JPH07219860A - メモリ書換え制御方法と制御装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【構成】 ランダムアクセスメモリから不揮発性メモリ
に対しプログラムやデータの転送を行う途中で、電源断
による障害等が発生すると、転送中のデータに障害が発
生する。フラッシュメモリは電源が切れても、その障害
があるデータをそのまま保持する。従って、フラッシュ
メモリリセット処理後最初にアクセスされるアドレスに
修復動作用のプログラムを格納し、障害部分の修復動作
を実行させる。修復動作用のプログラムは、外部装置か
らランダムアクセスメモリへ必要なデータを受け入れ、
これを不揮発性メモリの一定の領域に改めて書き込む。 【効果】 誤って、障害のある不揮発性メモリ中のデー
タを含むプログラムを動作させて暴走するのを防止でき
る。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、適当なタイミングで不
揮発性メモリの内容を書き換えて一定の処理を行うもの
において、その書換え動作の際に発生した障害の修復を
自動的に行う情報処理装置のメモリ書換え制御方法と制
御装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】不揮発性の半導体メモリは、装置の電源
を遮断しても、その内容はランダムアクセスメモリのよ
うに消滅することがないため、特に装置の立上げ後、高
速処理を必要とするようなプログラムを格納し保持して
おくことに利用される。不揮発性の半導体メモリには、
リード・オンリ・メモリのほか、書き換え可能なＥＥＰ
ＲＯＭ、フラッシュメモリ等がある。書き換え可能な半
導体メモリは、比較的頻繁なバージョンアップ等が行わ
れるようなプログラムを格納するために利用される。

【０００３】従って、装置のバージョンアップの際に、
新たなプログラムやデータを不揮発性メモリに格納して
動作を開始しようとする場合、所定の転送動作用プログ
ラムが実行される。例えば、そのような転送動作用のプ
ログラムをフラッシュメモリの一定の領域に格納してお
き、これを動作させることによって外部装置から一旦別
のランダムアクセスメモリへ転送用のデータを受け入れ
る。そして、その次に、ランダムアクセスメモリからフ
ラッシュメモリの適当な領域に該当するデータやプログ
ラムを書き込む。従来、このような手順でプログラム制
御用の不揮発性メモリが制御され管理されていた。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】ところで、上記のよう
な従来の制御方法や制御装置では次のような解決すべき
課題があった。フラッシュメモリを書き換えるためのプ
ログラム実行中に、例えば停電や電源電圧が急激に低下
するような障害が発生した場合、転送用のデータを格納
していたランダムアクセスメモリの内容が消え、フラッ
シュメモリへ転送中のデータは破壊される。

【０００５】従って、そのような障害発生後、不揮発性
メモリに格納されたプログラムを実行すると、障害発生
部分でプログラムが暴走する。また、不揮発性メモリの
内容を書き換えるためのプログラムが不揮発性メモリの
一部に格納されてそのまま実行されると、不揮発性メモ
リへのデータ等の転送動作中に障害を生じたとき、この
転送制御用のプログラムも破壊してしまう場合がある。
この場合には、転送制御中にプログラムが暴走するおそ
れもある。

【０００６】従って、ランダムアクセスメモリからフラ
ッシュメモリへのデータ転送動作中に障害が発生した場
合、その障害が発生した部分を速やかに確実に修復する
制御が必要となる。また、転送動作用のプログラムの破
壊を防止することも動作の信頼性につながる。更に、修
復動作は短時間に速やかに行われることが好ましい。

【０００７】

【課題を解決するための手段】本発明は以上の点を解決
するため、次の構成を採用する。一時記憶用のランダム
アクセスメモリに格納したデータをプログラム制御用の
不揮発性メモリに書き込む転送動作中に障害が発生して
転送動作が中断したとき、リセット処理後最初にアクセ
スされる不揮発性メモリの所定の領域に修復動作のため
のプログラムを格納しておく。

【０００８】このプログラムは障害発生後リセット処理
をした後、動作を開始し、まず、不揮発性メモリに書き
込まれたデータの検証を行う。全てのデータに障害がな
ければ良いが、障害のある領域が存在すると判断された
場合、修復動作を実行する。この動作は、外部回路から
ランダムアクセスメモリに該当するデータを受け入れる
処理と、そのデータをランダムアクセスメモリから不揮
発性メモリの障害のある領域に書き込む動作によって進
められる。

【０００９】

【作用】ランダムアクセスメモリから不揮発性メモリに
対しプログラムやデータの転送を行う途中で電源断によ
る障害等が発生すると、転送中のデータ等に障害が発生
する。フラッシュメモリは電源が切れても、その障害が
あるデータやプログラムを保持する。従って、リセット
処理後最初にアクセスされるアドレスに修復動作用のプ
ログラムを格納し、まずその障害部分の修復動作を実行
させる。これにより、誤って障害のある不揮発性メモリ
中のプログラムを動作させ、暴走するのを防止できる。
修復の場合、外部装置からランダムアクセスメモリへ一
旦必要なデータを受け入れ、これを不揮発性メモリの一
定の領域に書き込む。

