JPH07159992A - パターン形成材料およびパターン形成方法 - Google Patents
パターン形成材料およびパターン形成方法Info
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- JPH07159992A JPH07159992A JP5306251A JP30625193A JPH07159992A JP H07159992 A JPH07159992 A JP H07159992A JP 5306251 A JP5306251 A JP 5306251A JP 30625193 A JP30625193 A JP 30625193A JP H07159992 A JPH07159992 A JP H07159992A
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Landscapes
- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Materials For Photolithography (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】超高圧水銀灯のｉ−線に優れた感度を有し、か
つ高解像性を有するアルカリ水溶液現像可能なレジス
ト、ならびにそれを用いたパターン形成方法を提供す
る。 【構成】熱硬化性樹脂，ｉ−線露光により臭化水素酸を
効率良く発生する酸前駆体からなるパターン形成材料お
よび、それを用いたパターン形成方法から構成される。
つ高解像性を有するアルカリ水溶液現像可能なレジス
ト、ならびにそれを用いたパターン形成方法を提供す
る。 【構成】熱硬化性樹脂，ｉ−線露光により臭化水素酸を
効率良く発生する酸前駆体からなるパターン形成材料お
よび、それを用いたパターン形成方法から構成される。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体装置等の微細加
工に用いられるパターン形成材料及びパターン形成方法
に関する。
工に用いられるパターン形成材料及びパターン形成方法
に関する。
【０００２】
【従来の技術】電子線，紫外線等、活性化学線のパター
ン状照射によりパターン潜像形成部に酸を生成せしめ、
この酸を触媒とする反応によって、活性化学線照射部の
未照射部に対する溶解性を減少させ、現像工程によりネ
ガ型パターンを現出させるパターン形成材料、及びそれ
を用いたパターン形成方法に関しては、特開昭62−1640
45号公報に記載のものが知られている。これは、酸触媒
下で架橋反応を起こす媒体と、放射線の照射で酸を生成
する酸前駆体とを含む。この従来例では、パターン形成
材料の酸前駆体として、ハロゲン化イソシアヌレートや
トリクロロメチル化物等、有機ハロゲン化合物が、記載
されている。
ン状照射によりパターン潜像形成部に酸を生成せしめ、
この酸を触媒とする反応によって、活性化学線照射部の
未照射部に対する溶解性を減少させ、現像工程によりネ
ガ型パターンを現出させるパターン形成材料、及びそれ
を用いたパターン形成方法に関しては、特開昭62−1640
45号公報に記載のものが知られている。これは、酸触媒
下で架橋反応を起こす媒体と、放射線の照射で酸を生成
する酸前駆体とを含む。この従来例では、パターン形成
材料の酸前駆体として、ハロゲン化イソシアヌレートや
トリクロロメチル化物等、有機ハロゲン化合物が、記載
されている。
【０００３】しかし、これら酸前駆体は、長波長光（３
００ｎｍ−４００ｎｍ）の露光に対する酸発生効率が低
く、例えば、ｉ−線（３６５ｎｍ）を用いたリソグラフ
ィに適用するにはＳＰＩＥ Vol. １２６２，５７５(１
９９０）に記載のように増感剤を用いなければならな
い。一般に増感剤は疎水性であるために、レジスト材料
に用いるとレジストの現像性並びに解像性が低下すると
