JPH07150334A - レーザ光用薄膜の製造方法 - Google Patents
レーザ光用薄膜の製造方法Info
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- JPH07150334A JPH07150334A JP5319076A JP31907693A JPH07150334A JP H07150334 A JPH07150334 A JP H07150334A JP 5319076 A JP5319076 A JP 5319076A JP 31907693 A JP31907693 A JP 31907693A JP H07150334 A JPH07150334 A JP H07150334A
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- gas
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- film
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 基板の表面を効果的に清浄化してレーザ耐力
を向上させる。 【構成】 成膜前の基板Ｗ1 の表面に、ガス導入ライン
４からアース電極３の開口３ａを経て導入されるエッチ
ングガスに接触させ、その化学反応によって基板Ｗ1 の
表面を清浄化したうえで反射防止膜や高反射膜等を成膜
する。エッチングガスの少くとも一部分はアース電極３
と基板Ｗ1 を保持する基板ホルダ６と一体であるＲＦ電
極２の間に印加される高周波電圧によってガスプラズマ
となる。
を向上させる。 【構成】 成膜前の基板Ｗ1 の表面に、ガス導入ライン
４からアース電極３の開口３ａを経て導入されるエッチ
ングガスに接触させ、その化学反応によって基板Ｗ1 の
表面を清浄化したうえで反射防止膜や高反射膜等を成膜
する。エッチングガスの少くとも一部分はアース電極３
と基板Ｗ1 を保持する基板ホルダ６と一体であるＲＦ電
極２の間に印加される高周波電圧によってガスプラズマ
となる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、レーザ光用の光学部品
や光学素子等に反射防止膜、高反射膜あるいは偏光膜等
の光学薄膜を製造するためのレーザ光用薄膜の製造方法
に関するものである。
や光学素子等に反射防止膜、高反射膜あるいは偏光膜等
の光学薄膜を製造するためのレーザ光用薄膜の製造方法
に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】石英等の光学基板にレーザ光用の反射防
止膜、高反射膜や偏光膜等の光学薄膜を成膜する場合に
は、高エネルギーであるレーザ光に対する耐久性を向上
させるために成膜前の基板表面をイオンビームエッチン
グ等によって清浄化し、基板表面に残存する研磨剤やゴ
ミあるいは加工変質層等を除去して光学薄膜の密着性や
充填率を高める方法が開発されている（特開平０１−１
０４７６０号公報参照）。
止膜、高反射膜や偏光膜等の光学薄膜を成膜する場合に
は、高エネルギーであるレーザ光に対する耐久性を向上
させるために成膜前の基板表面をイオンビームエッチン
グ等によって清浄化し、基板表面に残存する研磨剤やゴ
ミあるいは加工変質層等を除去して光学薄膜の密着性や
充填率を高める方法が開発されている（特開平０１−１
０４７６０号公報参照）。
【０００３】図２は従来のイオンビームエッチング装置
を示すもので、基板Ｗ0 を搬入した真空室１０１を所定
の真空度に減圧し、ガス導入ライン１０４から導入され
たガスをイオン源１０２によってイオン化して発生した
