JPH07175B2 - 反応容器のガス取入れ装置 - Google Patents
反応容器のガス取入れ装置Info
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- JPH07175B2 JPH07175B2 JP61505547A JP50554786A JPH07175B2 JP H07175 B2 JPH07175 B2 JP H07175B2 JP 61505547 A JP61505547 A JP 61505547A JP 50554786 A JP50554786 A JP 50554786A JP H07175 B2 JPH07175 B2 JP H07175B2
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- gas
- intake device
- gas intake
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- F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
- F16—ENGINEERING ELEMENTS AND UNITS; GENERAL MEASURES FOR PRODUCING AND MAINTAINING EFFECTIVE FUNCTIONING OF MACHINES OR INSTALLATIONS; THERMAL INSULATION IN GENERAL
- F16K—VALVES; TAPS; COCKS; ACTUATING-FLOATS; DEVICES FOR VENTING OR AERATING
- F16K11/00—Multiple-way valves, e.g. mixing valves; Pipe fittings incorporating such valves
- F16K11/10—Multiple-way valves, e.g. mixing valves; Pipe fittings incorporating such valves with two or more closure members not moving as a unit
- F16K11/20—Multiple-way valves, e.g. mixing valves; Pipe fittings incorporating such valves with two or more closure members not moving as a unit operated by separate actuating members
- F16K11/22—Multiple-way valves, e.g. mixing valves; Pipe fittings incorporating such valves with two or more closure members not moving as a unit operated by separate actuating members with an actuating member for each valve, e.g. interconnected to form multiple-way valves
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- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
- B01F—MIXING, e.g. DISSOLVING, EMULSIFYING OR DISPERSING
- B01F23/00—Mixing according to the phases to be mixed, e.g. dispersing or emulsifying
- B01F23/10—Mixing gases with gases
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Description
【発明の詳細な説明】 発明の背景 本発明は反応容器のガス取入れ装置、より詳細には以下
請求の範囲第１項に従ったIII−Ｖ半導体の製造に関す
る。
請求の範囲第１項に従ったIII−Ｖ半導体の製造に関す
る。
反応容器、特にIII−Ｖ半導体の製造に適する反応容器
での一般的な問題は、反応容器内に連続して導入される
担体及び保護ガス同様、多量の反応ガスを導入すること
であり、この場合、反応ガスは所定の圧力をもって導入
するばかりでなく、正確に規定された瞬時シーケンスで
濃度の点でも「鋭敏」な遷移を行うことを可能とすべき
である。
での一般的な問題は、反応容器内に連続して導入される
担体及び保護ガス同様、多量の反応ガスを導入すること
であり、この場合、反応ガスは所定の圧力をもって導入
するばかりでなく、正確に規定された瞬時シーケンスで
濃度の点でも「鋭敏」な遷移を行うことを可能とすべき
である。
従来の技術 従来、ガス取入れ装置としては、遮断弁を有するものが
一般的に使用され、必要に応じて各反応及び担体ガス用
の調合装置が使用される。この場合、「日本の特許抄
録」Ｍ−201,Vol.7,1983年に例示されているようなi.a.
弁が考慮されていた。
一般的に使用され、必要に応じて各反応及び担体ガス用
の調合装置が使用される。この場合、「日本の特許抄
録」Ｍ−201,Vol.7,1983年に例示されているようなi.a.
