JPH07192493A - 冗長救済用不揮発性メモリ - Google Patents
冗長救済用不揮発性メモリInfo
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- JPH07192493A JPH07192493A JP33634193A JP33634193A JPH07192493A JP H07192493 A JPH07192493 A JP H07192493A JP 33634193 A JP33634193 A JP 33634193A JP 33634193 A JP33634193 A JP 33634193A JP H07192493 A JPH07192493 A JP H07192493A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 ヒューズの切断の不良を防ぎ、チップ面積を
小さくできる冗長救済回路とマスクROMの冗長救済用
不揮発性メモリを提供する。 【構成】 予備ワード線選択用のトランジスタDC20
〜DC35は冗長による置き換えを行うアドレスに対応
して書き込みを行う。しきい値がコントロールされてい
る。しきい値の低いトランジスタのゲート電位が上がっ
たとき、ドレインからソース電極へ電流が流れ、予備ワ
ード線RWL0〜RWLmの電位を引き下げる。しきい
値の高いトランジスタのゲート電位はハイレベル、しき
い値の低いトランジスタのゲート電位がロウレベルとす
るワード線選択回路だけが予備ワード線RWL0〜RW
Lmの電位をハイレベルに保たれる。
小さくできる冗長救済回路とマスクROMの冗長救済用
不揮発性メモリを提供する。 【構成】 予備ワード線選択用のトランジスタDC20
〜DC35は冗長による置き換えを行うアドレスに対応
して書き込みを行う。しきい値がコントロールされてい
る。しきい値の低いトランジスタのゲート電位が上がっ
たとき、ドレインからソース電極へ電流が流れ、予備ワ
ード線RWL0〜RWLmの電位を引き下げる。しきい
値の高いトランジスタのゲート電位はハイレベル、しき
い値の低いトランジスタのゲート電位がロウレベルとす
るワード線選択回路だけが予備ワード線RWL0〜RW
Lmの電位をハイレベルに保たれる。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、メモリなど記憶装置の
冗長救済用不揮発性メモリに関するものである。
冗長救済用不揮発性メモリに関するものである。
【0002】
【従来の技術】近年、メモリ容量の増大につれ、工程中
のダストなどに起因するメモリセルの不良の発生が問題
となっている。これを解決する不良メモリセルを予備の
メモリセルに置き換える冗長救済回路の技術が不可欠に
なった。
のダストなどに起因するメモリセルの不良の発生が問題
となっている。これを解決する不良メモリセルを予備の
メモリセルに置き換える冗長救済回路の技術が不可欠に
なった。
【0003】以下に従来の技術について図3を参照しな
がら説明する。図3において、RWL0〜RWLmは予
備ワード線、RBL0〜RBLnは予備データビット
線、DC0〜DC15はワード線選択用Nチャネルトラ
ンジスタ、MC0〜MC15はNチャネルトランジスタ
の予備メモリセル、1〜4はワード線選択回路の負荷用
Pチャネルトランジスタである。そのPチャネルトラン
ジスタ1〜4のゲート電極はチップコントロール信号
がら説明する。図3において、RWL0〜RWLmは予
備ワード線、RBL0〜RBLnは予備データビット
線、DC0〜DC15はワード線選択用Nチャネルトラ
ンジスタ、MC0〜MC15はNチャネルトランジスタ
の予備メモリセル、1〜4はワード線選択回路の負荷用
Pチャネルトランジスタである。そのPチャネルトラン
ジスタ1〜4のゲート電極はチップコントロール信号
【0004】
【外1】
【0005】に接続されている。このチップコントロー
ル信号
ル信号
【0006】
【外2】
【0007】は、動作時がロウレベル、スタンバイ時は
ハイレベルとなる。さらに、5〜8はデータビット線の
負荷用Pチャネルトランジスタである。このPチャネル
