JPH07176591A - 基板処理装置 - Google Patents
基板処理装置Info
- Publication number
- JPH07176591A JPH07176591A JP34349893A JP34349893A JPH07176591A JP H07176591 A JPH07176591 A JP H07176591A JP 34349893 A JP34349893 A JP 34349893A JP 34349893 A JP34349893 A JP 34349893A JP H07176591 A JPH07176591 A JP H07176591A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- vacuum
- load lock
- substrate
- lock chamber
- processing apparatus
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
- Non-Mechanical Conveyors (AREA)
- Warehouses Or Storage Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 基板を液体により処理する湿式処理装置から
スムーズに自然酸化膜を発生させることなく、真空環境
下で基板を保管することのできる基板処理装置を提供す
る。 【構成】 基板を液体により処理する湿式処理装置３
と、該基板を外気から遮断して保管する保管室２５と
が、外気から遮断した状態で該基板を移送する手段２
１，６，２３により接続されている。
スムーズに自然酸化膜を発生させることなく、真空環境
下で基板を保管することのできる基板処理装置を提供す
る。 【構成】 基板を液体により処理する湿式処理装置３
と、該基板を外気から遮断して保管する保管室２５と
が、外気から遮断した状態で該基板を移送する手段２
１，６，２３により接続されている。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は基板処理装置に係り、特
に半導体製造ライン等での使用に好適な、湿式処理終了
後の半導体ウエハ等の基板を高清浄度雰囲気で保管する
基板処理装置に関する。
に半導体製造ライン等での使用に好適な、湿式処理終了
後の半導体ウエハ等の基板を高清浄度雰囲気で保管する
基板処理装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来の半導体ウエハの保管庫の一例を図
８に示す。半導体デバイス製造用のシリコンウエハは、
テフロン製等のキャリア２７に例えば２５枚単位で入れ
られ、図示するような保管庫２８内で保管される。この
保管庫は、上部にＨＥＰＡフィルター２９を備え、その
下部にウエハを保管する棚３０があり、ＨＥＰＡフィル
ターによってクリーンルーム内の清浄空気を更に清浄化
された空気を下方に流し、棚に置かれたウエハが粒子汚
染を受けない様に保管している。
８に示す。半導体デバイス製造用のシリコンウエハは、
テフロン製等のキャリア２７に例えば２５枚単位で入れ
られ、図示するような保管庫２８内で保管される。この
保管庫は、上部にＨＥＰＡフィルター２９を備え、その
下部にウエハを保管する棚３０があり、ＨＥＰＡフィル
ターによってクリーンルーム内の清浄空気を更に清浄化
された空気を下方に流し、棚に置かれたウエハが粒子汚
染を受けない様に保管している。
【０００３】しかしながら最近の半導体デバイスの微細
化に伴い、空気中の酸素／水分によりウエハに発生する
自然酸化膜が問題になりつつある。自然酸化膜の発生を
防止する為には、保管庫には、清浄空気の代わりに、清
浄な乾燥した窒素等の不活性ガスを流した方がよい。し
かしながらこの保管方法においても、乾燥窒素ガスに含
まれている不純物としての酸素／水分が完全に取りきれ
ないという問題、窒素ガスを連続して流すことにより、
その窒素ガスに微量含まれている粒子がウエハの保管時
間の増加と共にウエハ上に堆積してしまうという問題、
或いは使用される窒素ガスは高純度のものである必要が
ある為そのランニングコストが高い等の種々の問題点が
ある。
化に伴い、空気中の酸素／水分によりウエハに発生する
自然酸化膜が問題になりつつある。自然酸化膜の発生を
防止する為には、保管庫には、清浄空気の代わりに、清
浄な乾燥した窒素等の不活性ガスを流した方がよい。し
かしながらこの保管方法においても、乾燥窒素ガスに含
まれている不純物としての酸素／水分が完全に取りきれ
ないという問題、窒素ガスを連続して流すことにより、
その窒素ガスに微量含まれている粒子がウエハの保管時
間の増加と共にウエハ上に堆積してしまうという問題、
或いは使用される窒素ガスは高純度のものである必要が
ある為そのランニングコストが高い等の種々の問題点が
