JPH07190945A - マスク検査装置 - Google Patents
マスク検査装置Info
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- JPH07190945A JPH07190945A JP34847493A JP34847493A JPH07190945A JP H07190945 A JPH07190945 A JP H07190945A JP 34847493 A JP34847493 A JP 34847493A JP 34847493 A JP34847493 A JP 34847493A JP H07190945 A JPH07190945 A JP H07190945A
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- Investigating Materials By The Use Of Optical Means Adapted For Particular Applications (AREA)
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】透明な欠陥と不透明な欠陥の検出感度を均等で
きるマスク検査装置を提供する。 【構成】マスク１の上面に向けて垂直な方向から光を照
射する第１の照明装置２と、マスク１の下面に向けて光
を照射する第２の照明装置３と、マスク１の上面を観察
する光学センサ６と、この光学センサ６の出力から第１
の照明装置２のみを動作させたときの第１の画像情報と
第２の照明装置３のみを動作させたときの第２の画像情
報とを得る手段５、７、１５、９、１０と、第１の画像
情報に対してマスク１の不透明部１７の光反射率を補正
した第３の画像情報を得る手段１１と、第２の画像情報
に対してマスク１の透明部１６の光透過率を補正した第
４の画像信号を得る手段１２と、第３の画像情報と第４
の画像情報との差の画像情報を出力する手段１３、１４
とを備えている。
きるマスク検査装置を提供する。 【構成】マスク１の上面に向けて垂直な方向から光を照
射する第１の照明装置２と、マスク１の下面に向けて光
を照射する第２の照明装置３と、マスク１の上面を観察
する光学センサ６と、この光学センサ６の出力から第１
の照明装置２のみを動作させたときの第１の画像情報と
第２の照明装置３のみを動作させたときの第２の画像情
報とを得る手段５、７、１５、９、１０と、第１の画像
情報に対してマスク１の不透明部１７の光反射率を補正
した第３の画像情報を得る手段１１と、第２の画像情報
に対してマスク１の透明部１６の光透過率を補正した第
４の画像信号を得る手段１２と、第３の画像情報と第４
の画像情報との差の画像情報を出力する手段１３、１４
とを備えている。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、たとえば半導体集積回
路や液晶表示装置の製造工程等において使用されるマス
クの欠陥を検査するマスク検査装置に関する。
路や液晶表示装置の製造工程等において使用されるマス
クの欠陥を検査するマスク検査装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】周知のように、半導体集積回路の製造工
程においては、マスクに描かれている図形パターンを半
導体上に縮小転写することが行われている。
程においては、マスクに描かれている図形パターンを半
導体上に縮小転写することが行われている。
【０００３】このような用途のマスクに欠陥が存在する
と、そのマスクを用いて製造された製品全てに欠陥部が
転写されることになる。したがって、通常はマスク製作
後に検査を行い、合格したマスクだけを用いるようにし
ている。
と、そのマスクを用いて製造された製品全てに欠陥部が
転写されることになる。したがって、通常はマスク製作
後に検査を行い、合格したマスクだけを用いるようにし
ている。
【０００４】ところで、マスクを検査する手段として
は、図３に示すように、透過照明光を検出する検査装置
が用いられている。
は、図３に示すように、透過照明光を検出する検査装置
が用いられている。
【０００５】すなわち、図中１はテーブル８に支持され
たマスクを示している。このマスク１には透明部１６と
クロムパターンなどによって形成された不透明部１７と
が存在している。
たマスクを示している。このマスク１には透明部１６と
クロムパターンなどによって形成された不透明部１７と
が存在している。
【０００６】従来のマスク検査装置では、検査対象であ