トランジスタ5〜8は、トランジスタ1〜4と同様にゲ
ート電極はチップコントロール信号
ハイレベルとなる。さらに、5〜8はデータビット線の
負荷用Pチャネルトランジスタである。このPチャネル
トランジスタ5〜8は、トランジスタ1〜4と同様にゲ
ート電極はチップコントロール信号
【0008】
【外3】
【0009】に接続されている。9〜12は予備ワード
線の選択検知用Nチャネルトランジスタ、SLは予備メ
モリセルの選択検知データ線。13は前記データ線SL
の負荷用Pチャネルトランジスタ。F0〜F31はトラ
ンジスタのソース電極とグランドとの間に形成されたヒ
ューズスイッチである。A0,AXはアドレスデータ
線、DI0〜DInは通常メモリセルからのデータであ
る。
線の選択検知用Nチャネルトランジスタ、SLは予備メ
モリセルの選択検知データ線。13は前記データ線SL
の負荷用Pチャネルトランジスタ。F0〜F31はトラ
ンジスタのソース電極とグランドとの間に形成されたヒ
ューズスイッチである。A0,AXはアドレスデータ
線、DI0〜DInは通常メモリセルからのデータであ
る。
【0010】今、アドレス信号が全ての入力されると、
アドレスデータ線
アドレスデータ線
【0011】
【外4】
【0012】に入力信号に応じたハイレベルまたはロウ
レベルが印加される。予備ワード線選択用のトランジス
タDC0〜DC15は冗長による置き換えを行うアドレ
スに対応して書き込みを行う。この処理はトランジスタ
DC0〜DC15のソース電極とグランドレベルの間に
接続されているヒューズスイッチF0〜F15をレーザ
などによって切断することである。ソース電極のヒュー
ズスイッチF0〜F15が切断されているトランジスタ
DC0〜DC15のゲート電位がハイレベルになるとド
レインからグランドへの電流が流れ、予備ワード線RW
L0〜RWLmの電位を引き下げる。ソース電極のヒュ
ーズスイッチF0〜F15が切断されているトランジス
タDC0〜DC15のゲート電位がハイレベル、ソース
電極のヒューズスイッチF0〜F15が切断されていな
いトランジスタDC0〜DC15のゲート電位がロウレ
ベルとなるワード線選択回路だけが予備ワード線の電位
をハイレベルに保たれる。いま予備ワード線RWL0の
みハイレベル、それ以外の予備ワード線RWL1〜RW
Lmはロウレベルであるとすると、予備ワード線RWL
0をゲート電極にもつメモリセルすなわち、予備メモリ
セルMC0〜MC3のデータが読み出されることにな
る。予備メモリセルについても先ほどの予備ワード線選
択用のトランジスタDC0〜DC15と同様にソース電
極とグランド間のヒューズスイッチF0〜F15も置き
換えを行うデータに従って切断されている。ソース電極
のヒューズスイッチF0〜F15が切断されていれば、
メモリセルを通して電流は流れず、予備データビット線
RBL0〜RBLnの電位はハイレベルとなる。また、
ソース電極のヒューズスイッチF0〜F15が切断され
ていなければ、メモリセルに電流が流れ、データビット
線の電位はロウレベルとなる。さらに、各予備ワード線
RWL0〜RWLmには、選択時にオン状態となるワー
ド線をゲート電極とする、Nチャネルトランジスタ9〜
12が接続されている。データ切り替え回路は、この選
択検知データ線SLの電位がハイレベルのときには、通
常メモリセルのデータDI0〜DInを出力回路に送
り、データ線SLの電位がロウレベルのときには、予備
データビット線RBL0〜RBLnのデータを出力回路
に送る。
レベルが印加される。予備ワード線選択用のトランジス
タDC0〜DC15は冗長による置き換えを行うアドレ
スに対応して書き込みを行う。この処理はトランジスタ
DC0〜DC15のソース電極とグランドレベルの間に
接続されているヒューズスイッチF0〜F15をレーザ
などによって切断することである。ソース電極のヒュー
ズスイッチF0〜F15が切断されているトランジスタ
DC0〜DC15のゲート電位がハイレベルになるとド
レインからグランドへの電流が流れ、予備ワード線RW
L0〜RWLmの電位を引き下げる。ソース電極のヒュ
ーズスイッチF0〜F15が切断されているトランジス
