JPH07161666A - 化合物半導体ウェハ - Google Patents
化合物半導体ウェハInfo
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- JPH07161666A JPH07161666A JP31163393A JP31163393A JPH07161666A JP H07161666 A JPH07161666 A JP H07161666A JP 31163393 A JP31163393 A JP 31163393A JP 31163393 A JP31163393 A JP 31163393A JP H07161666 A JPH07161666 A JP H07161666A
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- Japan
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- wafer
- compound semiconductor
- semiconductor wafer
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Abstract
(57)【要約】
【目的】サーマルクリーニングを安定且つ容易に行な
え、高品質なエピタキシャル層の成長を実現する。 【構成】化合物半導体ウェハの裏面を粗面化して放射吸
収能を高める。粗面化度は表面粗さをＲ＝Ｒmax ／Ｌで
定義するとき（但し、Ｒmax ：基準長さｌs について平
均線に平行な二直線で断面曲線を挟んだときの二直線の
間隔、平均線：断面曲線または粗さ曲線までの偏差の自
乗和が最小になるように設定した線、Ｌ：基準長さｌs
において、隣り合う凸部の最高部までの平均距離で、Ｌ
≦１５μmとする。）、Ｒ≧０．１５とする。これによ
りウェハの放射熱の吸収能が増加する。
え、高品質なエピタキシャル層の成長を実現する。 【構成】化合物半導体ウェハの裏面を粗面化して放射吸
収能を高める。粗面化度は表面粗さをＲ＝Ｒmax ／Ｌで
定義するとき（但し、Ｒmax ：基準長さｌs について平
均線に平行な二直線で断面曲線を挟んだときの二直線の
間隔、平均線：断面曲線または粗さ曲線までの偏差の自
乗和が最小になるように設定した線、Ｌ：基準長さｌs
において、隣り合う凸部の最高部までの平均距離で、Ｌ
≦１５μmとする。）、Ｒ≧０．１５とする。これによ
りウェハの放射熱の吸収能が増加する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は化合物半導体ウェハに係
り、特にウェハ裏面の粗さを規定することにより放射吸
収能を高めてサーマルクリーニング特性を向上させるも
のに関する。
り、特にウェハ裏面の粗さを規定することにより放射吸
収能を高めてサーマルクリーニング特性を向上させるも
のに関する。
【０００２】
【従来の技術】化合物半導体は、ショットキゲート電界
効果トランジスタ（ＭＥＳＦＥＴ）、高移動度トランジ
スタ（ＨＥＭＴ）、ヘテロ接合バイポーラトランジスタ
（ＨＢＴ）の他、種々の受発光デバイスの作製にも用い
られる。
効果トランジスタ（ＭＥＳＦＥＴ）、高移動度トランジ
スタ（ＨＥＭＴ）、ヘテロ接合バイポーラトランジスタ
（ＨＢＴ）の他、種々の受発光デバイスの作製にも用い
られる。
【０００３】これらの素子は鏡面ウェハ面にＭＢＥ（分
子線エピタキシャル成長）法、ＭＯＶＰＥ（有機金属気
相エピタキシャル成長）法により能動層をエピタキシャ
ル成長することにより作製される。
子線エピタキシャル成長）法、ＭＯＶＰＥ（有機金属気
相エピタキシャル成長）法により能動層をエピタキシャ
ル成長することにより作製される。
【０００４】鏡面ウェハは一般に次の手順で作製され
る。インゴットをスライスしてウェハを切り出す。この
ウェハの両面を粒径数μm の砥粒を用いてラッピングし
た後エッチングを施す。この段階で両面ともやや平坦に
なり擬似的鏡面となる。
る。インゴットをスライスしてウェハを切り出す。この
ウェハの両面を粒径数μm の砥粒を用いてラッピングし