弁が考慮されていた。
しかしながら、「日本の特許抄録」に記載されている四
方切換弁は２個の独立して作用する側方弁ピストンをも
ち、これに例示されている公知のタイプの弁を採用する
ガス取入れ装置は、残留ガスの不純物を形成することな
く高速連続で反応ガスを導入することができない。特に
有害なのは公知のガス取入れ装置で起きる切換えの遅れ
であり、これは回避不能なデッド容積及び／又は同時に
遮断される配管が原因となっている。さらに、種々のガ
スを流したり止めたりすることは反応系の圧力の変動を
来たす原因となり得、これはプロセスに有害である。
方切換弁は２個の独立して作用する側方弁ピストンをも
ち、これに例示されている公知のタイプの弁を採用する
ガス取入れ装置は、残留ガスの不純物を形成することな
く高速連続で反応ガスを導入することができない。特に
有害なのは公知のガス取入れ装置で起きる切換えの遅れ
であり、これは回避不能なデッド容積及び／又は同時に
遮断される配管が原因となっている。さらに、種々のガ
スを流したり止めたりすることは反応系の圧力の変動を
来たす原因となり得、これはプロセスに有害である。
また、公知の弁は、最大の努力を払ってもIII−Ｖ半導
体の製造に必要とする10-8mbar*l/sec以下の漏れ量を達
成することができるに過ぎない。
体の製造に必要とする10-8mbar*l/sec以下の漏れ量を達
成することができるに過ぎない。
発明の説明 発明の目的は、特にIII−Ｖ半導体の製造用反応容器に
おいて、種々の反応ガスの流れを切換えることで起きる
切換え遅れを最小限に抑え、さらに詳細には切換え中に
おける圧力の変動が一切起きないガス取入れ装置を提供
することである。
おいて、種々の反応ガスの流れを切換えることで起きる
切換え遅れを最小限に抑え、さらに詳細には切換え中に
おける圧力の変動が一切起きないガス取入れ装置を提供
することである。
この目的に対する発明性のある解決とそれの別実施例を
請求の範囲に記述する。
請求の範囲に記述する。
発明の要素は、各反応ガスの流れを制御するための装置
に、担体ガスが連続的に流れる流路をもつ多方向切換弁
を具備させたことである。弁の切換位置に応じ、反応ガ
スの入口は担体ガスが連続的に流れる流路即ち反応容器
の反応ガス入口に接続されたり、あるいは前記入口を通
じて通過する反応ガスが全く反応容器に侵入しないよう
に第２の出口接続部に接続される。
に、担体ガスが連続的に流れる流路をもつ多方向切換弁
を具備させたことである。弁の切換位置に応じ、反応ガ
スの入口は担体ガスが連続的に流れる流路即ち反応容器
の反応ガス入口に接続されたり、あるいは前記入口を通
じて通過する反応ガスが全く反応容器に侵入しないよう
に第２の出口接続部に接続される。
上述機構は多数の利点を有する。
反応ガスの流れが遮断されたり開放されたりするが、単
に流路と第２出口接続部との間でに切換えが行われるの
に過ぎないため、実際上、圧力の変動は全く起きない。
さらに、デッド容積等によって起きる切換え遅延は、反
応ガスを反応室に流入させようとする操作段階で担体ガ
スが連続的に流通させる流路にすべての反応ガスの入口
が接続されるため、実際上無視できる。
に流路と第２出口接続部との間でに切換えが行われるの
に過ぎないため、実際上、圧力の変動は全く起きない。
さらに、デッド容積等によって起きる切換え遅延は、反
応ガスを反応室に流入させようとする操作段階で担体ガ
スが連続的に流通させる流路にすべての反応ガスの入口
が接続されるため、実際上無視できる。
本発明の有利な実施態様を従属請求の範囲に述べる。
請求の範囲第２項に記載した実施態様では、同じ排気流
路が各多方向弁の第２の出口に接続され、これは排気ガ
スに有毒成分を含み且つ／又は排気ガスから再生される
べき成分を含む場合に特に有利である。
路が各多方向弁の第２の出口に接続され、これは排気ガ
スに有毒成分を含み且つ／又は排気ガスから再生される
べき成分を含む場合に特に有利である。
一例を挙げれば、四方切換弁（請求の範囲第３項）又は
五方切換弁（請求の範囲第６項）を多方向切換弁として
採用できる。
五方切換弁（請求の範囲第６項）を多方向切換弁として
採用できる。
本発明のガス取入れ装置に採用した四方切換弁の特に簡
単な実施態様を請求の範囲第４項に記載する。前記四方
切換弁は２つの個別に作動し得る遮断弁から成り、この
うち一方は常閉であり、他方は常開である。常閉遮断弁
は流路と反応ガス入口コネクションとの間のジョイント
に位置し、それに対し常開遮断弁は反応ガス入口コネク
ションと第２の出口コネクションとの間のジョイントに
位置し、従って反応ガスは反応領域内に導入されないと
き第２の出口コネクションを介し流出する。
単な実施態様を請求の範囲第４項に記載する。前記四方