ある。
【０００４】そこで、最近真空中でウエハを保管する方
法が提案されている。真空中では、気体分子数の減少に
より衝突回数が減少するため、大気圧中では空中に漂っ
ている煙の様な小さな粒子も短時間に自然落下する。従
って一度真空になれば、空間中に漂う粒子は非常に小さ
な粒子を除いてほとんどないと考えられる。また真空中
では、真空度を上げれば上げる程、その空間に含まれる
酸素分子及び水分子の数は減少する。従ってウエハを保
管するのに、真空雰囲気は理想的な環境といえる。この
ため、例えば本出願人の特願平１−３４３８４０号、特
願平３−７１６４８号特許出願等によりウエハを真空環
境下で保管する装置が考案され開示されている。
法が提案されている。真空中では、気体分子数の減少に
より衝突回数が減少するため、大気圧中では空中に漂っ
ている煙の様な小さな粒子も短時間に自然落下する。従
って一度真空になれば、空間中に漂う粒子は非常に小さ
な粒子を除いてほとんどないと考えられる。また真空中
では、真空度を上げれば上げる程、その空間に含まれる
酸素分子及び水分子の数は減少する。従ってウエハを保
管するのに、真空雰囲気は理想的な環境といえる。この
ため、例えば本出願人の特願平１−３４３８４０号、特
願平３−７１６４８号特許出願等によりウエハを真空環
境下で保管する装置が考案され開示されている。
【０００５】しかしながら、ウエハを容器内に収納して
大気から真空に引くまでの過渡状態では、排気時の気流
の流れにより粒子がウエハ上に付着するおそれがある。
従ってウエハ等を追加して保管室に入れる時も既に保管
されている他のウエハの汚染を防ぐために、保管室の高
真空状態を維持できなければならない。そこで、図９に
示すような真空保管庫１０が本出願人により考案されて
いる。これは、ロードロック室６とロボット室２３と真
空保管室２５とから構成され、各室間はゲートバルブ１
４，１５，１６で開閉可能な構造となっている。真空保
管室２５にウエハ２を保管する際には、ゲートバルブ１
６を閉じてゲートバルブ１４を開き、ロードロック室６
にウエハを載置しゲートバルブ１４を閉じて真空引きす
る。次にゲートバルブ１５，１６を開きロボット室２３
のハンドリングロボットにより真空雰囲気の保管室２５
にウエハを移送する。このようにして、保管室２５内を
常に真空雰囲気に保ちながら、ウエハ２を出し入れする
ことができる。
大気から真空に引くまでの過渡状態では、排気時の気流
の流れにより粒子がウエハ上に付着するおそれがある。
従ってウエハ等を追加して保管室に入れる時も既に保管
されている他のウエハの汚染を防ぐために、保管室の高
真空状態を維持できなければならない。そこで、図９に
示すような真空保管庫１０が本出願人により考案されて
いる。これは、ロードロック室６とロボット室２３と真
空保管室２５とから構成され、各室間はゲートバルブ１
４，１５，１６で開閉可能な構造となっている。真空保
管室２５にウエハ２を保管する際には、ゲートバルブ１
６を閉じてゲートバルブ１４を開き、ロードロック室６
にウエハを載置しゲートバルブ１４を閉じて真空引きす
る。次にゲートバルブ１５，１６を開きロボット室２３
のハンドリングロボットにより真空雰囲気の保管室２５
にウエハを移送する。このようにして、保管室２５内を
常に真空雰囲気に保ちながら、ウエハ２を出し入れする
ことができる。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】しかしながらこの真空
保管庫１０を、湿式洗浄装置３で洗浄が終了したウエハ
２の保管に使用したところ、つぎの様な問題点が判明し
た。即ち、洗浄後のウエハ２をキャリア２７に収納しク
リーンルーム内の、清浄空気に曝して洗浄装置３から真
空保管庫１０のロードロック室６に移送すると、その間
にウエハに自然酸化膜が発生してしまう。次に、洗浄等
の湿式処理直後のウエハは水分を多く含んでおり、ロー
ドロック室６で真空引きを行なう時に、水分を主成分と
する脱ガスが多く、真空保管室２５に移送する為の高真
空度まで引こうとすると時間がかかりすぎる。
保管庫１０を、湿式洗浄装置３で洗浄が終了したウエハ
２の保管に使用したところ、つぎの様な問題点が判明し
た。即ち、洗浄後のウエハ２をキャリア２７に収納しク
リーンルーム内の、清浄空気に曝して洗浄装置３から真
空保管庫１０のロードロック室６に移送すると、その間
にウエハに自然酸化膜が発生してしまう。次に、洗浄等
の湿式処理直後のウエハは水分を多く含んでおり、ロー
ドロック室６で真空引きを行なう時に、水分を主成分と
する脱ガスが多く、真空保管室２５に移送する為の高真
空度まで引こうとすると時間がかかりすぎる。
【０００７】本発明は係る従来技術の問題点に鑑みて為
されたものであり、基板を液体により処理する湿式処理
装置からスムーズに自然酸化膜を発生させることなく、
真空環境下で基板を保管することのできる基板処理装置