いう問題がある。
００ｎｍ−４００ｎｍ）の露光に対する酸発生効率が低
く、例えば、ｉ−線（３６５ｎｍ）を用いたリソグラフ
ィに適用するにはＳＰＩＥ Vol. １２６２，５７５(１
９９０）に記載のように増感剤を用いなければならな
い。一般に増感剤は疎水性であるために、レジスト材料
に用いるとレジストの現像性並びに解像性が低下すると
いう問題がある。
【０００４】長波長光の露光により、効率良く酸を生成
する化合物として特開昭60−239736号公報に記載のｓ−
トリアジン系化合物が知られている。ｓ−トリアジン系
化合物は、塩化物のみが熱的に安定であるので、塩化水
素酸発生剤としての実用に限定される。一般に、塩化水
素酸は揮発性が高く、高解像性のパターンが得られにく
い。このため、ｓ−トリアジン系酸発生剤を、高解像度
パターン形成用酸前駆体として利用するには問題があ
る。
する化合物として特開昭60−239736号公報に記載のｓ−
トリアジン系化合物が知られている。ｓ−トリアジン系
化合物は、塩化物のみが熱的に安定であるので、塩化水
素酸発生剤としての実用に限定される。一般に、塩化水
素酸は揮発性が高く、高解像性のパターンが得られにく
い。このため、ｓ−トリアジン系酸発生剤を、高解像度
パターン形成用酸前駆体として利用するには問題があ
る。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】上記従来技術に用いら
れている酸前駆体は、保存安定性，ｉ−線(３６５ｎｍ)
等長波長光露光法における酸発生効率、ならびに解像性
に対する配慮が充分ではなかった。
れている酸前駆体は、保存安定性，ｉ−線(３６５ｎｍ)
等長波長光露光法における酸発生効率、ならびに解像性
に対する配慮が充分ではなかった。
【０００６】本発明の課題は、上記従来技術に用いられ
ている酸前駆体の問題点を克服し、超高圧水銀灯のｉ−
線（３６５ｎｍ）のパターン状照射によりパターン潜像
形成部に効率良く酸を生成せしめ、この酸を触媒とする
反応によって、照射部と未照射部のアルカリ水溶液に対
する溶解性を減少させ、工業的に有利なアルカリ水溶液
を現像液とする工程により、高解像性のネガ型パターン
を現出させるパターン形成材料、及びそれを用いたパタ
ーン形成方法を提供することにある。
ている酸前駆体の問題点を克服し、超高圧水銀灯のｉ−
線（３６５ｎｍ）のパターン状照射によりパターン潜像
形成部に効率良く酸を生成せしめ、この酸を触媒とする
反応によって、照射部と未照射部のアルカリ水溶液に対
する溶解性を減少させ、工業的に有利なアルカリ水溶液
を現像液とする工程により、高解像性のネガ型パターン
を現出させるパターン形成材料、及びそれを用いたパタ
ーン形成方法を提供することにある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】上記課題は熱硬化性樹脂
と、分子内にブロモメチル基を有し、３６５ｎｍにおけ
る分子吸光係数が１０００ｌ・cm／mol 以上である酸前
駆体とを含むことを特徴とするパターン形成材料、なら
びにこのパターン形成材料を用いたパターン形成方法に
よって達成される。
と、分子内にブロモメチル基を有し、３６５ｎｍにおけ
る分子吸光係数が１０００ｌ・cm／mol 以上である酸前
駆体とを含むことを特徴とするパターン形成材料、なら
びにこのパターン形成材料を用いたパターン形成方法に
よって達成される。
【０００８】本発明に用いる酸前駆体としては、２−ブ
ロモアセチルナフタレン、２−ブロモアセチル−６，７
−ジメトキシナフタレン、１−ヒドロキシ−４−ブロモ
−２−ブロモアセチルナフタレン、１−ヒドロキシ−４
−ブロモ−２−ジブロモアセチルナフタレン、１，３，
５−トリス（ブロモアセチル）ベンゼン、３−ブロモア
セチルクマリン、３−ブロモメチル−７−メトキシ−
１，４−ベンゾキサジン−２−オン、４−ブロモメチル
−６，７−ジメトキシクマリン、４−ブロモメチル−６
