JPH03176453A - 光学活性シクロペンテノン誘導体の製法 - Google Patents
光学活性シクロペンテノン誘導体の製法Info
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-
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- Y02P20/00—Technologies relating to chemical industry
- Y02P20/50—Improvements relating to the production of bulk chemicals
- Y02P20/55—Design of synthesis routes, e.g. reducing the use of auxiliary or protecting groups
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- Organic Low-Molecular-Weight Compounds And Preparation Thereof (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
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Description
【発明の詳細な説明】
(産業上の利用分野〉
本発明は、プロスタグランジンを製造するための原料と
なる光学活性シクロベンテノン誘導体の製法に関する。
なる光学活性シクロベンテノン誘導体の製法に関する。
(従来の技術及び解決すべき課題)
従来プロスタグランジンの製造に関しては、コーリーラ
クトンや4−ヒドロキシシクロベンテノンより出発する
方法が主流になっているが、この原料の光学活性体を得
るためには光学分割や微生物による不斉氷解等の工程を
経る必要がありそのため収率が低下するなどの問題があ
った。
クトンや4−ヒドロキシシクロベンテノンより出発する
方法が主流になっているが、この原料の光学活性体を得
るためには光学分割や微生物による不斉氷解等の工程を
経る必要がありそのため収率が低下するなどの問題があ
った。
(課題を解決するための手段)
本発明者らは4−ヒドロキシシクロベンテノンに代るプ
ロスタグランジン中間体の製造方法について鋭意検討を
行った結果、後記するように1位炭素にハロゲンやアル
キルスルホニルオキシ基又はアリールスルホニルオキシ
基の置換した光学活性2,3−エポキシプロパン(VI
’)を原料とする方法によりプロスタグランジンの中
間体として知られる後記一般式(XI)で示される光学
活性シクロベンテノン誘導体を合成する方法を見出した
ものであり、本発明は、これら一連の合成反応によって
得られる中間体としての光学活性化合物の製法を提供す
るものである。
ロスタグランジン中間体の製造方法について鋭意検討を
行った結果、後記するように1位炭素にハロゲンやアル
キルスルホニルオキシ基又はアリールスルホニルオキシ
基の置換した光学活性2,3−エポキシプロパン(VI
’)を原料とする方法によりプロスタグランジンの中
間体として知られる後記一般式(XI)で示される光学
活性シクロベンテノン誘導体を合成する方法を見出した
ものであり、本発明は、これら一連の合成反応によって
得られる中間体としての光学活性化合物の製法を提供す
るものである。
本発明は、下記一般式(X)
(上記一般式(X)において、R1はアルケニル基、ア
ラルキル基、アルキルオキシメチル基、1−アルキルオ
キシエチル基、ヘテロ原子を有する環状アルキル基及び
シリル基から選ばれた容易に脱離可能な保護基を表わし
、R5はそれぞれ酸素、イオウ又はケイ素を含んでいて
も良い、直鎖状もしくは分岐状アルキル基、アルケニル