た後エッチングを施す。この段階で両面ともやや平坦に
なり擬似的鏡面となる。
【０００５】エッチング後、片面研磨の場合には表面の
みをメカノケミカル研磨により鏡面に仕上げる。両面研
磨の場合には裏面も同時にメカノケミカル研磨により鏡
面に仕上げる。次いで洗浄を行ない、最後にウェハを乾
燥する。このような工程によりウェハの裏面は、擬似的
鏡面もしくは鏡面に仕上げられる。
みをメカノケミカル研磨により鏡面に仕上げる。両面研
磨の場合には裏面も同時にメカノケミカル研磨により鏡
面に仕上げる。次いで洗浄を行ない、最後にウェハを乾
燥する。このような工程によりウェハの裏面は、擬似的
鏡面もしくは鏡面に仕上げられる。
【０００６】エピタキシャル成長には、このウェハをそ
ままま用いる場合もあるが、多くの場合、エピタキシャ
ル成長前に前処理として、ウェハ表面を１〜２μm エッ
チングしたウェハを用いる。そしてエピタキシャル炉内
で熱処理（サーマルクリーニング）によりウェハ表面の
清浄化を行なった後、エピタキシャル成長する。
ままま用いる場合もあるが、多くの場合、エピタキシャ
ル成長前に前処理として、ウェハ表面を１〜２μm エッ
チングしたウェハを用いる。そしてエピタキシャル炉内
で熱処理（サーマルクリーニング）によりウェハ表面の
清浄化を行なった後、エピタキシャル成長する。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】ところで、従来、ＭＢ
Ｅ法によるエピタキシャル成長では、ウェハはＩｎハン
ダによってモリブデンブロックに貼り付けられ、そのブ
ロックをヒータで加熱する方法がとられていた。つまり
ウェハはブロックからの熱伝導によって加熱されてい
た。この間接加熱方法をとっている限りにおいてはサー
マルクリーニングは問題とならなかった。
Ｅ法によるエピタキシャル成長では、ウェハはＩｎハン
ダによってモリブデンブロックに貼り付けられ、そのブ
ロックをヒータで加熱する方法がとられていた。つまり
ウェハはブロックからの熱伝導によって加熱されてい
た。この間接加熱方法をとっている限りにおいてはサー
マルクリーニングは問題とならなかった。
【０００８】これに対して最近、ウェハ裏面から放射熱
で直接加熱される方法がとられるようになってきた。し
かし、この新しい直接加熱方法では、前述した擬似的鏡
面もしくは鏡面を裏面に有するウェハを用いると、ＭＢ
Ｅ炉内でのサーマルクリーニングに時間がかかり、その
時間が安定しないという問題があった。
で直接加熱される方法がとられるようになってきた。し
かし、この新しい直接加熱方法では、前述した擬似的鏡
面もしくは鏡面を裏面に有するウェハを用いると、ＭＢ
Ｅ炉内でのサーマルクリーニングに時間がかかり、その
時間が安定しないという問題があった。
【０００９】また、サーマルクリーニングを完全に行な
えないため、ウェハ表面の酸化物が残留し、その後のエ
ピタキシャル成長において良好な結晶成長ができない場
合もあった。
えないため、ウェハ表面の酸化物が残留し、その後のエ
ピタキシャル成長において良好な結晶成長ができない場
合もあった。
【００１０】本発明者等は、そのような問題のあるサー
マルクリーニングがウェハ裏面の表面粗さと関係がある
という知見に基づいて本発明を創案するに致ったもので
ある。
マルクリーニングがウェハ裏面の表面粗さと関係がある
という知見に基づいて本発明を創案するに致ったもので
ある。
【００１１】本発明の目的は、前記した従来技術の欠点
を解消し、サーマルクリーニングを安定且つ容易に行な
え、高品質なエピタキシャル層を成長できる新規な化合
物半導体結晶ウェハを提供することにある。
を解消し、サーマルクリーニングを安定且つ容易に行な
え、高品質なエピタキシャル層を成長できる新規な化合
物半導体結晶ウェハを提供することにある。
【００１２】
【課題を解決するための手段】本発明の化合物半導体ウ
ェハは、粗面化して放射吸収能を高めた裏面を有するも
のである。
ェハは、粗面化して放射吸収能を高めた裏面を有するも
のである。
【００１３】裏面の粗面化度は、ウェハ裏面の表面粗さ
