JPH06334216A - 面発光型発光ダイオード - Google Patents
面発光型発光ダイオードInfo
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- JPH06334216A JPH06334216A JP14002693A JP14002693A JPH06334216A JP H06334216 A JPH06334216 A JP H06334216A JP 14002693 A JP14002693 A JP 14002693A JP 14002693 A JP14002693 A JP 14002693A JP H06334216 A JPH06334216 A JP H06334216A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 高い発光効率を得ることができるチップ状の
面発光型発光ダイオードを提供する。 【構成】 オーミック電極２４直下の部分に位置する活
性層１６から上方へ向かう光のうちの２７°から４９°
までの角度範囲の光は、従来はオーミック電極２４によ
り遮光されていたが、本面発光型発光ダイオード１０に
よれば、その角度範囲の光は光波干渉型光反射層２０に
より反射され、またその後に反射面３２により反射され
るなどしてチップ側面３０から外部へ放射されることに
より輝度に寄与するので、従来の発光ダイオードに比較
して発光効率が高くなるのである。
面発光型発光ダイオードを提供する。 【構成】 オーミック電極２４直下の部分に位置する活
性層１６から上方へ向かう光のうちの２７°から４９°
までの角度範囲の光は、従来はオーミック電極２４によ
り遮光されていたが、本面発光型発光ダイオード１０に
よれば、その角度範囲の光は光波干渉型光反射層２０に
より反射され、またその後に反射面３２により反射され
るなどしてチップ側面３０から外部へ放射されることに
より輝度に寄与するので、従来の発光ダイオードに比較
して発光効率が高くなるのである。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は面発光型発光ダイオード
の改良に関し、とくに発光効率を高める技術に関するも
のである。
の改良に関し、とくに発光効率を高める技術に関するも
のである。
【０００２】
【従来の技術】光通信や表示器などに発光ダイオードが
多用されている。かかる発光ダイオードは一般に、半導
体基板の上に液相エピタキシー(LPE;Liquid Phase Epit
axy)法などのエピタキシャル成長法によりｐｎ接合を形
成したダイオードを用いて構成される。通常、このよう
な発光ダイオードの一種に、電極が一部に設けられた光
取出面と、その光取出面に平行に設けられて光を発生す
る活性層と、その活性層の下側に設けられてその活性層
から下側へ向かって放射された光を光取出面へ向かって
反射する反射手段、たとえばチップの底面或いは半導体
基板上に形成されたＢＲ層などを備え、前記活性層から
発生された光を前記光取出面から放射するようにしたチ
ップ状の面発光型発光ダイオードが知られている。この
ような形式の面発光型発光ダイオードによれば、活性層
から下側へ向かって放射された光が反射手段によって光
取出面側へ反射されるので、発光効率が比較的に改善さ
れる。
多用されている。かかる発光ダイオードは一般に、半導
体基板の上に液相エピタキシー(LPE;Liquid Phase Epit
axy)法などのエピタキシャル成長法によりｐｎ接合を形
成したダイオードを用いて構成される。通常、このよう
な発光ダイオードの一種に、電極が一部に設けられた光
取出面と、その光取出面に平行に設けられて光を発生す
る活性層と、その活性層の下側に設けられてその活性層
から下側へ向かって放射された光を光取出面へ向かって
反射する反射手段、たとえばチップの底面或いは半導体
基板上に形成されたＢＲ層などを備え、前記活性層から
発生された光を前記光取出面から放射するようにしたチ
ップ状の面発光型発光ダイオードが知られている。この
ような形式の面発光型発光ダイオードによれば、活性層
から下側へ向かって放射された光が反射手段によって光
取出面側へ反射されるので、発光効率が比較的に改善さ
れる。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】ところで、上記従来の
