JP2911077B2 - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は半導体装置の製造方法
に関し、より詳しくは、分子線エピタキシー法によりＡ
lＧaＩnＰ系結晶を成長させる方法に関する。
に関し、より詳しくは、分子線エピタキシー法によりＡ
lＧaＩnＰ系結晶を成長させる方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、光データ処理,光通信その他の分
野で、III−Ｖ族半導体レーザが広く利用されている。
なかでも、光ディスクなどの記録密度を高めたり、Ｈe
−Ｎeレーザの代替として用いるために、ＡlＧaＩnＰ系
の短波長半導体レーザが注目されている。
野で、III−Ｖ族半導体レーザが広く利用されている。
なかでも、光ディスクなどの記録密度を高めたり、Ｈe
−Ｎeレーザの代替として用いるために、ＡlＧaＩnＰ系
の短波長半導体レーザが注目されている。
【０００３】例えば、図５に示すように、n型ＧaＡs基
板１０１上に、分子線エピタキシー法により、ＡlＧaＩ
nＰ系結晶１５０,…,１５４を成長させたものが知られ
ている。この半導体レーザ(利得導波型)を作製する場
合、まず、分子線エピタキシー法により、n型ＧaＡs基
板１０１上に、n型ＧaＡsバッファ層１０２,n型ＧaＩn
Ｐバッファ層１５０,n型ＡlＩnＰ第１クラッド層１５
１,ＧaＩnＰ活性層１５２,p型ＡlＩnＰ第２クラッド層
１５３,p型ＧaＩnＰコンタクト層１５４を順次成長す
る。この上に、窒化シリコン膜(ＳiＮx膜)１１２を設
け、この窒化シリコン膜１１２に、フォトリソグラフィ
および選択エッチングによって約１０μm幅のストライ
プ状の開口１１２aを形成する。最後に、表面と裏面
に、それぞれp型電極１０６,n型電極１０５を設けてい
る。
板１０１上に、分子線エピタキシー法により、ＡlＧaＩ
nＰ系結晶１５０,…,１５４を成長させたものが知られ
ている。この半導体レーザ(利得導波型)を作製する場
合、まず、分子線エピタキシー法により、n型ＧaＡs基
板１０１上に、n型ＧaＡsバッファ層１０２,n型ＧaＩn
Ｐバッファ層１５０,n型ＡlＩnＰ第１クラッド層１５
１,ＧaＩnＰ活性層１５２,p型ＡlＩnＰ第２クラッド層
１５３,p型ＧaＩnＰコンタクト層１５４を順次成長す
る。この上に、窒化シリコン膜(ＳiＮx膜)１１２を設
け、この窒化シリコン膜１１２に、フォトリソグラフィ
および選択エッチングによって約１０μm幅のストライ
プ状の開口１１２aを形成する。最後に、表面と裏面
に、それぞれp型電極１０６,n型電極１０５を設けてい
る。
【０００４】従来、上記ＡlＧaＩnＰ系結晶１５０,…,
１５４を分子線エピタキシー法により成長するとき、リ
ン材料は、蒸発セルによって通常４００℃程度に加熱し
て蒸発させた後、さらにクラッカーゾーン(加熱領域)で
温度９５０℃に加熱して、４原子分子Ｐ4から２原子分
子Ｐ2に分解した状態で基板１０１上へ供給していた。
このように２原子分子Ｐ2の状態で供給することによ
り、リン材料の利用効率を高めて、ある程度の結晶性を
有するＡlＧaＩnＰ系結晶を得ていた。
１５４を分子線エピタキシー法により成長するとき、リ
ン材料は、蒸発セルによって通常４００℃程度に加熱し
て蒸発させた後、さらにクラッカーゾーン(加熱領域)で
温度９５０℃に加熱して、４原子分子Ｐ4から２原子分
子Ｐ2に分解した状態で基板１０１上へ供給していた。
このように２原子分子Ｐ2の状態で供給することによ
り、リン材料の利用効率を高めて、ある程度の結晶性を
有するＡlＧaＩnＰ系結晶を得ていた。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記方
法によって作製した半導体レーザは、発振寿命が５００
０時間以下であり、信頼性面で満足できないものであっ
た。これは、ＡlＧaＩnＰ系結晶１５０,…,１５４の結
晶性が不十分であることに起因する。
法によって作製した半導体レーザは、発振寿命が５００
０時間以下であり、信頼性面で満足できないものであっ
た。これは、ＡlＧaＩnＰ系結晶１５０,…,１５４の結
晶性が不十分であることに起因する。
