JPH0715081A - 半導体レーザ及びその製造方法 - Google Patents
半導体レーザ及びその製造方法Info
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- JPH0715081A JPH0715081A JP15176393A JP15176393A JPH0715081A JP H0715081 A JPH0715081 A JP H0715081A JP 15176393 A JP15176393 A JP 15176393A JP 15176393 A JP15176393 A JP 15176393A JP H0715081 A JPH0715081 A JP H0715081A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】高出力半導体レーザで困難であった端面への良
好な結晶成長を容易とし、半導体レーザの端面劣化を格
段に改善し得る半導体レーザを実現する。 【構成】半導体レーザの端面を、劈開面である低指数面
からからずれた面で構成される凹凸形状に加工して端面
に単結晶保護層を成長する。低指数面からずれた面に単
結晶保護膜を形成する方法としては、異なる組成の半導
体層により構成された半導体レーザの結晶の断面を劈開
により形成し、これを半導体結晶層の組成により腐食速
度の異なるエッチング方法でエッチングすることによ
り、エッチング面を半導体層の組成に対応した凹凸形状
に形成し、この上に例えばＭＯＣＶＤにより単結晶保護
膜を成長させる。
好な結晶成長を容易とし、半導体レーザの端面劣化を格
段に改善し得る半導体レーザを実現する。 【構成】半導体レーザの端面を、劈開面である低指数面
からからずれた面で構成される凹凸形状に加工して端面
に単結晶保護層を成長する。低指数面からずれた面に単
結晶保護膜を形成する方法としては、異なる組成の半導
体層により構成された半導体レーザの結晶の断面を劈開
により形成し、これを半導体結晶層の組成により腐食速
度の異なるエッチング方法でエッチングすることによ
り、エッチング面を半導体層の組成に対応した凹凸形状
に形成し、この上に例えばＭＯＣＶＤにより単結晶保護
膜を成長させる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体レーザ及びその
製造方法に係り、特にレーザビームプリンタ、光ディス
ク、レーザ加工装置等の光源として好適な高出力半導体
レーザ及びその製造方法に関する。
製造方法に係り、特にレーザビームプリンタ、光ディス
ク、レーザ加工装置等の光源として好適な高出力半導体
レーザ及びその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来の高出力半導体レーザは、図５にそ
の要部断面を示すようにＡｌＧａＡｓ系材料により形成
された半導体レーザ素子の端面（劈開面からなる反射鏡
面）に、保護層２８としてＭＯＣＶＤ法によりＡｌ0．5
Ｇａ0．5Ａｓを追加成長し、光損傷を受け易い半導体レ
ーザの活性層３８が直接結晶表面に出ることを防止する
ことにより、光損傷を防ぎ高出力を得るものであった。
なお、同図において、３７はｐ-ＧａＡｓ基板、１０は
ｎ-ＧａＡｓブロック層、４はｐ-ＡｌＧａＡｓクラッド
層、２はｎ-ＡｌＧａＡｓクラッド層、３９はｎ-ＧａＡ
ｓキャップ層、１３は表面電極である。
の要部断面を示すようにＡｌＧａＡｓ系材料により形成
された半導体レーザ素子の端面（劈開面からなる反射鏡
面）に、保護層２８としてＭＯＣＶＤ法によりＡｌ0．5
Ｇａ0．5Ａｓを追加成長し、光損傷を受け易い半導体レ
ーザの活性層３８が直接結晶表面に出ることを防止する
ことにより、光損傷を防ぎ高出力を得るものであった。
なお、同図において、３７はｐ-ＧａＡｓ基板、１０は
ｎ-ＧａＡｓブロック層、４はｐ-ＡｌＧａＡｓクラッド
層、２はｎ-ＡｌＧａＡｓクラッド層、３９はｎ-ＧａＡ
ｓキャップ層、１３は表面電極である。
【０００３】この種の高出力半導体レーザに関連するも
のとしては、例えば日本応用物理学会誌、第３０巻、第
９０４頁〜第９０６頁、１９９１年〔Ｊpn．Ｊ．of Ａp
pl．Ｐhys． ｖol. ３０（１９９１）Ｌ９０４Ｐ〕が挙
げられる。
のとしては、例えば日本応用物理学会誌、第３０巻、第
９０４頁〜第９０６頁、１９９１年〔Ｊpn．Ｊ．of Ａp
pl．Ｐhys． ｖol. ３０（１９９１）Ｌ９０４Ｐ〕が挙
げられる。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】上記従来の高出力半導
体レーザにおいては、半導体レーザの劈開面上に保護層
２８としてＡｌ0．5Ｇａ0．5Ａｓを成長させているが、
結晶性の良好な保護層結晶を再現性よく成長することは
難しく、素子特性の劣化や再現性の低下を招いていた。
体レーザにおいては、半導体レーザの劈開面上に保護層
２８としてＡｌ0．5Ｇａ0．5Ａｓを成長させているが、
結晶性の良好な保護層結晶を再現性よく成長することは
難しく、素子特性の劣化や再現性の低下を招いていた。
【０００５】したがって、本発明の目的は、このような
従来の問題点を解消することにあり、第１の目的は素子
構造の改良された半導体レーザを、第２の目的はその製
造方法を、それぞれ提供することにある。
従来の問題点を解消することにあり、第１の目的は素子
構造の改良された半導体レーザを、第２の目的はその製
造方法を、それぞれ提供することにある。
【０００６】
【課題を解決するための手段】上記従来技術の問題点を
解決するため本発明では、端面に設ける単結晶保護層膜
を、劈開ではなく低指数面である劈開面から所定角度ず
れた面を含む結晶面上に形成する構造とした。