面発光型発光ダイオードの光取出面に設けられた電極
は、活性層に光を発生させる電流を供給するために必要
なものであるが、アルミニウムや金などのように光を透
過させない金属によって構成されているため、光の取り
出し面積を減少させ、発光効率が未だ充分に得られなか
った。活性層のうちの電極直下に位置する部分の活性層
の電流密度が高いため、その部分から発生する比較的高
輝度の光が電極によって光取出面から取り出されること
が阻害されるのである。
面発光型発光ダイオードの光取出面に設けられた電極
は、活性層に光を発生させる電流を供給するために必要
なものであるが、アルミニウムや金などのように光を透
過させない金属によって構成されているため、光の取り
出し面積を減少させ、発光効率が未だ充分に得られなか
った。活性層のうちの電極直下に位置する部分の活性層
の電流密度が高いため、その部分から発生する比較的高
輝度の光が電極によって光取出面から取り出されること
が阻害されるのである。
【０００４】本発明は以上の事情を背景として為された
ものであり、その目的とするところは、高い発光効率を
得ることができるチップ状の面発光型発光ダイオードを
提供することにある。
ものであり、その目的とするところは、高い発光効率を
得ることができるチップ状の面発光型発光ダイオードを
提供することにある。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明者は以上の事情を
背景として種々検討を重ねた結果、活性層と光取出面と
の間に光波干渉型光反射層を設けると、従来は電極によ
って妨げられていた光を外部へ導出することができるこ
とを見出した。本発明は斯る知見に基づいて為されたも
のである。
背景として種々検討を重ねた結果、活性層と光取出面と
の間に光波干渉型光反射層を設けると、従来は電極によ
って妨げられていた光を外部へ導出することができるこ
とを見出した。本発明は斯る知見に基づいて為されたも
のである。
【０００６】すなわち、本発明の要旨とするところは、
電極が一部に設けられた光取出面と、その光取出面に平
行に設けられて光を発生する活性層と、その活性層の下
側に設けられてその活性層から下側へ向かって放射され
た光を反射するための反射手段とを備え、前記活性層か
ら発生された光を前記光取出面から放射するようにした
チップ状の面発光型発光ダイオードにおいて、前記活性
層と光取出面との間に、その活性層からの光のうち厚み
方向に対する傾斜角が所定値よりも小さい光を透過させ
るが、その所定値よりも大きい光を反射する光波干渉型
光反射層を設けたことにある。
電極が一部に設けられた光取出面と、その光取出面に平
行に設けられて光を発生する活性層と、その活性層の下
側に設けられてその活性層から下側へ向かって放射され
た光を反射するための反射手段とを備え、前記活性層か
ら発生された光を前記光取出面から放射するようにした
チップ状の面発光型発光ダイオードにおいて、前記活性
層と光取出面との間に、その活性層からの光のうち厚み
方向に対する傾斜角が所定値よりも小さい光を透過させ
るが、その所定値よりも大きい光を反射する光波干渉型
光反射層を設けたことにある。
【０００７】
【作用】このようにすれば、前記活性層と光取出面との
間に、その活性層からの光のうち厚み方向に対する傾斜
角が所定値よりも大きい光を反射する光波干渉型光反射
層が設けられているので、活性層から光取出面側へ向か
うことにより本来電極により妨げられる光のうち上記所
定値よりも大きい傾斜角を有する光が上記光波干渉型光
反射層によって反射され、チップの側面から外部へ取り
出される。また、電極直下の部分以外の活性層から発生
した光のうちの厚み方向に対する傾斜角が所定値よりも
小さい光は上記光波干渉型光反射層を通過して光取出面
から外部へ取り出されるし、傾斜角が所定値よりも大き
い光は上記と同様にチップの側面から外部へ取り出され
る。
間に、その活性層からの光のうち厚み方向に対する傾斜
角が所定値よりも大きい光を反射する光波干渉型光反射
層が設けられているので、活性層から光取出面側へ向か
うことにより本来電極により妨げられる光のうち上記所
定値よりも大きい傾斜角を有する光が上記光波干渉型光
反射層によって反射され、チップの側面から外部へ取り
出される。また、電極直下の部分以外の活性層から発生
した光のうちの厚み方向に対する傾斜角が所定値よりも
小さい光は上記光波干渉型光反射層を通過して光取出面
