JPH0714893B2 - 光学活性シクロペンテノン誘導体の製法 - Google Patents
光学活性シクロペンテノン誘導体の製法Info
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- JPH0714893B2 JPH0714893B2 JP1317237A JP31723789A JPH0714893B2 JP H0714893 B2 JPH0714893 B2 JP H0714893B2 JP 1317237 A JP1317237 A JP 1317237A JP 31723789 A JP31723789 A JP 31723789A JP H0714893 B2 JPH0714893 B2 JP H0714893B2
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- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
- Y02P20/00—Technologies relating to chemical industry
- Y02P20/50—Improvements relating to the production of bulk chemicals
- Y02P20/55—Design of synthesis routes, e.g. reducing the use of auxiliary or protecting groups
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- Organic Low-Molecular-Weight Compounds And Preparation Thereof (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 (産業上の利用分野) 本発明は、プロスタグランジンを製造するための原料と
なる光学活性シクロペンテノン誘導体の製法に関する。
なる光学活性シクロペンテノン誘導体の製法に関する。
(従来の技術及び解決すべき課題) 従来プロスタグランジンの製造に関しては、コーリーラ
クトンや4−ヒドロキシシクロペンテノンより出発する
方法が主流になっているが、この原料の光学活性体を得
るためには光学分割や微生物による不斉水解等の工程を
経る必要がありそのため収率が低下するなどの問題があ
った。
クトンや4−ヒドロキシシクロペンテノンより出発する
方法が主流になっているが、この原料の光学活性体を得
るためには光学分割や微生物による不斉水解等の工程を
経る必要がありそのため収率が低下するなどの問題があ
った。
(課題を解決するための手段) 本発明者らは4−ヒドロキシシクロペンテノンに代るプ
ロスタグランジン中間体の製造方法について鋭意検討を
行った結果、後記するように1位炭素にハロゲンやアル
キルスルホニルオキシ基又はアリールスルホニルオキシ
基の置換した光学活性2,3−エポキシプロパン(VII)を
原料とする方法によりプロスタグランジンの中間体とし
て知られる後記一般式(XI)で示される光学活性シクロ
ペンテノン誘導体を合成する方法を見出したものであ
り、本発明は、これら一連の合成反応によって獲られる
中間体としての光学活性化合物の製法を提供するもので
ある。
ロスタグランジン中間体の製造方法について鋭意検討を
行った結果、後記するように1位炭素にハロゲンやアル
キルスルホニルオキシ基又はアリールスルホニルオキシ
基の置換した光学活性2,3−エポキシプロパン(VII)を
原料とする方法によりプロスタグランジンの中間体とし
て知られる後記一般式(XI)で示される光学活性シクロ
ペンテノン誘導体を合成する方法を見出したものであ
り、本発明は、これら一連の合成反応によって獲られる
中間体としての光学活性化合物の製法を提供するもので
ある。
本発明は、下記一般式(X) (上記一般式(X)において、R1はアルケニル基、アラ
ルキル基、アルキルオキシメチル基、1−アルキルオキ
シエチル基、ヘテロ原子を有する環状アルキル基及びシ
リル基から選ばれた容易に脱離可能な保護基を表わし、
R5はそれぞれ酸素,イオウ又はケイ素を含んでいても良
い、直鎖状もしくは分岐状アルキル基、アルケニル基、
アルキニル基及びアルキル置換フェニル基から選ばれた
炭素数5〜22の基を表わし、この中にはアルコキシ,ア
ルキルオキシアルコキシ,環状もしくは非環状アセター
ル基、シリル基、アルキルチオ基が含まれていても良
い。R6はメチル,フェニル,p−トリル,p−クロロフェニ
ル又は2−ピリジル基、Zはセレン又は硫黄、*の符号
は不斉炭素原子をそれぞれ表わす) で表わされる光学活性シクロペンタノン誘導体を酸化剤
により2−置換基のセレン又は硫黄を酸化し脱離させる
ことを特徴とする下記一般式(XI)で表わされる光学活
性シクロペンテノン誘導体の製法である。
ルキル基、アルキルオキシメチル基、1−アルキルオキ
シエチル基、ヘテロ原子を有する環状アルキル基及びシ
リル基から選ばれた容易に脱離可能な保護基を表わし、
R5はそれぞれ酸素,イオウ又はケイ素を含んでいても良
い、直鎖状もしくは分岐状アルキル基、アルケニル基、
アルキニル基及びアルキル置換フェニル基から選ばれた
炭素数5〜22の基を表わし、この中にはアルコキシ,ア
ルキルオキシアルコキシ,環状もしくは非環状アセター
ル基、シリル基、アルキルチオ基が含まれていても良
い。R6はメチル,フェニル,p−トリル,p−クロロフェニ
ル又は2−ピリジル基、Zはセレン又は硫黄、*の符号
は不斉炭素原子をそれぞれ表わす) で表わされる光学活性シクロペンタノン誘導体を酸化剤
により2−置換基のセレン又は硫黄を酸化し脱離させる
ことを特徴とする下記一般式(XI)で表わされる光学活
性シクロペンテノン誘導体の製法である。
一般式(XI)において、R1、R5及び*の符号は一般式
(X)のR1、R5及び*の符号と同様の意味を表わす。
(X)のR1、R5及び*の符号と同様の意味を表わす。
本発明において式(X)及び(XI)におけるR1の具体例
は、アルケニル基としてはアリル、アラルキル基として
はベンジル,p−メトキシベンジル,ジフェニルメチル,
トリチル、アルキルオキシメチル基としてはメトキシメ
チル,ベンジルオキシメチル,t−ブトキシメチル,2,2,2
−トリクロロエトキシメチル,2−メトキシエトキシメチ
ル、1−アルキルオキシエチル基としては1−エトキシ
エチル,1−メチル−1−メトキシエチル,1−イソプロポ
キシエチル、ヘテロ原子を有する環状アルキル基として
はテトラヒドロピラニル,テトラヒドロフラニル、シリ
ル基としてはトリメチルシリル,トリエチルシリル,t−
ブチルジメチルシリル,t−ブチルジフェニルシリル,メ
チルジ−t−ブチルシリル,トリフェニルシル,フェニ
ルジメチルシリル,トリフェニルメチルジメチルシリル
などが挙げられる。R5の具体例としては −CH=CH(CH2)3CH(OC2H5)2, −CH=CH(CH2)4OSi(C6H5)2t−C4H9, −(CH2)6OSi(CH3)3, −(CH2)3CH=CHCH(OCH3)2, −(CH2)2SCH2CH(OC2H5)2 などが挙げられる。
は、アルケニル基としてはアリル、アラルキル基として
はベンジル,p−メトキシベンジル,ジフェニルメチル,
トリチル、アルキルオキシメチル基としてはメトキシメ
チル,ベンジルオキシメチル,t−ブトキシメチル,2,2,2
−トリクロロエトキシメチル,2−メトキシエトキシメチ
ル、1−アルキルオキシエチル基としては1−エトキシ
エチル,1−メチル−1−メトキシエチル,1−イソプロポ