解決するため本発明では、端面に設ける単結晶保護層膜
を、劈開ではなく低指数面である劈開面から所定角度ず
れた面を含む結晶面上に形成する構造とした。
【０００７】このような低指数面からずれた面に単結晶
保護膜を形成する方法として、異なる組成の半導体層に
より構成された半導体レーザの結晶の断面を劈開により
形成し、これを半導体結晶層の組成により腐食速度の異
なるエッチング方法でエッチングすることにより、エッ
チング面を半導体層の組成に対応した凹凸形状に形成
し、この上に例えばＭＯＣＶＤにより単結晶保護膜を成
長させる。
保護膜を形成する方法として、異なる組成の半導体層に
より構成された半導体レーザの結晶の断面を劈開により
形成し、これを半導体結晶層の組成により腐食速度の異
なるエッチング方法でエッチングすることにより、エッ
チング面を半導体層の組成に対応した凹凸形状に形成
し、この上に例えばＭＯＣＶＤにより単結晶保護膜を成
長させる。
【０００８】なお、低指数面である劈開面から所定角度
ずれた面を実現するに際しては、レーザ光の波長よりも
短い凹凸形状とすることが望ましく、わずかな凹凸によ
るずれ面でもそれ相当の効果が認められるが、好ましく
は０．１〜２０度ずれた面、より好ましくは７度〜１０
度ずれた面を形成することが望ましい。この劈開面から
のずれ角度の調整は、半導体素子を構成する薄膜結晶層
の組成、及びエッチング方法の選択により行われる。エ
ッチング方法が湿式であればエッチング液の選択、乾式
であればエッチングガスの選択となる。
ずれた面を実現するに際しては、レーザ光の波長よりも
短い凹凸形状とすることが望ましく、わずかな凹凸によ
るずれ面でもそれ相当の効果が認められるが、好ましく
は０．１〜２０度ずれた面、より好ましくは７度〜１０
度ずれた面を形成することが望ましい。この劈開面から
のずれ角度の調整は、半導体素子を構成する薄膜結晶層
の組成、及びエッチング方法の選択により行われる。エ
ッチング方法が湿式であればエッチング液の選択、乾式
であればエッチングガスの選択となる。
【０００９】以下に、本発明の具体的な目的達成手段を
まとめて説明すると、上記第１の目的は、異なる導電型
と異なる禁制帯幅を有する半導体結晶により形成され、
通電によりレーザ光を放射する半導体レーザ素子であっ
て、少なくともレーザ出射端面に前記半導体レーザを形
成する半導体結晶を種結晶として結晶成長し、レーザ光
のエネルギーよりも大きな禁制帯幅をもつ単結晶膜を端
面保護層として有するものであって、上記単結晶保護層
が形成される端面は前記半導体結晶の低指数面からずれ
た面を含む面により構成されて成る半導体レーザによ
り、達成される。
まとめて説明すると、上記第１の目的は、異なる導電型
と異なる禁制帯幅を有する半導体結晶により形成され、
通電によりレーザ光を放射する半導体レーザ素子であっ
て、少なくともレーザ出射端面に前記半導体レーザを形
成する半導体結晶を種結晶として結晶成長し、レーザ光
のエネルギーよりも大きな禁制帯幅をもつ単結晶膜を端
面保護層として有するものであって、上記単結晶保護層
が形成される端面は前記半導体結晶の低指数面からずれ
た面を含む面により構成されて成る半導体レーザによ
り、達成される。
【００１０】そして好ましくは、上記端面は上記半導体
結晶の低指数面から０．１〜２０度ずれた面を含む面に
より構成される。また、上記端面保護層は、上記半導体
レーザを構成する半導体層に対し引張歪を発生する如き
格子不整合を有する単結晶薄膜で構成することが望まし
い。
結晶の低指数面から０．１〜２０度ずれた面を含む面に
より構成される。また、上記端面保護層は、上記半導体
レーザを構成する半導体層に対し引張歪を発生する如き
格子不整合を有する単結晶薄膜で構成することが望まし
い。
【００１１】さらにまた、上記単結晶膜からなる端面保
護層を両端面に配設すると共に、出射側端面にはさらに
Ａｌ2Ｏ3からなる反射防止コーティングを、その後方端
面にはａ-Ｓｉ／Ａｌ2Ｏ3からなる高反射コーティング
をそれぞれ配設することが、望ましい。
護層を両端面に配設すると共に、出射側端面にはさらに
Ａｌ2Ｏ3からなる反射防止コーティングを、その後方端
面にはａ-Ｓｉ／Ａｌ2Ｏ3からなる高反射コーティング
をそれぞれ配設することが、望ましい。
【００１２】上記第２の目的は、上記低指数面からず
れた複数の面を、異なる組成の半導体層により構成され
た半導体レーザ結晶の端面を劈開により形成する段階
と、前記端面を半導体結晶の組成により腐食速度の異な
るエッチング方法でエッチングする段階とを含む工程で
形成し、前記低指数面からずれた面を含む端面上に端
面光破壊現象を防止する単結晶層を保護膜として形成す
る工程を有して成る半導体レーザの製造方法により、達
成される。
れた複数の面を、異なる組成の半導体層により構成され
た半導体レーザ結晶の端面を劈開により形成する段階
と、前記端面を半導体結晶の組成により腐食速度の異な
るエッチング方法でエッチングする段階とを含む工程で
形成し、前記低指数面からずれた面を含む端面上に端
面光破壊現象を防止する単結晶層を保護膜として形成す
る工程を有して成る半導体レーザの製造方法により、達
成される。
【００１３】そして好ましくは、上記端面保護層を結晶
成長させる工程を、半導体レーザを構成する半導体層に
対し引張歪を発生する如き格子不整合を有する単結晶薄
膜を形成する工程とすることが望ましい。
成長させる工程を、半導体レーザを構成する半導体層に
対し引張歪を発生する如き格子不整合を有する単結晶薄
膜を形成する工程とすることが望ましい。
【００１４】
【作用】一般に低指数面の上に結晶成長を行うと、結晶
表面に結晶成長の核となる原子レベルの断差が生じない