から外部へ取り出されるし、傾斜角が所定値よりも大き
い光は上記と同様にチップの側面から外部へ取り出され
る。
【発明の効果】電極と活性層との間の距離が小さいた
め、電極直下の活性層から上側へ放射された光が電極に
よって比較的大きく阻害されるが、その上側へ放射され
た光のうちチップの厚み方向に対して所定角よりも大き
い光が光波干渉型光反射層により反射され、チップの側
面から外部へ取り出されるので、高い発光効率が得られ
る。なお、電極直下の部分以外の活性層から発生した光
は光取出面およびチップの側面から外部へ取り出される
ので、光波干渉型光反射層の存在がその電極直下の部分
以外の活性層から発生した光の取り出しに影響しない。
め、電極直下の活性層から上側へ放射された光が電極に
よって比較的大きく阻害されるが、その上側へ放射され
た光のうちチップの厚み方向に対して所定角よりも大き
い光が光波干渉型光反射層により反射され、チップの側
面から外部へ取り出されるので、高い発光効率が得られ
る。なお、電極直下の部分以外の活性層から発生した光
は光取出面およびチップの側面から外部へ取り出される
ので、光波干渉型光反射層の存在がその電極直下の部分
以外の活性層から発生した光の取り出しに影響しない。
【０００８】
【実施例】以下、本発明の一実施例を図面に基づいて詳
細に説明する。
細に説明する。
【０００９】第１図は本発明の一実施例であるダブルヘ
テロ構造を備えたチップ状の面発光型発光ダイオード１
０の積層構成を説明するための図である。図において、
面発光型発光ダイオード１０は、基板１２上において、
クラッド層１４、活性層１６、クラッド層１８、光波干
渉型光反射層２０、キャップ層２２、およびオーミック
電極２４が順次積層されることにより構成されている。
テロ構造を備えたチップ状の面発光型発光ダイオード１
０の積層構成を説明するための図である。図において、
面発光型発光ダイオード１０は、基板１２上において、
クラッド層１４、活性層１６、クラッド層１８、光波干
渉型光反射層２０、キャップ層２２、およびオーミック
電極２４が順次積層されることにより構成されている。
【００１０】上記基板１２は２００μｍ程度の厚みを備
えたｎ−Ａｌ0.1 Ｇａ0.9 Ａｓ化合物半導体、クラッド
層１４は４μｍ程度の厚みを備えたｎ−Ａｌ0.45Ｇａ
0.55Ａｓ化合物半導体、活性層１６は０．１μｍ程度の
厚みを備えたｐ−ＧａＡｓ化合物半導体、クラッド層１
８は１２μｍ程度の厚みを備えたｐ−Ａｌ0.45Ｇａ0.55
Ａｓ化合物半導体、光波干渉型光反射層２０は超格子状
に積層されたＡｌＡｓ／Ａｌ0.2 Ｇａ0.8 Ａｓ化合物半
導体、キャップ層２２は０．１μｍ程度の厚みを備えた
ｐ−ＧａＡｓ化合物半導体であり、それらの各層は、た
とえば、有機金属化学気相成長(MOCVD;Metal Organic C
hemical Vapor Deposition) 法や分子線エピタキシー(M
BE;Molecular Beam Epitaxy)法、或いは気相エピタキシ
ー(VPE;Vapor Phase Epitaxy) 法などによって、共通の
チャンバ内において基板１２上に単結晶の状態で順次成
長させられることにより形成されている。また、上記オ
ーミック電極２４はたとえばよく知られたホトリソグラ
フィ技術を用いてキャップ層２２上の光取出面２６上に
おいてその光取出面２６より小さな面積たとえば１２０
μｍφにて中央部に設けられたｐ型Ａｕ−Ｚｎ電極であ
る。
えたｎ−Ａｌ0.1 Ｇａ0.9 Ａｓ化合物半導体、クラッド
層１４は４μｍ程度の厚みを備えたｎ−Ａｌ0.45Ｇａ
0.55Ａｓ化合物半導体、活性層１６は０．１μｍ程度の
厚みを備えたｐ−ＧａＡｓ化合物半導体、クラッド層１
８は１２μｍ程度の厚みを備えたｐ−Ａｌ0.45Ｇａ0.55
Ａｓ化合物半導体、光波干渉型光反射層２０は超格子状
に積層されたＡｌＡｓ／Ａｌ0.2 Ｇａ0.8 Ａｓ化合物半
導体、キャップ層２２は０．１μｍ程度の厚みを備えた
ｐ−ＧａＡｓ化合物半導体であり、それらの各層は、た
とえば、有機金属化学気相成長(MOCVD;Metal Organic C
hemical Vapor Deposition) 法や分子線エピタキシー(M
BE;Molecular Beam Epitaxy)法、或いは気相エピタキシ
ー(VPE;Vapor Phase Epitaxy) 法などによって、共通の
チャンバ内において基板１２上に単結晶の状態で順次成