基、アルキニル基及びアルキル置換フェニル基から選ば
れた炭素数5〜22の基を表わし、この中にはアルコキ
シ、アルキルオキジアルコキシ、環状もしくは非環状ア
セタール基、シリル基、アルキルチオ基が含まれていて
も良い。
ラルキル基、アルキルオキシメチル基、1−アルキルオ
キシエチル基、ヘテロ原子を有する環状アルキル基及び
シリル基から選ばれた容易に脱離可能な保護基を表わし
、R5はそれぞれ酸素、イオウ又はケイ素を含んでいて
も良い、直鎖状もしくは分岐状アルキル基、アルケニル
基、アルキニル基及びアルキル置換フェニル基から選ば
れた炭素数5〜22の基を表わし、この中にはアルコキ
シ、アルキルオキジアルコキシ、環状もしくは非環状ア
セタール基、シリル基、アルキルチオ基が含まれていて
も良い。
R6はメチル、フェニル、p−トリル、p−クロロフェ
ニル又は2−ピリジル基、Zはセレン又は硫黄、*の符
号は不斉炭素原子をそれぞれ表わすン で表わされる光学活性シクロペンタノン誘導体を酸化剤
により2−置換基のセレン又は硫黄を酸化し脱離させる
ことを特徴とする下記一般式(XI)で表わされる光学
活性シクロベンテノン誘導体の製法である。
ニル又は2−ピリジル基、Zはセレン又は硫黄、*の符
号は不斉炭素原子をそれぞれ表わすン で表わされる光学活性シクロペンタノン誘導体を酸化剤
により2−置換基のセレン又は硫黄を酸化し脱離させる
ことを特徴とする下記一般式(XI)で表わされる光学
活性シクロベンテノン誘導体の製法である。
一般式(XI)において、R1、R5及び*の符号は一
般式(X)のR1、R5及び*の符号と同様の意味を表
わす。
般式(X)のR1、R5及び*の符号と同様の意味を表
わす。
本発明において式(X)及び(XI)におけるR1の具
体例は、アルケニル基としてはアリル、アラルキル基と
してはベンジル、p−メトキシベンジル、ジフェニルメ
チル、トリチル、アルキルオキシメチル基としてはメト
キシメチル、ベンジルオキシメチル、 t−ブトキシメ
チル、 2,2.2−トリクロロエトキシメチル、2
−メトキシエトキシメチル、1−フルキルオキシエチル
基としては1−エトキシエチル、1−メチル−1−メト
キシエチル、1−イソプロポキシエチル、ヘテロ原子を
有する環状アルキル基としてはテトラヒドロピラニル、
テトラヒドロフラニル、シリル基としてはトリメチルシ
リル、トリエチルシリル、 t−ブチルジメチルシリル
、 t−ブチルジフェニルシリル、メチルジ−t−ブチ
ルシリル、トリフェニルシリル、フエニルジメチルシリ
ル、トリフェニルメチルジメチルシリルなどが挙げられ
る。R5の具体例としては −C口=C口(0口2〉30口(OC205)2゜0口
3 − CI−1= 0口(0口2 ) 40Ct−100
0日5゜−CH=C日(0口2)408 (C605)2t−C4 −(0口2)sO3i (0日3)3゜ −(0口2)30ロ=CHCロCQC日3〉2゜−(0
口2)2SC口20日(OC205〉2などが挙げられ
る。
体例は、アルケニル基としてはアリル、アラルキル基と
してはベンジル、p−メトキシベンジル、ジフェニルメ
チル、トリチル、アルキルオキシメチル基としてはメト
キシメチル、ベンジルオキシメチル、 t−ブトキシメ
チル、 2,2.2−トリクロロエトキシメチル、2
−メトキシエトキシメチル、1−フルキルオキシエチル
基としては1−エトキシエチル、1−メチル−1−メト
キシエチル、1−イソプロポキシエチル、ヘテロ原子を
有する環状アルキル基としてはテトラヒドロピラニル、
テトラヒドロフラニル、シリル基としてはトリメチルシ
リル、トリエチルシリル、 t−ブチルジメチルシリル
、 t−ブチルジフェニルシリル、メチルジ−t−ブチ
ルシリル、トリフェニルシリル、フエニルジメチルシリ
ル、トリフェニルメチルジメチルシリルなどが挙げられ
る。R5の具体例としては −C口=C口(0口2〉30口(OC205)2゜0口