ため良好な結晶成長を行うことは難しくなる。このため
半導体基板上に結晶成長を行う場合は正確な低指数面か
ら０．１度以上面方位のずれた基板を用いる場合が多
い。半導体レーザの劈開面は正確に（１１０）面となる
ので、良好な結晶成長を行うことは難しいが、本発明の
ように劈開面に追加加工を加え、（１１０）面からずれ
た面を形成することにより良好な結晶成長を得ることが
できる。
表面に結晶成長の核となる原子レベルの断差が生じない
ため良好な結晶成長を行うことは難しくなる。このため
半導体基板上に結晶成長を行う場合は正確な低指数面か
ら０．１度以上面方位のずれた基板を用いる場合が多
い。半導体レーザの劈開面は正確に（１１０）面となる
ので、良好な結晶成長を行うことは難しいが、本発明の
ように劈開面に追加加工を加え、（１１０）面からずれ
た面を形成することにより良好な結晶成長を得ることが
できる。
【００１５】これらの（１１０）面からずれた面をレー
ザ光の波長よりも十分に小さな形状に形成することによ
りレーザ光に体する損失を最小限に押さえることができ
る。（１１０）面からずれた面は、半導体レーザの結晶
の組成を意図的に変えて組成選択性のあるエッチング方
法でエッチングする、活性層を選択的にエッチングする
等の方法で容易に実現することが可能である。
ザ光の波長よりも十分に小さな形状に形成することによ
りレーザ光に体する損失を最小限に押さえることができ
る。（１１０）面からずれた面は、半導体レーザの結晶
の組成を意図的に変えて組成選択性のあるエッチング方
法でエッチングする、活性層を選択的にエッチングする
等の方法で容易に実現することが可能である。
【００１６】
【実施例】以下、本発明の一実施例を図面に従って説明
する。 〈実施例１〉図１及び図２に従って第１の実施例を説明
する。図１（ａ）は、半導体レーザ素子に必要な結晶成
長と表面電極形成とが終了したウェハ基板から、所定間
隔でバー状に劈開した素子の断面斜視図を示したもの
で、レーザ素子端面に単結晶保護膜を形成する前の段階
を示している。図１（ｂ）は、図１（ａ）の劈開面に表
面加工を加えて単結晶保護膜を形成した後の図１（ａ）
のＡ−Ａ´断面を示している。図２は、図１（ｂ）にお
いて単結晶保護膜を形成する際に使用した装置の要部斜
視図を示している。以下、順次図面に従って説明する。
する。 〈実施例１〉図１及び図２に従って第１の実施例を説明
する。図１（ａ）は、半導体レーザ素子に必要な結晶成
長と表面電極形成とが終了したウェハ基板から、所定間
隔でバー状に劈開した素子の断面斜視図を示したもの
で、レーザ素子端面に単結晶保護膜を形成する前の段階
を示している。図１（ｂ）は、図１（ａ）の劈開面に表
面加工を加えて単結晶保護膜を形成した後の図１（ａ）
のＡ−Ａ´断面を示している。図２は、図１（ｂ）にお
いて単結晶保護膜を形成する際に使用した装置の要部斜
視図を示している。以下、順次図面に従って説明する。
【００１７】（１）ウェハ基板への結晶成長から劈開ま
で 図１（ａ）に示すように、先ず、ｎ-ＧａＡｓ基板１上
にｎ-ＡｌＧａＡｓクラッド層２、多重量子井戸活性層
３、ｐ-ＡｌＧａＡｓクラッド層４、ｐ-ＧａＡｓコンタ
クト層５を順次結晶成長する。
で 図１（ａ）に示すように、先ず、ｎ-ＧａＡｓ基板１上
にｎ-ＡｌＧａＡｓクラッド層２、多重量子井戸活性層
３、ｐ-ＡｌＧａＡｓクラッド層４、ｐ-ＧａＡｓコンタ
クト層５を順次結晶成長する。
【００１８】なお、多重量子井戸活性層３は、図１
（ａ）-１に部分拡大図を示したように、５層のＡｌ0．
1Ｇａ0．9Ａｓウエル層６と４層のＡｌ0．3Ｇａ0．7Ａ
ｓバリア層７の交互積層膜からなり、ｎ-ＡｌＧａＡｓ
クラッド層２及びｐ-ＡｌＧａＡｓクラッド層４は、図
１（ａ）-２に部分拡大図を示したように、Ａｌ0．7Ｇ
ａ0．3Ａｓ層（０．１μｍ）８とＡｌ0．3Ｇａ0．7Ａｓ
（０．１μｍ）９を交互に１０層づつ積層して形成して
いる。
（ａ）-１に部分拡大図を示したように、５層のＡｌ0．
1Ｇａ0．9Ａｓウエル層６と４層のＡｌ0．3Ｇａ0．7Ａ
ｓバリア層７の交互積層膜からなり、ｎ-ＡｌＧａＡｓ
クラッド層２及びｐ-ＡｌＧａＡｓクラッド層４は、図
１（ａ）-２に部分拡大図を示したように、Ａｌ0．7Ｇ
ａ0．3Ａｓ層（０．１μｍ）８とＡｌ0．3Ｇａ0．7Ａｓ
（０．１μｍ）９を交互に１０層づつ積層して形成して
いる。
【００１９】次にこの構造のｐ-ＧａＡｓコンタクト層
５上の長手方向に、熱ＣＶＤ法及びホトリソグラフ技術
を用いてストライプ状のＳｉＯ2膜を形成する。次に、
このＳｉＯ2膜をマスクとして、ｐ-ＧａＡｓコンタクト
層５及びｐ-ＡｌＧａＡｓクラッド層４の一部をエッチ
ングした。
５上の長手方向に、熱ＣＶＤ法及びホトリソグラフ技術
を用いてストライプ状のＳｉＯ2膜を形成する。次に、
このＳｉＯ2膜をマスクとして、ｐ-ＧａＡｓコンタクト
層５及びｐ-ＡｌＧａＡｓクラッド層４の一部をエッチ
ングした。
【００２０】次に、上記クラッド層４を一部除去したエ
ッチング跡（ＳｉＯ2膜のない領域）に、有機金属気相
成長法によりｎ-ＧａＡｓブロック層１０を選択的に成
長させる。次いで、コンタクト層５上のＳｉＯ2膜を除
去した後、素子の直列抵抗低減のためｐ-Ａｌ0．5Ｇ
ａ0．5Ａｓ埋込層１１及びｐ-ＧａＡｓキャップ層１２
を形成した。
ッチング跡（ＳｉＯ2膜のない領域）に、有機金属気相
成長法によりｎ-ＧａＡｓブロック層１０を選択的に成
長させる。次いで、コンタクト層５上のＳｉＯ2膜を除
去した後、素子の直列抵抗低減のためｐ-Ａｌ0．5Ｇ
ａ0．5Ａｓ埋込層１１及びｐ-ＧａＡｓキャップ層１２
を形成した。
【００２１】次に、ウエハの表面にＡｕを主成分とする
電極１３を形成した後、機械的研磨及び化学エッチング