キシエチル、ヘテロ原子を有する環状アルキル基として
はテトラヒドロピラニル,テトラヒドロフラニル、シリ
ル基としてはトリメチルシリル,トリエチルシリル,t−
ブチルジメチルシリル,t−ブチルジフェニルシリル,メ
チルジ−t−ブチルシリル,トリフェニルシル,フェニ
ルジメチルシリル,トリフェニルメチルジメチルシリル
などが挙げられる。R5の具体例としては −CH=CH(CH2)3CH(OC2H5)2, −CH=CH(CH2)4OSi(C6H5)2t−C4H9, −(CH2)6OSi(CH3)3, −(CH2)3CH=CHCH(OCH3)2, −(CH2)2SCH2CH(OC2H5)2 などが挙げられる。
本発明の一般式(XI)化合物は、まず下記反応経路1に
よって光学活性2−メチレンシクロペンタノン誘導体
(I)を合成し、この誘導体(I)を用いて後記反応経
路2に従って本発明の原料化合物(X)を合成し、次い
でこの化合物を酸化処理することにより製造することが
できる。
よって光学活性2−メチレンシクロペンタノン誘導体
(I)を合成し、この誘導体(I)を用いて後記反応経
路2に従って本発明の原料化合物(X)を合成し、次い
でこの化合物を酸化処理することにより製造することが
できる。
下記反応経路1において、R2は1−アルキルオキシエチ
ル基、ヘテロ原子を有する環状アルキル基及びシリル基
から選ばれた容易に脱離可能な保護基、R3はハロゲン置
換基を有していてもよいアルキル基及びアラルキル基か
ら選ばれた容易に脱離可能な保護基であり、2個のR3は
互に異なっていてもよく、またこの2個のR3が結合して
環状アセタールを形成していてもよい。Xはハロゲン原
子又はR4SO3基、R4はアルキル基又はアリール基、X1は
ハロゲン原子、*の符号は不斉炭素原子をそれぞれ表わ
す。
ル基、ヘテロ原子を有する環状アルキル基及びシリル基
から選ばれた容易に脱離可能な保護基、R3はハロゲン置
換基を有していてもよいアルキル基及びアラルキル基か
ら選ばれた容易に脱離可能な保護基であり、2個のR3は
互に異なっていてもよく、またこの2個のR3が結合して
環状アセタールを形成していてもよい。Xはハロゲン原
子又はR4SO3基、R4はアルキル基又はアリール基、X1は
ハロゲン原子、*の符号は不斉炭素原子をそれぞれ表わ
す。
上記反応を説明すると、それ自体公知の2−ハロゲノア
クリルアルデヒドのアセタール誘導体(VI)をテトラヒ
ドロフラン,ジエチルエーテル,エチレングリコールジ
エチルエーテル等のエーテル類、またはヘキサン等の炭
化水素類を溶媒とし、メチルリチウム,n−ブチルリチウ
ム,sec−ブチルリチウム,t−ブチルリチウム等の強塩基
の当量以上を作用させて生成するビニールアニオンを式
(VII)で表わされる光学活性エポキシ化合物とルイス
酸、例えばトリフルオロボロン・エーテラートの存在下
で反応させると式(V−2)で示される4−ヒドロキシ
−2−メチレンペンタン誘導体が獲られる。この反応は
−30〜−100℃の低温で行うことが望ましい。この反応
は触媒なしでも進行するが、上記の如きルイス酸を添加
すると反応が加速される。次に、上記反応で獲られた式
(V−2)化合物の水酸基に保護基を導入して式(V−
1)化合物に変換する。保護基R1の導入は各々公知の方
法により行う。例えばアルケニル基、アラルキル基、ア
ルキルオキシメチル基及びシリル基の場合は、各々相当
するR1Y(Yは塩素,臭素,ヨウ素などのハロゲン原子
を表わす。)当モル以上と塩基、例えばトリエチルアミ
ン,エチルジイソプロピルアミン,ピリジン,4−ジメチ
ルアミノピリジン,イミダゾールなどの有機塩基や水素
化ナトリウム,ナトリウムアミドなどの無機塩基等モル
以上の存在下で反応させることにより行うことができ
る。R1が1−アルキルオキシエチル基やヘテロ原子を有
する環状アルキル基の場合の導入は、各々相当するビニ
ールエーテル等量以上と酸触媒、例えば塩化水素,p−ト
ルエンスルホン酸,ピリジン−p−トルエンスルホン酸
塩,酸性イオン交換樹脂(アンバーリスト−H15等)を
用いて反応すれば良い。
クリルアルデヒドのアセタール誘導体(VI)をテトラヒ
ドロフラン,ジエチルエーテル,エチレングリコールジ
エチルエーテル等のエーテル類、またはヘキサン等の炭
化水素類を溶媒とし、メチルリチウム,n−ブチルリチウ
ム,sec−ブチルリチウム,t−ブチルリチウム等の強塩基
の当量以上を作用させて生成するビニールアニオンを式
(VII)で表わされる光学活性エポキシ化合物とルイス
酸、例えばトリフルオロボロン・エーテラートの存在下
で反応させると式(V−2)で示される4−ヒドロキシ
−2−メチレンペンタン誘導体が獲られる。この反応は
−30〜−100℃の低温で行うことが望ましい。この反応
は触媒なしでも進行するが、上記の如きルイス酸を添加
すると反応が加速される。次に、上記反応で獲られた式
(V−2)化合物の水酸基に保護基を導入して式(V−
1)化合物に変換する。保護基R1の導入は各々公知の方
法により行う。例えばアルケニル基、アラルキル基、ア
ルキルオキシメチル基及びシリル基の場合は、各々相当
するR1Y(Yは塩素,臭素,ヨウ素などのハロゲン原子
を表わす。)当モル以上と塩基、例えばトリエチルアミ
ン,エチルジイソプロピルアミン,ピリジン,4−ジメチ
ルアミノピリジン,イミダゾールなどの有機塩基や水素
化ナトリウム,ナトリウムアミドなどの無機塩基等モル
以上の存在下で反応させることにより行うことができ
る。R1が1−アルキルオキシエチル基やヘテロ原子を有
する環状アルキル基の場合の導入は、各々相当するビニ
ールエーテル等量以上と酸触媒、例えば塩化水素,p−ト
ルエンスルホン酸,ピリジン−p−トルエンスルホン酸
塩,酸性イオン交換樹脂(アンバーリスト−H15等)を
用いて反応すれば良い。
上記得られた式(V−1)化合物はアセタール部分を弱
いルイス酸の存在下で加水分解すると2−メチレンペン
タナール誘導体(IV)が得られる。この反応は含水溶
媒、例えば水−エタノール混合溶媒などの中で硫酸銅,
臭化亜鉛,シリカゲルなどの弱いルイス酸触媒と反応さ
せることにより達成できる。
いルイス酸の存在下で加水分解すると2−メチレンペン
タナール誘導体(IV)が得られる。この反応は含水溶
媒、例えば水−エタノール混合溶媒などの中で硫酸銅,
臭化亜鉛,シリカゲルなどの弱いルイス酸触媒と反応さ
せることにより達成できる。
次に、式(IV)化合物のカルボニル基をシアノヒドリン
化して式(III−2)化合物に変換する。シアノヒドリ
ン化は常法通りシアン化水素を用いて達成することがで
きる。またシアノヒドリン化の簡便な方法としては、18
−クラウンエーテル−6触媒の存在下でトリメチルシリ
ルシアナイドと反応させてトリメチルシリル化されたシ
アノヒドリン式(III−3)を得、これを加水分解して
式(III−2)化合物に導くこともできる。またこのト
リメチルシリル化された式(III−3)化合物は、これ
をそのまま式(II)に導くこともできる。
化して式(III−2)化合物に変換する。シアノヒドリ
ン化は常法通りシアン化水素を用いて達成することがで
きる。またシアノヒドリン化の簡便な方法としては、18
−クラウンエーテル−6触媒の存在下でトリメチルシリ
ルシアナイドと反応させてトリメチルシリル化されたシ
アノヒドリン式(III−3)を得、これを加水分解して
式(III−2)化合物に導くこともできる。またこのト
リメチルシリル化された式(III−3)化合物は、これ
をそのまま式(II)に導くこともできる。
上記得られた光学活性1−シアノ−1−ペンタノール
(III−2)はこのものの水酸基に保護基R2を導入して
