JPH07176408A - Voltage-dependent nonlinear resistor ceramic element - Google Patents

Voltage-dependent nonlinear resistor ceramic element

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JPH07176408A
JPH07176408A JP4064585A JP6458592A JPH07176408A JP H07176408 A JPH07176408 A JP H07176408A JP 4064585 A JP4064585 A JP 4064585A JP 6458592 A JP6458592 A JP 6458592A JP H07176408 A JPH07176408 A JP H07176408A
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voltage
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Abstract

PURPOSE:To provide a voltage dependent nonlinear resistor ceramic element which has high reliability without change in electric characteristics even if part of solder enters between a pin and the element in the element having capacitor characteristics and varistor characteristics to be used to protect a semiconductor and a circuit of an apparatus against an abnormally high voltage, noise, static electricity generated in electric and electronic apparatuses. CONSTITUTION:Semiconductor ceramics containing SrTiO3 as a main ingredient are formed in a multi-stage cylindrical shape of a protruding section having a through hole at a center in such a manner that a length of a cylindrical part having a large diameter is less than 1/2 of the length of the entirety as an element 13. An inner peripheral electrode 11 is formed on an inner periphery of the hole of the element 13 and an outer peripheral element 12 is formed on an outer periphery except both ends. Thus, since the inner periphery of the cylindrical shape is integrated as one electrode (inner peripheral electrode 11), even if conductive adhesive such as solder, etc., enters a gap between a pin and the element 13, an apparent distance between the electrodes is not varied. Further, since a connection to an external terminal is facilitated and an adhesive strength can be increased, excellent electric characteristics and reliability are obtained.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】本発明は電気機器、電子機器で発
生する異常高電圧、ノイズ、静電気などから機器の半導
体及び回路を保護する目的で使用されるコンデンサ特性
とバリスタ特性を有する電圧依存性非直線抵抗体磁器素
子に関するものである。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a voltage dependency having a capacitor characteristic and a varistor characteristic used for the purpose of protecting semiconductors and circuits of equipment from abnormally high voltage, noise and static electricity generated in electric equipment and electronic equipment. The present invention relates to a non-linear resistor ceramic element.

【0002】[0002]

【従来の技術】従来、各種の電気機器、電子機器におけ
る異常高電圧の吸収、ノイズの除去、火花消去、静電気
対策のために電圧依存性非直線抵抗特性を有するSiC
バリスタや、ZnO系バリスタなどが使用されている。
このようなバリスタの電圧−電流特性は近似的に次式の
ように表すことができる。
2. Description of the Related Art Conventionally, SiC having a voltage-dependent non-linear resistance characteristic for absorbing abnormal high voltage, eliminating noise, eliminating sparks, and preventing static electricity in various electric and electronic devices.
Varistors and ZnO-based varistor are used.
The voltage-current characteristic of such a varistor can be approximately expressed by the following equation.

【0003】[0003]

【数1】 [Equation 1]

【0004】ここで、Iは電流、Vは電圧、Cはバリス
タ固有の定数、αは電圧−電流非直線指数である。
Here, I is a current, V is a voltage, C is a constant unique to a varistor, and α is a voltage-current nonlinear index.

【0005】SiCバリスタのαは2〜7程度、ZnO
系バリスタではαが50にもおよぶものがある。このよ
うなバリスタは比較的高い電圧の吸収には優れた性能を
有しているが、誘電率が低く、固有の静電容量が小さい
ためバリスタ電圧以下の比較的低い電圧の吸収にはほと
んど効果を示さず、また誘電損失tanδが5〜10%
と大きいものであった。
Α of a SiC varistor is about 2 to 7, ZnO
In some system varistors, α is as high as 50. Although such a varistor has excellent performance in absorbing a relatively high voltage, it has almost no effect in absorbing a relatively low voltage below the varistor voltage due to its low dielectric constant and small intrinsic capacitance. Is not shown, and the dielectric loss tan δ is 5 to 10%.
It was a big one.

【0006】一方、これらの低電圧のノイズなどの除去
には見かけの誘電率が5×104程度で、tanδが1
%前後の半導体コンデンサが利用されている。しかし、
このような半導体コンデンサはサージなどにより、ある
限度以上の電圧または電流が印加されると静電容量が減
少したり破壊したりしてコンデンサとしての機能を果た
さなくなったりするものであった。
On the other hand, in removing these low-voltage noises, the apparent dielectric constant is about 5 × 10 4 , and tan δ is 1.
% Semiconductor capacitors are used. But,
When a voltage or current exceeding a certain limit is applied to such a semiconductor capacitor due to a surge or the like, the electrostatic capacitance is reduced or destroyed, and the semiconductor capacitor does not function as a capacitor.

【0007】そこで最近になってSrTiO3を主成分
とし、バリスタ特性とコンデンサ特性の両方の機能を有
するものが開発され、コンピュータなどの電子機器にお
けるIC,LSIなどの半導体素子及び回路の保護や電
子機器を相互に継ぐケーブルやコネクタなどから侵入す
るノイズの除去に利用されている。
Therefore, recently, a material containing SrTiO 3 as a main component and having both functions of varistor characteristics and capacitor characteristics has been developed, and semiconductor elements and circuits such as ICs and LSIs in electronic devices such as computers are protected and electronically protected. It is used to remove noise that enters from cables and connectors that connect devices to each other.

【0008】上記のSrTiO3を主成分とするバリス
タとコンデンサの両方の機能を有する素子をコネクタな
どから侵入するノイズの除去に使用する場合の素子の構
成を図7に示す。図7において、1,2は電極、3はS
rTiO3を主成分とした電圧依存性非直線抵抗特性を
有する半導体セラミックからなる素子である。このよう
な素子をコネクタに組み込むと、一般的に図8のように
なる。なお、図8において、4はピン、5,6は導電性
接続部材としての半田、7は共通端子である。
FIG. 7 shows the structure of an element having the above-mentioned element having the functions of both a varistor and a capacitor mainly composed of SrTiO 3 and used for removing noise that enters from a connector or the like. In FIG. 7, 1 and 2 are electrodes and 3 is S
It is an element composed of a semiconductor ceramic having rTiO 3 as a main component and having a voltage-dependent nonlinear resistance characteristic. When such an element is incorporated into a connector, it is generally as shown in FIG. In FIG. 8, 4 is a pin, 5 and 6 are solders as a conductive connecting member, and 7 is a common terminal.

【0009】[0009]

【発明が解決しようとする課題】しかしながら上記従来
の構成では、図8に示すように同素子をコネクタに組み
込んだ際にピン4と素子3の隙間に半田5の一部が流れ
込み、見掛け上の電極間距離が小さくなってバリスタ電
圧が低くなり、バリスタ電圧に極性がつき絶縁抵抗が低
くなるといった欠点を有していた。
However, in the above-mentioned conventional structure, when the same element is assembled in the connector as shown in FIG. 8, a part of the solder 5 flows into the gap between the pin 4 and the element 3 and apparently appears. There is a drawback that the distance between the electrodes is reduced, the varistor voltage is lowered, the varistor voltage is polarized, and the insulation resistance is lowered.

【0010】本発明は、上記課題を解決し、ピンと素子
の間の隙間に半田の一部が流れ込んでもバリスタ電圧が
変化せず、バリスタ電圧に極性がつかず絶縁抵抗が変化
しない構成の素子を提供することを目的とするものであ
る。
The present invention solves the above problems and provides an element having a structure in which the varistor voltage does not change even if a part of the solder flows into the gap between the pin and the element, the varistor voltage has no polarity, and the insulation resistance does not change. It is intended to be provided.

【0011】[0011]

【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に本発明による電圧依存性非直線抵抗体磁器素子は、主
成分がSrTiO3からなり、中心部に貫通孔を設けた
断面凸状の多段円筒形で、かつ大きい径の円筒部の長さ
が全体の長さの1/2未満に形成された半導体セラミッ
クの、上記貫通孔の内周面に内周電極を、両端面を除く
外周面に外周電極を形成した構成としたものである。
In order to solve the above-mentioned problems, the voltage-dependent nonlinear resistor ceramic element according to the present invention is composed of SrTiO 3 as a main component and has a convex cross-section with a through hole in the center. A semiconductor ceramic having a multi-stage cylindrical shape and a large-diameter cylindrical portion whose length is less than 1/2 of the entire length has an inner peripheral electrode on the inner peripheral surface of the through hole and an outer periphery excluding both end surfaces. The outer peripheral electrode is formed on the surface.

