JPH07149539A - ガラス−セラミックス複合体およびその製造方法 - Google Patents
ガラス−セラミックス複合体およびその製造方法Info
- Publication number
- JPH07149539A JPH07149539A JP29520793A JP29520793A JPH07149539A JP H07149539 A JPH07149539 A JP H07149539A JP 29520793 A JP29520793 A JP 29520793A JP 29520793 A JP29520793 A JP 29520793A JP H07149539 A JPH07149539 A JP H07149539A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- glass
- less
- ceramic
- powder
- nitride
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
- C03C14/00—Glass compositions containing a non-glass component, e.g. compositions containing fibres, filaments, whiskers, platelets, or the like, dispersed in a glass matrix
- C03C14/004—Glass compositions containing a non-glass component, e.g. compositions containing fibres, filaments, whiskers, platelets, or the like, dispersed in a glass matrix the non-glass component being in the form of particles or flakes
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Ceramic Engineering (AREA)
- Dispersion Chemistry (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Geochemistry & Mineralogy (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Ceramic Products (AREA)
- Glass Compositions (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 １２００℃以下の低温焼結性、７以下の低誘
電率と２０Ｗ／ｍＫ以上の高熱伝導率、２０ｋｇ／ｍｍ
2以上の高強度を合わせ持ち、かつピール強度が高く信
頼性の高い半導体素子搭載用の基板材料を提供すること
を目的とする。 【構成】 窒素を０．１ｗｔ％以上１０ｗｔ％以下含む
オキシナイトライドガラス中に窒化物セラミックス粒子
が分散されているガラス−セラミックス複合体および酸
化物ガラス原料粉末を窒素雰囲気中３００℃以上８００
℃以下で処理して０．１ｗｔ％以上１０ｗｔ％以下の窒
素元素を含有させたオキシナイトライドガラス粉末と、
ｐＨ５〜１０の水で水洗あるいは煮沸した窒化物セラミ
ックス粉末との混合物を所定形状に成形してなる成形体
を８００℃以上１２００℃以下で焼結することを特徴と
するガラス−セラミックス複合体の製造方法。
電率と２０Ｗ／ｍＫ以上の高熱伝導率、２０ｋｇ／ｍｍ
2以上の高強度を合わせ持ち、かつピール強度が高く信
頼性の高い半導体素子搭載用の基板材料を提供すること
を目的とする。 【構成】 窒素を０．１ｗｔ％以上１０ｗｔ％以下含む
オキシナイトライドガラス中に窒化物セラミックス粒子
が分散されているガラス−セラミックス複合体および酸
化物ガラス原料粉末を窒素雰囲気中３００℃以上８００
℃以下で処理して０．１ｗｔ％以上１０ｗｔ％以下の窒