式(III−1)化合物に変換する。保護基としては前記
した1−アルキルオキシアルキル基、ヘテロ原子を有す
る環状アルキル基及びシリル基の中から適宜選択するこ
とができる。この際R2はR1と同一でも、また異なってい
ても良い。保護基R2の導入は式(V−2)化合物を式
(V−1)化合物に変換する際と同様な条件を用いて行
うことができる。
(III−2)はこのものの水酸基に保護基R2を導入して
式(III−1)化合物に変換する。保護基としては前記
した1−アルキルオキシアルキル基、ヘテロ原子を有す
る環状アルキル基及びシリル基の中から適宜選択するこ
とができる。この際R2はR1と同一でも、また異なってい
ても良い。保護基R2の導入は式(V−2)化合物を式
(V−1)化合物に変換する際と同様な条件を用いて行
うことができる。
式(III−1)化合物はこれを強塩基と反応させて環化
した式(II)化合物に変換する。強塩基としては、水素
化リチウム,水素化ナトリウム,水素化カリウム,リチ
ウムアミド,ナトリウムアミド,カリウムアミド,リチ
ウムジイソプロピルアミド,ナトリウムヘキサメチルジ
シラザン,リチウムヘキサメチルジシラザン,カリウム
ヘキサメチルジシラザンなどが用いられ、強塩基の種類
により反応温度,溶媒が適宜選ばれる。例えばリチウム
ジイソプロピルアミドの場合、+60〜−100℃でジエチ
ルエーテル又はテトラヒドロフラン中で行うことが好ま
しく、ナトリウムヘキサメチルジシラザンを用いる場合
はテトラヒドロフラン,ジオキサン,ベンゼンやトルエ
ン中室温〜110℃の温度範囲で反応させることができ
る。強塩基の量は式(III−1)化合物に対して1〜10
倍等量、好ましくは1〜5倍等量の範囲で用いられる。
した式(II)化合物に変換する。強塩基としては、水素
化リチウム,水素化ナトリウム,水素化カリウム,リチ
ウムアミド,ナトリウムアミド,カリウムアミド,リチ
ウムジイソプロピルアミド,ナトリウムヘキサメチルジ
シラザン,リチウムヘキサメチルジシラザン,カリウム
ヘキサメチルジシラザンなどが用いられ、強塩基の種類
により反応温度,溶媒が適宜選ばれる。例えばリチウム
ジイソプロピルアミドの場合、+60〜−100℃でジエチ
ルエーテル又はテトラヒドロフラン中で行うことが好ま
しく、ナトリウムヘキサメチルジシラザンを用いる場合
はテトラヒドロフラン,ジオキサン,ベンゼンやトルエ
ン中室温〜110℃の温度範囲で反応させることができ
る。強塩基の量は式(III−1)化合物に対して1〜10
倍等量、好ましくは1〜5倍等量の範囲で用いられる。
上記式(II)化合物はこれの−OR2基を加水分解し、次
いで塩基で脱シアノ水素化して式(I)化合物を得るこ
とができる。−OR2の加水分解は公知の方法を用いるこ
とができる。例えば塩酸,p−トルエンスルホン酸,酢酸
などの酸、酸性イオン交換樹脂、あるいはトリフルオロ
ボロン・エーテラート,臭化亜鉛,塩化アルミニューム
などのルイス酸又はピリジン・p−トルエンスルホン酸
塩などの弱酸性物質を用いて含水溶媒中で0〜100℃の
温度範囲で行うことができる。OR2がシリル基の場合、
テトラn−ブチルアンモニウムフルオライドなどの四級
フッ化アンモニウム塩で脱保護することも可能である。
アラルキル基のときはパラジウムを用いる水素化分解も
有効な手段である。
いで塩基で脱シアノ水素化して式(I)化合物を得るこ
とができる。−OR2の加水分解は公知の方法を用いるこ
とができる。例えば塩酸,p−トルエンスルホン酸,酢酸
などの酸、酸性イオン交換樹脂、あるいはトリフルオロ
ボロン・エーテラート,臭化亜鉛,塩化アルミニューム
などのルイス酸又はピリジン・p−トルエンスルホン酸
塩などの弱酸性物質を用いて含水溶媒中で0〜100℃の
温度範囲で行うことができる。OR2がシリル基の場合、
テトラn−ブチルアンモニウムフルオライドなどの四級
フッ化アンモニウム塩で脱保護することも可能である。
アラルキル基のときはパラジウムを用いる水素化分解も
有効な手段である。
脱シアノ水素化は水酸化ナトリウム,水酸化カリウム,
重炭酸水素ナトリウム,炭酸カリウムなどの無機塩基、
アンモニア,トリエチルアミン,ピリジン,4−ジメチル
アミノピリジンなどの有機塩基当量以上と反応させて達
成することができる。
重炭酸水素ナトリウム,炭酸カリウムなどの無機塩基、
アンモニア,トリエチルアミン,ピリジン,4−ジメチル
アミノピリジンなどの有機塩基当量以上と反応させて達
成することができる。
上記反応式においてR2,R3,X,X1の具体例は以下の通り
である。
である。
R2:R1で挙げた1−アルキルオキシエチル基、ヘテロ原
子を有する環状アルキル基及びシリル基と同様な基 R3:メチル,エチル,2,2,2−トリクロロエチルなどのア
ルキル基、ベンジルなどのアラルキル基、2個のR3が結
合した例としてR3−O−C−OR3が で示される環状アセタール X1:塩素,臭素,ヨウ素 X:塩素,臭素,ヨウ素などのハロゲン原子、メタンスル
ホニルオキシ,トリフルオロメタンスルホニルオキシな
どのアルキルスルホニルオキシ基、ベンゼンスルホニル
オキシ,p−トルエンスルホニルオキシ,m−トリフルオロ
メチルベンゼンスルホニルオキシ,m−クロロベンゼンス
ルホニルオキシ基などのアリールスルホニルオキシ基 上記得られた一般式(I)で表わされる光学活性2−メ
チレンシクロペンタノン誘導体は、下記反応経路2で示
される方法によって本発明の原料化合物(X)を合成
し、次いで一般式(XI)で表わされる本発明の光学活性
シクロペンテノン誘導体に導くことができる。
子を有する環状アルキル基及びシリル基と同様な基 R3:メチル,エチル,2,2,2−トリクロロエチルなどのア
ルキル基、ベンジルなどのアラルキル基、2個のR3が結
合した例としてR3−O−C−OR3が で示される環状アセタール X1:塩素,臭素,ヨウ素 X:塩素,臭素,ヨウ素などのハロゲン原子、メタンスル
ホニルオキシ,トリフルオロメタンスルホニルオキシな
どのアルキルスルホニルオキシ基、ベンゼンスルホニル
オキシ,p−トルエンスルホニルオキシ,m−トリフルオロ
メチルベンゼンスルホニルオキシ,m−クロロベンゼンス
ルホニルオキシ基などのアリールスルホニルオキシ基 上記得られた一般式(I)で表わされる光学活性2−メ
チレンシクロペンタノン誘導体は、下記反応経路2で示
される方法によって本発明の原料化合物(X)を合成
し、次いで一般式(XI)で表わされる本発明の光学活性
シクロペンテノン誘導体に導くことができる。
下記反応経路2において、Mは有機亜鉛化合物、例えば
(CH3)2ZnLiなど又は有機銅化合物、例えばCu(CN)Li,C
u(CN)MgBr,Cu(CN)MgCl,Cu(CN)MgI,(CuLi)1/2,
(2−チエニル)Cu(CN)Li2,Cu(PBu3)n(n=2〜3、
Buはブチル基)などを表わす。Y1は塩素,臭素,ヨウ素
などのハロゲン原子又はZR6を表わす。
(CH3)2ZnLiなど又は有機銅化合物、例えばCu(CN)Li,C
u(CN)MgBr,Cu(CN)MgCl,Cu(CN)MgI,(CuLi)1/2,
(2−チエニル)Cu(CN)Li2,Cu(PBu3)n(n=2〜3、
Buはブチル基)などを表わす。Y1は塩素,臭素,ヨウ素
などのハロゲン原子又はZR6を表わす。
式(I)で表わされる2−メチレンシクロペンタノン誘
導体を別途調製した式(VIII)で表わされる有機金属化
合物と反応させてα鎖を導入し、生じたエノレートを一
般式(IX)で表わされる有機セレン化合物又は有機イオ
ウ化合物で置換して式(X)化合物とし、これを酸化
し、次いで0〜150℃の温度で脱離反応を行ってシクロ