るマスク１の下面に向けて照明装置５３で光を照射し、
マスク１を透過した光をマスク１の上方に配置された光
学センサ５６で検出する。そして、光学センサ５６の出
力をＡ／Ｄ変換装置５７でデジタル信号に変換した後に
メモリ５９に格納し、この格納情報を補正装置６１で補
正した後に出力装置６４から出力させるようにしてい
る。このように、従来のマスク検査装置では、照明装置
５３からの透過照明光を光学センサ５６で検出する方式
を採用している。
るマスク１の下面に向けて照明装置５３で光を照射し、
マスク１を透過した光をマスク１の上方に配置された光
学センサ５６で検出する。そして、光学センサ５６の出
力をＡ／Ｄ変換装置５７でデジタル信号に変換した後に
メモリ５９に格納し、この格納情報を補正装置６１で補
正した後に出力装置６４から出力させるようにしてい
る。このように、従来のマスク検査装置では、照明装置
５３からの透過照明光を光学センサ５６で検出する方式
を採用している。
【０００７】しかしながら、透過照明光を検出する方式
では、マスク１の不透明部１７にある透明な欠陥（ピン
ホール）の検出感度が透明部１６にある不透明な欠陥
（ピンスポット）のそれより低い傾向にあり、不透明部
１７にあるピンホールを検出し難い問題があった。
では、マスク１の不透明部１７にある透明な欠陥（ピン
ホール）の検出感度が透明部１６にある不透明な欠陥
（ピンスポット）のそれより低い傾向にあり、不透明部
１７にあるピンホールを検出し難い問題があった。
【０００８】インコヒーレントな結像であれば物体と画
像に光強度の線形性が成り立ち、同じ大きさのピンホー
ルとピンスポットとは互いに白黒反転の像となる。しか
し、現実の光学系は部分コヒーレント結像であるため、
上記の線形性が成り立たないことが原因の１つと挙げら
れる。
像に光強度の線形性が成り立ち、同じ大きさのピンホー
ルとピンスポットとは互いに白黒反転の像となる。しか
し、現実の光学系は部分コヒーレント結像であるため、
上記の線形性が成り立たないことが原因の１つと挙げら
れる。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】上述の如く、従来のマ
スク検査装置にあっては、透過照明光による検査を行な
っているため、ピンホール等の透明な欠陥の検出感度が
ピンスポット等の不透明な欠陥のそれよりも低い傾向と
なる問題があった。
スク検査装置にあっては、透過照明光による検査を行な
っているため、ピンホール等の透明な欠陥の検出感度が
ピンスポット等の不透明な欠陥のそれよりも低い傾向と
なる問題があった。
【００１０】そこで本発明は、上述した不具合を解消で
き、透明な欠陥と不透明な欠陥との検出感度を均等にす
ることができ、いずれの欠陥でも良好に検出できるマス
ク検査装置を提供することを目的としている。
き、透明な欠陥と不透明な欠陥との検出感度を均等にす
ることができ、いずれの欠陥でも良好に検出できるマス
ク検査装置を提供することを目的としている。
【００１１】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明は、透明部と不透明部（または半透明部）と
を備えたマスクを検査するためのものであって、前記マ
スクの上面に向けて垂直な方向から光を照射する第１の
照明手段と、前記マスクの下面に向けて光を照射する第
２の照明手段と、前記マスクの上面を観察する観察手段
と、この観察手段の出力から前記第１の照明手段のみを
動作させたときの第１の画像情報と前記第２の照明手段
のみを動作させたときの第２の画像情報とを得る手段
と、前記第１の画像情報に対して前記マスクの不透明部
の光反射率を補正した第３の画像情報を得る手段と、前
記第２の画像情報に対して前記マスクの透明部の光透過
率を補正した第４の画像情報を得る手段と、前記第３の
画像情報と前記第４の画像情報との差の画像情報を出力
する手段とを備えている。
に、本発明は、透明部と不透明部（または半透明部）と
を備えたマスクを検査するためのものであって、前記マ
スクの上面に向けて垂直な方向から光を照射する第１の
照明手段と、前記マスクの下面に向けて光を照射する第
２の照明手段と、前記マスクの上面を観察する観察手段
と、この観察手段の出力から前記第１の照明手段のみを
動作させたときの第１の画像情報と前記第２の照明手段
のみを動作させたときの第２の画像情報とを得る手段
と、前記第１の画像情報に対して前記マスクの不透明部
の光反射率を補正した第３の画像情報を得る手段と、前
記第２の画像情報に対して前記マスクの透明部の光透過
率を補正した第４の画像情報を得る手段と、前記第３の