素元素を含有させたオキシナイトライドガラス粉末と、
ｐＨ５〜１０の水で水洗あるいは煮沸した窒化物セラミ
ックス粉末との混合物を所定形状に成形してなる成形体
を８００℃以上１２００℃以下で焼結することを特徴と
するガラス−セラミックス複合体の製造方法。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体素子搭載用の基
板材料に適するガラス−セラミックス複合体およびその
製造方法に関する。
板材料に適するガラス−セラミックス複合体およびその
製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】情報通信機器の高速化、高密度化さらに
は小型化に対応するため、半導体素子搭載用の基板材料
には以下に示す特性が要求されている。 １．基板材料の焼成温度が１２００℃以下であること。
これにより、配線に使用する導体として、金、銀、銅な
どの低抵抗の金属材料が使用でき、信号伝送の高速化を
図ることができる。 ２．誘電率が７以下であること。配線の周囲を低誘電率
の材料で形成することにより、信号伝送の高速化を図る
ことができる。
は小型化に対応するため、半導体素子搭載用の基板材料
には以下に示す特性が要求されている。 １．基板材料の焼成温度が１２００℃以下であること。
これにより、配線に使用する導体として、金、銀、銅な
どの低抵抗の金属材料が使用でき、信号伝送の高速化を
図ることができる。 ２．誘電率が７以下であること。配線の周囲を低誘電率
の材料で形成することにより、信号伝送の高速化を図る
ことができる。
【０００３】３．機械的強度が２０ｋｇ／ｍｍ2以上で
あること。これにより基板材料を薄膜化して半導体素子
装置の小型化を図ると同時に、製造時などに生じるカ
ケ、ワレを防止することで歩留りを向上させ安価な製品
を提供できる。 ４．熱伝導率が２０Ｗ／ｍＫ以上であること。半導体素
子が生じる熱を効率良く放熱することにより、半導体素
子を高密度に実装でき、小型化を図ることができる。 ５．ピール強度が１ｋｇｆ／ｍｍ2以上であること。こ
れにより、金等の配線を基板上に安定にメタライズする
ことができる。
あること。これにより基板材料を薄膜化して半導体素子
装置の小型化を図ると同時に、製造時などに生じるカ
ケ、ワレを防止することで歩留りを向上させ安価な製品
を提供できる。 ４．熱伝導率が２０Ｗ／ｍＫ以上であること。半導体素
子が生じる熱を効率良く放熱することにより、半導体素
子を高密度に実装でき、小型化を図ることができる。 ５．ピール強度が１ｋｇｆ／ｍｍ2以上であること。こ
れにより、金等の配線を基板上に安定にメタライズする
ことができる。
【０００４】しかしながら、従来使用されている多層基
板材料は上記の要求特性を満足していなかった。例えば
アルミナや窒化アルミニウムなどのセラミックス材料
は、その焼成温度が１６００℃以上であり、また、誘電
率が８〜９以上であるため、上記特性１，３を満たして
いない。コージエライト（２Ｍｇ０．２Ａｌ2Ｏ3・Ｓｉ
Ｏ2）などの結晶化ガラス、あるいは結晶化ガラスとホ
ウケイ酸ガラスなどの非晶質ガラスを複合化させたガラ
ス材料、あるいは酸化アルミニウム・ホウケイ酸ガラス
などの酸化物セラミックス・ガラス複合化材料は機械的
強度が１０〜２０ｋｇ／ｍｍ2、熱伝導率が５Ｗ／ｍＫ
程度と低く、上記特性２，４を満たしていない。又、作
製した基板の吸湿性が高く、フッ素等の不純物元素を含
有していたため基板と配線との密着度の低い、すなわち
ピール強度の低い基板しか提供できていなかった。
板材料は上記の要求特性を満足していなかった。例えば
アルミナや窒化アルミニウムなどのセラミックス材料
は、その焼成温度が１６００℃以上であり、また、誘電
率が８〜９以上であるため、上記特性１，３を満たして
いない。コージエライト（２Ｍｇ０．２Ａｌ2Ｏ3・Ｓｉ
Ｏ2）などの結晶化ガラス、あるいは結晶化ガラスとホ
ウケイ酸ガラスなどの非晶質ガラスを複合化させたガラ
ス材料、あるいは酸化アルミニウム・ホウケイ酸ガラス
などの酸化物セラミックス・ガラス複合化材料は機械的
強度が１０〜２０ｋｇ／ｍｍ2、熱伝導率が５Ｗ／ｍＫ
