JPH07175226A - レジストパターンの形成方法 - Google Patents
レジストパターンの形成方法Info
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- JPH07175226A JPH07175226A JP5344942A JP34494293A JPH07175226A JP H07175226 A JPH07175226 A JP H07175226A JP 5344942 A JP5344942 A JP 5344942A JP 34494293 A JP34494293 A JP 34494293A JP H07175226 A JPH07175226 A JP H07175226A
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- resist
- resist pattern
- peb
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- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
- Materials For Photolithography (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 本発明は化学増幅系ポジ型レジストを用いる
レジストパターンの形成方法に関し、化学増幅系ポジ型
レジストのＴ型形状の原因である表面難溶化層を解消す
るために、その原因であるレジスト表面で失活した酸を
ＰＥＢ処理時に補償し、表面難溶化層の形成を抑えるレ
ジストパターン形成方法を提供することを目的とする。 【構成】 ウェハ１１及びホットプレート１２はＰＥＢ
処理装置１３内に収容されている。このＰＥＢ処理装置
１３は導風管１４を通して酸性ガス発生装置１７に連通
されている。酸性ガス発生装置１７は酸性ガスを発生す
る装置で、酸溶液１６を収容しており、外部より気化の
ための窒素ガス１５が導入されることにより、気化した
酸を発生し、その酸をＰＥＢ処理装置１３内に導入す
る。これにより、ウェハ１１は所定温度で所定時間酸性
雰囲気中でＰＥＢ処理される。
レジストパターンの形成方法に関し、化学増幅系ポジ型
レジストのＴ型形状の原因である表面難溶化層を解消す
るために、その原因であるレジスト表面で失活した酸を
ＰＥＢ処理時に補償し、表面難溶化層の形成を抑えるレ
ジストパターン形成方法を提供することを目的とする。 【構成】 ウェハ１１及びホットプレート１２はＰＥＢ
処理装置１３内に収容されている。このＰＥＢ処理装置
１３は導風管１４を通して酸性ガス発生装置１７に連通
されている。酸性ガス発生装置１７は酸性ガスを発生す
る装置で、酸溶液１６を収容しており、外部より気化の
ための窒素ガス１５が導入されることにより、気化した
酸を発生し、その酸をＰＥＢ処理装置１３内に導入す
る。これにより、ウェハ１１は所定温度で所定時間酸性
雰囲気中でＰＥＢ処理される。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明はレジストパターンの形成
方法に係り、特に化学増幅系ポジ型レジストを用いるレ
ジストパターンの形成方法に関する。
方法に係り、特に化学増幅系ポジ型レジストを用いるレ
ジストパターンの形成方法に関する。
【０００２】半導体基板上に形成されたフォトレジスト
膜を所望の半導体集積回路パターンを描いたマスク又は
レチクルを通して露光し、ベーク（ＰＥＢ：Ｐｏｓｔ
Ｅｘｐｏｓｕｒｅ Ｂａｋｅ）処理後、現像液を用いて
現像することにより、レジストパターンを形成する方法
においては、近年の益々の微細パターンの要求に対して
も現像後のレジストパターンを形状や寸法の劣化なく形
成することが必要とされる。
膜を所望の半導体集積回路パターンを描いたマスク又は
レチクルを通して露光し、ベーク（ＰＥＢ：Ｐｏｓｔ
Ｅｘｐｏｓｕｒｅ Ｂａｋｅ）処理後、現像液を用いて
現像することにより、レジストパターンを形成する方法
においては、近年の益々の微細パターンの要求に対して
も現像後のレジストパターンを形状や寸法の劣化なく形
成することが必要とされる。
【０００３】
【従来の技術】従来のレジストパターン形成方法では、