【0012】[0012]

【作用】この構成により、上記内周電極が一つの電極と
して一体化されるため、ピンと素子の隙間に半田などの
導電性接着剤が流れ込んでも一体化された電極の上であ
るため見掛け上の電極間距離は変化しない。従って電気
的特性は安定でバリスタ電圧は変化せず、バリスタ電圧
に極性はつかず絶縁抵抗は変化しないことになる。
With this structure, since the inner peripheral electrode is integrated as one electrode, even if a conductive adhesive such as solder flows into the gap between the pin and the element, it is on the integrated electrode and apparently The distance between the electrodes does not change. Therefore, the electrical characteristics are stable, the varistor voltage does not change, the varistor voltage has no polarity, and the insulation resistance does not change.

【0013】また、上記外周電極を共通端子に半田など
の導電性接着剤で接続した場合に接続が容易で接着強度
が大きくなるとともに余分な半田などの導電性接着剤の
タレを上記多段円筒形の多段境界部の平面部分で止める
ことにより、見掛け上の電極間距離は変化しないように
することができる。また仮に半田などの導電性接着剤が
タレ込んだ場合でも外周電極から離れる方向にタレ込む
ことから、見掛け上の電極間距離は変化しない。
Further, when the outer peripheral electrode is connected to the common terminal with a conductive adhesive such as solder, the connection is easy and the adhesive strength is increased, and excess conductive adhesive such as solder is dripped into the multi-stage cylindrical shape. It is possible to prevent the apparent distance between the electrodes from changing by stopping at the plane portion of the multi-stage boundary portion of. Even if the conductive adhesive such as solder sags, it sags in the direction away from the outer peripheral electrode, so the apparent distance between the electrodes does not change.

【0014】また上記平面部分にも外周電極を設けたこ
とにより、共通端子を導電性接着剤などで接続する場合
接触する面積が大きくなり接続が容易で、さらに二方向
から接続することができるため共通端子と素子の間の接
着力を強くすることができ、機械的強度を向上させるこ
とができるとともに、特に温度サイクル試験による特性
の劣化を小さくすることができ、信頼性を向上させるこ
とができる。
Further, by providing the outer peripheral electrode also on the above-mentioned plane portion, when the common terminal is connected by a conductive adhesive or the like, the contact area becomes large, the connection is easy, and the connection can be made from two directions. The adhesion between the common terminal and the element can be increased, the mechanical strength can be improved, and the deterioration of characteristics due to the temperature cycle test can be reduced, and the reliability can be improved. .

【0015】また内周電極および外周電極、共通端子の
最上層を半田メッキにすることにより、例えばピンと内
周電極の隙間や外周電極と共通端子の隙間を小さくして
おけば、導電性接着剤がなくても加熱処理するだけで内
周電極および外周電極、共通端子の最上層の半田メッキ
が互いに溶融して接続を行うことができる。
If the uppermost layers of the inner and outer peripheral electrodes and the common terminal are plated with solder, for example, the gap between the pin and the inner peripheral electrode and the gap between the outer peripheral electrode and the common terminal can be made small, a conductive adhesive can be obtained. Even without the above, the inner peripheral electrode, the outer peripheral electrode, and the solder plating of the uppermost layer of the common terminal can be melted and connected to each other only by performing the heat treatment.

【0016】また素子の電気的特性を十分に引き出すた
めにはCuメッキ、Niメッキ、Crメッキ、Snメッ
キ、Pbメッキ、Auメッキ、Agメッキ、Pdメッ
キ、半田メッキのうち一つまたは複数の種類のメッキを
重ねた構成にすることにより、素子と電極の界面にバリ
ヤーを形成することなく素子の電気的特性を十分に引き
出すことができ、容易に半田付けでき、複数の種類の多
層メッキ構造にすることにより半田耐熱性をさらに向上
させることができる。
In order to sufficiently bring out the electrical characteristics of the device, one or more kinds of Cu plating, Ni plating, Cr plating, Sn plating, Pb plating, Au plating, Ag plating, Pd plating, and solder plating are used. By overlapping the plating of the above, the electrical characteristics of the element can be fully brought out without forming a barrier at the interface between the element and the electrode, and it can be easily soldered to form multiple types of multilayer plating structures. By doing so, the solder heat resistance can be further improved.

【0017】[0017]

【実施例】【Example】

(実施例1)以下、本発明による第1の実施例を具体的
に説明する。
(Embodiment 1) Hereinafter, a first embodiment of the present invention will be specifically described.

【0018】SrCO3,CaCO3,BaCO3,Mg
CO3,TiO2を下記の(表1)および(表2)に示す
ように組成比を種々変えて秤量し、ボールミルなどで2
0時間混合する。次に、乾燥した後、1075℃で3時
間焼成し、再びボールミルなどで20時間粉砕した後乾
燥し第1成分とする。
SrCO 3 , CaCO 3 , BaCO 3 , Mg
CO 3 and TiO 2 were weighed at various composition ratios as shown in (Table 1) and (Table 2) below, and then weighed with a ball mill or the like.
Mix for 0 hours. Next, after being dried, it is baked at 1075 ° C. for 3 hours, pulverized again by a ball mill for 20 hours, and then dried to obtain the first component.

【0019】[0019]

【表1】 [Table 1]

【0020】[0020]

【表2】 [Table 2]

【0021】次に、第1成分、第2成分、第3成分を上
記(表1)および(表2)に示した組成比になるように
秤量し、ボールミルなどで24時間混合した後、乾燥
し、ポリビニルアルコールなどの有機バインダーを10
wt%添加して造粒した後、1ton/cm2のプレス圧
力で、図1に示す多段円筒形の小さい外径部分は外径φ
4mmで高さ2.5mm、大きい外径部分は外径φ6mmで高
さ0.5mm、また貫通孔の内径がφ1.4mmの多段円筒
状に成形し、空気中で1150℃で5時間焼成し脱バイ
ンダーする。
Next, the first component, the second component and the third component were weighed so as to have the composition ratios shown in (Table 1) and (Table 2), mixed for 24 hours with a ball mill or the like, and then dried. 10% organic binder such as polyvinyl alcohol
After adding wt% and granulating, the press pressure is 1 ton / cm 2 and the small outer diameter part of the multi-stage cylinder shown in FIG.
4 mm in height and 2.5 mm in height, large outer diameter part is 6 mm in outer diameter and 0.5 mm in height, and the through hole has an inner diameter of 1.4 mm in a multi-stage cylindrical shape and fired in air at 1150 ° C for 5 hours. Remove the binder.

【0022】次に、還元性雰囲気、例えばN2:H2
9:1のガス中で1400℃で5時間焼成する。さらに
その後、酸化性雰囲気、例えば空気中で1105℃で4
時間焼成する。こうして得られた焼結体の貫通孔の内周
面と、両端面を除く外周面にZnなどからなる導電性オ
ーミックペーストを例えばローラー転写などの方法によ
りそれぞれ形成する。
Next, a reducing atmosphere such as N 2 : H 2 =
Bake for 5 hours at 1400 ° C. in 9: 1 gas. After that, at 4 ° C at 1105 ° C in an oxidizing atmosphere such as air.
Bake for hours. A conductive ohmic paste made of Zn or the like is formed on the inner peripheral surface of the through hole and the outer peripheral surface excluding both end surfaces of the thus obtained sintered body by a method such as roller transfer.

【0023】その後120℃で10分間乾燥させ、さら
にその上から非オーミック性の導電性ペーストを同様に
してローラー転写などの方法により設け、120℃で1
0分間乾燥させ、650℃、10分間で焼成し、内周電
極ならびに外周電極を形成し、このようにして得られた
素子を図1に示す。
After that, it is dried at 120 ° C. for 10 minutes, and then a non-ohmic conductive paste is similarly provided thereon by a method such as roller transfer, and at 120 ° C. for 1 minute.
Drying for 0 minutes and baking at 650 ° C. for 10 minutes to form an inner peripheral electrode and an outer peripheral electrode, and the device thus obtained is shown in FIG.