タDC0〜DC15のゲート電位がハイレベル、ソース
電極のヒューズスイッチF0〜F15が切断されていな
いトランジスタDC0〜DC15のゲート電位がロウレ
ベルとなるワード線選択回路だけが予備ワード線の電位
をハイレベルに保たれる。いま予備ワード線RWL0の
みハイレベル、それ以外の予備ワード線RWL1〜RW
Lmはロウレベルであるとすると、予備ワード線RWL
0をゲート電極にもつメモリセルすなわち、予備メモリ
セルMC0〜MC3のデータが読み出されることにな
る。予備メモリセルについても先ほどの予備ワード線選
択用のトランジスタDC0〜DC15と同様にソース電
極とグランド間のヒューズスイッチF0〜F15も置き
換えを行うデータに従って切断されている。ソース電極
のヒューズスイッチF0〜F15が切断されていれば、
メモリセルを通して電流は流れず、予備データビット線
RBL0〜RBLnの電位はハイレベルとなる。また、
ソース電極のヒューズスイッチF0〜F15が切断され
ていなければ、メモリセルに電流が流れ、データビット
線の電位はロウレベルとなる。さらに、各予備ワード線
RWL0〜RWLmには、選択時にオン状態となるワー
ド線をゲート電極とする、Nチャネルトランジスタ9〜
12が接続されている。データ切り替え回路は、この選
択検知データ線SLの電位がハイレベルのときには、通
常メモリセルのデータDI0〜DInを出力回路に送
り、データ線SLの電位がロウレベルのときには、予備
データビット線RBL0〜RBLnのデータを出力回路
に送る。
【0013】また、マスクROMの記憶データは製造工
程の途中でフォトマスクによってチップに作り込まれ、
記憶データの内容は製品ごとに異なったものとなる。マ
スクROMでのデータの作り込みの方法は種々である
が、いずれの方式でも選択されたワード線下のトランジ
スタのみ活性化あるいは非活性化しデータビット線の電
位を記憶データに相当するパターンの有無によって変化
させ、データビット線の電位を増幅回路で増幅して出力
回路から外部端子に出力する。ところで、このマスクR
OMの冗長救済方法には、数種類の予備データを予備メ
モリセルの中に予め作り込んでおいてそれを通常メモリ
セルに置き換える方式もある。
程の途中でフォトマスクによってチップに作り込まれ、
記憶データの内容は製品ごとに異なったものとなる。マ
スクROMでのデータの作り込みの方法は種々である
が、いずれの方式でも選択されたワード線下のトランジ
スタのみ活性化あるいは非活性化しデータビット線の電
位を記憶データに相当するパターンの有無によって変化
させ、データビット線の電位を増幅回路で増幅して出力
回路から外部端子に出力する。ところで、このマスクR
OMの冗長救済方法には、数種類の予備データを予備メ
モリセルの中に予め作り込んでおいてそれを通常メモリ
セルに置き換える方式もある。
【0014】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述の
ような構成の冗長救済回路では、予備メモリセルへの切
り替えは通常ヒューズスイッチF0〜F31の切断によ
って行なう。しかし、この場合、ヒューズの切断不良が
発生しやすく、歩留りが下がる。また、チップを封止し
た後では、ヒューズスイッチF0〜F31の切断をする
ことができないため、使用中に発生した不良ビットにつ
いては救済することができない。さらに、ヒューズスイ
ッチを多数使用するため、チップ面積が増大してしまう
という問題点があった。
ような構成の冗長救済回路では、予備メモリセルへの切
り替えは通常ヒューズスイッチF0〜F31の切断によ
って行なう。しかし、この場合、ヒューズの切断不良が
発生しやすく、歩留りが下がる。また、チップを封止し
た後では、ヒューズスイッチF0〜F31の切断をする
ことができないため、使用中に発生した不良ビットにつ
いては救済することができない。さらに、ヒューズスイ
ッチを多数使用するため、チップ面積が増大してしまう
という問題点があった。
【0015】次に、前記のような構成のマスクROM
で、工程中に予備メモリセルの中にあらかじめ数種のデ
ータを作り込んでおき、不良となったメモリセルのデー