3 − CI−1= 0口(0口2 ) 40Ct−100
0日5゜−CH=C日(0口2)408 (C605)2t−C4 −(0口2)sO3i (0日3)3゜ −(0口2)30ロ=CHCロCQC日3〉2゜−(0
口2)2SC口20日(OC205〉2などが挙げられ
る。
本発明の一般式(XI)化合物は、まず下記反応経路1
によって光学活性2−メチレンシクロペンタノン誘導体
(I)を合威し、この誘導体(I>を用いて後記反応経
路2に従って本発明の原料化合物(X)を合或し、次い
でこの化合物を酸化処理することにより製造することが
できる。
によって光学活性2−メチレンシクロペンタノン誘導体
(I)を合威し、この誘導体(I>を用いて後記反応経
路2に従って本発明の原料化合物(X)を合或し、次い
でこの化合物を酸化処理することにより製造することが
できる。
ト19 。
下記反応経路1において、R2は1−アルキルオキシエ
チル基、ヘテロ原子を有する環状アルキル基及びシリル
基から選ばれた容易に脱離可能な保護基、R3はハロゲ
ン置換基を有していてもよいアルキル基及びアラルキル
基から選ばれた容易に脱離可能な保、IBであり、2個
のR3は互に異なっていてもよく、またこの2個のR3
が結合して環状アセタールを形成していてもよい。Xは
ハロゲン原子又はR43031、R4はアルキル基又は
アリール基、Xlはハロゲン原子、*の符号は不斉炭素
原子をそれぞれ表わす。
チル基、ヘテロ原子を有する環状アルキル基及びシリル
基から選ばれた容易に脱離可能な保護基、R3はハロゲ
ン置換基を有していてもよいアルキル基及びアラルキル
基から選ばれた容易に脱離可能な保、IBであり、2個
のR3は互に異なっていてもよく、またこの2個のR3
が結合して環状アセタールを形成していてもよい。Xは
ハロゲン原子又はR43031、R4はアルキル基又は
アリール基、Xlはハロゲン原子、*の符号は不斉炭素
原子をそれぞれ表わす。
反応経路1
(V−1>
(IV)
(In−3>
(III−2>
/m ’1
(TT)
(I>
上記反応を説明すると、それ自体公知の2−ハロゲノア
クリルアルデヒドのアセタール誘導体(Vl)をテトラ
ヒドロフラン、ジエチルエーテル。
クリルアルデヒドのアセタール誘導体(Vl)をテトラ
ヒドロフラン、ジエチルエーテル。
エチレングリコールジエチルエーテル等のエーテル類、
またはヘキサン等の炭化水素類を溶媒とし、メチルリチ
ウム、n−ブチルリチウム、 5ec−ブチルリチウ
ム、t−ブチルリチウム等の強塩基の当量以上を作用さ
せて生成するビニールアニオンを式(VI)で表わされ
る光学活性エポキシ化合物とルイス酸、例えばトリフル
オロボロン・エーテラートの存在下で反応させると式(
V−2>で示される4−ヒドロキシ−2−メチレンペン
タン誘導体が得られる。この反応は−30〜−100℃
の低温で行うことが望ましい。この反応は触媒なしでも
進行するが、上記の如きルイス酸を添加すると反応が加
速される。次に、上記反応で得られた式(V−2)化合
物の水酸基に保護基を導入して式(V−1>化合物に変
換する。保護基R1の導入は各々公知の方法により行う
。例えばアルケニル基、アラルキル基、アルキルオキシ
メチル基及びシリル基の場合は、各々相当するRI Y
(Yは塩素、臭素、ヨウ素などのハロゲン原子を表わ
す。)当モル以上と塩基、例えばトリエチルアミン、エ
チルジイソプロピルアミン、ピリジン、4−ジメチルア
ミノピリジン、イミダゾールなどの有機塩基や水素化ナ
トリウム、ナトリウムアミドなどの無機塩基等モル以上
の存在下で反応させることにより行うことができる。R
1が1−フルキルオキシエチル基やヘテロ原子を有する
環状アルキル基の場合の導入は、各々相当するビニール
エーテル等量以上と酸触媒、例えば塩化水素、p−トル
エンスルホン酸、ピリジン−p−トルエンスルホン酸塩
、酸性イオン交換樹脂(アンバーリストーロ15等)を