【００１０】

【実施例】以下、本発明を図の実施例を用いて詳細に説
明する。 ［実施例１］図１は、本発明の第１の実施例の方法を示
す説明図である。図は、本発明の方法を実施するための
メモリマップを示したものである。本発明の方法では、
図に示すように、ランダムアクセスメモリ（ＲＡＭ）の
記憶領域を対象としたＲＡＭエリア１と、不揮発性メモ
リとして例えばフラッシュメモリを使用した場合の記憶
領域を示すフラッシュメモリエリア２をこの図に示すよ
うにマッピングする。

【００１１】最終的にフラッシュメモリエリア２の所定
の領域２−１に書き込まれるべきデータは、予め外部装
置３から転送され、ＲＡＭエリア１の転送用のデータを
格納すべき領域１−１に格納される。そして、これがフ
ラッシュメモリエリア２の領域２−２に格納された転送
動作用のプログラムに従って、所定の領域２−１に転送
される。ここで、このような転送動作中に障害が発生し
て転送動作が中断したとする。なお、この障害には、具
体的には電源が停電したり、あるいは急激な電圧の低下
によって装置の動作が不能となった場合等が挙げられ
る。この場合に、装置の保守管理担当者は、装置自体に
何らかの異常がないかを点検した後、電源の再投入を行
う。このとき、まず、一定のＣＰＵリセット処理が実行
される。ＣＰＵリセット処理では装置内部のメモリや装
置に接続された入出力装置の動作チェック等が行われ
る。

【００１２】このようなリセット処理後に最初にアクセ
スされるアドレスを図に示すフラッシュメモリエリア２
の領域２−３にセットしておく。ここには修復動作用の
プログラムを格納しておくものとする。この修復動作用
のプログラムは、図に示すように、まずフラッシュメモ
リエリア２に格納されたデータに障害が発生しているか
どうかの検証を行う。この処理は書き込まれたデータの
正誤判断のためのチェックビットを一つ一つ確認する処
理でも良いし、ＲＡＭエリア１の転送用のデータとフラ
ッシュメモリエリア２の所定の領域２−１のデータを比
較してもよい。また図示しない障害ログ用の領域に書き
込まれた障害情報を参照するようにしても良い。この障
害情報は、例えばフラッシュメモリエリア２の所定の領
域２−１にデータを転送中に障害を発生したから、この
領域２−１に書き込まれているデータが障害を有してい
る、といった内容となる。

【００１３】このようなデータの検証の結果、一定の領
域に障害部分があると判断されると、まず修復動作用の
プログラムが外部装置３に対しデータの要求を行う。こ
れによって、外部装置３はＲＡＭエリア１の所定の領域
１−１に転送用のデータを送り込む。ランダムアクセス
メモリは電源がオフになると、そこに格納されたデータ
を失ってしまう。従って、電源を再投入し、電源が遮断
される直前まで行っていたデータの転送作業を再開しよ
うとすれば、同一のデータを改めて外部装置３から受け
入れる必要が生じる。これはそのための処理である。

【００１４】こうして転送用のデータが領域１−１に書
き込まれると、その後、修復動作用のプログラムは転送
用のデータをフラッシュメモリエリア２の所定の領域２
−１に転送するよう転送動作を開始する。これによって
フラッシュメモリエリア２の障害の発生したデータが修
復され、その後は通常の動作に移行する。

【００１５】上記のような方法を実施するために、例え
ば図２に示すような回路が使用される。図２は、本発明
の実施に適するハードウェアを説明するための回路ブロ
ック図である。この回路は、プロセッサ（ＣＰＵ）５に
対しバスライン６を介して上記のようなランダムアクセ
スメモリ（ＲＡＭ）７とフラッシュメモリ８とを接続し
たものである。なお、この回路にはアドレスラッチ用の
レジスタ９と、外部装置との間の通信制御用の通信制御
部１１が設けられている。この通信制御部１１は外部装
置３に対し通信回線１２を介して接続されている。

【００１６】また、プロセッサ５のアドレスラッチイネ
ーブル端子（ＡＬＥ）はアドレスラッチ用のレジスタ９
のイネーブル端子ＥＮに接続されている。プロセッサ５
のチップセレクト端子ＣＳ１はランダムアクセスメモリ
７の制御のために、そのチップセレクト端子ＣＳに接続
されている。また、プロセッサ５のチップセレクト端子
ＣＳ２はフラッシュメモリ８のチップセレクト端子ＣＳ
に接続されている。更に、プロセッサ５の読み出しイネ
ーブル信号出力端子ＲＤはランダムアクセスメモリ７と
フラッシュメモリ８の読み出し制御端子ＲＤに接続さ
れ、プロセッサ５の書き込みイネーブル信号出力端子Ｗ
Ｒはランダムアクセスメモリ７とフラッシュメモリ８の
書き込み制御端子ＷＲに接続されている。

【００１７】プロセッサ５の周辺回路用チップセレクト
端子ＰＣＳ１は通信制御部１１のチップセレクト端子Ｃ
Ｓに接続されている。この通信制御部１１の読み出し制
御端子ＲＤと書き込み制御端子ＷＲもランダムアクセス
メモリ７やフラッシュメモリ８と同様にプロセッサ５の
読み出しイネーブル信号出力端子ＲＤと書き込みイネー
ブル信号出力端子ＷＲとに接続されている。