【０００６】そこで、この発明の目的は、良好な結晶性
を有するＡlＧaＩnＰ系結晶を成長できる半導体装置の
製造方法を提供することにある。
を有するＡlＧaＩnＰ系結晶を成長できる半導体装置の
製造方法を提供することにある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、請求項１に記載の半導体装置の製造方法は、分子線
エピタキシー法により、固体リンを含む材料を蒸発セル
で蒸発させた後、所定の加熱領域を通して基板上に供給
して、上記基板にＡlＧaＩnＰ系結晶を成長させる半導
体装置の製造方法において、上記加熱領域で、上記リン
を７００℃以上９００℃未満の温度に加熱して、リンの
４原子分子と２原子分子とを上記温度に応じた割合で上
記基板上に供給することを特徴としている。
め、請求項１に記載の半導体装置の製造方法は、分子線
エピタキシー法により、固体リンを含む材料を蒸発セル
で蒸発させた後、所定の加熱領域を通して基板上に供給
して、上記基板にＡlＧaＩnＰ系結晶を成長させる半導
体装置の製造方法において、上記加熱領域で、上記リン
を７００℃以上９００℃未満の温度に加熱して、リンの
４原子分子と２原子分子とを上記温度に応じた割合で上
記基板上に供給することを特徴としている。
【０００８】
【実施例】以下、この発明の半導体装置の製造方法を実
施例により詳細に説明する。
施例により詳細に説明する。
【０００９】第１実施例として、ＡlＧaＩnＰ系結晶層
を有するモニタ用素子を作製して、フォトルミネッセン
スを評価した例について説明する。
を有するモニタ用素子を作製して、フォトルミネッセン
スを評価した例について説明する。
【００１０】まず、図１に示すように、分子線エピタキ
シー法により、ＧaＡs基板１上にＧaＡsバッファ層２
と、厚さ１μmの(Ａl0.5Ｇa0.5)0.5Ｉn0.5Ｐ層３と、厚さ
１nmのＧaＩnＰ層４を順次成長させて、モニタ用素子を
作製する。層３と層４を成長するときは、リン材料は、
赤リン(固体)を蒸発セルで約４００℃に加熱して蒸発さ
せた後、クラッカーゾーン(加熱領域)で様々な温度に加
熱して基板１に供給した。これにより、リン材料に対す
る加熱温度を変えた複数のモニタ用素子を作製した。な
お、層３と層４を成長するときの基板温度は５１０℃、
リンのビームフラックス強度は約１０-5Ｐa、成長速度
は１μm／hとした。
シー法により、ＧaＡs基板１上にＧaＡsバッファ層２
と、厚さ１μmの(Ａl0.5Ｇa0.5)0.5Ｉn0.5Ｐ層３と、厚さ
１nmのＧaＩnＰ層４を順次成長させて、モニタ用素子を
作製する。層３と層４を成長するときは、リン材料は、
赤リン(固体)を蒸発セルで約４００℃に加熱して蒸発さ
せた後、クラッカーゾーン(加熱領域)で様々な温度に加
熱して基板１に供給した。これにより、リン材料に対す
る加熱温度を変えた複数のモニタ用素子を作製した。な
お、層３と層４を成長するときの基板温度は５１０℃、
リンのビームフラックス強度は約１０-5Ｐa、成長速度
は１μm／hとした。
【００１１】図２(a)は、上記各モニタ用素子について
観測したフォトルミネッセンス強度を示している(励起
光源としてＡrイオンレーザ(波長４８８nm)を用い
た。)。この図から分かるように、フォトルミネッセン
ス強度は、加熱温度(クラッキング温度)が７００℃以上
９００℃未満の範囲で最大値をとる一方、加熱温度が７
００℃未満または９００℃以上では急激に低下してい
る。すなわち、加熱温度が７００℃以上９００℃未満の
範囲で、ＡlＧaＩnＰ系結晶層３の結晶性が良好となっ
ている。この現象は次のように説明することができる。
観測したフォトルミネッセンス強度を示している(励起
光源としてＡrイオンレーザ(波長４８８nm)を用い
た。)。この図から分かるように、フォトルミネッセン
ス強度は、加熱温度(クラッキング温度)が７００℃以上
９００℃未満の範囲で最大値をとる一方、加熱温度が７
００℃未満または９００℃以上では急激に低下してい
る。すなわち、加熱温度が７００℃以上９００℃未満の
範囲で、ＡlＧaＩnＰ系結晶層３の結晶性が良好となっ
ている。この現象は次のように説明することができる。
