した後に、上記の隣接するモート部間
の凸部上面のガラスを除去する工程と、該凸部から半導
体基板を分割する工程とを含むことを特徴とするもので
ある。
【０００９】
【作用】本発明の半導体装置の製造方法においては、ガ
ラスパッシベートされていない半導体基板の表面側から
ダイシングする。これによりガラスパッシベーション部
のガラス内部にクラックが入らない利点を有し、ガラス
パッシベートの信頼性が向上する。一定の幅内に隣接す
るモート部間の凸部が半導体基板の表面よりも低くなる
ようにエッチングにより形成するようにしたので、これ
により各モート部の底部の曲率半径は従来のダブルモー
ト構造のものに比較して大きくとることができ、耐圧を
高くすることができる。
ラスパッシベートされていない半導体基板の表面側から
ダイシングする。これによりガラスパッシベーション部
のガラス内部にクラックが入らない利点を有し、ガラス
パッシベートの信頼性が向上する。一定の幅内に隣接す
るモート部間の凸部が半導体基板の表面よりも低くなる
ようにエッチングにより形成するようにしたので、これ
により各モート部の底部の曲率半径は従来のダブルモー
ト構造のものに比較して大きくとることができ、耐圧を
高くすることができる。
【００１０】
【実施例】本発明の実施例を図１乃至図５を参照して説
明する。まず、図１の工程では、従来と同様に、Ｎ型半
導体基板１の両主面にＰ↑＋層２及びＮ↑＋層３をそれ
ぞれ拡散により形成する。次に、図２の工程では、上記
Ｎ型半導体基板１の両主面にＳｉＯ↓２膜４を形成した
後、Ｐ↑＋層２の上面のＳｉＯ↓２膜４を公知のフォト
リソグラフィ技術を用いて部分的に除去して２つの窓明
け部５ａ，５ｂを形成する。
明する。まず、図１の工程では、従来と同様に、Ｎ型半
導体基板１の両主面にＰ↑＋層２及びＮ↑＋層３をそれ
ぞれ拡散により形成する。次に、図２の工程では、上記
Ｎ型半導体基板１の両主面にＳｉＯ↓２膜４を形成した
後、Ｐ↑＋層２の上面のＳｉＯ↓２膜４を公知のフォト
リソグラフィ技術を用いて部分的に除去して２つの窓明
け部５ａ，５ｂを形成する。
【００１１】次に、図３の工程はエッチング処理の途中
工程であるが、例えばＨＦ、ＨＮＯ↓３系の化学腐蝕液
に浸漬し、エッチング処理を行ない、一方の主面側に２
つのメサ溝１６ａ，１６ｂを形成する。かかる場合に、
本発明では図４に示すように、両方のメサ溝１６ａ，１
６ｂが連続し、その連続した中央部１７が上表面２Ａよ
り低くなったところで、エッチング処理を終了させるこ
とが重要である。
工程であるが、例えばＨＦ、ＨＮＯ↓３系の化学腐蝕液
に浸漬し、エッチング処理を行ない、一方の主面側に２
つのメサ溝１６ａ，１６ｂを形成する。かかる場合に、
本発明では図４に示すように、両方のメサ溝１６ａ，１
６ｂが連続し、その連続した中央部１７が上表面２Ａよ
り低くなったところで、エッチング処理を終了させるこ
とが重要である。
【００１２】次いで、図５の工程では、両方のメサ溝１
６ａ，１６ｂにガラスを塗布した後、焼成し、ガラスパ
ッシベーション部７を形成する。その後、メサ溝１６
ａ，１６ｂ以外のＰ↑＋層２の上面及び中央部１７の頂
上部分のガラスをエッチング除去する。次に、上記Ｎ型
半導体基板１の両主面の所定の部分に電極金属９を形成
し、図示のような半導体基板１を完成する。
６ａ，１６ｂにガラスを塗布した後、焼成し、ガラスパ
ッシベーション部７を形成する。その後、メサ溝１６
ａ，１６ｂ以外のＰ↑＋層２の上面及び中央部１７の頂
上部分のガラスをエッチング除去する。次に、上記Ｎ型
半導体基板１の両主面の所定の部分に電極金属９を形成
し、図示のような半導体基板１を完成する。
【００１３】上記のようにして製作された半導体基板１
は、隣接するメサ溝１６ａ，１６ｂの中央部１７で、矢
印１１方向からダイシングすることができるため、ガラ
スパッシベーション部７のガラス内部にクラックが入る
ことがなく、信頼性が向上する。また、中央部１７の頂
上部分の高さをＰ↑＋層２の上面２Ａより低くなるよう
にしたので、各メサ溝１６ａ，１６ｂの底部の曲率半径
を相対的に大きくとることができる。このため、従来の
ダブルモート構造のものに比較して耐圧を高くすること
ができる。
は、隣接するメサ溝１６ａ，１６ｂの中央部１７で、矢
印１１方向からダイシングすることができるため、ガラ
スパッシベーション部７のガラス内部にクラックが入る
ことがなく、信頼性が向上する。また、中央部１７の頂
上部分の高さをＰ↑＋層２の上面２Ａより低くなるよう
にしたので、各メサ溝１６ａ，１６ｂの底部の曲率半径