長させられることにより形成されている。また、上記オ
ーミック電極２４はたとえばよく知られたホトリソグラ
フィ技術を用いてキャップ層２２上の光取出面２６上に
おいてその光取出面２６より小さな面積たとえば１２０
μｍφにて中央部に設けられたｐ型Ａｕ−Ｚｎ電極であ
る。
【００１１】上記光波干渉型光反射層２０は、それぞれ
数十ｎｍの厚みのＡｌＡｓ層およびＡｌ0.2 Ｇａ0.8 Ａ
ｓ層が３０対積層され、しかもその対を成すＡｌＡｓ層
とＡｌ0.2 Ｇａ0.8 Ａｓ層との膜厚比が保持されつつそ
の対を成すＡｌＡｓ層とＡｌ0.2 Ｇａ0.8 Ａｓ層の厚み
が基準厚みＴに対して膜厚Ｔ・ＤＤだけ厚い厚みＴ（１
＋ＤＤ）から基準厚みＴに対して膜厚Ｔ・ＤＤだけ薄い
厚みＴ（１−ＤＤ）まで連続且つ直線的に変化させられ
ている。このようにチャープ状に積層された光波干渉型
光反射層２０によれば、ブラッグ反射の原理により表１
にも示すように、活性層１６の発光波長８８０ｎｍの光
では、２７°から４９°の厚み方向（図１の垂直方向）
に対する角度範囲で上方の光取出面２６へ向かう光が反
射される。
数十ｎｍの厚みのＡｌＡｓ層およびＡｌ0.2 Ｇａ0.8 Ａ
ｓ層が３０対積層され、しかもその対を成すＡｌＡｓ層
とＡｌ0.2 Ｇａ0.8 Ａｓ層との膜厚比が保持されつつそ
の対を成すＡｌＡｓ層とＡｌ0.2 Ｇａ0.8 Ａｓ層の厚み
が基準厚みＴに対して膜厚Ｔ・ＤＤだけ厚い厚みＴ（１
＋ＤＤ）から基準厚みＴに対して膜厚Ｔ・ＤＤだけ薄い
厚みＴ（１−ＤＤ）まで連続且つ直線的に変化させられ
ている。このようにチャープ状に積層された光波干渉型
光反射層２０によれば、ブラッグ反射の原理により表１
にも示すように、活性層１６の発光波長８８０ｎｍの光
では、２７°から４９°の厚み方向（図１の垂直方向）
に対する角度範囲で上方の光取出面２６へ向かう光が反
射される。
【００１２】
【表１】
【００１３】上記光波干渉型光反射層２０を構成するＡ
ｌＡｓ層とＡｌ0.2 Ｇａ0.8 Ａｓ層も、チャンバ内の基
板１２の温度を８５０℃に維持した状態で、弁の操作に
よって原料ガスを切り替えることにより交互に重ねら
れ、また、その原料ガスを流す時間を制御して所望の厚
みを得る。
ｌＡｓ層とＡｌ0.2 Ｇａ0.8 Ａｓ層も、チャンバ内の基
板１２の温度を８５０℃に維持した状態で、弁の操作に
よって原料ガスを切り替えることにより交互に重ねら
れ、また、その原料ガスを流す時間を制御して所望の厚
みを得る。
【００１４】以上のように構成された面発光型発光ダイ
オード１０においては、オーミック電極２４から基板１
２の底面に設けられたオーミック電極２８へ駆動電流が
流されると、活性層１６からは８８０ｎｍの波長の光が
発生させられる。オーミック電極２４直下に位置しない
部分の活性層１６から光取出面２６側へ向かう光のう
ち、チップの厚み方向に対して２７°以下および４９°
以上の角度範囲の光は光波干渉型光反射層２０を通過
し、光取出面２６から外部へ放射される一方、チップの
厚み方向に対して２７°から４９°までの角度範囲の光
は光波干渉型光反射層２０により反射されるが、チップ
側面３０から外部へ放射される。また、上記オーミック
電極２４直下に位置しない部分の活性層１６から下方へ
向かう光は反射面３２により上方へ反射されるので、上
記と同様に外部へ取り出される。いずれにしても、オー
ミック電極２４直下に位置しない部分の活性層１６から
上方および下方へ発光された光は、光取出面２６或いは
チップ側面３０から外部へ放射されて輝度に寄与する。
オード１０においては、オーミック電極２４から基板１
２の底面に設けられたオーミック電極２８へ駆動電流が
流されると、活性層１６からは８８０ｎｍの波長の光が
発生させられる。オーミック電極２４直下に位置しない
部分の活性層１６から光取出面２６側へ向かう光のう
ち、チップの厚み方向に対して２７°以下および４９°
以上の角度範囲の光は光波干渉型光反射層２０を通過
し、光取出面２６から外部へ放射される一方、チップの
厚み方向に対して２７°から４９°までの角度範囲の光
は光波干渉型光反射層２０により反射されるが、チップ
側面３０から外部へ放射される。また、上記オーミック
電極２４直下に位置しない部分の活性層１６から下方へ
向かう光は反射面３２により上方へ反射されるので、上
記と同様に外部へ取り出される。いずれにしても、オー
ミック電極２４直下に位置しない部分の活性層１６から