イオンビームを基板Ｗ0 の表面に照射する。なお、基板
Ｗ0 は、その表面がイオン源１０２から発生されるイオ
ンビームに対して垂直あるいは所定の傾斜角度になるよ
うに保持され、必要であれば図示しない回転装置によっ
て回転される。
を示すもので、基板Ｗ0 を搬入した真空室１０１を所定
の真空度に減圧し、ガス導入ライン１０４から導入され
たガスをイオン源１０２によってイオン化して発生した
イオンビームを基板Ｗ0 の表面に照射する。なお、基板
Ｗ0 は、その表面がイオン源１０２から発生されるイオ
ンビームに対して垂直あるいは所定の傾斜角度になるよ
うに保持され、必要であれば図示しない回転装置によっ
て回転される。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら上記従来
の技術によれば、成膜前の基板表面をイオン衝突によっ
てエッチングするものであるため、エッチングしきい値
以上のイオンエネルギーを必要とするうえに、エッチン
グの速度を高めるにはより一層イオンエネルギーを高く
しなければならず、このように高エネルギーのイオンの
ために基板表面に種々の欠陥（例えば石英基板の場合は
酸素欠落（欠陥Ｅ’センター）や５．８ｅＶ吸収バンド
ギャップ等）が発生する。これらの欠陥はそのバンドギ
ャップの波長のレーザ光に対する光学薄膜の吸収を増大
させ、該波長以下のレーザ光を照射するとレーザ光のエ
ネルギーの一部が欠陥に吸収され、光学薄膜の発熱、損
傷を起すおそれがある。また、イオンビームエッチング
においては、イオンを加速して基板表面に衝突させるた
めにイオン流に指向性があり、曲面状の基板や表面に凹
凸のある基板の場合は基板を回転させてもエッチング深
さを均一にすることができず、また、基板の両面を同時
にエッチングする場合には多くの困難を伴う。
の技術によれば、成膜前の基板表面をイオン衝突によっ
てエッチングするものであるため、エッチングしきい値
以上のイオンエネルギーを必要とするうえに、エッチン
グの速度を高めるにはより一層イオンエネルギーを高く
しなければならず、このように高エネルギーのイオンの
ために基板表面に種々の欠陥（例えば石英基板の場合は
酸素欠落（欠陥Ｅ’センター）や５．８ｅＶ吸収バンド
ギャップ等）が発生する。これらの欠陥はそのバンドギ
ャップの波長のレーザ光に対する光学薄膜の吸収を増大
させ、該波長以下のレーザ光を照射するとレーザ光のエ
ネルギーの一部が欠陥に吸収され、光学薄膜の発熱、損
傷を起すおそれがある。また、イオンビームエッチング
においては、イオンを加速して基板表面に衝突させるた
めにイオン流に指向性があり、曲面状の基板や表面に凹
凸のある基板の場合は基板を回転させてもエッチング深
さを均一にすることができず、また、基板の両面を同時
にエッチングする場合には多くの困難を伴う。
【０００５】本発明は、上記従来の技術の有する問題点
に鑑みてなされてものであり、イオン衝撃等による表面
欠陥を発生させることなく基板の表面を効果的に清浄化
し、レーザ耐力の高いレーザ光用薄膜を得ることが容易
であるレーザ光用薄膜の製造方法を提供することを目的
とするものである。
に鑑みてなされてものであり、イオン衝撃等による表面
欠陥を発生させることなく基板の表面を効果的に清浄化
し、レーザ耐力の高いレーザ光用薄膜を得ることが容易
であるレーザ光用薄膜の製造方法を提供することを目的
とするものである。
【０００６】
【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
め本発明のレーザ光用薄膜の製造方法は、基板の表面に
ガスを接触させ、その化学反応によって前記表面を清浄