−メトキシクマリン等がある。
ロモアセチルナフタレン、２−ブロモアセチル−６，７
−ジメトキシナフタレン、１−ヒドロキシ−４−ブロモ
−２−ブロモアセチルナフタレン、１−ヒドロキシ−４
−ブロモ−２−ジブロモアセチルナフタレン、１，３，
５−トリス（ブロモアセチル）ベンゼン、３−ブロモア
セチルクマリン、３−ブロモメチル−７−メトキシ−
１，４−ベンゾキサジン−２−オン、４−ブロモメチル
−６，７−ジメトキシクマリン、４−ブロモメチル−６
−メトキシクマリン等がある。
【０００９】本発明に用いられる熱硬化性樹脂は、ノボ
ラック樹脂等のアルカリ可溶性樹脂とエポキシ基，メト
キシメチル基、またはメチロール基等を有する化合物と
からなる混合樹脂系が好ましい。これら熱硬化性樹脂系
は、酸触媒による重合，縮合によってアルカリ可溶性を
減じる。
ラック樹脂等のアルカリ可溶性樹脂とエポキシ基，メト
キシメチル基、またはメチロール基等を有する化合物と
からなる混合樹脂系が好ましい。これら熱硬化性樹脂系
は、酸触媒による重合，縮合によってアルカリ可溶性を
減じる。
【００１０】
【作用】本発明で用いる酸前駆体は、水銀灯輝線のｉ−
線（３６５ｎｍ）の照射により、ブロムラジカルを生成
し、水素源があると水素を引き抜き、臭化水素酸を生成
する。酸を触媒とする反応により、アルカリ水溶液に対
する溶解性が低下する熱硬化性樹脂中に、本発明の酸前
駆体が存在すれば、臭化水素酸生成反応は、容易に起こ
る。従って、熱硬化性樹脂と本発明の酸前駆体とを含む
パターン形成材料を基板上に塗膜とし、パターン状活性
化学線（ｉ−線）を照射すると、照射された塗膜の部分
においては、発生した臭化水素酸を触媒とする反応によ
って、アルカリ水溶液に対する溶解性が減少する。
線（３６５ｎｍ）の照射により、ブロムラジカルを生成
し、水素源があると水素を引き抜き、臭化水素酸を生成
する。酸を触媒とする反応により、アルカリ水溶液に対
する溶解性が低下する熱硬化性樹脂中に、本発明の酸前
駆体が存在すれば、臭化水素酸生成反応は、容易に起こ
る。従って、熱硬化性樹脂と本発明の酸前駆体とを含む
パターン形成材料を基板上に塗膜とし、パターン状活性
化学線（ｉ−線）を照射すると、照射された塗膜の部分
においては、発生した臭化水素酸を触媒とする反応によ
って、アルカリ水溶液に対する溶解性が減少する。
【００１１】上記反応は触媒反応であるので、酸を生成
させる露光量は、わずかで良い。パターン形成を効率よ
く行うためには、単位露光量当たりの酸発生量はできる
だけ高いことが望ましい。単位露光量当たりの酸発生量
は、酸前駆体の露光波長における分子吸光係数に比例す
るので、露光波長での分子吸光係数が１０００ｌ・cm／
mol 以上である酸前駆体を用いた本発明のパターン形成
材料は高感度である。
させる露光量は、わずかで良い。パターン形成を効率よ
く行うためには、単位露光量当たりの酸発生量はできる
だけ高いことが望ましい。単位露光量当たりの酸発生量
は、酸前駆体の露光波長における分子吸光係数に比例す
るので、露光波長での分子吸光係数が１０００ｌ・cm／
mol 以上である酸前駆体を用いた本発明のパターン形成
材料は高感度である。
【００１２】
（実施例１）ｍ，ｐ−クレゾールノボラック樹脂，メラ
ミン樹脂（三井シアナミッド製：サイメル３００），３
−ブロモアセチルクマリンを１００：１０：５の重量比
でシクロヘキサノンに溶解させてフォトレジスト溶液を
調製した。この溶液をシリコンウェハ上にスピン塗布
し、１００℃で２分間ベークして厚さ１.０μｍ の塗布
膜を形成した。この膜に、６００ＷのＨｇ−Ｘｅランプ
からの光を、ｉ−線干渉フィルタとテストパタン用マス
クを介して露光した。露光後１００℃で２分間ベークし
た後、水酸化テトラメチルアンモニウム水溶液（東京応
化製、商品名NMD−３）で塗布膜を現像した。この操作
により未露光部分の塗膜は除去され、露光により不溶化