【００１８】外部装置３からデータの転送を受ける場合
には、チップセレクト端子ＰＣＳ１から出力されるチッ
プセレクト信号が有効になり、通信制御部１１が動作
し、通信回線１２を介して外部装置３との間のデータ受
入れ処理を実行する。バスライン６を介して受け入れら
れたデータはランダムアクセスメモリ７に入力する。こ
のとき、プロセッサ５のチップセレクト端子ＣＳ１の出
力がランダムアクセスメモリ７を有効にする。プロセッ
サ５からバスライン６に出力されるアドレス信号は、ア
ドレスラッチイネーブル端子ＡＬＥから出力される信号
によってレジスタ９に保持され、ランダムアクセスメモ
リ７の書き込み制御端子ＷＲが有効となって、そのアド
レスへのデータ書き込みが行われる。

【００１９】以上の動作を繰り返して必要なデータがラ
ンダムアクセスメモリ７に書き込まれると、今度はラン
ダムアクセスメモリ７からデータを読み出し、これをフ
ラッシュメモリ８に書き込む動作が実行される。この場
合には、ランダムアクセスメモリ７と共にフラッシュメ
モリ８のチップセレクト端子ＣＳの信号が有効になり、
またフラッシュメモリ８の書き込み制御端子ＷＲが有効
になる。

【００２０】なお、図１に示すようなフラッシュメモリ
エリア２へのデータの書き込みと消去はフラッシュメモ
リエリア２をいくつかに分割した適当なブロック単位で
行われる。従って、フラッシュメモリ８の該当するブロ
ックのデータ消去処理とランダムアクセスメモリ７から
転送されたデータの書き込み処理とが交互に行われ、全
ての必要な動作の転送が終了すると転送動作用プログラ
ムが終了する。

【００２１】図３に、障害を生じたブロックの修復動作
用プログラムを説明するためのフローチャートを示す。
ランダムアクセスメモリ７からフラッシュメモリ８への
データの転送中に障害が発生し電源が遮断されると、Ｃ
ＰＵリセット処理が実行される。まず、図３のステップ
Ｓ１では、先に説明したように、フラッシュメモリ８の
内部のデータ検証が行われる。ここで、データが破壊さ
れていないと判断された場合には修復動作は行われず、
ステップＳ６に移り、通常の動作プログラムがそのまま
実行される。

【００２２】一方、データの破壊が発見されるとステッ
プＳ２に移り、その破壊されたデータが格納されたブロ
ックを特定する。そして、ステップＳ３において、その
ブロックのデータを外部装置３からランダムアクセスメ
モリ７に転送するよう要求する。こうしてランダムアク
セスメモリ７に必要なデータが書き込まれると、ステッ
プＳ４において、フラッシュメモリの該当するブロック
のデータを消去する。なお、この処理はフラッシュメモ
リの性質上設けられたもので、フラッシュメモリ以外の
記憶素子を使用して、ランダムアクセスメモリからのデ
ータ転送によって該当するブロックのデータが完全に消
去される場合には、このような消去処理を設ける必要は
ない。

【００２３】次に、ステップＳ５において、ランダムア
クセスメモリ７のデータをフラッシュメモリ８へ書き込
む。これによって、障害の発生した部分のデータが修復
され、その後はステップＳ６に移り、通常のプログラム
実行が可能となる。

【００２４】［実施例２］実施例１においては、図１に
示したように、転送動作用のプログラムをフラッシュメ
モリエリア２の中の一定の領域２−２に格納し、更に修
復動作用のプログラムもフラッシュメモリエリア２の中
の一定の領域２−３に格納した。しかしながら、先に説
明したように、フラッシュメモリエリア２の内部に書き
込まれたデータを書き換えるためのプログラムをこのフ
ラッシュメモリエリア２に設けておくと、誤ってこのプ
ログラムを破壊しプログラムが暴走してしまうおそれも
ある。

【００２５】そこで、この実施例では、例えば転送動作
用のプログラムを予めＲＡＭエリア１に設けた一定の領
域１−２に転送しておく。この領域１−２は転送用のデ
ータを格納した領域１−１とは別のところに設ける。従
って、転送動作はランダムアクセスメモリ７に格納され
た転送動作用のプログラムにより制御される。こうすれ
ばデータ転送中の転送動作用プログラムの破壊が予防さ
れる。同様の考え方から、修復動作用のプログラムをＲ
ＡＭエリア１に転送した上で、動作させることもでき
る。これは、後で説明する別の実施例によって具体的な
構成を説明する。

【００２６】［実施例３］実施例１の修復動作用プログ
ラムは、図１に示すように、始めにフラッシュメモリエ
リア２に格納されたデータの検証を行い、次に外部装置
３に対し修復用のデータの転送を要求する。これは電源
がオフされることによってＲＡＭエリア１に格納された
フラッシュメモリの修復のための転送用のデータが消滅
してしまうためである。逆にこのようなデータの消滅が
なければ、リセット処理後、修復動作用のプログラムは
データの検証が済めば直ちにランダムアクセスメモリ７
からフラッシュメモリ８へ該当するデータの転送を開始
することができる。