ペンテノン誘導体(XI)を得ることができる。
導体を別途調製した式(VIII)で表わされる有機金属化
合物と反応させてα鎖を導入し、生じたエノレートを一
般式(IX)で表わされる有機セレン化合物又は有機イオ
ウ化合物で置換して式(X)化合物とし、これを酸化
し、次いで0〜150℃の温度で脱離反応を行ってシクロ
ペンテノン誘導体(XI)を得ることができる。
上記用いられる式(VIII)で表わされる有機金属化合物
R5Mは次の様にして調製する。有機銅化合物はR5X1(X1
は塩素,臭素,ヨウ素などのハロゲン原子)をメチルリ
チウム,sec−ブチルリチウム,t−ブチルリチウムなどの
有機リチウム化合物、金属リチウムなどでリチオ化する
か、金属マグネシウムでグリニヤール試剤とした後、シ
アン化第一銅,ヨウ化第一銅あるいは別途調製した(2
−チエニル)Cu(CN)Liで処理して作ることができる。
また有機亜鉛化合物は別途塩化亜鉛のテトラメチルエチ
レンジアミン錯体を2当量のメチルリチウムと反応させ
てジメチル亜鉛とし、これに上記R5X1をリチオ化した反
応液を加えて得ることができる。R5Mの調製は不活性溶
媒、例えばn−ヘキサン,トルエンなどの炭化水素、ジ
エチルエーテル,テトラヒドロフラン,ジオキサンなど
のエーテル又はこれらの混合溶媒中で0〜−100℃の温
度で行うことができる。
R5Mは次の様にして調製する。有機銅化合物はR5X1(X1
は塩素,臭素,ヨウ素などのハロゲン原子)をメチルリ
チウム,sec−ブチルリチウム,t−ブチルリチウムなどの
有機リチウム化合物、金属リチウムなどでリチオ化する
か、金属マグネシウムでグリニヤール試剤とした後、シ
アン化第一銅,ヨウ化第一銅あるいは別途調製した(2
−チエニル)Cu(CN)Liで処理して作ることができる。
また有機亜鉛化合物は別途塩化亜鉛のテトラメチルエチ
レンジアミン錯体を2当量のメチルリチウムと反応させ
てジメチル亜鉛とし、これに上記R5X1をリチオ化した反
応液を加えて得ることができる。R5Mの調製は不活性溶
媒、例えばn−ヘキサン,トルエンなどの炭化水素、ジ
エチルエーテル,テトラヒドロフラン,ジオキサンなど
のエーテル又はこれらの混合溶媒中で0〜−100℃の温
度で行うことができる。
上記のようにして調製したR5Mで表わされる有機金属化
合物の不活性溶媒溶液中に0〜−100℃で攪拌下に式
(I)化合物の不活性溶媒溶液を滴下し、生じたエノレ
ート溶液に同温度で攪拌下、式(IX)化合物の不活性溶
媒溶液を滴下して反応させることにより本発明の式
(X)化合物を得ることができる。これらの反応は窒
素,アルゴン等の不活性ガス雰囲気下で行う必要があ
る。式(VIII)で表わされる有機金属化合物は式(I)
化合物に対してモル比で1〜10倍量、式(IX)で表わさ
れる有機金属化合物は式(I)化合物に対してモル比で
1〜10倍量の範囲が適当である。
合物の不活性溶媒溶液中に0〜−100℃で攪拌下に式
(I)化合物の不活性溶媒溶液を滴下し、生じたエノレ
ート溶液に同温度で攪拌下、式(IX)化合物の不活性溶
媒溶液を滴下して反応させることにより本発明の式
(X)化合物を得ることができる。これらの反応は窒
素,アルゴン等の不活性ガス雰囲気下で行う必要があ
る。式(VIII)で表わされる有機金属化合物は式(I)
化合物に対してモル比で1〜10倍量、式(IX)で表わさ
れる有機金属化合物は式(I)化合物に対してモル比で
1〜10倍量の範囲が適当である。
上記酸化反応に用いられる酸化剤としては、過酸化水素
や過酢酸,過安息香酸,m−クロロ過安息香酸などの有機
過酸類、メタ過ヨウ素酸ナトリウム、ヒドロパーオキシ
ド、オゾン、二酸化セレン、N−ブロモサクシニイミド
等が挙げられる。酸化剤は式(X)化合物に対してモル
比で1〜30倍量の範囲で用いられる。反応は副反応を抑
制するために−40〜40℃の温度範囲で行うのがよい。特
に式(X)が硫黄化合物の場合はスルホンの副生を抑え
るために低温で行うことが望ましい。反応溶媒は水,メ
タノール,エタノール,イソプロパノール,t−ブタノー
ル,アセトン,酢酸,テトラヒドロフラン,エチルエー
テル等の単独又は混合物が用いられる。この酸化反応に
よってセレンオキシド又はスルホキシドが得られる。セ
レンオキシドは不安定であり、室温で脱離して本発明の
シクロペンテノン誘導体(XI)を与える。またスルホキ
シドは室温では脱離せず30〜150℃の温度で加熱処理す
ると脱離して式(XI)化合物を与える。スルホキシドは
精製することなく脱離反応に付することができるが、必
要ならカラムクロマトグラフィーなどを用いて精製して
もよい。スルホキシドの脱離はスルホキシドをそのまま
又はエチレングリコールやトルエン,キシレン,クロロ
ベンゼン,ニトロベンゼンなどの溶媒中で加熱して行う
ことができる。
や過酢酸,過安息香酸,m−クロロ過安息香酸などの有機
過酸類、メタ過ヨウ素酸ナトリウム、ヒドロパーオキシ
ド、オゾン、二酸化セレン、N−ブロモサクシニイミド
等が挙げられる。酸化剤は式(X)化合物に対してモル
比で1〜30倍量の範囲で用いられる。反応は副反応を抑
制するために−40〜40℃の温度範囲で行うのがよい。特
に式(X)が硫黄化合物の場合はスルホンの副生を抑え
るために低温で行うことが望ましい。反応溶媒は水,メ
タノール,エタノール,イソプロパノール,t−ブタノー
ル,アセトン,酢酸,テトラヒドロフラン,エチルエー
テル等の単独又は混合物が用いられる。この酸化反応に
よってセレンオキシド又はスルホキシドが得られる。セ
レンオキシドは不安定であり、室温で脱離して本発明の
シクロペンテノン誘導体(XI)を与える。またスルホキ
シドは室温では脱離せず30〜150℃の温度で加熱処理す
ると脱離して式(XI)化合物を与える。スルホキシドは
精製することなく脱離反応に付することができるが、必
要ならカラムクロマトグラフィーなどを用いて精製して
もよい。スルホキシドの脱離はスルホキシドをそのまま
又はエチレングリコールやトルエン,キシレン,クロロ
ベンゼン,ニトロベンゼンなどの溶媒中で加熱して行う
ことができる。
上記得られた一般式(XI)で表わされる光学活性シクロ
ペンテノン誘導体はR5のアセタール,シリル,アルキル
オキシアルキル基を前述の公知の方向で脱保護するとア
ルデヒドやアルコールに変換することができる。式(X
I)の化合物からのプロスタグランジン誘導体の合成は
公知の手段によって行うことができる。
ペンテノン誘導体はR5のアセタール,シリル,アルキル
オキシアルキル基を前述の公知の方向で脱保護するとア
ルデヒドやアルコールに変換することができる。式(X
I)の化合物からのプロスタグランジン誘導体の合成は
公知の手段によって行うことができる。
(実施例) <式(V−2)化合物の合成> −78℃に冷却した2−ブロモ−3,3−ジエトキシプロペ
ン9.35g(44.9m mol)の無水テトラヒドロフラン80ml溶
液に、アルゴン雰囲気下攪拌しながら、n−ブチルリチ
ウムを20分間かけて滴下し、更に−78℃で40分間攪拌し
てビニルリチウム溶液を調製した。
ン9.35g(44.9m mol)の無水テトラヒドロフラン80ml溶
液に、アルゴン雰囲気下攪拌しながら、n−ブチルリチ
ウムを20分間かけて滴下し、更に−78℃で40分間攪拌し
てビニルリチウム溶液を調製した。
一方、−78℃に冷却した光学活性(S)−エピクロロヒ
ドリン(化学純度98.5%以上、光学純度99%以上)3.46
g(37.4m mol)の無水テトラヒドロフラン70ml溶液に、
アルゴン雰囲気下攪拌しながらトリフルオロボロンエー
テラート5.31g(37.4m mol)を滴下し、更に10分間攪拌
した。
