JPH07162034A

JPH07162034A - 発光ダイオードおよびその製造方法

Info

Publication number: JPH07162034A
Application number: JP30823593A
Authority: JP
Inventors: Toshinori Sone; 豪紀曽根; Toshihiro Kato; 俊宏加藤; Takashi Saka; 貴坂; Masumi Hiroya; 真澄廣谷; Mitsuru Imaizumi; 充今泉; Yoshiyuki Mizuno; 義之水野
Original assignee: Daido Steel Co Ltd
Current assignee: Daido Steel Co Ltd
Priority date: 1993-12-08
Filing date: 1993-12-08
Publication date: 1995-06-23

Abstract

(57)【要約】【目的】高い発光効率が得られると共に、動作電圧が
低く、且つ製造が容易な発光ダイオードを提供する。【構成】ＬＥＤ（発光ダイオード）１０は、第２クラ
ッド層１８上に導電型が異なるブロック層２０が設けら
れて構成されている。ＬＥＤ１０は、中央部２６はブロ
ック層２０の厚さよりも大きい深さまで、他の部分はそ
の厚さよりも小さい深さまでＺｎが拡散されて、図の斜
線に示す範囲はブロック層２０の導電型が第２クラッド
層１８と同じ導電型に反転されている。これにより、中
央部２６のみが通電されて発光させられると共に、上部
電極２４が大きな接触面積をもって中央部２６を覆わな
い位置に配置され、コンタクト抵抗が小さく且つ発生し
た光が電極に遮蔽されない。このＬＥＤ１０は、ブロッ
ク層２０上の中央部２６を除く範囲に拡散バッファ膜を
形成した後に、Ｚｎ拡散処理を行うことによって得られ
る。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、発光ダイオードおよび
その製造方法に関し、特に、発光効率を高め、動作電圧
を低くすると共に、製造を容易とする技術に関する。

【０００２】

【従来の技術】基板上に第１クラッド層、活性層、第２
クラッド層、およびその第２クラッド層とは異なる導電
型のブロック層が順次積層され、その基板とブロック層
上の一部に固着された電極との間に動作電流が通電され
ることによって上記活性層内で発生した光を、そのブロ
ック層側から取り出す面発光型ダブルヘテロ構造の発光
ダイオードが知られている。このような構造の発光ダイ
オードでは、上記ブロック層の所定の微小面積を、その
表面から前記第２クラッド層に到達する深さまでＺｎ
（亜鉛）等の不純物を拡散させることによって導電型を
反転して電流狭窄構造を形成し、その微小面積のみに通
電して発光させることが可能であるため、点光源が必要
なコリメータや干渉計等の光源として好適に用いられ
る。

【０００３】

【発明が解決すべき課題】ところが、上記構造の発光ダ
イオードにおいては、上述のようにブロック層の導電型
が第２クラッド層とは異なるものとされているため、通
電させるための電極は、上記の不純物が拡散されて導電
型が反転され、第２クラッド層と同じ導電型にされた微
小面積の少なくとも一部を覆って設ける必要がある。こ
のため、活性層内で発生した光の一部が上記電極によっ
て遮蔽されて取り出し不能となり、高い発光効率が得ら
れなかったのである。なお、電極と微小面積との接触面
積を小さくすれば比較的高い発光効率が得られることと
なるが、その場合には電極と微小面積とのコンタクト抵
抗（接触抵抗）が大きくなって動作電圧、すなわち発光
ダイオードの順方向電圧が高くなるという問題が生じ
る。