【0024】図1において11は多段円筒形の貫通孔の
内周面全面に設けられた内周電極、12は多段円筒形の
両端面を除く外周面全体に設けられた外周電極、13は
SrTiO3を主成分とした電圧依存性非直線抵抗特性
を有する半導体セラミックからなる素子であり、多段円
筒形の中央部に円筒状の貫通孔が形成されている。
In FIG. 1, 11 is an inner peripheral electrode provided on the entire inner peripheral surface of the multi-stage cylindrical through hole, 12 is an outer peripheral electrode provided on the entire outer peripheral surface excluding both end surfaces of the multi-stage cylindrical shape, and 13 is SrTiO 3. It is an element made of a semiconductor ceramic having a voltage-dependent nonlinear resistance characteristic of 3 as a main component, and a cylindrical through hole is formed in the central part of a multistage cylindrical shape.

【0025】上記本発明による電圧依存性非直線抵抗体
磁器素子13をコネクタに組み込んだ状態を図2に示
す。図2において14,15は半田や導電性接着剤など
の導電性接続部材、16はピン、17は共通端子、18
はケースを示すものである。
FIG. 2 shows a state in which the voltage-dependent nonlinear resistor ceramic element 13 according to the present invention is incorporated in a connector. In FIG. 2, 14 and 15 are conductive connecting members such as solder and conductive adhesive, 16 is a pin, 17 is a common terminal, 18
Indicates a case.

【0026】このように本発明によれば、多段円筒形の
貫通孔に形成した内周電極11が一つの電極として一体
化されるため、ピン16と素子13の隙間に半田などの
導電性接着剤14が流れ込んでも一体化された内周電極
11の上であるために見掛け上の電極間距離は変化しな
い。
As described above, according to the present invention, the inner peripheral electrode 11 formed in the multi-stepped cylindrical through hole is integrated as one electrode, so that conductive adhesive such as solder is attached to the gap between the pin 16 and the element 13. Even if the agent 14 flows in, the apparent inter-electrode distance does not change because it is on the integrated inner peripheral electrode 11.

【0027】従って電気的特性は安定でバリスタ電圧は
変化せず、バリスタ電圧に極性はつかず絶縁抵抗は変化
しない。また、多段円筒形の両端面を除く外周面に外周
電極12を設けたことにより、共通端子17を導電性接
着剤15などで接続する場合段付き部の平面部を利用す
ることができ、接触する面積が大きくなり接続が容易
で、かつ共通端子17の上下二方向から接続することが
できるため共通端子17と素子13の間の接着力を強く
することができ、機械的強度を向上させることができる
とともに、特に温度サイクル試験による特性の劣化を小
さくすることができ、信頼性を向上させることができ
る。
Therefore, the electrical characteristics are stable, the varistor voltage does not change, the varistor voltage has no polarity, and the insulation resistance does not change. In addition, since the outer peripheral electrodes 12 are provided on the outer peripheral surfaces of the multi-stage cylindrical shape excluding both end surfaces, when connecting the common terminal 17 with the conductive adhesive 15 or the like, the flat surface portion of the stepped portion can be used and the contact can be made. Since the area to be used is large and the connection is easy, and since the common terminal 17 can be connected from two directions, the adhesive force between the common terminal 17 and the element 13 can be increased, and the mechanical strength can be improved. In addition, the deterioration of characteristics due to the temperature cycle test can be reduced, and the reliability can be improved.

【0028】また、余分な半田などの導電性接着剤15
のタレを上記平面で止めることにより、見掛け上の電極
間距離は変化しないようにすることができる。また仮に
半田などの導電性接着剤15がタレ込んだ場合でも外周
電極12から離れる方向にタレ込むことから、見掛け上
の電極間距離は変化しない。また、上記平面部を設ける
ことにより、表面絶縁距離を広くとることができ、電気
的特性は安定でバリスタ電圧は変化せず、バリスタ電圧
に極性はつかず絶縁抵抗は変化せず、素子13をコネク
タに組み立てても組み立て前後の特性の変化は極めて小
さく安定になるという効果が得られ、課電寿命特性を改
善し、信頼性を向上させることができる。
Further, a conductive adhesive 15 such as extra solder is used.
It is possible to prevent the apparent distance between the electrodes from changing by stopping the sagging in the above plane. Even if the conductive adhesive 15 such as solder sags, it will sag in a direction away from the outer peripheral electrode 12, so that the apparent inter-electrode distance does not change. Further, by providing the flat surface portion, the surface insulation distance can be widened, the electrical characteristics are stable, the varistor voltage does not change, the varistor voltage does not have polarity, and the insulation resistance does not change. Even when assembled into a connector, the effect that the change in the characteristics before and after the assembly is extremely small and stable can be obtained, and it is possible to improve the life span characteristics and improve the reliability.

【0029】(実施例2)上記実施例1と同様にして焼
成体を得た後、この焼結体の貫通孔の内周面と、両端面
を除く外周面にZnなどからなる導電性オーミックペー
ストを例えばローラー転写などの方法によりそれぞれ形
成して後、120℃で10分間乾燥させ630℃で3分
間焼成する。
(Example 2) After obtaining a fired body in the same manner as in Example 1, a conductive ohmic layer made of Zn or the like is formed on the inner peripheral surface of the through hole of the sintered body and the outer peripheral surface excluding both end surfaces. After forming the pastes by a method such as roller transfer, the pastes are dried at 120 ° C. for 10 minutes and baked at 630 ° C. for 3 minutes.

【0030】次に、弱酸などにより導電部分を活性化
し、無電解により活性化した部分にのみCuメッキ−N
iメッキを施し、さらにその上に電解半田メッキをして
三層構造にし、内周電極11、外周電極12を形成す
る。次に、図2に示すように半田などの導電性接続部材
14,15などによりピン16および共通端子17を取
り付け、ブタジエンゴムなどの樹脂を充填し、加熱硬化
する。このようにして得られた素子13の特性を素子1
3単品とコネクタ組み立て後について(表3)および
(表4)に示す。
Next, the conductive portion is activated by a weak acid or the like, and only the portion activated by electroless is Cu-plated-N.
i-plating is performed, and electrolytic solder plating is further applied thereon to form a three-layer structure to form the inner peripheral electrode 11 and the outer peripheral electrode 12. Next, as shown in FIG. 2, the pins 16 and the common terminal 17 are attached by using conductive connecting members 14 and 15 such as solder, filled with a resin such as butadiene rubber, and cured by heating. The characteristics of the element 13 obtained in this way are compared with those of the element 1
Table 3 and Table 4 show the three individual components and the assembled connector.

【0031】[0031]

【表3】 [Table 3]

【0032】[0032]

【表4】 [Table 4]

【0033】なお、V1mAは1mAの電流を流した時に
素子13の両端にかかる電圧であり、V1mAの極性は正
方向のV1mAと負方向のV1mAの差を正方向のV1mAで割
った値であり、絶縁抵抗は印加電圧12VDCの時のピ
ン16と共通端子17の間の絶縁抵抗値である。また、
温度サイクル試験の評価は−20〜85℃、500サイ
クル後のV1mAの変化率で示した。
It should be noted, V 1mA is the voltage applied across the element 13 to that which causes 1mA current, the polarity of V 1mA in a difference in the positive direction of V 1mA and the negative direction of the V 1mA in the positive direction of V 1mA The insulation resistance is the insulation resistance value between the pin 16 and the common terminal 17 when the applied voltage is 12 VDC. Also,
The evaluation of the temperature cycle test is shown by the change rate of V 1mA after 500 cycles at -20 to 85 ° C.