Ｒを次式で定義したとき、 Ｒ＝Ｒmax ／Ｌ（無次元） Ｒmax ：基準長さｌs について平均線に平行な二直線で
断面曲線を挟んだときの二直線の間隔（最大高さ） 平均線：断面曲線または粗さ曲線までの偏差の自乗和が
最小になるように設定した線 Ｌ：基準長さｌs において、隣り合う凸部の最高部まで
の平均距離。Ｌ≦１５μm とする。
Ｒを次式で定義したとき、 Ｒ＝Ｒmax ／Ｌ（無次元） Ｒmax ：基準長さｌs について平均線に平行な二直線で
断面曲線を挟んだときの二直線の間隔（最大高さ） 平均線：断面曲線または粗さ曲線までの偏差の自乗和が
最小になるように設定した線 Ｌ：基準長さｌs において、隣り合う凸部の最高部まで
の平均距離。Ｌ≦１５μm とする。
【００１４】Ｒ≧０．１５ とする。なお、０．１＜Ｒ＜０．１５としてもよいが、
そのウェハは特性が不安定であるので、上記Ｒ値とする
ことが好ましい。
そのウェハは特性が不安定であるので、上記Ｒ値とする
ことが好ましい。
【００１５】なお、粗面化する方法として、粒径数μm
のアルミナやジルコニウムなどの砥粒で研磨する方法や
サンドブラストする方法がある。これらの方法で研磨し
た後、さらにエッチングしてもよい。また、化合物半導
体はIII −Ｖ族化合物半導体等であり、III −Ｖ族化合
物半導体はＧａＡｓやＩｎＰ等である。
のアルミナやジルコニウムなどの砥粒で研磨する方法や
サンドブラストする方法がある。これらの方法で研磨し
た後、さらにエッチングしてもよい。また、化合物半導
体はIII −Ｖ族化合物半導体等であり、III −Ｖ族化合
物半導体はＧａＡｓやＩｎＰ等である。
【００１６】
【作用】裏面が粗面化されたウェハは放射熱の吸収能が
増加する。この理由は、ウェハ裏面に入射した赤外線
は、裏面の微小な凹凸部において多重乱反射してウェハ
に吸収される率が増加し、またウェハ裏面から外部に反
射され、あるいはウェハを透過する赤外線の割合が低下
するためである。この効果はＲ＜０．１５であるとあま
り表れないが、特に表面粗さＲが０．１５以上の場合に
顕著に表れる。
増加する。この理由は、ウェハ裏面に入射した赤外線
は、裏面の微小な凹凸部において多重乱反射してウェハ
に吸収される率が増加し、またウェハ裏面から外部に反
射され、あるいはウェハを透過する赤外線の割合が低下
するためである。この効果はＲ＜０．１５であるとあま
り表れないが、特に表面粗さＲが０．１５以上の場合に
顕著に表れる。
【００１７】このように本発明によればウェハの裏面を
粗面化したことにより、ウェハの放射吸収能が向上する
ため、ＭＢＥ炉によりウェハ裏面から放射熱で直接加熱
される方法がとられても、炉内でのサーマルクリーニン
グに時間がかからず、安定かつ容易となる。またサーマ
ルクリーニングが完全に行なえるため、ウェハ表面の酸
化物が残留するというようなこともない。したがって、
その後のエピタキシャル成長で良好な結晶ができる。
粗面化したことにより、ウェハの放射吸収能が向上する
ため、ＭＢＥ炉によりウェハ裏面から放射熱で直接加熱
される方法がとられても、炉内でのサーマルクリーニン
グに時間がかからず、安定かつ容易となる。またサーマ
ルクリーニングが完全に行なえるため、ウェハ表面の酸
化物が残留するというようなこともない。したがって、
その後のエピタキシャル成長で良好な結晶ができる。
【００１８】
【実施例】以下、本発明の化合物半導体ウェハをＧａＡ
ｓに適用した実施例を説明する。ＧａＡｓ単結晶インゴ
ットをスライスしてＧａＡｓウェハを切り出す。このウ
ェハの両面を粒径数μm のアルミナ砥粒を用いてラッピ
ングした後エッチングを施す。エッチング液には硫酸系
エッチャント（Ｈ2 ＳＯ4 −Ｈ2 Ｏ2 −Ｈ2 Ｏ）やアン
モニア系エッチャント（ＮＨ4 ＯＨ−Ｈ2 Ｏ2 −Ｈ
2 Ｏ）等を使用し、ウェハ表面を数μm エッチングす
る。このときのエッチングで裏面の表面粗さを Ｒ≧０．１５ (1) に制御する。
ｓに適用した実施例を説明する。ＧａＡｓ単結晶インゴ
ットをスライスしてＧａＡｓウェハを切り出す。このウ
ェハの両面を粒径数μm のアルミナ砥粒を用いてラッピ
ングした後エッチングを施す。エッチング液には硫酸系
エッチャント（Ｈ2 ＳＯ4 −Ｈ2 Ｏ2 −Ｈ2 Ｏ）やアン