化する工程と、清浄化された表面に薄膜を成膜する工程
を有することを特徴とする。
め本発明のレーザ光用薄膜の製造方法は、基板の表面に
ガスを接触させ、その化学反応によって前記表面を清浄
化する工程と、清浄化された表面に薄膜を成膜する工程
を有することを特徴とする。
【０００７】ガスの少くとも一部分がガスプラズマであ
るとよい。
るとよい。
【０００８】
【作用】上記方法によれば、基板の表面をガスに接触さ
せ、その化学反応によって清浄化するものであるため、
イオン衝撃等による表面欠陥を発生させることなく基板
の表面を効果的に清浄化し、成膜される薄膜との密着性
を高めその充填率を向上させることができる。また、基
板が曲面状であったりその表面に凹凸がある場合でも均
一に清浄化するのが容易であるうえに、基板の両面を同
時に清浄化することも容易である。前記ガスの少くとも
一部分がガスプラズマであれば化学反応が迅速に行われ
るため、薄膜の製造時間を短縮できる。
せ、その化学反応によって清浄化するものであるため、
イオン衝撃等による表面欠陥を発生させることなく基板
の表面を効果的に清浄化し、成膜される薄膜との密着性
を高めその充填率を向上させることができる。また、基
板が曲面状であったりその表面に凹凸がある場合でも均
一に清浄化するのが容易であるうえに、基板の両面を同
時に清浄化することも容易である。前記ガスの少くとも
一部分がガスプラズマであれば化学反応が迅速に行われ
るため、薄膜の製造時間を短縮できる。
【０００９】
【実施例】本発明の実施例を図面に基いて説明する。
【００１０】図１は第１ないし第３の実施例に用いるガ
スプラズマエッチング装置を示すもので、これは、図示
しない真空ポンプに接続された排気口１ａを有する真空
室１と、その内部に互に対向して配設されたＲＦ電極２
およびアース電極３と、両者の間にエッチングガスを導
入するガス導入ライン４を有し、ＲＦ電極２の下面は水
冷テーブル５によって冷却され、水冷テーブル５はこれ
に冷却水を供給する冷却水管５ａを有し、ＲＦ電極２は
冷却水管５ａ内を通る配線２ａによってＲＦ電源２ｂに
接続されている。また、ＲＦ電極２の上面には基板ホル
ダ６が保持され、基板ホルダ６はアース電極３に対向し
て基板Ｗ1 を保持する。ガス導入ライン４から真空室１
内に導入されたＣＦ4 ，Ｃ2 Ｆ6 等のガスであるエッチ
ングガスは、アース電極３に設けられた開口３ａから基
板Ｗ1 に向かって噴出され、基板Ｗ1 の表面を化学反応
によって清浄化する。エッチングガスの少なくとも一部
分は、ＲＦ電極２とアース電極３の間に発生される高周
波電圧によってガスプラズマとなり、基板Ｗ1 の表面を
高速度でエッチングする。
スプラズマエッチング装置を示すもので、これは、図示
しない真空ポンプに接続された排気口１ａを有する真空
室１と、その内部に互に対向して配設されたＲＦ電極２
およびアース電極３と、両者の間にエッチングガスを導
入するガス導入ライン４を有し、ＲＦ電極２の下面は水
冷テーブル５によって冷却され、水冷テーブル５はこれ
に冷却水を供給する冷却水管５ａを有し、ＲＦ電極２は
冷却水管５ａ内を通る配線２ａによってＲＦ電源２ｂに
接続されている。また、ＲＦ電極２の上面には基板ホル
ダ６が保持され、基板ホルダ６はアース電極３に対向し
て基板Ｗ1 を保持する。ガス導入ライン４から真空室１
内に導入されたＣＦ4 ，Ｃ2 Ｆ6 等のガスであるエッチ
ングガスは、アース電極３に設けられた開口３ａから基
板Ｗ1 に向かって噴出され、基板Ｗ1 の表面を化学反応
によって清浄化する。エッチングガスの少なくとも一部
分は、ＲＦ電極２とアース電極３の間に発生される高周
波電圧によってガスプラズマとなり、基板Ｗ1 の表面を
