JPH07197251A - 金属弗化物膜の形成方法および光学部材 - Google Patents
金属弗化物膜の形成方法および光学部材Info
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- JPH07197251A JPH07197251A JP35296593A JP35296593A JPH07197251A JP H07197251 A JPH07197251 A JP H07197251A JP 35296593 A JP35296593 A JP 35296593A JP 35296593 A JP35296593 A JP 35296593A JP H07197251 A JPH07197251 A JP H07197251A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 金属弗化物膜を短時間に形成することができ
る金属弗化物膜の形成方法を提供するとともに、この金
属弗化物膜を利用した光学部材を提供する。 【構成】 金属弗化物をスパッタリング法により成膜す
る方法において、金属のターゲット３をＤＣスパッタリ
ングした後、基板２の加熱および弗素ガスの導入を行っ
て、金属弗化物膜を形成する。また、この形成方法によ
り成膜した層を、少なくとも１層以上含めて光学部材を
構成する。
る金属弗化物膜の形成方法を提供するとともに、この金
属弗化物膜を利用した光学部材を提供する。 【構成】 金属弗化物をスパッタリング法により成膜す
る方法において、金属のターゲット３をＤＣスパッタリ
ングした後、基板２の加熱および弗素ガスの導入を行っ
て、金属弗化物膜を形成する。また、この形成方法によ
り成膜した層を、少なくとも１層以上含めて光学部材を
構成する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、金属弗化物膜の形成方
法およびその金属弗化物膜を利用した光学部材に関す
る。
法およびその金属弗化物膜を利用した光学部材に関す
る。
【０００２】
【従来の技術】従来、光学膜として利用されている材料
のうち、弗化マグネシウム、弗化アルミニウム、弗化バ
リウム、弗化セリウムや弗化カルシウムなどの金属弗化
物は、真空蒸着法により成膜されていた。ところが、真
空蒸着法では蒸発材料の連続的な供給が困難であるな
ど、自動化に不向きな点や、バッチ式であるために、多
品種少量生産に対応しきれない等の点から、これらの点
に対して有利なスパッタリング法への転換が要望されて
いる。しかしながら、ターゲットに金属弗化物を用いて
スパッタリング法により成膜を行うとプラズマ中で弗素
が解離して基板には吸収が多い膜が形成されてしまうと
いう欠点があった。
のうち、弗化マグネシウム、弗化アルミニウム、弗化バ
リウム、弗化セリウムや弗化カルシウムなどの金属弗化
物は、真空蒸着法により成膜されていた。ところが、真
空蒸着法では蒸発材料の連続的な供給が困難であるな
ど、自動化に不向きな点や、バッチ式であるために、多
品種少量生産に対応しきれない等の点から、これらの点
に対して有利なスパッタリング法への転換が要望されて
いる。しかしながら、ターゲットに金属弗化物を用いて
スパッタリング法により成膜を行うとプラズマ中で弗素
が解離して基板には吸収が多い膜が形成されてしまうと
いう欠点があった。
【０００３】これに対して、特開平４−２８９１６５号
公報に提案されているアルカリ土類金属弗化物膜の形成
方法によると、スパッタガスとして不活性ガスと弗素ガ
スまたは弗素含有化合物ガスとの混合ガスとの混合ガス
を用いて不活性ガスプラズマでの弗素を補充することで
アルカリ土類金属弗化物膜を形成している。
公報に提案されているアルカリ土類金属弗化物膜の形成
方法によると、スパッタガスとして不活性ガスと弗素ガ
スまたは弗素含有化合物ガスとの混合ガスとの混合ガス
を用いて不活性ガスプラズマでの弗素を補充することで
アルカリ土類金属弗化物膜を形成している。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記公