【0034】このように本実施例では内周電極11と外
周電極12ならびに共通端子17の最上層を半田メッキ
にすることにより、例えばピン16と内周電極11の隙
間や外周電極12と共通端子17の隙間を小さくしてお
けば、導電性接着剤14,15がなくても加熱処理する
だけで内周電極11および外周電極12、共通端子17
の最上層の半田メッキが互いに溶融して接続を行うこと
ができる。
As described above, in the present embodiment, the uppermost layer of the inner peripheral electrode 11, the outer peripheral electrode 12 and the common terminal 17 is solder-plated so that, for example, the gap between the pin 16 and the inner peripheral electrode 11 or the outer peripheral electrode 12 and the common terminal is formed. If the gap of 17 is made small, the inner peripheral electrode 11 and the outer peripheral electrode 12 and the common terminal 17 can be processed by heat treatment without the conductive adhesives 14 and 15.
The uppermost layer of the solder plating melts each other to make a connection.

【0035】さらに、素子13の電気的特性を十分に引
き出すためにCuメッキ、Niメッキ、Crメッキ、S
nメッキ、Pbメッキ、Auメッキ、Agメッキ、Pd
メッキ、半田メッキのうち一つまたは複数の種類のメッ
キを重ねた構成にすることにより、素子13と電極の界
面にバリヤーを形成することなく素子13の電気的特性
を十分に引き出すことができ、容易に半田付けでき、複
数の種類の多層メッキ構造にすることにより半田耐熱性
を向上させることができる。また素子13の形状を多段
円筒形にすることにより素子13の長さは長くなるが、
素子13の半径方向には寸法を小さくできるためコネク
タのピン16の間隔を小さくすることが可能で、コネク
タを小型化するのに極めて有効であるなど本発明による
効果は極めて大きいものである。
Further, in order to bring out the electrical characteristics of the element 13 sufficiently, Cu plating, Ni plating, Cr plating, S
n plating, Pb plating, Au plating, Ag plating, Pd
By arranging one or more kinds of plating among plating and solder plating, the electric characteristics of the element 13 can be sufficiently obtained without forming a barrier at the interface between the element 13 and the electrode. It can be easily soldered, and the solder heat resistance can be improved by using a plurality of types of multilayer plating structures. Further, by making the shape of the element 13 a multistage cylindrical shape, the length of the element 13 becomes long,
Since the size of the element 13 can be reduced in the radial direction, the distance between the pins 16 of the connector can be reduced, which is extremely effective for downsizing the connector, and the effect of the present invention is extremely large.

【0036】なお、上記の実施例では、第1成分のSr
の一部をCa,Ba,Mgで置換する割合は一部しか示
さなかったが、素子13の特性としてバリスタ特性とコ
ンデンサ特性を同時に持つ範囲内であればどのようなも
のであってもかまわない。さらに、AサイトとBサイト
の割合は等モルについてのみ示したが、Aサイトリッチ
でもBサイトリッチでもかまわないし、その割合は素子
13の特性としてバリスタ特性とコンデンサ特性を同時
に持つ範囲内であればどのようなものであってもかまわ
ない。また第2成分、第3成分は実施例では一部の組み
合わせについてのみ示したが、素子13の特性としてバ
リスタ特性とコンデンサ特性を同時に持つ範囲内であれ
ばどのような成分であってもかまわない。また、オーミ
ック性の電極としてはZn以外にAg,Cu,Niなど
があるが、これら以外でも素子13と電極との界面でオ
ーミック接続がとれるものであればどのようなものであ
ってもかまわない。また、メッキする方法は電解でも無
電解でもかまわないし、酸性メッキでも塩基性メッキで
も中性メッキでもかまわない。
In the above embodiment, the first component Sr
Although only a part of the ratio of substituting Ca, Ba, and Mg for a part of the above is shown, it does not matter as long as it is within the range of having the varistor characteristic and the capacitor characteristic at the same time as the characteristics of the element 13. . Further, the ratio of A site and B site is shown only for equimolar amounts, but it may be A site rich or B site rich, and if the ratio is within the range of having both varistor characteristics and capacitor characteristics as the characteristics of the element 13. It doesn't matter what it is. Further, the second component and the third component are shown only for some combinations in the embodiment, but any component may be used as long as it is within the range of simultaneously having the varistor characteristic and the capacitor characteristic as the characteristics of the element 13. . Further, as the ohmic electrode, there are Ag, Cu, Ni, etc. in addition to Zn, but any other electrode may be used as long as ohmic connection can be made at the interface between the element 13 and the electrode. . The plating method may be electrolytic or electroless, and may be acid plating, basic plating or neutral plating.

【0037】また、本発明による電圧依存性非直線抵抗
体磁器素子13に、例えばフェライト、コイル、トロイ
ダルコイルなどからなるインダクタンスを接続する構成
にし、ノイズ除去効果を改善することができる。
Further, the voltage-dependent nonlinear resistor porcelain element 13 according to the present invention may be connected to an inductance composed of, for example, a ferrite, a coil or a toroidal coil to improve the noise removing effect.

【0038】(実施例3)以下、本発明による第3の実
施例を具体的に説明する。
(Embodiment 3) A third embodiment of the present invention will be specifically described below.

【0039】SrCO3,CaCO3,BaCO3,Mg
CO3,TiO2を下記の(表5)に示すように組成比を
種々変えて秤量し、ボールミルなどで24時間混合す
る。次に、乾燥した後、1050℃で4時間焼成し、再
びボールミルなどで24時間粉砕した後乾燥し第1成分
とする。
SrCO 3 , CaCO 3 , BaCO 3 , Mg
CO 3 and TiO 2 are weighed at various composition ratios as shown in (Table 5) below and mixed for 24 hours with a ball mill or the like. Next, after being dried, it is baked at 1050 ° C. for 4 hours, pulverized again by a ball mill or the like for 24 hours, and then dried to obtain the first component.

【0040】[0040]

【表5】 [Table 5]

【0041】[0041]

【表6】 [Table 6]

【0042】次に、第1成分、第2成分、第3成分を上
記(表5)および(表6)に示した組成比になるように
秤量し、ボールミルなどで24時間混合した後、乾燥
し、ポリビニルアルコールなどの有機バインダーを10
wt%添加して造粒した後、1ton/cm2のプレス圧
力で、図3に示す多段円筒形の小さい外径部分は外径φ
4mmで高さ2.5mm、大きい外径部分は外径φ6mmで高
さ0.5mm、また貫通孔の内径がφ1.4mmの多段円筒
状に成形し、空気中で1200℃で10時間焼成し脱バ
インダーする。
Next, the first component, the second component and the third component were weighed so as to have the composition ratios shown in (Table 5) and (Table 6), mixed with a ball mill for 24 hours and then dried. 10% organic binder such as polyvinyl alcohol
After adding wt% and granulating, the press pressure is 1 ton / cm 2 , and the small outer diameter part of the multi-stage cylinder shown in FIG.
4 mm in height and 2.5 mm in height, large outer diameter part is 6 mm in outer diameter and 0.5 mm in height, and the inner diameter of the through hole is 1.4 mm in a multi-stage cylindrical shape and fired in air at 1200 ° C for 10 hours. Remove the binder.

【0043】次に、還元性雰囲気、例えばN2:H2
9:1のガス中で1425℃で5時間焼成する。さらに
その後、酸化性雰囲気、例えば空気中で1120℃で5
時間焼成する。こうして得られた焼結体の貫通孔の内周
面と、両端面ならびに大きい径の円筒部側の端部から一
定距離分を除く外周面にZnなどからなる導電性オーミ
ックペーストを例えばローラー転写などの方法によりそ
れぞれ形成する。
Next, a reducing atmosphere such as N 2 : H 2 =
Bake for 5 hours at 1425 ° C. in 9: 1 gas. After that, at 5 ° C. at 1120 ° C. in an oxidizing atmosphere such as air.
Bake for hours. The conductive ohmic paste made of Zn or the like is applied to the inner peripheral surface of the through hole of the sintered body thus obtained and the outer peripheral surface excluding a fixed distance from both end surfaces and the end portion on the cylindrical portion side having a large diameter, such as roller transfer. Are formed by the above method.