高速度でエッチングする。
【００１１】（第１実施例）図１のガスプラズマエッチ
ング装置を用いて、直径４０ｍｍ、厚さ３ｍｍの石英基
板の表面を清浄化し、その上にＡｒＦレーザ（波長１９
３ｎｍ）用の薄膜である反射防止膜を成膜した。
ング装置を用いて、直径４０ｍｍ、厚さ３ｍｍの石英基
板の表面を清浄化し、その上にＡｒＦレーザ（波長１９
３ｎｍ）用の薄膜である反射防止膜を成膜した。
【００１２】エッチングガスはガス圧１０ＰａのＣＦ4
ガス、ＲＦパワーは５００Ｗ、エッチング深さは約１５
０ｎｍ、反射防止膜の膜構成は基板／ＬａＦ3 ／ＭｇＦ
2 であった。
ガス、ＲＦパワーは５００Ｗ、エッチング深さは約１５
０ｎｍ、反射防止膜の膜構成は基板／ＬａＦ3 ／ＭｇＦ
2 であった。
【００１３】製作された反射防止膜のレーザ耐力を測定
した結果は、極めて良好であり、これは反射防止膜を成
膜する前の基板表面の清浄化が充分であり、かつ清浄化
の過程で基板表面に欠陥を生じることがなかったためと
推定される。
した結果は、極めて良好であり、これは反射防止膜を成
膜する前の基板表面の清浄化が充分であり、かつ清浄化
の過程で基板表面に欠陥を生じることがなかったためと
推定される。
【００１４】比較のために、同様の石英基板を図２に示
した従来のイオンビームエッチング装置によって清浄化
したうえで同様の反射防止膜を成膜してこれをサンプル
Ｂ、同様の石英基板の表面を清浄化することなく同様の
反射防止膜を成膜したものをサンプルＣ、本実施例の反
射防止膜をサンプルＡとし、パルス幅１０ｎｓのＡｒＦ
レーザを照射してレーザ耐力の測定を行った結果を表１
に示す。
した従来のイオンビームエッチング装置によって清浄化
したうえで同様の反射防止膜を成膜してこれをサンプル
Ｂ、同様の石英基板の表面を清浄化することなく同様の
反射防止膜を成膜したものをサンプルＣ、本実施例の反
射防止膜をサンプルＡとし、パルス幅１０ｎｓのＡｒＦ
レーザを照射してレーザ耐力の測定を行った結果を表１
に示す。
【００１５】
【表１】 表１から、本実施例による反射防止膜のレーザ耐力は、
イオンビームエッチングによる清浄化を行ったものや清
浄化を行わなかったものに比べてはるかにすぐれている
ことが解る。
イオンビームエッチングによる清浄化を行ったものや清
浄化を行わなかったものに比べてはるかにすぐれている
ことが解る。
【００１６】次に、本実施例と同様の石英基板に前述と
同様の清浄化を行ったうえでＫｒＦレーザ（波長２４８
ｎｍ）用の反射防止膜を成膜した。該反射防止膜の膜構
成は基板／Ａｌ2 Ｏ3 ／ＭｇＦ2 であった。これをサン
プルＤとし、前述と同様にイオンビームエッチングによ
って清浄化を行ったものをサンプルＥ、清浄化を行わず
に成膜したものをサンプルＦとしてパルス幅１５ｎｓの
ＫｒＦレーザを照射してレーザ耐力の測定を行った結果
を表２に示す。
同様の清浄化を行ったうえでＫｒＦレーザ（波長２４８
ｎｍ）用の反射防止膜を成膜した。該反射防止膜の膜構
成は基板／Ａｌ2 Ｏ3 ／ＭｇＦ2 であった。これをサン
プルＤとし、前述と同様にイオンビームエッチングによ
って清浄化を行ったものをサンプルＥ、清浄化を行わず
に成膜したものをサンプルＦとしてパルス幅１５ｎｓの
ＫｒＦレーザを照射してレーザ耐力の測定を行った結果
を表２に示す。
【００１７】
【表２】 表２から、本実施例によるガスプラズマエッチングを行
ったサンプルＤは残りのサンプルＥ，Ｆに比べてレーザ
耐力がすぐれていることがわかる。また、表１と表２を
比較して、短波長のレーザ光に対するものほどガスプラ
ズマエッチングによるレーザ耐力の向上が著しいことが
解る。これは、イオンビームエッチングによって清浄化
