JPH07191460A - ポジ型感光性樹脂組成物およびレジスト像の製造法 - Google Patents
ポジ型感光性樹脂組成物およびレジスト像の製造法Info
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- JPH07191460A JPH07191460A JP5329437A JP32943793A JPH07191460A JP H07191460 A JPH07191460 A JP H07191460A JP 5329437 A JP5329437 A JP 5329437A JP 32943793 A JP32943793 A JP 32943793A JP H07191460 A JPH07191460 A JP H07191460A
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Landscapes
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 感光剤の溶解性がよく、しかも基板に対する
濡れ広がり性がよく、解像度の高いポジ型感光性樹脂組
成物およびこれを用いたレジスト像の製造法を提供す
る。 【構成】 (A)アルカリ水溶液可溶性樹脂、(B)感
光剤としてナフトキノンジアジド基を有する化合物およ
び(C)溶剤として1分子内に2個のケトン基を有する
化合物を含有してなるポジ型感光性樹脂組成物およびこ
のポジ型感光性樹脂組成物を基板上に塗布、乾燥した
後、露光、現像するレジスト像の製造法。
濡れ広がり性がよく、解像度の高いポジ型感光性樹脂組
成物およびこれを用いたレジスト像の製造法を提供す
る。 【構成】 (A)アルカリ水溶液可溶性樹脂、(B)感
光剤としてナフトキノンジアジド基を有する化合物およ
び(C)溶剤として1分子内に2個のケトン基を有する
化合物を含有してなるポジ型感光性樹脂組成物およびこ
のポジ型感光性樹脂組成物を基板上に塗布、乾燥した
後、露光、現像するレジスト像の製造法。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明はポジ型感光性樹脂組成物
およびレジスト像の製造法に関し、さらに詳しくは紫外
線等の活性エネルギー線を照射して微細なレジスト像を
得るためのポジ型感光性樹脂組成物およびこれを用いた
レジスト像の製造法に関する。
およびレジスト像の製造法に関し、さらに詳しくは紫外
線等の活性エネルギー線を照射して微細なレジスト像を
得るためのポジ型感光性樹脂組成物およびこれを用いた
レジスト像の製造法に関する。
【0002】
【従来の技術】従来、感光性樹脂組成物には、フェノー
ルやクレゾールをモノマに用いたノボラック樹脂と、感
光剤として1,2−ナフトキノン−(2)−ジアジド−
4または5−スルホニルクロリドとポリヒドロキシベン
ゾフェノン、ナフトール、没食子酸エステルなどの水酸
基を有する化合物とのエステルが用いられている。例え
ば、特公昭54−20330号公報には、アルキル基が
エチル基以上の没食子酸エステルと1,2−ナフトキノ
ン−(2)−ジアジド−4または5−スルホニルクロリ
ドとを反応させた化合物を感光剤として用いた感光性樹
脂組成物が示されている。特開昭60−42753号公
報、特開昭60−158440号公報、特開昭61−8
6749号公報、特公昭37−18015号公報、特開
昭61−118744号公報および特開昭61−185
741号公報にも同様な組成物が示されている。
ルやクレゾールをモノマに用いたノボラック樹脂と、感
光剤として1,2−ナフトキノン−(2)−ジアジド−
4または5−スルホニルクロリドとポリヒドロキシベン
ゾフェノン、ナフトール、没食子酸エステルなどの水酸
基を有する化合物とのエステルが用いられている。例え
ば、特公昭54−20330号公報には、アルキル基が
エチル基以上の没食子酸エステルと1,2−ナフトキノ
ン−(2)−ジアジド−4または5−スルホニルクロリ
ドとを反応させた化合物を感光剤として用いた感光性樹
脂組成物が示されている。特開昭60−42753号公
報、特開昭60−158440号公報、特開昭61−8
6749号公報、特公昭37−18015号公報、特開
昭61−118744号公報および特開昭61−185