した塗膜のみがウェハ上に残った。その結果５００ｍＪ
／cm2 で、残留膜厚０.９７μｍ のテストパターンに忠
実な、ネガ型パターンを得ることができた。
ミン樹脂（三井シアナミッド製：サイメル３００），３
−ブロモアセチルクマリンを１００：１０：５の重量比
でシクロヘキサノンに溶解させてフォトレジスト溶液を
調製した。この溶液をシリコンウェハ上にスピン塗布
し、１００℃で２分間ベークして厚さ１.０μｍ の塗布
膜を形成した。この膜に、６００ＷのＨｇ−Ｘｅランプ
からの光を、ｉ−線干渉フィルタとテストパタン用マス
クを介して露光した。露光後１００℃で２分間ベークし
た後、水酸化テトラメチルアンモニウム水溶液（東京応
化製、商品名NMD−３）で塗布膜を現像した。この操作
により未露光部分の塗膜は除去され、露光により不溶化
した塗膜のみがウェハ上に残った。その結果５００ｍＪ
／cm2 で、残留膜厚０.９７μｍ のテストパターンに忠
実な、ネガ型パターンを得ることができた。
【００１３】（実施例２）ｍ，ｐ−クレゾールノボラッ
ク樹脂，メラミン樹脂（三井シアナミッド製：サイメル
３００），１−ヒドロキシ−４−ブロモ−２−ブロモア
セチルナフタレンを１００：１０：１５の重量比でシク
ロヘキサノンに溶解させてフォトレジスト溶液を調製し
た。この溶液をシリコンウェハ上にスピン塗布し、１０
０℃で２分間ベークして厚さ１.０μｍ の塗布膜を形成
した後、実施例１のパターン形成方法を繰り返した。そ
の結果１５０ｍＪ／cm2 で、残留膜厚０.９７μｍ のテ
ストパターンに忠実な、ネガ型パターンを得ることがで
きた。
ク樹脂，メラミン樹脂（三井シアナミッド製：サイメル
３００），１−ヒドロキシ−４−ブロモ−２−ブロモア
セチルナフタレンを１００：１０：１５の重量比でシク
ロヘキサノンに溶解させてフォトレジスト溶液を調製し
た。この溶液をシリコンウェハ上にスピン塗布し、１０
０℃で２分間ベークして厚さ１.０μｍ の塗布膜を形成
した後、実施例１のパターン形成方法を繰り返した。そ
の結果１５０ｍＪ／cm2 で、残留膜厚０.９７μｍ のテ
ストパターンに忠実な、ネガ型パターンを得ることがで
きた。
【００１４】（実施例３）ｍ，ｐ−クレゾールノボラッ
ク樹脂，メラミン樹脂（三井シアナミッド製：サイメル
３００），２−ブロモアセチルナフタレンを１００：１
０：２０の重量比でシクロヘキサノンに溶解させてフォ
トレジスト溶液を調製した。この溶液をシリコンウェハ
上にスピン塗布し、１００℃で２分間ベークして厚さ
１.０μｍ の塗布膜を形成した後、実施例１のパターン
形成方法を繰り返した。その結果250ｍＪ／cm2 で、残
留膜厚０.９７μｍ のテストパターンに忠実な、ネガ型
パターンを得ることができた。
ク樹脂，メラミン樹脂（三井シアナミッド製：サイメル
３００），２−ブロモアセチルナフタレンを１００：１
０：２０の重量比でシクロヘキサノンに溶解させてフォ
トレジスト溶液を調製した。この溶液をシリコンウェハ
上にスピン塗布し、１００℃で２分間ベークして厚さ
１.０μｍ の塗布膜を形成した後、実施例１のパターン
形成方法を繰り返した。その結果250ｍＪ／cm2 で、残
留膜厚０.９７μｍ のテストパターンに忠実な、ネガ型
パターンを得ることができた。
【００１５】（実施例４）ｍ，ｐ−クレゾールノボラッ
ク樹脂，メラミン樹脂（三井シアナミッド製：サイメル
３００），２−ブロモアセチル−６，７−ジメトキシナ
フタレンを１００：１０：２０の重量比でシクロヘキサ
ノンに溶解させてフォトレジスト溶液を調製した。この
溶液をシリコンウェハ上にスピン塗布し、１００℃で２
分間ベークして厚さ１.０μｍ の塗布膜を形成した後、
実施例１のパターン形成方法を繰り返した。その結果、
４００ｍＪ／cm2 で残留膜厚０.９７μｍ のテストパタ
ーンに忠実な、ネガ型パターンを得ることができた。
ク樹脂，メラミン樹脂（三井シアナミッド製：サイメル
３００），２−ブロモアセチル−６，７−ジメトキシナ