タに合うものをその中から選択して置き換えることがで
きる。しかし、不良メモリセルと予備メモリセルとのデ
ータが一致しているかどうかを確認しなければならず、
自由度の制約から歩留り向上を期待できない。
で、工程中に予備メモリセルの中にあらかじめ数種のデ
ータを作り込んでおき、不良となったメモリセルのデー
タに合うものをその中から選択して置き換えることがで
きる。しかし、不良メモリセルと予備メモリセルとのデ
ータが一致しているかどうかを確認しなければならず、
自由度の制約から歩留り向上を期待できない。
【0016】本発明では、上記の課題に鑑み、ヒューズ
スイッチの切断による冗長救済の失敗をなくし、使用中
のチップについても冗長できる最適な不揮発性メモリを
提供することを目的とする。
スイッチの切断による冗長救済の失敗をなくし、使用中
のチップについても冗長できる最適な不揮発性メモリを
提供することを目的とする。
【0017】
【課題を解決するための手段】この課題を解決するため
に本発明の冗長救済用不揮発性メモリは、フローティン
グゲートを有する不揮発性メモリトランジスタで構成さ
れた予備ワード線選択回路と、予備メモリセルおよび予
備メモリセルと通常メモリセルからのデータを切り替え
る切り替え回路とを有する。
に本発明の冗長救済用不揮発性メモリは、フローティン
グゲートを有する不揮発性メモリトランジスタで構成さ
れた予備ワード線選択回路と、予備メモリセルおよび予
備メモリセルと通常メモリセルからのデータを切り替え
る切り替え回路とを有する。
【0018】また、予備ワード線選択回路とフローティ
ングゲートを有する不揮発性メモリトランジスタで構成
された予備メモリセルおよび予備メモリセルと通常メモ
リセルからのデータを切り替える切り替え回路とを有す
る。
ングゲートを有する不揮発性メモリトランジスタで構成
された予備メモリセルおよび予備メモリセルと通常メモ
リセルからのデータを切り替える切り替え回路とを有す
る。
【0019】また、フローティングゲートを有する不揮
発性メモリトランジスタで構成された予備ワード線選択
回路とフローティングゲートを有する不揮発性メモリト
ランジスタで構成された予備メモリセルおよび予備メモ
リセルと通常メモリセルからのデータを切り替える切り
替え回路とを有する。
発性メモリトランジスタで構成された予備ワード線選択
回路とフローティングゲートを有する不揮発性メモリト
ランジスタで構成された予備メモリセルおよび予備メモ
リセルと通常メモリセルからのデータを切り替える切り
替え回路とを有する。
【0020】
【作用】上記の構成により、ヒューズスィッチを使う必
要がないため、チップ面積を小さくできる。またし、製
品使用中に特性劣化を起こしたメモリセルを予備メモリ
セルに置き換えることを効率的に行なうことができる。
さらにヒューズスィッチの切断不良が発生することはな
く、高歩留りと高い耐久性を実現できる。
要がないため、チップ面積を小さくできる。またし、製
品使用中に特性劣化を起こしたメモリセルを予備メモリ
セルに置き換えることを効率的に行なうことができる。
さらにヒューズスィッチの切断不良が発生することはな
く、高歩留りと高い耐久性を実現できる。
【0021】また、この不揮発性メモリの構成により、
マスクROM中に予めデータを書き込んだ予備メモリセ
ルを配置する必要がなくなり、マスクROMの高歩留り
と低コスト化が実現できる。
マスクROM中に予めデータを書き込んだ予備メモリセ
ルを配置する必要がなくなり、マスクROMの高歩留り
と低コスト化が実現できる。
【0022】
【実施例】以下、本発明の第一の実施例について図面を
参照しながら説明する。
参照しながら説明する。
【0023】図1は、本発明の一実施例に係る冗長救済
用不揮発性メモリの回路図である。図1において、RW
L0〜RWLmは予備ワード線、RBL0〜RBLnは
予備データビット線、DC20〜DC35はフローティ
ングゲートを有するワード線選択不揮発性メモリトラン
ジスタ、MC20〜MC35はフローティングゲートを
有する予備メモリセル、1〜4はワード線選択回路の負
荷となるPチャネルトランジスタである。そのゲート電
極はチップコントロール信号