を相対的に大きくとることができる。このため、従来の
ダブルモート構造のものに比較して耐圧を高くすること
ができる。
【００１４】次に、図６に従来のシングルモート構造及
びダブルモート構造と本発明の構造を比較して図示す
る。図において、（Ａ）は従来のダブルモート構造、
（Ｂ）は従来のシングルモート構造、（Ｃ）は本発明の
構造を示している。また、、モート部を形成する部分の
幅をそれぞれＷ１，Ｗ２，Ｗ３とすると、Ｗ１＝Ｗ３＞
Ｗ２の関係となる。この場合に、（Ａ）のダブルモート
構造における耐圧をＶＲ１、（Ｂ）のシングルモート構
造における耐圧をＶＲ２、（Ｃ）の本発明の構造におけ
る耐圧をＶＲ３とすると、モート底部の曲率半径からＶ
Ｒ２＝ＶＲ３＞ＶＲ１の関係となり、本発明の構造は、
従来のダブルモート構造よりも耐圧が高くなる。
びダブルモート構造と本発明の構造を比較して図示す
る。図において、（Ａ）は従来のダブルモート構造、
（Ｂ）は従来のシングルモート構造、（Ｃ）は本発明の
構造を示している。また、、モート部を形成する部分の
幅をそれぞれＷ１，Ｗ２，Ｗ３とすると、Ｗ１＝Ｗ３＞
Ｗ２の関係となる。この場合に、（Ａ）のダブルモート
構造における耐圧をＶＲ１、（Ｂ）のシングルモート構
造における耐圧をＶＲ２、（Ｃ）の本発明の構造におけ
る耐圧をＶＲ３とすると、モート底部の曲率半径からＶ
Ｒ２＝ＶＲ３＞ＶＲ１の関係となり、本発明の構造は、
従来のダブルモート構造よりも耐圧が高くなる。
【００１５】
【発明の効果】以上のように、本発明は隣接するモート
部間の凸部が、半導体基板の表面よりも低くなるように
エッチングにより形成し、該モート部内全体にガラスを
塗布焼成した後に、上記の隣接するモート部間の凸部上
面のガラスを除去し、該凸部から半導体基板を分割する
ようにしたので、ガラスパッシベーション部のガラス内
部にクラックが入るのを防止することができ、ガラスパ
ッシベーションの信頼性が向上する。また、メサ溝底部
の曲率半径を大きくとることができるため、従来のダブ
ルモート構造に比較して相対的に耐圧を高くすることが
できる。さらに、半導体基板の裏面側からダイシングす
るシングルモート構造に比較して本発明の構造における
ダイシング工程では、その工数が約６０％で済み、製造
原価の低減を図ることができるなどの優れた効果があ
る。
部間の凸部が、半導体基板の表面よりも低くなるように
エッチングにより形成し、該モート部内全体にガラスを
塗布焼成した後に、上記の隣接するモート部間の凸部上
面のガラスを除去し、該凸部から半導体基板を分割する
ようにしたので、ガラスパッシベーション部のガラス内
部にクラックが入るのを防止することができ、ガラスパ
ッシベーションの信頼性が向上する。また、メサ溝底部
の曲率半径を大きくとることができるため、従来のダブ
ルモート構造に比較して相対的に耐圧を高くすることが
できる。さらに、半導体基板の裏面側からダイシングす
るシングルモート構造に比較して本発明の構造における
ダイシング工程では、その工数が約６０％で済み、製造
原価の低減を図ることができるなどの優れた効果があ
る。
【図１】本発明の半導体装置の製造方法における第１工
程を示す説明図である。
程を示す説明図である。
【図２】本発明の半導体装置の製造方法における第２工
程を示す説明図である。
程を示す説明図である。
【図３】本発明の半導体装置の製造方法における第３工
程を示す説明図である。
程を示す説明図である。
【図４】本発明の半導体装置の製造方法における第４工
程を示す説明図である。
程を示す説明図である。
【図５】本発明の半導体装置の製造方法における第５工
程を示す説明図である。
程を示す説明図である。
【図６】本発明の製造方法による構造と従来のシングル
モート構造及びダブルモート構造とを比較した説明図で
ある。
モート構造及びダブルモート構造とを比較した説明図で
ある。
【図７】従来のシングルモート構造の製造方法における
第１工程を示す説明図である。
第１工程を示す説明図である。
【図８】従来のシングルモート構造の製造方法における
第２工程を示す説明図である。
第２工程を示す説明図である。
【図９】従来のシングルモート構造の製造方法における
第３工程を示す説明図である。
第３工程を示す説明図である。
【図１０】従来のシングルモート構造の製造方法におけ
る第４工程を示す説明図である。
る第４工程を示す説明図である。
【図１１】従来のダブルモート構造の製造方法における
第１工程を示す説明図である。
第１工程を示す説明図である。
【図１２】従来のダブルモート構造の製造方法における
