JPH07150351A - イオンプレーティング装置 - Google Patents
イオンプレーティング装置Info
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- JPH07150351A JPH07150351A JP5321241A JP32124193A JPH07150351A JP H07150351 A JPH07150351 A JP H07150351A JP 5321241 A JP5321241 A JP 5321241A JP 32124193 A JP32124193 A JP 32124193A JP H07150351 A JPH07150351 A JP H07150351A
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- bearing
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 被処理物の被成膜面が２面以上あって、しか
もその被成膜面同士が同時に蒸発源に対向できない場合
でも１回のバッチで、全ての被成膜面に効率良く均質な
コーティングを行うことが可能なイオンプレーティング
装置を提供する。 【構成】 互いに直交する２つの回転軸を中心に被処理
物を回転可能な被処理物支持具を用いることで、被処理
物の被成膜面が２面以上あって、しかもその被成膜面同
士が、同時に蒸発源に対向できない場合でも１回のバッ
チで全ての被成膜面に効率良く均質なコーティングを行
うことができる。
もその被成膜面同士が同時に蒸発源に対向できない場合
でも１回のバッチで、全ての被成膜面に効率良く均質な
コーティングを行うことが可能なイオンプレーティング
装置を提供する。 【構成】 互いに直交する２つの回転軸を中心に被処理
物を回転可能な被処理物支持具を用いることで、被処理
物の被成膜面が２面以上あって、しかもその被成膜面同
士が、同時に蒸発源に対向できない場合でも１回のバッ
チで全ての被成膜面に効率良く均質なコーティングを行
うことができる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、均質被膜を効率的に
得るために被処理物を回転させながらコーティングを行
うイオンプレーティング装置に関する。
得るために被処理物を回転させながらコーティングを行
うイオンプレーティング装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】イオンプレーティング法を用いると、５
００℃以下という比較的低温で基材の特性を損なわず高
硬度なセラミックス等を被膜できるので、装飾以外に耐
摩耗部材や耐食部材にも適用されている（表面技術Ｖｏ
ｌ．４４、Ｎｏ．９，１９９３，ｐ．７１２）。
００℃以下という比較的低温で基材の特性を損なわず高
硬度なセラミックス等を被膜できるので、装飾以外に耐
摩耗部材や耐食部材にも適用されている（表面技術Ｖｏ
ｌ．４４、Ｎｏ．９，１９９３，ｐ．７１２）。
【０００３】このイオンプレーティング法に於いては、
イオン化された蒸着粒子を被成膜面にバイアスをかけて
引き寄せるため、蒸着粒子の移動に方向性がある。蒸着
粒子は、バイアスのかかった被成膜物に向かって最短ル
ートで動くので、蒸発源に対向する蒸発源に最も近い成
膜面が厚く成膜され、密着性等の皮膜特性も優れてい
る。これは、蒸着粒子の持つ運動エネルギーの寄与が大
きい。反面、蒸発源に対向していない成膜面では、蒸発
源と成膜面とを結ぶ線上に障害物があり、ここで蒸着粒
子の運動エネルギーは大部分消費されてしまい、良質な
成膜は行われない。
イオン化された蒸着粒子を被成膜面にバイアスをかけて
引き寄せるため、蒸着粒子の移動に方向性がある。蒸着
粒子は、バイアスのかかった被成膜物に向かって最短ル
ートで動くので、蒸発源に対向する蒸発源に最も近い成
膜面が厚く成膜され、密着性等の皮膜特性も優れてい
る。これは、蒸着粒子の持つ運動エネルギーの寄与が大
きい。反面、蒸発源に対向していない成膜面では、蒸発
源と成膜面とを結ぶ線上に障害物があり、ここで蒸着粒
子の運動エネルギーは大部分消費されてしまい、良質な
成膜は行われない。
【０００４】そこで、従来のイオンプレーティング装置
は、被成膜面が蒸発面と一定の距離を保ちながら回転若