フタレンを１００：１０：２０の重量比でシクロヘキサ
ノンに溶解させてフォトレジスト溶液を調製した。この
溶液をシリコンウェハ上にスピン塗布し、１００℃で２
分間ベークして厚さ１.０μｍ の塗布膜を形成した後、
実施例１のパターン形成方法を繰り返した。その結果、
４００ｍＪ／cm2 で残留膜厚０.９７μｍ のテストパタ
ーンに忠実な、ネガ型パターンを得ることができた。
【００１６】（実施例５）ｍ，ｐ−クレゾールノボラッ
ク樹脂，メラミン樹脂（三井シアナミッド製：サイメル
３００），１−ヒドロキシ−４−ブロモ−２−ジブロモ
アセチルナフタレンを１００：１０：１５の重量比でシ
クロヘキサノンに溶解させてフォトレジスト溶液を調製
した。この溶液をシリコンウェハ上にスピン塗布し、１
００℃で２分間ベークして厚さ１.０μｍ の塗布膜を形
成した後、実施例１のパターン形成方法を繰り返した。
その結果、２５０ｍＪ／cm2 で残留膜厚０.９７μｍ の
テストパターンに忠実な、ネガ型パターンを得ることが
できた。
ク樹脂，メラミン樹脂（三井シアナミッド製：サイメル
３００），１−ヒドロキシ−４−ブロモ−２−ジブロモ
アセチルナフタレンを１００：１０：１５の重量比でシ
クロヘキサノンに溶解させてフォトレジスト溶液を調製
した。この溶液をシリコンウェハ上にスピン塗布し、１
００℃で２分間ベークして厚さ１.０μｍ の塗布膜を形
成した後、実施例１のパターン形成方法を繰り返した。
その結果、２５０ｍＪ／cm2 で残留膜厚０.９７μｍ の
テストパターンに忠実な、ネガ型パターンを得ることが
できた。
【００１７】（実施例６）ｍ，ｐ−クレゾールノボラッ
ク樹脂，メラミン樹脂（三井シアナミッド製：サイメル
３００），４−ブロモメチル−６，７−ジメトキシクマ
リンを１００：１０：４の重量比でシクロヘキサノンに
溶解させてフォトレジスト溶液を調製した。この溶液を
シリコンウェハ上にスピン塗布し、１００℃で２分間ベ
ークして厚さ１.０μｍ の塗布膜を形成した後、実施例
１のパターン形成方法を繰り返した。その結果、４００
ｍＪ／cm2 で残留膜厚０.９７μｍ のテストパターンに
忠実な、ネガ型パターンを得ることができた。
ク樹脂，メラミン樹脂（三井シアナミッド製：サイメル
３００），４−ブロモメチル−６，７−ジメトキシクマ
リンを１００：１０：４の重量比でシクロヘキサノンに
溶解させてフォトレジスト溶液を調製した。この溶液を
シリコンウェハ上にスピン塗布し、１００℃で２分間ベ
ークして厚さ１.０μｍ の塗布膜を形成した後、実施例
１のパターン形成方法を繰り返した。その結果、４００
ｍＪ／cm2 で残留膜厚０.９７μｍ のテストパターンに
忠実な、ネガ型パターンを得ることができた。
【００１８】（実施例７）ｍ，ｐ−クレゾールノボラッ
ク樹脂，メラミン樹脂（三井シアナミッド製：サイメル
３００），３−ブロモメチル−７−メトキシ−１，４−
ベンゾキサジン−２−オンを１００：１０：１５の重量
比でシクロヘキサノンに溶解させてフォトレジスト溶液
を調製した。この溶液をシリコンウェハ上にスピン塗布
し、１００℃で２分間ベークして厚さ１.０μｍ の塗布
膜を形成した後、実施例１のパターン形成方法を繰り返
した。その結果、１５０ｍＪ／cm2 で残留膜厚０.９７
μｍのテストパターンに忠実な、ネガ型パターンを得る
ことができた。
ク樹脂，メラミン樹脂（三井シアナミッド製：サイメル
３００），３−ブロモメチル−７−メトキシ−１，４−
ベンゾキサジン−２−オンを１００：１０：１５の重量
比でシクロヘキサノンに溶解させてフォトレジスト溶液
を調製した。この溶液をシリコンウェハ上にスピン塗布
し、１００℃で２分間ベークして厚さ１.０μｍ の塗布
膜を形成した後、実施例１のパターン形成方法を繰り返
した。その結果、１５０ｍＪ／cm2 で残留膜厚０.９７
μｍのテストパターンに忠実な、ネガ型パターンを得る
ことができた。
【００１９】（実施例８）ｍ，ｐ−クレゾールノボラッ