モニア系エッチャント（ＮＨ4 ＯＨ−Ｈ2 Ｏ2 −Ｈ
2 Ｏ）等を使用し、ウェハ表面を数μm エッチングす
る。このときのエッチングで裏面の表面粗さを Ｒ≧０．１５ (1) に制御する。
【００１９】ここで、表面粗さは Ｒ＝Ｒmax ／Ｌ (2) と定義している。但し、 Ｒmax ：基準長さｌs について平均線に平行な二直線で
断面曲線を挟んだときの二直線の間隔（図２参照） 平均線：断面曲線または粗さ曲線までの偏差の自乗和が
最小になるように設定した線 Ｌ：基準長さｌs において、隣り合う凸部の最高部まで
の平均距離。Ｌ≦１５μm とする（図３参照）。
断面曲線を挟んだときの二直線の間隔（図２参照） 平均線：断面曲線または粗さ曲線までの偏差の自乗和が
最小になるように設定した線 Ｌ：基準長さｌs において、隣り合う凸部の最高部まで
の平均距離。Ｌ≦１５μm とする（図３参照）。
【００２０】上記のようにウェハ両面をエッチング後、
さらに表面のみをメカノケミカル研磨により鏡面に仕上
げる。次に脱脂洗浄、極く僅かなエッチング作用をもつ
洗浄液での洗浄および超純粋洗浄を行なう。最後にウェ
ハをＩＰＡ（イソプロピールアルコール）乾燥法または
スピン乾燥法により乾燥する。この工程によりウェハの
裏面は従来よりも粗面化されることになる。
さらに表面のみをメカノケミカル研磨により鏡面に仕上
げる。次に脱脂洗浄、極く僅かなエッチング作用をもつ
洗浄液での洗浄および超純粋洗浄を行なう。最後にウェ
ハをＩＰＡ（イソプロピールアルコール）乾燥法または
スピン乾燥法により乾燥する。この工程によりウェハの
裏面は従来よりも粗面化されることになる。
【００２１】このようなウェハを、ＭＢＥ法によってエ
ピタキシャル成長させるために、ＭＢＥ装置内に入れ、
Ｉｎハンダによってモリブデンブロックに貼り付ける。
そしてウェハ裏面から放射熱で直接加熱してサーマルク
リーニングを行ない、ウェハ表面の酸化物を昇華、蒸発
させ表面清浄化を行なった後、エピタキシャル成長す
る。
ピタキシャル成長させるために、ＭＢＥ装置内に入れ、
Ｉｎハンダによってモリブデンブロックに貼り付ける。
そしてウェハ裏面から放射熱で直接加熱してサーマルク
リーニングを行ない、ウェハ表面の酸化物を昇華、蒸発
させ表面清浄化を行なった後、エピタキシャル成長す
る。
【００２２】この際、この直接加熱法によってサーマル
クリーニングを行なっても、ウェハ裏面が粗面化されて
いるので、放射熱の吸収能が良く、サーマルクリーニン
グに時間がからず、安定に行なうことができる。このた
めＭＢＥプロセスの時間を短縮することができる。また
高品質で安定なエピタキシャルウェハが得られる。
クリーニングを行なっても、ウェハ裏面が粗面化されて
いるので、放射熱の吸収能が良く、サーマルクリーニン
グに時間がからず、安定に行なうことができる。このた
めＭＢＥプロセスの時間を短縮することができる。また
高品質で安定なエピタキシャルウェハが得られる。
【００２３】次に上記したＧａＡｓウェハの具体例を説
明する。
明する。
【００２４】（実施例１）試料には半絶縁性ＬＥＣＧａ
Ａｓ結晶ウェハを用いた。裏面は粒径１〜２０μm のア
ルミナ砥粒で研磨した後、Ｈ2 ＳＯ4 −Ｈ2 Ｏ2 −Ｈ2
Ｏのエッチャントで１〜２μm エッチングし、裏面の表
面粗さＲを０から０．４まで変化させた。なお、従来の
ウェハのＲは０〜０．１程度である。表面には通常のメ
カノケミカル研磨を施して鏡面に仕上げた。
Ａｓ結晶ウェハを用いた。裏面は粒径１〜２０μm のア
ルミナ砥粒で研磨した後、Ｈ2 ＳＯ4 −Ｈ2 Ｏ2 −Ｈ2
Ｏのエッチャントで１〜２μm エッチングし、裏面の表
面粗さＲを０から０．４まで変化させた。なお、従来の
ウェハのＲは０〜０．１程度である。表面には通常のメ
カノケミカル研磨を施して鏡面に仕上げた。
【００２５】これらのウェハの表面を１〜２μm エッチ
ング前処理した後、ＭＢＥ装置に投入し、次に述べるプ
ロセスでエピタキシャル成長した。
ング前処理した後、ＭＢＥ装置に投入し、次に述べるプ
ロセスでエピタキシャル成長した。
【００２６】まず、ウェハ温度６００℃でＡｓ分子線を