報記載の方法で成膜を行うと、ＲＦスパッタリング法で
あるために成膜レートが遅く、また弗素含有化合物ガス
により弗素を補充しているとはいえ、弗素の解離は存在
する。このため、吸収の少ない膜が得られ、また成膜レ
ートは速くても分あたり数ｎｍと非常に遅く、生産性が
低いという問題があった。
報記載の方法で成膜を行うと、ＲＦスパッタリング法で
あるために成膜レートが遅く、また弗素含有化合物ガス
により弗素を補充しているとはいえ、弗素の解離は存在
する。このため、吸収の少ない膜が得られ、また成膜レ
ートは速くても分あたり数ｎｍと非常に遅く、生産性が
低いという問題があった。
【０００５】本発明は、かかる従来の問題点に鑑みてな
されたもので、金属弗化物膜を短時間に形成することが
できる金属弗化物膜の形成方法を提供するとともに、こ
の金属弗化物膜を利用した光学部材を提供することを目
的とする。
されたもので、金属弗化物膜を短時間に形成することが
できる金属弗化物膜の形成方法を提供するとともに、こ
の金属弗化物膜を利用した光学部材を提供することを目
的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に、本発明は、金属弗化物をスパッタリング法により成
膜する方法において、金属ターゲット、例えばマグネシ
ウム、アルミニウム、バリウム、セリウム、カルシウム
等をＡｒ、Ｈｅ等の不活性ガスによりＤＣスパッタリン
グした後、基板を加熱して弗素ガスを導入することによ
り基板上に金属弗化物膜を形成することとした。
に、本発明は、金属弗化物をスパッタリング法により成
膜する方法において、金属ターゲット、例えばマグネシ
ウム、アルミニウム、バリウム、セリウム、カルシウム
等をＡｒ、Ｈｅ等の不活性ガスによりＤＣスパッタリン
グした後、基板を加熱して弗素ガスを導入することによ
り基板上に金属弗化物膜を形成することとした。
【０００７】また、上記形成方法による金属弗化物膜を
少なくとも１層以上設けて他の誘電体あるいは金属等の
膜と共に構成することによって、反射防止膜、フィルタ
ー、ミラー等の光学部材を構成することとした。
少なくとも１層以上設けて他の誘電体あるいは金属等の
膜と共に構成することによって、反射防止膜、フィルタ
ー、ミラー等の光学部材を構成することとした。
【０００８】
【作用】本発明においては、ターゲットが金属であるた
めに、ＤＣスパッタリング法による成膜が可能である。
すなわち、ＲＦスパッタリング法に比較して電力消費の
効率の高いＤＣスパッタリング法により成膜すること
で、基板上への金属膜形成の成膜レートを、従来の分あ
たり数ｎｍ以下から、分あたり数百から数千ｎｍに向上
することができる。また、金属ターゲットを用いている
ので、弗素の解離という問題は生じない。金属膜形成後
は、基板加熱および弗素ガス導入により金属膜を弗化し
て基板上に金属弗化物膜を形成する。これにより、これ
まで１時間あるいはそれ以上かかっていた成膜時間をト
ータルで３０分程度まで短縮することが可能となる。
めに、ＤＣスパッタリング法による成膜が可能である。
すなわち、ＲＦスパッタリング法に比較して電力消費の
効率の高いＤＣスパッタリング法により成膜すること
で、基板上への金属膜形成の成膜レートを、従来の分あ
たり数ｎｍ以下から、分あたり数百から数千ｎｍに向上
することができる。また、金属ターゲットを用いている
ので、弗素の解離という問題は生じない。金属膜形成後
は、基板加熱および弗素ガス導入により金属膜を弗化し
て基板上に金属弗化物膜を形成する。これにより、これ
まで１時間あるいはそれ以上かかっていた成膜時間をト
ータルで３０分程度まで短縮することが可能となる。
【０００９】
【実施例１】図１に示すように、チャンバー１内に屈折
率１．５２のガラスからなる基板２をセットして、アル
ミニウムからなるターゲット３を用い、排気口１０を介
して装置外の真空排気装置系により１×１０-3Ｐａまで
排気した後、２×１０-1ＰａのＡｒガスをガス導入口４
よりチャンバー１内に導入した。基板２を２５０℃で加
熱し、投入電力１ｋＷのＤＣスパッタリングを１１秒行