切換弁は２つの個別に作動し得る遮断弁から成り、この
うち一方は常閉であり、他方は常開である。常閉遮断弁
は流路と反応ガス入口コネクションとの間のジョイント
に位置し、それに対し常開遮断弁は反応ガス入口コネク
ションと第２の出口コネクションとの間のジョイントに
位置し、従って反応ガスは反応領域内に導入されないと
き第２の出口コネクションを介し流出する。
請求の範囲第５項に記載した入口及び出口コネクション
並びに遮断弁の構成により、個々のコネクションと四方
切換弁の弁との間のジョイントが可能な限り最短とな
て、恐らくなおも存在するデッド容積が一層減少するこ
とになる。
並びに遮断弁の構成により、個々のコネクションと四方
切換弁の弁との間のジョイントが可能な限り最短とな
て、恐らくなおも存在するデッド容積が一層減少するこ
とになる。
多方弁として五方弁を使用することは、弁ブロックも排
気流路をもつことができ、この排気流路により個々の弁
を接続する配管ばかりでなく排気配管の容量も一層減少
できるという利点がある。
気流路をもつことができ、この排気流路により個々の弁
を接続する配管ばかりでなく排気配管の容量も一層減少
できるという利点がある。
請求の範囲第７項に記載したベローズ遮断弁の使用は、
簡単な方法で、III−Ｖ半導体の製造に特に必要とされ
る10-8mbar*l/sec以下の漏れ速度を達成することができ
る。
簡単な方法で、III−Ｖ半導体の製造に特に必要とされ
る10-8mbar*l/sec以下の漏れ速度を達成することができ
る。
いずれの場合にも特別の利点は、請求の範囲第８項に記
載した弁の電気的又は空気圧の作動である。そのような
電気的又は空気圧作動により、制御ユニットを備えた発
明性のあるガス取入れ装置を提供することが可能とな
る。前記制御ユニットは、種々の反応ガスについて所望
取入れプログラムに応じて個々の多方向切換弁を切換え
ることができる。さらに、制御ユニットは、例えばそれ
ぞれの絞りや比例弁により個々の反応ガスの流量を既述
の定値に設定できる。
載した弁の電気的又は空気圧の作動である。そのような
電気的又は空気圧作動により、制御ユニットを備えた発
明性のあるガス取入れ装置を提供することが可能とな
る。前記制御ユニットは、種々の反応ガスについて所望
取入れプログラムに応じて個々の多方向切換弁を切換え
ることができる。さらに、制御ユニットは、例えばそれ
ぞれの絞りや比例弁により個々の反応ガスの流量を既述
の定値に設定できる。
本発明による四方切換弁の有利な実施例を請求の範囲第
９項に述べる。普通の三方切換弁を改良することによ
り、本発明の四方切換弁をほとんど費用をかけないで製
造することが可能である。一方を挙げると、本発明の四
方切換弁は普通のASM三方切換弁を改良することにより
製造することができる。
９項に述べる。普通の三方切換弁を改良することによ
り、本発明の四方切換弁をほとんど費用をかけないで製
造することが可能である。一方を挙げると、本発明の四
方切換弁は普通のASM三方切換弁を改良することにより
製造することができる。
デッド容積，制御時間，ガス消費量は、反応ガス容器同
様ガス取入れ装置の個々の弁に直接接続することが可能
なコネクションを弁の入口と出口に設けることにより、
一層軽減できる。前述コネクションは、例えばVCR雄及
びVCR雌ねじコネクションである。一例として、担体ガ
スが流れる入口にはVCR雄コネクションを、また出口に
はVCR雌コネクションを設ける（請求の範囲第10項）。
様ガス取入れ装置の個々の弁に直接接続することが可能
なコネクションを弁の入口と出口に設けることにより、
一層軽減できる。前述コネクションは、例えばVCR雄及
びVCR雌ねじコネクションである。一例として、担体ガ
スが流れる入口にはVCR雄コネクションを、また出口に
はVCR雌コネクションを設ける（請求の範囲第10項）。
特に高価な反応ガスの場合、本発明に従って設けた制御
ユニット（請求の範囲第11項）を使用することにより、
制御ユニットは、高価な反応ガスを不必要に第２の出口
継手を介し「流出」させないようにするために、反応ガ
ス流を反応容器に導入する直前に定常反応ガス流量を既
述の定値に設定することができる。
ユニット（請求の範囲第11項）を使用することにより、
制御ユニットは、高価な反応ガスを不必要に第２の出口
継手を介し「流出」させないようにするために、反応ガ
ス流を反応容器に導入する直前に定常反応ガス流量を既
述の定値に設定することができる。
本発明によるガス取入れ装置の付加的な利点は、両方の
遮断弁がリークテストに際し閉鎖できることである。リ
ークテストは制御ユニットにより自動化でき、該制御ユ
ニットはリークテストで両方の遮断弁を閉鎖し、漏れ量
を測定する。
遮断弁がリークテストに際し閉鎖できることである。リ