しくは公転する機構を有していた（例えば特願昭５５−
７１４１６号参照）。このようにすれば、蒸発面に対向
する被成膜面は均質に成膜される。
は、被成膜面が蒸発面と一定の距離を保ちながら回転若
しくは公転する機構を有していた（例えば特願昭５５−
７１４１６号参照）。このようにすれば、蒸発面に対向
する被成膜面は均質に成膜される。
【０００５】一方、イオンプレーティング法による被膜
特性が注目されるにつれ、様々な形状の部材、例えば被
成膜面が２面以上あって、しかも被成膜面同士が表と
裏、または上と下といったように、同時に蒸発源に対向
できないものに対してもイオンプレーティング法を適用
する要望が高まっている。
特性が注目されるにつれ、様々な形状の部材、例えば被
成膜面が２面以上あって、しかも被成膜面同士が表と
裏、または上と下といったように、同時に蒸発源に対向
できないものに対してもイオンプレーティング法を適用
する要望が高まっている。
【０００６】しかしながら、従来は１回のバッチで均質
で効率的な処理ができない等の問題があった。
で効率的な処理ができない等の問題があった。
【０００７】また、被処理物を保持し、回転させる場合
には軸受が必要であるが、イオンプレーティング法では
真空中でしかも温度を上げて成膜することから、使用で
きる軸受が限定される。即ち、油やグリース、粉末系潤
滑材などは使用できず、ベヤリング鋼（ＳＵＪ２）やス
テンレス構成のものが一般的となる。ところが、通常の
ベヤリング鋼（ＳＵＪ２）では温度による硬度低下を招
き、ステンレス鋼では高荷重で焼き付く等の問題がある
ために交換頻度が多くなるという問題があった。
には軸受が必要であるが、イオンプレーティング法では
真空中でしかも温度を上げて成膜することから、使用で
きる軸受が限定される。即ち、油やグリース、粉末系潤
滑材などは使用できず、ベヤリング鋼（ＳＵＪ２）やス
テンレス構成のものが一般的となる。ところが、通常の
ベヤリング鋼（ＳＵＪ２）では温度による硬度低下を招
き、ステンレス鋼では高荷重で焼き付く等の問題がある
ために交換頻度が多くなるという問題があった。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】この発明の目的は、被
処理物の被成膜面が２面以上あって、しかもその被成膜
面同士が同時に蒸発源に対向できない場合でも１回のバ
ッチで、全ての被成膜面に効率良く均質なコーティング
を行うことが可能なイオンプレーティング装置を提供す
ることにある。
処理物の被成膜面が２面以上あって、しかもその被成膜
面同士が同時に蒸発源に対向できない場合でも１回のバ
ッチで、全ての被成膜面に効率良く均質なコーティング
を行うことが可能なイオンプレーティング装置を提供す
ることにある。
【０００９】
【課題を解決するための手段】本発明は、上記目的を達
成するために、真空槽と、この真空槽内に配置された電
子銃蒸発源と被処理物との間でプラズマを発生させる手
段と、反応ガス供給手段と、前記被処理物を保持するた
めの被処理物支持具とを有し、前記被処理物支持具が、
互いに直交する２つの回転軸を中心に前記被処理物を回
転可能となっていることを特徴とするイオンプレーティ
ング装置を提供する。特に、前記互いに直交する回転軸
の軸受に金属基自己潤滑性材料を使用すると良く、更に
前記蒸発源と該蒸発源に最も近い被成膜面との間の距離
が、前記蒸発源と前記被処理物支持具との間の距離より
も短くなっていると一層良い。
成するために、真空槽と、この真空槽内に配置された電
子銃蒸発源と被処理物との間でプラズマを発生させる手
段と、反応ガス供給手段と、前記被処理物を保持するた
めの被処理物支持具とを有し、前記被処理物支持具が、
互いに直交する２つの回転軸を中心に前記被処理物を回
転可能となっていることを特徴とするイオンプレーティ
ング装置を提供する。特に、前記互いに直交する回転軸
の軸受に金属基自己潤滑性材料を使用すると良く、更に
前記蒸発源と該蒸発源に最も近い被成膜面との間の距離
が、前記蒸発源と前記被処理物支持具との間の距離より
も短くなっていると一層良い。
【００１０】
【作用】本発明によれば、被成膜面が２面以上あって、
しかもその被成膜面同士が、同時に蒸発源に対向できな
い場合でも、回転方向を組み合わせることで被成膜面を