したものはイオン衝突による表面欠陥のために短波長の
レーザ光に対してレーザ耐力が劣るが、本実施例による
ガスプラズマエッチングではこのような表面欠陥が生じ
ないためと考えられる。
ったサンプルＤは残りのサンプルＥ，Ｆに比べてレーザ
耐力がすぐれていることがわかる。また、表１と表２を
比較して、短波長のレーザ光に対するものほどガスプラ
ズマエッチングによるレーザ耐力の向上が著しいことが
解る。これは、イオンビームエッチングによって清浄化
したものはイオン衝突による表面欠陥のために短波長の
レーザ光に対してレーザ耐力が劣るが、本実施例による
ガスプラズマエッチングではこのような表面欠陥が生じ
ないためと考えられる。
【００１８】なお、エッチングガスとしてＣ2 Ｆ6 ，Ｃ
3 Ｆ8 ，ＣＨＦ3 ，ＣＨ3 Ｆ，ＣＣｌ4 ，ＣＣｌ3 Ｆ，
ＣＣｌ2 Ｆ2 ，ＣＣｌＦ3 ，ＳＦ6 ，ＢＣｌ3 ，Ｆ2 ，
Ｃｌ2 ，Ｂｒ2 を用いた実験においても同様の結果が得
られた。また、エッチングガスの種類やガスプラズマエ
ッチング装置の条件によってはエッチング残留物が残る
ことがある。このような場合は酸素ガスプラズマ処理あ
るいは水素ガスプラズマ処理によって基板表面の残留物
を除去すると効果的であることが判明した。
3 Ｆ8 ，ＣＨＦ3 ，ＣＨ3 Ｆ，ＣＣｌ4 ，ＣＣｌ3 Ｆ，
ＣＣｌ2 Ｆ2 ，ＣＣｌＦ3 ，ＳＦ6 ，ＢＣｌ3 ，Ｆ2 ，
Ｃｌ2 ，Ｂｒ2 を用いた実験においても同様の結果が得
られた。また、エッチングガスの種類やガスプラズマエ
ッチング装置の条件によってはエッチング残留物が残る
ことがある。このような場合は酸素ガスプラズマ処理あ
るいは水素ガスプラズマ処理によって基板表面の残留物
を除去すると効果的であることが判明した。
【００１９】（第２実施例）図１のガスプラズマエッチ
ング装置を用いてそれぞれ直径３０ｍｍ、厚さ２．５ｍ
ｍで表面を光学研磨したＭｇＦ2 結晶の基板と、ＣａＦ
2 結晶の基板の表面を清浄化し、その上に、それぞれＡ
ｒＦレーザ（１９３ｎｍ）用の薄膜である反射防止膜を
成膜した。エッチングガスはＣｌ2 とＨｅを流量比１：
１で混合したガス圧１．５Ｐａの混合ガス、ＲＦパワー
は８００Ｗ、エッチング深さは約１５０ｎｍ、反射防止
膜の膜構成は基板／ＬａＦ3 ／ＭｇＦ2 であった。
ング装置を用いてそれぞれ直径３０ｍｍ、厚さ２．５ｍ
ｍで表面を光学研磨したＭｇＦ2 結晶の基板と、ＣａＦ
2 結晶の基板の表面を清浄化し、その上に、それぞれＡ
ｒＦレーザ（１９３ｎｍ）用の薄膜である反射防止膜を
成膜した。エッチングガスはＣｌ2 とＨｅを流量比１：
１で混合したガス圧１．５Ｐａの混合ガス、ＲＦパワー
は８００Ｗ、エッチング深さは約１５０ｎｍ、反射防止
膜の膜構成は基板／ＬａＦ3 ／ＭｇＦ2 であった。
【００２０】各基板に製作された反射防止膜のレーザ耐
力をパルス幅１０ｎｓのＡｒＦレーザ光を用いて測定
し、かつ、比較のために同様の基板の表面を清浄化する
ことなく同様の反射防止膜を成膜し、同様の条件でレー
ザ耐力を測定した結果は表３に示す通りであった。
力をパルス幅１０ｎｓのＡｒＦレーザ光を用いて測定
し、かつ、比較のために同様の基板の表面を清浄化する
ことなく同様の反射防止膜を成膜し、同様の条件でレー
ザ耐力を測定した結果は表３に示す通りであった。
【００２１】
【表３】 表３から本実施例による清浄化を行ったものはいずれも
清浄化を行わないものに比べてレーザ耐力が２倍以上に
向上していることが解る。
清浄化を行わないものに比べてレーザ耐力が２倍以上に
向上していることが解る。
【００２２】なお、エッチングガスとして、ＣＣｌ4 ，
ＣＣｌ3 Ｆ，ＣＣｌ2 Ｆ2 ，ＣＣｌＦ3 ，ＢＣｌ3 を用