程度と低く、上記特性２，４を満たしていない。又、作
製した基板の吸湿性が高く、フッ素等の不純物元素を含
有していたため基板と配線との密着度の低い、すなわち
ピール強度の低い基板しか提供できていなかった。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】本発明は１２００℃以
下の低温焼結性、７以下の低誘電率と２０Ｗ／ｍＫ以上
の高熱伝導率、２０ｋｇ／ｍｍ2以上の高強度を合わせ
持ち、かつピール強度が高く、信頼性の高い半導体素子
搭載用の基板材料を提供することを目的とする。
下の低温焼結性、７以下の低誘電率と２０Ｗ／ｍＫ以上
の高熱伝導率、２０ｋｇ／ｍｍ2以上の高強度を合わせ
持ち、かつピール強度が高く、信頼性の高い半導体素子
搭載用の基板材料を提供することを目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明の第１は、窒素を
０．１ｗｔ％以上１０ｗｔ％以下含むオキシナイトライ
ドガラス中に窒化物セラミックス粒子が分散されている
ことを特徴とするガラス−セラミックス複合体である。
そして、上記窒化物セラミックスは窒化アルミニウム又
は／および窒化ケイ素であり、その合計量が２０ｗｔ％
以上９０ｗｔ％以下のものが良い。又、ガラス材料とし
てはＳｉＯ2とＢ2Ｏ3を主成分とするホウケイ酸ガラス
やホウケイ酸ガラスにＰｂ，Ｚｎ，Ｎａ，Ｆｅ等を加え
たものに、窒素を０．１ｗｔ％以上１０ｗｔ％以下含有
させたオキシナイトライドガラスが挙げられる。このよ
うな材料は、１２００℃以下で焼結されたものであり、
誘電率が７以下かつ機械的強度が２０ｋｇ／ｍｍ2以
上、熱伝導率が２０Ｗ／ｍＫ以上である。
０．１ｗｔ％以上１０ｗｔ％以下含むオキシナイトライ
ドガラス中に窒化物セラミックス粒子が分散されている
ことを特徴とするガラス−セラミックス複合体である。
そして、上記窒化物セラミックスは窒化アルミニウム又
は／および窒化ケイ素であり、その合計量が２０ｗｔ％
以上９０ｗｔ％以下のものが良い。又、ガラス材料とし
てはＳｉＯ2とＢ2Ｏ3を主成分とするホウケイ酸ガラス
やホウケイ酸ガラスにＰｂ，Ｚｎ，Ｎａ，Ｆｅ等を加え
たものに、窒素を０．１ｗｔ％以上１０ｗｔ％以下含有
させたオキシナイトライドガラスが挙げられる。このよ
うな材料は、１２００℃以下で焼結されたものであり、
誘電率が７以下かつ機械的強度が２０ｋｇ／ｍｍ2以
上、熱伝導率が２０Ｗ／ｍＫ以上である。
【０００７】オキシナイトライドガラス中の窒素の量が
０．１ｗｔ％より少ないと窒化物セラミックスとの反応
が進行し、又、１０ｗｔ％より多い場合、ガラスの粘性
流動が抑制され焼結不十分となるため、窒素量は０．１
ｗｔ％以上１０ｗｔ％以下とする。又、窒化物セラミッ
クスの量が２０ｗｔ％より少ないと窒化物セラミックス
の特徴が十分に発現しなくなり、又、９０ｗｔ％を超え
るとガラスの低温焼結性が失われてしまい、焼結不十分
となる。本発明の第２は酸化物ガラス原料粉末を窒素雰
囲気中３００℃以上８００℃以下で処理して０．１ｗｔ
％以上１０ｗｔ％以下の窒素元素を含有させたオキシナ
イトライドガラス粉末と、ｐＨ５〜１０の水で水洗ある
いは煮沸した窒化物セラミックス粉末との混合物を所定
形状に成形してなる成形体を８００℃以上１２００℃以
下で焼結することを特徴とするガラス−セラミックス複
合体の製造方法である。
０．１ｗｔ％より少ないと窒化物セラミックスとの反応
が進行し、又、１０ｗｔ％より多い場合、ガラスの粘性
流動が抑制され焼結不十分となるため、窒素量は０．１
ｗｔ％以上１０ｗｔ％以下とする。又、窒化物セラミッ
クスの量が２０ｗｔ％より少ないと窒化物セラミックス
の特徴が十分に発現しなくなり、又、９０ｗｔ％を超え
るとガラスの低温焼結性が失われてしまい、焼結不十分
となる。本発明の第２は酸化物ガラス原料粉末を窒素雰
囲気中３００℃以上８００℃以下で処理して０．１ｗｔ
％以上１０ｗｔ％以下の窒素元素を含有させたオキシナ
イトライドガラス粉末と、ｐＨ５〜１０の水で水洗ある
いは煮沸した窒化物セラミックス粉末との混合物を所定