ベース樹脂にノボラック樹脂を用いたレジスト上にナフ
トキノンジアジドなどの感光剤を塗布し、マスク又はレ
チクルを通してｇ線（波長４３６ｎｍ）やｉ線（波長３
６５ｎｍ）で感光剤を露光し、その後現像することによ
りレジストパターンを形成する溶解抑止型ポジ型レジス
トが主流であった。
ベース樹脂にノボラック樹脂を用いたレジスト上にナフ
トキノンジアジドなどの感光剤を塗布し、マスク又はレ
チクルを通してｇ線（波長４３６ｎｍ）やｉ線（波長３
６５ｎｍ）で感光剤を露光し、その後現像することによ
りレジストパターンを形成する溶解抑止型ポジ型レジス
トが主流であった。
【０００４】しかし、近年、大規模集積回路（ＬＳＩ）
のより一層の高集積化に伴い、回路パターンの微細化が
益々要求されるようになったため、露光光としてはより
短波長の微細化に有利な遠紫外光であるエキシマレーザ
光（波長２４８ｎｍ、１９３ｎｍなど）を用いたリソグ
ラフィが必要となってきた。しかし、そのレジストとし
ては、従来のｇ線用レジストやｉ線用レジストでは光吸
収が大きすぎ、良好なレジストパターンが得られず、ま
た感度も大幅に増大する。
のより一層の高集積化に伴い、回路パターンの微細化が
益々要求されるようになったため、露光光としてはより
短波長の微細化に有利な遠紫外光であるエキシマレーザ
光（波長２４８ｎｍ、１９３ｎｍなど）を用いたリソグ
ラフィが必要となってきた。しかし、そのレジストとし
ては、従来のｇ線用レジストやｉ線用レジストでは光吸
収が大きすぎ、良好なレジストパターンが得られず、ま
た感度も大幅に増大する。
【０００５】そこで、光酸発生剤から発生する酸触媒の
増感反応を利用した化学増幅系レジストが考案され、こ
れが短波長リソグラフィ用レジストとして、また高解像
力が要求される電子線リソグラフィ用レジストとして主
流となりつつある。
増感反応を利用した化学増幅系レジストが考案され、こ
れが短波長リソグラフィ用レジストとして、また高解像
力が要求される電子線リソグラフィ用レジストとして主
流となりつつある。
【０００６】ところが、化学増幅系レジストのうち、特
にポジ型レジストでは、露光によって発生した酸がレジ
スト膜表面領域で消失あるいは空気中の塩基で中和され
て失活し、後のＰＥＢ処理で可溶化反応が進行しないた
め、表面難溶化層が発生し、そのため現像後得られるレ
ジストパターンがＴ型形状になり、解像性、焦点深度、
寸法精度などが損なわれるという問題がある。
にポジ型レジストでは、露光によって発生した酸がレジ
スト膜表面領域で消失あるいは空気中の塩基で中和され
て失活し、後のＰＥＢ処理で可溶化反応が進行しないた
め、表面難溶化層が発生し、そのため現像後得られるレ
ジストパターンがＴ型形状になり、解像性、焦点深度、
寸法精度などが損なわれるという問題がある。
【０００７】この問題を解決するため、従来よりいくつ
かの方法が提案されている。例えば、ＰＥＢ処理の雰囲
気を不活性ガスに置換し、酸失活を防止するレジストパ
ターン形成方法が従来より知られている（特開平４−３
６９２１１号公報）。図３はこの従来のレジストパター
ン形成方法の構成図を示す。同図において、ウェハ３１
及びホットプレート３２はＰＥＢ処理装置３３内に収納
されている。ＰＥＢ処理装置３３の上部は導風管３４に
連通している。
かの方法が提案されている。例えば、ＰＥＢ処理の雰囲
気を不活性ガスに置換し、酸失活を防止するレジストパ
ターン形成方法が従来より知られている（特開平４−３
６９２１１号公報）。図３はこの従来のレジストパター
ン形成方法の構成図を示す。同図において、ウェハ３１
及びホットプレート３２はＰＥＢ処理装置３３内に収納
されている。ＰＥＢ処理装置３３の上部は導風管３４に
連通している。
【０００８】ウェハ３１は表面に塗布された化学増幅系
レジスト膜に、所望の半導体集積回路パターンが露光さ
れている。このウェハ３１はホットプレート３２上に載
置されて所定温度にまで上昇され、所定時間ＰＥＢ処理
される。このＰＥＢ処理の際に、導風管３４を通してＰ
ＥＢ処理装置３３内に不活性ガスとして窒素ガス３５が
導入される。このようにして、ＰＥＢ処理の雰囲気を窒
素ガスに置換することで、ウェハ３１の酸失活を防止す
る。
レジスト膜に、所望の半導体集積回路パターンが露光さ
れている。このウェハ３１はホットプレート３２上に載
