JPH07162123A - 回路モジュール - Google Patents
回路モジュールInfo
- Publication number
- JPH07162123A JPH07162123A JP5303848A JP30384893A JPH07162123A JP H07162123 A JPH07162123 A JP H07162123A JP 5303848 A JP5303848 A JP 5303848A JP 30384893 A JP30384893 A JP 30384893A JP H07162123 A JPH07162123 A JP H07162123A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- wiring
- copper foil
- circuit module
- resistor
- chip resistor
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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- Apparatuses And Processes For Manufacturing Resistors (AREA)
- Production Of Multi-Layered Print Wiring Board (AREA)
- Parts Printed On Printed Circuit Boards (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 レーザー切断開始点近傍に銅箔を設けること
により、配線基板の内層配線、裏面配線を保護する。 【構成】 樹脂基材に銅箔により配線を形成して両面配
線基板５に個別部品を半田接続した回路モジュールにお
いて、回路モジュール内にトリミング用チップ抵抗器を
有し、トリミング用チップ抵抗器の抵抗値調整のための
切断溝８を設ける切断開始点の近傍の配線基板５上に独
立銅箔パターン９を設け、独立銅箔パターン９により裏
面配線１０がトリミング用レーザー等から保護され、ま
た独立銅箔パターン９はレーザー等により破損しても回
路モジュールの性能、信頼性に影響を与えないので切断
開始点の領域を大幅に拡大することができる。さらに、
独立銅箔パターン９はトリミング用チップ抵抗器が搭載
されている表面のみに設置するので裏面の配線容量を減
少させることがない。
により、配線基板の内層配線、裏面配線を保護する。 【構成】 樹脂基材に銅箔により配線を形成して両面配
線基板５に個別部品を半田接続した回路モジュールにお
いて、回路モジュール内にトリミング用チップ抵抗器を
有し、トリミング用チップ抵抗器の抵抗値調整のための
切断溝８を設ける切断開始点の近傍の配線基板５上に独
立銅箔パターン９を設け、独立銅箔パターン９により裏
面配線１０がトリミング用レーザー等から保護され、ま
た独立銅箔パターン９はレーザー等により破損しても回
路モジュールの性能、信頼性に影響を与えないので切断
開始点の領域を大幅に拡大することができる。さらに、
独立銅箔パターン９はトリミング用チップ抵抗器が搭載
されている表面のみに設置するので裏面の配線容量を減
少させることがない。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、各種電子機器に用いら
れる、樹脂基板を用いた回路モジュールに搭載されたト
リミング用チップ抵抗器の近傍に位置する配線パターン
を保護するようにした回路モジュールに関するものであ
る。
れる、樹脂基板を用いた回路モジュールに搭載されたト
リミング用チップ抵抗器の近傍に位置する配線パターン
を保護するようにした回路モジュールに関するものであ
る。
【０００２】
【従来の技術】樹脂基板を用い、この樹脂基板上にトリ
ミング用チップ抵抗器を搭載した高密度回路モジュール
と、この高密度回路モジュール上のトリミング用チップ
抵抗器の切断方法については、既に本願出願人が特開平
２−７３２３９号公報において提案した。これを図２を
用いて説明する。図２において（ａ）は上面図、（ｂ）
は側面図であり、絶縁基板１上に形成された厚膜抵抗体
３とその厚膜抵抗体３にそれぞれ接続された外部電極２
を有し、厚膜抵抗体３を保護する保護膜４が設けられた
トリミング用チップ抵抗器が、配線基板５上に形成され
た半田付け用ランド６に半田７により接合されている。
なお、一般的に絶縁基板１にはアルミナ基板が、外部電
極２にはパラジュームー銀系の導電材が、厚膜抵抗体３
には酸化ルテニュウム系の抵抗材が、また保護膜４には