【００２７】実施例１、２ではランダムアクセスメモリ
は通常の使い方をしたが、実施例３では、この目的のた
めに、破線のようにランダムアクセスメモリをバッテリ
でバックアップする。即ち破線部分は実施例３のために
追加したものである。図４に、このようなＲＡＭのバッ
テリバックアップ例ブロック図を示す。この回路は、図
２に示した回路とほぼ同一の構成であって、ランダムア
クセスメモリ７にバックアップ用のバッテリ１３が接続
された部分が相違している。このような構成にした場
合、通信回線１２を通じて外部装置３からランダムアク
セスメモリ７に受け入れられたデータは電源をオフして
もそのまま保存される。従って、停電や電源電圧の低下
によって電源を一旦オフし、その後電源の再投入を行っ
てリセット処理後フラッシュメモリ８の修復を行う場
合、ランダムアクセスメモリ７に保存されたデータをそ
のまま利用することができる。

【００２８】図５に、このようなＲＡＭをバックアップ
したときの動作フローチャートを示す。まず、図３で説
明した処理と同様に、ＣＰＵのリセット後フラッシュメ
モリのデータ検証が行われる（ステップＳ１）。ここ
で、そのデータが破壊されていると判断された場合、ス
テップＳ２に移り、修復の対象となるブロックが特定さ
れる。そしてステップＳ３において、ランダムアクセス
メモリ７の中に破壊されたブロックに転送すべきデータ
が残っているかを判断する。ランダムアクセスメモリ７
からフラッシュメモリ８へのデータ転送中に障害が発生
し動作が中断した場合、特別何らかの手が加えられない
限りランダムアクセスメモリ７には丁度その破壊された
データが保存されている。従って、その場合、ステップ
Ｓ５に移り、該当するブロックについてフラッシュメモ
リ８の消去処理が行われ、ランダムアクセスメモリ７か
ら該当するデータをフラッシュメモリ８へ書き込む動作
が行われる（ステップＳ６）。

【００２９】なお、ランダムアクセスメモリ７の中に該
当するデータが保存されていない場合にはステップＳ４
に移り、図３で説明したと同様に外部装置３から該当す
るデータをランダムアクセスメモリ７に受け入れ、その
後データの修復が進められる。これ以外の動作は図３で
説明した実施例と同様である。上記のようなランダムア
クセスメモリに該当するデータが保存されているかどう
かの確認は、該当するデータ中に含まれる属性情報等を
用いて判断する。即ち、ランダムアクセスメモリ７に格
納されている転送用のデータにはフラッシュメモリのど
のブロックに書き込まれるべきデータであるかを識別す
る属性情報が格納されている。これを認識して上記の処
理を行えばよい。

【００３０】［実施例４］図６に、次の実施例の動作説
明図を示す。この実施例は修復動作用のプログラムをラ
ンダムアクセスメモリ７にコピーした場合の例を示す。
先に説明したように、障害発生前の転送動作を行うため
のプログラムもランダムアクセスメモリの側に格納され
ていれば、フラッシュメモリエリアへのデータ転送時に
そのプログラムを破壊するおそれが少ない。更に、先に
説明した修復動作用のプログラムも同様の目的でランダ
ムアクセスメモリ側に設けられ、これが実行される方が
安全性が高い。

【００３１】しかも、修復動作用のプログラムが破壊さ
れているような場合にリセット処理を行って、そのプロ
グラムを最初にアクセスするアドレスに配置し実行しよ
うとすると、暴走して装置を正常に立ち上げることがで
きない。そこで、この実施例では修復動作用のプログラ
ムを図に示すようにＲＡＭエリア１の所定の領域１−３
に格納し、リセット処理後に最初にアクセスされるアド
レスをこの領域の先頭に設定する。もちろん、この場合
にはＲＡＭエリア１のデータが装置の電源を遮断した後
も保存されていることが前提となり、図４に示したよう
なランダムアクセスメモリ７のバッテリ１３によるバッ
クアップが必要となる。

【００３２】［実施例５］図７に、次の実施例の装置ブ
ロック図を示す。このブロック図は実施例４で説明した
発明を実施するために、リセット処理後に最初にアクセ
スされるべきアドレスを、フラッシュメモリ８からラン
ダムアクセスメモリ７の側に切り換えるようにアドレス
信号供給先選択手段を設けたものである。プロセッサ５
の動作プログラムを変更せずに最初にアクセスすべきメ
モリをフラッシュメモリからランダムアクセスメモリに
変更するためである。