置されて所定温度にまで上昇され、所定時間ＰＥＢ処理
される。このＰＥＢ処理の際に、導風管３４を通してＰ
ＥＢ処理装置３３内に不活性ガスとして窒素ガス３５が
導入される。このようにして、ＰＥＢ処理の雰囲気を窒
素ガスに置換することで、ウェハ３１の酸失活を防止す
る。
【０００９】また、従来の他のレジストパターン形成方
法としては、レジスト表面に保護膜を塗布し酸失活を防
止する方法（特開平４−２０４８４８号公報）や、形成
された表面難溶化層を薄く取り除く方法（特開平４−２
２１９５９号公報）などが知られている。
法としては、レジスト表面に保護膜を塗布し酸失活を防
止する方法（特開平４−２０４８４８号公報）や、形成
された表面難溶化層を薄く取り除く方法（特開平４−２
２１９５９号公報）などが知られている。
【００１０】このうち、前者のレジストパターン形成方
法は、ウェハ上に化学増幅系レジストを塗布し、更にそ
のレジスト膜上に水溶性高分子樹脂を塗布し、上記レジ
スト膜に所望のパターンを露光した後、上記の水溶性高
分子樹脂を除去して熱処理する。その後、アルカリ性水
溶液で現像することにより、レジストパターンを形成す
る。この従来のレジストパターン形成方法によれば、化
学増幅系レジスト膜と相溶性のない水溶性高分子樹脂を
塗布することにより、レジスト膜中に発生した酸を空気
中のＯ2 又はＣＯ2 から保護し、失活することを防ぐよ
うにするものである。
法は、ウェハ上に化学増幅系レジストを塗布し、更にそ
のレジスト膜上に水溶性高分子樹脂を塗布し、上記レジ
スト膜に所望のパターンを露光した後、上記の水溶性高
分子樹脂を除去して熱処理する。その後、アルカリ性水
溶液で現像することにより、レジストパターンを形成す
る。この従来のレジストパターン形成方法によれば、化
学増幅系レジスト膜と相溶性のない水溶性高分子樹脂を
塗布することにより、レジスト膜中に発生した酸を空気
中のＯ2 又はＣＯ2 から保護し、失活することを防ぐよ
うにするものである。
【００１１】また、後者のレジストパターン形成方法
は、化学増幅系レジストに対し所望パターンを露光し、
更にポストべークを行った後に四弗化炭素と酸素との混
合ガスによるダウンフローアッシングを行うか、ケトン
系又は酢酸エステル系溶剤によるプレ現像を行うことに
より、表面難溶化層を薄く除くあるいは溶解するもので
ある。
は、化学増幅系レジストに対し所望パターンを露光し、
更にポストべークを行った後に四弗化炭素と酸素との混
合ガスによるダウンフローアッシングを行うか、ケトン
系又は酢酸エステル系溶剤によるプレ現像を行うことに
より、表面難溶化層を薄く除くあるいは溶解するもので
ある。
【００１２】
【発明が解決しようとする課題】しかるに、図３に示し
たＰＥＢ処理時の雰囲気を不活性ガスに置換する従来の
レジストパターン形成方法は、化学増幅系レジスト表面
での酸失活の防止に対してはその効果は不十分である。
また、この従来方法では露光後ＰＥＢ処理までの間に、
レジスト中の成分として含まれる光酸発生剤に光が照射
されることにより発生する酸がレジスト表面から消失し
た場合、表面難溶化層の形成は防止することができず、
現像後のレジストパターン形状は縦断面がＴ型形状にな
り易いという問題がある。
たＰＥＢ処理時の雰囲気を不活性ガスに置換する従来の
レジストパターン形成方法は、化学増幅系レジスト表面
での酸失活の防止に対してはその効果は不十分である。
また、この従来方法では露光後ＰＥＢ処理までの間に、
レジスト中の成分として含まれる光酸発生剤に光が照射
されることにより発生する酸がレジスト表面から消失し
た場合、表面難溶化層の形成は防止することができず、
現像後のレジストパターン形状は縦断面がＴ型形状にな
り易いという問題がある。
【００１３】特に、微細パターン形成に対しては、この
ような表面難溶化層に起因するフォトレジストパターン
の形状劣化、解像性、焦点深度、寸法精度の劣化は致命
的である。
ような表面難溶化層に起因するフォトレジストパターン
の形状劣化、解像性、焦点深度、寸法精度の劣化は致命
的である。
【００１４】また、レジスト表面に保護膜を塗布し酸失
活を防止する従来のレジストパターン形成方法や、形成
された表面難溶化層を薄く取り除く従来のレジストパタ
ーン形成方法では、工程数が多くなり、コストアップを
もたらす。