によりＧａＡｓ基板１の裏面を約１００μｍにエッチン
グし、ＧａＡｓ基板側にもＡｕを主成分とする電極１４
を形成した。このような半導体ウエハを約６００μｍ間
隔でバー状に劈開した。このようにして図１（ａ）に示
す構造の半導体レーザを得た。
電極１３を形成した後、機械的研磨及び化学エッチング
によりＧａＡｓ基板１の裏面を約１００μｍにエッチン
グし、ＧａＡｓ基板側にもＡｕを主成分とする電極１４
を形成した。このような半導体ウエハを約６００μｍ間
隔でバー状に劈開した。このようにして図１（ａ）に示
す構造の半導体レーザを得た。
【００２２】（２）劈開面のエッチング 次に、このバー状の劈開面を硫酸系のエッチング液によ
り約０．２μｍエッチングした。Ａｌ0．7Ｇａ0．3Ａｓ
層の硫酸系エッチング液によるエッチング速度はＡ
ｌ0．3Ｇａ0．7Ａｓよりも約５割大きいので、劈開面に
おけるクラッド層４の拡大図を図１（ｂ）に示すと、図
示のように（１１０）面１５から約５度傾いた面１６に
より形成される波状の形状になる。
り約０．２μｍエッチングした。Ａｌ0．7Ｇａ0．3Ａｓ
層の硫酸系エッチング液によるエッチング速度はＡ
ｌ0．3Ｇａ0．7Ａｓよりも約５割大きいので、劈開面に
おけるクラッド層４の拡大図を図１（ｂ）に示すと、図
示のように（１１０）面１５から約５度傾いた面１６に
より形成される波状の形状になる。
【００２３】（３）端面への単結晶保護層の形成 つぎに、図２に示すように、図１（ａ）に示したバー状
試料３４を、結晶成長治具であるホルダー台３６の溝内
に一方の劈開面が上方を向くように複数個配列し、押さ
えバネ３５で固定して分子線結晶成長装置に導入し、単
結晶保護膜としてＺｎＳｅ層１７を約１０ｎｍ結晶成長
した。結晶成長温度は約３００度であった。
試料３４を、結晶成長治具であるホルダー台３６の溝内
に一方の劈開面が上方を向くように複数個配列し、押さ
えバネ３５で固定して分子線結晶成長装置に導入し、単
結晶保護膜としてＺｎＳｅ層１７を約１０ｎｍ結晶成長
した。結晶成長温度は約３００度であった。
【００２４】ＺｎＳｅ層１７とＡｌＧａＡｓの間には、
約０．３％の格子不整合があるが膜厚が薄いために結晶
欠陥は発生しない。しかも、ＺｎＳｅの格子定数がＡｌ
ＧａＡｓに比べ大きいため端面近傍のＡｌＧａＡｓに引
張歪が加わり端面近傍の活性層の禁制帯幅を広げ、か
つ、端面近傍での空格子欠陥の発生を抑えるので一層の
端面保護効果が得られる。なお、ＺｎＳｅ層のＳｅの一
部をＴｅやＳで置換することによりＡｌＧａＡｓの引張
歪量を或る程度任意に制御することができる。Ｓは歪量
を小さくし、Ｔｅは大きくする効果がある。
約０．３％の格子不整合があるが膜厚が薄いために結晶
欠陥は発生しない。しかも、ＺｎＳｅの格子定数がＡｌ
ＧａＡｓに比べ大きいため端面近傍のＡｌＧａＡｓに引
張歪が加わり端面近傍の活性層の禁制帯幅を広げ、か
つ、端面近傍での空格子欠陥の発生を抑えるので一層の
端面保護効果が得られる。なお、ＺｎＳｅ層のＳｅの一
部をＴｅやＳで置換することによりＡｌＧａＡｓの引張
歪量を或る程度任意に制御することができる。Ｓは歪量
を小さくし、Ｔｅは大きくする効果がある。
【００２５】同様の操作を半導体レーザ試料３４の他方
の端面にも施した後、素子の前方端面（出射面）にはＡ
ｌ2Ｏ3の反射防止コーティング１８（反射率５％）を、
素子の後方端面にはａ-Ｓｉ／Ａｌ2Ｏ3により構成され
る高反射コーティング１９（反射率９０％）を施し、図
１（ｂ）に示すような構造のレーザ端面を得た。
の端面にも施した後、素子の前方端面（出射面）にはＡ
ｌ2Ｏ3の反射防止コーティング１８（反射率５％）を、
素子の後方端面にはａ-Ｓｉ／Ａｌ2Ｏ3により構成され
る高反射コーティング１９（反射率９０％）を施し、図
１（ｂ）に示すような構造のレーザ端面を得た。
【００２６】ＺｎＳｅ層１７は、ＡｌＧａＡｓ層に比較
して熱伝導性が悪く端面部の温度上昇が危惧されるが、
ＺｎＳｅ層が非常に薄いため熱がＡｌ2Ｏ3によって効率
良く除去され、より高出力の動作が可能となる。
して熱伝導性が悪く端面部の温度上昇が危惧されるが、
ＺｎＳｅ層が非常に薄いため熱がＡｌ2Ｏ3によって効率
良く除去され、より高出力の動作が可能となる。
【００２７】（４）単結晶保護膜の評価 このようにして劈開面（１１０）にエッチング処理を施
して、低指数面からずれた面を含む端面に単結晶保護膜
としてＺｎＳｅ層を形成した本実施例の半導体レーザ
と、従来の劈開面に直接単結晶保護膜を形成した比較例
との結晶性につき比較したところ、本実施例では、試料
１０個中９個まで再現性が良く良好な単結晶保護膜が得
られたのに対して、比較例での良好な単結晶保護膜は試
料１０個中３個であった。
して、低指数面からずれた面を含む端面に単結晶保護膜
としてＺｎＳｅ層を形成した本実施例の半導体レーザ
と、従来の劈開面に直接単結晶保護膜を形成した比較例
との結晶性につき比較したところ、本実施例では、試料
１０個中９個まで再現性が良く良好な単結晶保護膜が得
られたのに対して、比較例での良好な単結晶保護膜は試
料１０個中３個であった。
【００２８】〈実施例２〉図３に従って第２の実施例を
説明する。図３（ａ）は、半導体レーザ素子に必要な結
晶成長と表面電極形成とが終了したウェハ基板から、所
定間隔でバー状に劈開した素子の断面斜視図を示したも
ので、レーザ素子端面に単結晶保護膜を形成する前の段
階を示している。図３（ｂ）は、図３（ａ）の劈開面に
表面加工を加えて単結晶保護膜を形成した後の図３
（ａ）のＡ−Ａ´断面を示している。この例も素子構造
は基本的に実施例１とほぼ同様であるが、素子及び端面
の保護層を形成する単結晶層の組成が異なるものであ
る。以下、順次図面に従って説明する。
説明する。図３（ａ）は、半導体レーザ素子に必要な結
