JP3003369B2 - Voltage-dependent nonlinear resistor porcelain element - Google Patents
Voltage-dependent nonlinear resistor porcelain elementInfo
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Description
【0001】[0001]
【産業上の利用分野】本発明は電気機器、電子機器で発
生する異常高電圧、ノイズ、静電気などから機器の半導
体及び回路を保護する目的で使用されるコンデンサ特性
とバリスタ特性を有する電圧依存性非直線抵抗体磁器素
子に関するものである。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a voltage dependency having a capacitor characteristic and a varistor characteristic used for protecting a semiconductor and a circuit of a device from abnormal high voltage, noise, static electricity, etc. generated in an electric device and an electronic device. The present invention relates to a nonlinear resistor porcelain element.
【0002】[0002]
【従来の技術】従来、各種の電気機器、電子機器におけ
る異常高電圧の吸収、ノイズの除去、火花消去、静電気
対策のために電圧依存性非直線抵抗特性を有するSiC
バリスタや、ZnO系バリスタなどが使用されている。
このようなバリスタの電圧−電流特性は近似的に次式の
ように表すことができる。2. Description of the Related Art Conventionally, SiC having a voltage-dependent non-linear resistance characteristic for absorbing abnormally high voltage, removing noise, eliminating sparks, and taking measures against static electricity in various electric and electronic devices.
Varistors and ZnO-based varistors are used.
The voltage-current characteristics of such a varistor can be approximately expressed by the following equation.
【0003】[0003]
【数1】 (Equation 1)
【0004】ここで、Iは電流、Vは電圧、Cはバリス
タ固有の定数、αは電圧−電流非直線指数である。Here, I is a current, V is a voltage, C is a constant unique to a varistor, and α is a voltage-current nonlinear exponent.
【0005】SiCバリスタのαは2〜7程度、ZnO
系バリスタではαが50にもおよぶものがある。このよ
うなバリスタは比較的高い電圧の吸収には優れた性能を
有しているが、誘電率が低く、固有の静電容量が小さい
ためバリスタ電圧以下の比較的低い電圧の吸収にはほと
んど効果を示さず、また誘電損失tanδが5〜10%
と大きいものであった。The α of the SiC varistor is about 2 to 7,
In some varistors, α is as high as 50. Such varistors have excellent performance in absorbing relatively high voltage, but have little effect on absorbing relatively low voltage below varistor voltage due to low dielectric constant and small inherent capacitance. And a dielectric loss tan δ of 5 to 10%
It was a big one.
【0006】一方、これらの低電圧のノイズなどの除去
には見かけの誘電率が5×104程度で、tanδが1
%前後の半導体コンデンサが利用されている。しかし、
このような半導体コンデンサはサージなどにより、ある
限度以上の電圧または電流が印加されると静電容量が減
少したり破壊したりしてコンデンサとしての機能を果た
さなくなったりするものであった。On the other hand, to remove these low-voltage noises and the like, the apparent dielectric constant is about 5 × 10 4 and tan δ is 1
% Of semiconductor capacitors are used. But,
When a voltage or current exceeding a certain limit is applied to such a semiconductor capacitor due to a surge or the like, the capacitance is reduced or destroyed, and the function as a capacitor is not achieved.
【0007】そこで最近になってSrTiO3を主成分
とし、バリスタ特性とコンデンサ特性の両方の機能を有
するものが開発され、コンピュータなどの電子機器にお
けるIC,LSIなどの半導体素子及び回路の保護や電
子機器を相互に継ぐケーブルやコネクタなどから侵入す
るノイズの除去に利用されている。Therefore, recently, a device having SrTiO 3 as a main component and having both functions of a varistor characteristic and a capacitor characteristic has been developed, and protection of semiconductor devices and circuits such as ICs and LSIs in electronic devices such as computers and electronic devices have been developed. It is used to remove noise that enters from cables and connectors that connect devices to each other.
【0008】上記のSrTiO3を主成分とするバリス
タとコンデンサの両方の機能を有する素子をコネクタな
どから侵入するノイズの除去に使用する場合の素子の構
成を図7に示す。図7において、1,2は電極、3はS
rTiO3を主成分とした電圧依存性非直線抵抗特性を
有する半導体セラミックからなる素子である。このよう
な素子をコネクタに組み込むと、一般的に図8のように
なる。なお、図8において、4はピン、5,6は導電性
接続部材としての半田、7は共通端子である。FIG. 7 shows the structure of an element in the case where an element having both the functions of a varistor and a capacitor mainly composed of SrTiO 3 is used for removing noise entering from a connector or the like. In FIG. 7, 1 and 2 are electrodes, and 3 is S
This is an element made of a semiconductor ceramic having rTiO 3 as a main component and having a voltage-dependent nonlinear resistance characteristic. When such an element is incorporated in a connector, it is generally as shown in FIG. In FIG. 8, 4 is a pin, 5 and 6 are solders as conductive connection members, and 7 is a common terminal.
【0009】[0009]
【発明が解決しようとする課題】しかしながら上記従来
の構成では、図8に示すように同素子をコネクタに組み
込んだ際にピン4と素子3の隙間に半田5の一部が流れ
込み、見掛け上の電極間距離が小さくなってバリスタ電
圧が低くなり、バリスタ電圧に極性がつき絶縁抵抗が低
くなるといった欠点を有していた。However, in the above-mentioned conventional structure, as shown in FIG. 8, when the same element is incorporated in a connector, a part of the solder 5 flows into a gap between the pin 4 and the element 3 and an apparent amount of the solder 5 flows. The varistor voltage is reduced due to a decrease in the inter-electrode distance, and the varistor voltage is disadvantageously reduced in polarity and insulation resistance.
【0010】本発明は、上記課題を解決し、ピンと素子
の間の隙間に半田の一部が流れ込んでもバリスタ電圧が
変化せず、バリスタ電圧に極性がつかず絶縁抵抗が変化
しない構成の素子を提供することを目的とするものであ
る。The present invention solves the above-mentioned problems, and an element having a configuration in which the varistor voltage does not change even if a part of the solder flows into the gap between the pin and the element, the varistor voltage has no polarity, and the insulation resistance does not change. It is intended to provide.
【0011】[0011]
【課題を解決するための手段】この目的を達成するため
に本発明の電圧依存性非直線抵抗体磁器素子は、主 成分
がSrTiO 3 からなり、中心部に貫通孔を設けた断面
凸状の多段円筒形 で、かつ大きい径の円筒部の長さが全
体の長さの1/2未満に形成された半導 体セラミックの
素子と、前記貫通孔の内周全面に設けた内周電極と、前
記素子 の両端面を除く外周面に設けた外周電極と、前記
素子外周の多段境界平面上に 配設すると共に前記外周電
極と導電性接着剤を用いて電気的に接続される共通 端子
と、前記貫通孔を貫通させて導電性接着剤により前記内
周電極と電気的に 接続するピンとを備えたものである。[MEANS FOR SOLVING THE PROBLEMS] To achieve this object
The voltage-dependent nonlinear resistor ceramic element of the present invention, the main component
Is made of SrTiO 3 and has a through hole at the center.
The convex multi-stage cylindrical shape , and the length of the large-diameter cylindrical
It formed below half the length of the body semiconductors ceramic
An element, an inner peripheral electrode provided on the entire inner peripheral surface of the through hole,
An outer peripheral electrode provided on an outer peripheral surface excluding both end surfaces of the element ,
It is arranged on a multi-stage boundary plane around the element and
Common terminal electrically connected to poles using conductive adhesive
And penetrating the through-hole, and the conductive adhesive
And a pin electrically connected to the peripheral electrode .