【０００４】そこで、上記不具合を解消するため、ブロ
ック層の上記微小面積（すなわち必要な発光面積）より
もやや小さい面積をエッチング処理して除去し、その
後、ブロック層側の表面全面から、その厚さよりも小さ
い範囲で前記不純物を拡散させることが提案されてい
る。このようにすれば、基板と第２クラッド層との間に
おいては上記微小面積のみが通電可能になると共に、ブ
ロック層の表面においてはその全面が通電可能となるた
め、高い発光効率が得られると共に、微小面積から離れ
た位置に電極を設けても十分な接触面積が得られ、動作
電圧を低減することが可能である。しかしながら、ブロ
ック層および第２クラッド層は一般に数μｍの厚さに構
成されるものであり、上記エッチング処理は、通常ウェ
ットエッチングが行われてその深さのばらつきを数μｍ
以下に制御することが困難であるため、この構造の発光
ダイオードの製造は困難であった。

【０００５】本発明は、以上の事情を背景として為され
たものであって、その目的は、高い発光効率が得られる
と共に、動作電圧が低く、且つ製造が容易な発光ダイオ
ードを提供することにある。

【０００６】

【課題を解決するための第１の手段】斯かる目的を達成
するために、本発明の発光ダイオードの要旨とするとこ
ろは、基板上に第１クラッド層、活性層、第２クラッド
層、およびその第２クラッド層とは異なる導電型のブロ
ック層が順次積層され、その基板とブロック層上の一部
に固着された電極との間に動作電流が通電されることに
よって上記活性層内で発生した光を、そのブロック層側
から取り出す面発光型ダブルヘテロ構造の発光ダイオー
ドであって、前記ブロック層のうち、そのブロック層の
前記電極が固着されていない領域の少なくとも一部は表
面から前記第２クラッド層に到達する深さまで導電型が
反転され、前記電極が固着された領域は表面からそのブ
ロック層の厚さよりも小さい深さまで導電型が反転され
て、それぞれ前記第２クラッド層と同じ導電型にされて
いることにある。

【０００７】

【作用および第１発明の効果】このようにすれば、前記
ブロック層のうち、電極が固着されていない領域の少な
くとも一部は、前記第２クラッド層に到達する深さまで
その導電型が反転されて、その第２クラッド層と同じ導
電型にされているため、上記一部の表面と基板との間の
動作電流の通電が可能になる。一方、他の部分は第２ク
ラッド層上に導電型の異なる層が存在するため、その導
電型の異なる層によって動作電流の通電が妨げられる。
このため、基板と第２クラッド層との間においては上記
一部のみが動作電流を通電されて発光させられ、電極に
光の取り出しが妨げられる範囲は発光させられない。し
かも、前記電極が固着された領域は、ブロック層の厚さ
よりも小さい深さまで導電型が反転されて第２クラッド
層と同じ導電型、すなわち上記一部と同じ導電型にされ
ているため、その電極のブロック層側の全面が通電のた
めの接触面として働いて接触抵抗が低くなり、上記電極
が固着された領域と上記一部とをブロック層のうち導電
型が反転された部分で連続させることにより、前記基板
と上記電極との間は上記一部を介して通電される。した
がって、活性層で発生した光が電極に妨げられることな
く全て取り出されて高い発光効率が得られると共に、動
作電圧が低い発光ダイオードが得られる。

【０００８】

【課題を解決するための第２の手段】また、前記目的を
達成するための、本発明の発光ダイオードの製造方法の
要旨とするところは、基板上に第１クラッド層、活性
層、第２クラッド層、およびその第２クラッド層とは異
なる導電型のブロック層が順次積層され、その基板とブ
ロック層上の一部に固着された電極との間に動作電流が
通電されることによってその活性層内で発生した光を、
そのブロック層側から取り出す面発光型ダブルヘテロ構
造の発光ダイオードの製造方法であって、(a) 前記ブロ
ック層のうち、前記電極が固着される領域はその電極が
固着されない領域よりも、不純物の前記積層方向の拡散
速度を遅くする制御膜を形成する膜形成工程と、(b) 前
記ブロック層上の制御膜を通して不純物を拡散させるこ
とにより、そのブロック層のうち、そのブロック層の前
記電極が固着されない領域の少なくとも一部は表面から
前記第２クラッド層に到達する深さまで導電型を反転さ
せ、前記電極が固着される領域は表面からそのブロック
層の厚さよりも小さい深さまで導電型を反転させる熱拡
散工程と、(c) 前記制御膜を除去する除去工程とを含む
ことにある。