晶成長と表面電極形成とが終了したウェハ基板から、所
定間隔でバー状に劈開した素子の断面斜視図を示したも
ので、レーザ素子端面に単結晶保護膜を形成する前の段
階を示している。図３（ｂ）は、図３（ａ）の劈開面に
表面加工を加えて単結晶保護膜を形成した後の図３
（ａ）のＡ−Ａ´断面を示している。この例も素子構造
は基本的に実施例１とほぼ同様であるが、素子及び端面
の保護層を形成する単結晶層の組成が異なるものであ
る。以下、順次図面に従って説明する。
【００２９】（１）ウェハ基板への結晶成長から劈開ま
で 図３（ａ）に示すように、先ず、ｎ-ＧａＡｓ基板１上
にｎ-（ＡｌＧａ）0．5Ｉｎ0．5Ｐクラッド層２０、多
重量子井戸活性層２１、ｐ-（ＡｌＧａ）0．5Ｉｎ0．5
Ｐクラッド層２２、ｐ-Ｇａ0．5Ｉｎ0．5Ｐコンタクト
層２３を順次結晶成長する。
で 図３（ａ）に示すように、先ず、ｎ-ＧａＡｓ基板１上
にｎ-（ＡｌＧａ）0．5Ｉｎ0．5Ｐクラッド層２０、多
重量子井戸活性層２１、ｐ-（ＡｌＧａ）0．5Ｉｎ0．5
Ｐクラッド層２２、ｐ-Ｇａ0．5Ｉｎ0．5Ｐコンタクト
層２３を順次結晶成長する。
【００３０】多重量子井戸活性層２１は、図３（ａ）-
１に部分拡大図を示したように、４層のＧａ0．5Ｉ
ｎ0．5Ｐウエル層２４と、５層の（Ａｌ0．7Ｇａ0．3）
0．5Ｉｎ0．5Ｐバリア層２５との交互積層からなる。
１に部分拡大図を示したように、４層のＧａ0．5Ｉ
ｎ0．5Ｐウエル層２４と、５層の（Ａｌ0．7Ｇａ0．3）
0．5Ｉｎ0．5Ｐバリア層２５との交互積層からなる。
【００３１】またｎ-（ＡｌＧａ）0．5Ｉｎ0．5Ｐクラ
ッド層２０及びｐ-（ＡｌＧａ）0．5Ｉｎ0．5Ｐクラッ
ド層２２は、、図３（ａ）-２に部分拡大図を示したよ
うに、（Ａｌ0．7Ｇａ0．3）0．5Ｉｎ0．5Ｐ層（０．１
μｍ）２６と（Ａｌ0．3Ｇａ0．7）0．5Ｉｎ0．5Ｐ
（０．１μｍ）２７とを交互にそれぞれ１０層積層して
形成している。
ッド層２０及びｐ-（ＡｌＧａ）0．5Ｉｎ0．5Ｐクラッ
ド層２２は、、図３（ａ）-２に部分拡大図を示したよ
うに、（Ａｌ0．7Ｇａ0．3）0．5Ｉｎ0．5Ｐ層（０．１
μｍ）２６と（Ａｌ0．3Ｇａ0．7）0．5Ｉｎ0．5Ｐ
（０．１μｍ）２７とを交互にそれぞれ１０層積層して
形成している。
【００３２】次に、この構造に熱ＣＶＤ法を用いてＳｉ
Ｏ2膜を形成し、その上にホトリソグラフ技術を用いて
約６μｍのストライプ状のホトレジストパタンを形成す
る。これをレジストマスクとしてエッチングし、ストラ
イプ状のＳｉＯ2膜を形成する。このＳｉＯ2膜をマスク
としてｐ-Ｉｎ0．5Ｇａ0．5Ｐコンタクト層２３及びｐ-
（ＡｌＧａ）0．5Ｉｎ0．5Ｐクラッド層２２の一部をエ
ッチングした。
Ｏ2膜を形成し、その上にホトリソグラフ技術を用いて
約６μｍのストライプ状のホトレジストパタンを形成す
る。これをレジストマスクとしてエッチングし、ストラ
イプ状のＳｉＯ2膜を形成する。このＳｉＯ2膜をマスク
としてｐ-Ｉｎ0．5Ｇａ0．5Ｐコンタクト層２３及びｐ-
（ＡｌＧａ）0．5Ｉｎ0．5Ｐクラッド層２２の一部をエ
ッチングした。
【００３３】次いで、クラッド層２２の一部をエッチン
グした跡に有機金属気相成長法によりｎ-ＧａＡｓブロ
ック層１０を選択的に成長した。さらに、素子の直列抵
抗低減のため、コンタクト層２３上のＳｉＯ2膜を除去
した後ｐ-Ａｌ0．5Ｇａ0．5Ａｓ埋込層１１及びｐ-Ｇａ
Ａｓキャップ層１２を形成した。
グした跡に有機金属気相成長法によりｎ-ＧａＡｓブロ
ック層１０を選択的に成長した。さらに、素子の直列抵
抗低減のため、コンタクト層２３上のＳｉＯ2膜を除去
した後ｐ-Ａｌ0．5Ｇａ0．5Ａｓ埋込層１１及びｐ-Ｇａ
Ａｓキャップ層１２を形成した。
【００３４】最後に、ウエハの表面にＡｕを主成分とす
る電極１３を形成した後、機械的研磨及び化学エッチン
グによりＧａＡｓ基板１を約１００μｍにエッチング
し、その跡にＡｕを主成分とする電極１４を形成した。
このような半導体ウエハを約６００μｍ間隔でバー状に
劈開し、図３（ａ）に示す半導体レーザ素子の試料を得
た。
る電極１３を形成した後、機械的研磨及び化学エッチン
グによりＧａＡｓ基板１を約１００μｍにエッチング
し、その跡にＡｕを主成分とする電極１４を形成した。
このような半導体ウエハを約６００μｍ間隔でバー状に
劈開し、図３（ａ）に示す半導体レーザ素子の試料を得
た。
【００３５】（２）劈開面のエッチング 次に、この試料のバー状の劈開面を硫酸系のエッチング
液により約０．２μｍエッチングした。（Ａｌ0．7Ｇａ
0．3）0．5Ｉｎ0．5Ｐ層２６の硫酸系エッチング液によ
るエッチング速度は（Ａｌ0．3Ｇａ0．7）0．5Ｉｎ0．5
Ｐ層２７よりも約５割早いので、劈開面は、図３（ｂ）
-１に部分拡大図（クラッド層２２について図示）を示
すように（１１０）１５面から約５度傾いた面１６によ
り形成される波状の形状になる。
液により約０．２μｍエッチングした。（Ａｌ0．7Ｇａ
0．3）0．5Ｉｎ0．5Ｐ層２６の硫酸系エッチング液によ
るエッチング速度は（Ａｌ0．3Ｇａ0．7）0．5Ｉｎ0．5
Ｐ層２７よりも約５割早いので、劈開面は、図３（ｂ）
-１に部分拡大図（クラッド層２２について図示）を示
すように（１１０）１５面から約５度傾いた面１６によ
り形成される波状の形状になる。
【００３６】（３）端面への単結晶保護層の形成 実施例１と同様に図２に示した治具を用いて、試料３４
の一方の劈開面が上方を向くように複数個配列し、これ
らを押さえバネ３５で固定して有機金属気相結晶成長装
置に導入し、単結晶保護層としてＡｌ0．5Ｇａ0．5Ａｓ
層２８を約１μｍ結晶成長した。同様の操作を他方の端