741号公報にも同様な組成物が示されている。
【0003】また、上記の感光性樹脂組成物の溶剤とし
ては、酢酸2−エトキシエチルまたは酢酸2−エトキシ
エチルとキシレンと酢酸ブチルとの混合溶剤が用いられ
ている。最近では、3−オクタノンを用いた例が特開平
4−29146号公報、モノオキシカルボン酸エステル
を用いた例が特公平3−22619号公報、混合溶剤を
用いた例が特開平5−34919号公報に示されてい
る。上記の感光性樹脂組成物は、解像度が優れているた
めに波長300〜500nmの紫外線を使用した露光装置
と組合わせて半導体装置などの製造に使用されている
が、近年、半導体装置の高性能化のためにますます微細
化が進み、半導体装置の線幅は、最先端では0.5ミク
ロン以下になりつつある。
ては、酢酸2−エトキシエチルまたは酢酸2−エトキシ
エチルとキシレンと酢酸ブチルとの混合溶剤が用いられ
ている。最近では、3−オクタノンを用いた例が特開平
4−29146号公報、モノオキシカルボン酸エステル
を用いた例が特公平3−22619号公報、混合溶剤を
用いた例が特開平5−34919号公報に示されてい
る。上記の感光性樹脂組成物は、解像度が優れているた
めに波長300〜500nmの紫外線を使用した露光装置
と組合わせて半導体装置などの製造に使用されている
が、近年、半導体装置の高性能化のためにますます微細
化が進み、半導体装置の線幅は、最先端では0.5ミク
ロン以下になりつつある。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、感光剤の溶
解性がよく、しかも基板に対する濡れ広がり性がよく、
解像度の高いポジ型感光性樹脂組成物およびこれを用い
たレジスト像の製造法を提供するものである。
解性がよく、しかも基板に対する濡れ広がり性がよく、
解像度の高いポジ型感光性樹脂組成物およびこれを用い
たレジスト像の製造法を提供するものである。
【0005】
【課題を解決するための手段】本発明者らは、鋭意検討
した結果、ポジ型感光性樹脂組成物の感光剤の溶解性お
よび基板に対する濡れ広がり性に優れ、かつ解像度を高
める溶剤を見出し、本発明に到達した。すなわち、本発
明は、(A)アルカリ水溶液可溶性樹脂、(B)感光剤
としてナフトキノンジアジド基を有する化合物および
(C)溶剤として1分子内に2個のケトン基を有する化
合物を含有してなるポジ型感光性樹脂組成物およびこの
ポジ型感光性樹脂組成物を基板上に塗布、乾燥した後、
露光、現像するレジスト像の製造法に関する。
した結果、ポジ型感光性樹脂組成物の感光剤の溶解性お
よび基板に対する濡れ広がり性に優れ、かつ解像度を高
める溶剤を見出し、本発明に到達した。すなわち、本発
明は、(A)アルカリ水溶液可溶性樹脂、(B)感光剤
としてナフトキノンジアジド基を有する化合物および
(C)溶剤として1分子内に2個のケトン基を有する化
合物を含有してなるポジ型感光性樹脂組成物およびこの
ポジ型感光性樹脂組成物を基板上に塗布、乾燥した後、
露光、現像するレジスト像の製造法に関する。
【0006】本発明に用いられるアルカリ水溶液可溶性
樹脂(A)としては、アルカリ水溶液に可溶な樹脂であ
れば使用することができる。特にフェノール類とアルデ
ヒド類とを縮合させたノボラック樹脂が好ましい。フェ
ノール類としては、フェノール、クレゾール、キシレノ
ール、トリメチルフェノール、ブチルフェノール、ナフ
トール、レゾルシノール、カテコール、ピロガロールな
どが用いられ、これらは1種類でまたは2種以上を組合
わせて用いることができる。アルデヒド類としては、ホ
ルムアルデヒド、パラホルムアルデヒド等が用いられ
る。ノボラック樹脂の合成触媒には、塩酸や蓚酸などを
用い、通常60〜120℃の温度で数時間反応させた
後、減圧下で加熱して水および未反応のフェノール類が
除去される。
樹脂(A)としては、アルカリ水溶液に可溶な樹脂であ
れば使用することができる。特にフェノール類とアルデ
ヒド類とを縮合させたノボラック樹脂が好ましい。フェ
ノール類としては、フェノール、クレゾール、キシレノ
ール、トリメチルフェノール、ブチルフェノール、ナフ
トール、レゾルシノール、カテコール、ピロガロールな
どが用いられ、これらは1種類でまたは2種以上を組合
わせて用いることができる。アルデヒド類としては、ホ
ルムアルデヒド、パラホルムアルデヒド等が用いられ