ドリン(化学純度98.5%以上、光学純度99%以上)3.46
g(37.4m mol)の無水テトラヒドロフラン70ml溶液に、
アルゴン雰囲気下攪拌しながらトリフルオロボロンエー
テラート5.31g(37.4m mol)を滴下し、更に10分間攪拌
した。
前に得たビリルリチウム溶液を上記エピクロロヒドリン
溶液中に−78℃で35分間かけて滴下し、更に20分間攪拌
した。この反応混合物を予め冷却した塩化アンモニウム
飽和水溶液中に激しく攪拌しながら注ぎ込み、水層をエ
ーテルで6回抽出し、エーテル抽出液を飽和塩化アンモ
ニウム水溶液で2回、飽和食塩水で2回洗浄した後、無
水硫酸マグネシウムで乾燥し、溶媒を減圧留去して下記
化学式で示される光学活性4−ヒドロキシ−2−メチレ
ンペンタン誘導体(V−2−a)6.97g(収率84%)を
得た。
溶液中に−78℃で35分間かけて滴下し、更に20分間攪拌
した。この反応混合物を予め冷却した塩化アンモニウム
飽和水溶液中に激しく攪拌しながら注ぎ込み、水層をエ
ーテルで6回抽出し、エーテル抽出液を飽和塩化アンモ
ニウム水溶液で2回、飽和食塩水で2回洗浄した後、無
水硫酸マグネシウムで乾燥し、溶媒を減圧留去して下記
化学式で示される光学活性4−ヒドロキシ−2−メチレ
ンペンタン誘導体(V−2−a)6.97g(収率84%)を
得た。
NMR(CDCl3) δ:1.23 (6H,t,J=7.0Hz,CH3) 2.34〜2.52(2H,m,CH2) 3.25〜4.17(9H,m,CH2O,CH2Cl,CH,OH) 4.70 (1H,s,OCH−O) 5.14〜5.50(2H,m,=CH2) 上記合成において、光学活性(S)−エピクロロヒドリ
ンの代りに光学活性(S)−エピブロモヒドリンを用い
た以外は上記同様にして上記化学式で示される光学活性
4−ヒドロキシ−2−メチレンペンタン誘導体(V−2
−b)を得た。
ンの代りに光学活性(S)−エピブロモヒドリンを用い
た以外は上記同様にして上記化学式で示される光学活性
4−ヒドロキシ−2−メチレンペンタン誘導体(V−2
−b)を得た。
NMR(CDCl3) δ:1.23 (6H,t,J=7.0Hz,CH3) 2.34〜2.55(2H,m,CH2) 3.29〜3.80(8H,m,CH2O,CH2Br,CH) 3.80〜4.14 (1H,m,OH) 4.71 (1H,s,OCH−O) 5.14〜5.32(2H,m,=CH2) <式(V−1)化合物の合成> 上記得られた光学活性4−ヒドロキシ−2−メチレンペ
ンタン誘導体(V−2−a)6.96gのN,N−ジメチルホル
ムアミド10ml溶液に、攪拌下0℃でイミダゾール6.43g
(94.5m mol)を滴下し、次いでt−ブチルジフェニル
シリルクロリド14.07g(51.3m mol)を滴下して水浴上
で一昼夜攪拌した後、3N塩酸で中和し、水層をエーテル
で3回抽出し、抽出液を飽和重曹水で2回、次いで飽和
食塩水で3回洗浄した後、無水硫酸マグネシウムで乾燥
した。減圧下に溶媒を留去して下記化学式で示されるヒ
ドロキシル基が保護された光学活性2−メチレンペンタ
ン誘導体(V−1−a)19.96gを得た。
ンタン誘導体(V−2−a)6.96gのN,N−ジメチルホル
ムアミド10ml溶液に、攪拌下0℃でイミダゾール6.43g
(94.5m mol)を滴下し、次いでt−ブチルジフェニル
シリルクロリド14.07g(51.3m mol)を滴下して水浴上
で一昼夜攪拌した後、3N塩酸で中和し、水層をエーテル
で3回抽出し、抽出液を飽和重曹水で2回、次いで飽和
食塩水で3回洗浄した後、無水硫酸マグネシウムで乾燥
した。減圧下に溶媒を留去して下記化学式で示されるヒ
ドロキシル基が保護された光学活性2−メチレンペンタ
ン誘導体(V−1−a)19.96gを得た。
IR(neat) 3400,1640,1050cm-1 上記合成において、光学活性4−ヒドロキシ−2−メチ
レンペンタン誘導体(V−2−a)の代りにX=Brであ
る光学活性(V−2−b)化合物を用いた以外は同様に
して上記化学式で示される光学活性(V−1−b)化合
物を得た。
レンペンタン誘導体(V−2−a)の代りにX=Brであ
る光学活性(V−2−b)化合物を用いた以外は同様に
して上記化学式で示される光学活性(V−1−b)化合
物を得た。
<式(IV)化合物の合成> 上記光学活性2−メチレンペンタン誘導体(V−1−
a)19.87gを80%メタノール水溶液120mlに溶かし、硫
酸銅10.09gを加えて1時間加熱攪拌した。反応混合物を
セライトを通して濾過し、濾液にベンゼン300mlを加え
て共沸下にメタノールと水を留去し、残液をエーテルで
抽出し、エーテル抽出液を飽和重曹水で洗浄した。水層
はエーテルで6回抽出した後、抽出液を食塩水で洗浄
し、無水硫酸マグネシウムで乾燥し、減圧下溶媒を留去
して下記化学式で示される光学活性2−メチレンペンタ
ナール誘導体(IV−a)18.66gを得た。
a)19.87gを80%メタノール水溶液120mlに溶かし、硫
酸銅10.09gを加えて1時間加熱攪拌した。反応混合物を
セライトを通して濾過し、濾液にベンゼン300mlを加え
て共沸下にメタノールと水を留去し、残液をエーテルで
抽出し、エーテル抽出液を飽和重曹水で洗浄した。水層
はエーテルで6回抽出した後、抽出液を食塩水で洗浄
し、無水硫酸マグネシウムで乾燥し、減圧下溶媒を留去
して下記化学式で示される光学活性2−メチレンペンタ
ナール誘導体(IV−a)18.66gを得た。
NMR(CDCl3) δ:1.07 (9H,s,CH3) 2.49〜2.71(2H,m,CH2) 3.34 (2H,d,J=5.0Hz,CH2) 3.94〜4.26 (1H,m,CH) 5.99 (1H,s,=CH) 6.24 (1H,s,=CH) 7.29〜7.91(10H,m,C6H5) 9.94 (1H,s,CHO) IR(neat) 1685,1480,1100,700cm-1 上記合成において、光学活性2−メチレンペンタン誘導
体(V−1−a)の代りにX=Brである光学活性(V−
1−b)化合物を用いた以外は同様にして上記化学式で
示される光学活性(IV−b)化合物を得た。
体(V−1−a)の代りにX=Brである光学活性(V−
1−b)化合物を用いた以外は同様にして上記化学式で
示される光学活性(IV−b)化合物を得た。
NMR(CDCl3) δ:1.07 (9H,s,CH3) 2.43〜2.83(2H,m,CH2) 3.21 (2H,d,J=5.0Hz,CH2) 3.86〜4.23(1H,m,CH) 5.99 (1H,brs,=CH) 6.26 (1H,brs,=CH) 7.29〜7.91(10H,m,C6H5) 9.94 (1H,s,CHO) IR(neat) 1685,1580,1100,700cm-1 <式(III−2)化合物の合成> 上記光学活性2−メチレンペンタナール誘導体(IV−
a)18.66gにアルゴン雰囲気下18−クラウンエーテルの
シアン化カリ錯体を触媒量加えた攪拌下にトリメチルシ
リルシアナイド3.65g(36.8m mol)を滴下した。反応混
合物を更に1時間水浴上で攪拌した後、テトラヒドロフ
ラン100mlで稀釈し、1N塩酸30mlを加えて20分間攪拌し
た。水層をエーテルで6回抽出し、食塩水で抽出液を洗
浄した後、無水硫酸マグネシウムで乾燥し、減圧下に溶
媒を留去して下記化学式で示される光学活性1−シアノ
−2−メチレンペンタン誘導体(III−2−a)の粗生
成物を得た。これをシリカゲルカラムクロマトグラフィ
ーを用いてn−ヘキサン:エーテル=8:1で処理し精製
物6.14gを得た。式(V−2−a)からの収率は47.4%
であった。なお、この際原料の(IV−a)化合物2.80g