低融点ガラス等がそれぞれ用いられている。さらに、配
線基板５は、一般的な方法で製作される樹脂基板であ
り、通常基材としてガラスエポキシ、紙フェノール等の
複合材が、導電材としては銅箔が用いられ、トリミング
用チップ抵抗器の外部電極２に対応する位置に半田付け
用ランド６が形成されている。トリミング用チップ抵抗
器は、リフロー、半田ディップ、半田ごて等の一般的な
半田付け方法で配線基板５上に他の個別部品と同時に半
田７により接続されている。
ミング用チップ抵抗器を搭載した高密度回路モジュール
と、この高密度回路モジュール上のトリミング用チップ
抵抗器の切断方法については、既に本願出願人が特開平
２−７３２３９号公報において提案した。これを図２を
用いて説明する。図２において（ａ）は上面図、（ｂ）
は側面図であり、絶縁基板１上に形成された厚膜抵抗体
３とその厚膜抵抗体３にそれぞれ接続された外部電極２
を有し、厚膜抵抗体３を保護する保護膜４が設けられた
トリミング用チップ抵抗器が、配線基板５上に形成され
た半田付け用ランド６に半田７により接合されている。
なお、一般的に絶縁基板１にはアルミナ基板が、外部電
極２にはパラジュームー銀系の導電材が、厚膜抵抗体３
には酸化ルテニュウム系の抵抗材が、また保護膜４には
低融点ガラス等がそれぞれ用いられている。さらに、配
線基板５は、一般的な方法で製作される樹脂基板であ
り、通常基材としてガラスエポキシ、紙フェノール等の
複合材が、導電材としては銅箔が用いられ、トリミング
用チップ抵抗器の外部電極２に対応する位置に半田付け
用ランド６が形成されている。トリミング用チップ抵抗
器は、リフロー、半田ディップ、半田ごて等の一般的な
半田付け方法で配線基板５上に他の個別部品と同時に半
田７により接続されている。
【０００３】抵抗値を調整するためのトリミングは、抵
抗器端子に接続された外部電極２ａおよび２ｂ側の端か
ら、レーザー、サンドブラスト、カッター等の一般的な
方法によって、厚膜抵抗体３に切断溝８を入れていき、
その切断長さによって抵抗器端子用電極２ａおよび２ｂ
間の抵抗値を調整する。
抗器端子に接続された外部電極２ａおよび２ｂ側の端か
ら、レーザー、サンドブラスト、カッター等の一般的な
方法によって、厚膜抵抗体３に切断溝８を入れていき、
その切断長さによって抵抗器端子用電極２ａおよび２ｂ
間の抵抗値を調整する。
【０００４】このように、上記従来の高密度モジュール
においても、樹脂基板上のトリミング用チップ抵抗器を
トリミング切断することができる。
においても、樹脂基板上のトリミング用チップ抵抗器を
トリミング切断することができる。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記従
来の高密度回路モジュールにおいては、図２に示すよう
に、トリミング切断の切断開始点はトリミング用チップ
抵抗器の絶縁基板１上となり、通常狭いため配線基板５
の配線パターン精度、切断装置の位置決め精度、トリミ
ング用チップ抵抗器の寸法精度等のばらつきにより、切
断開始点位置が不安定となる。その結果、図３に示すよ
うに、抵抗体３の切断残りが発生したときは、抵抗値の
変化率が下がるため、所定の値に調整できず、また抵抗
体の残り部に電流集中が発生し、抵抗値不安定、信頼性
の劣化の原因となる。一方、図４に示すように、切断開
始点が絶縁基板１から外れ、配線基板５を破損したとき
は、近傍の配線銅箔パターン（図示しない）にダメージ
を与え、回路モジュールの信頼性劣化の原因となる。さ
らに、配線基板が樹脂基板の場合、基材はレーザー等に
より切断されやすいので、内層銅箔パターンや裏面銅箔
パターン（図示しない）をも破損し、回路モジュールの
信頼性劣化の原因となる。
来の高密度回路モジュールにおいては、図２に示すよう
に、トリミング切断の切断開始点はトリミング用チップ
抵抗器の絶縁基板１上となり、通常狭いため配線基板５
の配線パターン精度、切断装置の位置決め精度、トリミ
ング用チップ抵抗器の寸法精度等のばらつきにより、切
断開始点位置が不安定となる。その結果、図３に示すよ
うに、抵抗体３の切断残りが発生したときは、抵抗値の
変化率が下がるため、所定の値に調整できず、また抵抗
体の残り部に電流集中が発生し、抵抗値不安定、信頼性
の劣化の原因となる。一方、図４に示すように、切断開
始点が絶縁基板１から外れ、配線基板５を破損したとき
は、近傍の配線銅箔パターン（図示しない）にダメージ
を与え、回路モジュールの信頼性劣化の原因となる。さ
らに、配線基板が樹脂基板の場合、基材はレーザー等に
より切断されやすいので、内層銅箔パターンや裏面銅箔
パターン（図示しない）をも破損し、回路モジュールの