面にも施した後、出射側である素子の前方端面にはＡｌ
2Ｏ3の反射防止コーティング１８（反射率５％）を、素
子の後方端面にはａ-Ｓｉ／Ａｌ2Ｏ3により構成される
高反射コーティング１９（反射率９０％）を施し図３
（ｂ）に示すような構造のレーザ端面を得た。
の一方の劈開面が上方を向くように複数個配列し、これ
らを押さえバネ３５で固定して有機金属気相結晶成長装
置に導入し、単結晶保護層としてＡｌ0．5Ｇａ0．5Ａｓ
層２８を約１μｍ結晶成長した。同様の操作を他方の端
面にも施した後、出射側である素子の前方端面にはＡｌ
2Ｏ3の反射防止コーティング１８（反射率５％）を、素
子の後方端面にはａ-Ｓｉ／Ａｌ2Ｏ3により構成される
高反射コーティング１９（反射率９０％）を施し図３
（ｂ）に示すような構造のレーザ端面を得た。
【００３７】（４）単結晶保護膜の評価 本実施例の半導体レーザと、従来の劈開面に直接単結晶
保護膜を形成した比較例との結晶性につき比較したとこ
ろ、実施例１と同様の結果が得られた。すなわち、本実
施例では、試料１０個中９個まで再現性が良く良好な単
結晶保護膜が得られたのに対して、比較例では試料１０
個中３個であった。
保護膜を形成した比較例との結晶性につき比較したとこ
ろ、実施例１と同様の結果が得られた。すなわち、本実
施例では、試料１０個中９個まで再現性が良く良好な単
結晶保護膜が得られたのに対して、比較例では試料１０
個中３個であった。
【００３８】〈実施例３〉図４に従って第３の実施例を
説明する。図４（ａ）は、半導体レーザ素子に必要な結
晶成長と表面電極形成とが終了したウェハ基板から、所
定間隔でバー状に劈開した素子の断面斜視図を示したも
ので、レーザ素子端面に単結晶保護膜を形成する前の段
階を示している。図４（ｂ）は、図４（ａ）の劈開面に
表面加工を加えて単結晶保護膜を形成した後の図４
（ａ）のＡ−Ａ´断面を示している。この例も素子構造
は基本的に実施例１とほぼ同様であるが、素子及び端面
の保護層を形成する単結晶層の組成が異なるものであ
る。以下、順次図面に従って説明する。
説明する。図４（ａ）は、半導体レーザ素子に必要な結
晶成長と表面電極形成とが終了したウェハ基板から、所
定間隔でバー状に劈開した素子の断面斜視図を示したも
ので、レーザ素子端面に単結晶保護膜を形成する前の段
階を示している。図４（ｂ）は、図４（ａ）の劈開面に
表面加工を加えて単結晶保護膜を形成した後の図４
（ａ）のＡ−Ａ´断面を示している。この例も素子構造
は基本的に実施例１とほぼ同様であるが、素子及び端面
の保護層を形成する単結晶層の組成が異なるものであ
る。以下、順次図面に従って説明する。
【００３９】（１）ウェハ基板への結晶成長から劈開ま
で 図４（ａ）に示すように、先ず、ｎ-ＧａＡｓ基板１上
にｎ-Ｇａ0．5Ｉｎ0．5Ｐクラッド層２９、多重量子井
戸活性層３０、ｐ-Ｇａ0．5Ｉｎ0．5Ｐクラッド層３
１、ｐ-Ｇａ0．5Ｉｎ0．5Ｐコンタクト層２３を順次結
晶成長した。
で 図４（ａ）に示すように、先ず、ｎ-ＧａＡｓ基板１上
にｎ-Ｇａ0．5Ｉｎ0．5Ｐクラッド層２９、多重量子井
戸活性層３０、ｐ-Ｇａ0．5Ｉｎ0．5Ｐクラッド層３
１、ｐ-Ｇａ0．5Ｉｎ0．5Ｐコンタクト層２３を順次結
晶成長した。
【００４０】多重量子井戸活性層３０は、図４（ａ）-
１に部分拡大図を示したように４層のＧａ0．8Ｉｎ0．2
Ａｓウエル層３２と５層のＧａＡｓバリア層３３を交互
に積層して形成している。
１に部分拡大図を示したように４層のＧａ0．8Ｉｎ0．2
Ａｓウエル層３２と５層のＧａＡｓバリア層３３を交互
に積層して形成している。
【００４１】次に、この構造に気相化学成長法を用いて
ＳｉＯ2膜を形成し、その上にホトリソグラフ技術これ
を用いて約６μｍのストライプ状のホトレジストパタン
を形成した。このレジストパターンをマスクとしてスト
ライプ状のＳｉＯ2膜を形成する。
ＳｉＯ2膜を形成し、その上にホトリソグラフ技術これ
を用いて約６μｍのストライプ状のホトレジストパタン
を形成した。このレジストパターンをマスクとしてスト
ライプ状のＳｉＯ2膜を形成する。
【００４２】このＳｉＯ2膜をマスクとしてｐ-ＧａＡｓ
コンタクト層２３及びｐ-Ｇａ0．5Ｉｎ0．5Ｐクラッド
層３１の一部をエッチングした後、有機金属気相成長法
によりｎ-ＧａＡｓブロック層１０をＳｉＯ2膜のない領
域（クラッド層のエッチング跡）に選択的に成長した。
コンタクト層２３及びｐ-Ｇａ0．5Ｉｎ0．5Ｐクラッド
層３１の一部をエッチングした後、有機金属気相成長法
によりｎ-ＧａＡｓブロック層１０をＳｉＯ2膜のない領
域（クラッド層のエッチング跡）に選択的に成長した。
【００４３】素子の直列抵抗低減のため、コンタクト層
２３上のＳｉＯ2膜を除去した後、ｐ-Ａｌ0．5Ｇａ0．5
Ａｓ埋込層１１及びｐ-ＧａＡｓキャップ層１２を形成
した。最後に、ウエハの表面にＡｕを主成分とする電極
１３を形成した後、ＧａＡｓ基板背面を機械的研磨及び
化学エッチングにより約１００μｍにエッチングし、そ
の跡にもＡｕを主成分とする電極１４を形成した。この
ような半導体ウエハを約６００μｍ間隔でバー状に劈開
し、図４（ａ）に示す半導体レーザを得た。
２３上のＳｉＯ2膜を除去した後、ｐ-Ａｌ0．5Ｇａ0．5
Ａｓ埋込層１１及びｐ-ＧａＡｓキャップ層１２を形成
した。最後に、ウエハの表面にＡｕを主成分とする電極
１３を形成した後、ＧａＡｓ基板背面を機械的研磨及び
化学エッチングにより約１００μｍにエッチングし、そ
の跡にもＡｕを主成分とする電極１４を形成した。この
ような半導体ウエハを約６００μｍ間隔でバー状に劈開
し、図４（ａ）に示す半導体レーザを得た。
【００４４】（２）劈開面のエッチング 次に、この試料のバー状の劈開面に露出している多重量