上方および下方へ発光された光は、光取出面２６或いは
チップ側面３０から外部へ放射されて輝度に寄与する。
【００１５】一方、オーミック電極２４直下の部分に位
置する活性層１６から発光された光は、活性層１６と光
波干渉型光反射層２０との間の有効距離を４μｍ、活性
層１６とオーミック電極２４との間の有効距離を１２μ
ｍ、活性層１６と基板１２の裏面の反射面３２との間の
有効距離を２００μｍと仮定し、図２に示すようにチッ
プの中心線上の活性層１６から放射された光について説
明すると、従来では、活性層１６から上方へ向かう光の
うちの厚み方向に対して７８．７°以下の角度範囲の光
と、活性層１６から下方へ向かう光のうちのチップの厚
み方向に対して８．２°以下の角度範囲の光とがオーミ
ック電極２４により外部への放射が阻止され、発光効率
が得られない一因となっていた。しかし、本実施例で
は、オーミック電極２４直下の部分に位置する活性層１
６から上方へ向かう光のうちの２７°から４９°までの
角度範囲の光は光波干渉型光反射層２０により反射さ
れ、また上記反射面３２により反射されるなどしてチッ
プ側面３０から外部へ放射されることにより輝度に寄与
するので、従来の発光ダイオードに比較して発光効率が
所定の割合で高くなるのである。なお、上記オーミック
電極２４直下の部分に位置する活性層１６から下方へ向
かう光のうち、チップの厚み方向に対して８．２°乃至
２７°の光は反射面３２によって反射された後、光波干
渉型光反射層２０を通過して光取出面２６に到達する
が、２７°以上の光は光波干渉型光反射層２０により反
射されてチップ側面３０に到達する。
置する活性層１６から発光された光は、活性層１６と光
波干渉型光反射層２０との間の有効距離を４μｍ、活性
層１６とオーミック電極２４との間の有効距離を１２μ
ｍ、活性層１６と基板１２の裏面の反射面３２との間の
有効距離を２００μｍと仮定し、図２に示すようにチッ
プの中心線上の活性層１６から放射された光について説
明すると、従来では、活性層１６から上方へ向かう光の
うちの厚み方向に対して７８．７°以下の角度範囲の光
と、活性層１６から下方へ向かう光のうちのチップの厚
み方向に対して８．２°以下の角度範囲の光とがオーミ
ック電極２４により外部への放射が阻止され、発光効率
が得られない一因となっていた。しかし、本実施例で
は、オーミック電極２４直下の部分に位置する活性層１
６から上方へ向かう光のうちの２７°から４９°までの
角度範囲の光は光波干渉型光反射層２０により反射さ
れ、また上記反射面３２により反射されるなどしてチッ
プ側面３０から外部へ放射されることにより輝度に寄与
するので、従来の発光ダイオードに比較して発光効率が
所定の割合で高くなるのである。なお、上記オーミック
電極２４直下の部分に位置する活性層１６から下方へ向
かう光のうち、チップの厚み方向に対して８．２°乃至
２７°の光は反射面３２によって反射された後、光波干
渉型光反射層２０を通過して光取出面２６に到達する
が、２７°以上の光は光波干渉型光反射層２０により反
射されてチップ側面３０に到達する。
【００１６】上述のように、従来では、オーミック電極
２４と活性層１６との間の距離が小さいため、オーミッ
ク電極２４直下に位置する部分の活性層１６から上側へ
放射された光のうちチップの厚み方向に対して７８．７
°以下の大きな角度範囲の光はオーミック電極２４によ
り遮光されて輝度に寄与できなかったが、本実施例の面
発光型発光ダイオード１０によれば、上記上側へ放射さ
れた光のうちチップの厚み方向に対して２７°乃至４９
°の比較的大きな角度範囲の光、すなわち図２のＡに示
す角度範囲の光が、光波干渉型光反射層２０により反射
されてチップ側面３０から外部へ取り出されるので、発
光効率が高められる。オーミック電極２４直下に位置す
る部分の活性層１６を通過する電流の密度は高いので、
その効果には顕著なものがある。
２４と活性層１６との間の距離が小さいため、オーミッ
ク電極２４直下に位置する部分の活性層１６から上側へ
放射された光のうちチップの厚み方向に対して７８．７
°以下の大きな角度範囲の光はオーミック電極２４によ
り遮光されて輝度に寄与できなかったが、本実施例の面
発光型発光ダイオード１０によれば、上記上側へ放射さ
れた光のうちチップの厚み方向に対して２７°乃至４９
°の比較的大きな角度範囲の光、すなわち図２のＡに示
す角度範囲の光が、光波干渉型光反射層２０により反射