形状に成形してなる成形体を８００℃以上１２００℃以
下で焼結することを特徴とするガラス−セラミックス複
合体の製造方法である。
【０００８】ＳｉＯ2とＢ2Ｏ3を主成分とする酸化物ガ
ラスと窒化物セラミックスを単に混合・焼結した場合、
焼結中にガラス中に含有されている水分が蒸発したり、
窒化物セラミックスがガラス中に含まれる酸素と反応し
てＣＯ，Ｎ2，ＮＨ3ガス等を発生して発泡したり、セラ
ミックスが酸化物に変って窒化物セラミックスとしての
特性を消失してしまい、強度や熱伝導率が低くなる。さ
らにセラミックス原料粉末中に含まれる硫黄、フッ素等
の元素により機械的強度やピール強度が低下してしま
う。そこで、本発明者らは数多くの試験を重ねた結果、
酸化物ガラス原料粉末中に窒素元素を含有させる工程
と、窒化物セラミックス原料粉末の表面上に存在する硫
黄、フッ素、ＮＨ3基の粉末表面不純物をｐＨ５〜１０
の水で水洗あるいは煮沸する工程を取り入れることによ
り、８００〜１２００℃で焼成可能な高熱伝導率、高強
度、低誘電率、高ピール強度を有する材料を提供できる
上記第２発明に到達した。上記２つの工程について以下
に説明する。
ラスと窒化物セラミックスを単に混合・焼結した場合、
焼結中にガラス中に含有されている水分が蒸発したり、
窒化物セラミックスがガラス中に含まれる酸素と反応し
てＣＯ，Ｎ2，ＮＨ3ガス等を発生して発泡したり、セラ
ミックスが酸化物に変って窒化物セラミックスとしての
特性を消失してしまい、強度や熱伝導率が低くなる。さ
らにセラミックス原料粉末中に含まれる硫黄、フッ素等
の元素により機械的強度やピール強度が低下してしま
う。そこで、本発明者らは数多くの試験を重ねた結果、
酸化物ガラス原料粉末中に窒素元素を含有させる工程
と、窒化物セラミックス原料粉末の表面上に存在する硫
黄、フッ素、ＮＨ3基の粉末表面不純物をｐＨ５〜１０
の水で水洗あるいは煮沸する工程を取り入れることによ
り、８００〜１２００℃で焼成可能な高熱伝導率、高強
度、低誘電率、高ピール強度を有する材料を提供できる
上記第２発明に到達した。上記２つの工程について以下
に説明する。
【０００９】 酸化物ガラス原料粉末に窒素元素を含
有させる工程 酸化物ガラス原料粉末を窒素雰囲気中３００℃以上８０
０℃以下で処理することにより、ガラス粉末中に０．１
ｗｔ％以上１０ｗｔ％以下の窒素元素を含有させオキシ
ナイトライドガラスとし、これによって窒化物セラミッ
クスとの反応を抑制し、窒化物セラミックスが有する高
強度・高熱伝導率の特性を発揮することが可能となる。
さらには酸化物ガラスが窒化されることにより、ガラス
−セラミックス複合体の吸湿性を低減させることができ
るため、ピール強度を上げることができる。含有させる
窒素量の限定理由については、前記第１発明に関して述
べたとおりである。
有させる工程 酸化物ガラス原料粉末を窒素雰囲気中３００℃以上８０
０℃以下で処理することにより、ガラス粉末中に０．１
ｗｔ％以上１０ｗｔ％以下の窒素元素を含有させオキシ
ナイトライドガラスとし、これによって窒化物セラミッ
クスとの反応を抑制し、窒化物セラミックスが有する高
強度・高熱伝導率の特性を発揮することが可能となる。
さらには酸化物ガラスが窒化されることにより、ガラス
−セラミックス複合体の吸湿性を低減させることができ
るため、ピール強度を上げることができる。含有させる
窒素量の限定理由については、前記第１発明に関して述
べたとおりである。
【００１０】 窒化物セラミックス原料粉末を水洗・
煮沸する工程 窒化物セラミックス中の硫黄、フッ素元素の存在はピー
ル強度の低下を招くことから、１０００ｐｐｍ以下に、
又、炭素あるいは硫黄の存在は焼結途中でＣＯ，Ｃ
Ｏ2，ＳＯ，ＳＯ2等のガスを発生させ、気孔生成の原因
となり機械的強度、熱伝導率の低下を招くため、炭素は
１０００ｐｐｍ以下に、硫黄は１００ｐｐｍ以下にしな
ければならない。又、窒化物セラミックス原料粉末表面
に酸化物層を生成させることにより、ガラスとの濡れ性
を向上すなわち焼結性を向上することができ、さらには
ガラス成分が窒化物セラミックス結晶粒子内へ固溶する
ことを防止でき、窒化物セラミックスの特性を発揮する