【0044】その後120℃で10分間乾燥させ、さら
にその上から非オーミック性の導電性ペーストを同様に
してローラー転写などの方法により設け、120℃で1
0分間乾燥させ、630℃、3分間で焼成し、内周電極
21、外周電極22を形成し、このようにして得られた
素子を図3に示す。
After that, it is dried at 120 ° C. for 10 minutes, and a non-ohmic conductive paste is similarly provided thereon by a method such as roller transfer, and at 120 ° C. for 1 minute.
It is dried for 0 minutes and baked at 630 ° C. for 3 minutes to form the inner peripheral electrode 21 and the outer peripheral electrode 22, and the element thus obtained is shown in FIG.

【0045】図3において21は多段円筒形の貫通孔の
内周面全面に設けられた内周電極、22は多段円筒形の
両端面ならびに大きい径の円筒部側の端部から一定距離
分を除く外周面全体に設けられた外周電極、23はSr
TiO3を主成分とした電圧依存性非直線抵抗特性を有
する半導体セラミックからなる素子であり、多段円筒形
の中央部に円筒状の貫通孔が形成されている。
In FIG. 3, reference numeral 21 denotes an inner peripheral electrode provided on the entire inner peripheral surface of the multi-stepped cylindrical through hole, and reference numeral 22 denotes a fixed distance from both end surfaces of the multi-stepped cylindrical shape and the end on the side of the large diameter cylindrical portion. Except for the outer peripheral electrodes provided on the entire outer peripheral surface, 23 is Sr
It is an element made of a semiconductor ceramic having TiO 3 as a main component and having voltage-dependent non-linear resistance characteristics, and a cylindrical through hole is formed in the central portion of a multistage cylindrical shape.

【0046】上記本発明による電圧依存性非直線抵抗体
磁器素子23をコネクタに組み込んだ状態を図4に示
す。図4において14,15は半田や導電性接着剤など
の導電性接続部材、16はピン、17は共通端子、18
はケースを示すものである。
FIG. 4 shows a state in which the voltage-dependent nonlinear resistor ceramic element 23 according to the present invention is incorporated in a connector. In FIG. 4, 14 and 15 are conductive connecting members such as solder and conductive adhesive, 16 is a pin, 17 is a common terminal, 18
Indicates a case.

【0047】このように構成される本発明の電圧依存性
非直線抵抗体磁器素子23は、前述実施例1で説明した
同素子13の効果と同様の効果が得られるものであり、
詳細な説明は省略する。
The voltage-dependent non-linear resistance ceramic element 23 of the present invention having the above-described structure has the same effect as that of the element 13 described in the first embodiment.
Detailed description is omitted.

【0048】(実施例4)上記実施例3と同様にして焼
成体を得た後、この焼結体の貫通孔の内周面と、両端面
ならびに大きい径の円筒部側の端部から一定距離分を除
く外周面にZnなどからなるオーミック性導電性ペース
トを例えばローラー転写などの方法により形成し、電極
を設けた後、120℃で10分間乾燥させ、630℃で
3分間焼成する。次に、弱酸などにより導電部分を活性
化し、無電解により活性化した部分のみCuメッキ−N
iメッキを施し、さらにその上に電解法により半田メッ
キして三層構造にし、内周電極21、外周電極22を形
成する。
(Embodiment 4) After obtaining a fired body in the same manner as in the above-mentioned Embodiment 3, a constant amount is obtained from the inner peripheral surface of the through hole of this sintered body, both end surfaces and the end portion on the cylindrical portion side having a large diameter. An ohmic conductive paste of Zn or the like is formed on the outer peripheral surface excluding the distance by, for example, a method such as roller transfer, and after providing an electrode, it is dried at 120 ° C. for 10 minutes and baked at 630 ° C. for 3 minutes. Next, the conductive portion is activated by a weak acid or the like, and only the portion activated by electroless is Cu-plated-N.
The i-plating is performed, and the electroplating is further performed by solder plating to form a three-layer structure to form the inner peripheral electrode 21 and the outer peripheral electrode 22.

【0049】次に、図4に示したように半田などの導電
性接続部材14,15などによりピン16及び共通端子
17を取り付け、ブタジエンゴムなどの樹脂を充填し、
加熱硬化する。このようにして得られた素子23の特性
を素子23単品とコネクタ組み立て後について(表7)
および(表8)に示す。
Next, as shown in FIG. 4, the pins 16 and the common terminal 17 are attached by conductive connecting members 14 and 15 such as solder, and resin such as butadiene rubber is filled.
Heat cure. The characteristics of the element 23 obtained in this way are shown after the element 23 is singly assembled with the connector (Table 7).
And (Table 8).

【0050】[0050]

【表7】 [Table 7]

【0051】[0051]

【表8】 [Table 8]

【0052】なお、V1mAは1mAの電流を流した時に
素子23の両端にかかる電圧であり、V1mAの極性は正
方向のV1mAと負方向のV1mAの差を正方向のV1mAで割
った値であり、絶縁抵抗は印加電圧12VDCの時のピ
ン16と共通端子17の間の絶縁抵抗値である。また、
温度サイクル試験の評価は−20〜85℃、500サイ
クル後のV1mAの変化率で示した。
[0052] Incidentally, V 1mA is the voltage applied across the element 23 when the flow of 1mA current, the polarity of V 1mA in a difference in the positive direction of V 1mA and the negative direction of the V 1mA in the positive direction of V 1mA The insulation resistance is the insulation resistance value between the pin 16 and the common terminal 17 when the applied voltage is 12 VDC. Also,
The evaluation of the temperature cycle test is shown by the change rate of V 1mA after 500 cycles at -20 to 85 ° C.

【0053】このように構成される本発明の電圧依存性
非直線抵抗体磁器素子23は、前述実施例2で説明した
同素子13の効果と同様の効果が得られるものであり、
詳細な説明は省略する。
The voltage-dependent non-linear resistance ceramic element 23 of the present invention having the above-described structure has the same effect as that of the element 13 described in the second embodiment.
Detailed description is omitted.

【0054】なお、上記の実施例においては、第1成分
のSrの一部をCa,Ba,Mgで置換する割合は実施
例では一部しか示さなかったが、素子23の特性として
バリスタ特性とコンデンサ特性を同時に持つ範囲内であ
ればどのようなものであってもかまわない。さらに、A
サイトとBサイトの割合は等モルについてのみ示した
が、AサイトリッチでもBサイトリッチでもかまわない
し、その割合は電圧依存性非直線抵抗特性が得られる範
囲であればいくらであってもかまわない。また第2成
分、第3成分は実施例では一部の組み合わせについての
み示したが素子23の特性としてバリスタ特性とコンデ
ンサ特性を同時に持つ範囲内であればどのような成分で
あってもかまわない。
In the above-described embodiments, the ratio of substituting a part of Sr of the first component with Ca, Ba and Mg was shown only in the embodiments, but the characteristics of the element 23 are varistor characteristics. Any capacitor may be used as long as it has a capacitor characteristic at the same time. Furthermore, A
Although the ratio of sites and B sites is shown only for equimolar amounts, it may be A site-rich or B site-rich, and the ratio may be any as long as the voltage-dependent nonlinear resistance characteristic is obtained. . The second component and the third component are shown only for some combinations in the embodiments, but any component may be used as long as it is within the range of simultaneously having the varistor characteristic and the capacitor characteristic as the characteristics of the element 23.

【0055】また、オーミック性の電極としてはZn以
外にAg,Cu,Niなどがあるが、これら以外でも素
子23と電極との界面でオーミック接続がとれるもので
あればどのようなものであってもかまわない。また、メ
ッキする成分およびその組合せについては一部について
のみ示したがこれら以外の成分及び組合せで同様の効果
が得られるものであれば、これらに限定されない。また
メッキ方法は電解でも無電解でもかまわないし、酸性メ
ッキでも塩基性メッキでも中性メッキでもかまわない。
As the ohmic electrode, there are Ag, Cu, Ni, etc. in addition to Zn. Any other electrode can be used as long as ohmic connection can be made at the interface between the element 23 and the electrode. I don't care. Moreover, although only a part of the components to be plated and the combination thereof are shown, the components and combinations other than these are not limited to these as long as the same effect can be obtained. The plating method may be electrolytic or electroless, acidic plating, basic plating or neutral plating.