用いて反応すれば良い。
またはヘキサン等の炭化水素類を溶媒とし、メチルリチ
ウム、n−ブチルリチウム、 5ec−ブチルリチウ
ム、t−ブチルリチウム等の強塩基の当量以上を作用さ
せて生成するビニールアニオンを式(VI)で表わされ
る光学活性エポキシ化合物とルイス酸、例えばトリフル
オロボロン・エーテラートの存在下で反応させると式(
V−2>で示される4−ヒドロキシ−2−メチレンペン
タン誘導体が得られる。この反応は−30〜−100℃
の低温で行うことが望ましい。この反応は触媒なしでも
進行するが、上記の如きルイス酸を添加すると反応が加
速される。次に、上記反応で得られた式(V−2)化合
物の水酸基に保護基を導入して式(V−1>化合物に変
換する。保護基R1の導入は各々公知の方法により行う
。例えばアルケニル基、アラルキル基、アルキルオキシ
メチル基及びシリル基の場合は、各々相当するRI Y
(Yは塩素、臭素、ヨウ素などのハロゲン原子を表わ
す。)当モル以上と塩基、例えばトリエチルアミン、エ
チルジイソプロピルアミン、ピリジン、4−ジメチルア
ミノピリジン、イミダゾールなどの有機塩基や水素化ナ
トリウム、ナトリウムアミドなどの無機塩基等モル以上
の存在下で反応させることにより行うことができる。R
1が1−フルキルオキシエチル基やヘテロ原子を有する
環状アルキル基の場合の導入は、各々相当するビニール
エーテル等量以上と酸触媒、例えば塩化水素、p−トル
エンスルホン酸、ピリジン−p−トルエンスルホン酸塩
、酸性イオン交換樹脂(アンバーリストーロ15等)を
用いて反応すれば良い。
上記得られた式(V−1)化合物はアセタール部分を弱
いルイス酸の存在下で加水分解すると2−メチレンペン
タナール誘導体(IV)が得られる。
いルイス酸の存在下で加水分解すると2−メチレンペン
タナール誘導体(IV)が得られる。
この反応は含水溶媒、例えば水−エタノール混合溶媒な
どの中で硫酸鋼、臭化亜鉛、シリカゲルなどの弱いルイ
ス酸触媒と反応させることにより達成できる。
どの中で硫酸鋼、臭化亜鉛、シリカゲルなどの弱いルイ
ス酸触媒と反応させることにより達成できる。
次に、式(IV)化合物のカルボニル基をシアノヒドリ
ン化して式(I[l−2)化合物に変換する。
ン化して式(I[l−2)化合物に変換する。
シアノヒドリン化は常法通りシアン化水素を用いて達成
することができる。またシアノヒドリン化の簡便な方法
としては、18−クラウンエーテル−6触媒の存在下で
トリメチルシリルシアナイドと反応させてトリメチルシ
リル化されたシアノヒドリン式(III−3>を得、こ
れを加水分解して式(III−2)化合物に導くことも
できる。またこのトリメチルシリル化された式(ml−
3)化合物は、これをそのまま式(II)に導くことも
できる。
することができる。またシアノヒドリン化の簡便な方法
としては、18−クラウンエーテル−6触媒の存在下で
トリメチルシリルシアナイドと反応させてトリメチルシ
リル化されたシアノヒドリン式(III−3>を得、こ
れを加水分解して式(III−2)化合物に導くことも
できる。またこのトリメチルシリル化された式(ml−
3)化合物は、これをそのまま式(II)に導くことも
できる。
上記得られた光学活性1−シアノ−1−ペンタノール(
III−2>はこのものの水酸基に保護基R2を導入し
て式(III−1)化合物に変換する。
III−2>はこのものの水酸基に保護基R2を導入し
て式(III−1)化合物に変換する。
保護基としては前記した1−アルキルオキシアルキル基
、ヘテロ原子を有する環状アルキル基及びシリル基の中
から適宜選択することができる。この際R2はR1と同
一でも、また異なっていても良い。保護基R2の導入は
式(V−2>化合物を式(V−1)化合物に変換する際
と同様な条件を用いて行うことができる。
、ヘテロ原子を有する環状アルキル基及びシリル基の中