用不揮発性メモリの回路図である。図1において、RW
L0〜RWLmは予備ワード線、RBL0〜RBLnは
予備データビット線、DC20〜DC35はフローティ
ングゲートを有するワード線選択不揮発性メモリトラン
ジスタ、MC20〜MC35はフローティングゲートを
有する予備メモリセル、1〜4はワード線選択回路の負
荷となるPチャネルトランジスタである。そのゲート電
極はチップコントロール信号
【0024】
【外5】
【0025】に接続されている。このチップコントロー
ル信号
ル信号
【0026】
【外6】
【0027】は、動作時がロウレベル、スタンバイ時は
ハイレベルとなる。さらに、5〜8はデータビット線の
負荷となるPチャネルトランジスタである。このPチャ
ネルトランジスタ5〜8はトランジスタ1〜4と同様に
ゲート電極はチップコントロール信号
ハイレベルとなる。さらに、5〜8はデータビット線の
負荷となるPチャネルトランジスタである。このPチャ
ネルトランジスタ5〜8はトランジスタ1〜4と同様に
ゲート電極はチップコントロール信号
【0028】
【外7】
【0029】に接続されている。9〜12は予備ワード
線の選択検知用Nチャネルトランジスタ、SLは予備メ
モリセルの選択検知データ線。13はデータ線SLの負
荷となるPチャネルトランジスタ。A0,AXはアドレ
スデータ線、DI0〜DInは通常メモリセルからのデ
ータである。
線の選択検知用Nチャネルトランジスタ、SLは予備メ
モリセルの選択検知データ線。13はデータ線SLの負
荷となるPチャネルトランジスタ。A0,AXはアドレ
スデータ線、DI0〜DInは通常メモリセルからのデ
ータである。
【0030】今、アドレス信号が入力されると全てのア
ドレスデータ線
ドレスデータ線
【0031】
【外8】
【0032】に入力信号に応じたハイまたはロウレベル
が印加される。予備ワード線選択用のトランジスタDC
20〜DC35は冗長による置き換えを行うアドレスに
対応して書き込みを行う。この書き込み処理によって、
フローティングゲートへ電子の注入が行われる。これに
よってしきい値がコントロールされている。すなわち、
フローティングゲートに電子が注入されていれば、しき
い値が高くなり、注入されていなければ、しきい値は低
い状態にある。しきい値の低いトランジスタのゲート電
位が上がったとき、ドレインからソース電極へ電流が流
れ、予備ワード線RWL0〜RWLmの電位を引き下げ
る。しきい値の高いトランジスタのゲート電位はハイレ
ベル、しきい値の低いトランジスタのゲート電位がロウ
レベルとするワード線選択回路だけが、予備ワード線R
WL0〜RWLmの電位をハイレベルに保たれる。いま
予備ワード線RWL0のみハイレベルとなり、それ以外
の予備ワード線RWL1〜RWLmがロウレベルである
とすると、予備ワード線RWL0をゲートにもつメモリ
セルすなわち、フローティングゲートを有する予備メモ
リセルMC20〜MC23のデータが読み出される。予
備メモリセルMC20〜MC23についても、フローテ
ィングゲートを有するワード線選択不揮発性メモリトラ
ンジスタDC20〜DC35と同様に置き換えを行うデ
ータがすでに書き込まれている。
が印加される。予備ワード線選択用のトランジスタDC
20〜DC35は冗長による置き換えを行うアドレスに
対応して書き込みを行う。この書き込み処理によって、
フローティングゲートへ電子の注入が行われる。これに
よってしきい値がコントロールされている。すなわち、
フローティングゲートに電子が注入されていれば、しき
い値が高くなり、注入されていなければ、しきい値は低
い状態にある。しきい値の低いトランジスタのゲート電
位が上がったとき、ドレインからソース電極へ電流が流
れ、予備ワード線RWL0〜RWLmの電位を引き下げ
る。しきい値の高いトランジスタのゲート電位はハイレ
ベル、しきい値の低いトランジスタのゲート電位がロウ
レベルとするワード線選択回路だけが、予備ワード線R
WL0〜RWLmの電位をハイレベルに保たれる。いま
予備ワード線RWL0のみハイレベルとなり、それ以外
の予備ワード線RWL1〜RWLmがロウレベルである
とすると、予備ワード線RWL0をゲートにもつメモリ