【0012】[0012]
【作用】この構成により、上記内周電極が一つの電極と
して一体化されるため、ピンと素子の隙間に半田などの
導電性接着剤が流れ込んでも一体化された電極の上であ
るため見掛け上の電極間距離は変化しない。従って電気
的特性は安定でバリスタ電圧は変化せず、バリスタ電圧
に極性はつかず絶縁抵抗は変化しないことになる。According to this structure, since the inner peripheral electrode is integrated as one electrode, even if a conductive adhesive such as solder flows into a gap between the pin and the element, the inner peripheral electrode is on the integrated electrode, so that the inner peripheral electrode has an apparent appearance. The distance between the electrodes does not change. Therefore, the electrical characteristics are stable, the varistor voltage does not change, the varistor voltage has no polarity, and the insulation resistance does not change.
【0013】また、上記外周電極を共通端子に半田など
の導電性接着剤で接続した場合に接続が容易で接着強度
が大きくなるとともに余分な半田などの導電性接着剤の
タレを上記多段円筒形の多段境界部の平面部分で止める
ことにより、見掛け上の電極間距離は変化しないように
することができる。また仮に半田などの導電性接着剤が
タレ込んだ場合でも外周電極から離れる方向にタレ込む
ことから、見掛け上の電極間距離は変化しない。When the outer peripheral electrode is connected to the common terminal with a conductive adhesive such as solder, the connection is easy, the bonding strength is increased, and the excess of the conductive adhesive such as solder is removed by the multi-stage cylindrical shape. By stopping at the plane portion of the multi-stage boundary, the apparent distance between the electrodes can be kept unchanged. Also, even if the conductive adhesive such as solder drips, the apparent distance between the electrodes does not change because the conductive adhesive drips away from the outer peripheral electrode.
【0014】また上記平面部分にも外周電極を設けたこ
とにより、共通端子を導電性接着剤などで接続する場合
接触する面積が大きくなり接続が容易で、さらに二方向
から接続することができるため共通端子と素子の間の接
着力を強くすることができ、機械的強度を向上させるこ
とができるとともに、特に温度サイクル試験による特性
の劣化を小さくすることができ、信頼性を向上させるこ
とができる。Further, since the outer peripheral electrode is also provided on the above-mentioned flat portion, when the common terminal is connected with a conductive adhesive or the like, the contact area becomes large, the connection is easy, and the connection can be made from two directions. The adhesive strength between the common terminal and the element can be increased, and the mechanical strength can be improved. In addition, the deterioration of characteristics due to a temperature cycle test can be reduced, and the reliability can be improved. .
【0015】また内周電極および外周電極、共通端子の
最上層を半田メッキにすることにより、例えばピンと内
周電極の隙間や外周電極と共通端子の隙間を小さくして
おけば、導電性接着剤がなくても加熱処理するだけで内
周電極および外周電極、共通端子の最上層の半田メッキ
が互いに溶融して接続を行うことができる。By forming the innermost electrode, the outermost electrode, and the uppermost layer of the common terminal by solder plating, for example, if the gap between the pin and the innermost electrode or the gap between the outermost electrode and the common terminal is reduced, the conductive adhesive can be formed. Even without the above, the solder plating of the innermost electrode, the outermost electrode, and the uppermost layer of the common terminal can be melted and connected only by performing the heat treatment.
【0016】また素子の電気的特性を十分に引き出すた
めにはCuメッキ、Niメッキ、Crメッキ、Snメッ
キ、Pbメッキ、Auメッキ、Agメッキ、Pdメッ
キ、半田メッキのうち一つまたは複数の種類のメッキを
重ねた構成にすることにより、素子と電極の界面にバリ
ヤーを形成することなく素子の電気的特性を十分に引き
出すことができ、容易に半田付けでき、複数の種類の多
層メッキ構造にすることにより半田耐熱性をさらに向上
させることができる。In order to sufficiently bring out the electrical characteristics of the device, one or more of Cu plating, Ni plating, Cr plating, Sn plating, Pb plating, Au plating, Ag plating, Pd plating, and solder plating are used. By applying a layer of plating, the electrical characteristics of the device can be fully exploited without forming a barrier at the interface between the device and the electrode, and can be easily soldered. By doing so, the solder heat resistance can be further improved.
【0017】[0017]
(実施例1)以下、本発明による第1の実施例を具体的
に説明する。Embodiment 1 Hereinafter, a first embodiment of the present invention will be described in detail.
【0018】SrCO3,CaCO3,BaCO3,Mg
CO3,TiO2を下記の(表1)および(表2)に示す
ように組成比を種々変えて秤量し、ボールミルなどで2
0時間混合する。次に、乾燥した後、1075℃で3時
間焼成し、再びボールミルなどで20時間粉砕した後乾
燥し第1成分とする。SrCO 3 , CaCO 3 , BaCO 3 , Mg
CO 3 and TiO 2 were weighed at various composition ratios as shown in the following (Table 1) and (Table 2), and were weighed with a ball mill or the like.
Mix for 0 hours. Next, after drying, it is fired at 1075 ° C. for 3 hours, pulverized again by a ball mill or the like for 20 hours, and dried to obtain a first component.
【0019】[0019]
【表1】 [Table 1]
【0020】[0020]
【表2】 [Table 2]
【0021】次に、第1成分、第2成分、第3成分を上
記(表1)および(表2)に示した組成比になるように
秤量し、ボールミルなどで24時間混合した後、乾燥
し、ポリビニルアルコールなどの有機バインダーを10
wt%添加して造粒した後、1ton/cm2のプレス圧
力で、図1に示す多段円筒形の小さい外径部分は外径φ
4mmで高さ2.5mm、大きい外径部分は外径φ6mmで高
さ0.5mm、また貫通孔の内径がφ1.4mmの多段円筒
状に成形し、空気中で1150℃で5時間焼成し脱バイ
ンダーする。Next, the first component, the second component, and the third component are weighed so as to have the composition ratios shown in the above (Table 1) and (Table 2), mixed with a ball mill for 24 hours, and then dried. And an organic binder such as polyvinyl alcohol
After granulation was added wt%, at a press pressure of 1 ton / cm 2, smaller outer diameter portion of the multi-stage cylindrical as shown in FIG. 1 is an outside diameter φ
4mm and 2.5mm in height, large outer diameter part is formed into a multi-stage cylindrical shape with outer diameter φ6mm and height 0.5mm and inner diameter of through hole φ1.4mm, and baked in air at 1150 ° C for 5 hours. Remove the binder.
【0022】次に、還元性雰囲気、例えばN2:H2=
9:1のガス中で1400℃で5時間焼成する。さらに
その後、酸化性雰囲気、例えば空気中で1105℃で4
時間焼成する。こうして得られた焼結体の貫通孔の内周
面と、両端面を除く外周面にZnなどからなる導電性オ
ーミックペーストを例えばローラー転写などの方法によ
りそれぞれ形成する。Next, a reducing atmosphere, for example, N 2 : H 2 =
It is baked in a 9: 1 gas at 1400 ° C. for 5 hours. After that, at 4 ° C. at 1105 ° C. in an oxidizing atmosphere such as air.
Bake for hours. A conductive ohmic paste made of Zn or the like is formed on the inner peripheral surface of the through hole and the outer peripheral surface excluding both end surfaces of the sintered body thus obtained by, for example, a roller transfer method.
【0023】その後120℃で10分間乾燥させ、さら
にその上から非オーミック性の導電性ペーストを同様に
してローラー転写などの方法により設け、120℃で1
0分間乾燥させ、650℃、10分間で焼成し、内周電
極ならびに外周電極を形成し、このようにして得られた
素子を図1に示す。Thereafter, the paste is dried at 120 ° C. for 10 minutes, and a non-ohmic conductive paste is further provided thereon by a method such as roller transfer in the same manner.