から適宜選択することができる。この際R2はR1と同
一でも、また異なっていても良い。保護基R2の導入は
式(V−2>化合物を式(V−1)化合物に変換する際
と同様な条件を用いて行うことができる。
式(III−1>化合物はこれを強塩基と反応させて環
化した式(I[>化合物に変換する。強塩基としては、
水素化リチウム、水素化ナトリウム、水素化カリウム、
リチウムアミド、ナトリウムアミド、カリウムアミド、
リチウムジイソプロピルアミド、ナトリウムへキサメチ
ルジシラザン、リチウムへキサメチルジシラザン、カリ
ウムへキサメチルジシラザンなどが用いられ、強塩基の
種類により反応温度、溶媒が適宜選ばれる。例えばリチ
ウムジイソプロピルアミドの場合、+60〜−100℃
でジエチルエーテル又はテトラヒドロフラン中で行うこ
とが好ましく、ナトリウムへキサメチルジシラザンを用
いる場合はテトラヒドロフラン。
化した式(I[>化合物に変換する。強塩基としては、
水素化リチウム、水素化ナトリウム、水素化カリウム、
リチウムアミド、ナトリウムアミド、カリウムアミド、
リチウムジイソプロピルアミド、ナトリウムへキサメチ
ルジシラザン、リチウムへキサメチルジシラザン、カリ
ウムへキサメチルジシラザンなどが用いられ、強塩基の
種類により反応温度、溶媒が適宜選ばれる。例えばリチ
ウムジイソプロピルアミドの場合、+60〜−100℃
でジエチルエーテル又はテトラヒドロフラン中で行うこ
とが好ましく、ナトリウムへキサメチルジシラザンを用
いる場合はテトラヒドロフラン。
ジオキサン、ベンゼンやトルエン中室温〜110℃の温
度範囲で反応させることができる。強塩基の母は式(I
II−1>化合物に対して1〜10倍当量、・好ましく
は1〜5倍当量の範囲で用いられる。
度範囲で反応させることができる。強塩基の母は式(I
II−1>化合物に対して1〜10倍当量、・好ましく
は1〜5倍当量の範囲で用いられる。
上記式(n)化合物はこれの一0R2基を加水分解し、
次いで塩基で脱シアン水素化して式(I>化合物を得る
ことができる。−0R2の加水分解は公知の方法を用い
ることができる。例えば塩酸。
次いで塩基で脱シアン水素化して式(I>化合物を得る
ことができる。−0R2の加水分解は公知の方法を用い
ることができる。例えば塩酸。
p−トルエンスルホン酸、酢酸などの酸、酸性イオン交
換樹脂、あるいはトリフルオロボロン・エーテラート、
臭化亜鉛、塩化アルミニュームなどのルイス酸又はピリ
ジン・ p−トルエンスルホン酸塩などの弱酸性物質を
用いて含水溶媒中で0〜100℃の温度範囲で行うこと
ができる。R2がシリル基の場合、テトラn−ブチルア
ンモニウムフルオライドなどの四級フッ化アンモニウム
塩で脱保護することも可能である。アラルキル基のとき
はパラジウムを用いる水素化分解も有効な手段である。
換樹脂、あるいはトリフルオロボロン・エーテラート、
臭化亜鉛、塩化アルミニュームなどのルイス酸又はピリ
ジン・ p−トルエンスルホン酸塩などの弱酸性物質を
用いて含水溶媒中で0〜100℃の温度範囲で行うこと
ができる。R2がシリル基の場合、テトラn−ブチルア
ンモニウムフルオライドなどの四級フッ化アンモニウム
塩で脱保護することも可能である。アラルキル基のとき
はパラジウムを用いる水素化分解も有効な手段である。
脱シアノ水素化は水酸化ナトリウム、水酸化力9961
重炭酸水素ナトリウム、炭酸カリウムなどの無機塩基、
アンモニア、トリエチルアミン。
重炭酸水素ナトリウム、炭酸カリウムなどの無機塩基、
アンモニア、トリエチルアミン。
ピリジン、4−ジメチルアミノピリジンなどの有機塩基
当量以上と反応させて達成することができる。
当量以上と反応させて達成することができる。
上記反応式においてR2,R3,X、Xiの具体例は以
下の通りである。
下の通りである。
R2:R1で挙げた1−アルキルオキシエチル基、ヘテ