を提供することを目的とする。
されたものであり、基板を液体により処理する湿式処理
装置からスムーズに自然酸化膜を発生させることなく、
真空環境下で基板を保管することのできる基板処理装置
を提供することを目的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明の基板処理装置
は、基板を液体により処理する湿式処理装置と、該基板
を外気から遮断して保管する保管室とが、外気から遮断
した状態で該基板を移送する手段により接続されている
ことを特徴とする。
は、基板を液体により処理する湿式処理装置と、該基板
を外気から遮断して保管する保管室とが、外気から遮断
した状態で該基板を移送する手段により接続されている
ことを特徴とする。
【０００９】又、前記保管室内は真空雰囲気であり、前
記基板を移送する手段は低真空ロードロック室と高真空
ロードロック室とを備え、前記湿式処理装置で処理終了
後の基板を、まず低真空ロードロック室内にて低真空度
に真空引きし、次に高真空ロードロック室内にて高真空
度に真空引きして、前記保管室に収納する手段を備えた
ことを特徴とする。
記基板を移送する手段は低真空ロードロック室と高真空
ロードロック室とを備え、前記湿式処理装置で処理終了
後の基板を、まず低真空ロードロック室内にて低真空度
に真空引きし、次に高真空ロードロック室内にて高真空
度に真空引きして、前記保管室に収納する手段を備えた
ことを特徴とする。
【００１０】又、前記基板を移送する手段は、低真空ロ
ードロック室１個に対して、高真空ロードロック室は複
数個接続されたことを特徴とする。
ードロック室１個に対して、高真空ロードロック室は複
数個接続されたことを特徴とする。
【００１１】更に、ロードロック室にベーキング用ヒー
タを備えたことを特徴とする。
タを備えたことを特徴とする。
【００１２】
【作用】湿式処理装置と保管室とが外気から遮断した状
態で基板を移送する手段により接続されていることか
ら、湿式洗浄等の湿式処理終了後のウエハは外気に触れ
ることなく真空雰囲気の保管室に移送される。
態で基板を移送する手段により接続されていることか
ら、湿式洗浄等の湿式処理終了後のウエハは外気に触れ
ることなく真空雰囲気の保管室に移送される。
【００１３】さらに、ロードロック室にベーキングヒー
タを付け、真空引き中にウエハを加熱することにより、
脱ガスの速度を速め真空引きの時間を減少させることが
できる。又、低真空引に要する所要時間が短い、低真空
ロボット室と低真空ロードロック室を複数の真空保管室
に接続する高真空ロードロック室が共有して接続する様
にしたので、真空保管ウエハの数が増加した場合、タク
トタイムが低減しコンパクトな真空保管装置を実現する
ことができる。
タを付け、真空引き中にウエハを加熱することにより、
脱ガスの速度を速め真空引きの時間を減少させることが
できる。又、低真空引に要する所要時間が短い、低真空
ロボット室と低真空ロードロック室を複数の真空保管室
に接続する高真空ロードロック室が共有して接続する様
にしたので、真空保管ウエハの数が増加した場合、タク
トタイムが低減しコンパクトな真空保管装置を実現する
ことができる。
【００１４】
【実施例】以下、図１乃至図５に本発明の各実施例を示
す。
す。
【００１５】図１は、本発明の第１実施例の基板処理装
置であり、例えばフッ酸のウエハ洗浄装置である湿式処
理装置３と真空保管庫１０のロードロック室６の間を大
気ロボット室２１にて接続したものである。大気ロボッ
ト室２１と湿式処理装置３とは、それぞれ外気と隔離
し、通常は窒素でパージされている。大気ロボット室２
１にある大気圧下で作動するロボットによって、ウエハ
を窒素ガス雰囲気下で外気にさらさないまま、湿式処理
装置３から真空保管庫１０のロードロック室６へウエハ
が移送される。その後、ロードロック室６にて真空引き
され、所定の真空に到達したら、真空ロボット室２３に
配置されたロボットによって、真空保管室２５の保管棚
２４にウエハ２が移送される。
置であり、例えばフッ酸のウエハ洗浄装置である湿式処
理装置３と真空保管庫１０のロードロック室６の間を大
気ロボット室２１にて接続したものである。大気ロボッ
ト室２１と湿式処理装置３とは、それぞれ外気と隔離
し、通常は窒素でパージされている。大気ロボット室２
１にある大気圧下で作動するロボットによって、ウエハ
を窒素ガス雰囲気下で外気にさらさないまま、湿式処理
装置３から真空保管庫１０のロードロック室６へウエハ
が移送される。その後、ロードロック室６にて真空引き
され、所定の真空に到達したら、真空ロボット室２３に
配置されたロボットによって、真空保管室２５の保管棚
２４にウエハ２が移送される。
【００１６】図６は、真空保管庫１０の構造の詳細を示
す。図６（Ａ）は、真空保管庫１０の平面図であり、図
６（Ｂ）はその断面構造を示す。真空保管室２５は、磁