【０００９】

【作用および第２発明の効果】このようにすれば、膜形
成工程において、電極が固着される領域の不純物の拡散
速度を遅くする制御膜が形成され、熱拡散工程におい
て、その制御膜を通して不純物が拡散されるため、その
熱拡散条件を適宜設定することによって、ブロック層の
前記電極が固着されない領域の少なくとも一部は表面か
ら前記第２クラッド層に到達する深さまで導電型が反転
され、前記電極が固着される領域は表面からそのブロッ
ク層の厚さよりも小さい深さまで導電型が反転されて、
それぞれ前記第２クラッド層と同じ導電型にされる。し
たがって、除去工程によって、上記制御膜を薬品処理な
どで除去し、その後、基板およびブロック層上に電極を
固着することにより、上記第１発明のようにブロック層
の導電型が選択的に反転された構造を有し、高い発光効
率が得られると共に動作電圧が低い発光ダイオードが容
易に得られる。

【００１０】

【実施例】図１は、本発明の一実施例である点発光用Ｌ
ＥＤ（発光ダイオード）１０の構成を示す図である。こ
のＬＥＤ１０は、基板１２上に、例えば有機金属化学気
相成長（ＭＯＣＶＤ：Metal Organic Chemical Vapor D
eposition ）法や分子線エピタキシー（ＭＢＥ：Molecu
lar Beam Epitaxy）法、気相エピタキシー（ＶＰＥ：Va
por Phase Epitaxy ）法、或いは液相エピタキシー（Ｌ
ＰＥ：Liquid PhaseEpitaxy）法等によって、第１クラ
ッド層１４、活性層１６、第２クラッド層１８、および
ブロック層２０が順次結晶成長させられた後、基板１２
の下面およびブロック層２０の上面に、下部電極２２お
よび上部電極２４がそれぞれ蒸着されて構成されてい
る。

【００１１】上記基板１２は例えば３５０μｍ程度の厚
さのｎ−ＧａＡｓ単結晶から成る化合物半導体、第１ク
ラッド層１４は例えば４μｍ程度の厚さを備えた、ｎ−
Ａｌ _0.4Ｇａ_0.6Ａｓ単結晶から成る化合物半導体、活
性層１６は例えば１μｍ程度の厚さのｐ−ＧａＡｓ単結
晶から成る化合物半導体、第２クラッド層１８は例えば
４μｍ程度の厚さのｐ−Ａｌ_0.4Ｇａ_0.6Ａｓ単結晶か
ら成る化合物半導体、ブロック層２０は例えば２μｍ程
度の厚さのｎ−Ａｌ_0.1Ｇａ_0.9Ａｓ単結晶から成る化
合物半導体である。また、下部電極２２および上部電極
２４は何れもオーミック電極であり、下部電極２２は、
基板１２側から順にＡｕ−Ｇｅ合金、ＮｉおよびＡｕが
積層形成され、上部電極２４はブロック層２０側にＡｕ
−Ｚｎ合金が、その上にＡｕが積層形成されている。

【００１２】ＬＥＤ１０には、図において斜線で示され
る領域、すなわち、その中央部２６は表面から上記ブロ
ック層２０の厚さよりも大きく第２クラッド層１８に到
達する深さまで、その中央部２６の周囲の他の領域は表
面から上記ブロック層２０の厚さよりも小さい深さま
で、ｐ型のドーパントである不純物、例えばＺｎが拡散
させられている。これにより、図の斜線の範囲ではブロ
ック層２０の導電型が反転されて、ｐ型半導体すなわち
第２クラッド層１８と同じ導電型にされている。なお、
上記中央部２６は例えば直径１００μｍ程度の微小な円
形領域であるが、図１においては比較的大きく示されて
いる。また、基板１２、および各層１４，１６，１８，
２０および電極２２，２４等の大きさは、必ずしも正確
な比率で示されていない。