It was dried for 0 minute, baked at 650 ° C. for 10 minutes to form an inner electrode and an outer electrode, and the element thus obtained is shown in FIG.
【0024】図1において11は多段円筒形の貫通孔の
内周面全面に設けられた内周電極、12は多段円筒形の
両端面を除く外周面全体に設けられた外周電極、13は
SrTiO3を主成分とした電圧依存性非直線抵抗特性
を有する半導体セラミックからなる素子であり、多段円
筒形の中央部に円筒状の貫通孔が形成されている。In FIG. 1, reference numeral 11 denotes an inner peripheral electrode provided on the entire inner peripheral surface of the multi-stage cylindrical through hole, 12 denotes an outer peripheral electrode provided on the entire outer peripheral surface excluding both end surfaces of the multi-stage cylindrical shape, and 13 denotes SrTiO. This is an element made of semiconductor ceramic having voltage-dependent non-linear resistance characteristics containing 3 as a main component, and has a cylindrical through hole formed at the center of a multi-stage cylindrical shape.
【0025】上記本発明による電圧依存性非直線抵抗体
磁器素子13をコネクタに組み込んだ状態を図2に示
す。図2において14,15は半田や導電性接着剤など
の導電性接続部材、16はピン、17は共通端子、18
はケースを示すものである。FIG. 2 shows a state in which the voltage-dependent nonlinear resistor porcelain element 13 according to the present invention is incorporated in a connector. In FIG. 2, reference numerals 14 and 15 denote conductive connecting members such as solder and conductive adhesive; 16 denotes a pin; 17 denotes a common terminal;
Indicates a case.
【0026】このように本発明によれば、多段円筒形の
貫通孔に形成した内周電極11が一つの電極として一体
化されるため、ピン16と素子13の隙間に半田などの
導電性接着剤14が流れ込んでも一体化された内周電極
11の上であるために見掛け上の電極間距離は変化しな
い。As described above, according to the present invention, since the inner peripheral electrode 11 formed in the multistage cylindrical through hole is integrated as one electrode, conductive adhesive such as solder is provided in the gap between the pin 16 and the element 13. Even if the agent 14 flows, the apparent distance between the electrodes does not change because it is on the integrated inner peripheral electrode 11.
【0027】従って電気的特性は安定でバリスタ電圧は
変化せず、バリスタ電圧に極性はつかず絶縁抵抗は変化
しない。また、多段円筒形の両端面を除く外周面に外周
電極12を設けたことにより、共通端子17を導電性接
着剤15などで接続する場合段付き部の平面部を利用す
ることができ、接触する面積が大きくなり接続が容易
で、かつ共通端子17の上下二方向から接続することが
できるため共通端子17と素子13の間の接着力を強く
することができ、機械的強度を向上させることができる
とともに、特に温度サイクル試験による特性の劣化を小
さくすることができ、信頼性を向上させることができ
る。Therefore, the electrical characteristics are stable, the varistor voltage does not change, the varistor voltage has no polarity, and the insulation resistance does not change. Further, by providing the outer peripheral electrode 12 on the outer peripheral surface except for both end surfaces of the multi-stage cylindrical shape, when the common terminal 17 is connected with the conductive adhesive 15 or the like, the flat portion of the stepped portion can be used, The connection area is large, the connection is easy, and the connection can be made from the upper and lower directions of the common terminal 17, so that the adhesive force between the common terminal 17 and the element 13 can be increased, and the mechanical strength can be improved. In addition, the deterioration of characteristics due to a temperature cycle test can be reduced, and the reliability can be improved.
【0028】また、余分な半田などの導電性接着剤15
のタレを上記平面で止めることにより、見掛け上の電極
間距離は変化しないようにすることができる。また仮に
半田などの導電性接着剤15がタレ込んだ場合でも外周
電極12から離れる方向にタレ込むことから、見掛け上
の電極間距離は変化しない。また、上記平面部を設ける
ことにより、表面絶縁距離を広くとることができ、電気
的特性は安定でバリスタ電圧は変化せず、バリスタ電圧
に極性はつかず絶縁抵抗は変化せず、素子13をコネク
タに組み立てても組み立て前後の特性の変化は極めて小
さく安定になるという効果が得られ、課電寿命特性を改
善し、信頼性を向上させることができる。Further, conductive adhesive 15 such as extra solder is used.
By stopping the sagging on the plane, the apparent distance between the electrodes can be kept unchanged. Even if the conductive adhesive 15 such as solder is dripped, the apparent distance between the electrodes does not change because the conductive adhesive 15 is dripped in a direction away from the outer peripheral electrode 12. In addition, by providing the above-mentioned plane portion, the surface insulation distance can be widened, the electric characteristics are stable, the varistor voltage does not change, the varistor voltage has no polarity, the insulation resistance does not change, and the element 13 Even when the connector is assembled, an effect that the change in characteristics before and after the assembly is extremely small and stable can be obtained, and the power application life characteristics can be improved and the reliability can be improved.
【0029】(実施例2)上記実施例1と同様にして焼
成体を得た後、この焼結体の貫通孔の内周面と、両端面
を除く外周面にZnなどからなる導電性オーミックペー
ストを例えばローラー転写などの方法によりそれぞれ形
成して後、120℃で10分間乾燥させ630℃で3分
間焼成する。(Example 2) After a fired body was obtained in the same manner as in Example 1 described above, a conductive ohmic made of Zn or the like was formed on the inner peripheral surface of the through hole and the outer peripheral surface excluding both end surfaces of the sintered body. After the paste is formed by a method such as roller transfer, the paste is dried at 120 ° C. for 10 minutes and baked at 630 ° C. for 3 minutes.
【0030】次に、弱酸などにより導電部分を活性化
し、無電解により活性化した部分にのみCuメッキ−N
iメッキを施し、さらにその上に電解半田メッキをして
三層構造にし、内周電極11、外周電極12を形成す
る。次に、図2に示すように半田などの導電性接続部材
14,15などによりピン16および共通端子17を取
り付け、ブタジエンゴムなどの樹脂を充填し、加熱硬化
する。このようにして得られた素子13の特性を素子1
3単品とコネクタ組み立て後について(表3)および
(表4)に示す。Next, the conductive portion is activated with a weak acid or the like, and Cu plating-N
i-plating is performed, and electrolytic solder plating is further performed thereon to form a three-layer structure, and inner and outer electrodes 11 and 12 are formed. Next, as shown in FIG. 2, the pins 16 and the common terminals 17 are attached by conductive connecting members 14 and 15 such as solder and the like, filled with resin such as butadiene rubber, and cured by heating. The characteristics of the element 13 thus obtained were compared with those of the element 1
(Table 3) and (Table 4) show the results of assembling the three pieces and the connector.
【0031】[0031]
【表3】 [Table 3]
【0032】[0032]
【表4】 [Table 4]
【0033】なお、V1mAは1mAの電流を流した時に
素子13の両端にかかる電圧であり、V1mAの極性は正
方向のV1mAと負方向のV1mAの差を正方向のV1mAで割
った値であり、絶縁抵抗は印加電圧12VDCの時のピ
ン16と共通端子17の間の絶縁抵抗値である。また、
温度サイクル試験の評価は−20〜85℃、500サイ
クル後のV1mAの変化率で示した。It should be noted, V 1mA is the voltage applied across the element 13 to that which causes 1mA current, the polarity of V 1mA in a difference in the positive direction of V 1mA and the negative direction of the V 1mA in the positive direction of V 1mA The insulation resistance is the insulation resistance between the pin 16 and the common terminal 17 when the applied voltage is 12 VDC. Also,
Evaluation -20 to 85 ° C. in a temperature cycle test, indicated by the rate of change of V 1mA after 500 cycles.