気浮上搬送装置と同様なトンネル形状をしており、内部
には、ウエハ２を載置する保管棚（保管台車）２４が浮
上用電磁石３１によって、非接触で真空保管室内に浮上
保持され、またリニアモータ３２によって非接触で移動
／停止をすることができる。即ち、保管棚２４は、トン
ネル状の真空保管室２５内を直線的に移動可能である。
また、真空保管室２５の保管棚２４には、ウエハ２は、
ロードロック室６からロボット室２３のロボット２６に
より移送される。このように保管室２５においては、保
管棚（台車）２４の移動によりウエハ２を３列の多数段
に収納できる。又、浮上用電磁石３１及びリニアモータ
３２等が隔壁外に設置され、保管棚２４の移動は真空中
で磁気浮上により隔壁から非接触で行われるためウエハ
２の分子汚染、粒子汚染が防止される。
す。図６（Ａ）は、真空保管庫１０の平面図であり、図
６（Ｂ）はその断面構造を示す。真空保管室２５は、磁
気浮上搬送装置と同様なトンネル形状をしており、内部
には、ウエハ２を載置する保管棚（保管台車）２４が浮
上用電磁石３１によって、非接触で真空保管室内に浮上
保持され、またリニアモータ３２によって非接触で移動
／停止をすることができる。即ち、保管棚２４は、トン
ネル状の真空保管室２５内を直線的に移動可能である。
また、真空保管室２５の保管棚２４には、ウエハ２は、
ロードロック室６からロボット室２３のロボット２６に
より移送される。このように保管室２５においては、保
管棚（台車）２４の移動によりウエハ２を３列の多数段
に収納できる。又、浮上用電磁石３１及びリニアモータ
３２等が隔壁外に設置され、保管棚２４の移動は真空中
で磁気浮上により隔壁から非接触で行われるためウエハ
２の分子汚染、粒子汚染が防止される。
【００１７】図２は、本発明の第２実施例の基板処理装
置を示す。本実施例では、湿式処理装置３と真空保管庫
１０のロードロック室６との間は大気ロボット室ではな
く、ロードロック室をかねた低真空ロボット室２２にて
接続されている。低真空ロボット室２２には低真空ロー
ドロック室５が付属されている。低真空ロボット室２２
と低真空ロードロック室５との間にはゲートバルブ１３
が配置された方が望ましい。ここにおいては、湿式処理
装置（例えば洗浄装置）３からウエハは直接真空保管庫
のロードロック室６に入れられるのではなく、低真空ロ
ードロック室（ロボット室２２）にて、ウエハの水分の
脱ガスを行なったあと、真空保管庫１０の高真空ロード
ロック室６に入れられる。
置を示す。本実施例では、湿式処理装置３と真空保管庫
１０のロードロック室６との間は大気ロボット室ではな
く、ロードロック室をかねた低真空ロボット室２２にて
接続されている。低真空ロボット室２２には低真空ロー
ドロック室５が付属されている。低真空ロボット室２２
と低真空ロードロック室５との間にはゲートバルブ１３
が配置された方が望ましい。ここにおいては、湿式処理
装置（例えば洗浄装置）３からウエハは直接真空保管庫
のロードロック室６に入れられるのではなく、低真空ロ
ードロック室（ロボット室２２）にて、ウエハの水分の
脱ガスを行なったあと、真空保管庫１０の高真空ロード
ロック室６に入れられる。
【００１８】洗浄装置３が真空保管庫の低真空ロードロ
ック室を兼ねた低真空ロボット室２２に接続されている
ので、例えばフッ酸洗浄処理終了後、窒素ガスでパージ
してある低真空ロボット室２２内に設置された移送ロボ
ットによって、やはり窒素ガスでパージしてある湿式処
理装置３からウエハが移送される。次に低真空ロボット
室２２を所定の低真空度まで真空引きする。次に、低真
空室２２のロボットによりウエハを低真空ロボット室２
２から高真空ロードロック室６へ移送する。ここでさら
に真空度が所定の高真空度に達するまで真空に引く。所
定の真空度に達したならば、高真空ロボット室２３内に
設置されている移送ロボットにより、ウエハを高真空ロ
ードロック室６から、真空保管室２５へ移送する。
ック室を兼ねた低真空ロボット室２２に接続されている
ので、例えばフッ酸洗浄処理終了後、窒素ガスでパージ
してある低真空ロボット室２２内に設置された移送ロボ
ットによって、やはり窒素ガスでパージしてある湿式処
理装置３からウエハが移送される。次に低真空ロボット
室２２を所定の低真空度まで真空引きする。次に、低真
空室２２のロボットによりウエハを低真空ロボット室２
２から高真空ロードロック室６へ移送する。ここでさら
に真空度が所定の高真空度に達するまで真空に引く。所
定の真空度に達したならば、高真空ロボット室２３内に
設置されている移送ロボットにより、ウエハを高真空ロ
ードロック室６から、真空保管室２５へ移送する。
【００１９】図３は、ベーキング用ヒータ付きロードロ
ック室の断面構造を示している。ロードロック室６に
は、ガラス窓４を備え、該窓４を通して遠赤外線ヒータ
７の熱線がウエハ２の表面に照射されるようになってい
る。ベーキング用ヒータを付ける事により、脱ガスに必