い、基板２上に膜厚１１０ｎｍのアルミニウム膜８を形
成した。この時、成膜レートは１０ｎｍ／ｓｅｃであっ
た。その後、導入ガスを排気して１×１０-3Ｐａを維持
し、基板２を４００℃に加熱し、２０００Ｐａの弗素ガ
スをガス導入口５よりチャンバー１内に導入した。その
状態で２０分維持し、アルミニウム膜８を弗化して基板
２上に弗化アルミニウム膜を形成した。形成された弗化
アルミニウム膜厚は１３０ｎｍである。
率１．５２のガラスからなる基板２をセットして、アル
ミニウムからなるターゲット３を用い、排気口１０を介
して装置外の真空排気装置系により１×１０-3Ｐａまで
排気した後、２×１０-1ＰａのＡｒガスをガス導入口４
よりチャンバー１内に導入した。基板２を２５０℃で加
熱し、投入電力１ｋＷのＤＣスパッタリングを１１秒行
い、基板２上に膜厚１１０ｎｍのアルミニウム膜８を形
成した。この時、成膜レートは１０ｎｍ／ｓｅｃであっ
た。その後、導入ガスを排気して１×１０-3Ｐａを維持
し、基板２を４００℃に加熱し、２０００Ｐａの弗素ガ
スをガス導入口５よりチャンバー１内に導入した。その
状態で２０分維持し、アルミニウム膜８を弗化して基板
２上に弗化アルミニウム膜を形成した。形成された弗化
アルミニウム膜厚は１３０ｎｍである。
【００１０】図２に本実施例によって形成された膜の分
光反射特性を示す。また、本実施例における一連の工程
時間は３５分であった。これに対し、弗化物をＲＦスパ
ッタリングする従来の方法によると約１時間かかった。
本実施例の形成方法によると、ＤＣスパッタリング法に
より金属膜を形成することで、成膜レートの速い工程と
なり、生産性が向上する。
光反射特性を示す。また、本実施例における一連の工程
時間は３５分であった。これに対し、弗化物をＲＦスパ
ッタリングする従来の方法によると約１時間かかった。
本実施例の形成方法によると、ＤＣスパッタリング法に
より金属膜を形成することで、成膜レートの速い工程と
なり、生産性が向上する。
【００１１】
【実施例２】本実施例においては、図３に示すように、
成膜処理装置は金属形成用のチャンバー１と弗化処理槽
１１で構成されている。チャンバー１と弗化処理槽１１
内には回動可能なアーム１４が設置されていて、チャン
バー１内に取り付けられている基板２をアーム１４に取
り付けられている３つのつめ１５を作動させて掴み、回
動動作によりゲートバルブ１２を通過して弗化処理槽１
１内に基板２を移動することができるようになってい
る。
成膜処理装置は金属形成用のチャンバー１と弗化処理槽
１１で構成されている。チャンバー１と弗化処理槽１１
内には回動可能なアーム１４が設置されていて、チャン
バー１内に取り付けられている基板２をアーム１４に取
り付けられている３つのつめ１５を作動させて掴み、回
動動作によりゲートバルブ１２を通過して弗化処理槽１
１内に基板２を移動することができるようになってい
る。
【００１２】実施例１と同様にして、チャンバー１内に
屈折率１．５２のガラスからなる基板２をセットして、
マグネシウムからなるターゲット３を用い、排気口１０
を介して装置外の真空排気装置系により１×１０-3Ｐａ
まで排気した後、２×１０-1ＰａのＡｒガスをガス導入
口４よりチャンバー１内に導入した。基板２を３００℃
で加熱し、投入電力１．２ｋＷのＤＣスパッタリングを
６秒行い、基板２上にマグネシウム膜１７を１２０ｎｍ
形成した。この時、成膜レートは２０ｎｍ／ｓｅｃであ
った。それからゲートバルブ１２を開き、アーム１４を
回動させて、つめ１５で基板２を保持した後、再びアー
ム１４を回動させてゲートバルブ１２を通過して基板２
を弗化処理槽１１内に移動させ、ゲートバルブ１２を閉
めて、チャンバー１とは空間的に切りはなした。また、
基板２を弗化処理槽１１に移動する際、チャンバー１内
には次に成膜する他の基板２が運び込まれている。弗化
処理槽１１内を排気口１６を介して装置外の真空排気装
置系により１×１０-3Ｐａまで排気し、基板２を４５０
℃に加熱し、５０００Ｐａの弗素ガスをガス導入口１８
より弗化処理槽１１内に導入した。その状態で１５分維