ことができる。ただし、窒化物セラミックス結晶粒子内
の酸素が１ｗｔ％より多くなると熱伝導率は２０Ｗ／ｍ
Ｋより低くなるため、１ｗｔ％以下にする必要がある。
煮沸する工程 窒化物セラミックス中の硫黄、フッ素元素の存在はピー
ル強度の低下を招くことから、１０００ｐｐｍ以下に、
又、炭素あるいは硫黄の存在は焼結途中でＣＯ，Ｃ
Ｏ2，ＳＯ，ＳＯ2等のガスを発生させ、気孔生成の原因
となり機械的強度、熱伝導率の低下を招くため、炭素は
１０００ｐｐｍ以下に、硫黄は１００ｐｐｍ以下にしな
ければならない。又、窒化物セラミックス原料粉末表面
に酸化物層を生成させることにより、ガラスとの濡れ性
を向上すなわち焼結性を向上することができ、さらには
ガラス成分が窒化物セラミックス結晶粒子内へ固溶する
ことを防止でき、窒化物セラミックスの特性を発揮する
ことができる。ただし、窒化物セラミックス結晶粒子内
の酸素が１ｗｔ％より多くなると熱伝導率は２０Ｗ／ｍ
Ｋより低くなるため、１ｗｔ％以下にする必要がある。
【００１１】窒化物セラミックス原料粉末をｐＨ５〜１
０の水で水洗あるいは煮沸を行うことで、粉末表面のフ
ッ素、炭素、硫黄の除去さらに酸素化物層を生成するこ
とができ、所定の性質を備えた複合体が得られる。窒化
物セラミックス原料粉末の量を２０ｗｔ％以上９０ｗｔ
％以下とするとよいのは前記第１発明に関して述べたと
おりである。又、ｐＨ５〜１０と限定したのは、ｐＨ５
未満およびｐＨ１０を超える水での水洗、煮沸は窒化物
セラミックス原料粉末粒を必要以上に酸化してしまい、
窒化物セラミックス結晶粒子内の酸素が１ｗｔ％以上と
なってしまうため、ｐＨ５〜１０が良い。このような方
法により得られた複合体は、２０Ｗ／ｍＫ以上の熱伝導
率、２０ｋｇ／ｍｍ2以上の機械的強度、７以下の誘電
率、１ｋｇｆ／ｍｍ2以上のピール強度を有しており、
多層基板材料としての特性を十分に満たすものである。
０の水で水洗あるいは煮沸を行うことで、粉末表面のフ
ッ素、炭素、硫黄の除去さらに酸素化物層を生成するこ
とができ、所定の性質を備えた複合体が得られる。窒化
物セラミックス原料粉末の量を２０ｗｔ％以上９０ｗｔ
％以下とするとよいのは前記第１発明に関して述べたと
おりである。又、ｐＨ５〜１０と限定したのは、ｐＨ５
未満およびｐＨ１０を超える水での水洗、煮沸は窒化物
セラミックス原料粉末粒を必要以上に酸化してしまい、
窒化物セラミックス結晶粒子内の酸素が１ｗｔ％以上と
なってしまうため、ｐＨ５〜１０が良い。このような方
法により得られた複合体は、２０Ｗ／ｍＫ以上の熱伝導
率、２０ｋｇ／ｍｍ2以上の機械的強度、７以下の誘電
率、１ｋｇｆ／ｍｍ2以上のピール強度を有しており、
多層基板材料としての特性を十分に満たすものである。
【００１２】
【実施例】以下に実施例並びに比較例によって本発明を
説明する。 実施例１ ＳｉＯ2とＢ2Ｏ3を主成分とする酸化物ガラス粉末を窒
素気流中、６００℃で２時間窒化処理し、窒素元素を含
有するオキシナイトライドガラス粉末を得た。次に得ら
れたオキシナイトライドガラス粉末にｐＨ７の水流中で
３０分水洗した窒化ケイ素原料粉末（平均粒径０．５μ
ｍ）６０ｗｔ％、アクリル系バインダー５ｗｔ％を添加
し、アルコール中で１０時間ボールミル混合を行った。
こうして得られたスラリーを乾燥成形後、窒素気流中１
０００℃で３時間焼結することにより焼結体を作製し
た。この焼結体の特性（機械的強度、熱伝導率、誘電
率、ピール強度）を測定した結果を表１に示す。なお、
機械的強度は３点曲げ、熱伝導率はレーザーフラッシュ
法、誘電率は三電極法（１ＭＨｚ）により、いずれも室
温において測定した。
説明する。 実施例１ ＳｉＯ2とＢ2Ｏ3を主成分とする酸化物ガラス粉末を窒
素気流中、６００℃で２時間窒化処理し、窒素元素を含
有するオキシナイトライドガラス粉末を得た。次に得ら
れたオキシナイトライドガラス粉末にｐＨ７の水流中で
３０分水洗した窒化ケイ素原料粉末（平均粒径０．５μ
ｍ）６０ｗｔ％、アクリル系バインダー５ｗｔ％を添加
し、アルコール中で１０時間ボールミル混合を行った。
こうして得られたスラリーを乾燥成形後、窒素気流中１