【００１３】上記ＬＥＤ１０は、例えば図２の（ａ）〜
（ｄ）の工程に従って製造される。（ａ）の工程におい
て、基板１２上に第１クラッド層１４乃至ブロック層２
０を結晶成長させて、半導体ウェハ２８を作製し、
（ｂ）の工程において、化学気相成長（ＣＶＤ：Chemic
al Vapor Deposition ）法やスパッタ法、或いはスピン
コート法等によって、例えば１５０ｎｍ（１５００Å）
程度の厚さのＳｉＯ₂薄膜から成る拡散バッファ膜３０
をブロック層２０上の全面に形成した後、ホトリソグラ
フィによって、その中央部３１（図２（ｂ）において斜
線で示す部分）を直径１００μｍ程度の円形に除去す
る。次いで、（ｃ）の工程において、拡散バッファ膜３
０上から、熱拡散によってＺｎの拡散処理を行う。この
拡散処理は、例えばＺｎＡｓ₂と共に半導体ウェハ２８
を石英アンプル内に真空封入して６５０℃程度の温度で
加熱（封管法）したり、Ｚｎを混合したＳＯＧ（スピン
オングラス）膜を半導体ウェハ２８の上面に塗布して加
熱する等、良く知られた種々の拡散手法が用いられ、拡
散深さは、図２（ｃ）に斜線で示すように、中央部３１
の直下においては第２クラッド層１８に到達する深さ、
例えば３μｍ程度に、その外側においてはブロック層２
０の厚さよりも小さい深さ、例えば１μｍ程度である。
この後、（ｄ）の工程において、ＢＨＦ（バッファード
・フッ酸）等の薬品処理によって上記拡散バッファ膜３
０のみを選択的に除去して、更に、図示しない工程にお
いて下部電極２２および上部電極２４を設けることによ
って、図１に示されるＬＥＤ１０が製造される。なお、
本実施例においては、上記拡散バッファ膜３０が制御膜
に相当する。

【００１４】ここで、本実施例においては、第２クラッ
ド層１８がｐ型半導体、ブロック層２０がｎ型半導体か
ら構成されているが、ブロック層２０の図１の斜線で示
す範囲はＺｎが拡散させられることによってその導電型
が反転されて、ｐ型半導体となっている。そのため、中
央部２６以外の領域では、第２クラッド層１８とブロッ
ク層２０の表面との間の導電型が順にｐ型−ｎ型−ｐ型
となって、下部電極２２と上部電極２４との間に動作電
圧を印加した際にも通電されない。一方、上部電極２４
が固着されていない中央部２６の範囲では、ブロック層
２０がその深さ方向全域に亘ってｐ型半導体に反転され
て第２クラッド層１８と同じ導電型になり、基板１２と
ブロック層２０の表面との間の導電型が順にｎ型−ｎ型
−ｐ型−ｐ型−ｐ型となっているため、通電が可能であ
る。すなわち、ＬＥＤ１０においては、上部電極２４が
固着されていない直径１００μｍ程度と微小な中央部２
６の範囲のみが通電可能となっている。したがって、Ｌ
ＥＤ１０に動作電圧が印加されたとき、活性層１６の微
小な中央部２６の直下のみから光が発生して微小な光が
得られ、上部電極２４に遮蔽される部分からは光が発生
しない。しかも、上部電極２４が固着されている領域
は、ブロック層２０の厚さよりも小さい深さまではｐ型
半導体に反転されているため、上部電極２４のブロック
層２０側の全面が通電のための接触面として働いて接触
抵抗が低くなり、その上部電極２４が固着されている領
域と中央部２６との間の領域も導電型が反転されている
ため、上部電極２４と下部電極２２との間は、中央部２
６を介して通電される。したがって、活性層１６で発生
した光が上部電極２４に妨げられることなく全て取り出
されて、高い発光効率が得られると共に、動作電圧が低
くなるのである。