信頼性劣化の原因となる。
【０００６】このような問題は、切断開始点付近をすべ
て配線禁止領域とすることにより解決することができる
が、その反面、配線容量が減少し、基板サイズを拡大す
ることとなり、コストアップの原因となる。さらに、切
断装置側で正確な位置出しをするためには画像認識装置
等の高額な設備を必要とし、加工費増加の原因となると
いう様々な問題があった。
て配線禁止領域とすることにより解決することができる
が、その反面、配線容量が減少し、基板サイズを拡大す
ることとなり、コストアップの原因となる。さらに、切
断装置側で正確な位置出しをするためには画像認識装置
等の高額な設備を必要とし、加工費増加の原因となると
いう様々な問題があった。
【０００７】本発明は、このような従来の諸問題を解決
した優れた回路モジュールを提供することを目的とする
ものである。
した優れた回路モジュールを提供することを目的とする
ものである。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明は、上記目的を達
成するために、回路モジュール内に設置されたトリミン
グ用チップ抵抗器の切断開始点の近傍の配線基板上に他
の配線から独立した銅箔パターンを設けるようにしたも
のである。
成するために、回路モジュール内に設置されたトリミン
グ用チップ抵抗器の切断開始点の近傍の配線基板上に他
の配線から独立した銅箔パターンを設けるようにしたも
のである。
【０００９】
【作用】本発明は、上記のような構成により次のような
作用を有する。すなわち、銅箔は樹脂基材に比較してレ
ーザー等により切断されにくいので、独立した銅箔パタ
ーンにより裏面配線あるいは内層配線がレーザー等から
保護される。また、切断開始点付近に設置された銅箔
は、独立銅箔パターンとして他の配線からは独立してい
るので、レーザー等により破損しても回路モジュールの
性能、信頼性に影響を与えることがなく、切断開始点の
領域を拡大することができる。さらに独立銅箔パターン
はトリミング用チップ抵抗器が搭載されている表面のみ
に設置するので、裏面あるいは内層の配線容量を減少さ
せることがない。
作用を有する。すなわち、銅箔は樹脂基材に比較してレ
ーザー等により切断されにくいので、独立した銅箔パタ
ーンにより裏面配線あるいは内層配線がレーザー等から
保護される。また、切断開始点付近に設置された銅箔
は、独立銅箔パターンとして他の配線からは独立してい
るので、レーザー等により破損しても回路モジュールの
性能、信頼性に影響を与えることがなく、切断開始点の
領域を拡大することができる。さらに独立銅箔パターン
はトリミング用チップ抵抗器が搭載されている表面のみ
に設置するので、裏面あるいは内層の配線容量を減少さ
せることがない。
【００１０】
【実施例】図１は本発明の一実施例の構成を示すもので
ある。本実施例は、図２に示す従来例に対し独立銅箔パ
ターンを付加した構成を備えているので、図２に示した
要素と同じ要素には同じ符号が付してある。図１におい
て、（ａ）は上面図、（ｂ）は側面図であり、絶縁基板
１上に形成された厚膜抵抗体３とその厚膜抵抗体３にそ
れぞれ接続された外部電極２を有し、厚膜抵抗体３を保
護する保護膜４が設けられたトリミング用チップ抵抗器
が、配線基板５上に形成された半田付け用ランド６に半
田７により接合されている。絶縁基板１にはアルミナ基
板が、外部電極２にはパラジュームー銀系の導電材が、
厚膜抵抗体３には酸化ルテニュウム系の抵抗材が、また
保護膜４には低融点ガラス等がそれぞれ用いられてい
る。さらに、配線基板５は、一般的な方法で製作された
樹脂基板であり、通常基材としてガラスエポキシ、紙フ
ェノール等の複合材が、導電材としては銅箔が用いら
れ、トリミング用チップ抵抗器の外部電極２に対応する
位置に半田付け用ランド６が形成され、さらにトリミン
グ用チップ抵抗器の切断開始店の近傍に独立銅箔パター
ン９が形成されている。１０は裏面配線である。トリミ
ング用チップ抵抗器は、リフロー、半田ディップ、半田
ごて等の一般的な半田付け方法で配線基板５上に他の個
別部品と同時に半田７により接続されている。
ある。本実施例は、図２に示す従来例に対し独立銅箔パ
ターンを付加した構成を備えているので、図２に示した
要素と同じ要素には同じ符号が付してある。図１におい
て、（ａ）は上面図、（ｂ）は側面図であり、絶縁基板
１上に形成された厚膜抵抗体３とその厚膜抵抗体３にそ
れぞれ接続された外部電極２を有し、厚膜抵抗体３を保
護する保護膜４が設けられたトリミング用チップ抵抗器
が、配線基板５上に形成された半田付け用ランド６に半
田７により接合されている。絶縁基板１にはアルミナ基