０００℃で３時間焼結することにより焼結体を作製し
た。この焼結体の特性（機械的強度、熱伝導率、誘電
率、ピール強度）を測定した結果を表１に示す。なお、
機械的強度は３点曲げ、熱伝導率はレーザーフラッシュ
法、誘電率は三電極法（１ＭＨｚ）により、いずれも室
温において測定した。
【００１３】実施例２〜１０ 表１に示す条件でＳｉＯ2とＢ2Ｏ3を主成分とする酸化
物ガラス原料粉末およびセラミックス原料粉末を処理
後、実施例１と同じ方法で混合、成形、焼結し、その特
性を測定した。その結果を表１に示す。
物ガラス原料粉末およびセラミックス原料粉末を処理
後、実施例１と同じ方法で混合、成形、焼結し、その特
性を測定した。その結果を表１に示す。
【００１４】
【表１】
【００１５】比較例１〜８ 表２に示すＳｉＯ2とＢ2Ｏ3を主成分とする酸化物ガラ
ス原料粉末とセラミックス原料粉末を処理後、実施例１
と同じ方法で混合、成形、焼結し、その特性を測定し
た。結果を表２に示す。
ス原料粉末とセラミックス原料粉末を処理後、実施例１
と同じ方法で混合、成形、焼結し、その特性を測定し
た。結果を表２に示す。
【００１６】
【表２】
【００１７】以上の実施例と比較例とを対比して明らか
なとおり、本発明で窒素処理したオキシナイトライドガ
ラス粉末とｐＨ５〜１０の水で水洗あるいは煮沸処理し
た窒化物セラミックスとを複合することにより、低温焼
結ができ、高強度、光熱導率、低誘電率である材料を作
製できる。
なとおり、本発明で窒素処理したオキシナイトライドガ
ラス粉末とｐＨ５〜１０の水で水洗あるいは煮沸処理し
た窒化物セラミックスとを複合することにより、低温焼
結ができ、高強度、光熱導率、低誘電率である材料を作
製できる。
【００１８】
【発明の効果】本発明によれば、低温焼成、高強度、高
熱伝導率、低誘電率、高ピール強度を有する複合体を提
供することができる。かかる材料は半導体素子搭載用の
基板材料としての特性を十分満たすものである。
熱伝導率、低誘電率、高ピール強度を有する複合体を提
供することができる。かかる材料は半導体素子搭載用の
基板材料としての特性を十分満たすものである。
Claims (4)
- 【請求項１】 窒素を０．１ｗｔ％以上１０ｗｔ％以下
含むオキシナイトライドガラス中に窒化物セラミックス
粒子が分散されていることを特徴とするガラス−セラミ
ックス複合体。 - 【請求項２】 オキシナイトライドガラスに分散してい
るセラミックスが窒化アルミニウム又は／および窒化ケ
イ素であり、その合計量が２０ｗｔ％以上９０ｗｔ％以
下である請求項１記載のガラス−セラミックス複合体。 - 【請求項３】 １２００℃以下で焼結されたものであ
り、誘電率が７以下かつ機械的強度が２０ｋｇ／ｍｍ2
以上、熱伝導率が２０Ｗ／ｍＫ以上である請求項２記載
のガラス−セラミックス複合体。 - 【請求項４】 酸化物ガラス原料粉末を窒素雰囲気中３
００℃以上８００℃以下で処理して０．１ｗｔ％以上１
０ｗｔ％以下の窒素元素を含有させたオキシナイトライ
ドガラス粉末と、ｐＨ５〜１０の水で水洗あるいは煮沸
した窒化物セラミックス粉末との混合物を所定形状に成
形してなる成形体を８００℃以上１２００℃以下で焼結
することを特徴とするガラス−セラミックス複合体の製
造方法。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29520793A JPH07149539A (ja) | 1993-11-25 | 1993-11-25 | ガラス−セラミックス複合体およびその製造方法 |
| EP19940118502 EP0655426B1 (en) | 1993-11-25 | 1994-11-24 | Glass-ceramic composite and process for producing the same |