画像情報と前記第４の画像情報との差の画像情報を出力
する手段とを備えている。
【００１２】
【作用】このように構成されているので、透明な欠陥と
不透明（または半透明）な欠陥との検出感度を均等にす
ることが可能となる。
不透明（または半透明）な欠陥との検出感度を均等にす
ることが可能となる。
【００１３】
【実施例】以下、図面を参照しながら実施例を説明す
る。
る。
【００１４】図１には本発明の一実施例に係るマスク検
査装置の概略構成が示されている。
査装置の概略構成が示されている。
【００１５】検査対象であるマスク１はテーブル８に支
持されている。このマスク１には透明部１６とクロムパ
ターンなどによって形成された不透明部１７とが存在し
ている。
持されている。このマスク１には透明部１６とクロムパ
ターンなどによって形成された不透明部１７とが存在し
ている。
【００１６】この検査装置は、マスク１の上面に向けて
光を照射する第１の照明装置２と、マスク１の下面に向
けて光を照射する第２の照明装置３とを備えている。第
１の照明装置２から出た光はビームスプリッタ４を介し
てマスク１の上面に垂直に照射され、第２の照明装置３
から出た光は直接、マスク１の下面に垂直に照射され
る。そして、第１の照明装置２と第２の照明装置３とは
照明制御装置５によって切り替え制御される。
光を照射する第１の照明装置２と、マスク１の下面に向
けて光を照射する第２の照明装置３とを備えている。第
１の照明装置２から出た光はビームスプリッタ４を介し
てマスク１の上面に垂直に照射され、第２の照明装置３
から出た光は直接、マスク１の下面に垂直に照射され
る。そして、第１の照明装置２と第２の照明装置３とは
照明制御装置５によって切り替え制御される。
【００１７】ビームスプリッタ４の上方には光学センサ
６が配置されている。この光学センサ６の出力はＡ／Ｄ
変換装置７でディジタル信号に変換され、メモリバンク
切替装置１５を介して第１のメモリ９または第２のメモ
リ１０に格納される。
６が配置されている。この光学センサ６の出力はＡ／Ｄ
変換装置７でディジタル信号に変換され、メモリバンク
切替装置１５を介して第１のメモリ９または第２のメモ
リ１０に格納される。
【００１８】メモリバンク切替装置１５は照明制御装置
５の切り替え信号に同期して切り替え動作を行う。この
動作によって、第１の照明装置２の照射により得られた
第１の画像情報は第１のメモリ９に格納され、第２の照
明装置３の照射により得られた第２の画像情報は第２の
メモリ１０に格納される。
５の切り替え信号に同期して切り替え動作を行う。この
動作によって、第１の照明装置２の照射により得られた
第１の画像情報は第１のメモリ９に格納され、第２の照
明装置３の照射により得られた第２の画像情報は第２の
メモリ１０に格納される。
【００１９】第１のメモリ９から読み出された第１の画
像情報は第１の補正装置１１で補正された後に差演算装
置１３の一方の入力端に導入される。また、第２のメモ
リ１０から読み出された第２の画像情報は第２の補正装
置１２で補正された後に差演算装置１３の他方の入力端
に導入される。
像情報は第１の補正装置１１で補正された後に差演算装
置１３の一方の入力端に導入される。また、第２のメモ
リ１０から読み出された第２の画像情報は第２の補正装
置１２で補正された後に差演算装置１３の他方の入力端
に導入される。
【００２０】第１の補正装置１１は、第１のメモリ９か
ら読み出された第１の画像情報に対してマスク１の不透
明部１７の光反射率を補正して第３の画像情報を得る。
また、第２の補正装置１２は、第２のメモリ１０から読
み出された第２の画像情報に対してマスク１の透明部１
６の光透過率を補正して第４の画像情報を得る。そして
差演算装置１３は、第３の画像情報と第４の画像情報と
の差を求め、この差画像情報が出力装置１４から出力さ
れる。
ら読み出された第１の画像情報に対してマスク１の不透
明部１７の光反射率を補正して第３の画像情報を得る。
また、第２の補正装置１２は、第２のメモリ１０から読
み出された第２の画像情報に対してマスク１の透明部１
６の光透過率を補正して第４の画像情報を得る。そして
差演算装置１３は、第３の画像情報と第４の画像情報と
の差を求め、この差画像情報が出力装置１４から出力さ
れる。
【００２１】次に、上記のように構成されたマスク検査
装置の動作を説明する。
装置の動作を説明する。
【００２２】まず、第１の照明装置２によりマスク１の
上面が照射される。このように、マスク１の上面が照射
されると、一般に、マスク１の透明部１６では照射され
た光のほとんどが透過するため、この透明部１６から光
学センサ６に向けて入射する光の強度は小さい。マスク