る。ノボラック樹脂の合成触媒には、塩酸や蓚酸などを
用い、通常60〜120℃の温度で数時間反応させた
後、減圧下で加熱して水および未反応のフェノール類が
除去される。
【0007】本発明に感光剤として使用するナフトキノ
ンジアジド基を有する化合物(B)には、公知の感光剤
を用いることができる。例えば、トリヒドロキシベンゾ
フェノンのナフトキノンジアジドエステル、テトラヒド
ロキシベンゾフェノンのナフトキノンジアジドエステル
などのポリヒドロキシベンゾフェノンのナフトキノンジ
アジドエステル、ナフトール、没食子酸エステル、4
b,5,9,b,10b−テトラヒドロ−2,3,4,
8−テトラヒドロキシ−5,10−ジメチルインデノ
〔2,1−a〕インデンなどの水酸基を有する化合物と
のナフトキノンジアジドエステルなどが用いられる。4
b,5,9,b,10b−テトラヒドロ−2,3,4,
8−テトラヒドロキシ−5,10−ジメチルインデノ
〔2,1−a〕インデンは、公知の化合物で、カテコー
ルとアセトニルアセトンとを硫酸中で70〜80℃で反
応させて得ることができる。
ンジアジド基を有する化合物(B)には、公知の感光剤
を用いることができる。例えば、トリヒドロキシベンゾ
フェノンのナフトキノンジアジドエステル、テトラヒド
ロキシベンゾフェノンのナフトキノンジアジドエステル
などのポリヒドロキシベンゾフェノンのナフトキノンジ
アジドエステル、ナフトール、没食子酸エステル、4
b,5,9,b,10b−テトラヒドロ−2,3,4,
8−テトラヒドロキシ−5,10−ジメチルインデノ
〔2,1−a〕インデンなどの水酸基を有する化合物と
のナフトキノンジアジドエステルなどが用いられる。4
b,5,9,b,10b−テトラヒドロ−2,3,4,
8−テトラヒドロキシ−5,10−ジメチルインデノ
〔2,1−a〕インデンは、公知の化合物で、カテコー
ルとアセトニルアセトンとを硫酸中で70〜80℃で反
応させて得ることができる。
【0008】本発明に用いられる溶剤(C)は、1分子
内に2個のケトン基を有する化合物であり、例えば、
2,3−ブタンジオン、2,4−ペンタンジオン、2,
5−ヘキサンジオン、2,3−ヘプタンジオン等が挙げ
られる。これらのうち、感光剤の溶解性から、2,3−
ブタンジオン、2,4−ペンタンジオンおよび2,5−
ヘキサンジオンが好ましく、感光性樹脂溶液の基板上の
濡れ広がり性を考慮すると、2,4−ペンタンジオンが
より好ましい。1分子内に2個のケトン基を有する化合
物は、上記のナフトキノンジアジド基を有する化合物
(B)に対して高い溶解性を示すため、ポジ型感光性樹
脂組成物の保存安定性を向上させ、かつ該ポジ型感光性
樹脂組成物の感度を高めることが可能である。
内に2個のケトン基を有する化合物であり、例えば、
2,3−ブタンジオン、2,4−ペンタンジオン、2,
5−ヘキサンジオン、2,3−ヘプタンジオン等が挙げ
られる。これらのうち、感光剤の溶解性から、2,3−
ブタンジオン、2,4−ペンタンジオンおよび2,5−
ヘキサンジオンが好ましく、感光性樹脂溶液の基板上の
濡れ広がり性を考慮すると、2,4−ペンタンジオンが
より好ましい。1分子内に2個のケトン基を有する化合
物は、上記のナフトキノンジアジド基を有する化合物
(B)に対して高い溶解性を示すため、ポジ型感光性樹
脂組成物の保存安定性を向上させ、かつ該ポジ型感光性
樹脂組成物の感度を高めることが可能である。
【0009】上記の1分子内に2個のケトン基を有する
化合物には、本発明の目的を損なわない範囲で溶剤とし
て他の化合物を混合してもよい。他の化合物としては、
アセトン、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケト
ン等の鎖状のケトン類、シクロヘキサノン、シクロペン
タノン等の環状のケトン類、トルエン、キシレン等の芳
香族系化合物、メチルセロソルブ、メチルセロソルブア
セテート、エチルセロソルブアセトート等のセロソルブ
系化合物、酢酸エチル、酢酸ブチル、酢酸イソアミル等
のエステル系化合物、メタノール、エタノール、プロパ
ノール、ジアセトンアルコール等のアルコール系化合物
等が用いられる。
化合物には、本発明の目的を損なわない範囲で溶剤とし
て他の化合物を混合してもよい。他の化合物としては、