照射しながらサーマルクリーニングを行なった。ウェハ
温度が６００℃に達してからＲＨＥＥＤ（反射高エネル
ギー電子回折）観察により、ウェハの最表面が最も安定
な状態になる原子配列を示す（２×４）パターンが現わ
れるまでの時間をサーマルクリーニング時間とし、この
時間を測定した。この後、５２０℃に降温し、アンドー
プＧａＡｓを０．８μm 、ＳｉドープＧａＡｓを０．２
μm 成長した。
照射しながらサーマルクリーニングを行なった。ウェハ
温度が６００℃に達してからＲＨＥＥＤ（反射高エネル
ギー電子回折）観察により、ウェハの最表面が最も安定
な状態になる原子配列を示す（２×４）パターンが現わ
れるまでの時間をサーマルクリーニング時間とし、この
時間を測定した。この後、５２０℃に降温し、アンドー
プＧａＡｓを０．８μm 、ＳｉドープＧａＡｓを０．２
μm 成長した。
【００２７】ウェハ裏面の表面粗さのサーマルクリーニ
ング時間に及ぼす影響を図１に示す。図中のプロットに
おいて良好なエピタキシャル層表面であったものは白
丸、くもり等の表面異常が発生したものは黒丸で表し
た。サーマルクリーニング時間は表面粗さが大きくなる
と共に減少し、０．１５以上で１分以内と極く短時間と
なる。またそのばらつきも４０秒以内と安定していた。
Ｒが０．１５よりも小さい場合は、エピタキシャル層表
面にくもり等の異常が発生するものも見られたが、０．
１５以上では安定して良好なエピタキシャル層が得られ
た。
ング時間に及ぼす影響を図１に示す。図中のプロットに
おいて良好なエピタキシャル層表面であったものは白
丸、くもり等の表面異常が発生したものは黒丸で表し
た。サーマルクリーニング時間は表面粗さが大きくなる
と共に減少し、０．１５以上で１分以内と極く短時間と
なる。またそのばらつきも４０秒以内と安定していた。
Ｒが０．１５よりも小さい場合は、エピタキシャル層表
面にくもり等の異常が発生するものも見られたが、０．
１５以上では安定して良好なエピタキシャル層が得られ
た。
【００２８】ｎ型、ｐ型ＧａＡｓ結晶ウェハにも同様の
実験を行なったところ、上記と同様の結果が得られた。
実験を行なったところ、上記と同様の結果が得られた。
【００２９】（実施例２）試料に半絶縁性、ｎ型および
ｐ型ＩｎＰ結晶ウェハを用いて実施例１と同じ実験を行
なったところ、実施例１の場合と同じ結果が得られた。
この結果から見て、II−VI族結晶ウェハへの適用も可能
と思われる。
ｐ型ＩｎＰ結晶ウェハを用いて実施例１と同じ実験を行
なったところ、実施例１の場合と同じ結果が得られた。
この結果から見て、II−VI族結晶ウェハへの適用も可能
と思われる。
【００３０】以上述べたように本実施例によれば、今ま
で余り重要視されていなかったウェハ裏面の表面粗さを
規定して放射熱の吸収能を高めるようにしたので、今後
ますます普及するものと予測される直接加熱方式をとる
ＭＢＥのニーズに十分応えることができる。
で余り重要視されていなかったウェハ裏面の表面粗さを
規定して放射熱の吸収能を高めるようにしたので、今後
ますます普及するものと予測される直接加熱方式をとる
ＭＢＥのニーズに十分応えることができる。
【００３１】
【発明の効果】(1) 請求項１に記載の発明によれば、裏
面を粗面化して放射吸収能を高めるようにしたので、サ
ーマルクリーニングを安定且つ容易に行なえ、高品質な
エピタキシャル層を成長できる。
面を粗面化して放射吸収能を高めるようにしたので、サ
ーマルクリーニングを安定且つ容易に行なえ、高品質な
エピタキシャル層を成長できる。
【００３２】(2) 請求項２に記載の発明によれば、最適
なウェハ裏面の粗さを規定したので、放射吸収能を確実
に向上させることができ、サーマルクリーニングを安
定、短時間、かつ完全に行なうことができる。また、完
全にサーマルクリーニングできるため、高品質なエピタ
キシャル層を安定して成長でき、歩留りを上げることが
できる。
なウェハ裏面の粗さを規定したので、放射吸収能を確実
に向上させることができ、サーマルクリーニングを安
定、短時間、かつ完全に行なうことができる。また、完
全にサーマルクリーニングできるため、高品質なエピタ
キシャル層を安定して成長でき、歩留りを上げることが