ークテストは制御ユニットにより自動化でき、該制御ユ
ニットはリークテストで両方の遮断弁を閉鎖し、漏れ量
を測定する。
図面の簡単な説明 以下、本発明につき、図面を参照しながら好適実施例を
例示して詳述する。
例示して詳述する。
第１図は、本発明によるガス取入れ装置の線図、 第2a,2b図は、本発明による流路を有する四方切換弁の
構造図、 第3a,3b,3c図は、本発明による幾つかの流路をもつ五方
切換弁の構造図である。
構造図、 第3a,3b,3c図は、本発明による幾つかの流路をもつ五方
切換弁の構造図である。
発明を実施するための最良の形態 第１図は、特にIII−Ｖ半導体の製造に関する本発明に
よる反応容器用ガス取入れ装置の線図を示す。本発明に
よるガス取入れ装置は多数の四方切換弁11，12，…17を
有し、これらはただ概略的に例示してあるあだけであ
る。四方弁１の構造は第2a,2b図に関連して詳述する
が、各四方弁１は４つのコネクション2,3,4,5を有す
る。コネクション3,5は流路６を介し常時接続され、コ
ネクション２は弁の切換位置に応じ流路６またはコネク
ション４のいずれかに接続される。
よる反応容器用ガス取入れ装置の線図を示す。本発明に
よるガス取入れ装置は多数の四方切換弁11，12，…17を
有し、これらはただ概略的に例示してあるあだけであ
る。四方弁１の構造は第2a,2b図に関連して詳述する
が、各四方弁１は４つのコネクション2,3,4,5を有す
る。コネクション3,5は流路６を介し常時接続され、コ
ネクション２は弁の切換位置に応じ流路６またはコネク
ション４のいずれかに接続される。
個々の弁11…17は、担体ガス流の配管７が弁１のコネク
ション３により接続されるように、相互に接続され、コ
ネクション５は各々次の弁のコネクション３に接続され
る。弁17のコネクション５は配管８により反応容器に接
続され、それにより担体ガスの流れに対し連続的な流路
を形成する。それぞれの弁のコネクション２は各反応ガ
スの貯蔵容器に接続され、コネクション４は共通の排気
通路９に接続される。排気通路９は、排気清掃配管10に
よって清掃される。さらに、ここではまだ示していない
が、投入量比例位置決め弁を設けることができ、該弁に
より個々の反応ガス流量を制御することができる。
ション３により接続されるように、相互に接続され、コ
ネクション５は各々次の弁のコネクション３に接続され
る。弁17のコネクション５は配管８により反応容器に接
続され、それにより担体ガスの流れに対し連続的な流路
を形成する。それぞれの弁のコネクション２は各反応ガ
スの貯蔵容器に接続され、コネクション４は共通の排気
通路９に接続される。排気通路９は、排気清掃配管10に
よって清掃される。さらに、ここではまだ示していない
が、投入量比例位置決め弁を設けることができ、該弁に
より個々の反応ガス流量を制御することができる。
第１図に例示したガス取入れ装置は、切換位置に応じ個
々の弁11…17を介し個々の反応ガスを、配管7,個々の流
路6,並びに配管８を介し絶えず反応容器に流入している
担体ガスに混合することが可能である。
々の弁11…17を介し個々の反応ガスを、配管7,個々の流
路6,並びに配管８を介し絶えず反応容器に流入している
担体ガスに混合することが可能である。
弁１を介する反応ガスの流れがただ切換えられるだけの
ため、反応ガスのオン，オフ切換えのとき圧力の変動は
一切ない。さらに、本発明のガス取入れ装置のデッド容
積は、第2a,2b図に関連して以下に詳述する構造の個々
の弁、並びに流路を清掃する連続的な担体ガスにより最
小限に抑えられ、個々の反応ガスに対する高速切換の機
会が得られるようになっている。混合する個々の反応ガ
スの上昇及び下降期間は、この手段によって１秒よりは
るかに低い範囲にもたらすことができる。
ため、反応ガスのオン，オフ切換えのとき圧力の変動は
一切ない。さらに、本発明のガス取入れ装置のデッド容
積は、第2a,2b図に関連して以下に詳述する構造の個々
の弁、並びに流路を清掃する連続的な担体ガスにより最
小限に抑えられ、個々の反応ガスに対する高速切換の機
会が得られるようになっている。混合する個々の反応ガ
スの上昇及び下降期間は、この手段によって１秒よりは
るかに低い範囲にもたらすことができる。
第2a図は本発明による四方切換弁の断面を示し、第2b図
は第2a図の線II−IIにおける断面を示す。
は第2a図の線II−IIにおける断面を示す。
弁の全体を示した弁１は、第１図に関連して既に示した
通り、４個のコネクション2,3,4,5を具備する。４個の
コネクション２〜５は星形に配置されている。コネクシ
ョン２は流路11を介し流路12に接続され、該流路12の両
端部は中空室13,14内に開口し、該中空室13,14にはベロ