されてチップ側面３０から外部へ取り出されるので、発
光効率が高められる。オーミック電極２４直下に位置す
る部分の活性層１６を通過する電流の密度は高いので、
その効果には顕著なものがある。
【００１７】上記実施例の光波干渉型光反射層２０は、
一対のＡｌＡｓ／Ａｌ0.2 Ｇａ0.8Ａｓ化合物半導体の
厚みが連続的に変化させられるチャープ構造であった
が、同じ厚みで３０対積層されてもよい。このような場
合には、９５０乃至１０５０ｎｍの反射帯域（中心波長
λB が１０００ｎｍ）が得られ、活性層１６からの８８
０ｎｍの発光波長に対して２２°乃至３３°の角度範囲
で反射させることができる。
一対のＡｌＡｓ／Ａｌ0.2 Ｇａ0.8Ａｓ化合物半導体の
厚みが連続的に変化させられるチャープ構造であった
が、同じ厚みで３０対積層されてもよい。このような場
合には、９５０乃至１０５０ｎｍの反射帯域（中心波長
λB が１０００ｎｍ）が得られ、活性層１６からの８８
０ｎｍの発光波長に対して２２°乃至３３°の角度範囲
で反射させることができる。
【００１８】図３は、本発明の他の実施例を示す図１に
相当する図である。図において、クラッド層１４と基板
１２との間には、ｎ型の光波干渉型光反射層４０が設け
られている。この光波干渉型光反射層４０は、中心波長
が８８０乃至９００ｎｍ程度の比較的広い反射帯域を備
えており、活性層１６からの８８０ｎｍの光およびそれ
よりも長波光を充分に反射出来るように構成されてい
る。
相当する図である。図において、クラッド層１４と基板
１２との間には、ｎ型の光波干渉型光反射層４０が設け
られている。この光波干渉型光反射層４０は、中心波長
が８８０乃至９００ｎｍ程度の比較的広い反射帯域を備
えており、活性層１６からの８８０ｎｍの光およびそれ
よりも長波光を充分に反射出来るように構成されてい
る。
【００１９】上記図１および図３の実施例では、オーミ
ック電極２４直下に位置するためにその部分の活性層１
６の電流密度が高くなる構造であったが、オーミック電
極２４直下に位置する部分に対してオーミック電極２４
直下に位置しない部分の電流密度を相対的に高くするた
めに、オーミック電極２４直下以外の部分にＺｎなどの
不純物をドーピングしてその部分の導電率を高めた構造
であっても、本発明の一応の効果を享受することができ
る。
ック電極２４直下に位置するためにその部分の活性層１
６の電流密度が高くなる構造であったが、オーミック電
極２４直下に位置する部分に対してオーミック電極２４
直下に位置しない部分の電流密度を相対的に高くするた
めに、オーミック電極２４直下以外の部分にＺｎなどの
不純物をドーピングしてその部分の導電率を高めた構造
であっても、本発明の一応の効果を享受することができ
る。
【００２０】また、前述の実施例では、光取出面２６上
においてオーミック電極２４が直接設けられていたが、
活性層１６からオーミック電極２４側へ向かって発生し
た光を下側へ反射するためなどの目的のためにたとえば
前記光波干渉型反射層４０と同様に構成されたｐ型の化
合物半導体層であってそのオーミック電極２４と同じ面
積の層を介して光取出面２６上に間接的に設けられてい
てもよい。
においてオーミック電極２４が直接設けられていたが、
活性層１６からオーミック電極２４側へ向かって発生し
た光を下側へ反射するためなどの目的のためにたとえば
前記光波干渉型反射層４０と同様に構成されたｐ型の化
合物半導体層であってそのオーミック電極２４と同じ面
積の層を介して光取出面２６上に間接的に設けられてい
てもよい。
【００２１】また、前記実施例の面発光型発光ダイオー
ド１０はＧａＡｓ／ＡｌＧａＡｓダブルヘテロ構造を成
しているが、ＧａＰ，ＩｎＰ，ＩｎＧａＡｓＰなど他の
化合物半導体から成る発光ダイオードや単一ヘテロ構
造、あるいはホモ構造の発光ダイオードであってもよ
い。
ド１０はＧａＡｓ／ＡｌＧａＡｓダブルヘテロ構造を成
しているが、ＧａＰ，ＩｎＰ，ＩｎＧａＡｓＰなど他の
化合物半導体から成る発光ダイオードや単一ヘテロ構
造、あるいはホモ構造の発光ダイオードであってもよ
い。
【００２２】その他一々例示はしないが、本発明は当業
者の知識に基づいて種々の変更，改良を加えた態様で実
施することができる。
者の知識に基づいて種々の変更，改良を加えた態様で実
施することができる。
【図１】本発明の一実施例である面発光型発光ダイオー
ドの積層構造を説明する断面図である。
ドの積層構造を説明する断面図である。