【００１２】加熱温度が７００℃未満の場合、図２(b)
中に示すように、リンは殆んど分解されず、４原子分子
Ｐ4の状態で基板表面に供給される。この４原子分子Ｐ4
は、付着係数が低く、また、表面反応が複雑となるため
利用効率が低い。このため、基板表面がIII族原子(Ａl,
Ｇaなど)過剰の状態となり、この結果、良質の結晶を得
ることができない。なお、たとえリンの供給量を増やし
たとしても、成長表面でリン分子によってIII族原子の
マイグレーションが阻害されるため、良質の結晶を得る
ことができない。一方、加熱温度が９００℃以上の場
合、４原子分子Ｐ4から２原子分子Ｐ2への分解は促進さ
れる。しかし、２原子分子Ｐ2が一定量以上存在する場
合はリンとIII族原子との結合が起こる(２原子分子Ｐ2
は非常に反応性が強いからである。)。この結果、成長
表面でIII族原子のマイグレーションが阻害されて、良
好な２次元成長が起こらなくなる。このため、良質の結
晶を得ることができない。
中に示すように、リンは殆んど分解されず、４原子分子
Ｐ4の状態で基板表面に供給される。この４原子分子Ｐ4
は、付着係数が低く、また、表面反応が複雑となるため
利用効率が低い。このため、基板表面がIII族原子(Ａl,
Ｇaなど)過剰の状態となり、この結果、良質の結晶を得
ることができない。なお、たとえリンの供給量を増やし
たとしても、成長表面でリン分子によってIII族原子の
マイグレーションが阻害されるため、良質の結晶を得る
ことができない。一方、加熱温度が９００℃以上の場
合、４原子分子Ｐ4から２原子分子Ｐ2への分解は促進さ
れる。しかし、２原子分子Ｐ2が一定量以上存在する場
合はリンとIII族原子との結合が起こる(２原子分子Ｐ2
は非常に反応性が強いからである。)。この結果、成長
表面でIII族原子のマイグレーションが阻害されて、良
好な２次元成長が起こらなくなる。このため、良質の結
晶を得ることができない。
【００１３】これに対して、加熱温度が７００℃以上９
００℃未満の場合は、４原子分子Ｐ4と２原子分子Ｐ2と
の両方を適度の割合で基板１に供給できるので、リンの
利用効率を高めるとともに、成長表面でのマイグレーシ
ョンを起こさせることができる。したがって、良好な結
晶性を有するＡlＧaＩnＰ系結晶を成長させることがで
きる。
００℃未満の場合は、４原子分子Ｐ4と２原子分子Ｐ2と
の両方を適度の割合で基板１に供給できるので、リンの
利用効率を高めるとともに、成長表面でのマイグレーシ
ョンを起こさせることができる。したがって、良好な結
晶性を有するＡlＧaＩnＰ系結晶を成長させることがで
きる。
【００１４】なお、図２(b)で示したデータは、４原子
分子Ｐ4と２原子分子Ｐ2の分圧を四重極質量分析器を用
いて観測したものである。
分子Ｐ4と２原子分子Ｐ2の分圧を四重極質量分析器を用
いて観測したものである。
【００１５】次に、第２実施例として、ＡlＧaＩnＰ系
屈折率導波型可視光半導体レーザを作製して、特性およ
び長期信頼性を評価した例について説明する。
屈折率導波型可視光半導体レーザを作製して、特性およ
び長期信頼性を評価した例について説明する。
【００１６】まず、図３(a)に示すように、分子線エピ
タキシー法により、n型ＧaＡs基板１上に、n型ＧaＡsバ
ッファ層２と、n型ＡlＧaＩnＰ第１クラッド層３１と、
ＧaＩnＰ活性層３２と、厚さ０.２μmのp型ＡlＧaＩnＰ
第２クラッド層３３と、厚さ３０Åのp型ＧaＩnＰエッ
チングストップ層３４と、p型ＡlＧaＩnＰ上部第２クラ
ッド層３５と、厚さ５００Åのp型ＧaＩnＰコンタクト
層３６と、p型ＧaＡsコンタクト層３７を順次成長す
る。層３１乃至層３６を成長するとき、リン材料は、第
１実施例と同様に、赤リン(固体)を蒸発セルで約４００
℃に加熱して蒸発させた後、クラッカーゾーン(加熱領
域)で様々な温度に加熱して基板１に供給した。次に、
同図(b)に示すように、フォトリソグラフィおよび化学
エッチングにより、層３５,…,３７のうち両側の不要部
分を除去して、中央にストライプ状のメサ部４０を残
す。このとき、エッチングストップ層３４によってエッ
チングを停止することができる。次に、同図(c)に示す