ーズ弁17,18の弁タペット15,16が配設されている。弁タ
ペット15,16は流路12の各々の端部を封止する。コネク
ション４は流路19を介し中空室14に接続され、コネクシ
ョン3,5は流路20,21を介し中空室13に接続される。
通り、４個のコネクション2,3,4,5を具備する。４個の
コネクション２〜５は星形に配置されている。コネクシ
ョン２は流路11を介し流路12に接続され、該流路12の両
端部は中空室13,14内に開口し、該中空室13,14にはベロ
ーズ弁17,18の弁タペット15,16が配設されている。弁タ
ペット15,16は流路12の各々の端部を封止する。コネク
ション４は流路19を介し中空室14に接続され、コネクシ
ョン3,5は流路20,21を介し中空室13に接続される。
さらに、例示した実施例の弁は空気圧で作動することが
でき、その場合弁17は常開であり、弁18は常閉である。
変圧作動装置は、これ以上詳細を必要としないほど公知
のものである。
でき、その場合弁17は常開であり、弁18は常閉である。
変圧作動装置は、これ以上詳細を必要としないほど公知
のものである。
第１図に関連して既述したように、コネクション２は反
応ガス容器に接続され、コネクション３は担体ガスが流
れる配管または上流に位置する弁のコネクション５に接
続される。担体ガス流は、このようにして、四方切換弁
を介するタペット15,16の切換位置に拘らず、コネクシ
ョン3,流路20,中空室13,流路21及びコネクション５を通
過することがきる。コネクション２を介し弁に入る反応
ガス流は、流路11,流路12,中空室14,コネクション４へ
の流路19を通過し、それにより非制御状態で排気流路９
に入る。タペット16が流路12を封鎖し、タペット15が後
方に引き戻された制御状態において、反応ガス流は流路
11及び流路12を介し中空室13内に入り、それにより流路
21を介し出口コネクション５内に入る。
応ガス容器に接続され、コネクション３は担体ガスが流
れる配管または上流に位置する弁のコネクション５に接
続される。担体ガス流は、このようにして、四方切換弁
を介するタペット15,16の切換位置に拘らず、コネクシ
ョン3,流路20,中空室13,流路21及びコネクション５を通
過することがきる。コネクション２を介し弁に入る反応
ガス流は、流路11,流路12,中空室14,コネクション４へ
の流路19を通過し、それにより非制御状態で排気流路９
に入る。タペット16が流路12を封鎖し、タペット15が後
方に引き戻された制御状態において、反応ガス流は流路
11及び流路12を介し中空室13内に入り、それにより流路
21を介し出口コネクション５内に入る。
第3a図は本発明に従って構成した五方切換弁の断面図を
示し、第3b図は第3a図の線III-IIIにおける断面を示
し、第3c図は第１図の例示に応じた本発明ガス取入れ装
置における個々の弁11，12，…の切換え状態を示す。
示し、第3b図は第3a図の線III-IIIにおける断面を示
し、第3c図は第１図の例示に応じた本発明ガス取入れ装
置における個々の弁11，12，…の切換え状態を示す。
以下、第1,2図に対応する部品をもつか、あるいは同様
の機能をもつすべての部品は同じ符号を付し、それ以上
の詳細な説明を必要としない。
の機能をもつすべての部品は同じ符号を付し、それ以上
の詳細な説明を必要としない。
五方弁は５個のコネクション2,3,4,4′,5を有する。コ
ネクション３、５は弁ブロック１′において担体ガス用
流路６を介し直接接続され、コネクション4,4′は排気
ガス用流路９′を介し接続される。
ネクション３、５は弁ブロック１′において担体ガス用
流路６を介し直接接続され、コネクション4,4′は排気
ガス用流路９′を介し接続される。
ベローズ弁17が閉じベローズ弁18が開いているとき、反
応ガスはコネクション２から流路12′及び弁タペット16
の穿孔13を介して流路６に流入する。また弁18が閉じ弁
17が開いているとき、反応ガスは入口２から排気ガス流
路９′を経て流れる。
応ガスはコネクション２から流路12′及び弁タペット16
の穿孔13を介して流路６に流入する。また弁18が閉じ弁
17が開いているとき、反応ガスは入口２から排気ガス流
路９′を経て流れる。
前記弁は、同一弁１の簡単なタンデムコネクションが担
体ガス流路６と排気ガス流路９の両方を形成するという
利点をもっている。従って、この構成によれば、デッド
容積及び構造を最小限に軽減される。
体ガス流路６と排気ガス流路９の両方を形成するという
利点をもっている。従って、この構成によれば、デッド
容積及び構造を最小限に軽減される。
担体ガス流路をもつ第2,3図に示した多方弁は、本発明
のガス取入れ装置と関連して共通の多数の利点をもつ。
のガス取入れ装置と関連して共通の多数の利点をもつ。