ク樹脂，メラミン樹脂（三井シアナミッド製：サイメル
３００），１，３，５−トリス（ブロモアセチル）ベン
ゼンを１００：１０：２０の重量比でシクロヘキサノン
に溶解させてフォトレジスト溶液を調製した。この溶液
をシリコンウェハ上にスピン塗布し、１００℃で２分間
ベークして厚さ１.０μｍ の塗布膜を形成した後、実施
例１のパターン形成方法を繰り返した。その結果、４０
０ｍＪ／cm2 で残留膜厚０.９７μｍ のテストパターン
に忠実な、ネガ型パターンを得ることができた。
ク樹脂，メラミン樹脂（三井シアナミッド製：サイメル
３００），１，３，５−トリス（ブロモアセチル）ベン
ゼンを１００：１０：２０の重量比でシクロヘキサノン
に溶解させてフォトレジスト溶液を調製した。この溶液
をシリコンウェハ上にスピン塗布し、１００℃で２分間
ベークして厚さ１.０μｍ の塗布膜を形成した後、実施
例１のパターン形成方法を繰り返した。その結果、４０
０ｍＪ／cm2 で残留膜厚０.９７μｍ のテストパターン
に忠実な、ネガ型パターンを得ることができた。
【００２０】（実施例９）ｍ，ｐ−クレゾールノボラッ
ク樹脂，メラミン樹脂（三井シアナミッド製：サイメル
３００），４−ブロモメチル−６−メトキシクマリンを
１００：１０：４の重量比でシクロヘキサノンに溶解さ
せてフォトレジスト溶液を調製した。この溶液をシリコ
ンウェハ上にスピン塗布し、１００℃で２分間ベークし
て厚さ1.0μｍの塗布膜を形成した後、実施例１のパタ
ーン形成方法を繰り返した。その結果、５００ｍＪ／cm
2 で残留膜厚０.９７μｍ のテストパターンに忠実な、
ネガ型パターンを得ることができた。
ク樹脂，メラミン樹脂（三井シアナミッド製：サイメル
３００），４−ブロモメチル−６−メトキシクマリンを
１００：１０：４の重量比でシクロヘキサノンに溶解さ
せてフォトレジスト溶液を調製した。この溶液をシリコ
ンウェハ上にスピン塗布し、１００℃で２分間ベークし
て厚さ1.0μｍの塗布膜を形成した後、実施例１のパタ
ーン形成方法を繰り返した。その結果、５００ｍＪ／cm
2 で残留膜厚０.９７μｍ のテストパターンに忠実な、
ネガ型パターンを得ることができた。
【００２１】
【発明の効果】本発明のパターン形成材料ならびにパタ
ーン形成方法によって、高解像性パターンを効率良く形
成することが可能となる。
ーン形成方法によって、高解像性パターンを効率良く形
成することが可能となる。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｇ０３Ｆ 7/38 ５１１ 7124−2Ｈ Ｈ０１Ｌ 21/027 (72)発明者 上野 巧 東京都国分寺市東恋ケ窪１丁目280番地 株式会社日立製作所中央研究所内 (72)発明者 佐々木 守 東京都新宿区西新宿２丁目１番１号 日立 化成工業株式会社内 (72)発明者 橋本 通晰 東京都新宿区西新宿２丁目１番１号 日立 化成工業株式会社内
Claims (3)
- 【請求項１】熱硬化性樹脂および分子内にブロモメチル
基を有し３６５ｎｍにおける分子吸光係数が１０００ｌ
・cm／mol 以上である酸前駆体を含むことを特徴とする
パターン形成材料。 - 【請求項２】請求項１に記載の酸前駆体として、２−ブ
ロモアセチルナフタレン、２−ブロモアセチル−６，７
−ジメトキシナフタレン、１−ヒドロキシ−４−ブロモ
−２−ブロモアセチルナフタレン、１−ヒドロキシ−４
−ブロモ−２−ジブロモアセチルナフタレン、１，３，
５−トリス（ブロモアセチル）ベンゼン、３−ブロモア
セチルクマリン、３−ブロモメチル−７−メトキシ−
１，４−ベンゾキサジン−２−オン、４−ブロモメチル
−６，７−ジメトキシクマリン、４−ブロモメチル−７
−メトキシクマリンから選ばれる少なくとも一つの有機
化合物を含むパターン形成材料。 - 【請求項３】請求項１もしくは請求項２に記載のパター
ン形成材料からなる塗膜を形成する工程と、超高圧水銀