持して、マグネシウム膜１７を弗化して基板２上に弗化
マグネシウム膜を形成した。形成された弗化マグネシウ
ム膜厚は１３５ｎｍである。
屈折率１．５２のガラスからなる基板２をセットして、
マグネシウムからなるターゲット３を用い、排気口１０
を介して装置外の真空排気装置系により１×１０-3Ｐａ
まで排気した後、２×１０-1ＰａのＡｒガスをガス導入
口４よりチャンバー１内に導入した。基板２を３００℃
で加熱し、投入電力１．２ｋＷのＤＣスパッタリングを
６秒行い、基板２上にマグネシウム膜１７を１２０ｎｍ
形成した。この時、成膜レートは２０ｎｍ／ｓｅｃであ
った。それからゲートバルブ１２を開き、アーム１４を
回動させて、つめ１５で基板２を保持した後、再びアー
ム１４を回動させてゲートバルブ１２を通過して基板２
を弗化処理槽１１内に移動させ、ゲートバルブ１２を閉
めて、チャンバー１とは空間的に切りはなした。また、
基板２を弗化処理槽１１に移動する際、チャンバー１内
には次に成膜する他の基板２が運び込まれている。弗化
処理槽１１内を排気口１６を介して装置外の真空排気装
置系により１×１０-3Ｐａまで排気し、基板２を４５０
℃に加熱し、５０００Ｐａの弗素ガスをガス導入口１８
より弗化処理槽１１内に導入した。その状態で１５分維
持して、マグネシウム膜１７を弗化して基板２上に弗化
マグネシウム膜を形成した。形成された弗化マグネシウ
ム膜厚は１３５ｎｍである。
【００１３】図４に本実施例によって形成された膜の分
光反射特性を示す。また、本実施例における一連の工程
時間は３０分であった。これに対し、弗化物をＲＦスパ
ッタリングする従来の方法によると約１時間の工程であ
った。本実施例においては、実施例１と同様の効果を得
るだけでなく、低屈折光学膜材料として一般的に利用さ
れている弗化マグネシウムをスパッタリングで成膜する
ことができるために、膜設計上自由度が広くなる。ま
た、弗化処理槽を設けているので成膜サイクルが向上す
る。
光反射特性を示す。また、本実施例における一連の工程
時間は３０分であった。これに対し、弗化物をＲＦスパ
ッタリングする従来の方法によると約１時間の工程であ
った。本実施例においては、実施例１と同様の効果を得
るだけでなく、低屈折光学膜材料として一般的に利用さ
れている弗化マグネシウムをスパッタリングで成膜する
ことができるために、膜設計上自由度が広くなる。ま
た、弗化処理槽を設けているので成膜サイクルが向上す
る。
【００１４】
【実施例３】本実施例においては、３種類のターゲット
を用いることを除いて基本的に成膜装置については実施
例１のものと同一である。まず、アルミナターゲットを
Ａｒガスによりスパッタリングして、基板２上に１３０
ｎｍ成膜した後、ＺｒＯ2 、Ｔａ2 Ｏ5 混合ターゲット
をＡｒガスによりスパッタリングして基板２上にＺｒＯ
2 、Ｔａ2 Ｏ5 混合層を２６０ｎｍ成膜した。その後、
マグネシウムターゲットをセットして、１×１０-3Ｐａ
まで排気した後、２×１０-1ＰａのＡｒガスを真空槽に
導入した。基板２を２５０℃で加熱し、投入電力１ｋＷ
のＤＣスパッタリングを５．７５秒行い、基板２上にマ
グネシウム膜を１１５ｎｍ形成した。この時、成膜レー
トは２０ｎｍ／ｓｅｃであった。その後、１×１０-3Ｐ
ａまで排気して、基板２を４５０℃に加熱し、５０００
０ＰａのＦ2 ガスを真空槽に導入した。その状態で２０
分維持して、マグネシウム膜を弗化して基板２上に弗化
マグネシウム膜を形成した。形成された弗化マグネシウ
ムの膜厚は１３０ｎｍである。
を用いることを除いて基本的に成膜装置については実施
例１のものと同一である。まず、アルミナターゲットを
Ａｒガスによりスパッタリングして、基板２上に１３０
ｎｍ成膜した後、ＺｒＯ2 、Ｔａ2 Ｏ5 混合ターゲット
をＡｒガスによりスパッタリングして基板２上にＺｒＯ
2 、Ｔａ2 Ｏ5 混合層を２６０ｎｍ成膜した。その後、
マグネシウムターゲットをセットして、１×１０-3Ｐａ
まで排気した後、２×１０-1ＰａのＡｒガスを真空槽に
導入した。基板２を２５０℃で加熱し、投入電力１ｋＷ
のＤＣスパッタリングを５．７５秒行い、基板２上にマ