本発明の弁は実質上デッド容積が皆無であり、個々のガ
ス流間の切換時間が非常に短くなっている。
ス流間の切換時間が非常に短くなっている。
個々の反応ガス流はオン・オフ作動されず、単に出口４
と出口５から切換えられるだけであり、圧力の変動は全
く起きない。
と出口５から切換えられるだけであり、圧力の変動は全
く起きない。
さらに同一平面に横たわるコネクション５及び３並びに
必要あればコネクション４及び４′は、相次ぐ弁に適宜
ねじ付継手、例えば簡単なねじ付パイプあるいは一層好
ましいものとしてVCR雄ねじ継手及びVCR雌ねじ継手を具
備することにより、互いに直接接続するようにしてもよ
い。例えば、コネクション３をVCR雄継手とし、また継
手５をVCR雌継手として構成することにより、特に短い
流れ距離となり、これはさらに切換期間中における個々
のガス流の切換時間を短縮することになる。
必要あればコネクション４及び４′は、相次ぐ弁に適宜
ねじ付継手、例えば簡単なねじ付パイプあるいは一層好
ましいものとしてVCR雄ねじ継手及びVCR雌ねじ継手を具
備することにより、互いに直接接続するようにしてもよ
い。例えば、コネクション３をVCR雄継手とし、また継
手５をVCR雌継手として構成することにより、特に短い
流れ距離となり、これはさらに切換期間中における個々
のガス流の切換時間を短縮することになる。
さらに、両方の弁タペット15,16を封鎖してもよく、こ
れによりシステムは何ら難しくなくリークテストを行う
ことができる。
れによりシステムは何ら難しくなくリークテストを行う
ことができる。
以上発明の実施例をもって本発明を説明した。少なくと
も１つの担体ガス用流路をもつ多方弁から成るガス取入
れ装置を構成するという一般的な発明性のある着想の範
囲内ではほとんど無限の多種多様の変形が可能である。
も１つの担体ガス用流路をもつ多方弁から成るガス取入
れ装置を構成するという一般的な発明性のある着想の範
囲内ではほとんど無限の多種多様の変形が可能である。
勿論、本発明の多方弁の構造は、第２図または第３図に
示した構造が種々の特定の利点を有するとしても、これ
らに限定されるものではない。例えば、第２図の弁は、
普通の三方弁を変形することにより容易に製作できると
いう利点を有する。これを実施するには、三方弁はただ
付加的なコネクション、即ちコネクション５と、担体ガ
スの連続的な流れを確立する流路21を設けるだけであ
る。
示した構造が種々の特定の利点を有するとしても、これ
らに限定されるものではない。例えば、第２図の弁は、
普通の三方弁を変形することにより容易に製作できると
いう利点を有する。これを実施するには、三方弁はただ
付加的なコネクション、即ちコネクション５と、担体ガ
スの連続的な流れを確立する流路21を設けるだけであ
る。
第３図の弁は、コンパクトな構造であること、発明装置
を簡単な構成となし得るという利点がある。
を簡単な構成となし得るという利点がある。
手動操作または電導作動の弁を採用することも可能であ
る。しかし、電導作動または空圧作動の弁は、個々の反
応ガス流が正確に決められた時間反応容器内に侵入でき
るように本発明ガス取入れ装置を制御ユニットの手段に
よって調整できるという利点がある。
る。しかし、電導作動または空圧作動の弁は、個々の反
応ガス流が正確に決められた時間反応容器内に侵入でき
るように本発明ガス取入れ装置を制御ユニットの手段に
よって調整できるという利点がある。
Claims (11)
- 【請求項１】一種類または数種類の反応ガス並びに担体
ガスを反応容器内に侵入させることのできる弁装置を備
えた反応容器用ガス取入れ装置であって、前記弁装置に
は各反応ガス用の多方弁（１）を設け、前記担体ガスが
連続的に流れる流路（6;20,13,21）を有し、該多方弁の
出口（５）は下流側即ち反応容器（８）側の次段多方弁
（１）の入口（３）に接続され、また多方弁の反応ガス
入口（２）は弁の切換位置に応じ流路（6;20,13,21）ま
たは第２の出口（４又は４′）のいずれかに接続される
ことを特徴とするガス取入れ装置。 - 【請求項２】請求の範囲第１項記載のガス取入れ装置に
おいて、個々の多方弁（１）の前記第２の出口（4,
4′）が、真空または流れを維持される排気通路（９）
に接続されているガス取入れ装置。 - 【請求項３】請求の範囲第１項または第２項記載の装置
において、多方弁が四方弁であるガス取入れ装置。 - 【請求項４】請求の範囲第３項記載の装置において、四
方弁は個別に作動し得る２個の遮断弁（17,18）から成
り、一方の遮断弁は反応ガス入口（２）と流路（6;20,1
3,21）との間の流路に位置し、他方の遮断弁は反応ガス
入口（２）と第２の出口（4,4′）との間の流路に位置