【００１５】また、上述の製造方法によれば、Ｚｎを拡
散させてブロック層２０の導電型を反転する際に、ブロ
ック層２０の表面に拡散バッファ膜３０が形成されてい
るため、拡散速度が中央部２６（すなわち図２（ｂ）の
工程において除去された中央部３１の部分）においては
通常の速度であるが、その外側においては比較的遅い速
度に制御される。すなわち、例えば上述の工程において
封管法で６５０℃で熱処理を行う場合に、図３に示され
るように、拡散バッファ膜３０が設けられている部分と
設けられていない部分とでは、所定時間経過後の拡散深
さに大きな差が生じる。したがって、本実施例のよう
に、拡散深さを中央部２６は例えば３μｍ程度に、その
外側は例えば１μｍ程度にする場合にも、拡散処理時間
を例えば８．４時間程度に設定することで容易に制御で
きて、高い発光効率が得られると共に動作電圧が低いＬ
ＥＤ１０が容易に得られる。

【００１６】ところで、図４に示すような従来のＬＥＤ
３２においては、発光させる中央部２６のみのブロック
層２０の導電型が反転されて、第２クラッド層１８と同
一にされていたため、その中央部２６の外側には通電さ
れず、上部電極３４はその中央部２６の一部を覆うよう
に設ける必要があった。したがって、上部電極３４と通
電部すなわち中央部２６との接触面積３６を大きく確保
すれば、活性層１６の中央部２６の直下で発生した光
は、その接触面積３６に一部が遮られて開口部３８の部
分からのみ光が取り出されるため、高い発光効率が得ら
れず、反対に高い発光効率を得るために開口部３８を大
きく確保すると、接触面積３６が小さくなって上部電極
３４のコンタクト抵抗が大きくなり、動作電圧が高くな
ってしまったのである。

【００１７】なお、上記不具合を解消するために、図５
に示すように、ブロック層２０の中央部２６（すなわち
発光部の面積）よりもやや小さい面積４０をエッチング
処理して除去し、その後、ブロック層２０側の表面全面
から、その厚さよりも小さい範囲でＺｎ等を拡散させて
ＬＥＤ４２のような構造とすることが提案されている。
このような構造にすれば、本実施例のＬＥＤ１０と同様
に、高い発光効率を得ると共に低い電圧で動作させるこ
とが可能であるが、上記エッチング処理は、その深さの
ばらつきを数μｍ以下に制御する（すなわち、除去され
る厚さをブロック層２０の厚さ程度にする）ことが困難
であるため、このような構造のＬＥＤ４２は製造が困難
であったのである。

【００１８】また、本実施例によれば、中央部２６すな
わち発光部の大きさは、拡散バッファ膜３０の中央の一
部を除去する際にその大きさを任意に設定することによ
って、ホトリソグラフィの精度の範囲内（数μｍ〜１０
００μｍ程度）で比較的自由に設定可能である。したが
って、用途に応じた種々の大きさの光源を容易に得るこ
とができる。

【００１９】なお、図２の工程においては、拡散バッフ
ァ膜３０の中央の一部を除去した後、直ちにＺｎの拡散
処理を行ったが、図６に示すように、拡散バッファ膜３
０の上に更に同様な材料から成る第２拡散バッファ膜４
４を形成し、その後、図２（ｃ）の工程のＺｎの拡散処
理を行っても良い。このようにすれば、全体の拡散速度
を一層遅くできるため、制御が一層容易になると共に、
拡散処理時のブロック層２０の表面の荒れを緩和するこ
とが可能である。