蒸発源に対向させ、１回のバッチで、効率良く均質なコ
ーティングを行うことができる。様々な被成膜面を蒸発
源に対向させるには、直交する回転を行うことが効率的
である。
しかもその被成膜面同士が、同時に蒸発源に対向できな
い場合でも、回転方向を組み合わせることで被成膜面を
蒸発源に対向させ、１回のバッチで、効率良く均質なコ
ーティングを行うことができる。様々な被成膜面を蒸発
源に対向させるには、直交する回転を行うことが効率的
である。
【００１１】
【実施例】本発明が適用された第１の実施例について図
１〜図４を参照して以下に説明する。
１〜図４を参照して以下に説明する。
【００１２】図１〜図４は、本発明の第１実施例を示し
ている。符号１は真空槽、符号１８は排気口である。符
号１５はプラズマを発生するためのプラズマ発生電極
で、陽極電源２０に接続されている。また符号１３は電
子銃蒸発源１７と被処理物２との間で発生したプラズマ
を示し、符号１４は反応ガス供給手段を示している。更
に、符号１９は被処理物２へバイアスをかける陰極電源
を示している。
ている。符号１は真空槽、符号１８は排気口である。符
号１５はプラズマを発生するためのプラズマ発生電極
で、陽極電源２０に接続されている。また符号１３は電
子銃蒸発源１７と被処理物２との間で発生したプラズマ
を示し、符号１４は反応ガス供給手段を示している。更
に、符号１９は被処理物２へバイアスをかける陰極電源
を示している。
【００１３】本実施例に於けるイオンプレーティング装
置は、円盤状被処理物２を合計２枚処理できるようにな
っている。また例えば被処理物２は、外径３００ｍｍ〜
５００ｍｍφで厚さ２０ｍｍ〜５０ｍｍの鋼板切断用の
サイドトリマーやスリッターカッターであり、両エッジ
部付近の両側面と円周面の３つの被成膜面があるものと
する。被処理物２は、以下に示すように、互いに直交す
る２つの回転軸を中心に回転を行うことができる被処理
物支持具に保持される。被処理物支持具は、被処理物回
転軸１１、被処理物回転軸を支持するための軸受４、歯
車８を介して回転軸１１から回転を伝達される回転軸２
３、回転軸２３を支持するための軸受６、軸受６の支持
台３、被処理物支持台９、被処理物支持具基板７、被処
理物支持具基板７に回転を伝えるための治具１０及び回
転軸１２から構成されている。尚、本実施例では蒸発源
１７から被処理物支持具基板７までの距離は図１の位置
関係で、４５ｃｍとなっている。
置は、円盤状被処理物２を合計２枚処理できるようにな
っている。また例えば被処理物２は、外径３００ｍｍ〜
５００ｍｍφで厚さ２０ｍｍ〜５０ｍｍの鋼板切断用の
サイドトリマーやスリッターカッターであり、両エッジ
部付近の両側面と円周面の３つの被成膜面があるものと
する。被処理物２は、以下に示すように、互いに直交す
る２つの回転軸を中心に回転を行うことができる被処理
物支持具に保持される。被処理物支持具は、被処理物回
転軸１１、被処理物回転軸を支持するための軸受４、歯
車８を介して回転軸１１から回転を伝達される回転軸２
３、回転軸２３を支持するための軸受６、軸受６の支持
台３、被処理物支持台９、被処理物支持具基板７、被処
理物支持具基板７に回転を伝えるための治具１０及び回
転軸１２から構成されている。尚、本実施例では蒸発源
１７から被処理物支持具基板７までの距離は図１の位置
関係で、４５ｃｍとなっている。
【００１４】軸受４及び軸受６は、図２に示すような構
造となっている。符号２２は金属基自己潤滑性材料であ
り、符号２１は金属基自己潤滑性材料２２を保持して強
度補強するためのスリーブである。金属基自己潤滑性材
料２２とスリーブ２１とは一体となっており、必要に応
じて軸受４から取り外して交換できるようになってい
る。軸受４本体（ケーシング）及びスリーブ２１は、真
空中で使用されるのでガス放出の少ないステンレス製
（ＳＵＳ３０４等）のものが望ましい。金属基自己潤滑
性材料２２としては、二硫化タングステンにステンレス
粉末を混合し焼結した複合材を使用した。この金属基自
己潤滑性材料２２の耐熱温度は真空中で１０００℃、比
摩耗率は２．０×１０-8ｍｍ3／ｋｇ・ｍｍ程度であ
る。自己潤滑材料の強度保持に、ステンレス粉末を使用
したが、銅やタングステンを入れたものも同様の特性を
示す。この金属基自己潤滑性材料２２と回転軸１１とが
接して回転が潤滑に行われる。回転軸２３と軸受６とも