するガス取入れ装置。 - 【請求項５】請求の範囲第３項または第４項記載のガス
取入れ装置において、入口と出口（2,3,4,5）が星形に
配設され、遮断弁が一平面にあるガス取入れ装置。 - 【請求項６】請求の範囲第２項記載のガス取入れ装置に
おいて、多方弁が２個の遮断弁（17,18）を有する五方
弁であり、該遮断弁の弁ブロック（１′）に排気ガス用
流路（９′）が一体化されているガス取入れ装置。 - 【請求項７】請求の範囲第１項乃至第６項のうちいずれ
か１項に記載のガス取入れ装置において、遮断弁がベロ
ーズ弁であるガス取入れ装置。 - 【請求項８】請求の範囲第１項乃至第７項のうちいずれ
か１項に記載のガス取入れ装置において、弁は電気的ま
たは空気圧で作動し得るガス取入れ装置。 - 【請求項９】請求の範囲第３項乃至第５項のうちいずれ
か１項に記載のガス取入れ装置において、付加的なコネ
クションを具備した一般的な三方弁が四方弁として採用
されるガス取入れ装置。 - 【請求項１０】請求の範囲第１項乃至第９項のうちいず
れか１項に記載のガス取入れ装置において、入口または
出口（2,3,4,5）がねじ継手を有し、該ねじ継手は、多
方弁の担体ガス出口を、下流の次の弁の担体ガス入口ま
たは排気ガス流路に接続することを可能とするガス取入
れ装置。 - 【請求項１１】請求の範囲第１項乃至第10項のうちいず
れか１項に記載のガス取入れ装置において、制御ユニッ
トが設けられ、該制御ユニットは個々のガス流量を所定
の定値に設定し、所望入口プログラムに相当する個々の
多方弁を切換えるガス取入れ装置。
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DE3537544A DE3537544C1 (de) | 1985-10-22 | 1985-10-22 | Gaseinlassvorrichtung fuer Reaktionsgefaesse |
| DE3537544.2 | 1985-10-22 | ||
| PCT/DE1986/000423 WO1987002598A1 (en) | 1985-10-22 | 1986-10-21 | Gas inlet device for reactors |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63501144A JPS63501144A (ja) | 1988-04-28 |
| JPH07175B2 true JPH07175B2 (ja) | 1995-01-11 |
Family
ID=6284169
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61505547A Expired - Lifetime JPH07175B2 (ja) | 1985-10-22 | 1986-10-21 | 反応容器のガス取入れ装置 |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| EP (1) | EP0243416B1 (ja) |
| JP (1) | JPH07175B2 (ja) |
| AT (1) | ATE84444T1 (ja) |
| DE (2) | DE3537544C1 (ja) |
| WO (1) | WO1987002598A1 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006203208A (ja) * | 2005-01-19 | 2006-08-03 | Samsung Electronics Co Ltd | ４方弁を有する半導体素子の製造装置、半導体素子の製造装置の弁制御方法及びそれを用いた半導体素子の製造方法 |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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| US5220517A (en) * | 1990-08-31 | 1993-06-15 | Sci Systems, Inc. | Process gas distribution system and method with supervisory control |
| EP0619450A1 (en) * | 1993-04-09 | 1994-10-12 | The Boc Group, Inc. | Zero Dead-Leg Gas Cabinet |
| JP3332053B2 (ja) * | 1993-10-27 | 2002-10-07 | 清原 まさ子 | チャンバーへのガス供給方法 |