要な時間を短縮できる。又、ロードロック室隔壁３０に
も、ベーキング用ヒータ９を大気側に取り付け、チャン
バ内面に付着した水分を取るのが望しい。ヒータ付ロー
ドロック室は、高真空ロードロック室６に設けることが
好ましいが、低真空ロードロック室５及び高真空ロード
ロック室６の双方に設けることによって一層脱ガスを促
進することができる。
ック室の断面構造を示している。ロードロック室６に
は、ガラス窓４を備え、該窓４を通して遠赤外線ヒータ
７の熱線がウエハ２の表面に照射されるようになってい
る。ベーキング用ヒータを付ける事により、脱ガスに必
要な時間を短縮できる。又、ロードロック室隔壁３０に
も、ベーキング用ヒータ９を大気側に取り付け、チャン
バ内面に付着した水分を取るのが望しい。ヒータ付ロー
ドロック室は、高真空ロードロック室６に設けることが
好ましいが、低真空ロードロック室５及び高真空ロード
ロック室６の双方に設けることによって一層脱ガスを促
進することができる。
【００２０】図４は、本発明の第３実施例の基板処理装
置を示す。１組の低真空ロードロック室５と低真空ロボ
ット室２２に対して、複数の真空保管庫１０を構成する
複数の高真空ロボット室２３と高真空ロードロック室６
とが接続されている。これは、低真空ロードロック室５
における、脱ガスは比較的容易に短時間で行なえるが、
高真空ロードロック室６において、真空保管室２５と同
等の高真空度まで真空度を高めるのには時間がかかるた
め、タクトタイムを合わせる為である。
置を示す。１組の低真空ロードロック室５と低真空ロボ
ット室２２に対して、複数の真空保管庫１０を構成する
複数の高真空ロボット室２３と高真空ロードロック室６
とが接続されている。これは、低真空ロードロック室５
における、脱ガスは比較的容易に短時間で行なえるが、
高真空ロードロック室６において、真空保管室２５と同
等の高真空度まで真空度を高めるのには時間がかかるた
め、タクトタイムを合わせる為である。
【００２１】図５は、本発明の第４実施例の基板処理装
置を示す。これは真空保管をするウエハ枚数が大量にな
った場合、図４に示す実施例の配置では拡張するのに限
度がある為、複数の保管庫１０を直線上に並べ、これら
の複数の保管庫と湿式処理装置（洗浄装置）３との間を
真空トンネル式の磁気浮上搬送装置１１を用いて接続し
たものである。又その搬送装置の分岐路の部分の両側に
ゲートバルブ１９を配置し、搬送台車の進入／退避路２
０を高真空側ロードロック室として使用したものであ
る。
置を示す。これは真空保管をするウエハ枚数が大量にな
った場合、図４に示す実施例の配置では拡張するのに限
度がある為、複数の保管庫１０を直線上に並べ、これら
の複数の保管庫と湿式処理装置（洗浄装置）３との間を
真空トンネル式の磁気浮上搬送装置１１を用いて接続し
たものである。又その搬送装置の分岐路の部分の両側に
ゲートバルブ１９を配置し、搬送台車の進入／退避路２
０を高真空側ロードロック室として使用したものであ
る。
【００２２】図７は、真空トンネル内をウェハを搬送台
車に搭載して搬送する磁気浮上搬送装置１１の断面図で
ある。係る構造の磁気浮上搬送装置については、本出願
人により国際特許出願ＰＣＴ／ＪＰ９３／００９３０等
によりその詳細が開示される。トンネル隔壁３０の上部
には浮上用電磁石３１がトンネルに沿って列設されてい
る。同様に、トンネル隔壁３０の下部には、走行用リニ
アモータ３２がトンネルに沿って列設されている。半導
体ウエハ２を搭載する搬送台１は、その上面に磁性材３
４を備え、浮上用電磁石３１の磁気吸引力により搬送台
１は浮上懸架される。搬送台１は浮上懸架された状態で
リニアモータ３２により水平方向に駆動される。このよ
うな搬送装置１１の構成により、ウエハ２は搬送台１に
搭載され、真空トンネルの隔壁３０から非接触浮上した
状態で真空保管庫１０と処理装置３に接続された低真空
ロボット室２２間を搬送される。
車に搭載して搬送する磁気浮上搬送装置１１の断面図で
ある。係る構造の磁気浮上搬送装置については、本出願
人により国際特許出願ＰＣＴ／ＪＰ９３／００９３０等
によりその詳細が開示される。トンネル隔壁３０の上部
には浮上用電磁石３１がトンネルに沿って列設されてい
る。同様に、トンネル隔壁３０の下部には、走行用リニ
アモータ３２がトンネルに沿って列設されている。半導
体ウエハ２を搭載する搬送台１は、その上面に磁性材３
４を備え、浮上用電磁石３１の磁気吸引力により搬送台
１は浮上懸架される。搬送台１は浮上懸架された状態で
リニアモータ３２により水平方向に駆動される。このよ
うな搬送装置１１の構成により、ウエハ２は搬送台１に
搭載され、真空トンネルの隔壁３０から非接触浮上した
状態で真空保管庫１０と処理装置３に接続された低真空
ロボット室２２間を搬送される。
【００２３】この搬送装置によれば、隔壁３０から非接
触で真空トンネル内をウエハ等を搬送することができ、