同様である。
造となっている。符号２２は金属基自己潤滑性材料であ
り、符号２１は金属基自己潤滑性材料２２を保持して強
度補強するためのスリーブである。金属基自己潤滑性材
料２２とスリーブ２１とは一体となっており、必要に応
じて軸受４から取り外して交換できるようになってい
る。軸受４本体（ケーシング）及びスリーブ２１は、真
空中で使用されるのでガス放出の少ないステンレス製
（ＳＵＳ３０４等）のものが望ましい。金属基自己潤滑
性材料２２としては、二硫化タングステンにステンレス
粉末を混合し焼結した複合材を使用した。この金属基自
己潤滑性材料２２の耐熱温度は真空中で１０００℃、比
摩耗率は２．０×１０-8ｍｍ3／ｋｇ・ｍｍ程度であ
る。自己潤滑材料の強度保持に、ステンレス粉末を使用
したが、銅やタングステンを入れたものも同様の特性を
示す。この金属基自己潤滑性材料２２と回転軸１１とが
接して回転が潤滑に行われる。回転軸２３と軸受６とも
同様である。
【００１５】ここで、軸受け４及び軸受け６は、通常の
ＳＵＪ２等のベヤリング鋼を使ったころ軸受や玉軸受を
使用せず、図２に示すように金属基自己潤滑性材料を使
用したスリーブ状の構造にした理由を説明する。イオン
プレーティング法は真空中でしかも温度を上げて成膜す
るので、油やグリース、粉末性潤滑材は真空室内を汚染
するので使用することができない。従って、軸受として
ベヤリング鋼（ＳＵＪ２）やステンレス鋼製のころ軸受
や玉軸受とすることが一般的であるが、通常のベヤリン
グ鋼では温度による硬度低下を招き、ステンレス鋼では
高荷重で焼き付く等の問題があるためである。また、接
触面積が少なく荷重が集中する構造（ころや玉での接
触）では上記問題は起こり易くなる。
ＳＵＪ２等のベヤリング鋼を使ったころ軸受や玉軸受を
使用せず、図２に示すように金属基自己潤滑性材料を使
用したスリーブ状の構造にした理由を説明する。イオン
プレーティング法は真空中でしかも温度を上げて成膜す
るので、油やグリース、粉末性潤滑材は真空室内を汚染
するので使用することができない。従って、軸受として
ベヤリング鋼（ＳＵＪ２）やステンレス鋼製のころ軸受
や玉軸受とすることが一般的であるが、通常のベヤリン
グ鋼では温度による硬度低下を招き、ステンレス鋼では
高荷重で焼き付く等の問題があるためである。また、接
触面積が少なく荷重が集中する構造（ころや玉での接
触）では上記問題は起こり易くなる。
【００１６】本実施例に於いて、被処理物２は２つの互
いに直交する回転軸（回転軸２３及び回転軸１２）によ
り回転可能とした理由を説明する。これにより、被成膜
面が円盤状被処理物の両側面と円周面の３つあり、同時
に蒸発源に対向できない場合でも、互いに直交する２つ
の回転軸を中心とした回転を組み合わせることにより、
いずれの成膜面をも蒸発源に対向させることができるた
めである。
いに直交する回転軸（回転軸２３及び回転軸１２）によ
り回転可能とした理由を説明する。これにより、被成膜
面が円盤状被処理物の両側面と円周面の３つあり、同時
に蒸発源に対向できない場合でも、互いに直交する２つ
の回転軸を中心とした回転を組み合わせることにより、
いずれの成膜面をも蒸発源に対向させることができるた
めである。
【００１７】更に、回転を行った状態でも、蒸発源から
この蒸発源と対向した被成膜面までの距離が、蒸発源と
被処理物支持具との距離よりも短くすることができるこ
とにより、蒸発源と被成膜面とを結ぶ線上に障害物がな
いために被処理物の被成膜面が優先的にコーティングさ
れ、成膜効率が向上する。
この蒸発源と対向した被成膜面までの距離が、蒸発源と
被処理物支持具との距離よりも短くすることができるこ
とにより、蒸発源と被成膜面とを結ぶ線上に障害物がな
いために被処理物の被成膜面が優先的にコーティングさ
れ、成膜効率が向上する。
【００１８】図３及び図４に、回転を行ったときの図１
のＩ−Ｉ線方向からみた断面図を示す。ここで、被成膜
面は、符号２５〜３０である。図３に示す位置関係の場
合、被成膜面２８、２９、２５、２７が蒸発源１７に対
向しているため良質な成膜が行われるが、被成膜面２６
と３０は、蒸発源１７に対向していないため成膜が不十
分である。しかし、更に回転軸１２を中心とする回転を
行った時（図４）、蒸発源１７に対向するため良質な成
膜が行われる。例えば図３に於いて、蒸発源１７と被処