| DE19540771A1 (de) | 1995-11-02 | 1997-05-07 | Hertz Inst Heinrich | Gaseinlaßvorrichtung für eine Beschichtungsanlage |
| DE10124609B4 (de) | 2001-05-17 | 2012-12-27 | Aixtron Se | Verfahren zum Abscheiden aktiver Schichten auf Substraten |
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| US8679231B2 (en) | 2011-01-19 | 2014-03-25 | Advanced Technology Materials, Inc. | PVDF pyrolyzate adsorbent and gas storage and dispensing system utilizing same |
| DE102014100135A1 (de) | 2014-01-08 | 2015-07-09 | Aixtron Se | Gasmischvorrichtung an einem Reaktor mit Wegeventil |
| KR102411152B1 (ko) * | 2017-05-02 | 2022-06-21 | 피코순 오와이 | Ald 장치, 방법 및 밸브 |
Family Cites Families (3)
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|---|---|---|---|---|
| US3556147A (en) * | 1968-01-30 | 1971-01-19 | Otis Eng Co | Valve device |
| US4281683A (en) * | 1978-12-11 | 1981-08-04 | Poly-Glas Systems | Modular multiple-fluid component selection and delivery system |
| FR2455923A1 (fr) * | 1979-05-11 | 1980-12-05 | Carrier | Dispositif de distribution de peintures, solvants, vernis ou analogues |
-
1985
- 1985-10-22 DE DE3537544A patent/DE3537544C1/de not_active Expired
-
1986
- 1986-10-21 WO PCT/DE1986/000423 patent/WO1987002598A1/de active IP Right Grant
- 1986-10-21 JP JP61505547A patent/JPH07175B2/ja not_active Expired - Lifetime
- 1986-10-21 EP EP86906268A patent/EP0243416B1/de not_active Expired - Lifetime
- 1986-10-21 AT AT86906268T patent/ATE84444T1/de not_active IP Right Cessation
- 1986-10-21 DE DE8686906268T patent/DE3687524D1/de not_active Expired - Fee Related
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006203208A (ja) * | 2005-01-19 | 2006-08-03 | Samsung Electronics Co Ltd | ４方弁を有する半導体素子の製造装置、半導体素子の製造装置の弁制御方法及びそれを用いた半導体素子の製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| EP0243416A1 (de) | 1987-11-04 |
| WO1987002598A1 (en) | 1987-05-07 |
| EP0243416B1 (de) | 1993-01-13 |
| ATE84444T1 (de) | 1993-01-15 |
| DE3537544C1 (de) | 1987-05-21 |
| JPS63501144A (ja) | 1988-04-28 |
| DE3687524D1 (de) | 1993-02-25 |
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