【図２】図１の面発光型発光ダイオードの作用を説明す
る図である。
る図である。
【図３】本発明の他の実施例の図１に相当する図であ
る。
る。
１０：面発光型発光ダイオード １６：活性層 ２０：光波干渉型光反射層 ２４：オーミック電極 ２６：光取出面 ３２：反射面（反射手段） ４０：光波干渉型光反射層（反射手段）
Claims (1)
- 【請求項１】 電極が一部に設けられた光取出面と、該
光取出面に平行に設けられて光を発生する活性層と、該
活性層の下側に設けられて該活性層から下側へ向かって
放射された光を反射するための反射手段とを備え、前記
活性層から発生された光を前記光取出面から放射するよ
うにしたチップ状の面発光型発光ダイオードにおいて、 前記活性層と光取出面との間に、該活性層からの光のう
ち厚み方向に対する傾斜角が所定値よりも小さい光を透
過させるが、該所定値よりも大きい光を反射する光波干
渉型光反射層を設けたことを特徴とする面発光型発光ダ
イオード。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14002693A JPH06334216A (ja) | 1993-05-18 | 1993-05-18 | 面発光型発光ダイオード |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14002693A JPH06334216A (ja) | 1993-05-18 | 1993-05-18 | 面発光型発光ダイオード |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06334216A true JPH06334216A (ja) | 1994-12-02 |
Family
ID=15259229
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP14002693A Pending JPH06334216A (ja) | 1993-05-18 | 1993-05-18 | 面発光型発光ダイオード |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06334216A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE4121124A1 (de) * | 1990-06-26 | 1992-01-02 | Mazda Motor | Kraftfahrzeug-klimaanlage |
| EP0677408A1 (de) * | 1994-04-12 | 1995-10-18 | Bayerische Motoren Werke Aktiengesellschaft | Verfahren zur Steuerung und Regelung einer Klimaanlage bzw. -automatik für Kraftfahrzeuge |
| JP2007173849A (ja) * | 2005-12-19 | 2007-07-05 | Philips Lumileds Lightng Co Llc | 発光デバイス |
-
1993
- 1993-05-18 JP JP14002693A patent/JPH06334216A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE4121124A1 (de) * | 1990-06-26 | 1992-01-02 | Mazda Motor | Kraftfahrzeug-klimaanlage |
| EP0677408A1 (de) * | 1994-04-12 | 1995-10-18 | Bayerische Motoren Werke Aktiengesellschaft | Verfahren zur Steuerung und Regelung einer Klimaanlage bzw. -automatik für Kraftfahrzeuge |
| JP2007173849A (ja) * | 2005-12-19 | 2007-07-05 | Philips Lumileds Lightng Co Llc | 発光デバイス |
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