アセトン、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケト
ン等の鎖状のケトン類、シクロヘキサノン、シクロペン
タノン等の環状のケトン類、トルエン、キシレン等の芳
香族系化合物、メチルセロソルブ、メチルセロソルブア
セテート、エチルセロソルブアセトート等のセロソルブ
系化合物、酢酸エチル、酢酸ブチル、酢酸イソアミル等
のエステル系化合物、メタノール、エタノール、プロパ
ノール、ジアセトンアルコール等のアルコール系化合物
等が用いられる。
【0010】アルカリ水溶液可溶性樹脂(A)およびナ
フトキノンジアジド基を有する化合物(B)の配合割合
は、アルカリ水溶液可溶性樹脂(A)100重量部に対
してナフトキノンジアジド基を有する化合物(B)を1
0〜30重量部の範囲とするのが好ましい。ナフトキノ
ンジアジド基を有する化合物(B)が10重量部未満で
は現像時の膜減り量が大きく、30重量部を超えると組
成物の感度が低くなる傾向がある。上記の量の(A)と
(B)を、ポジ型感光性樹脂組成物の粘度、塗布膜厚等
の点から1分子内に2個のケトン基を有する化合物
(C)200〜1000重量部に溶解するのが好まし
い。
フトキノンジアジド基を有する化合物(B)の配合割合
は、アルカリ水溶液可溶性樹脂(A)100重量部に対
してナフトキノンジアジド基を有する化合物(B)を1
0〜30重量部の範囲とするのが好ましい。ナフトキノ
ンジアジド基を有する化合物(B)が10重量部未満で
は現像時の膜減り量が大きく、30重量部を超えると組
成物の感度が低くなる傾向がある。上記の量の(A)と
(B)を、ポジ型感光性樹脂組成物の粘度、塗布膜厚等
の点から1分子内に2個のケトン基を有する化合物
(C)200〜1000重量部に溶解するのが好まし
い。
【0011】本発明になるポジ型感光性樹脂組成物を基
板上に塗布、乾燥して得られる感光膜を活性エネルギー
線で露光し、アルカリ水溶液で現像してレジスト像が製
造される。この塗膜に照射する活性エネルギー線として
は、紫外線、遠紫外線、X線、電子線等が使われ、照射
は公知の手段により行われる。アルカリ水溶液として
は、通常、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、水酸化
テトラメチルアンモニウム、コリン等の5重量%以下、
好ましくは1.5〜3.0重量%の水溶液が用いられ
る。塗布する基板としては、シリコン、アルミニウム、
ガラス、石英、クロム、酸化クロムなどが用いられる。
本発明になるポジ型感光性樹脂組成物は、目的に応じて
副次的な成分を含有してもよい。これらの例としては、
例えば貯蔵安定性を図るための熱重合防止剤、塗布膜厚
を均一にする界面活性剤、基板との密着性を向上させる
ための密着性向上剤等が挙げられる。
板上に塗布、乾燥して得られる感光膜を活性エネルギー
線で露光し、アルカリ水溶液で現像してレジスト像が製
造される。この塗膜に照射する活性エネルギー線として
は、紫外線、遠紫外線、X線、電子線等が使われ、照射
は公知の手段により行われる。アルカリ水溶液として
は、通常、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、水酸化
テトラメチルアンモニウム、コリン等の5重量%以下、
好ましくは1.5〜3.0重量%の水溶液が用いられ
る。塗布する基板としては、シリコン、アルミニウム、
ガラス、石英、クロム、酸化クロムなどが用いられる。
本発明になるポジ型感光性樹脂組成物は、目的に応じて
副次的な成分を含有してもよい。これらの例としては、
例えば貯蔵安定性を図るための熱重合防止剤、塗布膜厚
を均一にする界面活性剤、基板との密着性を向上させる
ための密着性向上剤等が挙げられる。
【0012】
【実施例】以下、本発明を実施例により詳しく説明する
が、本発明はこれらに限定されるものではない。 (1)感光剤Aの合成 下記の構造を有する4b,5,9,b,10b−テトラ
ヒドロ−2,3,4,8−テトラヒドロキシ−5,10
−ジメチルインデノ〔2,1−a〕インデン11.4重
量部およびナフトキノン−1,2−ジアジド−5−スル
ホニルクロリド36.0重量部(3.5モル比)を、ジ
オキサン200重量部とアセトン200重量部の混合溶
剤中に仕込み、攪拌下にトリエチルアミン13.7重量