【0056】また電圧依存性非直線抵抗体磁器素子23
に例えばフェライト、コイル、トロイダルコイルなどか
らなるインダクタンスを接続する構成にし、ノイズ除去
効果を改善することができる。
Further, the voltage-dependent nonlinear resistor porcelain element 23
A noise removing effect can be improved by adopting a configuration in which an inductance including a ferrite, a coil, a toroidal coil, or the like is connected to the above.

【0057】(実施例5)以下、本発明による第5の実
施例を具体的に説明する。
(Fifth Embodiment) Hereinafter, a fifth embodiment of the present invention will be described in detail.

【0058】SrCO3,CaCO3,BaCO3,Mg
CO3,TiO2を下記の(表9)に示すように組成比を
種々変えて秤量し、ボールミルなどで20時間混合す
る。次に、乾燥した後、1050℃で4時間焼成し、再
びボールミルなどで24時間粉砕した後乾燥し第1成分
とする。
SrCO 3 , CaCO 3 , BaCO 3 , Mg
CO 3 and TiO 2 are weighed at various composition ratios as shown in (Table 9) below, and mixed for 20 hours with a ball mill or the like. Next, after being dried, it is baked at 1050 ° C. for 4 hours, pulverized again by a ball mill or the like for 24 hours, and then dried to obtain the first component.

【0059】[0059]

【表9】 [Table 9]

【0060】[0060]

【表10】 [Table 10]

【0061】次に、第1成分、第2成分、第3成分を上
記(表9)および(表10)に示した組成比になるよう
に秤量し、ボールミルなどで30時間混合した後、乾燥
し、ポリビニルアルコールなどの有機バインダーを10
wt%添加して造粒した後、1ton/cm2のプレス圧
力で図5に示す多段円筒形の小さい外径部分は外径φ4
mmで高さ2.5mm、大きい外径部分は外径φ6mmで高さ
0.5mm、また貫通孔の内径がφ1.4mmの多段円筒状
に成形し、空気中で1100℃で6時間焼成し脱バイン
ダーする。次に、還元性雰囲気、例えばN2:H2=9:
1のガス中で1375℃で4時間焼成する。さらにその
後、酸化性雰囲気、例えば空気中で1105℃で4時間
焼成する。
Next, the first component, the second component, and the third component were weighed so as to have the composition ratios shown in (Table 9) and (Table 10), mixed with a ball mill for 30 hours, and then dried. 10% organic binder such as polyvinyl alcohol
After adding wt% and granulating, the small outer diameter part of the multi-stage cylindrical shape shown in FIG. 5 has an outer diameter of φ4 with a press pressure of 1 ton / cm 2 .
mm in height 2.5 mm, large outer diameter part is 6 mm in outer diameter and 0.5 mm in height, and the inner diameter of the through hole is 1.4 mm in a multi-stage cylindrical shape and fired in air at 1100 ° C for 6 hours. Remove the binder. Next, a reducing atmosphere, for example N 2 : H 2 = 9:
Baking for 4 hours at 1375 ° C. in the gas of 1. Further, thereafter, firing is performed at 1105 ° C. for 4 hours in an oxidizing atmosphere, for example, air.

【0062】こうして得られた焼結体の貫通孔の内周面
と、両端面ならびに小さい径の円筒部側の端面から一定
距離分を除く外周面全体にZnなどからなる導電性オー
ミックペーストを例えばローラー転写などの方法により
設ける。その後120℃で10分間乾燥させ、さらにそ
の上から非オーミック性の導電性ペーストを同様にして
ローラー転写などの方法により設け、120℃で10分
間乾燥させ、550℃、10分間焼成し、内周電極3
1、外周電極32を形成し、このようにして得られた素
子を図5に示す。図5において31は多段円筒形の貫通
孔の内周面全面に設けられた内周電極、32は多段円筒
形の両端面ならびに小さい径の円筒部側の端部から一定
距離分を除く外周面全体に設けられた外周電極、33は
SrTiO 3を主成分とした電圧依存性非直線抵抗特性
を有する半導体セラミックからなる素子であり、多段円
筒形の中央部に円筒状の貫通孔が形成されている。
Inner peripheral surface of the through hole of the sintered body thus obtained
And from both end surfaces and the end surface on the side of the cylinder with a small diameter
The conductive outer surface made of Zn or the like is formed on the entire outer peripheral surface excluding the distance.
Mick paste by a method such as roller transfer
Set up. Then, dry at 120 ° C for 10 minutes, and then
Apply non-ohmic conductive paste from above
Provided by a method such as roller transfer, at 120 ° C for 10 minutes
And dry for 5 minutes at 550 ° C.
1. The peripheral electrode 32 is formed, and the element thus obtained is
The offspring are shown in FIG. In FIG. 5, 31 is a multi-stage cylindrical through
Inner electrode provided on the entire inner surface of the hole, 32 is a multi-stage cylinder
Constant from both ends of the shape and the end of the small diameter cylinder
The outer peripheral electrodes 33 provided on the entire outer peripheral surface excluding the distance,
SrTiO 3-Dependent Non-Linear Resistance Characteristic Consisting of
Is an element made of semiconductor ceramic having
A cylindrical through hole is formed at the center of the cylinder.

【0063】上記本発明による電圧依存性非直線抵抗体
磁器素子33をコネクタに組み込んだ状態を図6に示
す。図6において14,15は半田や導電性接着剤など
の導電性接続部材、16はピン、17は共通端子、18
はケースを示すものである。
FIG. 6 shows a state in which the voltage-dependent nonlinear resistor porcelain element 33 according to the present invention is incorporated in a connector. 6, 14 and 15 are conductive connecting members such as solder and conductive adhesive, 16 is a pin, 17 is a common terminal, 18
Indicates a case.

【0064】このように構成される本発明の電圧依存性
非直線抵抗体磁器素子33は、前述実施例1で説明した
同素子13の効果と同様の効果が得られるものであり、
詳細な説明は省略する。
The voltage-dependent nonlinear resistance porcelain element 33 of the present invention having the above-described structure has the same effect as that of the element 13 described in the first embodiment.
Detailed description is omitted.

【0065】(実施例6)上記実施例5と同様にして焼
成体を得た後、この焼結体の貫通孔の内周面と、両端面
ならびに小さい径の円筒部側の端部から一定距離分を除
く外周面全体にZnなどからなる導電性オーミックペー
ストを例えばローラー転写などの方法により形成し、電
極を設けた後、120℃で10分間乾燥させ、600
℃、7分間焼成する。
(Example 6) After obtaining a fired body in the same manner as in the above-mentioned Example 5, the inner peripheral surface of the through hole of this sintered body, both end surfaces, and the end portion on the side of the cylindrical portion having a small diameter are fixed. A conductive ohmic paste made of Zn or the like is formed on the entire outer peripheral surface excluding the distance by, for example, a method such as roller transfer, and after providing an electrode, it is dried at 120 ° C. for 10 minutes, and 600
Bake at ℃ for 7 minutes.

【0066】次に、弱酸などにより導電部分を活性化
し、無電解により活性化した部分にのみCuメッキ−N
iメッキを施し、さらにその上に電解半田メッキをし、
三層構造にし、内周電極31、外周電極32を形成す
る。次に、図6に示したように半田などの導電性接続部
材14,15などによりピン16及び共通端子17を取
り付け、ブタジエンゴムなどの樹脂を充填し、加熱硬化
する。このようにして得られた素子33の特性を素子3
3単品とコネクタ組み立て後について(表11)及び
(表12)に示す。
Next, the conductive portion is activated by a weak acid or the like, and only the portion activated by electroless is Cu-plated-N.
i plating, and then electrolytic solder plating on it,
An inner peripheral electrode 31 and an outer peripheral electrode 32 are formed in a three-layer structure. Next, as shown in FIG. 6, the pins 16 and the common terminal 17 are attached by the conductive connecting members 14 and 15 such as solder, and the resin such as butadiene rubber is filled and heat-cured. The characteristics of the element 33 thus obtained are compared with those of the element 3
It shows in (Table 11) and (Table 12) after assembling 3 single parts and a connector.