グネシウム膜を１１５ｎｍ形成した。この時、成膜レー
トは２０ｎｍ／ｓｅｃであった。その後、１×１０-3Ｐ
ａまで排気して、基板２を４５０℃に加熱し、５０００
０ＰａのＦ2 ガスを真空槽に導入した。その状態で２０
分維持して、マグネシウム膜を弗化して基板２上に弗化
マグネシウム膜を形成した。形成された弗化マグネシウ
ムの膜厚は１３０ｎｍである。
【００１５】図５は本実施例によって形成された膜の分
光反射特性を示す。また、本実施例における一連の工程
時間は４０分であった。これに対し、弗化物をＲＦスパ
ッタリングする従来の方法によると約７０分の工程であ
った。本実施例においては、実施例１と同様の効果を得
るだけでなく、多層膜の成膜もスパッタリングにより成
膜できるために、特性の良好な反射防止膜、フィルタ
ー、ミラー等においても利用できる。
光反射特性を示す。また、本実施例における一連の工程
時間は４０分であった。これに対し、弗化物をＲＦスパ
ッタリングする従来の方法によると約７０分の工程であ
った。本実施例においては、実施例１と同様の効果を得
るだけでなく、多層膜の成膜もスパッタリングにより成
膜できるために、特性の良好な反射防止膜、フィルタ
ー、ミラー等においても利用できる。
【００１６】
【実施例４】本実施例においては、図６に示すように、
複数の成膜用の真空槽と弗化処理槽が分割ユニット化さ
れて、ゲートバルブを介してひとつの成膜ライン２２を
形成している。ロードロック２３ａおよびロードロック
２３ｂはそれぞれ搬入、取り出し用である。ゲートバル
ブ１２を介してロードロック２３ａ、成膜槽２４、予備
排気室２５、弗化処理槽２６およびロードロック２３ｂ
が連結されている。パレット２０は図示を省略した搬送
システムによりロードロック２３ａから、成膜槽２４、
予備排気室２５、弗化処理槽２６を通りロードロック２
３ｂまで順次送り出す構成である。成膜槽２４内にはア
ルミナからなるターゲット２７、ＺｒＯ 2 、ＴｉＯ2 混
合物からなるターゲット２８およびアルミニウムからな
るターゲット２９がパレット２０に対向するように取り
付けられている。
複数の成膜用の真空槽と弗化処理槽が分割ユニット化さ
れて、ゲートバルブを介してひとつの成膜ライン２２を
形成している。ロードロック２３ａおよびロードロック
２３ｂはそれぞれ搬入、取り出し用である。ゲートバル
ブ１２を介してロードロック２３ａ、成膜槽２４、予備
排気室２５、弗化処理槽２６およびロードロック２３ｂ
が連結されている。パレット２０は図示を省略した搬送
システムによりロードロック２３ａから、成膜槽２４、
予備排気室２５、弗化処理槽２６を通りロードロック２
３ｂまで順次送り出す構成である。成膜槽２４内にはア
ルミナからなるターゲット２７、ＺｒＯ 2 、ＴｉＯ2 混
合物からなるターゲット２８およびアルミニウムからな
るターゲット２９がパレット２０に対向するように取り
付けられている。
【００１７】パレット２０には複数の被成膜用基板（図
示省略）が取り付けられている。また、ロードロック２
３ａには図示を省略した排気装置、成膜槽２４には図示
を省略した排気装置およびＡｒガス導入装置、予備排気
室２５には図示を省略した排気装置、弗化処理槽２６に
は図示を省略した排気装置および弗素ガス導入装置、ロ
ードロック２３ｂには図示を省略した排気装置が取り付
けられていてそれぞれ排気、ガス導入を行う構成になっ
ている。
示省略）が取り付けられている。また、ロードロック２
３ａには図示を省略した排気装置、成膜槽２４には図示
を省略した排気装置およびＡｒガス導入装置、予備排気
室２５には図示を省略した排気装置、弗化処理槽２６に
は図示を省略した排気装置および弗素ガス導入装置、ロ
ードロック２３ｂには図示を省略した排気装置が取り付
けられていてそれぞれ排気、ガス導入を行う構成になっ
ている。
【００１８】次いで一連の工程を説明する。まず、パレ
ット２０を搬入用のロードロック２３ａからゲートバル
ブ１２を通過して成膜槽２４内に入れた。２５０℃で加
熱して、Ａｒガスによりアルミナからなるターゲット２
７をスパッタリングしてアルミナを１３０ｎｍ成膜し