ように、再び分子線エピタキシー法により、n型ＧaＡs
電流狭窄層３８を成長する。次に、同図(d)に示すよう
に、再びフォトリソグラフィおよび化学エッチングを行
って、電流狭窄層３８のメサ部４０上の部分を除去す
る。次に、同図(e)に示すように、この上に、分子線エ
ピタキシー法により、p型ＧaＡsキャップ層３９を埋め
込むように成長する。最後に、表面,裏面にそれぞれp型
電極６,n型電極５を設ける。このようにして、室温で連
続発振する屈折率導波型半導体レーザ(波長６６０nm)を
作製した。この半導体レーザでは、活性層３２で発生し
た光がストライプ状メサ部４０内外の実効屈折率差によ
って導波され、単一横モードで発振した。
タキシー法により、n型ＧaＡs基板１上に、n型ＧaＡsバ
ッファ層２と、n型ＡlＧaＩnＰ第１クラッド層３１と、
ＧaＩnＰ活性層３２と、厚さ０.２μmのp型ＡlＧaＩnＰ
第２クラッド層３３と、厚さ３０Åのp型ＧaＩnＰエッ
チングストップ層３４と、p型ＡlＧaＩnＰ上部第２クラ
ッド層３５と、厚さ５００Åのp型ＧaＩnＰコンタクト
層３６と、p型ＧaＡsコンタクト層３７を順次成長す
る。層３１乃至層３６を成長するとき、リン材料は、第
１実施例と同様に、赤リン(固体)を蒸発セルで約４００
℃に加熱して蒸発させた後、クラッカーゾーン(加熱領
域)で様々な温度に加熱して基板１に供給した。次に、
同図(b)に示すように、フォトリソグラフィおよび化学
エッチングにより、層３５,…,３７のうち両側の不要部
分を除去して、中央にストライプ状のメサ部４０を残
す。このとき、エッチングストップ層３４によってエッ
チングを停止することができる。次に、同図(c)に示す
ように、再び分子線エピタキシー法により、n型ＧaＡs
電流狭窄層３８を成長する。次に、同図(d)に示すよう
に、再びフォトリソグラフィおよび化学エッチングを行
って、電流狭窄層３８のメサ部４０上の部分を除去す
る。次に、同図(e)に示すように、この上に、分子線エ
ピタキシー法により、p型ＧaＡsキャップ層３９を埋め
込むように成長する。最後に、表面,裏面にそれぞれp型
電極６,n型電極５を設ける。このようにして、室温で連
続発振する屈折率導波型半導体レーザ(波長６６０nm)を
作製した。この半導体レーザでは、活性層３２で発生し
た光がストライプ状メサ部４０内外の実効屈折率差によ
って導波され、単一横モードで発振した。
【００１７】図４は、リン材料に対する加熱温度(クラ
ッキング温度)を様々に変えて作製した上記半導体レー
ザのしきい値電流密度を示している。この図から分かる
ように、加熱温度が７００℃以上９００℃以下の範囲
で、しきい値電流密度が２.５ＫＡ／cm2以下となって良
好な特性を示した。これに対して、加熱温度が７００℃
未満であるかまたは９５０℃を超えた場合、しきい値電
流密度は急激に上昇している。また、長期信頼性につい
ては、加熱温度が９００℃未満の場合は５０００時間以
上の発振寿命を得ることができたが、加熱温度が９００
℃以上の場合は急激に信頼性が低下した。
ッキング温度)を様々に変えて作製した上記半導体レー
ザのしきい値電流密度を示している。この図から分かる
ように、加熱温度が７００℃以上９００℃以下の範囲
で、しきい値電流密度が２.５ＫＡ／cm2以下となって良
好な特性を示した。これに対して、加熱温度が７００℃
未満であるかまたは９５０℃を超えた場合、しきい値電
流密度は急激に上昇している。また、長期信頼性につい
ては、加熱温度が９００℃未満の場合は５０００時間以
上の発振寿命を得ることができたが、加熱温度が９００
℃以上の場合は急激に信頼性が低下した。
【００１８】この結果は、第１実施例のフォトルミネッ
センス強度の結果とよく一致している。すなわち、リン
に対する加熱温度を７００℃以上９００℃未満に設定す
ることによって、４原子分子Ｐ4と２原子分子Ｐ2との両
方を適度の割合で基板１に供給でき、リンの利用効率を
高めるとともに、成長表面でのマイグレーションを起こ
させることができるのである。したがって、良好な結晶
性を有するＡlＧaＩnＰ系結晶を成長させることがで
き、これにより、信頼性に優れたＡlＧaＩnＰ系可視光
半導体レーザを作製することができる。
センス強度の結果とよく一致している。すなわち、リン