【００２０】図７は、本発明の他の実施例であるＬＥＤ
４６の構成を示す図である。このＬＥＤ４６において
は、基板１２と第１クラッド層１４との間に光反射層４
８が備えられている。この光反射層４８は、例えば、本
願出願人が先に出願した特開平３−１６３８８２号公報
に開示されているような、光波干渉によって光を反射し
且つ波長選択特性が相互に異なる３種類の反射層から構
成されたもの等が用いられ得る。このＬＥＤ４６におい
ては、その内部での屈折や散乱によって取り出されなか
った光が、光反射層４８によって反射されて取り出さ
れ、一層高い発光効率が得られる。

【００２１】以上、本発明の一実施例を図面を参照して
詳細に説明したが、本発明は更に別の態様でも実施され
る。

【００２２】例えば、前述の実施例においては、ＧａＡ
ｓ／ＡｌＧａＡｓダブルヘテロ構造の面発光型ＬＥＤ１
０について説明したが、そのＡｌとＧａとの組成比は適
宜設定されると共に、ＧａＰ，ＩｎＰ，ＩｎＧａＡｓＰ
等から成るダブルヘテロ構造のＬＥＤや、単なるｐｎ接
合から成るＬＥＤにも本発明は同様に適用され得る。ま
た、基板１２には、例えばＡｌＧａＡｓ等の他の半導体
が用いられても良い。

【００２３】また、拡散バッファ膜３０として、Ｓｉ₃
Ｎ₄，ＳｉＯＮやＡｌ₂Ｏ₃等を用いることも可能であ
る。但し、これらは比較的Ｚｎを通しにくい材料である
ため、その膜厚は１００ｎｍ（１０００Å）以下に留め
る必要があり、また、膜形成方法としては、ＣＶＤ法や
スパッタ法が好適である。これらの拡散バッファ膜３０
を用いた場合にも、拡散速度は異なるが、図３に示した
ＳｉＯ₂の場合と同様な拡散速度の制御効果が得られ、
本発明の効果が十分に得られる。なお、拡散速度は、拡
散バッファ膜３０の材料や厚さ、ブロック層２０の組成
や混晶比によって異なるため、拡散処理時間はそれらの
条件に応じて適宜定められるものである。

【００２４】また、前述の実施例においては、ブロック
層２０の導電型を反転するために不純物としてＺｎを拡
散させたが、拡散させる不純物の種類は、ＬＥＤ１０を
構成する半導体の種類等を考慮して適宜定められる。

【００２５】また、前述の実施例においては、基板１２
側にｎ型半導体が、第２クラッド層１８側にｐ型半導体
が用いられ、上部電極２４から下部電極２２に向かって
動作電流が流れるようにされていたが、ｐ型，ｎ型を反
対にして動作電流の流れる方向を反対にしても良い。な
お、この場合は、第２クラッド層１８がｎ型に、ブロッ
ク層２０がｐ型になるため、ブロック層２０に拡散させ
る不純物はｎ型のドーパントが用いられる。

【００２６】また、前述の実施例においては、ブロック
層２０の中央部２６の導電型を反転して、その範囲に通
電して発光させるようにしたが、その発光部の位置は適
宜設定されるものである。例えば、半導体ウェハ２８の
中央部３１の部分のみに拡散バッファ膜３０を残し、そ
の周囲を除去して拡散処理を行えば、中央部においてブ
ロック層２０の厚さよりも小さい深さまで導電型が反転
され、その周囲において第２クラッド層１８に到達する
深さまで導電型が反転された構造とすることができる。
この場合には、上記拡散バッファ膜３０が残された部分
に上部電極２４を固着することによって、上部電極２４
に遮蔽されることなく、周辺部から光を取り出すことが
できるＬＥＤが得られる。