子井戸活性層３０をアンモニア系のエッチング液により
約５０ｎｍエッチングした。この時ＧａＩｎＰクラッド
層２９、３１は、アンモニア系エッチング液によりエッ
チングされないため、図４（ｂ）-１に部分拡大図を示
したように活性層３０部分がへこんだ形状になる。
子井戸活性層３０をアンモニア系のエッチング液により
約５０ｎｍエッチングした。この時ＧａＩｎＰクラッド
層２９、３１は、アンモニア系エッチング液によりエッ
チングされないため、図４（ｂ）-１に部分拡大図を示
したように活性層３０部分がへこんだ形状になる。
【００４５】（３）端面への単結晶保護層の形成 実施例１と同様に図２に示した治具を用いて、試料３４
の一方の劈開面が上方を向くように複数個配列し、これ
らを押さえバネ３５で固定して有機金属気相結晶成長装
置に導入し、単結晶保護層としてＡｌ0．5Ｇａ0．5Ａｓ
層２８を約１０００ｎｍ結晶成長した。結晶成長は凹ん
だ活性層３０の側面から成長し、活性層の周辺では良好
な結晶性が得られる。また、活性層３０が凹むことによ
り、レーザ端面の発熱部が結晶内部に凹み表面の放熱の
効率が上がるために一層の出力増大効果が得られた。
の一方の劈開面が上方を向くように複数個配列し、これ
らを押さえバネ３５で固定して有機金属気相結晶成長装
置に導入し、単結晶保護層としてＡｌ0．5Ｇａ0．5Ａｓ
層２８を約１０００ｎｍ結晶成長した。結晶成長は凹ん
だ活性層３０の側面から成長し、活性層の周辺では良好
な結晶性が得られる。また、活性層３０が凹むことによ
り、レーザ端面の発熱部が結晶内部に凹み表面の放熱の
効率が上がるために一層の出力増大効果が得られた。
【００４６】同様の操作を他方の端面にも施し、単結晶
保護層２８を形成した後、出射面となる素子の前方端面
にはＡｌ2Ｏ3の反射防止コーティング１８（反射率５
％）を、素子の後方端面にはａ-Ｓｉ／Ａｌ2Ｏ3により
構成される高反射コーティング１９（反射率９０％）を
施し、図４（ｂ）に示すような構造のレーザ端面を得
た。
保護層２８を形成した後、出射面となる素子の前方端面
にはＡｌ2Ｏ3の反射防止コーティング１８（反射率５
％）を、素子の後方端面にはａ-Ｓｉ／Ａｌ2Ｏ3により
構成される高反射コーティング１９（反射率９０％）を
施し、図４（ｂ）に示すような構造のレーザ端面を得
た。
【００４７】（４）単結晶保護膜の評価 本実施例の半導体レーザと、従来の劈開面に直接単結晶
保護膜を形成した比較例との結晶性につき比較したとこ
ろ、実施例１と同様の結果が得られた。
保護膜を形成した比較例との結晶性につき比較したとこ
ろ、実施例１と同様の結果が得られた。
【００４８】
【発明の効果】以上詳述したように本発明により、所期
の目的を達成することができた。すなわち、従来の高出
力半導体レーザで困難であった端面への良好な結晶成長
が容易に実現できるようになった。
の目的を達成することができた。すなわち、従来の高出
力半導体レーザで困難であった端面への良好な結晶成長
が容易に実現できるようになった。
【図１】本発明一実施例となる半導体レーザの構造を示
す斜視図及び縦断面図。
す斜視図及び縦断面図。
【図２】同じく端面結晶成長時の試料保持治具の斜視
図。
図。
【図３】同じく他の実施例となる半導体レーザの構造を
示す斜視図及び縦断面図。
示す斜視図及び縦断面図。
【図４】同じく更に異なる他の実施例となる半導体レー
ザの構造を示す斜視図及び縦断面図。
ザの構造を示す斜視図及び縦断面図。
【図５】従来の半導体レーザの構造を示す斜視図。
１…ｎ-ＧａＡｓ基板、 ２…ｎ-ＡｌＧ
ａＡｓクラッド層、３…多重量子井戸活性層、
４…ｐ-ＡｌＧａＡｓクラッド層、５…ｐ-ＧａＡ
ｓコンタクト層、 ６…Ａｌ0．1Ｇａ0．9Ａｓウ
エル層、７…Ａｌ0．3Ｇａ0．7Ａｓバリア層、 ８…
Ａｌ0．7Ｇａ0．3Ａｓ層、９…Ａｌ0．3Ｇａ0．7Ａｓ
層、 １０…ｎ-ＧａＡｓブロック層、１１…ｐ-
Ａｌ0．5Ｇａ0．5Ａｓ埋込層、１２…ｐ-ＧａＡｓキャ
ップ層、 １３…表電極、１４…基板側電極（背面
電極）、 １５…（１１０）面、１６…（１１０）
面から傾いた面、 １７…ＺｎＳｅ層（端面保護
層）、１８…Ａｌ2Ｏ3反射防止コーティング、１９…ａ
-Ｓｉ／Ａｌ２Ｏ３高反射コーティング、２０…ｎ-（Ａ
ｌＧａ）0．5Ｉｎ0．5Ｐクラッド層、２１…多重量子井
戸活性層、２２…ｐ-（ＡｌＧａ）0．5Ｉｎ0．5Ｐクラ
ッド層、２３…ｐ-Ｇａ0．5Ｉｎ0．5Ｐコンタクト層、
２４…Ｇａ0．5Ｉｎ0．5Ｐウエル層、２５…（Ａｌ0．7
Ｇａ0．3）0．5Ｉｎ0．5Ｐバリア層、２６…（Ａｌ0．7
Ｇａ0．3）0．5Ｉｎ0．5Ｐ層、２７…（Ａｌ0．3Ｇ
ａ0．7）0．5Ｉｎ0．5Ｐ、２８…Ａｌ0．5Ｇａ0．5Ａｓ
層（端面保護層）、２９…ｎ-Ｇａ0．5Ｉｎ0．5Ｐクラ
ッド層、３０…多重量子井戸活性層、３１…ｐ-Ｇａ0．
5Ｉｎ0．5Ｐクラッド層、３２…Ｇａ0．8Ｉｎ0．2Ａｓ
ウエル層、３３…ＧａＡｓバリア層、 ３４
…バー状試料、３５…抑えバネ、
３６…ホルダー台、３７…ｐ-ＧａＡｓ基板、
３８…Ａｌ0．14Ｇａ0．86Ａｓ活性層、３９…ｎ-
ＧａＡｓキャップ層。
ａＡｓクラッド層、３…多重量子井戸活性層、
４…ｐ-ＡｌＧａＡｓクラッド層、５…ｐ-ＧａＡ
ｓコンタクト層、 ６…Ａｌ0．1Ｇａ0．9Ａｓウ
エル層、７…Ａｌ0．3Ｇａ0．7Ａｓバリア層、 ８…
Ａｌ0．7Ｇａ0．3Ａｓ層、９…Ａｌ0．3Ｇａ0．7Ａｓ
層、 １０…ｎ-ＧａＡｓブロック層、１１…ｐ-
Ａｌ0．5Ｇａ0．5Ａｓ埋込層、１２…ｐ-ＧａＡｓキャ
ップ層、 １３…表電極、１４…基板側電極（背面
電極）、 １５…（１１０）面、１６…（１１０）
面から傾いた面、 １７…ＺｎＳｅ層（端面保護
層）、１８…Ａｌ2Ｏ3反射防止コーティング、１９…ａ