理物支持具７との最短距離は４５ｃｍであり、蒸発源１
７と被成膜面２５までの距離は３５ｃｍであるので、成
膜面２５が優先的に成膜される。回転を行っても被成膜
面と蒸発源との距離は、被処理物支持具と蒸発源との距
離より短く効率の良い成膜ができる。
のＩ−Ｉ線方向からみた断面図を示す。ここで、被成膜
面は、符号２５〜３０である。図３に示す位置関係の場
合、被成膜面２８、２９、２５、２７が蒸発源１７に対
向しているため良質な成膜が行われるが、被成膜面２６
と３０は、蒸発源１７に対向していないため成膜が不十
分である。しかし、更に回転軸１２を中心とする回転を
行った時（図４）、蒸発源１７に対向するため良質な成
膜が行われる。例えば図３に於いて、蒸発源１７と被処
理物支持具７との最短距離は４５ｃｍであり、蒸発源１
７と被成膜面２５までの距離は３５ｃｍであるので、成
膜面２５が優先的に成膜される。回転を行っても被成膜
面と蒸発源との距離は、被処理物支持具と蒸発源との距
離より短く効率の良い成膜ができる。
【００１９】以下に本実施例の動作要領の一例を説明す
る。まず、排気口１８から所定の圧力（多くの場合圧力
０．１Ｐａ以下）まで排気する。次にイオンプレーティ
ングを行う前に、被処理物表面を清浄化するためのイオ
ンボンバードメントを行う場合は、アルゴンガスをガス
供給手段１４から導入し、陰極電源１９を動作させると
被処理物２表面にグロー放電が起こり被処理物表面が清
浄化される。この際、必要に応じてヒータ２４により加
熱しても良い。そして、所定の時間イオンボンバードメ
ントした後、アルゴンガスの供給を止め、再び高真空
（圧力０．１Ｐａ以下）を保つ。
る。まず、排気口１８から所定の圧力（多くの場合圧力
０．１Ｐａ以下）まで排気する。次にイオンプレーティ
ングを行う前に、被処理物表面を清浄化するためのイオ
ンボンバードメントを行う場合は、アルゴンガスをガス
供給手段１４から導入し、陰極電源１９を動作させると
被処理物２表面にグロー放電が起こり被処理物表面が清
浄化される。この際、必要に応じてヒータ２４により加
熱しても良い。そして、所定の時間イオンボンバードメ
ントした後、アルゴンガスの供給を止め、再び高真空
（圧力０．１Ｐａ以下）を保つ。
【００２０】次に、電子銃蒸発源１７に置かれた蒸発物
質１６を電子ビームにより溶解する。例えば、窒化チタ
ン成膜や炭窒化チタン成膜の場合は蒸発物質１６にチタ
ンを使用する。陽極電源２０を動作させると、プラズマ
発生電極１５の周辺にプラズマ１３が発生する。そして
ガス供給手段１４より反応ガスを導入する。このとき、
例えば窒化チタン成膜の場合は窒素、炭窒化チタン成膜
の場合は窒素とアセチレンの混合ガスが導入される。
質１６を電子ビームにより溶解する。例えば、窒化チタ
ン成膜や炭窒化チタン成膜の場合は蒸発物質１６にチタ
ンを使用する。陽極電源２０を動作させると、プラズマ
発生電極１５の周辺にプラズマ１３が発生する。そして
ガス供給手段１４より反応ガスを導入する。このとき、
例えば窒化チタン成膜の場合は窒素、炭窒化チタン成膜
の場合は窒素とアセチレンの混合ガスが導入される。
【００２１】次に陰極電源１９を動作させると、被処理
物２表面にバイアスがかかり被処理物がコーティングさ
れる。この際、必要に応じてヒーター２４により加熱し
ても良い。コーティング中は、回転軸１１と回転軸１２
との回転を組み合わせて所定の動作をする。
物２表面にバイアスがかかり被処理物がコーティングさ
れる。この際、必要に応じてヒーター２４により加熱し
ても良い。コーティング中は、回転軸１１と回転軸１２
との回転を組み合わせて所定の動作をする。
【００２２】これにより、両側面と円周面の３つの被成
膜面を持つ鋼板切断用のサイドトリマーやスリッターカ
ッター等の円盤状被処理物２枚を、一回のバッチで、効
率良く均質にコーティングすることができた。
膜面を持つ鋼板切断用のサイドトリマーやスリッターカ
ッター等の円盤状被処理物２枚を、一回のバッチで、効
率良く均質にコーティングすることができた。
【００２３】次に、本発明が適用された第２の実施例に
ついて図５を参照して説明する。本実施例は、被処理物
の数が増えた場合にも第１実施例と同様の動作で効率良
く均質なコーテイングを行う装置である。本実施例に於
けるイオンプレーティング装置では、第１の実施例に示