に対する加熱温度を７００℃以上９００℃未満に設定す
ることによって、４原子分子Ｐ4と２原子分子Ｐ2との両
方を適度の割合で基板１に供給でき、リンの利用効率を
高めるとともに、成長表面でのマイグレーションを起こ
させることができるのである。したがって、良好な結晶
性を有するＡlＧaＩnＰ系結晶を成長させることがで
き、これにより、信頼性に優れたＡlＧaＩnＰ系可視光
半導体レーザを作製することができる。
【００１９】なお、レーザ発光領域の構造は、当然なが
ら、図３に示したものに限られるわけではない。例え
ば、実用的な屈折率導波型半導体レーザを作製するため
には、活性層としてＡlＧaＩnＰを用いても良く、ま
た、量子井戸構造やＳＣＨ構造(セパレート・コンファ
インメント・ヘテロストラクチャ)、超格子構造などを
採用しても良い。さらに、クラッド層をＡlＩnＰとして
も良い。また、第２実施例では、ストライプ状メサ部４
０を形成した後、再度分子線エピタキシー法により結晶
成長を行ったが(図３(c))、これに限られるものではな
く、有機金属気相成長法や液相エピタキシー法により結
晶成長を行っても良い。
ら、図３に示したものに限られるわけではない。例え
ば、実用的な屈折率導波型半導体レーザを作製するため
には、活性層としてＡlＧaＩnＰを用いても良く、ま
た、量子井戸構造やＳＣＨ構造(セパレート・コンファ
インメント・ヘテロストラクチャ)、超格子構造などを
採用しても良い。さらに、クラッド層をＡlＩnＰとして
も良い。また、第２実施例では、ストライプ状メサ部４
０を形成した後、再度分子線エピタキシー法により結晶
成長を行ったが(図３(c))、これに限られるものではな
く、有機金属気相成長法や液相エピタキシー法により結
晶成長を行っても良い。
【００２０】
【００２１】さらに、この発明は、第１実施例,第２実
施例の素子に適用されるだけではなく、ＡlＧaＩnＰ系
結晶を有する半導体装置の製造に広く適用することがで
きる。
施例の素子に適用されるだけではなく、ＡlＧaＩnＰ系
結晶を有する半導体装置の製造に広く適用することがで
きる。
【００２２】
【発明の効果】以上より明らかなように、請求項１の半
導体装置の製造方法によれば、基板にＡlＧaＩnＰ系結
晶を成長させる場合に、固体リンを蒸発セルで蒸発させ
た後、加熱領域で、上記リンを７００℃以上９００℃未
満の温度に加熱して、リンの４原子分子と２原子分子と
を上記温度に応じた割合で上記基板上に供給するので、
リンの４原子分子と２原子分子とを適度の割合で基板に
供給することができる。これにより、リンの利用効率を
高めるとともに、成長表面でのマイグレーションを起こ
させることができ、したがって、良好な結晶性を有する
ＡlＧaＩnＰ系結晶を成長させることができる。
導体装置の製造方法によれば、基板にＡlＧaＩnＰ系結
晶を成長させる場合に、固体リンを蒸発セルで蒸発させ
た後、加熱領域で、上記リンを７００℃以上９００℃未
満の温度に加熱して、リンの４原子分子と２原子分子と
を上記温度に応じた割合で上記基板上に供給するので、
リンの４原子分子と２原子分子とを適度の割合で基板に
供給することができる。これにより、リンの利用効率を
高めるとともに、成長表面でのマイグレーションを起こ
させることができ、したがって、良好な結晶性を有する
ＡlＧaＩnＰ系結晶を成長させることができる。
【図１】 この発明を適用して作製したモニタ用素子の
断面構造を示す図である。
断面構造を示す図である。
【図２】 上記モニタ用素子を作製したときのリン加熱
温度(クラッキング温度)とフォトルミネッセンス強度,
リン原子の分圧との関係を示す図である。
温度(クラッキング温度)とフォトルミネッセンス強度,
リン原子の分圧との関係を示す図である。
【図３】 この発明を適用してＡlＧaＩnＰ系屈折率導
波型可視光半導体レーザを作製する過程を示す図であ
る。
波型可視光半導体レーザを作製する過程を示す図であ
る。
【図４】 上記屈折率導波型可視光半導体レーザを作製
したときのリン加熱温度(クラッキング温度)としきい値
電流密度との関係を示す図である。
したときのリン加熱温度(クラッキング温度)としきい値
電流密度との関係を示す図である。