また電磁石３１、リニアモータ３２、センサ等はトンネ
ル隔壁内の真空環境と隔離して、大気側に置かれる。従
って真空室内側には可動部分、機械的接触部分は何もな
く、ガスの発生や、粒子を持ち込むおそれのあるものを
何も真空トンネル内に入れる必要がない為、高清浄度を
要求される真空環境で使用される搬送機構としては最適
である。
触で真空トンネル内をウエハ等を搬送することができ、
また電磁石３１、リニアモータ３２、センサ等はトンネ
ル隔壁内の真空環境と隔離して、大気側に置かれる。従
って真空室内側には可動部分、機械的接触部分は何もな
く、ガスの発生や、粒子を持ち込むおそれのあるものを
何も真空トンネル内に入れる必要がない為、高清浄度を
要求される真空環境で使用される搬送機構としては最適
である。
【００２４】本実施例の基板処理装置によれば、湿式処
理装置３で洗浄が完了したウエハはゲートバルブ１８が
開かれ低真空ロボット室２２のロボットにより当該室内
へ移され真空引きされる。次にゲートバルブ１７が開か
れ、進入／退避路８に停止している搬送台１にウエハは
移送される。搬送台１は真空トンネル磁気浮上搬送装置
１１内を走行し、ゲートバルブ１９が開かれ進入／退避
路２０に入り停止する。その部分２０は高真空ロードロ
ック室を兼ねており、更に高真空状態に真空引きされた
後でゲートバルブ１５，１６が開かれロボット室２３の
ロボットにより真空保管室２５の保管棚２４にウエハ２
は移送される。
理装置３で洗浄が完了したウエハはゲートバルブ１８が
開かれ低真空ロボット室２２のロボットにより当該室内
へ移され真空引きされる。次にゲートバルブ１７が開か
れ、進入／退避路８に停止している搬送台１にウエハは
移送される。搬送台１は真空トンネル磁気浮上搬送装置
１１内を走行し、ゲートバルブ１９が開かれ進入／退避
路２０に入り停止する。その部分２０は高真空ロードロ
ック室を兼ねており、更に高真空状態に真空引きされた
後でゲートバルブ１５，１６が開かれロボット室２３の
ロボットにより真空保管室２５の保管棚２４にウエハ２
は移送される。
【００２５】尚、上記の手順と全く逆の手順により、高
真空の保管室２５からウエハ２は搬送台に搭載され、湿
式処理装置３に外気に触れることなく搬送することがで
きる。
真空の保管室２５からウエハ２は搬送台に搭載され、湿
式処理装置３に外気に触れることなく搬送することがで
きる。
【００２６】尚、上記実施例においては、トンネル搬送
装置１１には、図７に示す磁気浮上搬送装置を用いるこ
とが清浄度の確保から好ましい。しかしながら、要求さ
れる清浄度によってはトンネル搬送装置としては、通常
の車輪を有する搬送台車によってウエハを搬送する接触
式のものを用いてもよい。
装置１１には、図７に示す磁気浮上搬送装置を用いるこ
とが清浄度の確保から好ましい。しかしながら、要求さ
れる清浄度によってはトンネル搬送装置としては、通常
の車輪を有する搬送台車によってウエハを搬送する接触
式のものを用いてもよい。
【００２７】又、真空保管室２５は、図６（Ｂ）に示す
磁気浮上搬送装置と同様にトンネル隔壁外側に浮上用電
磁石３１、リニアモータ３２等を備え、磁性材３４及び
導電材３６を備えた保管棚（台車）２４を磁気浮上させ
ながら、走行、停止位置決めを行うことができることが
好ましい。しかしながら、要求される清浄度によって
は、保管棚２４は通常の車輪を有する接触式のものを用
いても勿論差し支えない。
磁気浮上搬送装置と同様にトンネル隔壁外側に浮上用電
磁石３１、リニアモータ３２等を備え、磁性材３４及び
導電材３６を備えた保管棚（台車）２４を磁気浮上させ
ながら、走行、停止位置決めを行うことができることが
好ましい。しかしながら、要求される清浄度によって
は、保管棚２４は通常の車輪を有する接触式のものを用
いても勿論差し支えない。
【００２８】真空保管室２５、ロボット室２３及びロー
ドロック室５，６内は、外気（大気）と遮断された真空
雰囲気とすることがウエハの分子汚染、粒子汚染を防止
する観点から好ましい。しかしながら、半導体プロセス
の種類によっては、窒素ガス等の清浄なガス雰囲気とす
ることが好ましい場合もあり、又、クリーンエア雰囲気
とすることが好ましい場合もある。
ドロック室５，６内は、外気（大気）と遮断された真空
雰囲気とすることがウエハの分子汚染、粒子汚染を防止
する観点から好ましい。しかしながら、半導体プロセス
の種類によっては、窒素ガス等の清浄なガス雰囲気とす
ることが好ましい場合もあり、又、クリーンエア雰囲気
とすることが好ましい場合もある。
【００２９】又、本実施例においては被処理基板として
半導体ウエハを例として説明したが、ガラスマスク或い
は液晶基板等の清浄な雰囲気下で処理が必要な被処理基
板に本発明が広く適用できるのは勿論のことである。こ
のように、本発明の趣旨を逸脱することなく各種の変形
実施例が可能である。尚、各図中同一符号は同一又は相
当部分を示す。