【００３３】この選択のための手段は、この実施例では
２個の手動切り換え方式のスイッチ１６，１７から構成
される。このスイッチ１６，１７は、いずれも１個の入
力端子と２個の出力端子を備え、入力端子といずれか一
方の出力端子の間をジャンパーピンの差替えによって接
続するよく知られた構成の切り換えスイッチである。例
えば、図に示すスイッチ１６はプロセッサ５のチップセ
レクト端子ＣＳ１とランダムアクセスメモリ７のチップ
セレクト端子ＣＳとを接続している。このスイッチを切
り換えると、プロセッサ５のチップセレクト端子ＣＳ１
をフラッシュメモリ８のチップセレクト端子ＣＳにつな
ぎ換えることができる。スイッチ１７も同様の構成とな
っている。

【００３４】なお、この回路には更に電源電圧監視回路
１５が設けられている。この電源電圧監視回路は、電源
電圧が異常に低下した場合にこれを検出し、割り込み信
号をプロセッサ５の割り込み入力端子ＮＭＩに送り込む
構成となっている。また、この回路にはその他に、ＬＥ
Ｄドライバ１８と一対のＬＥＤ（発光ダイオード）２
１，２２が接続されている。

【００３５】このＬＥＤドライバ１８はバスライン６に
接続されており、バスライン６を通じていずれかのＬＥ
Ｄ２１，２２を点灯する旨のデータを受け入れて格納す
るレジスタとしての機能を備えている。ＬＥＤドライバ
１８のチップセレクト端子ＣＳは、プロセッサ５のチッ
プセレクト信号出力端子ＰＣＳ２と接続され、ＬＥＤド
ライバ１８の書き込み制御端子ＷＲはプロセッサ５の書
き込みイネーブル信号出力端子ＷＲに接続されている。
また、このＬＥＤドライバ１８は一旦格納した信号を装
置の電源が遮断された後も保持できるように、バッテリ
２３によってバックアップされている。

【００３６】これによって、ＬＥＤドライバ１８に対し
いずれかのＬＥＤ２１や２２を点灯するためのデータが
バスライン６より供給され、同時にチップセレクト端子
ＣＳにチップセレクト信号が入力し、書き込み制御端子
ＷＲが有効になると、バスライン６から制御用の信号を
受け入れて保持する。その後は、内容が書き換えられる
までそのデータを保持し、いずれかのＬＥＤ２１，２２
を点灯させた状態となる。なお、この実施例において
は、ＬＥＤ２１は、リセット後に最初にアクセスされる
べきフラッシュメモリ８の所定のブロックがランダムア
クセスメモリ７からのデータ転送中に破壊されたことを
表示するために設けられている。また、ＬＥＤ２２は、
このような破壊されたフラッシュメモリ８中のデータが
修復動作によって修復された場合に点灯し、これを表示
するために設けられている。

【００３７】なお、この図７に示す装置は、通常動作の
際には、プロセッサ５のチップセレクト端子ＣＳ１をラ
ンダムアクセスメモリ７のチップセレクト端子ＣＳに接
続し、もう一方のチップセレクト端子ＣＳ２をフラッシ
ュメモリ８のチップセレクト端子ＣＳに接続しておく。
この状態でランダムアクセスメモリ７に外部装置３から
所定のデータが送り込まれ、これがフラッシュメモリ８
に転送されて書き込みが行われる。

【００３８】図８に、アドレスを切り換える場合のメモ
リマップ説明図を示す。図の（ａ）は装置の動作開始の
際の通常動作時のメモリマップを示す。また、（ｂ）は
図７に示したスイッチ１６，１７を切り換えた場合のア
ドレス切り換え時のメモリマップを示す。図８（ａ）に
示すように、記憶領域にはランダムアクセスメモリエリ
ア１とフラッシュメモリエリア２とがマッピングされて
いる。このフラッシュメモリエリア２は、例えば４個の
ブロックＢ１〜Ｂ４に区分されている。このブロック単
位でランダムアクセスメモリエリア１に格納されたデー
タが転送され、フラッシュメモリエリア２の書換えが行
われる。通常の設定では、装置の電源立上げやリセット
の際、例えばフラッシュメモリエリア２のブロックＢ４
からアクセスが開始され、この部分に書き込まれたプロ
グラムから動作を開始する。

【００３９】しかしながら、このブロックＢ４に書き込
まれたプログラムが破壊されているような場合、図７に
示したスイッチ１６，１７を切り換えて、図８（ｂ）に
示すように、見かけ上のアドレスマッピングを変更す
る。即ち、これまでフラッシュメモリエリア２がマッピ
ングされていた部分にランダムアクセスメモリエリア１
を移動させる。これによって、プロセッサ５はフラッシ
ュメモリエリア２のこれまで同様のブロックをリセット
後アクセスするように動作するが、実際にはスイッチの
切り換えによってランダムアクセスメモリエリア１の所
定のアドレスから起動される。従って、このランダムア
クセスメモリエリア１の所定の領域に該当するプログラ
ムを格納しておけば、装置は正常に動作する。