【0067】[0067]

【表11】 [Table 11]

【0068】[0068]

【表12】 [Table 12]

【0069】なお、V1mAは1mAの電流を流した時に
素子33の両端にかかる電圧であり、V1mAの極性は正
方向のV1mAと負方向のV1mAの差を正方向のV1mAで割
った値であり、絶縁抵抗は印加電圧12VDCの時のピ
ン16と共通端子17の間の絶縁抵抗値である。また、
温度サイクル試験の評価は−20〜85℃、500サイ
クル後のV1mAの変化率で示した。
[0069] Incidentally, V 1mA is the voltage applied across the element 33 when the flow of 1mA current, the polarity of V 1mA in a difference in the positive direction of V 1mA and the negative direction of the V 1mA in the positive direction of V 1mA The insulation resistance is the insulation resistance value between the pin 16 and the common terminal 17 when the applied voltage is 12 VDC. Also,
The evaluation of the temperature cycle test is shown by the change rate of V 1mA after 500 cycles at -20 to 85 ° C.

【0070】このように構成される本発明の電圧依存性
非直線抵抗体磁器素子33は、前述実施例2で説明した
同素子13の効果と同様の効果が得られるものであり、
詳細な説明は省略する。
The voltage-dependent nonlinear resistor porcelain element 33 of the present invention having the above-mentioned structure has the same effect as that of the element 13 described in the second embodiment.
Detailed description is omitted.

【0071】なお、上記の実施例においては、第1成分
のSrの一部をCa,Ba,Mgで置換する割合は実施
例では一部しか示さなかったが、素子33の特性として
バリスタ特性とコンデンサ特性を同時に持つ範囲内であ
ればどのようなものであってもかまわない。さらに、A
サイトとBサイトの割合は等モルについてのみ示した
が、AサイトリッチでもBサイトリッチでもかまわない
し、その割合はバリスタ特性とコンデンサ特性を同時に
持つ範囲であればいくらであってもかまわない。さらに
第2成分、第3成分は実施例では一部の組み合わせにつ
いてのみ示したが素子33の特性としてバリスタ特性と
コンデンサ特性を同時に持つ範囲内であればどのような
成分であってもかまわない。
In the above-mentioned embodiments, the ratio of substituting a part of Sr of the first component with Ca, Ba, and Mg was shown only in the embodiments, but the characteristics of the element 33 are varistor characteristics. Any capacitor may be used as long as it has a capacitor characteristic at the same time. Furthermore, A
Although the ratios of sites and B sites are shown only for equimolar amounts, they may be A site rich or B site rich, and the ratio may be any as long as it has both varistor characteristics and capacitor characteristics. Further, the second component and the third component are shown only for some combinations in the embodiment, but any component may be used as long as it is within the range of simultaneously having the varistor characteristic and the capacitor characteristic as the characteristics of the element 33.

【0072】また、オーミック性の電極としてはZn以
外にAg,Cu,Niなどがあるが、これら以外でも素
子33と電極との界面でオーミック接続がとれるもので
あればどのようなものであってもかまわない。また、メ
ッキする成分およびその組合せについては一部について
のみ示したが、これら以外の成分及び組合せで同様の効
果が得られるものであればこれらに限定されるものでは
ない。またメッキ方法は電解でも無電解でもかまわない
し、酸性メッキでも塩基性メッキでも中性メッキでもか
まわない。また電圧依存性非直線抵抗体磁器素子33に
たとえばフェライト、コイル、トロイダルコイルなどか
らなるインダクタンスを接続する構成にし、ノイズ除去
効果を改善することができる。
As the ohmic electrode, there are Ag, Cu, Ni, etc. in addition to Zn. Any other electrode can be used as long as ohmic connection can be made at the interface between the element 33 and the electrode. I don't care. Further, only a part of the components to be plated and the combination thereof are shown, but the components and combinations other than these are not limited to these as long as the same effect can be obtained. The plating method may be electrolytic or electroless, acidic plating, basic plating or neutral plating. Further, the voltage-dependent nonlinear resistor porcelain element 33 is connected to an inductance such as a ferrite, a coil, a toroidal coil or the like to improve the noise removing effect.

【0073】[0073]

【発明の効果】以上のように本発明による電圧依存性非
直線抵抗体磁器素子は、多段円筒形の貫通孔に形成した
内周電極が一つの電極として一体化されるため、ピンと
素子の隙間に半田などの導電性接着剤が流れ込んでも一
体化された内周電極の上であるため見掛け上の電極間距
離は変化しない。
As described above, in the voltage-dependent nonlinear resistor porcelain element according to the present invention, the inner peripheral electrode formed in the multi-stage cylindrical through hole is integrated as one electrode, so that the gap between the pin and the element is increased. Even if a conductive adhesive such as solder flows in, the apparent distance between the electrodes does not change because it is on the integrated inner peripheral electrodes.

【0074】従って電気的特性は安定でバリスタ電圧は
変化せず、バリスタ電圧に極性はつかず絶縁抵抗は変化
しない。
Therefore, the electrical characteristics are stable, the varistor voltage does not change, the varistor voltage has no polarity, and the insulation resistance does not change.

【0075】また、多段円筒形の両端面を除く外周面全
体に、もしくは両端面と大きい径の円筒部側の端部ある
いは小さい径の円筒部側の端部のいずれかから一定距離
分を除く外周面全体に外周電極を設けたことにより、共
通端子を導電性接着剤などで接続する場合段付き部の平
面部を利用することができ、接触する面積が大きくなり
接続が容易で、かつ共通端子の上下二方向から接続する
ことができるため共通端子と素子の間の接着力を強くす
ることができ、機械的強度を向上させることができると
ともに、特に温度サイクル試験による特性の劣化を小さ
くすることができ、信頼性を向上させることができる。
Also, a constant distance is removed from the entire outer peripheral surface excluding both end surfaces of the multi-stage cylindrical shape or from both end surfaces and the end portion on the side of the large diameter cylindrical portion or the end portion on the side of the small diameter cylindrical portion. Since the outer peripheral electrode is provided on the entire outer peripheral surface, the flat surface of the stepped portion can be used when connecting the common terminal with a conductive adhesive, etc., and the contact area becomes large, and the connection is easy and common. Since the terminals can be connected from the upper and lower sides, the adhesive force between the common terminal and the element can be increased, the mechanical strength can be improved, and the deterioration of the characteristics due to the temperature cycle test can be reduced. Therefore, the reliability can be improved.

【0076】また、余分な半田などの導電性接着剤のタ
レを上記平面部で止めることにより、見掛け上の電極間
距離は変化しないようにすることができる。また仮に半
田などの導電性接着剤がタレ込んだ場合でも外周電極か
ら離れる方向にタレ込むことから、見掛け上の電極間距
離は変化しない。また上記平面部を設けることにより、
表面絶縁距離を広くとることができ、電気的特性は安定
でバリスタ電圧は変化せず、バリスタ電圧に極性はつか
ず絶縁抵抗は変化せず、素子をコネクタに組み立てても
組み立て前後の特性の変化は極めて小さく安定になると
いう効果が得られ、課電寿命特性を改善し信頼性を向上
させることができる。
Further, by stopping the sagging of the conductive adhesive such as extra solder at the flat surface portion, the apparent distance between the electrodes can be kept unchanged. Even if the conductive adhesive such as solder sags, it sags in the direction away from the outer peripheral electrode, so the apparent distance between the electrodes does not change. Further, by providing the above flat portion,
The surface insulation distance can be wide, the electrical characteristics are stable, the varistor voltage does not change, the varistor voltage has no polarity, the insulation resistance does not change, and the characteristics change before and after assembly even when the element is assembled into the connector. Has an effect of being extremely small and stable, and it is possible to improve the life characteristics of voltage application and reliability.