１の不透明部１７では光が反射されるため、この部分か
ら光学センサ６に向けて入射する光の強度は大きい。こ
のようなマスク像が光学センサ６によって検出され、こ
の検出されたマスク像情報がＡ／Ｄ変換装置７でディジ
タル信号に変換され、第１の画像信号として第１のメモ
リ９に格納される。
上面が照射される。このように、マスク１の上面が照射
されると、一般に、マスク１の透明部１６では照射され
た光のほとんどが透過するため、この透明部１６から光
学センサ６に向けて入射する光の強度は小さい。マスク
１の不透明部１７では光が反射されるため、この部分か
ら光学センサ６に向けて入射する光の強度は大きい。こ
のようなマスク像が光学センサ６によって検出され、こ
の検出されたマスク像情報がＡ／Ｄ変換装置７でディジ
タル信号に変換され、第１の画像信号として第１のメモ
リ９に格納される。
【００２３】一方、第２の照明装置３によってマスク１
の下面が照射されると、一般に、マスク１の透明部１６
では照射された光のほとんどが透過するため、この部分
から光学センサ６に向けて入射する光の強度は大きい。
マスク１の不透明部１７では光が反射されるため、この
部分から光学センサ６に向けて入射する光の強度は小さ
い。このようなマスク像が光学センサ６によって検出さ
れ、この検出されたマスク像情報がＡ／Ｄ変換装置７で
ディジタル信号に変換され、第２の画像信号として第２
のメモリ１０に格納される。
の下面が照射されると、一般に、マスク１の透明部１６
では照射された光のほとんどが透過するため、この部分
から光学センサ６に向けて入射する光の強度は大きい。
マスク１の不透明部１７では光が反射されるため、この
部分から光学センサ６に向けて入射する光の強度は小さ
い。このようなマスク像が光学センサ６によって検出さ
れ、この検出されたマスク像情報がＡ／Ｄ変換装置７で
ディジタル信号に変換され、第２の画像信号として第２
のメモリ１０に格納される。
【００２４】第１のメモリ９から読み出された第１の画
像情報は、第１の補正装置１１によってマスク１の不透
明部１７の光反射率が補正され、第３の画像情報に変換
される。また、第２のメモリ１０から読み出された第２
の画像情報は、第２の補正装置１２によってマスク１の
透明部１６の光透過率が補正され、第４の画像情報に変
換される。そして、第３の画像情報と第４の画像情報と
の差が差演算装置１３によって求められ、この差画像情
報が出力装置１４から出力される。
像情報は、第１の補正装置１１によってマスク１の不透
明部１７の光反射率が補正され、第３の画像情報に変換
される。また、第２のメモリ１０から読み出された第２
の画像情報は、第２の補正装置１２によってマスク１の
透明部１６の光透過率が補正され、第４の画像情報に変
換される。そして、第３の画像情報と第４の画像情報と
の差が差演算装置１３によって求められ、この差画像情
報が出力装置１４から出力される。
【００２５】現在使用されている５倍体のマスクの透明
部の強度透過率はほぼ100%であるのに対し、不透明部の
強度反射率はＣｒ（クロム）で50〜70% 、Ｃｒ−ＣｒＯ
x （反射防止膜つきクロム）で15% 以下である。このよ
うなことから、透過率と反射率の違い、またマスクの種
別毎の反射率の違いが第１の補正装置１１および第２の
補正装置１２によって補正される。
部の強度透過率はほぼ100%であるのに対し、不透明部の
強度反射率はＣｒ（クロム）で50〜70% 、Ｃｒ−ＣｒＯ
x （反射防止膜つきクロム）で15% 以下である。このよ
うなことから、透過率と反射率の違い、またマスクの種
別毎の反射率の違いが第１の補正装置１１および第２の
補正装置１２によって補正される。
【００２６】次に、本実施例装置の具体的な処理例を図
２を参照しながら説明する。
２を参照しながら説明する。
【００２７】まず、同図(a) に示すように、マスク１に
は、透明部１６に不透明欠陥としてのピンスポット１８
があり、不透明部１７に透明欠陥としてのピンホール１
９があったとする。
は、透明部１６に不透明欠陥としてのピンスポット１８
があり、不透明部１７に透明欠陥としてのピンホール１
９があったとする。
【００２８】第１の照明装置２によりマスク１の上面が
照射されると、第１のメモリ９には同図(b) に示す光強
度の第１の画像情報が格納される。また、第２の照明装
置３によりマスク１の下面が照射されると、第２のメモ
リ１０には同図(c) に示す光強度の第２の画像情報が格
納される。
照射されると、第１のメモリ９には同図(b) に示す光強
度の第１の画像情報が格納される。また、第２の照明装