部、ジオキサン25.0重量部およびアセトン25重量
部との混合液を徐々に滴下し、4時間反応させた。反応
終了後、内容物を1重量%塩酸水溶液中に滴下し、生じ
た沈澱を濾別後、水洗し、メタノールで洗浄し、40℃
で10mmHg下10時間真空乾燥して感光剤Aを得た。
が、本発明はこれらに限定されるものではない。 (1)感光剤Aの合成 下記の構造を有する4b,5,9,b,10b−テトラ
ヒドロ−2,3,4,8−テトラヒドロキシ−5,10
−ジメチルインデノ〔2,1−a〕インデン11.4重
量部およびナフトキノン−1,2−ジアジド−5−スル
ホニルクロリド36.0重量部(3.5モル比)を、ジ
オキサン200重量部とアセトン200重量部の混合溶
剤中に仕込み、攪拌下にトリエチルアミン13.7重量
部、ジオキサン25.0重量部およびアセトン25重量
部との混合液を徐々に滴下し、4時間反応させた。反応
終了後、内容物を1重量%塩酸水溶液中に滴下し、生じ
た沈澱を濾別後、水洗し、メタノールで洗浄し、40℃
で10mmHg下10時間真空乾燥して感光剤Aを得た。
【0013】実施例1 メタパラクレゾールノボラック樹脂(仕込みのメタクレ
ゾール/パラクレゾール=55/45重量比、ポリスチ
レン換算分子量=10,000)90g、2,3,4,
4−テトラヒドロキシベンゾフェノンのナフトキノンジ
アジドエステル(東洋合成工業株式会社製;品名4NT
−350)18gおよび界面活性剤(住友3M株式会社
製;品名FC−431)0.1gを2,4−ペンタンジ
オン270gに溶解させた後、孔径0.2μmのメンブ
ランフィルタで濾過してポジ型感光性樹脂組成物を得
た。
ゾール/パラクレゾール=55/45重量比、ポリスチ
レン換算分子量=10,000)90g、2,3,4,
4−テトラヒドロキシベンゾフェノンのナフトキノンジ
アジドエステル(東洋合成工業株式会社製;品名4NT
−350)18gおよび界面活性剤(住友3M株式会社
製;品名FC−431)0.1gを2,4−ペンタンジ
オン270gに溶解させた後、孔径0.2μmのメンブ
ランフィルタで濾過してポジ型感光性樹脂組成物を得
た。
【0014】得られた組成物をHMDS(ヘキサメチル
ジシラザン)で処理したシリコン基板上に回転塗布し、
80℃で90秒間ホットプレートで乾燥して2.07μ
m厚の感光膜を得た。このときの基板に対する濡れ広が
り性は良好であった。ついで、塗膜を日立製作所製i線
縮小露光装置(LD−5010i)を使用し、フォトマ
スクを介して露光し、その後110℃で90秒間加熱し
た後、水酸化テトラメチルアンモニウムの2.38重量
%水溶液で60秒間現像した。得られた像を観察したと
ころ、0.7μmのパターンが膜減りなく得られ、露光
量は220mJ/cm2と高感度であった。
ジシラザン)で処理したシリコン基板上に回転塗布し、
80℃で90秒間ホットプレートで乾燥して2.07μ
m厚の感光膜を得た。このときの基板に対する濡れ広が
り性は良好であった。ついで、塗膜を日立製作所製i線
縮小露光装置(LD−5010i)を使用し、フォトマ
スクを介して露光し、その後110℃で90秒間加熱し
た後、水酸化テトラメチルアンモニウムの2.38重量
%水溶液で60秒間現像した。得られた像を観察したと
ころ、0.7μmのパターンが膜減りなく得られ、露光
量は220mJ/cm2と高感度であった。
【0015】実施例2 実施例1において、ナフトキノンジアジド基を有する化
合物として、前記の合成で得た感光剤A22.5gを用
いた以外は実施例1と同様にしてポジ型感光性樹脂組成
物を得た。得られた組成物を実施例1と同じ方法で塗
布、露光、加熱、現像して0.7μmの像を得たが、露
光量は200mJ/cm2と高感度で、膜減りも認められなか
った。また、塗布の際の感光性樹脂組成物の濡れ広がり
性も良好であった。
合物として、前記の合成で得た感光剤A22.5gを用
いた以外は実施例1と同様にしてポジ型感光性樹脂組成
物を得た。得られた組成物を実施例1と同じ方法で塗
布、露光、加熱、現像して0.7μmの像を得たが、露
光量は200mJ/cm2と高感度で、膜減りも認められなか
った。また、塗布の際の感光性樹脂組成物の濡れ広がり
性も良好であった。
【0016】実施例3 実施例1において、ナフトキノンジアジド基を有する化
合物として前記の合成で得た感光剤A22.5gを2,