できる。
【００３３】さらに本発明のウェハを製造するにあたっ
ては、新たな装置は必要はなく、これまでのウェハ加工
装置を使用でき、ウェハ加工工程の極く一部の条件を変
更するだけで良いので、経済的に有利である。
ては、新たな装置は必要はなく、これまでのウェハ加工
装置を使用でき、ウェハ加工工程の極く一部の条件を変
更するだけで良いので、経済的に有利である。
【００３４】(3) 請求項３〜５に記載の発明によれば、
化合物半導体を量産化されているIII −Ｖ族化合物半導
体やＧａＡｓやＩｎＰとしたから経済性に優れる。
化合物半導体を量産化されているIII −Ｖ族化合物半導
体やＧａＡｓやＩｎＰとしたから経済性に優れる。
【図１】本発明の化合物半導体ウェハの実施例を説明す
るためのＧａＡｓウェハ裏面の表面粗さがサーマルクリ
ーニング時間に及ぼす影響を説明する分布特性図。
るためのＧａＡｓウェハ裏面の表面粗さがサーマルクリ
ーニング時間に及ぼす影響を説明する分布特性図。
【図２】最大高さＲmax の定義の説明図。
【図３】平均距離Ｌの定義の説明図。
ｌs 基準長さ
Claims (5)
- 【請求項１】放射吸収能をもたせるために粗面化した裏
面を有する化合物半導体ウェハ。 - 【請求項２】上記粗面化度は表面粗さを次式で定義した
とき、 Ｒ＝Ｒmax ／Ｌ Ｒmax ：基準長さｌs について平均線に平行な二直線で
断面曲線を挟んだときの二直線の間隔 平均線：断面曲線または粗さ曲線までの偏差の自乗和が
最小になるように設定した線 Ｌ：基準長さｌs において、隣り合う凸部の最高部まで
の平均距離（Ｌ≦１５μm とする） Ｒ≧０．１５ である請求項１に記載の化合物半導体ウェハ。 - 【請求項３】上記化合物半導体はIII −Ｖ族化合物半導
体である請求項１または２に記載の化合物半導体ウェ
ハ。 - 【請求項４】上記III −Ｖ族化合物半導体はＧａＡｓで
ある請求項３に記載の化合物半導体ウェハ。 - 【請求項５】上記III −Ｖ族化合物半導体はＩｎＰであ
る請求項３に記載の化合物半導体ウェハ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP31163393A JPH07161666A (ja) | 1993-12-13 | 1993-12-13 | 化合物半導体ウェハ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP31163393A JPH07161666A (ja) | 1993-12-13 | 1993-12-13 | 化合物半導体ウェハ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07161666A true JPH07161666A (ja) | 1995-06-23 |
Family
ID=18019620
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP31163393A Pending JPH07161666A (ja) | 1993-12-13 | 1993-12-13 | 化合物半導体ウェハ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07161666A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2014159052A (ja) * | 2013-02-19 | 2014-09-04 | Rohm Co Ltd | チップ部品およびその製造方法 |
-
1993
- 1993-12-13 JP JP31163393A patent/JPH07161666A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2014159052A (ja) * | 2013-02-19 | 2014-09-04 | Rohm Co Ltd | チップ部品およびその製造方法 |
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