置３によりマスク１の下面が照射されると、第２のメモ
リ１０には同図(c) に示す光強度の第２の画像情報が格
納される。
【００２９】そして、第１の画像情報は第１の補正装置
１１によってマスク１の不透明部１７の光反射率を補正
するためにオフセットとゲインが調整されて、同図(d)
に示す第３の画像情報に変換される。また、第２の画像
情報は第２の補正装置１２によってマスク１の透明部１
６の光透過率を補正するためにオフセットとゲインが調
整されて、同図(e) に示す第４の画像情報に変換され
る。
１１によってマスク１の不透明部１７の光反射率を補正
するためにオフセットとゲインが調整されて、同図(d)
に示す第３の画像情報に変換される。また、第２の画像
情報は第２の補正装置１２によってマスク１の透明部１
６の光透過率を補正するためにオフセットとゲインが調
整されて、同図(e) に示す第４の画像情報に変換され
る。
【００３０】最後に、差演算装置１３によって、同図
(f) に示すように第３の画像情報と第４の画像情報との
差の画像情報が出力され、これが出力装置１４に与えら
れる。
(f) に示すように第３の画像情報と第４の画像情報との
差の画像情報が出力され、これが出力装置１４に与えら
れる。
【００３１】したがって、ピンスポット１８について
も、ピンホール１９についても同じ感度の信号を得るこ
とができる。
も、ピンホール１９についても同じ感度の信号を得るこ
とができる。
【００３２】すなわち、先に説明したように、透過照明
光で検出する方式では、マスクの透明な欠陥（ピンホー
ル）の検出感度が不透明な欠陥（ピンスポット）のそれ
よりも低い傾向にある。ピンスポットの像は背景の透明
部からの（0,0)次回折光が大きいので、実質的に0 次回
折光Ｇ(0,0) とピンスポットの回折光Ｇ(s,t) とピンス
ポットの回折光同士によって決まる。これに対して、ピ
ンホールの像は背景の(0,0) 次回折光がないのでピンホ
ールの回折光同士のみによって決まる。
光で検出する方式では、マスクの透明な欠陥（ピンホー
ル）の検出感度が不透明な欠陥（ピンスポット）のそれ
よりも低い傾向にある。ピンスポットの像は背景の透明
部からの（0,0)次回折光が大きいので、実質的に0 次回
折光Ｇ(0,0) とピンスポットの回折光Ｇ(s,t) とピンス
ポットの回折光同士によって決まる。これに対して、ピ
ンホールの像は背景の(0,0) 次回折光がないのでピンホ
ールの回折光同士のみによって決まる。
【００３３】一方、反射照明光で検出する方式では、ピ
ンホールとピンスポットの事情が透過照明光検出方式の
場合のそれとは逆になる。したがって、マスクの不透明
部の光反射率と透明部の光透過率の違いを補正した後、
マスクのピンホールの透過画像と反射画像の差をとる
と、ピンホール同士による非線形成分を相殺することが
でき、ピンホールとピンスポットの検出感度を均等にす
ることが可能となる。
ンホールとピンスポットの事情が透過照明光検出方式の
場合のそれとは逆になる。したがって、マスクの不透明
部の光反射率と透明部の光透過率の違いを補正した後、
マスクのピンホールの透過画像と反射画像の差をとる
と、ピンホール同士による非線形成分を相殺することが
でき、ピンホールとピンスポットの検出感度を均等にす
ることが可能となる。
【００３４】したがって、不透明部（または半透明部）
にある透明な欠陥の検出感度を高めて、透明部にある不
透明な欠陥の検出感度と同等の検出感度を得ることがで
きる。
にある透明な欠陥の検出感度を高めて、透明部にある不
透明な欠陥の検出感度と同等の検出感度を得ることがで
きる。
【００３５】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
透明な欠陥と不透明（または半透明）な欠陥との検出感
度を均等にすることができる。
透明な欠陥と不透明（または半透明）な欠陥との検出感
度を均等にすることができる。
【図１】本発明の一実施例に係るマスク検査装置のブロ
ック構成図
ック構成図
【図２】同装置の作用を説明するための図
【図３】従来のマスク検査装置のブロック構成図
１…マスク ２…第１の照明
装置 ３…第２の照明装置 ４…ビームスプ
リッタ ５…照明制御装置 ６…光学センサ ７…ＡＤ変換装置 ９…第１のメモ
リ １０…第２のメモリ １１…第１の補
正装置 １２…第２の補正装置 １３…差演算装
置 １４…出力装置 １５…メモリバ
ンク切替装置 １６…透明部 １７…不透明部 １８…ピンスポット １９…ピンホー
ル
装置 ３…第２の照明装置 ４…ビームスプ
リッタ ５…照明制御装置 ６…光学センサ ７…ＡＤ変換装置 ９…第１のメモ