セルすなわち、フローティングゲートを有する予備メモ
リセルMC20〜MC23のデータが読み出される。予
備メモリセルMC20〜MC23についても、フローテ
ィングゲートを有するワード線選択不揮発性メモリトラ
ンジスタDC20〜DC35と同様に置き換えを行うデ
ータがすでに書き込まれている。
【0033】さて、フローティングゲートに電子が蓄え
られ、しきい値が高くなっていればメモリセルに電流は
流れず、予備データビット線RBL0〜RBLnの電位
はハイレベルとなる。また、しきい値が低いときはメモ
リセルに電流が流れ、予備データビット線RBL0〜R
BLnの電位はロウレベルとなる。さらに、各予備ワー
ド線RWL0〜RWLmには選択時にオン状態となるワ
ード線をゲート電極とするNチャネルトランジスタ9〜
12が接続されている。データ切り替え回路は、この選
択検知データ線SLの電位がハイレベルのときには、通
常メモリセルのデータDI0〜DInを出力回路に送
る。選択検知データ線SLの電位がロウレベルのときに
は、予備データビット線RBL0〜RBLnのデータを
出力回路に送る。
られ、しきい値が高くなっていればメモリセルに電流は
流れず、予備データビット線RBL0〜RBLnの電位
はハイレベルとなる。また、しきい値が低いときはメモ
リセルに電流が流れ、予備データビット線RBL0〜R
BLnの電位はロウレベルとなる。さらに、各予備ワー
ド線RWL0〜RWLmには選択時にオン状態となるワ
ード線をゲート電極とするNチャネルトランジスタ9〜
12が接続されている。データ切り替え回路は、この選
択検知データ線SLの電位がハイレベルのときには、通
常メモリセルのデータDI0〜DInを出力回路に送
る。選択検知データ線SLの電位がロウレベルのときに
は、予備データビット線RBL0〜RBLnのデータを
出力回路に送る。
【0034】以上のように、本実施例によれば、ヒュー
ズ等のスイッチを使わず、冗長救済が可能となる冗長救
済用不揮発性メモリを作成することができる。
ズ等のスイッチを使わず、冗長救済が可能となる冗長救
済用不揮発性メモリを作成することができる。
【0035】次に、本発明の第二の実施例について説明
する。図1に示したような冗長救済回路で不揮発性メモ
リを構成し、マスクROMとボンディングワイヤによっ
て接続したものが図2である。
する。図1に示したような冗長救済回路で不揮発性メモ
リを構成し、マスクROMとボンディングワイヤによっ
て接続したものが図2である。
【0036】51はマスクROMチップ、52はマスク
ROMのアドレス入力バッファ、53はプリロウデコー
ダ、54はロウデコーダ、55はプリコラムデコーダ、
56はコラムデコーダ、57はセンス回路、58出力回
路、59はコントトロールバッファである。DI0〜D
InはマスクROMチップから出力され不揮発性メモリ
に入力されるデータ信号、60は冗長用不揮発性メモ
リ,61はワード線選択回路、62はメモリセル、63
はマスクROMからのデータと冗長用不揮発性メモリの
データを切り替えるデータ切り替え回路、64はコント
ロール信号のバッファである。不揮発性メモリのアドレ
ス、制御の各信号はマスクROM51と並列に入力する
かまたは、入力インピーダンスの低減を必要とする場合
はマスクROM51からアドレス、制御信号を出力さ
せ、それを不揮発性メモリに入力すればよい。
ROMのアドレス入力バッファ、53はプリロウデコー
ダ、54はロウデコーダ、55はプリコラムデコーダ、
56はコラムデコーダ、57はセンス回路、58出力回
路、59はコントトロールバッファである。DI0〜D
InはマスクROMチップから出力され不揮発性メモリ
に入力されるデータ信号、60は冗長用不揮発性メモ
リ,61はワード線選択回路、62はメモリセル、63
はマスクROMからのデータと冗長用不揮発性メモリの
データを切り替えるデータ切り替え回路、64はコント
ロール信号のバッファである。不揮発性メモリのアドレ
ス、制御の各信号はマスクROM51と並列に入力する
かまたは、入力インピーダンスの低減を必要とする場合
はマスクROM51からアドレス、制御信号を出力さ
せ、それを不揮発性メモリに入力すればよい。