【0077】また内周電極および外周電極、共通端子の
最上層を半田メッキにすることにより、例えばピンと内
周電極の隙間や外周電極と共通端子の隙間を小さくして
おけば、導電性接着剤がなくても加熱処理するだけで内
周電極および外周電極、共通端子の最上層の半田メッキ
が互いに溶融して接続を行うことができる。
If the uppermost layers of the inner and outer peripheral electrodes and the common terminal are plated with solder, for example, the gap between the pin and the inner peripheral electrode and the gap between the outer peripheral electrode and the common terminal can be reduced, the conductive adhesive Even without the above, the inner peripheral electrode, the outer peripheral electrode, and the solder plating of the uppermost layer of the common terminal can be melted and connected to each other only by performing the heat treatment.

【0078】さらに、素子の電気的特性を十分に引き出
すためにはCuメッキ、Niメッキ、Crメッキ、Sn
メッキ、Pbメッキ、Auメッキ、Agメッキ、Pdメ
ッキ、半田メッキのうち一つまたは複数の種類のメッキ
を重ねた構成にすることにより、素子と電極の界面にバ
リヤーを形成することなく素子の電気的特性を十分に引
き出すことができ、容易に半田付けでき、複数の種類の
多層メッキ構造にすることにより半田耐熱性を向上させ
ることができる。また素子の形状を多段円筒形にするこ
とにより素子の長さは長くなるが、素子の半径方向には
寸法を小さくできるためコネクタのピン間隔を小さくす
ることが可能で、コネクタを小型化するのに極めて有効
であるなどの多くの効果が得られ、本発明による実用上
の効果は極めて大きいものである。
Further, in order to sufficiently bring out the electrical characteristics of the element, Cu plating, Ni plating, Cr plating, Sn
By forming one or more kinds of plating among plating, Pb plating, Au plating, Ag plating, Pd plating, and solder plating, it is possible to electrically connect the elements without forming a barrier at the interface between the elements and the electrodes. It is possible to bring out the desired characteristics sufficiently, it is possible to easily solder, and it is possible to improve the heat resistance of the solder by using a plurality of types of multilayer plating structures. In addition, although the length of the element is increased by making the shape of the element into a multi-stage cylindrical shape, the dimension of the element can be reduced in the radial direction, so that the pin interval of the connector can be reduced and the connector can be miniaturized. Many effects such as being extremely effective are obtained, and the practical effects according to the present invention are extremely large.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】本発明の第1の実施例による電圧依存性非直線
抵抗体磁器素子を示す断面図
FIG. 1 is a sectional view showing a voltage-dependent nonlinear resistor ceramic element according to a first embodiment of the present invention.

【図2】図1の同素子をコネクタに組み立てた時の断面
FIG. 2 is a cross-sectional view of the same element of FIG. 1 assembled into a connector.

【図3】本発明の第3の実施例による電圧依存性非直線
抵抗体磁器素子を示す断面図
FIG. 3 is a sectional view showing a voltage-dependent nonlinear resistor porcelain element according to a third embodiment of the present invention.

【図4】図3の同素子をコネクタに組み立てた時の断面
FIG. 4 is a cross-sectional view of the same element of FIG. 3 assembled into a connector.

【図5】本発明の第5の実施例による電圧依存性非直線
抵抗体磁器素子を示す断面図
FIG. 5 is a sectional view showing a voltage-dependent nonlinear resistor ceramic element according to a fifth embodiment of the present invention.

【図6】図5の同素子をコネクタに組み立てた時の断面
FIG. 6 is a sectional view of the same element of FIG. 5 assembled into a connector.

【図7】従来の電圧依存性非直線抵抗体磁器素子を示す
断面図
FIG. 7 is a cross-sectional view showing a conventional voltage-dependent nonlinear resistor ceramic element.

【図8】図7の同素子をコネクタに組み立てた時の断面
8 is a cross-sectional view of the same element of FIG. 7 assembled into a connector.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

11 内周電極 12 外周電極 13 素子 14,15 導電性接続部材 16 ピン 17 共通端子 18 ケース 21 内周電極 22 外周電極 23 素子 31 内周電極 32 外周電極 33 素子 11 Inner peripheral electrode 12 Outer peripheral electrode 13 Element 14, 15 Conductive connection member 16 Pin 17 Common terminal 18 Case 21 Inner peripheral electrode 22 Outer peripheral electrode 23 Element 31 Inner peripheral electrode 32 Outer peripheral electrode 33 Element

Claims (7)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】主成分がSrTiO3からなり、中心部に
貫通孔を設けた断面凸状の多段円筒形で、かつ大きい径
の円筒部の長さが全体の長さの1/2未満に形成された
半導体セラミックの素子の、上記貫通孔の内周面に内周
電極を、両端面を除く外周面に外周電極を形成してなる
電圧依存性非直線抵抗体磁器素子。
1. A multi-stage cylindrical shape having a convex cross-section with a through hole in the center, the main component of which is SrTiO 3 , and the length of the large-diameter cylindrical portion is less than 1/2 of the entire length. A voltage-dependent nonlinear resistor porcelain element having an inner peripheral electrode formed on the inner peripheral surface of the through hole and an outer peripheral electrode formed on the outer peripheral surface excluding both end surfaces of the formed semiconductor ceramic element.
【請求項2】外周電極が大きい径の円筒部側の端部ある
いは小さい径の円筒部側の端部のいずれかに、端部から
一定距離分の無電極部を設けて形成されたものである請
求項1記載の電圧依存性非直線抵抗体磁器素子。
2. The outer peripheral electrode is formed by providing an electrodeless portion for a certain distance from the end on either the end on the side of the large diameter cylindrical portion or the end on the side of the small diameter cylindrical portion. The voltage-dependent nonlinear resistor ceramic element according to claim 1.
【請求項3】内周電極、外周電極として下地がオーミッ
ク性電極であり上地に非オーミック性電極を重ねたもの
とした請求項1または請求項2記載の電圧依存性非直線
抵抗体磁器素子。
3. The voltage-dependent nonlinear resistor porcelain element according to claim 1 or 2, wherein the inner peripheral electrode and the outer peripheral electrode are ohmic electrodes as a base and non-ohmic electrodes are laminated on the upper layer. .
【請求項4】内周電極、外周電極として下地がオーミッ
ク性電極であり上地にCuメッキ、Niメッキ、Crメ
ッキ、Snメッキ、Pbメッキ、Auメッキ、Agメッ
キ、Pdメッキ、半田メッキのうち一つまたは複数の種
類のメッキを重ねたものとした請求項1または請求項2
記載の電圧依存性非直線抵抗体磁器素子。
4. An inner peripheral electrode, an outer peripheral electrode is an ohmic electrode as a base, and the upper layer is plated with Cu, Ni, Cr, Sn, Pb, Au, Ag, Pd, or solder. The method according to claim 1 or 2, wherein one or a plurality of types of plating are stacked.
The voltage-dependent nonlinear resistor porcelain element described.
【請求項5】内周電極、外周電極がCuメッキ、Niメ
ッキ、Crメッキ、Snメッキ、Pbメッキ、Auメッ
キ、Agメッキ、Pdメッキ、半田メッキのうち一つま
たは複数の種類のメッキを重ねたものである請求項1ま
たは請求項2記載の電圧依存性非直線抵抗体磁器素子。
5. The inner peripheral electrode and the outer peripheral electrode are overlaid with one or more kinds of platings of Cu plating, Ni plating, Cr plating, Sn plating, Pb plating, Au plating, Ag plating, Pd plating, and solder plating. The voltage-dependent nonlinear resistor porcelain element according to claim 1 or 2, which is a
【請求項6】内周電極、外周電極の最上層が半田メッキ
である請求項1または請求項2記載の電圧依存性非直線
抵抗体磁器素子。
6. The voltage-dependent nonlinear resistor porcelain element according to claim 1 or 2, wherein the uppermost layers of the inner and outer electrodes are solder plated.
【請求項7】主成分のSrの一部をCa,Ba,Mgの
うち少なくとも一つ以上の元素で置換した請求項1また
は請求項2記載の電圧依存性非直線抵抗体磁器素子。
7. The voltage-dependent nonlinear resistor porcelain element according to claim 1 or 2, wherein a part of Sr as a main component is replaced with at least one element of Ca, Ba and Mg.
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