板が、外部電極２にはパラジュームー銀系の導電材が、
厚膜抵抗体３には酸化ルテニュウム系の抵抗材が、また
保護膜４には低融点ガラス等がそれぞれ用いられてい
る。さらに、配線基板５は、一般的な方法で製作された
樹脂基板であり、通常基材としてガラスエポキシ、紙フ
ェノール等の複合材が、導電材としては銅箔が用いら
れ、トリミング用チップ抵抗器の外部電極２に対応する
位置に半田付け用ランド６が形成され、さらにトリミン
グ用チップ抵抗器の切断開始店の近傍に独立銅箔パター
ン９が形成されている。１０は裏面配線である。トリミ
ング用チップ抵抗器は、リフロー、半田ディップ、半田
ごて等の一般的な半田付け方法で配線基板５上に他の個
別部品と同時に半田７により接続されている。
【００１１】次に、上記実施例における動作について説
明する。抵抗値を調整するためのトリミングは、抵抗器
端子に接続された外部電極２ａおよび２ｂ側の端から、
レーザー、サンドブラスト、カッター等の一般的な方法
によって、厚膜抵抗体３に切断溝８を入れていき、その
切断長さによって抵抗器端子用電極２ａおよび２ｂ間の
抵抗値を調整する。この時、本実施例では、トリミング
用チップ抵抗器の切断開始点の近傍の配線基板５上に独
立銅箔パターン９を設けてあり、銅箔は、樹脂基材に比
較してレーザー等により切断されにくいので、独立銅箔
パターン９により裏面配線１０あるいは内層配線（図示
しない）がレーザー等から保護される。さらに、切断開
始点付近に設置された銅箔は、独立銅箔パターン９とし
て他の配線からは独立しているので、レーザー等により
破損しても回路モジュールの性能、信頼性に影響を与え
ることがなく、切断開始点の領域を大幅に拡大すること
ができる。そのため、配線基板５の配線パターン精度、
切断装置の位置決め精度、トリミング用チップ抵抗器の
寸法精度等のばらつきにより、切断開始点位置が不安定
となっても抵抗体３の切り残し発生を防止することがで
きる。さらに、切断装置側で正確な位置出しをする必要
もなくなるので、そのための高額な設備も不要となり、
加工費が安価となる。さらにまた、独立銅箔パターン９
は、トリミング用チップ抵抗器が搭載されている表面の
みに設置するので裏面あるいは内層の配線容量を減少さ
せることがない。
明する。抵抗値を調整するためのトリミングは、抵抗器
端子に接続された外部電極２ａおよび２ｂ側の端から、
レーザー、サンドブラスト、カッター等の一般的な方法
によって、厚膜抵抗体３に切断溝８を入れていき、その
切断長さによって抵抗器端子用電極２ａおよび２ｂ間の
抵抗値を調整する。この時、本実施例では、トリミング
用チップ抵抗器の切断開始点の近傍の配線基板５上に独
立銅箔パターン９を設けてあり、銅箔は、樹脂基材に比
較してレーザー等により切断されにくいので、独立銅箔
パターン９により裏面配線１０あるいは内層配線（図示
しない）がレーザー等から保護される。さらに、切断開
始点付近に設置された銅箔は、独立銅箔パターン９とし
て他の配線からは独立しているので、レーザー等により
破損しても回路モジュールの性能、信頼性に影響を与え
ることがなく、切断開始点の領域を大幅に拡大すること
ができる。そのため、配線基板５の配線パターン精度、
切断装置の位置決め精度、トリミング用チップ抵抗器の
寸法精度等のばらつきにより、切断開始点位置が不安定
となっても抵抗体３の切り残し発生を防止することがで
きる。さらに、切断装置側で正確な位置出しをする必要
もなくなるので、そのための高額な設備も不要となり、
加工費が安価となる。さらにまた、独立銅箔パターン９
は、トリミング用チップ抵抗器が搭載されている表面の
みに設置するので裏面あるいは内層の配線容量を減少さ
せることがない。
【００１２】なお、上記実施例では、外部電極端子を４
個有するトリミング用チップ抵抗器を使用しているが、
外部電極端子を２個有する一般的なトリミング用抵抗器
でも同様の効果を有する。
個有するトリミング用チップ抵抗器を使用しているが、
外部電極端子を２個有する一般的なトリミング用抵抗器
でも同様の効果を有する。
【００１３】
【発明の効果】本発明は、上記実施例から明らかなよう
に、樹脂基材の表面および裏面に銅箔により配線を形成
した両面配線基板、あるいは樹脂基材の表面および裏面
に銅箔により配線を形成し、樹脂基材の内層に銅箔によ
り内層配線を形成した多層配線基板に、個別部品を半田
接続した回路モジュールにおいて、回路モジュール内に
トリミング用チップ抵抗器を有し、トリミング用チップ
抵抗器の切断開始点の近傍の配線基板上に他の配線から
独立した銅箔パターンを設けたものであり、以下に示す
効果を有する。
に、樹脂基材の表面および裏面に銅箔により配線を形成