【図５】 従来の可視光半導体レーザの作製過程を説明
する図である。
する図である。
１ ＧaＡs基板 ２ ＧaＡsバッファ層 ３ (Ａl0.5Ｇa0.5)0.5Ｉn0.5Ｐ層 ４ ＧaＩnＰ層 ５ n型電極 ６ p型電極 ３１ n型ＡlＧaＩnＰ第１クラッド層 ３２ ＧaＩnＰ活性層 ３３ p型ＡlＧaＩnＰ第２クラッド層 ３４ p型ＧaＩnＰエッチングストップ層 ３５ p型ＡlＧaＩnＰ上部第２クラッド層 ３６ p型ＧaＩnＰコンタクト層 ３７ p型ＧaＡsコンタクト層 ３８ n型ＧaＡs電流狭窄層 ３９ p型ＧaＡsキャップ層 ４０ ストライプ状メサ部
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 角田 篤男 大阪府大阪市阿倍野区長池町22番22号 シャープ株式会社内 (72)発明者 谷 健太郎 大阪府大阪市阿倍野区長池町22番22号 シャープ株式会社内 (56)参考文献 特開 昭61−278129（ＪＰ，Ａ) 特開 平４−5819（ＪＰ，Ａ) 特開 平４−25120（ＪＰ，Ａ) 特開 平４−5818（ＪＰ，Ａ) 特開 昭63−69793（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.6，ＤＢ名) H01L 21/203 C30B 23/08
Claims (1)
- 【請求項１】 分子線エピタキシー法により、固体リン
を含む材料を蒸発セルで蒸発させた後、所定の加熱領域
を通して基板上に供給して、上記基板にＡlＧaＩnＰ系
結晶を成長させる半導体装置の製造方法において、 上記加熱領域で、上記リンを７００℃以上９００℃未満
の温度に加熱して、リンの４原子分子と２原子分子とを
上記温度に応じた割合で上記基板上に供給することを特
徴とする半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4136882A JP2911077B2 (ja) | 1992-05-28 | 1992-05-28 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4136882A JP2911077B2 (ja) | 1992-05-28 | 1992-05-28 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05335235A JPH05335235A (ja) | 1993-12-17 |
| JP2911077B2 true JP2911077B2 (ja) | 1999-06-23 |
Family
ID=15185754
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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| JP4136882A Expired - Fee Related JP2911077B2 (ja) | 1992-05-28 | 1992-05-28 | 半導体装置の製造方法 |
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| JP (1) | JP2911077B2 (ja) |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH07226564A (ja) * | 1994-02-14 | 1995-08-22 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体レーザ装置およびその評価方法 |
-
1992
- 1992-05-28 JP JP4136882A patent/JP2911077B2/ja not_active Expired - Fee Related
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH05335235A (ja) | 1993-12-17 |
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