を回収した。
a)18.66gにアルゴン雰囲気下18−クラウンエーテルの
シアン化カリ錯体を触媒量加えた攪拌下にトリメチルシ
リルシアナイド3.65g(36.8m mol)を滴下した。反応混
合物を更に1時間水浴上で攪拌した後、テトラヒドロフ
ラン100mlで稀釈し、1N塩酸30mlを加えて20分間攪拌し
た。水層をエーテルで6回抽出し、食塩水で抽出液を洗
浄した後、無水硫酸マグネシウムで乾燥し、減圧下に溶
媒を留去して下記化学式で示される光学活性1−シアノ
−2−メチレンペンタン誘導体(III−2−a)の粗生
成物を得た。これをシリカゲルカラムクロマトグラフィ
ーを用いてn−ヘキサン:エーテル=8:1で処理し精製
物6.14gを得た。式(V−2−a)からの収率は47.4%
であった。なお、この際原料の(IV−a)化合物2.80g
を回収した。
NMR(CDCl3) δ:1.0〜1.17(9H,d,CH3) 2.51〜2.86(2H,m,CH2) 3.00〜3.57(3H,m,CH2,CH) 3.91〜4.23(1H,m,CH) 4.71〜4.96(1H,m,OH) 5.21〜5.63(2H,m,=CH2) 7.25〜7.91(1H,m,CH) 上記合成において、光学活性2−メチレンペンタナール
誘導体(IV−a)の代りにX=Brである光学活性(IV−
b)化合物を用いた以外は同様にして上記化学式で示さ
れる光学活性(III−2−b)化合物を得た。
誘導体(IV−a)の代りにX=Brである光学活性(IV−
b)化合物を用いた以外は同様にして上記化学式で示さ
れる光学活性(III−2−b)化合物を得た。
NMR(CDCl3) δ:1.0〜1.32(9H,m,CH3) 2.55〜3.67(5H,m,CH2,CH) 3.90〜4.21(1H,m,CH) 4.84 (1H,s,OH) 5.18〜5.67(2H,m,=CH2) 7.28〜7.85(10H,m,C6H5) <式(III−1)化合物の合成> 上記光学活性1−シアノ−2−メチレンペンタン誘導体
(III−2−a)6.14g(14.8m mol)の無水ベンゼン90m
l溶液に、アルゴン雰囲気下触媒量のp−トルエンスル
ホン酸を加え、水浴上で攪拌下エチルビニルエーテル1.
18g(16.3m mol)を滴下した。更に40分間攪拌した後、
予め冷却した飽和重曹水で2中和し、水層をエーテルで
4回抽出し、抽出液を食塩水で洗浄した後、無水硫酸マ
グネシウムで乾燥し、減圧下で溶媒を留去して下記化学
式で示される光学活性1−シアノ−2−メチレンペンタ
ン誘導体(III−1−a)6.68gを得た。
(III−2−a)6.14g(14.8m mol)の無水ベンゼン90m
l溶液に、アルゴン雰囲気下触媒量のp−トルエンスル
ホン酸を加え、水浴上で攪拌下エチルビニルエーテル1.
18g(16.3m mol)を滴下した。更に40分間攪拌した後、
予め冷却した飽和重曹水で2中和し、水層をエーテルで
4回抽出し、抽出液を食塩水で洗浄した後、無水硫酸マ
グネシウムで乾燥し、減圧下で溶媒を留去して下記化学
式で示される光学活性1−シアノ−2−メチレンペンタ
ン誘導体(III−1−a)6.68gを得た。
NMR(CDCl3) δ:0.93〜1.43(15H,m,CH3) 2.35〜2.74(2H,m,CH2) 3.23〜3.77(4H,m,CH2) 3.89〜4.11(1H,m,CH) 4.34〜5.03(2H,m,CH) 5.19 (1H,brs,=CH) 5.43〜5.63(1H,m,=CH) 7.29〜7.91(10H,m,C6H5) 上記合成において、光学活性1−シアノ−2−メチレン
ペンタン誘導体(III−2−a)の代りにX=Brである
光学活性(III−2−b)を用いた以外は同様にして上
記化学式で示される光学活性(III−1−b)化合物を
得た。
ペンタン誘導体(III−2−a)の代りにX=Brである
光学活性(III−2−b)を用いた以外は同様にして上
記化学式で示される光学活性(III−1−b)化合物を
得た。
NMR(CDCl3) δ:0.93〜1.43(15H,m,CH3) 2.37〜2.74(2H,m,CH2) 3.09〜3.77(4H,m,CH2,CH) 3.89〜4.23(1H,m,CH) 4.60〜5.14(2H,m,CH) 5.14〜5.71(2H,m,=CH2) 7.31〜7.91(10H,m,C6H5) IR(neat) 1700(c=c),1110,1050,940,830,740,700cm-1 <式(II)化合物の合成> ナトリウムヘキサメチルジシラザンのベンゼン溶液(濃
度0.66N)10.3mlを無水テトラヒドロフラン50mlにアル
ゴン雰囲気下で加え、攪拌しながら上記光学活性1−シ
アノ−2−メチレンペンタン誘導体(III−1−a)1.2
3gの無水テトラヒドロフラン20ml溶液を50℃で70分間か
けて滴下した。予め冷却した飽和塩化アンモニウム水溶
液中に上記反応液を激しく攪拌しながら注ぎ、次いでエ
ーテルで5回抽出し、抽出液を1N塩酸、食塩水の順で洗
浄した。これをシリカゲルカラムクロマトグラフィー
(n−ヘキサン:エーテル=20:1)で精製して下記化学
式で示される光学活性2−メチレンシクロペンタンシア
ノヒドリン誘導体(II)756mg(式(III−2−a)化合
物からの収率61.6%)を得た。
度0.66N)10.3mlを無水テトラヒドロフラン50mlにアル
ゴン雰囲気下で加え、攪拌しながら上記光学活性1−シ
アノ−2−メチレンペンタン誘導体(III−1−a)1.2
3gの無水テトラヒドロフラン20ml溶液を50℃で70分間か
けて滴下した。予め冷却した飽和塩化アンモニウム水溶
液中に上記反応液を激しく攪拌しながら注ぎ、次いでエ
ーテルで5回抽出し、抽出液を1N塩酸、食塩水の順で洗
浄した。これをシリカゲルカラムクロマトグラフィー
(n−ヘキサン:エーテル=20:1)で精製して下記化学
式で示される光学活性2−メチレンシクロペンタンシア
ノヒドリン誘導体(II)756mg(式(III−2−a)化合
物からの収率61.6%)を得た。
NMR(CDCl3) δ:0.93〜1.57(15H,m,CH3) 2.06〜2.71(4H,m,CH2) 3.23〜3.86(1H,m,CH) 4.14〜4.60(1H,m,CH) 4.69〜5.11(1H,m,CH) 5.11〜5.37(1H,m,CH) 5.37〜5.66(1H,m,CH) 7.31〜7.90(10H,m,C6H5) 上記合成において、光学活性1−シアノ−2−メチレン
誘導体(III−1−a)の代りにX=Brである光学活性
(III−1−b)化合物を用いた場合も上記と同様な収
率で光学活性(II)化合物が得られた。
誘導体(III−1−a)の代りにX=Brである光学活性
(III−1−b)化合物を用いた場合も上記と同様な収
率で光学活性(II)化合物が得られた。
<式(I)化合物の合成> 上記得られた光学活性2−メチレンシクロペンタンシア
ノヒドリン誘導体(II)756mg(1.68m mol)の無水メタ
ノール30ml溶液に、アルゴン雰囲気下ピリジンp−トル
エンスルホン酸塩を触媒量加えて、1.2時間還流した。
溶媒を減圧留去後、残渣に無水テトラヒドロフラン25ml
及び飽和重曹水10mlを室温で加えて1.5時間攪拌した。
反応混合物にエーテルを加えて抽出し、抽出液を食塩水
で洗浄した。水層を更にエーテルで5回抽出し、これら
抽出液を合せて1N塩酸及び食塩水で順次洗浄した後乾燥
し、溶媒を減圧留去し、次いでシリカゲルカラムクロマ
トグラフィー(n−ヘキサン:エーテル=40:1)で精製
して下記化学式で示される光学活性2−メチレンシクロ