-Ｓｉ／Ａｌ２Ｏ３高反射コーティング、２０…ｎ-（Ａ
ｌＧａ）0．5Ｉｎ0．5Ｐクラッド層、２１…多重量子井
戸活性層、２２…ｐ-（ＡｌＧａ）0．5Ｉｎ0．5Ｐクラ
ッド層、２３…ｐ-Ｇａ0．5Ｉｎ0．5Ｐコンタクト層、
２４…Ｇａ0．5Ｉｎ0．5Ｐウエル層、２５…（Ａｌ0．7
Ｇａ0．3）0．5Ｉｎ0．5Ｐバリア層、２６…（Ａｌ0．7
Ｇａ0．3）0．5Ｉｎ0．5Ｐ層、２７…（Ａｌ0．3Ｇ
ａ0．7）0．5Ｉｎ0．5Ｐ、２８…Ａｌ0．5Ｇａ0．5Ａｓ
層（端面保護層）、２９…ｎ-Ｇａ0．5Ｉｎ0．5Ｐクラ
ッド層、３０…多重量子井戸活性層、３１…ｐ-Ｇａ0．
5Ｉｎ0．5Ｐクラッド層、３２…Ｇａ0．8Ｉｎ0．2Ａｓ
ウエル層、３３…ＧａＡｓバリア層、 ３４
…バー状試料、３５…抑えバネ、
３６…ホルダー台、３７…ｐ-ＧａＡｓ基板、
３８…Ａｌ0．14Ｇａ0．86Ａｓ活性層、３９…ｎ-
ＧａＡｓキャップ層。
Claims (6)
- 【請求項１】異なる導電型と異なる禁制帯幅を有する半
導体結晶により形成され、通電によりレーザ光を放射す
る半導体レーザ素子であって、少なくともレーザ出射端
面に前記半導体レーザを形成する半導体結晶を種結晶と
して結晶成長し、レーザ光のエネルギーよりも大きな禁
制帯幅をもつ単結晶膜を端面保護層として有するもので
あって、上記単結晶保護層が形成される端面は前記半導
体結晶の低指数面からずれた面を含む面により構成され
て成る半導体レーザ。 - 【請求項２】上記端面は上記半導体結晶の低指数面から
０．１〜２０度ずれた面を含む面により構成されて成る
請求項１記載の半導体レーザ。 - 【請求項３】上記単結晶膜からなる端面保護層を、上記
半導体レーザを構成する半導体層に対し引張歪を発生す
る如き格子不整合を有する単結晶薄膜で構成して成る請
求項１記載の半導体レーザ。 - 【請求項４】上記単結晶膜からなる端面保護層を両端面
に配設すると共に、出射側端面にはさらにＡｌ2Ｏ3から
なる反射防止コーティングを、その後方端面にはａ-Ｓ
ｉ／Ａｌ2Ｏ3からなる高反射コーティングをそれぞれ配
設して成る請求項１乃至３何れか記載の半導体レーザ。 - 【請求項５】請求項１記載の半導体レーザを製造する方
法であって、上記低指数面からずれた複数の面を、異
なる組成の半導体層により構成された半導体レーザ結晶
の端面を劈開により形成する段階と、前記端面を半導体
結晶の組成により腐食速度の異なるエッチング方法でエ
ッチングする段階とを含む工程で形成し、前記低指数
面からずれた面を含む端面上に端面光破壊現象を防止す
る単結晶層を保護膜として形成する工程を有して成る半
導体レーザの製造方法。 - 【請求項６】上記端面保護層として、半導体レーザを構
成する半導体層に対し引張歪を発生する如き格子不整合
を有する単結晶薄膜を形成する工程を有して成る請求項
５記載の半導体レーザの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15176393A JPH0715081A (ja) | 1993-06-23 | 1993-06-23 | 半導体レーザ及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15176393A JPH0715081A (ja) | 1993-06-23 | 1993-06-23 | 半導体レーザ及びその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0715081A true JPH0715081A (ja) | 1995-01-17 |
Family
ID=15525767
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP15176393A Pending JPH0715081A (ja) | 1993-06-23 | 1993-06-23 | 半導体レーザ及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0715081A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN107230932A (zh) * | 2017-07-13 | 2017-10-03 | 中国科学院半导体研究所 | 半导体激光器的腔面制备方法及其腔面制备装置 |
| CN113555768A (zh) * | 2017-06-08 | 2021-10-26 | 欧司朗光电半导体有限公司 | 边缘发射的半导体激光器和这种半导体激光器的运行方法 |
-
1993
- 1993-06-23 JP JP15176393A patent/JPH0715081A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN113555768A (zh) * | 2017-06-08 | 2021-10-26 | 欧司朗光电半导体有限公司 | 边缘发射的半导体激光器和这种半导体激光器的运行方法 |
| JP2022091987A (ja) * | 2017-06-08 | 2022-06-21 | オスラム オプト セミコンダクターズ ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング | 端面発光型半導体レーザおよび端面発光型半導体レーザの動作方法 |
| CN107230932A (zh) * | 2017-07-13 | 2017-10-03 | 中国科学院半导体研究所 | 半导体激光器的腔面制备方法及其腔面制备装置 |
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