【0034】このように本実施例では内周電極11と外
周電極12ならびに共通端子17の最上層を半田メッキ
にすることにより、例えばピン16と内周電極11の隙
間や外周電極12と共通端子17の隙間を小さくしてお
けば、導電性接着剤14,15がなくても加熱処理する
だけで内周電極11および外周電極12、共通端子17
の最上層の半田メッキが互いに溶融して接続を行うこと
ができる。As described above, in this embodiment, the innermost electrode 11 and the outermost electrode 12 and the uppermost layer of the common terminal 17 are solder-plated, so that, for example, the gap between the pin 16 and the innermost electrode 11 or the outer electrode 12 and the common terminal If the gap between the electrodes 17 and 17 is small, the inner electrode 11, the outer electrode 12, and the common terminal 17 can be formed only by heat treatment without the conductive adhesives 14 and 15.
The solder plating of the uppermost layer melts with each other to make connection.
【0035】さらに、素子13の電気的特性を十分に引
き出すためにCuメッキ、Niメッキ、Crメッキ、S
nメッキ、Pbメッキ、Auメッキ、Agメッキ、Pd
メッキ、半田メッキのうち一つまたは複数の種類のメッ
キを重ねた構成にすることにより、素子13と電極の界
面にバリヤーを形成することなく素子13の電気的特性
を十分に引き出すことができ、容易に半田付けでき、複
数の種類の多層メッキ構造にすることにより半田耐熱性
を向上させることができる。また素子13の形状を多段
円筒形にすることにより素子13の長さは長くなるが、
素子13の半径方向には寸法を小さくできるためコネク
タのピン16の間隔を小さくすることが可能で、コネク
タを小型化するのに極めて有効であるなど本発明による
効果は極めて大きいものである。Further, in order to sufficiently bring out the electrical characteristics of the element 13, Cu plating, Ni plating, Cr plating,
n plating, Pb plating, Au plating, Ag plating, Pd
By forming a structure in which one or a plurality of types of plating are stacked among plating and solder plating, it is possible to sufficiently bring out the electrical characteristics of the element 13 without forming a barrier at the interface between the element 13 and the electrode. Soldering can be easily performed, and solder heat resistance can be improved by using a plurality of types of multilayer plating structures. Further, by making the shape of the element 13 a multi-stage cylindrical shape, the length of the element 13 is increased,
Since the size of the element 13 in the radial direction can be reduced, the interval between the pins 16 of the connector can be reduced, and the effect of the present invention is extremely large, such as being extremely effective in reducing the size of the connector.
【0036】なお、上記の実施例では、第1成分のSr
の一部をCa,Ba,Mgで置換する割合は一部しか示
さなかったが、素子13の特性としてバリスタ特性とコ
ンデンサ特性を同時に持つ範囲内であればどのようなも
のであってもかまわない。さらに、AサイトとBサイト
の割合は等モルについてのみ示したが、Aサイトリッチ
でもBサイトリッチでもかまわないし、その割合は素子
13の特性としてバリスタ特性とコンデンサ特性を同時
に持つ範囲内であればどのようなものであってもかまわ
ない。また第2成分、第3成分は実施例では一部の組み
合わせについてのみ示したが、素子13の特性としてバ
リスタ特性とコンデンサ特性を同時に持つ範囲内であれ
ばどのような成分であってもかまわない。また、オーミ
ック性の電極としてはZn以外にAg,Cu,Niなど
があるが、これら以外でも素子13と電極との界面でオ
ーミック接続がとれるものであればどのようなものであ
ってもかまわない。また、メッキする方法は電解でも無
電解でもかまわないし、酸性メッキでも塩基性メッキで
も中性メッキでもかまわない。In the above embodiment, the first component Sr
Although only a part of the ratio of substituting with Ca, Ba, and Mg is shown, any element may be used as long as the element 13 has a varistor characteristic and a capacitor characteristic at the same time. . Furthermore, although the ratio of the A site and the B site is shown only for the equimolar, it may be rich in the A site or B site, and the ratio may be within the range having the varistor characteristic and the capacitor characteristic as the element 13 simultaneously. Anything is fine. Although the second component and the third component are shown only for some combinations in the embodiment, any component may be used as long as the component 13 has a varistor characteristic and a capacitor characteristic at the same time. . As the ohmic electrode, there are Ag, Cu, Ni, etc. other than Zn, but any other electrode may be used as long as an ohmic connection can be made at the interface between the element 13 and the electrode. . The plating method may be electrolytic or electroless, and may be acidic plating, basic plating, or neutral plating.
【0037】また、本発明による電圧依存性非直線抵抗
体磁器素子13に、例えばフェライト、コイル、トロイ
ダルコイルなどからなるインダクタンスを接続する構成
にし、ノイズ除去効果を改善することができる。Further, the voltage-dependent nonlinear resistor porcelain element 13 according to the present invention is connected to an inductance composed of, for example, a ferrite, a coil, a toroidal coil, etc., so that the noise removing effect can be improved.
【0038】(実施例3)以下、本発明による第3の実
施例を具体的に説明する。Embodiment 3 Hereinafter, a third embodiment of the present invention will be described in detail.
【0039】SrCO3,CaCO3,BaCO3,Mg
CO3,TiO2を下記の(表5)に示すように組成比を
種々変えて秤量し、ボールミルなどで24時間混合す
る。次に、乾燥した後、1050℃で4時間焼成し、再
びボールミルなどで24時間粉砕した後乾燥し第1成分
とする。SrCO 3 , CaCO 3 , BaCO 3 , Mg
CO 3 and TiO 2 are weighed at various composition ratios as shown in the following (Table 5), and mixed by a ball mill or the like for 24 hours. Next, after drying, it is fired at 1050 ° C. for 4 hours, crushed again by a ball mill or the like for 24 hours, and dried to obtain a first component.
【0040】[0040]
【表5】 [Table 5]
【0041】[0041]
【表6】 [Table 6]
【0042】次に、第1成分、第2成分、第3成分を上
記(表5)および(表6)に示した組成比になるように
秤量し、ボールミルなどで24時間混合した後、乾燥
し、ポリビニルアルコールなどの有機バインダーを10
wt%添加して造粒した後、1ton/cm2のプレス圧
力で、図3に示す多段円筒形の小さい外径部分は外径φ
4mmで高さ2.5mm、大きい外径部分は外径φ6mmで高
さ0.5mm、また貫通孔の内径がφ1.4mmの多段円筒
状に成形し、空気中で1200℃で10時間焼成し脱バ
インダーする。Next, the first component, the second component, and the third component were weighed so as to have the composition ratios shown in the above (Table 5) and (Table 6), mixed with a ball mill or the like for 24 hours, and then dried. And an organic binder such as polyvinyl alcohol
After granulation was added wt%, at a press pressure of 1 ton / cm 2, smaller outer diameter portion of the multi-stage cylindrical as shown in FIG. 3 is an outside diameter φ
4mm and 2.5mm in height, large outer diameter part is formed into a multi-stage cylindrical shape with outer diameter φ6mm and height 0.5mm and inner diameter of through hole φ1.4mm, and baked in air at 1200 ° C for 10 hours. Remove the binder.
【0043】次に、還元性雰囲気、例えばN2:H2=
9:1のガス中で1425℃で5時間焼成する。さらに
その後、酸化性雰囲気、例えば空気中で1120℃で5
時間焼成する。こうして得られた焼結体の貫通孔の内周
面と、両端面ならびに大きい径の円筒部側の端部から一
定距離分を除く外周面にZnなどからなる導電性オーミ
ックペーストを例えばローラー転写などの方法によりそ
れぞれ形成する。Next, a reducing atmosphere, for example, N 2 : H 2 =
Bake at 1425 ° C. for 5 hours in 9: 1 gas. After that, at 5 ° C. at 1120 ° C. in an oxidizing atmosphere such as air.