した両面配線基板、あるいは樹脂基材の表面および裏面
に銅箔により配線を形成し、樹脂基材の内層に銅箔によ
り内層配線を形成した多層配線基板に、個別部品を半田
接続した回路モジュールにおいて、回路モジュール内に
トリミング用チップ抵抗器を有し、トリミング用チップ
抵抗器の切断開始点の近傍の配線基板上に他の配線から
独立した銅箔パターンを設けたものであり、以下に示す
効果を有する。
【００１４】独立銅箔パターンにより裏面配線あるいは
内層配線がレーザー等から保護され、また独立銅箔パタ
ーンはレーザー等により破損しても回路モジュールの性
能、信頼性に影響を与えないので切断開始点の領域を大
幅に拡大することができる。また、独立銅箔パターン
は、トリミング用チップ抵抗器が搭載されている表面の
みに設置するので裏面あるいは内層の配線容量を減少さ
せることがない。
内層配線がレーザー等から保護され、また独立銅箔パタ
ーンはレーザー等により破損しても回路モジュールの性
能、信頼性に影響を与えないので切断開始点の領域を大
幅に拡大することができる。また、独立銅箔パターン
は、トリミング用チップ抵抗器が搭載されている表面の
みに設置するので裏面あるいは内層の配線容量を減少さ
せることがない。
【図１】本発明の一実施例を示す樹脂基板上にトリミン
グ用チップ抵抗器を搭載した回路モジュールの部分平面
図
グ用チップ抵抗器を搭載した回路モジュールの部分平面
図
【図２】従来例を示す樹脂基板上にトリミング用チップ
抵抗器を搭載した回路モジュールの部分平面図
抵抗器を搭載した回路モジュールの部分平面図
【図３】従来例を示す抵抗体の切り残しが発生した状態
の回路モジュールの部分平面図
の回路モジュールの部分平面図
【図４】従来例を示す配線基板の破損が発生した状態の
回路モジュールの部分平面図
回路モジュールの部分平面図
１ 絶縁基板 ２ 外部電極 ３ 厚膜抵抗体 ４ 保護膜 ５ 配線基板 ６ 半田付け用ランド ７ 半田 ８ 切断溝 ９ 独立銅箔パターン １０ 裏面配線
Claims (2)
- 【請求項１】 樹脂基材の表面および裏面に銅箔により
配線を形成して両面配線基板に個別部品を半田接続した
回路モジュールにおいて、前記回路モジュール内にトリ
ミング用チップ抵抗器を有し、前記トリミング用チップ
抵抗器の切断開始点の近傍の配線基板上に他の配線から
独立した銅箔パターンを設けた回路モジュール。 - 【請求項２】 樹脂基材の表面および裏面に銅箔により
配線を形成し、樹脂基材の内層に銅箔により内層配線を
形成した多層配線基板を使用することを特徴とする請求
項１記載の回路モジュール。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5303848A JPH07162123A (ja) | 1993-12-03 | 1993-12-03 | 回路モジュール |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5303848A JPH07162123A (ja) | 1993-12-03 | 1993-12-03 | 回路モジュール |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07162123A true JPH07162123A (ja) | 1995-06-23 |
Family
ID=17926038
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5303848A Pending JPH07162123A (ja) | 1993-12-03 | 1993-12-03 | 回路モジュール |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07162123A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2012198098A (ja) * | 2011-03-22 | 2012-10-18 | Seiko Epson Corp | 慣性センサー |
-
1993
- 1993-12-03 JP JP5303848A patent/JPH07162123A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2012198098A (ja) * | 2011-03-22 | 2012-10-18 | Seiko Epson Corp | 慣性センサー |
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