活を防止する従来のレジストパターン形成方法や、形成
された表面難溶化層を薄く取り除く従来のレジストパタ
ーン形成方法では、工程数が多くなり、コストアップを
もたらす。
【００１５】本発明は以上の点に鑑みなされたもので、
化学増幅系ポジ型レジストのＴ型形状の原因である表面
難溶化層を解消するために、その原因であるレジスト表
面で失活した酸をＰＥＢ処理時に補償し、表面難溶化層
の形成を抑えるレジストパターン形成方法を提供するこ
とを目的とする。
化学増幅系ポジ型レジストのＴ型形状の原因である表面
難溶化層を解消するために、その原因であるレジスト表
面で失活した酸をＰＥＢ処理時に補償し、表面難溶化層
の形成を抑えるレジストパターン形成方法を提供するこ
とを目的とする。
【００１６】
【課題を解決するための手段】本発明は上記の目的を達
成するため、化学増幅系ポジ型レジストが表面に形成さ
れている半導体基板に対して所望のパターンが描かれた
マスク又はレチクルを通して露光し、べーク処理後現像
処理してフォトレジストパターンを形成するレジストパ
ターンの形成方法において、前記べーク処理時の雰囲気
を酸性とするようにしたものである。
成するため、化学増幅系ポジ型レジストが表面に形成さ
れている半導体基板に対して所望のパターンが描かれた
マスク又はレチクルを通して露光し、べーク処理後現像
処理してフォトレジストパターンを形成するレジストパ
ターンの形成方法において、前記べーク処理時の雰囲気
を酸性とするようにしたものである。
【００１７】
【作用】本発明ではベーク処理の際の雰囲気を酸性とし
ているため、化学増幅系ポジ型レジスト中の成分として
含まれる光酸発生剤に光が照射されることにより発生す
る酸がレジスト表面から消失した場合でも、それを補償
してベーク処理することができる。
ているため、化学増幅系ポジ型レジスト中の成分として
含まれる光酸発生剤に光が照射されることにより発生す
る酸がレジスト表面から消失した場合でも、それを補償
してベーク処理することができる。
【００１８】また、上記のベーク処理時の酸性雰囲気
は、強酸で分子の小さな酸の溶液を導入ガスにより気化
し、この気化された酸をべーク処理装置内に導入するこ
とにより実現することができる。
は、強酸で分子の小さな酸の溶液を導入ガスにより気化
し、この気化された酸をべーク処理装置内に導入するこ
とにより実現することができる。
【００１９】
【実施例】次に、本発明の実施例について説明する。図
１は本発明方法の第１実施例を説明する装置構成図を示
す。同図において、ウェハ１１及びホットプレート１２
はＰＥＢ処理装置１３内に収容されている。このＰＥＢ
処理装置１３は導風管１４を通して酸性ガス発生装置１
７に連通されている。酸性ガス発生装置１７は酸性ガス
を発生する装置で、酸溶液１６を収容しており、また外
部より気化のための窒素ガス１５が導入される構成とさ
れている。
１は本発明方法の第１実施例を説明する装置構成図を示
す。同図において、ウェハ１１及びホットプレート１２
はＰＥＢ処理装置１３内に収容されている。このＰＥＢ
処理装置１３は導風管１４を通して酸性ガス発生装置１
７に連通されている。酸性ガス発生装置１７は酸性ガス
を発生する装置で、酸溶液１６を収容しており、また外
部より気化のための窒素ガス１５が導入される構成とさ
れている。
【００２０】半導体基板であるウェハ１１はその表面に
化学増幅系ポジ型レジスト膜が形成されており、このレ
ジスト膜が所望の半導体集積回路パターンを描いたマス
クまたはレチクルを通して露光された後の状態のウェハ
である。ホットプレート１２はウェハ１１を加熱する。
酸溶液１６は酸の溶液であるが、塩酸、硫酸、硝酸等の
強酸で、分子の小さな酸が望ましい。
化学増幅系ポジ型レジスト膜が形成されており、このレ
ジスト膜が所望の半導体集積回路パターンを描いたマス
クまたはレチクルを通して露光された後の状態のウェハ
である。ホットプレート１２はウェハ１１を加熱する。
酸溶液１６は酸の溶液であるが、塩酸、硫酸、硝酸等の
強酸で、分子の小さな酸が望ましい。
【００２１】次に、この実施例の動作について説明す
る。まず、上記の露光後の状態のウェハ１１を水平にし
てＰＥＢ処理装置１３内に入れ、ホットプレート１２上
に載置する。次に、ＰＥＢ処理装置１３を所定の圧力
（大気圧が望ましい）に保持すると共に、酸性ガス発生