半導体ウエハを例として説明したが、ガラスマスク或い
は液晶基板等の清浄な雰囲気下で処理が必要な被処理基
板に本発明が広く適用できるのは勿論のことである。こ
のように、本発明の趣旨を逸脱することなく各種の変形
実施例が可能である。尚、各図中同一符号は同一又は相
当部分を示す。
【００３０】
【発明の効果】湿式処理装置と真空保管庫の間を、外気
と隔離した状態でウエハを搬送する手段を備えることに
よって、ウエハ上に生じる自然酸素膜の発生を押さえる
ことができる。更にロードロック室を高真空と低真空に
分けヒータ付きとしたことにより、ウエハを真空保管庫
に入れる時の真空引きの時間を短くする事ができる。又
複数の真空保管庫を真空トンネル搬送装置によって接続
し、さらに真空トンネルの一部を高真空ロードロック室
とする事により、設置面積を減少したウエハの大量保管
が可能な基板処理装置が実現される。このようにして、
本発明の基板処理装置によれば、例えば半導体デバイス
製造の歩留が向上し、タクトタイムが低減し、且つスペ
ース効率を向上させることができる。
と隔離した状態でウエハを搬送する手段を備えることに
よって、ウエハ上に生じる自然酸素膜の発生を押さえる
ことができる。更にロードロック室を高真空と低真空に
分けヒータ付きとしたことにより、ウエハを真空保管庫
に入れる時の真空引きの時間を短くする事ができる。又
複数の真空保管庫を真空トンネル搬送装置によって接続
し、さらに真空トンネルの一部を高真空ロードロック室
とする事により、設置面積を減少したウエハの大量保管
が可能な基板処理装置が実現される。このようにして、
本発明の基板処理装置によれば、例えば半導体デバイス
製造の歩留が向上し、タクトタイムが低減し、且つスペ
ース効率を向上させることができる。
【図１】図１乃至図７は本発明に係る各実施例を説明す
るものであり、図１は、本発明の第１実施例の真空保管
庫と湿式処理装置間の接続構成を示す説明図。
るものであり、図１は、本発明の第１実施例の真空保管
庫と湿式処理装置間の接続構成を示す説明図。
【図２】本発明の第２実施例の真空保管庫と湿式処理装
置間の接続構成を示す説明図。
置間の接続構成を示す説明図。
【図３】ヒータ付きロードロック室の構成を示す説明
図。
図。
【図４】本発明の第３実施例の真空保管庫と湿式処理装
置間の接続構成を示す説明図。
置間の接続構成を示す説明図。
【図５】本発明の第４実施例の真空保管庫と湿式処理装
置間の接続構成を示す説明図。
置間の接続構成を示す説明図。
【図６】真空保管庫の（Ａ）平面図、（Ｂ）側断面図。
【図７】磁気浮上搬送装置の断面図。
【図８】従来の保管庫の一例を示す斜視図。
【図９】従来の真空保管庫と湿式処理装置間の接続構成
を示す説明図。
を示す説明図。
１ 搬送台（車） ２ ウエハ ３ 湿式処理（洗浄）装置 ５ 低真空ロードロック室 ６ （高真空）ロードロック室 ７ 赤外線ヒータ ８，２０ 進入／退避路 １０ 真空保管庫 １１ 真空トンネル搬送装置 １３，１４，１５，１６，１７，１８，１９ ゲートバ
ルブ ２１ 大気ロボット室 ２２ 低真空ロボット室 ２３ （高真空）ロボット室 ２４ 保管棚 ２５ 真空保管室
ルブ ２１ 大気ロボット室 ２２ 低真空ロボット室 ２３ （高真空）ロボット室 ２４ 保管棚 ２５ 真空保管室
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 // Ｂ６５Ｇ 54/02 (72)発明者 吉岡 毅 神奈川県藤沢市本藤沢４丁目２番１号 株 式会社荏原総合研究所内
Claims (8)
- 【請求項１】 基板を液体により処理する湿式処理装置
と、該基板を外気から遮断して保管する保管室とが、外
気から遮断した状態で該基板を移送する手段により接続
されていることを特徴とする基板処理装置。 - 【請求項２】 前記保管室内は真空雰囲気であり、前記
基板を移送する手段は低真空ロードロック室と高真空ロ
ードロック室とを備え、前記湿式処理装置で処理終了後
の基板を、まず低真空ロードロック室内にて低真空度に
真空引きし、次に高真空ロードロック室内にて高真空度
に真空引きして、前記保管室に収納する手段を備えたこ
とを特徴とする請求項１記載の基板処理装置。 - 【請求項３】 前記基板を移送する手段は、低真空ロー
ドロック室１個に対して、高真空ロードロック室は複数
個接続されたことを特徴とする請求項２記載の基板処理
装置。 - 【請求項４】 前記高真空ロードロック室にはベーキン
グ用ヒータを更に備えたことを特徴とする請求項３記載
の基板処理装置。 - 【請求項５】 前記高真空ロードロック室及び低真空ロ
ードロック室の両方にベーキング用ヒータを更に備えた
ことを特徴とする請求項３記載の基板処理装置。 - 【請求項６】 前記保管室は、ロボット室を介してロー
ドロック室に接続され、該各室間はゲートバルブを介し
て隔離されていることを特徴とする請求項１乃至５記載