ペンタノン誘導体(I)307.5mg(収率52.2%)を得
た。
ノヒドリン誘導体(II)756mg(1.68m mol)の無水メタ
ノール30ml溶液に、アルゴン雰囲気下ピリジンp−トル
エンスルホン酸塩を触媒量加えて、1.2時間還流した。
溶媒を減圧留去後、残渣に無水テトラヒドロフラン25ml
及び飽和重曹水10mlを室温で加えて1.5時間攪拌した。
反応混合物にエーテルを加えて抽出し、抽出液を食塩水
で洗浄した。水層を更にエーテルで5回抽出し、これら
抽出液を合せて1N塩酸及び食塩水で順次洗浄した後乾燥
し、溶媒を減圧留去し、次いでシリカゲルカラムクロマ
トグラフィー(n−ヘキサン:エーテル=40:1)で精製
して下記化学式で示される光学活性2−メチレンシクロ
ペンタノン誘導体(I)307.5mg(収率52.2%)を得
た。
IR(neat) 1730,1645,1100,730cm-1 1 HNMR(CDCl3) δ:1.04 (9H,s,CH3) 2.42 (2H,d,J=5.0Hz,CH2) 2.72 (2H,quint,2.4Hz,CH2) 4.47 (1H,quint,5.0Hz,CH) 5.29 (1H,dt,J=2.4Hz,1.5Hz,=CH) 6.03 (1H,dt,J=2.4Hz,1.5Hz,=CH) 7.31〜7.91 (10H,m,C6H5)13 CNMR(CDCl3) δ:19.06,26.79,40.02,48.26,68.51,118.03,127.70,12
7.76,129.82,129.86,133.50,133.73,135.64,143.22,20
4.40 上記得られた式(I)化合物を用いて、以下において本
発明の原料化合物(X)を合成し、次いで本発明の光学
活性シクロペンテノン誘導体(式(XI))を合成した。
7.76,129.82,129.86,133.50,133.73,135.64,143.22,20
4.40 上記得られた式(I)化合物を用いて、以下において本
発明の原料化合物(X)を合成し、次いで本発明の光学
活性シクロペンテノン誘導体(式(XI))を合成した。
<式(X)化合物の合成> アルゴン気流下で下記式(XII)で表わされるヨウ化ビ
ニル誘導体 247.8mg(0.831m mol)のn−ヘキサン7ml溶液を−78℃
に冷却し、これに攪拌しながらt−ブチルリチウムをシ
リンジを用いて5分間で滴下し、引き続き90分間同温度
で攪拌して下記化学式で示されるビニルリチウム化合物
を得た。
ニル誘導体 247.8mg(0.831m mol)のn−ヘキサン7ml溶液を−78℃
に冷却し、これに攪拌しながらt−ブチルリチウムをシ
リンジを用いて5分間で滴下し、引き続き90分間同温度
で攪拌して下記化学式で示されるビニルリチウム化合物
を得た。
一方、三つ口フラスコにアルゴン気流下塩化亜鉛のテト
ラメチルエチレンジアミン錯体230.8mg(0.914m mol)
を入れ、無水テトラヒドロフラン7mlを加え、−20℃に
冷却攪拌し、これにメチルリチウムの1.7Nn−ヘキサン
溶液1.07ml(1.828m mol)をシリンジを用いて3分間で
滴下し、さらに10分間攪拌した後−80℃に冷却した。こ
の溶液に上記ビニルリチウム化合物の溶液をブリッジを
用いて−78℃で5分間かけ攪拌下に滴下し、更に−78℃
〜−60℃で1時間攪拌した。これに上記得られた光学活
性2−メチレンシクロペンタノン誘導体(I)223.5mg
(0.6376m mol)の無水テトラヒドロフラン溶液7mlを−
78℃でよく攪拌しながら40分間かけて滴下した。更にこ
の容器を2mlの無水テトラヒドロフランで洗い、反応液
に攪拌下10分間かけて加え、更に−78℃で30分間攪拌し
た。
ラメチルエチレンジアミン錯体230.8mg(0.914m mol)
を入れ、無水テトラヒドロフラン7mlを加え、−20℃に
冷却攪拌し、これにメチルリチウムの1.7Nn−ヘキサン
溶液1.07ml(1.828m mol)をシリンジを用いて3分間で
滴下し、さらに10分間攪拌した後−80℃に冷却した。こ
の溶液に上記ビニルリチウム化合物の溶液をブリッジを
用いて−78℃で5分間かけ攪拌下に滴下し、更に−78℃
〜−60℃で1時間攪拌した。これに上記得られた光学活
性2−メチレンシクロペンタノン誘導体(I)223.5mg
(0.6376m mol)の無水テトラヒドロフラン溶液7mlを−
78℃でよく攪拌しながら40分間かけて滴下した。更にこ
の容器を2mlの無水テトラヒドロフランで洗い、反応液
に攪拌下10分間かけて加え、更に−78℃で30分間攪拌し
た。
この反応液にジフェニルジセレニド996.0mg(3.197m mo
l)の無水テトラヒドロフラン溶液7mlをシリンジを用い
て−78℃で激しく攪拌しながら加えた。引き続き−50℃
で30分間攪拌した後、激しく攪拌しながら冷却した飽和
塩化アンモニウム水溶液中に上記反応液を注ぎ、分解し
た後エーテルで6回水層を抽出し、エーテル溶液を合せ
て飽和食塩水で2回洗浄した後、無水硫酸マグネシウム
で乾燥した。これを濾過して濾液の溶媒を留去し、粗生
成物をシリカゲルカラムクロマトグラフィー(n−ヘキ
サン:エーテル=5:1)で精製して下記化学式で示され
る光学活性2−フェニルセレノシクロペンタノン誘導体
(X)220.1mg(収率50.9%)を得た。
l)の無水テトラヒドロフラン溶液7mlをシリンジを用い
て−78℃で激しく攪拌しながら加えた。引き続き−50℃
で30分間攪拌した後、激しく攪拌しながら冷却した飽和
塩化アンモニウム水溶液中に上記反応液を注ぎ、分解し
た後エーテルで6回水層を抽出し、エーテル溶液を合せ
て飽和食塩水で2回洗浄した後、無水硫酸マグネシウム
で乾燥した。これを濾過して濾液の溶媒を留去し、粗生
成物をシリカゲルカラムクロマトグラフィー(n−ヘキ
サン:エーテル=5:1)で精製して下記化学式で示され
る光学活性2−フェニルセレノシクロペンタノン誘導体
(X)220.1mg(収率50.9%)を得た。
NMR(CDCl3) δ:1.04 (9H,s,CH3) 1.04〜1.74(12H,m,CH3,CH2) 1.82〜2.86(6H,m,CH2CO,CH2C=C) 3.30〜3.82(4H,m,CH2O) 4.34〜4.78(2H,m,OCH) 5.15〜5.50(2H,m,=CH) 7.10〜7.70(15H,m,C6H5) IR(neat) 1730,1105,740,700cm-1 <式(XI)化合物の合成> 上記得られた光学活性2−フェニルセレノシクロペンタ
ノン誘導体(X)115.7mg(0.170m mol)をテトラヒド
ロフラン15mlに溶かし、0℃に冷却して攪拌下30%過酸
化水素、0.14ml(156.1mg,1.80m mol)を一度に加え
た。反応液を徐々に室温まで戻し、更に室温で3時間攪
拌した。反応液をエーテルで稀釈し、エーテル層を分離
して飽和食塩水で洗浄した。水層は更にエーテルで5回
抽出し、エーテル層を合せて再度飽和食塩水で洗浄した
後、無水硫酸マグネシウムで乾燥し、溶媒を減圧下で留
去した。残渣の油状物をシリカゲルクロマトグラフィー
(n−ヘキサン:エーテル=5:1)で精製し、更に高速
液体クロマトグラフィー(シリカゲル「Si−160」、7.6
φ×30cm、n−ヘキサン:酢酸エチル=1:4)で精製し
て下記化学式で示される光学活性シクロペンテノン誘導
体(XI−1)40.6mg(収率45.9%)と構造未定の副生成
物25.8mgを得た。
ノン誘導体(X)115.7mg(0.170m mol)をテトラヒド
ロフラン15mlに溶かし、0℃に冷却して攪拌下30%過酸
化水素、0.14ml(156.1mg,1.80m mol)を一度に加え