リ １０…第２のメモリ １１…第１の補
正装置 １２…第２の補正装置 １３…差演算装
置 １４…出力装置 １５…メモリバ
ンク切替装置 １６…透明部 １７…不透明部 １８…ピンスポット １９…ピンホー
ル
フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｈ０１Ｌ 21/66 Ｊ 7630−4Ｍ
Claims (1)
- 【請求項１】透明部と不透明部（または半透明部）とを
備えたマスクを検査するためのものであって、前記マス
クの上面に向けて垂直な方向から光を照射する第１の照
明手段と、前記マスクの下面に向けて光を照射する第２
の照明手段と、前記マスクの上面を観察する観察手段
と、この観察手段の出力から前記第１の照明手段のみを
動作させたときの第１の画像情報と前記第２の照明手段
のみを動作させたときの第２の画像情報とを得る手段
と、前記第１の画像情報に対して前記マスクの不透明部
の光反射率を補正した第３の画像情報を得る手段と、前
記第２の画像情報にに対して前記マスクの透明部の光透
過率を補正した第４の画像情報を得る手段と、前記第３
の画像情報と前記第４の画像情報との差の画像情報を出
力する手段とを具備してなることを特徴とするマスク検
査装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP34847493A JPH07190945A (ja) | 1993-12-27 | 1993-12-27 | マスク検査装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP34847493A JPH07190945A (ja) | 1993-12-27 | 1993-12-27 | マスク検査装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07190945A true JPH07190945A (ja) | 1995-07-28 |
Family
ID=18397258
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP34847493A Pending JPH07190945A (ja) | 1993-12-27 | 1993-12-27 | マスク検査装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07190945A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002277406A (ja) * | 2001-03-14 | 2002-09-25 | Saki Corp:Kk | 外観検査方法および装置 |
| JP2004193318A (ja) * | 2002-12-11 | 2004-07-08 | Toppan Printing Co Ltd | 電荷粒子線露光用マスクの検査方法及びその装置 |
| JP2007132729A (ja) * | 2005-11-09 | 2007-05-31 | Lasertec Corp | 検査装置及び検査方法並びにパターン基板の製造方法 |
| US7304730B2 (en) | 2003-05-27 | 2007-12-04 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Inspection apparatus having two sensors, method for inspecting an object, and a method for manufacturing a photolithography mask |
| JP2012078265A (ja) * | 2010-10-05 | 2012-04-19 | Panasonic Corp | 錠剤検査装置および錠剤検査方法 |
-
1993
- 1993-12-27 JP JP34847493A patent/JPH07190945A/ja active Pending
Cited By (5)
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|---|---|---|---|---|
| JP2002277406A (ja) * | 2001-03-14 | 2002-09-25 | Saki Corp:Kk | 外観検査方法および装置 |
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