た。次に、ＺｒＯ2 ・ＴｉＯ2 混合膜を２６０ｎｍ形成
した。それから、投入電力１ｋＷでアルミニウムからな
るターゲット２９のＤＣスパッタリングを２２秒行い、
アルミニウム膜を１１０ｎｍ形成した。この時、成膜レ
ートは５ｎｍ／ｓｅｃであった。次に、パレット２０を
ゲートバルブ１２を通過して予備排気室２５に入れ排気
を行った後、次のゲートバルブ１２を通過して弗化処理
槽２６に入れた。弗化処理槽２６内は４５０℃に加熱さ
れていて、１×１０-5Ｐａの弗素ガスで満たされてい
る。約１２分程度、弗化処理槽２６で前記状態を維持し
た後、パレット２０をゲートバルブ１２、ロードロック
２３ｂを介して成膜ライン２２から外部に取り出し、一
連の成膜を終了した。この時、パレット２０は１つでは
なく、複数のパレット２０が順次成膜ライン２２を通過
するものである。また、このとき形成された弗化アルミ
ニウムの膜厚は１３０ｎｍである。
ット２０を搬入用のロードロック２３ａからゲートバル
ブ１２を通過して成膜槽２４内に入れた。２５０℃で加
熱して、Ａｒガスによりアルミナからなるターゲット２
７をスパッタリングしてアルミナを１３０ｎｍ成膜し
た。次に、ＺｒＯ2 ・ＴｉＯ2 混合膜を２６０ｎｍ形成
した。それから、投入電力１ｋＷでアルミニウムからな
るターゲット２９のＤＣスパッタリングを２２秒行い、
アルミニウム膜を１１０ｎｍ形成した。この時、成膜レ
ートは５ｎｍ／ｓｅｃであった。次に、パレット２０を
ゲートバルブ１２を通過して予備排気室２５に入れ排気
を行った後、次のゲートバルブ１２を通過して弗化処理
槽２６に入れた。弗化処理槽２６内は４５０℃に加熱さ
れていて、１×１０-5Ｐａの弗素ガスで満たされてい
る。約１２分程度、弗化処理槽２６で前記状態を維持し
た後、パレット２０をゲートバルブ１２、ロードロック
２３ｂを介して成膜ライン２２から外部に取り出し、一
連の成膜を終了した。この時、パレット２０は１つでは
なく、複数のパレット２０が順次成膜ライン２２を通過
するものである。また、このとき形成された弗化アルミ
ニウムの膜厚は１３０ｎｍである。
【００１９】図７に本実施例によって形成された膜の分
光反射特性を示す。また、本実施例における一連の工程
時間は５０分であった。これに対し、弗化物をＲＦスパ
ッタリングする従来の方法によると約８０分の工程であ
った。本実施例においては、実施例３と同様の効果を得
るだけでなく、バッチ式ではなく連続式であるために、
多種少量生産にも十分に対応が可能である。また、装置
そのものが小型であるので、設備投資費用の削減、省ス
ペース、省エネルギーが可能であり、また装置構成が分
割ユニット化されているので成膜条件や生産規模に対し
て最適な装置構成を組むことも可能である。
光反射特性を示す。また、本実施例における一連の工程
時間は５０分であった。これに対し、弗化物をＲＦスパ
ッタリングする従来の方法によると約８０分の工程であ
った。本実施例においては、実施例３と同様の効果を得
るだけでなく、バッチ式ではなく連続式であるために、
多種少量生産にも十分に対応が可能である。また、装置
そのものが小型であるので、設備投資費用の削減、省ス
ペース、省エネルギーが可能であり、また装置構成が分
割ユニット化されているので成膜条件や生産規模に対し
て最適な装置構成を組むことも可能である。
【００２０】
【発明の効果】以上のように、本発明の金属弗化物膜の
形成方法によれば、成膜レートの速いスパッタリング工
程となって、生産性が高くなり、これを利用した光学部
材を安価に提供することができる。
形成方法によれば、成膜レートの速いスパッタリング工
程となって、生産性が高くなり、これを利用した光学部
材を安価に提供することができる。
【図１】本発明の実施例１で用いたスパッタリング装置
を示す概略構成図である。
を示す概略構成図である。
【図２】同実施例１で得た膜の分光反射特性図である。
【図３】本発明の実施例２で用いたスパッタリング装置
を示す概略構成図である。
を示す概略構成図である。
【図４】同実施例２で得た膜の分光反射特性図である。
【図５】本発明の実施例３で得た膜の分光反射特性図で