いた実験においても同様の結果が得られた。
ＣＣｌ3 Ｆ，ＣＣｌ2 Ｆ2 ，ＣＣｌＦ3 ，ＢＣｌ3 を用
いた実験においても同様の結果が得られた。
【００２３】（第３実施例）図１のガスプラズマエッチ
ング装置を用いて直径５０ｍｍ、曲率１５０ｍｍのＢＫ
光学ガラス製の凸レンズ２枚の表面を、一方のエッチン
グガスとしてＣ2 Ｆ6 ガス、他方のエッチングガスとし
て不活性ガスであるＡｒガスを用いてそれぞれ清浄化
し、その上にそれぞれＮｄ：ＹＡＧレーザ（波長１０６
４ｎｍ）用の薄膜である反射防止膜を成膜した。いずれ
の場合もエッチングガスのガス圧は１５Ｐａ、ＲＦパワ
ーは８００Ｗ、エッチング深さは約２００ｎｍ、反射防
止膜の膜構成は基板／Ａｌ2 Ｏ3 ／ＭｇＦ2 であった。
ング装置を用いて直径５０ｍｍ、曲率１５０ｍｍのＢＫ
光学ガラス製の凸レンズ２枚の表面を、一方のエッチン
グガスとしてＣ2 Ｆ6 ガス、他方のエッチングガスとし
て不活性ガスであるＡｒガスを用いてそれぞれ清浄化
し、その上にそれぞれＮｄ：ＹＡＧレーザ（波長１０６
４ｎｍ）用の薄膜である反射防止膜を成膜した。いずれ
の場合もエッチングガスのガス圧は１５Ｐａ、ＲＦパワ
ーは８００Ｗ、エッチング深さは約２００ｎｍ、反射防
止膜の膜構成は基板／Ａｌ2 Ｏ3 ／ＭｇＦ2 であった。
【００２４】反射防止膜を成膜する前に前記２枚の凸レ
ンズのエッチング深さの均一性を測定したところ、エッ
チングガスとしてＣ2 Ｆ6 を用いた方はエッチング深さ
のバラつきが±５．５％、Ａｒを用いた方は±８．０％
であり、不活性ガスより反応性ガスを用いた方がエッチ
ング深さがより均一になることが解った。また、本実施
例によって製作された２つの反射防止膜をサンプルＧ，
Ｈ、比較のために基板表面を清浄化することなく製作さ
れたものをサンプルＩとしてパルス幅１ｎｓのＮｄ：Ｙ
ＡＧレーザを照射してレーザ耐力を測定した結果を表４
に示す。
ンズのエッチング深さの均一性を測定したところ、エッ
チングガスとしてＣ2 Ｆ6 を用いた方はエッチング深さ
のバラつきが±５．５％、Ａｒを用いた方は±８．０％
であり、不活性ガスより反応性ガスを用いた方がエッチ
ング深さがより均一になることが解った。また、本実施
例によって製作された２つの反射防止膜をサンプルＧ，
Ｈ、比較のために基板表面を清浄化することなく製作さ
れたものをサンプルＩとしてパルス幅１ｎｓのＮｄ：Ｙ
ＡＧレーザを照射してレーザ耐力を測定した結果を表４
に示す。
【００２５】
【表４】 表４から本実施例による清浄化を行ったものは清浄化工
程無しの場合に比べてレーザ耐力が２倍以上向上してい
ることが解る。
程無しの場合に比べてレーザ耐力が２倍以上向上してい
ることが解る。
【００２６】
【発明の効果】本発明は上述のとおり構成されているの
で、次に記載するような効果を奏する。
で、次に記載するような効果を奏する。
【００２７】成膜前の基板の表面を効果的に清浄化して
レーザ耐力の高いレーザ光用薄膜を製造することが容易
である。その結果、良質で安価なレーザ光用薄膜を実現
できる。
レーザ耐力の高いレーザ光用薄膜を製造することが容易
である。その結果、良質で安価なレーザ光用薄膜を実現
できる。
【図１】第１ないし第３実施例に用いるガスプラズマエ
ッチング装置を説明する説明図である。
ッチング装置を説明する説明図である。
【図２】従来のイオンビームエッチング装置を説明する
説明図である。
説明図である。
１ 真空室 ２ ＲＦ電極 ３ アース電極 ４ ガス導入ライン ６ 基板ホルダ
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｈ０１Ｓ 3/034 // Ｇ０２Ｂ 1/11