3−ブタンジオン270gに溶解させた以外は実施例1
と同様にしてポジ型感光性樹脂組成物を得た。得られた
組成物を実施例1と同じ方法で塗布、露光、加熱、現像
して0.7μmの像を得たが、露光量は200mJ/cm2と
高感度で、膜減りも認められなかった。また、塗布の際
の感光性樹脂組成物の濡れ広がり性も良好であった。
合物として前記の合成で得た感光剤A22.5gを2,
3−ブタンジオン270gに溶解させた以外は実施例1
と同様にしてポジ型感光性樹脂組成物を得た。得られた
組成物を実施例1と同じ方法で塗布、露光、加熱、現像
して0.7μmの像を得たが、露光量は200mJ/cm2と
高感度で、膜減りも認められなかった。また、塗布の際
の感光性樹脂組成物の濡れ広がり性も良好であった。
【0017】比較例1、2 実施例2で使用した感光剤A5gを、1分子内に1個の
ケトン基を持つ化合物に変えて他のケトン系化合物であ
る2−ヘプタノンおよび2−ヘキサノンのそれぞれ10
0gに室温で溶解させようと試みたが、いずれも溶解せ
ず、ポジ型感光性樹脂組成物を調製することができなか
った。なお、同一の条件下で2,4−ペンタンジオンに
は溶解した。
ケトン基を持つ化合物に変えて他のケトン系化合物であ
る2−ヘプタノンおよび2−ヘキサノンのそれぞれ10
0gに室温で溶解させようと試みたが、いずれも溶解せ
ず、ポジ型感光性樹脂組成物を調製することができなか
った。なお、同一の条件下で2,4−ペンタンジオンに
は溶解した。
【0018】
【発明の効果】本発明によれば、溶剤として感光剤に対
する溶解性に優れる1分子内に2個のケトン基を持つ溶
剤を使用するため、ポジ型感光性樹脂組成物の基板に対
する濡れ広がり性、ポジ型感光性樹脂組成物の保存安定
性および解像度が向上し、微細なレジスト像を得ること
ができる。本発明のポジ型感光性樹脂組成物は、写真工
業、電子工業、印刷工業等の分野に広く使用することが
可能である。
する溶解性に優れる1分子内に2個のケトン基を持つ溶
剤を使用するため、ポジ型感光性樹脂組成物の基板に対
する濡れ広がり性、ポジ型感光性樹脂組成物の保存安定
性および解像度が向上し、微細なレジスト像を得ること
ができる。本発明のポジ型感光性樹脂組成物は、写真工
業、電子工業、印刷工業等の分野に広く使用することが
可能である。
Claims (2)
- 【請求項1】 (A)アルカリ水溶液可溶性樹脂、
(B)感光剤としてナフトキノンジアジド基を有する化
合物および(C)溶剤として1分子内に2個のケトン基
を有する化合物を含有してなるポジ型感光性樹脂組成
物。 - 【請求項2】 請求項1記載のポジ型感光性樹脂組成物
を基板上に塗布、乾燥した後、露光、現像するレジスト
像の製造法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP5329437A JPH07191460A (ja) | 1993-12-27 | 1993-12-27 | ポジ型感光性樹脂組成物およびレジスト像の製造法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP5329437A JPH07191460A (ja) | 1993-12-27 | 1993-12-27 | ポジ型感光性樹脂組成物およびレジスト像の製造法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH07191460A true JPH07191460A (ja) | 1995-07-28 |
Family
ID=18221368
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP5329437A Pending JPH07191460A (ja) | 1993-12-27 | 1993-12-27 | ポジ型感光性樹脂組成物およびレジスト像の製造法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH07191460A (ja) |
-
1993
- 1993-12-27 JP JP5329437A patent/JPH07191460A/ja active Pending
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