したイオンプレーティング装置に、プラズマ発生電極１
５、電子銃蒸発源１７が更にもう１台設置され、即ち２
台設置され、加えて軸受４、歯車８、回転軸２３、軸受
６、保持板３及び基板９等を有する回転機構が上記各プ
ラズマ発生電極１５、電子銃蒸発源１７に対応して計２
組設けられている。尚、被処理物回転軸１１による回転
は、歯車を介して回転伝達部５に伝えられ、更に他方の
歯車８を介して回転軸２３に伝えられるようになってい
る。このようにして本実施例によれば円盤状被処理物２
を４枚処理できる。
ついて図５を参照して説明する。本実施例は、被処理物
の数が増えた場合にも第１実施例と同様の動作で効率良
く均質なコーテイングを行う装置である。本実施例に於
けるイオンプレーティング装置では、第１の実施例に示
したイオンプレーティング装置に、プラズマ発生電極１
５、電子銃蒸発源１７が更にもう１台設置され、即ち２
台設置され、加えて軸受４、歯車８、回転軸２３、軸受
６、保持板３及び基板９等を有する回転機構が上記各プ
ラズマ発生電極１５、電子銃蒸発源１７に対応して計２
組設けられている。尚、被処理物回転軸１１による回転
は、歯車を介して回転伝達部５に伝えられ、更に他方の
歯車８を介して回転軸２３に伝えられるようになってい
る。このようにして本実施例によれば円盤状被処理物２
を４枚処理できる。
【００２４】上記各実施例は、単なる１実施例であり、
多量の処理物を扱うときは第２の実施例で示したように
回転伝達部５により回転を伝達する機構を更に設置すれ
ば良い。その際、プラズマ発生電極１５、電子銃蒸発源
１７及び陽極電源２０については、水平方向の膜厚分布
が目的を満たす範囲内であれば必ずしも増設する必要は
ない。
多量の処理物を扱うときは第２の実施例で示したように
回転伝達部５により回転を伝達する機構を更に設置すれ
ば良い。その際、プラズマ発生電極１５、電子銃蒸発源
１７及び陽極電源２０については、水平方向の膜厚分布
が目的を満たす範囲内であれば必ずしも増設する必要は
ない。
【００２５】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
互いに直交する２つの回転軸を中心に被処理物を回転可
能な被処理物支持具を用いることで、被処理物の被成膜
面が２面以上あって、しかもその被成膜面同士が、同時
に蒸発源に対向できない場合でも１回のバッチで全ての
被成膜面に効率良く均質なコーティングを行うことがで
きる。
互いに直交する２つの回転軸を中心に被処理物を回転可
能な被処理物支持具を用いることで、被処理物の被成膜
面が２面以上あって、しかもその被成膜面同士が、同時
に蒸発源に対向できない場合でも１回のバッチで全ての
被成膜面に効率良く均質なコーティングを行うことがで
きる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の第１の実施例を示すイオンプレーティ
ング装置の概略図である。
ング装置の概略図である。
【図２】図１の装置の要部斜視図である。
【図３】図１の装置の作動要領を説明するためのＩ−Ｉ
線について見た断面図である。
線について見た断面図である。
【図４】図１の装置の作動要領を説明するためのＩ−Ｉ
線について見た断面図である。
線について見た断面図である。
【図５】本発明の第２の実施例を示すイオンプレーティ
ング装置の概略図である。
ング装置の概略図である。
１ 真空槽 ２ 被処理物 ３ 軸受６の保持板 ４ 回転軸１１を支持する軸受 ５ 回転軸１１の回転を伝える回転軸 ６ 回転軸２３の軸受 ７ 被処理物支持具の支持板 ８ 回転を垂直方向に伝える歯車 ９ 被処理物支持基板 １０ 回転軸１２の回転を被処理物支持具に与える軸受 １１ 被処理物回転軸 １２ 被処理物支持具に回転を与える回転軸 １３ プラズマ １４ 反応ガス供給手段 １５ プラズマ発生電極 １６ 被蒸発物質 １７ 電子銃蒸発源 １８ 排気口 １９ 陰極電極 ２０ 陽極電極 ２１ スリーブ ２２ 金属基自己潤滑性材料 ２３ 回転軸１１より回転を伝えられる回転軸 ２４ 被処理物加熱用ヒータ ２５〜３０ 被処理物２の被成膜面
Claims (3)
- 【請求項１】 真空槽と、この真空槽内に配置された
電子銃蒸発源と被処理物との間でプラズマを発生させる
手段と、反応ガス供給手段と、前記被処理物を保持する
ための被処理物支持具とを有するイオンプレーティング