【００４０】図７に示す装置は具体的に次のように動作
する。図９は、上記のＬＥＤ２１，２２の動作説明フロ
ーチャートである。まず、このフローチャートを使って
ＬＥＤ２１の動作状態を説明する。始めに、この図のス
テップＳ１の直前で電源が遮断されたり電圧が低下する
ことによって、ランダムアクセスメモリ７からフラッシ
ュメモリ８へのデータ転送が中断し、一定のデータが破
壊されたものとする。この場合、これをプロセッサ５が
検出し、ＬＥＤドライバ１８を駆動してＬＥＤ２１を点
灯させる（ステップＳ１）。その後、リセット処理が行
われ（ステップＳ２）、先に説明した手順でステップＳ
３からステップＳ６の間にフラッシュメモリ中の破壊さ
れたデータの修復を行う。

【００４１】即ち、ステップＳ３において、ランダムア
クセスメモリ７の中に破壊されたブロックのデータが残
っているかどうかを判断し、残っていればステップＳ５
に直ちに移り、残っていなければステップＳ４におい
て、外部回路からランダムアクセスメモリへ必要なデー
タの転送を受ける。そして、ステップＳ５において、フ
ラッシュメモリの該当するブロックのデータを消去し、
ランダムアクセスメモリ７からフラッシュメモリ８へ修
復すべきデータの書き込みを行う（ステップＳ６）。

【００４２】このようにしてデータの修復が終了する
と、ステップＳ７において、ＬＥＤ２１が消灯される。
そして、修復終了の旨を示すＬＥＤ２２が点灯する。図
のステップＳ３からステップＳ７の間の処理は、図７に
示したスイッチ１６，１７を切り換えた状態で行う。即
ち、ステップＳ１のＬＥＤ２１の点灯は、通常の状態か
らスイッチを切り換えることをオペレータに指示するた
めの表示であって、ステップＳ７におけるＬＥＤ２２の
点灯は、切り換えられたスイッチを元に戻すようオペレ
ータに知らせるための表示である。従って、いずれの場
合においても、オペレータのスイッチ切換えと装置の電
源オンオフ作業を挟んで、破壊されたブロックの修復が
実行されることになる。

【００４３】図１０は、上記のような装置のオペレータ
によるアドレス信号供給先選択作業を含む全体の動作を
説明するフローチャートである。まず、ステップＳ１に
おいて、図７に示す電源電圧監視回路１５は電源電圧の
低下を検出すると、ＬＥＤ２１を点灯する。これに従っ
てオペレータは、ステップＳ２において電源をオフした
状態でスイッチ１６，１７のショートプラグの入れ換え
を行う。これによって、チップセレクト信号を入れ換
え、図８に示す（ａ）の状態から（ｂ）の状態にメモリ
マッピングを変更する。その後、ステップＳ２におい
て、装置の電源をオンする。これによって、ステップＳ
３でＣＰＵリセット処理が実行される。次に、ステップ
Ｓ４、Ｓ５、Ｓ６、Ｓ７によって、既に図９で説明した
通りのフラッシュメモリ中の該当するブロックのデータ
修復が行われる。

【００４４】このデータ修復が完了すると、ステップＳ
８においてＬＥＤ２１が消灯し、ＬＥＤ２２が点灯す
る。ステップＳ９ではオペレータが手動によって電源を
オフし、ショートプラグを通常の状態に戻す。そして、
電源をオンすると再びＣＰＵリセットが実行され（ステ
ップＳ１０）、その後は通常のプログラムの実行が開始
される（ステップＳ１１）。

【００４５】［実施例６］図１１には、上記のようなア
ドレス切換えを自動的に行う装置の実施例ブロック図を
示す。この図の場合、図７に示したスイッチ１６，１７
の代わりにリレー２５，２６を挿入する。このリレー２
５，２６は、それぞれスイッチ２５−１と２６−１を備
え、これらのスイッチはソレノイド２５−２または２６
−２によってオンオフされる。これらのリレー２５，２
６の役割はスイッチ１６，１７と全く同様である。な
お、このようなリレー２５，２６を電気的にオンオフ制
御するために、ラッチ付デコーダ２７が設けられてい
る。このラッチ付デコーダ２７は、バスライン６に接続
され、更にプロセッサ５のチップセレクト端子ＰＣＳ２
の出力をチップセレクト端子ＣＳに受け入れる構成とな
っている。

【００４６】ラッチ付デコーダ２７の出力はソレノイド
２５−２，２６−２を同時に励磁するよう動作し、その
励磁状態を維持するためにバスライン６から受け入れた
データを一時格納できる構成となっている。そして、電
源オフ後もこの一時格納したデータを失わないようにバ
ッテリ２８によってバックアップされている。即ち、プ
ロセッサ５がリレー２５，２６の切り換え信号をバスラ
イン６を通じてラッチ付デコーダ２７に送り、チップセ
レクト端子ＣＳに入力するチップセレクト信号を有効に
すれば、リレー２５，２６を切り換えるための信号がラ
ッチ付デコーダ２７に格納され、その状態は電源遮断後
も保持される。その後、再びプロセッサ５がリレー２
５，２６の接続を元に戻すように制御信号をバスライン
６に出力し、これをラッチ付デコーダ２７が受け入れる
と、リレー２５，２６が元の状態に復帰する。このリレ
ー２５，２６の切り換えタイミングは、図９を用いて説
明したものと同様となる。