Bake for hours. A conductive ohmic paste made of Zn or the like is applied to the inner peripheral surface of the through hole of the sintered body thus obtained and the outer peripheral surface thereof except for a certain distance from both end surfaces and the end of the large-diameter cylindrical portion, for example, by roller transfer. Respectively.
【0044】その後120℃で10分間乾燥させ、さら
にその上から非オーミック性の導電性ペーストを同様に
してローラー転写などの方法により設け、120℃で1
0分間乾燥させ、630℃、3分間で焼成し、内周電極
21、外周電極22を形成し、このようにして得られた
素子を図3に示す。Thereafter, the paste is dried at 120 ° C. for 10 minutes, and a non-ohmic conductive paste is similarly applied thereon by a method such as roller transfer.
After drying for 0 minute and baking at 630 ° C. for 3 minutes, the inner peripheral electrode 21 and the outer peripheral electrode 22 were formed, and the element thus obtained is shown in FIG.
【0045】図3において21は多段円筒形の貫通孔の
内周面全面に設けられた内周電極、22は多段円筒形の
両端面ならびに大きい径の円筒部側の端部から一定距離
分を除く外周面全体に設けられた外周電極、23はSr
TiO3を主成分とした電圧依存性非直線抵抗特性を有
する半導体セラミックからなる素子であり、多段円筒形
の中央部に円筒状の貫通孔が形成されている。In FIG. 3, reference numeral 21 denotes an inner peripheral electrode provided on the entire inner peripheral surface of the multi-stage cylindrical through hole, and 22 denotes a predetermined distance from both end surfaces of the multi-stage cylindrical shape and the end of the large-diameter cylindrical portion. The outer peripheral electrode 23 provided on the entire outer peripheral surface except for Sr
This is a device made of a semiconductor ceramic having TiO 3 as a main component and having a voltage-dependent nonlinear resistance characteristic, and has a cylindrical through hole formed at the center of a multi-stage cylindrical shape.
【0046】上記本発明による電圧依存性非直線抵抗体
磁器素子23をコネクタに組み込んだ状態を図4に示
す。図4において14,15は半田や導電性接着剤など
の導電性接続部材、16はピン、17は共通端子、18
はケースを示すものである。FIG. 4 shows a state in which the voltage-dependent nonlinear resistor ceramic element 23 according to the present invention is incorporated in a connector. In FIG. 4, reference numerals 14 and 15 denote conductive connecting members such as solder and conductive adhesive, 16 denotes a pin, 17 denotes a common terminal,
Indicates a case.
【0047】このように構成される本発明の電圧依存性
非直線抵抗体磁器素子23は、前述実施例1で説明した
同素子13の効果と同様の効果が得られるものであり、
詳細な説明は省略する。The voltage-dependent nonlinear resistor porcelain element 23 of the present invention thus configured has the same effect as that of the element 13 described in the first embodiment.
Detailed description is omitted.
【0048】(実施例4)上記実施例3と同様にして焼
成体を得た後、この焼結体の貫通孔の内周面と、両端面
ならびに大きい径の円筒部側の端部から一定距離分を除
く外周面にZnなどからなるオーミック性導電性ペース
トを例えばローラー転写などの方法により形成し、電極
を設けた後、120℃で10分間乾燥させ、630℃で
3分間焼成する。次に、弱酸などにより導電部分を活性
化し、無電解により活性化した部分のみCuメッキ−N
iメッキを施し、さらにその上に電解法により半田メッ
キして三層構造にし、内周電極21、外周電極22を形
成する。(Example 4) After a fired body was obtained in the same manner as in Example 3 described above, a constant amount was set from the inner peripheral surface of the through hole, both end surfaces, and the end of the large-diameter cylindrical portion to the sintered body. An ohmic conductive paste made of Zn or the like is formed on the outer peripheral surface excluding the distance, for example, by a method such as roller transfer. After the electrodes are provided, the paste is dried at 120 ° C. for 10 minutes and baked at 630 ° C. for 3 minutes. Next, the conductive portion is activated by a weak acid or the like, and only the portion activated by electroless Cu plating-N
i-plating is performed, and further, solder plating is performed thereon by an electrolytic method to form a three-layer structure, and the inner peripheral electrode 21 and the outer peripheral electrode 22 are formed.
【0049】次に、図4に示したように半田などの導電
性接続部材14,15などによりピン16及び共通端子
17を取り付け、ブタジエンゴムなどの樹脂を充填し、
加熱硬化する。このようにして得られた素子23の特性
を素子23単品とコネクタ組み立て後について(表7)
および(表8)に示す。Next, as shown in FIG. 4, the pins 16 and the common terminals 17 are attached by conductive connecting members 14 and 15 such as solder and the like, and resin such as butadiene rubber is filled.
Heat and cure. The characteristics of the element 23 obtained in this way were obtained for the element 23 alone and after the connector was assembled (Table 7).
And (Table 8).
【0050】[0050]
【表7】 [Table 7]
【0051】[0051]
【表8】 [Table 8]
【0052】なお、V1mAは1mAの電流を流した時に
素子23の両端にかかる電圧であり、V1mAの極性は正
方向のV1mAと負方向のV1mAの差を正方向のV1mAで割
った値であり、絶縁抵抗は印加電圧12VDCの時のピ
ン16と共通端子17の間の絶縁抵抗値である。また、
温度サイクル試験の評価は−20〜85℃、500サイ
クル後のV1mAの変化率で示した。[0052] Incidentally, V 1mA is the voltage applied across the element 23 when the flow of 1mA current, the polarity of V 1mA in a difference in the positive direction of V 1mA and the negative direction of the V 1mA in the positive direction of V 1mA The insulation resistance is the insulation resistance between the pin 16 and the common terminal 17 when the applied voltage is 12 VDC. Also,
Evaluation -20 to 85 ° C. in a temperature cycle test, indicated by the rate of change of V 1mA after 500 cycles.
【0053】このように構成される本発明の電圧依存性
非直線抵抗体磁器素子23は、前述実施例2で説明した
同素子13の効果と同様の効果が得られるものであり、
詳細な説明は省略する。The voltage-dependent nonlinear resistor porcelain element 23 of the present invention configured as described above has the same effect as that of the element 13 described in the second embodiment.
Detailed description is omitted.
【0054】なお、上記の実施例においては、第1成分
のSrの一部をCa,Ba,Mgで置換する割合は実施
例では一部しか示さなかったが、素子23の特性として
バリスタ特性とコンデンサ特性を同時に持つ範囲内であ
ればどのようなものであってもかまわない。さらに、A
サイトとBサイトの割合は等モルについてのみ示した
が、AサイトリッチでもBサイトリッチでもかまわない
し、その割合は電圧依存性非直線抵抗特性が得られる範
囲であればいくらであってもかまわない。また第2成
分、第3成分は実施例では一部の組み合わせについての
み示したが素子23の特性としてバリスタ特性とコンデ
ンサ特性を同時に持つ範囲内であればどのような成分で
あってもかまわない。In the above embodiment, the ratio of replacing a part of Sr of the first component with Ca, Ba, and Mg is only partially shown in the embodiment. Any type may be used as long as it is within the range having the capacitor characteristics at the same time. Furthermore, A
Although the ratio between the site and the B site is shown only for an equimolar amount, the site may be rich or the B site rich, and the ratio may be any value as long as the voltage-dependent nonlinear resistance characteristic can be obtained. . Further, the second component and the third component are shown only for some combinations in the embodiment, but may be any components as long as the characteristics of the element 23 are within the range having both the varistor characteristic and the capacitor characteristic at the same time.