灯のｉ−線（３６５ｎｍ）を用いて前記塗膜に所定のパ
ターン潜像を形成する工程と、前記パターン潜像形成部
のアルカリ水溶液に対する溶解性を変化させる反応を促
進する工程と、アルカリ水溶液を現像液として、所定パ
ターンを現像する工程とを含むパターン形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5306251A JPH07159992A (ja) | 1993-12-07 | 1993-12-07 | パターン形成材料およびパターン形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5306251A JPH07159992A (ja) | 1993-12-07 | 1993-12-07 | パターン形成材料およびパターン形成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07159992A true JPH07159992A (ja) | 1995-06-23 |
Family
ID=17954826
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5306251A Pending JPH07159992A (ja) | 1993-12-07 | 1993-12-07 | パターン形成材料およびパターン形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07159992A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FR2782560A1 (fr) * | 1998-08-18 | 2000-02-25 | Ciba Sc Holding Ag | Composition activable par la lumiere, reserves qui en sont constituees et leurs utilisations |
-
1993
- 1993-12-07 JP JP5306251A patent/JPH07159992A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FR2782560A1 (fr) * | 1998-08-18 | 2000-02-25 | Ciba Sc Holding Ag | Composition activable par la lumiere, reserves qui en sont constituees et leurs utilisations |
| BE1012410A3 (fr) * | 1998-08-18 | 2000-10-03 | Ciba Sc Holding Ag | Composition activable par la lumiere, reserves qui en sont constituees et leurs utilisations. |
| NL1012854C2 (nl) * | 1998-08-18 | 2000-12-19 | Ciba Sc Holding Ag | Sulfonyloxims voor i-lijn-fotoresists met een hoge gevoeligheid en een grote resistdikte. |
| ES2155799A1 (es) * | 1998-08-18 | 2001-05-16 | Ciba Sc Holding Ag | "sulfoniloximas para fotorresistores de linea i de alta sensibilidad yaltos espesores de resistencia" |
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