の基板処理装置。 - 【請求項７】 前記基板を移送する手段は、前記高真空
ロードロック室と低真空ロードロック室の間を真空トン
ネル磁気浮上搬送装置によって接続し、前記基板を磁気
力により浮上する搬送台車に搭載して移送することを特
徴とする請求項２記載の基板処理装置。 - 【請求項８】 前記磁気浮上搬送装置は、真空トンネル
隔壁外部に浮上用電磁石及び走行用リニアモータを備
え、磁性材及び導電材を備えた搬送台車を磁気浮上させ
た状態で走行させる磁気浮上搬送装置であることを特徴
とする請求項７記載の基板処理装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP34349893A JPH07176591A (ja) | 1993-12-16 | 1993-12-16 | 基板処理装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP34349893A JPH07176591A (ja) | 1993-12-16 | 1993-12-16 | 基板処理装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07176591A true JPH07176591A (ja) | 1995-07-14 |
Family
ID=18361984
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP34349893A Pending JPH07176591A (ja) | 1993-12-16 | 1993-12-16 | 基板処理装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07176591A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007173275A (ja) * | 2005-12-19 | 2007-07-05 | Mitsubishi Heavy Ind Ltd | 真空処理システム及び基板予備加熱方法 |
| JP2012186506A (ja) * | 1998-04-21 | 2012-09-27 | Samsung Electronics Co Ltd | マルチ−チャンバーシステムで半導体素子を製造する方法 |
| JP2013204854A (ja) * | 2012-03-27 | 2013-10-07 | Mitsubishi Heavy Ind Ltd | ガス封入装置およびガス封入方法 |
| US11232965B2 (en) | 2018-10-04 | 2022-01-25 | Applied Materials, Inc. | Transport system |
| US11521870B2 (en) | 2020-07-08 | 2022-12-06 | Applied Materials, Inc. | Annealing chamber |
-
1993
- 1993-12-16 JP JP34349893A patent/JPH07176591A/ja active Pending
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2012186506A (ja) * | 1998-04-21 | 2012-09-27 | Samsung Electronics Co Ltd | マルチ−チャンバーシステムで半導体素子を製造する方法 |
| JP2007173275A (ja) * | 2005-12-19 | 2007-07-05 | Mitsubishi Heavy Ind Ltd | 真空処理システム及び基板予備加熱方法 |
| JP4718989B2 (ja) * | 2005-12-19 | 2011-07-06 | 三菱重工業株式会社 | 真空処理システム及び基板予備加熱方法 |
| JP2013204854A (ja) * | 2012-03-27 | 2013-10-07 | Mitsubishi Heavy Ind Ltd | ガス封入装置およびガス封入方法 |
| US11232965B2 (en) | 2018-10-04 | 2022-01-25 | Applied Materials, Inc. | Transport system |
| US11894251B2 (en) | 2018-10-04 | 2024-02-06 | Applied Materials, Inc. | Transport system |
| US11521870B2 (en) | 2020-07-08 | 2022-12-06 | Applied Materials, Inc. | Annealing chamber |
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