【0055】また、オーミック性の電極としてはZn以
外にAg,Cu,Niなどがあるが、これら以外でも素
子23と電極との界面でオーミック接続がとれるもので
あればどのようなものであってもかまわない。また、メ
ッキする成分およびその組合せについては一部について
のみ示したがこれら以外の成分及び組合せで同様の効果
が得られるものであれば、これらに限定されない。また
メッキ方法は電解でも無電解でもかまわないし、酸性メ
ッキでも塩基性メッキでも中性メッキでもかまわない。As the ohmic electrode, there are Ag, Cu, Ni and the like in addition to Zn, but any other electrode can be used as long as an ohmic connection can be made at the interface between the element 23 and the electrode. It doesn't matter. Although only some of the components to be plated and combinations thereof are shown, the components are not limited to these as long as similar effects can be obtained with other components and combinations. The plating method may be electrolytic or electroless, and may be acidic plating, basic plating, or neutral plating.
【0056】また電圧依存性非直線抵抗体磁器素子23
に例えばフェライト、コイル、トロイダルコイルなどか
らなるインダクタンスを接続する構成にし、ノイズ除去
効果を改善することができる。The voltage-dependent nonlinear resistor porcelain element 23
For example, a configuration in which an inductance formed of, for example, a ferrite, a coil, a toroidal coil, or the like is connected may be used to improve a noise removing effect.
【0057】(実施例5)以下、本発明による第5の実
施例を具体的に説明する。Embodiment 5 Hereinafter, a fifth embodiment according to the present invention will be described in detail.
【0058】SrCO3,CaCO3,BaCO3,Mg
CO3,TiO2を下記の(表9)に示すように組成比を
種々変えて秤量し、ボールミルなどで20時間混合す
る。次に、乾燥した後、1050℃で4時間焼成し、再
びボールミルなどで24時間粉砕した後乾燥し第1成分
とする。SrCO 3 , CaCO 3 , BaCO 3 , Mg
CO 3 and TiO 2 are weighed at various composition ratios as shown in the following (Table 9) and mixed by a ball mill or the like for 20 hours. Next, after drying, it is fired at 1050 ° C. for 4 hours, crushed again by a ball mill or the like for 24 hours, and dried to obtain a first component.
【0059】[0059]
【表9】 [Table 9]
【0060】[0060]
【表10】 [Table 10]
【0061】次に、第1成分、第2成分、第3成分を上
記(表9)および(表10)に示した組成比になるよう
に秤量し、ボールミルなどで30時間混合した後、乾燥
し、ポリビニルアルコールなどの有機バインダーを10
wt%添加して造粒した後、1ton/cm2のプレス圧
力で図5に示す多段円筒形の小さい外径部分は外径φ4
mmで高さ2.5mm、大きい外径部分は外径φ6mmで高さ
0.5mm、また貫通孔の内径がφ1.4mmの多段円筒状
に成形し、空気中で1100℃で6時間焼成し脱バイン
ダーする。次に、還元性雰囲気、例えばN2:H2=9:
1のガス中で1375℃で4時間焼成する。さらにその
後、酸化性雰囲気、例えば空気中で1105℃で4時間
焼成する。Next, the first component, the second component, and the third component are weighed so as to have the composition ratios shown in the above (Table 9) and (Table 10), mixed for 30 hours by a ball mill or the like, and then dried. And an organic binder such as polyvinyl alcohol
After granulation was added wt%, 1ton / cm smaller outer diameter portion of the multi-stage cylindrical as shown in FIG. 5 in the second press pressure outer diameter φ4
2.5mm in height in mm, large outer diameter part is formed into a multi-stage cylindrical shape with an outer diameter of φ6mm and height of 0.5mm, and the inner diameter of the through hole is φ1.4mm, and fired at 1100 ° C for 6 hours in air. Remove the binder. Next, a reducing atmosphere, for example, N 2 : H 2 = 9:
Baking at 1375 ° C. for 4 hours in the gas of No. 1. After that, firing is performed at 1105 ° C. for 4 hours in an oxidizing atmosphere, for example, air.
【0062】こうして得られた焼結体の貫通孔の内周面
と、両端面ならびに小さい径の円筒部側の端面から一定
距離分を除く外周面全体にZnなどからなる導電性オー
ミックペーストを例えばローラー転写などの方法により
設ける。その後120℃で10分間乾燥させ、さらにそ
の上から非オーミック性の導電性ペーストを同様にして
ローラー転写などの方法により設け、120℃で10分
間乾燥させ、550℃、10分間焼成し、内周電極3
1、外周電極32を形成し、このようにして得られた素
子を図5に示す。図5において31は多段円筒形の貫通
孔の内周面全面に設けられた内周電極、32は多段円筒
形の両端面ならびに小さい径の円筒部側の端部から一定
距離分を除く外周面全体に設けられた外周電極、33は
SrTiO 3を主成分とした電圧依存性非直線抵抗特性
を有する半導体セラミックからなる素子であり、多段円
筒形の中央部に円筒状の貫通孔が形成されている。The inner peripheral surface of the through hole of the sintered body thus obtained
Constant from both end faces and the end face on the side of the small diameter cylindrical section
The conductive outer surface made of Zn or the like
Mix paste by a method such as roller transfer
Provide. Then, it is dried at 120 ° C for 10 minutes,
A non-ohmic conductive paste from above
Provided by a method such as roller transfer, at 120 ° C for 10 minutes
And baked at 550 ° C. for 10 minutes.
1. The outer peripheral electrode 32 is formed, and the element thus obtained is
The child is shown in FIG. In FIG. 5, 31 is a multi-stage cylindrical penetration.
An inner peripheral electrode provided on the entire inner peripheral surface of the hole, 32 is a multi-stage cylinder
Constant from both ends of the shape and the end of the small-diameter cylinder
The outer peripheral electrode 33 provided on the entire outer peripheral surface excluding the distance is 33
SrTiO Three-Dependent nonlinear resistance characteristics mainly composed of
Element made of semiconductor ceramic having
A cylindrical through hole is formed at the center of the cylindrical shape.
【0063】上記本発明による電圧依存性非直線抵抗体
磁器素子33をコネクタに組み込んだ状態を図6に示
す。図6において14,15は半田や導電性接着剤など
の導電性接続部材、16はピン、17は共通端子、18
はケースを示すものである。FIG. 6 shows a state in which the voltage-dependent nonlinear resistor ceramic element 33 according to the present invention is incorporated in a connector. In FIG. 6, reference numerals 14 and 15 denote conductive connecting members such as solder and conductive adhesive, 16 denotes pins, 17 denotes common terminals,
Indicates a case.
【0064】このように構成される本発明の電圧依存性
非直線抵抗体磁器素子33は、前述実施例1で説明した
同素子13の効果と同様の効果が得られるものであり、
詳細な説明は省略する。The voltage-dependent nonlinear resistor porcelain element 33 of the present invention configured as described above has the same effect as that of the element 13 described in the first embodiment.
Detailed description is omitted.
【0065】(実施例6)上記実施例5と同様にして焼
成体を得た後、この焼結体の貫通孔の内周面と、両端面
ならびに小さい径の円筒部側の端部から一定距離分を除
く外周面全体にZnなどからなる導電性オーミックペー
ストを例えばローラー転写などの方法により形成し、電
極を設けた後、120℃で10分間乾燥させ、600
℃、7分間焼成する。(Example 6) After a fired body was obtained in the same manner as in Example 5 described above, a constant amount was set from the inner peripheral surface of the through hole, both end surfaces, and the end of the small diameter cylindrical portion side. A conductive ohmic paste made of Zn or the like is formed on the entire outer peripheral surface except for the distance, for example, by a method such as roller transfer, and after providing electrodes, dried at 120 ° C. for 10 minutes.