装置１７を作動開始させる。酸性ガス発生装置１７は強
酸の酸溶液１６に外部より窒素ガス１５を導入して酸溶
液１６を気化させる。
る。まず、上記の露光後の状態のウェハ１１を水平にし
てＰＥＢ処理装置１３内に入れ、ホットプレート１２上
に載置する。次に、ＰＥＢ処理装置１３を所定の圧力
（大気圧が望ましい）に保持すると共に、酸性ガス発生
装置１７を作動開始させる。酸性ガス発生装置１７は強
酸の酸溶液１６に外部より窒素ガス１５を導入して酸溶
液１６を気化させる。
【００２２】この気化された酸は導風管１４を通してＰ
ＥＢ処理装置１３内に導入される。このとき、ウェハ１
１はホットプレート１２により加熱開始されている。こ
うして、ウェハ１１は所定温度で所定時間酸性雰囲気中
でＰＥＢ処理される。これにより、ウェハ１１上の化学
増幅系ポジ型レジスト中の成分として含まれる光酸発生
剤に光が照射されることにより発生する酸がレジスト表
面から消失した場合でも、それを補償してＰＥＢ処理す
ることができる。従って、このＰＥＢ処理後現像処理を
ウェハ１１に施すことにより、表面難溶化層の無い、縦
断面が矩形なレジストパターンを得ることができる。
ＥＢ処理装置１３内に導入される。このとき、ウェハ１
１はホットプレート１２により加熱開始されている。こ
うして、ウェハ１１は所定温度で所定時間酸性雰囲気中
でＰＥＢ処理される。これにより、ウェハ１１上の化学
増幅系ポジ型レジスト中の成分として含まれる光酸発生
剤に光が照射されることにより発生する酸がレジスト表
面から消失した場合でも、それを補償してＰＥＢ処理す
ることができる。従って、このＰＥＢ処理後現像処理を
ウェハ１１に施すことにより、表面難溶化層の無い、縦
断面が矩形なレジストパターンを得ることができる。
【００２３】次に、本発明方法の第２実施例について、
図２の装置構成図と共に説明する。図２中、図１と同一
構成部分には同一符号を付し、その説明を省略する。本
実施例は、酸性ガス発生装置２１が酸溶液１６を気化さ
せる導入ガスとして、第１実施例の窒素ガス１５に代え
て水蒸気２２を用いた点に特徴を有する。
図２の装置構成図と共に説明する。図２中、図１と同一
構成部分には同一符号を付し、その説明を省略する。本
実施例は、酸性ガス発生装置２１が酸溶液１６を気化さ
せる導入ガスとして、第１実施例の窒素ガス１５に代え
て水蒸気２２を用いた点に特徴を有する。
【００２４】本実施例によれば、水蒸気中に気化された
酸が含まれるため、不活性ガスである窒素ガスを用いた
場合よりも酸を運ぶ能力が高まる。その結果、ＰＥＢ処
理装置１３内に導入される酸の濃度はより大きくなり、
化学増幅系ポジ型レジスト表面で失活した酸を補償する
効果がより大きくなる。
酸が含まれるため、不活性ガスである窒素ガスを用いた
場合よりも酸を運ぶ能力が高まる。その結果、ＰＥＢ処
理装置１３内に導入される酸の濃度はより大きくなり、
化学増幅系ポジ型レジスト表面で失活した酸を補償する
効果がより大きくなる。
【００２５】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
化学増幅系ポジ型レジスト中の成分として含まれる光酸
発生剤に光が照射されることにより発生する酸がレジス
ト表面から消失した場合でも、それを補償してベーク処
理することができるため、得られるレジストパターンの
縦断面をＴ型形状をほぼ解消して矩形形状とすることが
でき、その結果、解像性、焦点深度、寸法精度とも従来
に比し１０％以上の向上を実現することができる。
化学増幅系ポジ型レジスト中の成分として含まれる光酸
発生剤に光が照射されることにより発生する酸がレジス
ト表面から消失した場合でも、それを補償してベーク処
理することができるため、得られるレジストパターンの
縦断面をＴ型形状をほぼ解消して矩形形状とすることが
でき、その結果、解像性、焦点深度、寸法精度とも従来
に比し１０％以上の向上を実現することができる。
【００２６】特に、微細パターン形成に対してはその効
果は大きく、矩形のフォトレジストパターンを再現性良
く形成することができる。
果は大きく、矩形のフォトレジストパターンを再現性良
く形成することができる。
【図１】本発明方法の第１実施例を説明する装置構成図
である。
である。
【図２】本発明方法の第２実施例を説明する装置構成図