【0037】マスクROM51からのデータ出力信号
は、ボンディングワイヤなどにより不揮発性メモリのR
OMデータの入力端子からチップ内に入力され、データ
切り替え回路63によって、冗長メモリセルからのデー
タとROMデータとの切り替えが行われる。この2チッ
プをプラスチックパッケージ中に一緒に封止すれば、使
用者はROMだけを封止した場合となんら変わりなく使
用することができる。このように本実施例にかかる不揮
発性メモリを使用すれば、冗長救済のむずかしいマスク
ROM51の歩留り向上と低コスト化が容易に実現でき
る。
は、ボンディングワイヤなどにより不揮発性メモリのR
OMデータの入力端子からチップ内に入力され、データ
切り替え回路63によって、冗長メモリセルからのデー
タとROMデータとの切り替えが行われる。この2チッ
プをプラスチックパッケージ中に一緒に封止すれば、使
用者はROMだけを封止した場合となんら変わりなく使
用することができる。このように本実施例にかかる不揮
発性メモリを使用すれば、冗長救済のむずかしいマスク
ROM51の歩留り向上と低コスト化が容易に実現でき
る。
【0038】なお、本発明の冗長救済回路はフローティ
ングゲートを有する不揮発性メモリトランジスタを用い
て構成したが、メモリセルへの書き込み時間が長い欠点
がある、この点については、強誘電体メモリを使用する
ことにより書き込み時間を短くすることができる。
ングゲートを有する不揮発性メモリトランジスタを用い
て構成したが、メモリセルへの書き込み時間が長い欠点
がある、この点については、強誘電体メモリを使用する
ことにより書き込み時間を短くすることができる。
【0039】
【発明の効果】本発明によれば、冗長救済回路はチップ
面積を小さくでき、製品として使用中に冗長救済を行な
うことができる。またヒューズスイッチの切断不良によ
る冗長救済の失敗がなくなるため、歩留りと耐久性の大
幅な向上が実現できる。
面積を小さくでき、製品として使用中に冗長救済を行な
うことができる。またヒューズスイッチの切断不良によ
る冗長救済の失敗がなくなるため、歩留りと耐久性の大
幅な向上が実現できる。
【0040】また、第二の効果として、不揮発性メモリ
は、マスクROMの冗長救済が行えることから、マスク
ROM中に予備メモリセルをおく必要がなくなり、マス
クROMの高歩留りと低コストが実現できる。
は、マスクROMの冗長救済が行えることから、マスク
ROM中に予備メモリセルをおく必要がなくなり、マス
クROMの高歩留りと低コストが実現できる。
【図1】本発明の第一の実施例である冗長救済用不揮発
性メモリの回路図
性メモリの回路図
【図2】本発明の第二の実施例であるマスクROMとマ
スクROMの冗長救済用不揮発性メモリのブロック図
スクROMの冗長救済用不揮発性メモリのブロック図
【図3】従来の冗長救済用不揮発性メモリの回路図
RWL0〜RWLm 予備ワード線 RBL0〜RBLn 予備データビット線 DC0〜DC15 トランジスタ DC20〜DC35 ワード線選択不揮発性メモリトラ
ンジスタ MC0〜MC15 予備メモリセル MC20〜MC35 フローティングゲートを有する予
備メモリセル F0〜F31 ヒューズスイッチ 1〜13 トランジスタ SL 選択検知データ線 A0,AX アドレスデータ線 DI0〜DIn データ 51 マスクROM 52 入力バッファ 53 プリロウデコーダ 54 ロウデコーダ 55 プリコラムデコーダ 56 コラムデコーダ 57 センス回路 58 出力回路 59 コントトロールバッファ 60 冗長用不揮発性メモリ 61 ワード線選択回路 62 メモリセル 63 データ切り替え回路 64 バッファ
ンジスタ MC0〜MC15 予備メモリセル MC20〜MC35 フローティングゲートを有する予
備メモリセル F0〜F31 ヒューズスイッチ 1〜13 トランジスタ SL 選択検知データ線 A0,AX アドレスデータ線 DI0〜DIn データ 51 マスクROM 52 入力バッファ 53 プリロウデコーダ 54 ロウデコーダ 55 プリコラムデコーダ 56 コラムデコーダ 57 センス回路 58 出力回路 59 コントトロールバッファ 60 冗長用不揮発性メモリ 61 ワード線選択回路 62 メモリセル 63 データ切り替え回路 64 バッファ