【００４７】図１２に、上記のような装置のアドレス自
動切り換え動作を含む全体的な動作説明用フローチャー
トを示す。まず、ステップＳ１において、電源電圧監視
回路１５が電源電圧の低下を検出する。この検出結果は
プロセッサ５に割り込みにより通知される。プロセッサ
５は、このときラッチ付デコーダ２７に対するチップセ
レクト信号を有効にし、更にリレーの接続を切り換える
ためのデータをバスライン６に出力する。これによっ
て、ラッチ付デコーダ２７からリレー２５，２６を励磁
する信号が出力され、リレー２５，２６はスイッチ２５
−１，２６−１の接続を切り換える。これによって、図
８に示した（ａ）の通常時の状態から（ｂ）のアドレス
切り換え時の状態へメモリマッピングが変更される。

【００４８】その後、装置は電源が遮断され、フラッシ
ュメモリの破壊された部分を修復するための処理を進め
るべく再び電源の供給が再開される（ステップＳ３）。
これによって、ステップＳ４で装置のリセット処理が実
行され、ステップＳ５でランダムアクセスメモリ中に破
壊されたブロックのデータが残っているかどうかが判断
される。残っていればステップＳ７へ、残っていなけれ
ば外部データからランダムアクセスメモリへデータを受
け入れるステップＳ６に進む。ステップＳ７では該当す
るフラッシュメモリのブロックを消去し、ステップＳ８
においてランダムアクセスメモリからフラッシュメモリ
へデータを書き込む。これによって、フラッシュメモリ
の修復が終了する。この処理が終了すると、プロセッサ
５は再びラッチ付デコーダ２７を動作させてリレー２
５，２６を元の状態に復帰させる。これによって、チッ
プセレクト信号の接続状態が通常の状態に切り替わる
（ステップＳ９）。その後、ステップＳ１０において、
再びリセット処理が行われ、ステップＳ１１以降、通常
のプログラムの処理が開始される。

【００４９】以上のような処理によって、オペレータの
手を煩わせることなくアドレスマッピングを変更し、自
動的にフラッシュメモリの該当する箇所の修復が行われ
る。しかも、リセット処理後最初にアクセスされるブロ
ックは、データが正常に保持されているランダムアクセ
スメモリ側に設定されるため、フラッシュメモリ側の破
壊されたプログラムを最初にアクセスすることによって
生じる暴走を未然に防ぐことができる。

【００５０】本発明は以上の実施例に限定されない。上
記実施例においては、不揮発性メモリとしてフラッシュ
メモリを使用した例を示したが、フラッシュメモリ以外
に装置動作のためのプログラムやデータの転送を受け、
内容の書換えが行われる不揮発性の半導体メモリを広く
採用することができる。

【００５１】また、転送動作用のプログラムの格納位置
や修復動作用のプログラムの格納位置は、フラッシュメ
モリエリアの自由な位置に設定してよく、またＲＡＭエ
リアにコピーする場合も同様に、自由な位置に設定する
ことができる。更に、不揮発性メモリ側に書き込まれた
データの検証を行う動作は、装置の障害を監視するシス
テムに記憶された障害情報を参照したり、あるいはラン
ダムアクセスメモリに格納された転送用のデータとフラ
ッシュメモリエリアに格納されたデータとの比較照合に
よっても実行することができる。

【００５２】また、ランダムアクセスメモリのバックア
ップは、装置の電源が遮断された後、保存しておくべき
データを格納した部分だけでよく、その他の部分全てま
でバックアップする必要はない。

【００５３】

【発明の効果】以上説明した本発明のメモリ書換え制御
方法と制御装置によれば、一次記憶用のランダムアクセ
スメモリに格納したデータをプログラム制御用の不揮発
性メモリに書き込む転送動作中に、障害が発生して転送
動作が中断したとき、リセット処理後最初にアクセスさ
れる不揮発性メモリの所定の領域に修復用のプログラム
を格納し、これによって不揮発性メモリに書き込まれた
データの検証と、データのランダムアクセスメモリへの
受入れやランダムアクセスメモリから障害のある領域へ
の書き込み動作等を実行するようにしたので、障害発生
後リセット処理を行って装置を再起動した場合に、不揮
発性メモリ中に格納されたプログラムの障害によって暴
走するといった問題が解決する。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の方法の実施例を示す説明図である。