である。
である。
【図３】従来方法の一例を説明する装置構成図である。
１１ ウェハ １２ ホットプレート １３ ＰＥＢ処理装置 １４ 導風管 １５ 窒素ガス １６ 酸溶液 １７、２１ 酸性ガス発生装置 ２２ 水蒸気
Claims (2)
- 【請求項１】 化学増幅系ポジ型レジストが表面に形成
されている半導体基板に対して所望のパターンが描かれ
たマスク又はレチクルを通して露光し、べーク処理後現
像処理してフォトレジストパターンを形成するレジスト
パターンの形成方法において、 前記べーク処理時の雰囲気を酸性とすることを特徴とす
るレジストパターンの形成方法。 - 【請求項２】 前記酸性の雰囲気は、強酸で分子の小さ
な酸の溶液を導入ガスにより気化し、この気化された酸
をべーク処理装置内に導入することにより生成すること
を特徴とする請求項１記載のレジストパターンの形成方
法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5344942A JP2658859B2 (ja) | 1993-12-20 | 1993-12-20 | レジストパターンの形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5344942A JP2658859B2 (ja) | 1993-12-20 | 1993-12-20 | レジストパターンの形成方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07175226A true JPH07175226A (ja) | 1995-07-14 |
| JP2658859B2 JP2658859B2 (ja) | 1997-09-30 |
Family
ID=18373200
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5344942A Expired - Lifetime JP2658859B2 (ja) | 1993-12-20 | 1993-12-20 | レジストパターンの形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2658859B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1122611A3 (en) * | 2000-02-04 | 2003-01-22 | Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd. | Method of reducing surface defects of a patterned resist layer |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04155346A (ja) * | 1990-10-18 | 1992-05-28 | Mitsubishi Kasei Corp | パターン形成方法 |
| JPH05343313A (ja) * | 1992-06-08 | 1993-12-24 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体装置の製造方法 |
| JPH06208947A (ja) * | 1993-01-08 | 1994-07-26 | Toshiba Corp | レジスト処理方法及びレジスト処理装置 |
| JPH06267838A (ja) * | 1993-03-11 | 1994-09-22 | Hitachi Ltd | レジストパターンの形成方法 |
-
1993
- 1993-12-20 JP JP5344942A patent/JP2658859B2/ja not_active Expired - Lifetime
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Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2658859B2 (ja) | 1997-09-30 |
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