ある。
ある。
【図６】本発明の実施例４の成膜ラインを示す正面図で
ある。
ある。
【図７】同実施例４で得た膜の分光反射特性図である。
１ チャンバー ２ 基板 ３，２７，２８，２９ ターゲット ４，５，１８ ガス導入口 ８ アルミニウム膜 １０，１６ 排気口 １１，２６ 弗化処理槽 １７ マグネシウム膜 ２２ 成膜ライン ２４ 成膜槽 ２５ 予備排気室
フロントページの続き (72)発明者 豊原 延好 東京都渋谷区幡ヶ谷２丁目43番２号 オリ ンパス光学工業株式会社内 (72)発明者 三田村 宣明 東京都渋谷区幡ヶ谷２丁目43番２号 オリ ンパス光学工業株式会社内 (72)発明者 池田 浩 東京都渋谷区幡ヶ谷２丁目43番２号 オリ ンパス光学工業株式会社内 (72)発明者 川俣 健 東京都渋谷区幡ヶ谷２丁目43番２号 オリ ンパス光学工業株式会社内 (72)発明者 生水 利明 東京都渋谷区幡ヶ谷２丁目43番２号 オリ ンパス光学工業株式会社内
Claims (2)
- 【請求項１】 金属弗化物をスパッタリング法により成
膜する方法において、金属ターゲットをＤＣスパッタリ
ングした後、基板加熱および弗素ガス導入を行うことを
特徴とする金属弗化物膜の形成方法。 - 【請求項２】 請求項１記載の形成方法により成膜した
層を、少なくとも１層以上含むことを特徴とする光学部
材。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP35296593A JPH07197251A (ja) | 1993-12-29 | 1993-12-29 | 金属弗化物膜の形成方法および光学部材 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP35296593A JPH07197251A (ja) | 1993-12-29 | 1993-12-29 | 金属弗化物膜の形成方法および光学部材 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07197251A true JPH07197251A (ja) | 1995-08-01 |
Family
ID=18427665
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP35296593A Withdrawn JPH07197251A (ja) | 1993-12-29 | 1993-12-29 | 金属弗化物膜の形成方法および光学部材 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07197251A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005100954A (ja) * | 2003-08-22 | 2005-04-14 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | プラズマディスプレイパネルおよびその製造方法ならびに薄膜 |
-
1993
- 1993-12-29 JP JP35296593A patent/JPH07197251A/ja not_active Withdrawn
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005100954A (ja) * | 2003-08-22 | 2005-04-14 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | プラズマディスプレイパネルおよびその製造方法ならびに薄膜 |
| JP4516793B2 (ja) * | 2003-08-22 | 2010-08-04 | パナソニック株式会社 | プラズマディスプレイパネル |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
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