Bake at ℃ for 7 minutes.
【0066】次に、弱酸などにより導電部分を活性化
し、無電解により活性化した部分にのみCuメッキ−N
iメッキを施し、さらにその上に電解半田メッキをし、
三層構造にし、内周電極31、外周電極32を形成す
る。次に、図6に示したように半田などの導電性接続部
材14,15などによりピン16及び共通端子17を取
り付け、ブタジエンゴムなどの樹脂を充填し、加熱硬化
する。このようにして得られた素子33の特性を素子3
3単品とコネクタ組み立て後について(表11)及び
(表12)に示す。Next, the conductive portion is activated with a weak acid or the like, and Cu plating-N
i-plating, then electrolytic solder plating on it,
An inner electrode 31 and an outer electrode 32 are formed in a three-layer structure. Next, as shown in FIG. 6, the pins 16 and the common terminals 17 are attached by conductive connecting members 14 and 15 such as solder and the like, filled with a resin such as butadiene rubber, and cured by heating. The characteristics of the element 33 obtained in this way were
(Table 11) and (Table 12) show the three single products and after the assembly of the connector.
【0067】[0067]
【表11】 [Table 11]
【0068】[0068]
【表12】 [Table 12]
【0069】なお、V1mAは1mAの電流を流した時に
素子33の両端にかかる電圧であり、V1mAの極性は正
方向のV1mAと負方向のV1mAの差を正方向のV1mAで割
った値であり、絶縁抵抗は印加電圧12VDCの時のピ
ン16と共通端子17の間の絶縁抵抗値である。また、
温度サイクル試験の評価は−20〜85℃、500サイ
クル後のV1mAの変化率で示した。[0069] Incidentally, V 1mA is the voltage applied across the element 33 when the flow of 1mA current, the polarity of V 1mA in a difference in the positive direction of V 1mA and the negative direction of the V 1mA in the positive direction of V 1mA The insulation resistance is the insulation resistance between the pin 16 and the common terminal 17 when the applied voltage is 12 VDC. Also,
Evaluation -20 to 85 ° C. in a temperature cycle test, indicated by the rate of change of V 1mA after 500 cycles.
【0070】このように構成される本発明の電圧依存性
非直線抵抗体磁器素子33は、前述実施例2で説明した
同素子13の効果と同様の効果が得られるものであり、
詳細な説明は省略する。The voltage-dependent nonlinear resistor porcelain element 33 according to the present invention thus configured has the same effect as that of the element 13 described in the second embodiment.
Detailed description is omitted.
【0071】なお、上記の実施例においては、第1成分
のSrの一部をCa,Ba,Mgで置換する割合は実施
例では一部しか示さなかったが、素子33の特性として
バリスタ特性とコンデンサ特性を同時に持つ範囲内であ
ればどのようなものであってもかまわない。さらに、A
サイトとBサイトの割合は等モルについてのみ示した
が、AサイトリッチでもBサイトリッチでもかまわない
し、その割合はバリスタ特性とコンデンサ特性を同時に
持つ範囲であればいくらであってもかまわない。さらに
第2成分、第3成分は実施例では一部の組み合わせにつ
いてのみ示したが素子33の特性としてバリスタ特性と
コンデンサ特性を同時に持つ範囲内であればどのような
成分であってもかまわない。In the above embodiment, the ratio of replacing part of Sr of the first component with Ca, Ba, and Mg is only partially shown in the embodiment. Any type may be used as long as it is within the range having the capacitor characteristics at the same time. Furthermore, A
Although the ratio between the site and the B site is shown only for equimolar, it may be rich in the A site or rich in the B site, and the ratio may be any value as long as it has both varistor characteristics and capacitor characteristics. Further, the second component and the third component are shown only for some combinations in the embodiment, but may be any components as long as the characteristics of the element 33 are within a range having both the varistor characteristic and the capacitor characteristic at the same time.
【0072】また、オーミック性の電極としてはZn以
外にAg,Cu,Niなどがあるが、これら以外でも素
子33と電極との界面でオーミック接続がとれるもので
あればどのようなものであってもかまわない。また、メ
ッキする成分およびその組合せについては一部について
のみ示したが、これら以外の成分及び組合せで同様の効
果が得られるものであればこれらに限定されるものでは
ない。またメッキ方法は電解でも無電解でもかまわない
し、酸性メッキでも塩基性メッキでも中性メッキでもか
まわない。また電圧依存性非直線抵抗体磁器素子33に
たとえばフェライト、コイル、トロイダルコイルなどか
らなるインダクタンスを接続する構成にし、ノイズ除去
効果を改善することができる。As the ohmic electrode, there are Ag, Cu, Ni and the like in addition to Zn. Any other electrode can be used as long as an ohmic connection can be established at the interface between the element 33 and the electrode. It doesn't matter. Although only some of the components to be plated and combinations thereof are shown, the components are not limited to these as long as similar effects can be obtained with other components and combinations. The plating method may be electrolytic or electroless, and may be acidic plating, basic plating, or neutral plating. Further, it is possible to improve the noise removal effect by connecting the voltage-dependent nonlinear resistor ceramic element 33 to an inductance made of, for example, a ferrite, a coil, a toroidal coil, or the like.
【0073】[0073]
【発明の効果】以上のように本発明による電圧依存性非
直線抵抗体磁器素子は、多段円筒形の貫通孔に形成した
内周電極が一つの電極として一体化されるため、ピンと
素子の隙間に半田などの導電性接着剤が流れ込んでも一
体化された内周電極の上であるため見掛け上の電極間距
離は変化しない。As described above, in the voltage-dependent nonlinear resistor porcelain element according to the present invention, since the inner peripheral electrode formed in the multi-stage cylindrical through hole is integrated as one electrode, the gap between the pin and the element is eliminated. Even if a conductive adhesive such as solder flows into the inner peripheral electrode, the apparent distance between the electrodes does not change because it is on the integrated inner peripheral electrode.
【0074】従って電気的特性は安定でバリスタ電圧は
変化せず、バリスタ電圧に極性はつかず絶縁抵抗は変化
しない。Therefore, the electrical characteristics are stable, the varistor voltage does not change, the varistor voltage has no polarity, and the insulation resistance does not change.
【0075】また、多段円筒形の両端面を除く外周面全
体に、もしくは両端面と大きい径の円筒部側の端部ある
いは小さい径の円筒部側の端部のいずれかから一定距離
分を除く外周面全体に外周電極を設けたことにより、共
通端子を導電性接着剤などで接続する場合段付き部の平
面部を利用することができ、接触する面積が大きくなり
接続が容易で、かつ共通端子の上下二方向から接続する
ことができるため共通端子と素子の間の接着力を強くす
ることができ、機械的強度を向上させることができると
ともに、特に温度サイクル試験による特性の劣化を小さ
くすることができ、信頼性を向上させることができる。Also, a predetermined distance is removed from the entire outer peripheral surface excluding the both end surfaces of the multi-stage cylindrical shape, or from both end surfaces and either the end of the large-diameter cylindrical portion or the end of the small-diameter cylindrical portion. By providing the outer peripheral electrode on the entire outer peripheral surface, when connecting the common terminal with a conductive adhesive or the like, the flat portion of the stepped portion can be used, and the contact area increases, making the connection easy and common. Since the connection can be made from the upper and lower sides of the terminal, the adhesive force between the common terminal and the element can be increased, the mechanical strength can be improved, and the deterioration of the characteristics especially due to the temperature cycle test is reduced. And reliability can be improved.