Claims (5)
- 【請求項１】 基板の表面にガスを接触させ、その化学
反応によって前記表面を清浄化する工程と、清浄化され
た表面に薄膜を成膜する工程を有することを特徴とする
レーザ光用薄膜の製造方法。 - 【請求項２】 ガスの少くとも一部分がガスプラズマで
あることを特徴とする請求項１記載のレーザ光用薄膜の
製造方法。 - 【請求項３】 基板の材料が、石英、光学硝子、ＭｇＦ
2 結晶あるいはＣａＦ2 結晶であることを特徴とする請
求項１または２記載のレーザ光用薄膜の製造方法。 - 【請求項４】 ガスが、ＣＦ4 、Ｃ2 Ｆ6 ，Ｃ3 Ｆ8 ，
ＣＨＦ3 ，ＣＨ3 Ｆ，ＣＣｌ4 ，ＣＣｌ3 Ｆ，ＣＣｌ2
Ｆ2 ，ＣＣｌＦ3 ，ＳＦ6 ，ＢＣｌ3 ，Ｆ2，Ｃｌ2 ，
Ｂｒ2 および不活性ガスのうちの１つまたはこれらのう
ちの複数を組合わせたものであることを特徴とする請求
項１ないし３いずれか１項記載のレーザ光用薄膜の製造
方法。 - 【請求項５】 清浄化された表面の残留物を酸素ガスプ
ラズマまたは水素ガスプラズマによって除去することを
特徴とする請求項１ないし４いずれか１項記載のレーザ
光用薄膜の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5319076A JPH07150334A (ja) | 1993-11-25 | 1993-11-25 | レーザ光用薄膜の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5319076A JPH07150334A (ja) | 1993-11-25 | 1993-11-25 | レーザ光用薄膜の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07150334A true JPH07150334A (ja) | 1995-06-13 |
Family
ID=18106237
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5319076A Pending JPH07150334A (ja) | 1993-11-25 | 1993-11-25 | レーザ光用薄膜の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07150334A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2013514539A (ja) * | 2009-12-18 | 2013-04-25 | ボエグリ − グラビュル ソシエテ アノニム | 回折格子を使用して色パターンを生成する方法及びデバイス |
-
1993
- 1993-11-25 JP JP5319076A patent/JPH07150334A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2013514539A (ja) * | 2009-12-18 | 2013-04-25 | ボエグリ − グラビュル ソシエテ アノニム | 回折格子を使用して色パターンを生成する方法及びデバイス |
| US9140834B2 (en) | 2009-12-18 | 2015-09-22 | Boegli-Gravures S.A. | Method and device for producing color pattern by means of diffraction gratings |
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