ロ原子を有する環状アルキル基及びシリル基と同様な基 R3:メチル、エチル、 2,2.2−トリクロロエ
チルなどのアルキル基、ベンジルなどのアラルキル基、
2個のR3が結合した例としてR3−0−C−OR3が で示される環状アセタール ×1 :塩素、臭素、ヨウ素 X :塩素、臭素、ヨウ素などのハロゲン原子、メタン
スルホニルオキシ、トリフルオロメタンスルホニルオキ
シなどのアルキルスルホニルオキシ基、ベンゼンスルホ
ニルオキシ、p−トルエンスルホニルオキシ、 m
−トリフルオロメチルベンゼンスルホニルオキシ、m−
クロロベンゼンスルホニルオキシ基などのアリールスル
ホニルオキシ基上記得られた一般式(I)で表わされる
光学活性2−メチレンシクロペンタノン誘導体は、下記
反応経路2で示される方法によって本発明の原料化合物
(X)を合成し、次いで一般式(Xl)で表わされる本
発明の光学活性シクロベンテノン誘導体に導くことがで
きる。
ロ原子を有する環状アルキル基及びシリル基と同様な基 R3:メチル、エチル、 2,2.2−トリクロロエ
チルなどのアルキル基、ベンジルなどのアラルキル基、
2個のR3が結合した例としてR3−0−C−OR3が で示される環状アセタール ×1 :塩素、臭素、ヨウ素 X :塩素、臭素、ヨウ素などのハロゲン原子、メタン
スルホニルオキシ、トリフルオロメタンスルホニルオキ
シなどのアルキルスルホニルオキシ基、ベンゼンスルホ
ニルオキシ、p−トルエンスルホニルオキシ、 m
−トリフルオロメチルベンゼンスルホニルオキシ、m−
クロロベンゼンスルホニルオキシ基などのアリールスル
ホニルオキシ基上記得られた一般式(I)で表わされる
光学活性2−メチレンシクロペンタノン誘導体は、下記
反応経路2で示される方法によって本発明の原料化合物
(X)を合成し、次いで一般式(Xl)で表わされる本
発明の光学活性シクロベンテノン誘導体に導くことがで
きる。
下記反応経路2において、Mは有機亜鉛化合物、例えば
(CH3)22nLiなど又は有機銅化合物、例えばC
u (CN)Li、Cu (CN)MqBr、Cu (
CN)Mq(J、Cu (CN)MqI。
(CH3)22nLiなど又は有機銅化合物、例えばC
u (CN)Li、Cu (CN)MqBr、Cu (
CN)Mq(J、Cu (CN)MqI。
(CuLi>1/2.(2−チエニル)Cu(CN)1
12、(:u (PBu3)n (n−2〜3、Buは
ブチル基)などを表わす。Ylは塩素、臭素。
12、(:u (PBu3)n (n−2〜3、Buは
ブチル基)などを表わす。Ylは塩素、臭素。
ヨウ素などのハロゲン原子又はZR6を表わす。
反応経路2
(I)
2)Re ZYI
(IX)
(X)
(XI)
式(I>で表わされる2−メチレンシクロペンタノン誘
導体を別途調製した式(■)で表わされる有機金属化合
物と反応させてα鎖を導入し、生じたエルレートを一般
式(IX)で表わされる有機セレン化合物又は有機イオ
ウ化合物で置換して式(X)化合物とし、これを酸化し
、次いで0〜150℃の温度で脱離反応を行ってシクロ
ベンテノン誘導体(XI)を得ることができる。
導体を別途調製した式(■)で表わされる有機金属化合
物と反応させてα鎖を導入し、生じたエルレートを一般
式(IX)で表わされる有機セレン化合物又は有機イオ
ウ化合物で置換して式(X)化合物とし、これを酸化し
、次いで0〜150℃の温度で脱離反応を行ってシクロ
ベンテノン誘導体(XI)を得ることができる。
上記用いられる式(■)で表わされる有機金属化合物R
5Mは次の様にして調製する。有機銅化合物はR5X1
(Xiは塩素、臭素、ヨウ素などのハロゲン原子)
をメチルリチウム、 5ec−ブチルリチウム、t−
ブチルリチウムなどの有機リチウム化合物、金属リチウ
ムなどでリチオ化するか、金属マグネシウムでグリニヤ
ール試剤とした後、シアン化第−銅、ヨウ化第−銅ある