【００２７】また、上部電極２４の配置や大きさは、図
１等に示した位置に限られず、中央部２６を覆わない範
囲で自由に設定され得るものであり、発光部の位置が変
更された場合には、それに応じて適宜変更され、中央部
２６以外の領域の一部だけではなく、その全面に固着さ
れていても良い。また、上部電極２４の一部が中央部２
６に僅かにかかっていても、本発明の効果は十分に得ら
れる。何れにしても、上部電極２４が光が発生する領域
を遮蔽することなく、大きな接触面積をもってブロック
層２０上に固着されていれば、本発明の効果が得られる
のである。したがって、上部電極２４の大きさが十分に
大きく、その全面が接触していなくも十分にコンタクト
抵抗が小さい場合には、必ずしも上部電極２４の固着さ
れている領域全面の導電型が反転されていなくとも良
い。

【００２８】また、上部電極２４が固着される領域と発
光させられる領域を除く、他の領域は、必ずしもその全
体に不純物が拡散されて導電型が反転される必要はな
く、上部電極２４と発光させられる領域との間の導電型
が反転させられていれば十分である。例えば、前述の実
施例において、上部電極２４の外周側に位置する領域は
導電型が反転されてなくとも良い。

【００２９】その他、一々例示はしないが、本発明はそ
の主旨を逸脱しない範囲で種々変更を加え得るものであ
る。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の一実施例である発光ダイオードの構成
を示す図であり、図２の製造方法によって得られたもの
である。

【図２】本発明の一実施例である発光ダイオードの製造
方法を示す図である。

【図３】図２の工程における拡散速度の制御原理を示す
図である。

【図４】従来の発光ダイオードの構成を示す図である。

【図５】従来の発光ダイオードの他の例を示す図であ
る。

【図６】本発明の製造方法の他の例を説明する図であ
る。

【図７】本発明の発光ダイオードの他の例を示す図であ
る。

【符号の説明】

１０：ＬＥＤ（発光ダイオード）１２：基板１４：第１クラッド層１６：活性層１８：第２クラッド層２０：ブロック層２４：上部電極２６：中央部３０：拡散バッファ膜（制御膜）

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者今泉充愛知県一宮市中町二丁目９番38の302号 (72)発明者水野義之愛知県名古屋市名東区高社二丁目194番地

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】基板上に第１クラッド層、活性層、第２
クラッド層、および該第２クラッド層とは異なる導電型
のブロック層が順次積層され、該基板と該ブロック層上
の一部に固着された電極との間に動作電流が通電される
ことによって該活性層内で発生した光を、該ブロック層
側から取り出す面発光型ダブルヘテロ構造の発光ダイオ
ードであって、前記ブロック層のうち、該ブロック層の前記電極が固着
されていない領域の少なくとも一部は表面から前記第２
クラッド層に到達する深さまで導電型が反転され、前記
電極が固着された領域は表面から該ブロック層の厚さよ
りも小さい深さまで導電型が反転されて、それぞれ前記
第２クラッド層と同じ導電型にされていることを特徴と
する発光ダイオード。
【請求項２】基板上に第１クラッド層、活性層、第２
クラッド層、および該第２クラッド層とは異なる導電型
のブロック層が順次積層され、該基板と該ブロック層上
の一部に固着された電極との間に動作電流が通電される
ことによって該活性層内で発生した光を、該ブロック層
側から取り出す面発光型ダブルヘテロ構造の発光ダイオ
ードの製造方法であって、前記ブロック層のうち、前記電極が固着される領域は該
電極が固着されない領域よりも、不純物の前記積層方向
の拡散速度を遅くする制御膜を形成する膜形成工程と、前記ブロック層上の制御膜を通して不純物を拡散させる
ことにより、該ブロック層のうち、該ブロック層の前記
電極が固着されない領域の少なくとも一部は表面から前
記第２クラッド層に到達する深さまで導電型を反転さ
せ、前記電極が固着される領域は表面から該ブロック層
の厚さよりも小さい深さまで導電型を反転させる熱拡散
工程と、前記制御膜を除去する除去工程とを含むことを特徴とす
る発光ダイオードの製造方法。