| DE1994604956 DE69404956T2 (de) | 1993-11-25 | 1994-11-24 | Glas-Keramik-Verbundwerkstoff und Verfahren zu dessen Herstellung |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29520793A JPH07149539A (ja) | 1993-11-25 | 1993-11-25 | ガラス−セラミックス複合体およびその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07149539A true JPH07149539A (ja) | 1995-06-13 |
Family
ID=17817596
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP29520793A Pending JPH07149539A (ja) | 1993-11-25 | 1993-11-25 | ガラス−セラミックス複合体およびその製造方法 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| EP (1) | EP0655426B1 (ja) |
| JP (1) | JPH07149539A (ja) |
| DE (1) | DE69404956T2 (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002293649A (ja) * | 2001-03-28 | 2002-10-09 | Kyocera Corp | セラミック焼結体の製造方法 |
| JP2007016171A (ja) * | 2005-07-08 | 2007-01-25 | Sharp Corp | 波長変換部材、発光装置及び波長変換部材の製造方法 |
| JP2010248530A (ja) * | 2010-07-28 | 2010-11-04 | Sharp Corp | 波長変換部材、発光装置及び波長変換部材の製造方法 |
| JP2010261048A (ja) * | 2010-07-28 | 2010-11-18 | Sharp Corp | 発光装置及び、その製造方法 |
Family Cites Families (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4711860A (en) * | 1986-03-12 | 1987-12-08 | Corning Glass Works | Modified cordierite glass ceramic composite |
| JPH06387B2 (ja) * | 1986-05-29 | 1994-01-05 | 富士通株式会社 | ガラス・セラミツク基板 |
| FR2653113B1 (fr) * | 1989-10-18 | 1994-03-04 | Ceramiques Composites | Compositions verrieres oxyazotees, leurs precurseurs et leur application a la preparation de compositions vitroceramiques et de materiaux composites. |
| JPH04254477A (ja) * | 1991-02-04 | 1992-09-09 | Sumitomo Electric Ind Ltd | ガラス−窒化アルミニウム複合材料 |
-
1993
- 1993-11-25 JP JP29520793A patent/JPH07149539A/ja active Pending
-
1994
- 1994-11-24 DE DE1994604956 patent/DE69404956T2/de not_active Expired - Fee Related
- 1994-11-24 EP EP19940118502 patent/EP0655426B1/en not_active Expired - Lifetime
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002293649A (ja) * | 2001-03-28 | 2002-10-09 | Kyocera Corp | セラミック焼結体の製造方法 |