いは別途調製した(2−チエニル)CLJ (CN)L
iで処理して作ることができる。また有機亜鉛化合物は
別途塩化亜鉛のテトラメチルエチレンジアミン錯体を2
当量のメチルリチウムと反応させてジメチル亜鉛とし、
これに上記R5X1をリチオ化した反応液・を加えて得
ることができる。R5Mの調製は不活性溶媒、例えばn
−へキサン、トルエンなどの炭化水素、ジエチルエーテ
ル、テトラヒドロフラン、ジオキサンなどのエーテル又
はこれらの混合溶媒中でO〜−100℃の温度で行うこ
とができる。
5Mは次の様にして調製する。有機銅化合物はR5X1
(Xiは塩素、臭素、ヨウ素などのハロゲン原子)
をメチルリチウム、 5ec−ブチルリチウム、t−
ブチルリチウムなどの有機リチウム化合物、金属リチウ
ムなどでリチオ化するか、金属マグネシウムでグリニヤ
ール試剤とした後、シアン化第−銅、ヨウ化第−銅ある
いは別途調製した(2−チエニル)CLJ (CN)L
iで処理して作ることができる。また有機亜鉛化合物は
別途塩化亜鉛のテトラメチルエチレンジアミン錯体を2
当量のメチルリチウムと反応させてジメチル亜鉛とし、
これに上記R5X1をリチオ化した反応液・を加えて得
ることができる。R5Mの調製は不活性溶媒、例えばn
−へキサン、トルエンなどの炭化水素、ジエチルエーテ
ル、テトラヒドロフラン、ジオキサンなどのエーテル又
はこれらの混合溶媒中でO〜−100℃の温度で行うこ
とができる。
上記のようにして調製したR5Mで表わされる有機金属
化合物の不活性溶媒溶液中にO〜−100℃で撹拌下に
式(I)化合物の不活性溶媒溶液を滴下し、生じたエル
レート溶液に同温度で撹拌下、式(IX)化合物の不活
性溶媒溶液を滴下して反応させることにより本発明の式
(X)化合物を得ることができる。これらの反応は窒素
、アルゴン等の不活性ガス雰囲気下で行う必要がある。
化合物の不活性溶媒溶液中にO〜−100℃で撹拌下に
式(I)化合物の不活性溶媒溶液を滴下し、生じたエル
レート溶液に同温度で撹拌下、式(IX)化合物の不活
性溶媒溶液を滴下して反応させることにより本発明の式
(X)化合物を得ることができる。これらの反応は窒素
、アルゴン等の不活性ガス雰囲気下で行う必要がある。
式(■)で表わされる有機金属化合物は式(I>化合物
に対してモル比で1〜10@量、式(IX)で表わされ
る有機金属化合物は式(I)化合物に対してモル比で1
〜10@Iの範囲が適当である。
に対してモル比で1〜10@量、式(IX)で表わされ
る有機金属化合物は式(I)化合物に対してモル比で1
〜10@Iの範囲が適当である。
上記酸化反応に用いられる酸化剤としては、過酸化水素
や過酢酸、過安息香酸1m−クロロ過安息香酸などの有
機過酸類、メタ過ヨウ素酸ナトリウム、ヒドロパーオキ
シド、オゾン、二酸化セレン、H−プロモサクシニイミ
ド等が挙げられる。
や過酢酸、過安息香酸1m−クロロ過安息香酸などの有
機過酸類、メタ過ヨウ素酸ナトリウム、ヒドロパーオキ
シド、オゾン、二酸化セレン、H−プロモサクシニイミ
ド等が挙げられる。
酸化剤は式(X)化合物に対してモル比で1〜30倍量
の範囲で用いられる。反応は副反応を抑制するために一
40〜40℃の温度範囲で行うのがよい。
の範囲で用いられる。反応は副反応を抑制するために一
40〜40℃の温度範囲で行うのがよい。
特に式(X)が硫黄化合物の場合はスルホンの副生を抑
えるために低湿で行うことが望ましい。反応溶媒は水、
メタノール、エタノール、イソプロパツール、t−ブタ
ノール、アセトン、酢酸、テトラヒドロフラン、エチル
エーテル等の単独又は混合物が用いられる。この酸化反
応によってセレンオキシド又はスルホキシドが得られる
。セレンオキシドは不安定であり、室温で脱離して本発
明のシクロベンテノン誘導体(XI>を与える。またス
ルホキシドは室温では脱離せず30〜150’Cの温度
で加熱処理すると脱離して式(Xl)化合物を与える。