【0076】また、余分な半田などの導電性接着剤のタ
レを上記平面部で止めることにより、見掛け上の電極間
距離は変化しないようにすることができる。また仮に半
田などの導電性接着剤がタレ込んだ場合でも外周電極か
ら離れる方向にタレ込むことから、見掛け上の電極間距
離は変化しない。また上記平面部を設けることにより、
表面絶縁距離を広くとることができ、電気的特性は安定
でバリスタ電圧は変化せず、バリスタ電圧に極性はつか
ず絶縁抵抗は変化せず、素子をコネクタに組み立てても
組み立て前後の特性の変化は極めて小さく安定になると
いう効果が得られ、課電寿命特性を改善し信頼性を向上
させることができる。Also, by stopping the dripping of the conductive adhesive such as extra solder at the flat portion, the apparent distance between the electrodes can be kept unchanged. Also, even if the conductive adhesive such as solder drips, the apparent distance between the electrodes does not change because the conductive adhesive drips away from the outer peripheral electrode. Also, by providing the above-mentioned plane portion,
The surface insulation distance can be widened, the electrical characteristics are stable, the varistor voltage does not change, the varistor voltage has no polarity, the insulation resistance does not change, and the characteristics change before and after assembling the element even if it is assembled into a connector Has an effect of being extremely small and stable, and can improve the charging life characteristic and the reliability.
【0077】また内周電極および外周電極、共通端子の
最上層を半田メッキにすることにより、例えばピンと内
周電極の隙間や外周電極と共通端子の隙間を小さくして
おけば、導電性接着剤がなくても加熱処理するだけで内
周電極および外周電極、共通端子の最上層の半田メッキ
が互いに溶融して接続を行うことができる。By forming the uppermost layer of the inner and outer electrodes and the common terminal by solder plating, for example, if the gap between the pin and the inner electrode or the gap between the outer electrode and the common terminal is reduced, the conductive adhesive Even without the above, the solder plating of the innermost electrode, the outermost electrode, and the uppermost layer of the common terminal can be melted and connected only by performing the heat treatment.
【0078】さらに、素子の電気的特性を十分に引き出
すためにはCuメッキ、Niメッキ、Crメッキ、Sn
メッキ、Pbメッキ、Auメッキ、Agメッキ、Pdメ
ッキ、半田メッキのうち一つまたは複数の種類のメッキ
を重ねた構成にすることにより、素子と電極の界面にバ
リヤーを形成することなく素子の電気的特性を十分に引
き出すことができ、容易に半田付けでき、複数の種類の
多層メッキ構造にすることにより半田耐熱性を向上させ
ることができる。また素子の形状を多段円筒形にするこ
とにより素子の長さは長くなるが、素子の半径方向には
寸法を小さくできるためコネクタのピン間隔を小さくす
ることが可能で、コネクタを小型化するのに極めて有効
であるなどの多くの効果が得られ、本発明による実用上
の効果は極めて大きいものである。Further, in order to sufficiently bring out the electrical characteristics of the element, Cu plating, Ni plating, Cr plating, Sn plating,
By forming one or more kinds of platings of plating, Pb plating, Au plating, Ag plating, Pd plating, and solder plating on top of each other, the electric power of the element can be formed without forming a barrier at the interface between the element and the electrode. Therefore, the soldering heat resistance can be improved by using a plurality of types of multi-layer plating structures. Although the length of the element is increased by making the element a multi-stage cylindrical shape, the dimension in the radial direction of the element can be reduced, so that the pin interval of the connector can be reduced, and the connector can be downsized. Many effects such as being extremely effective are obtained, and the practical effects of the present invention are extremely large.
【図1】本発明の第1の実施例による電圧依存性非直線
抵抗体磁器素子を示す断面図FIG. 1 is a sectional view showing a voltage-dependent nonlinear resistor porcelain element according to a first embodiment of the present invention.
【図2】図1の同素子をコネクタに組み立てた時の断面
図FIG. 2 is a cross-sectional view when the same element of FIG. 1 is assembled into a connector.
【図3】本発明の第3の実施例による電圧依存性非直線
抵抗体磁器素子を示す断面図FIG. 3 is a sectional view showing a voltage-dependent nonlinear resistor porcelain element according to a third embodiment of the present invention;
【図4】図3の同素子をコネクタに組み立てた時の断面
図FIG. 4 is a cross-sectional view when the same element of FIG. 3 is assembled into a connector.
【図5】本発明の第5の実施例による電圧依存性非直線
抵抗体磁器素子を示す断面図FIG. 5 is a sectional view showing a voltage-dependent nonlinear resistor porcelain element according to a fifth embodiment of the present invention;
【図6】図5の同素子をコネクタに組み立てた時の断面
図FIG. 6 is a cross-sectional view when the same element of FIG. 5 is assembled into a connector.
【図7】従来の電圧依存性非直線抵抗体磁器素子を示す
断面図FIG. 7 is a sectional view showing a conventional voltage-dependent nonlinear resistor porcelain element;
【図8】図7の同素子をコネクタに組み立てた時の断面
図FIG. 8 is a cross-sectional view when the same element in FIG. 7 is assembled into a connector.
11 内周電極 12 外周電極 13 素子 14,15 導電性接続部材 16 ピン 17 共通端子 18 ケース 21 内周電極 22 外周電極 23 素子 31 内周電極 32 外周電極 33 素子 REFERENCE SIGNS LIST 11 inner electrode 12 outer electrode 13 element 14, 15 conductive connection member 16 pin 17 common terminal 18 case 21 inner electrode 22 outer electrode 23 element 31 inner electrode 32 outer electrode 33 element
Claims (1)
に貫通孔を設けた断面凸状の多段円筒形で、かつ大きい
径の円筒部の長さが全体の長さの1/2未満に形成され
た半導体セラミックの素子と、前記貫通孔の内周全面に
設けた内周電極と、前記素子の両端面を除く外周面に設
けた外周電極と、前記素子外周の多段境界平面上に配設
すると共に前記外周電極と導電性接着剤を用いて電気的
に接続される共通端子と、前記貫通孔を貫通させて導電
性接着剤により前記内周電極と電気的に接続するピンと
を備えた電圧依存性非直線抵抗体磁器素子。1. A main component is a SrTiO 3, with a convex cross section of a multi-stage cylindrical having a through-hole in the center, and a large diameter to less than 1/2 length of the total length of the cylindrical portion of The formed semiconductor ceramic element and the entire inner periphery of the through hole
An inner peripheral electrode disposed, set on the outer peripheral surface except for both end surfaces of the device
Disposed on the multi-stage boundary plane of the outer periphery of the element and the outer periphery of the element
And electrically using the outer peripheral electrode and the conductive adhesive.
And a common terminal connected to the
A pin electrically connected to the inner peripheral electrode by a conductive adhesive;
A voltage-dependent nonlinear resistor porcelain element comprising:
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP4064585A JP3003369B2 (en) | 1992-03-23 | 1992-03-23 | Voltage-dependent nonlinear resistor porcelain element |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP4064585A JP3003369B2 (en) | 1992-03-23 | 1992-03-23 | Voltage-dependent nonlinear resistor porcelain element |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH07176408A JPH07176408A (en) | 1995-07-14 |
JP3003369B2 true JP3003369B2 (en) | 2000-01-24 |
Family
ID=13262475
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP4064585A Expired - Fee Related JP3003369B2 (en) | 1992-03-23 | 1992-03-23 | Voltage-dependent nonlinear resistor porcelain element |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP3003369B2 (en) |
-
1992
- 1992-03-23 JP JP4064585A patent/JP3003369B2/en not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH07176408A (en) | 1995-07-14 |
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