| JP2007016171A (ja) * | 2005-07-08 | 2007-01-25 | Sharp Corp | 波長変換部材、発光装置及び波長変換部材の製造方法 |
| JP2010248530A (ja) * | 2010-07-28 | 2010-11-04 | Sharp Corp | 波長変換部材、発光装置及び波長変換部材の製造方法 |
| JP2010261048A (ja) * | 2010-07-28 | 2010-11-18 | Sharp Corp | 発光装置及び、その製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| EP0655426B1 (en) | 1997-08-13 |
| DE69404956D1 (de) | 1997-09-18 |
| EP0655426A1 (en) | 1995-05-31 |
| DE69404956T2 (de) | 1998-01-29 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR100353387B1 (ko) | 질화알루미늄 소결체 및 그 제조방법 | |
| US4650777A (en) | Method for preparing aluminum nitride ceramics having superior thermal conductivities | |
| JP2567491B2 (ja) | 高熱伝導性着色窒化アルミニウム焼結体およびその製造方法 | |
| JPH01203270A (ja) | 高熱伝導性窒化アルミニウム焼結体及びその製造法 | |
| JPH07149539A (ja) | ガラス−セラミックス複合体およびその製造方法 | |
| WO1989001461A1 (en) | Co-sinterable metal-ceramic packages and materials therefor | |
| JPH0616477A (ja) | 半導体装置実装用低温焼結型磁器の製造方法 | |
| JP2001342063A (ja) | 低温焼成磁器組成物、低温焼成磁器とその製造方法、並びにそれを用いた配線基板とその製造方法 | |
| US5702807A (en) | Ceramic circuit board and manufacturing method thereof | |
| JP2628510B2 (ja) | ＢＮ−ＡｌＮ系複合焼結体の製造方法 | |
| JPS6221764A (ja) | 窒化アルミニウム焼結体の製造方法 | |
| JP2710311B2 (ja) | セラミツク絶縁材料 | |
| JP2002020111A (ja) | 多孔質粉末およびその製造方法 | |
| JPH04144967A (ja) | 窒化アルミニウム焼結体およびその製造方法 | |
| JPH04114931A (ja) | ガラスセラミック焼結体の製法 | |
| JPH03218977A (ja) | 窒化アルミニウム焼結体の製造方法 | |
| JP3271342B2 (ja) | 窒化アルミニウム燒結体の製造方法 | |
| JPH07157375A (ja) | ガラス・セラミックス複合体およびその製造方法 | |
| JPH07162110A (ja) | セラミック回路基板の製造方法 | |
| JPH05294736A (ja) | セラミックス基板材料及びその製造方法 | |
| JPH0450186A (ja) | 窒化アルミニウム基材への金属化層形成方法 | |
| JPS62235262A (ja) | 窒化アルミニウム焼結体の製造方法 | |
| JPS61286267A (ja) | 窒化アルミニウム質焼結体の製造方法 | |
| JPH02212363A (ja) | 窒化アルミニウム質焼成体の製造法 | |
| JPH01138174A (ja) | 窒化アルミニウム焼結体の製造方法 |