装置に於いて、 前記被処理物支持具が、互いに直交する２つの回転軸を
中心に前記被処理物を回転可能となっていることを特徴
とするイオンプレーティング装置。 - 【請求項２】 前記被処理物支持具の軸受に金属基自
己潤滑性材料を使用したことを特徴とする請求項１に記
載のイオンプレーティング装置。 - 【請求項３】 前記蒸発源と該蒸発源に最も近い被成
膜面との間の距離が、前記蒸発源と前記被処理物支持具
との間の距離よりも短くなっていることを特徴とする請
求項１若しくは請求項２に記載のイオンプレーティング
装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5321241A JP2895375B2 (ja) | 1993-11-26 | 1993-11-26 | イオンプレーティング装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5321241A JP2895375B2 (ja) | 1993-11-26 | 1993-11-26 | イオンプレーティング装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07150351A true JPH07150351A (ja) | 1995-06-13 |
| JP2895375B2 JP2895375B2 (ja) | 1999-05-24 |
Family
ID=18130390
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5321241A Expired - Lifetime JP2895375B2 (ja) | 1993-11-26 | 1993-11-26 | イオンプレーティング装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2895375B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| GB2329906A (en) * | 1997-10-04 | 1999-04-07 | Deutsch Zentr Luft & Raumfahrt | Zirconia heat-insulating layers on monocrystalline and polycrystalline metal substrates |
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-
1993
- 1993-11-26 JP JP5321241A patent/JP2895375B2/ja not_active Expired - Lifetime
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| GB2329906B (en) * | 1997-10-04 | 2000-03-01 | Deutsch Zentr Luft & Raumfahrt | Heat-insulating layers on monocrystalline and polycrystalline metal substrates having an improved crystallographic relationship between layer and substrate |
| US6127006A (en) * | 1997-10-04 | 2000-10-03 | Deutsches Zentrum Fur Luft-Und Raumfahrt E.V. | Heat-insulating layers on monocrystalline and polycrystalline metal substrates having an improved crystallographic relationship between layer and substrate |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2895375B2 (ja) | 1999-05-24 |
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