第２工程を示す説明図である。
第２工程を示す説明図である。
【図１３】従来のダブルモート構造の製造方法における
第３工程を示す説明図である。
第３工程を示す説明図である。
【図１４】従来のダブルモート構造の製造方法における
第４工程を示す説明図である。
第４工程を示す説明図である。
１ Ｎ型半導体基板 ２ Ｐ↑＋層 ３ Ｎ↑＋層 ４ ＳｉＯ↓２膜 ５ 窓明け部 ６ メサ溝 ７ ガラスパッシベーション部 ８ 露出部 ９ 電極金属 １６ａ，１６ｂ メサ溝 １７ 中央部
Claims (1)
- 【請求項１】 ＰＮ接合部を有する半導体基板にダブル
モート部を形成し、該モート部にガラスを塗布焼成し、
隣接するモート部間から該半導体基板を分割する工程を
含む半導体装置の製造方法において、 隣接するモート部間の凸部が前記半導体基板の表面より
も低くなるようにエッチングによって形成する工程と、 該モート部内全体にガラスを塗布焼成した後に、上記の
隣接するモート部間の凸部上面のガラスを除去する工程
と、 該凸部から半導体基板を分割する工程と、 を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2596994A JPH07221049A (ja) | 1994-01-31 | 1994-01-31 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2596994A JPH07221049A (ja) | 1994-01-31 | 1994-01-31 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07221049A true JPH07221049A (ja) | 1995-08-18 |
Family
ID=12180568
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2596994A Pending JPH07221049A (ja) | 1994-01-31 | 1994-01-31 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07221049A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2013011548A1 (ja) * | 2011-07-15 | 2013-01-24 | 富士電機株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
| CN104952742A (zh) * | 2015-05-08 | 2015-09-30 | 天津中环半导体股份有限公司 | 一种控制gpp芯片玻璃沿高度的制作工艺 |
-
1994
- 1994-01-31 JP JP2596994A patent/JPH07221049A/ja active Pending
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2013011548A1 (ja) * | 2011-07-15 | 2013-01-24 | 富士電機株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
| CN103688346A (zh) * | 2011-07-15 | 2014-03-26 | 富士电机株式会社 | 用于制造半导体器件的方法 |
| JPWO2013011548A1 (ja) * | 2011-07-15 | 2015-02-23 | 富士電機株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
| US9240456B2 (en) | 2011-07-15 | 2016-01-19 | Fuji Electric Co., Ltd. | Method for manufacturing semiconductor device |
| CN103688346B (zh) * | 2011-07-15 | 2016-12-28 | 富士电机株式会社 | 用于制造半导体器件的方法 |
| CN104952742A (zh) * | 2015-05-08 | 2015-09-30 | 天津中环半导体股份有限公司 | 一种控制gpp芯片玻璃沿高度的制作工艺 |
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