た。反応液を徐々に室温まで戻し、更に室温で3時間攪
拌した。反応液をエーテルで稀釈し、エーテル層を分離
して飽和食塩水で洗浄した。水層は更にエーテルで5回
抽出し、エーテル層を合せて再度飽和食塩水で洗浄した
後、無水硫酸マグネシウムで乾燥し、溶媒を減圧下で留
去した。残渣の油状物をシリカゲルクロマトグラフィー
(n−ヘキサン:エーテル=5:1)で精製し、更に高速
液体クロマトグラフィー(シリカゲル「Si−160」、7.6
φ×30cm、n−ヘキサン:酢酸エチル=1:4)で精製し
て下記化学式で示される光学活性シクロペンテノン誘導
体(XI−1)40.6mg(収率45.9%)と構造未定の副生成
物25.8mgを得た。
NMR(CDCl3) δ:1.07 (9H,s,CH3) 1.07〜1.79(12H,m,CH2,CH3) 1.87〜2.26(2H,m,CH2) 2.34〜2.54(2H,m,CH2) 2.70〜2.94(2H,m,CH2) 3.18〜3.82(4H,m,CH2) 4.66 (1H,q,J=5.5Hz,CH) 4.75〜4.98(1H,m,CH) 5.44 (1H,m,=CH) 6.88〜7.02(1H,m,=CH) 7.26〜7.78(10H,m,C6H5) IR(neat) 1715,1105,700cm-1 上記得られた光学活性シクロペンテノン誘導体(XI−
1)31.9mg(0.06m mol)の無水メタノール2ml溶液に触
媒量のp−トルエンスルホン酸を氷冷下アルゴン気流中
で加え、1時間20分氷冷下攪拌した後、更に室温で1時
間攪拌した。この反応液を予め冷却した飽和重曹水で中
和し、水層をジクロロメタンで5回抽出し、抽出液を合
せて飽和食塩水で2回洗浄した後無水硫酸マグネシウム
で乾燥した。減圧下で溶媒を留去した後残渣の油状物を
シリカゲルカラムクロマトグラフィー(n−ヘキサン:
エーテル=1:1)で精製して下記化学式で示される光学
活性シクロペンテノン誘導体(XI−2)24.8mg(収率9
0.2%)を得た。
1)31.9mg(0.06m mol)の無水メタノール2ml溶液に触
媒量のp−トルエンスルホン酸を氷冷下アルゴン気流中
で加え、1時間20分氷冷下攪拌した後、更に室温で1時
間攪拌した。この反応液を予め冷却した飽和重曹水で中
和し、水層をジクロロメタンで5回抽出し、抽出液を合
せて飽和食塩水で2回洗浄した後無水硫酸マグネシウム
で乾燥した。減圧下で溶媒を留去した後残渣の油状物を
シリカゲルカラムクロマトグラフィー(n−ヘキサン:
エーテル=1:1)で精製して下記化学式で示される光学
活性シクロペンテノン誘導体(XI−2)24.8mg(収率9
0.2%)を得た。
▲[α]25 D▼=+31.85°(c=0.496,メタノール)1 HNMR(CDCl3) δ:1.07 (9H,s,CH3) 1.15〜1.79(5H,m,CH2,OH) 1.87〜2.27(2H,m,CH2) 2.06 (2H,brq,J=6.4Hz,CH2) 2.87 (2H,brq,J=6.0Hz,CH2) 3.62 (2H,t,J=6.4Hz,CH2) 4.75〜4.96(1H,m,CH) 5.30〜5.55(2H,m,=CH) 6.93〜6.98(1H,m,=CH) 7.27〜7.75(10H,m,C6H5)13 CNMR(CDCl3) δ:19.72,23.24,26.22,27.47,32.89, 43.94,46.00,63.34,70.54,125.38, 128.41,130.58,132.64,134.26,136.26, 146.51,157.23,177.87 IR(neat) 3400,1710,1110,1070,780,700cm-1 (発明の効果) 本発明によって得られた化合物は、プロスタグランジン
を製造するための原料として有用であり、従来の合成中
間体であるコーリーラクトンや4−ヒドロキシシクロペ
ンテノンを用いる方法に較べて繁雑な工程を大幅に省略
でき、極めて短工程で得られる光学活性シクロペンタノ
ン誘導体を原料として用いる点有利である。
を製造するための原料として有用であり、従来の合成中
間体であるコーリーラクトンや4−ヒドロキシシクロペ
ンテノンを用いる方法に較べて繁雑な工程を大幅に省略
でき、極めて短工程で得られる光学活性シクロペンタノ
ン誘導体を原料として用いる点有利である。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 FI 技術表示箇所 // C07B 53/00 G 7419−4H C07C 391/00 405/00 504 T 7419−4H 507 T 7419−4H
Claims (1)
- 【請求項1】下記一般式(X) (上記一般式(X)において、R1はアルケニル基、アラ
ルキル基、アルキルオキシメチル基、1−アルキルオキ
シエチル基、ヘテロ原子を有する環状アルキル基及びシ
リル基から選ばれた容易に脱離可能な保護基を表わし、
R5はそれぞれ酸素,イオウ又はケイ素を含んでいても良
い、直鎖状もしくは分岐状アルキル基、アルケニル基、
アルキニル基及びアルキル置換フェニル基から選ばれた
炭素数5〜22の基を表わし、この中にはアルコキシ,ア
ルキルオキシアルコキシ,環状もしくは非環状アセター
ル基、シリル基、アルキルチオ基が含まれていても良
い。R6はメチル,フェニル,p−トリル,p−クロロフェニ
ル又は2−ピリジル基、Zはセレン又は硫黄、*の符号
は不斉炭素原子をそれぞれ表わす) で表わされる光学活性シクロペンタノン誘導体を酸化剤
により2−置換基のセレン又は硫黄を酸化し脱離させる
ことを特徴とする下記一般式(XI)で表わされる光学活
性シクロペンテノン誘導体の製法。 (一般式(XI)において、R1、R5及び*の符号は一般式
(X)のR1、R5及び*の符号と同様の意味を表わす)
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1317237A JPH0714893B2 (ja) | 1989-12-05 | 1989-12-05 | 光学活性シクロペンテノン誘導体の製法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1317237A JPH0714893B2 (ja) | 1989-12-05 | 1989-12-05 | 光学活性シクロペンテノン誘導体の製法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH03176453A JPH03176453A (ja) | 1991-07-31 |
JPH0714893B2 true JPH0714893B2 (ja) | 1995-02-22 |
Family
ID=18086011
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP1317237A Expired - Lifetime JPH0714893B2 (ja) | 1989-12-05 | 1989-12-05 | 光学活性シクロペンテノン誘導体の製法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0714893B2 (ja) |
-
1989
- 1989-12-05 JP JP1317237A patent/JPH0714893B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH03176453A (ja) | 1991-07-31 |
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