Claims (3)
- 【請求項1】 フローティングゲートを有する不揮発性
メモリトランジスタで構成された予備ワード線選択回路
と、予備メモリセルおよび予備メモリセルと通常メモリ
セルからのデータを切り替える切り替え回路とを有する
ことを特徴とする冗長救済用不揮発性メモリ。 - 【請求項2】 予備ワード線選択回路とフローティング
ゲートを有する不揮発性メモリトランジスタで構成され
た予備メモリセルおよび予備メモリセルと通常メモリセ
ルからのデータを切り替える切り替え回路とを有するこ
とを特徴とする冗長救済用不揮発性メモリ。 - 【請求項3】 フローティングゲートを有する不揮発性
メモリトランジスタで構成された予備ワード線選択回路
とフローティングゲートを有する不揮発性メモリトラン
ジスタで構成された予備メモリセルおよび予備メモリセ
ルと通常メモリセルからのデータを切り替える切り替え
回路とを有することを特徴とする冗長救済用不揮発性メ
モリ。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP33634193A JPH07192493A (ja) | 1993-12-28 | 1993-12-28 | 冗長救済用不揮発性メモリ |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP33634193A JPH07192493A (ja) | 1993-12-28 | 1993-12-28 | 冗長救済用不揮発性メモリ |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH07192493A true JPH07192493A (ja) | 1995-07-28 |
Family
ID=18298123
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP33634193A Pending JPH07192493A (ja) | 1993-12-28 | 1993-12-28 | 冗長救済用不揮発性メモリ |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH07192493A (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH07287996A (ja) * | 1994-03-31 | 1995-10-31 | Sgs Thomson Microelectron Sa | 集積回路メモリのための、冗長ヒューズを備えたマトリクス装置 |
JP2001184892A (ja) * | 1999-12-24 | 2001-07-06 | Sharp Corp | 冗長機能を有する不揮発性半導体メモリ装置 |
KR100321166B1 (ko) * | 1998-06-30 | 2002-05-13 | 박종섭 | 불휘발성메모리를이용한자동리페어회로 |
-
1993
- 1993-12-28 JP JP33634193A patent/JPH07192493A/ja active Pending
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH07287996A (ja) * | 1994-03-31 | 1995-10-31 | Sgs Thomson Microelectron Sa | 集積回路メモリのための、冗長ヒューズを備えたマトリクス装置 |
KR100321166B1 (ko) * | 1998-06-30 | 2002-05-13 | 박종섭 | 불휘발성메모리를이용한자동리페어회로 |
JP2001184892A (ja) * | 1999-12-24 | 2001-07-06 | Sharp Corp | 冗長機能を有する不揮発性半導体メモリ装置 |
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