【図２】本発明の実施に適する回路のブロック図であ
る。

【図３】本発明の動作フローチャートである。

【図４】ＲＡＭのバッテリバックアップ例を示すブロッ
ク図である。

【図５】ＲＡＭをバックアップしたときの動作フローチ
ャートである。

【図６】ＲＡＭ側に修復用プログラムをコピーした場合
の動作説明図である。

【図７】アドレス信号供給先選択例を示すブロック図で
ある。

【図８】アドレスを切り換えるときのメモリマップで、
（ａ）は通常時、（ｂ）はアドレス切換え時のメモリマ
ップである。

【図９】ＬＥＤの表示動作を説明するフローチャートで
ある。

【図１０】アドレス信号供給先選択動作説明のためのフ
ローチャートである。

【図１１】アドレス自動切り換え実施例を示すブロック
図である。

【図１２】アドレス自動切り換え動作を示すフローチャ
ートである。

【符号の説明】

１ ＲＡＭエリア ２ フラッシュメモリエリア １−１，１−２，２−１〜２−３ 記憶領域 ３ 外部装置

Claims (8)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 一時記憶用のランダムアクセスメモリに
   格納したデータをプログラム制御用の不揮発性メモリに
   書き込む転送動作中に、障害が発生して前記転送動作が
   中断したとき、 リセット処理後最初にアクセスされる前記不揮発性メモ
   リの所定の領域に対し、 当該不揮発性メモリに書き込まれたデータの検証を行
   い、 データに障害のある領域が存在する場合、 前記ランダムアクセスメモリに外部装置から該当する転
   送用のデータを受入れて、 そのデータを前記障害のある領域に書込む修復動作を行
   なうプログラムを格納しておくことを特徴とするメモリ
   書換え制御方法。
2. 【請求項２】 バックアップにより不揮発性とされた一
   時記憶用のランダムアクセスメモリに格納したデータ
   を、プログラム制御用の不揮発性メモリに書き込む転送
   動作中に、障害が発生して前記転送動作が中断したと
   き、 リセット処理後最初にアクセスされる前記不揮発性メモ
   リの所定の領域に対し、 当該不揮発性メモリに書き込まれたデータの検証を行
   い、 データに障害のある領域が存在する場合、 前記ランダムアクセスメモリに格納された該当する転送
   用のデータを、 前記障害のある領域に書込む修復動作を行なうプログラ
   ムを格納しておくことを特徴とするメモリ書換え制御方
   法。
3. 【請求項３】 バックアップにより不揮発性とされた一
   時記憶用のランダムアクセスメモリと、 前記ランダムアクセスメモリに格納したデータの転送を
   受けて動作するプログラム制御用の不揮発性メモリと、 前記ランダムアクセスメモリから前記不揮発性メモリへ
   のデータ転送を制御する転送動作制御部とを備え、 前記不揮発性メモリの、リセット処理後最初にアクセス
   される所定の領域には、 前記転送動作中に障害が発生し、当該転送動作が中断し
   たとき、 当該不揮発性メモリに書き込まれたデータの検証を行
   い、 データに障害のある領域が存在する場合、 前記ランダムアクセスメモリに格納された該当するデー
   タを、 前記障害のある領域に書込む修復動作を行なうプログラ
   ムが格納されていることを特徴とするメモリ書換え制御
   装置。
4. 【請求項４】 バックアップにより不揮発性とされた一
   時記憶用のランダムアクセスメモリと、 前記ランダムアクセスメモリに格納したデータの転送を
   受けて動作するプログラム制御用の不揮発性メモリと、 前記ランダムアクセスメモリから前記不揮発性メモリへ
   のデータ転送を制御する転送動作制御部とを備え、 前記転送動作中に障害が発生し、当該転送動作が中断し
   たとき、リセット処理後最初に実行されるべきプログラ
   ムを、前記ランダムアクセスメモリに格納しておき、 前記不揮発性メモリに格納された同一内容のプログラム
   に代わって、前記ランダムアクセスメモリに格納された
   当該プログラムのアドレスを、リセット処理後にアクセ
   スするように、 最初のアドレス信号を前記ランダムアクセスメモリに供
   給するための、アドレス信号供給先選択部を設けたこと
   を特徴とするメモリ書換え制御装置。
5. 【請求項５】 アドレス信号供給先選択部は、手動切り
   換えスイッチから構成され、 転送動作中に障害が発生し、当該転送動作が中断したと
   き、リセット動作前に、前記手動切り換えスイッチの操
   作を促すための表示を出力する表示部を備えたことを特
   徴とする請求項４記載のメモリ書換え制御装置。
6. 【請求項６】 表示部は、リセット処理後に最初にアク
   セスされるべきプログラムの転送動作に障害が発生した
   ことを通知する第１表示器と、 リセット動作後に不揮発性メモリ中の当該プログラムの
   修復が終了したことを通知する第２表示器とを備えたこ
   とを特徴とする請求項５記載のメモリ書換え制御装置。
7. 【請求項７】 アドレス信号供給先選択部は、アドレス
   信号をランダムアクセスメモリと不揮発性メモリの何れ
   か一方に供給する選択スイッチと、 リセット処理後最初に実行されるべきプログラム実行の
   ためのアドレス信号を前記ランダムアクセスメモリに供
   給し、 そのプログラムによって不揮発性メモリの障害のある領
   域のデータが修復された後、アドレス信号が不揮発性メ
   モリに供給されるように前記選択スイッチを切り換え制
   御するスイッチ制御部を備えたことを特徴とする請求項
   ４記載のメモリ書換え制御装置。
8. 【請求項８】 不揮発性メモリに格納された修復動作制
   御用のプログラムを、 予めランダムアクセスメモリに転送し、 このランダムアクセスメモリに格納された前記転送動作
   制御用のプログラムを起動して転送動作を実行すること
   を特徴とする請求項１又は２記載のメモリ書換え制御方
   法。