えるために低湿で行うことが望ましい。反応溶媒は水、
メタノール、エタノール、イソプロパツール、t−ブタ
ノール、アセトン、酢酸、テトラヒドロフラン、エチル
エーテル等の単独又は混合物が用いられる。この酸化反
応によってセレンオキシド又はスルホキシドが得られる
。セレンオキシドは不安定であり、室温で脱離して本発
明のシクロベンテノン誘導体(XI>を与える。またス
ルホキシドは室温では脱離せず30〜150’Cの温度
で加熱処理すると脱離して式(Xl)化合物を与える。
スルホキシドは精製することなく脱離反応に付すること
かできるが、必要ならカラムクロマトグラフィーなどを
用いて精製してもよい。スルホキシドの脱離はスルホキ
シドをそのまま又はエチレングリコールやトルエン、キ
シレン、クロロベンゼン、ニトロベンゼンなどの溶媒中
で加熱して行うことができる。
かできるが、必要ならカラムクロマトグラフィーなどを
用いて精製してもよい。スルホキシドの脱離はスルホキ
シドをそのまま又はエチレングリコールやトルエン、キ
シレン、クロロベンゼン、ニトロベンゼンなどの溶媒中
で加熱して行うことができる。
上記得られた一般式(XI)で表わされる光学活性シク
ロベンテノン誘導体はR5のアセタール。
ロベンテノン誘導体はR5のアセタール。
シリル、アルキルオキシアルキル基を前述の公知の方向
で脱保護するとアルデヒドやアルコールに変換すること
ができる。式(XI)の化合物からのプロスタグランジ
ン誘導体の合成は公知の手段によって行うことができる
。
で脱保護するとアルデヒドやアルコールに変換すること
ができる。式(XI)の化合物からのプロスタグランジ
ン誘導体の合成は公知の手段によって行うことができる
。
(実施例)
実施例1
く式(V−2>化合物の合成〉
一78℃に冷却した2−ブロモ−3,3−ジェトキシプ
ロペン9.35(II (44,9m IIIof )
の無水テトラヒドロフラン80rIIi溶液に、アルゴ
ン雰囲気下撹拌しながら、n−ブチルリチウムを20分
間かけて滴下し、更に一78℃で40分間撹拌してビニ
ルリチウム溶液を調製した。
ロペン9.35(II (44,9m IIIof )
の無水テトラヒドロフラン80rIIi溶液に、アルゴ
ン雰囲気下撹拌しながら、n−ブチルリチウムを20分
間かけて滴下し、更に一78℃で40分間撹拌してビニ
ルリチウム溶液を調製した。
一方、−78℃に冷却した光学活性(S)−エピクロロ
ヒドリン(化学純度98.5%以上、光学純度99%以
上) 3.4Ba (37,4m mol>の無水テ
トラヒドロフラン70−溶液に、アルゴン雰囲気下撹拌
しながらトリフルオロボロンエーテラート5.31g(
37,4m mol )を滴下し、更に10分間撹拌し
た。
ヒドリン(化学純度98.5%以上、光学純度99%以
上) 3.4Ba (37,4m mol>の無水テ
トラヒドロフラン70−溶液に、アルゴン雰囲気下撹拌
しながらトリフルオロボロンエーテラート5.31g(
37,4m mol )を滴下し、更に10分間撹拌し
た。
前に得たビニルリチウム溶液を上記エピクロロヒドリン
溶液中に一78℃で35分間かけて滴下し、更に20分
間撹拌した。この反応混合物を予め冷却した塩化アンモ
ニウム飽和水溶液中に激しく撹拌しながら注ぎ込み、水
層をエーテルで6回抽出し、エーテル抽出液を飽和塩化
アンモニウム水溶液で2回、飽和食塩水で2回洗浄した
後、無水硫酸マグネシウムで乾燥し、溶媒を減圧留去し
て下記化学式で示される光学活性4−ヒドロキシ−2−
メチレンペンタン誘導体(V−2−a> 6.97g
(収率84%)を得た。
溶液中に一78℃で35分間かけて滴下し、更に20分
間撹拌した。この反応混合物を予め冷却した塩化アンモ
ニウム飽和水溶液中に激しく撹拌しながら注ぎ込み、水
層をエーテルで6回抽出し、エーテル抽出液を飽和塩化
アンモニウム水溶液で2回、飽和食塩水で2回洗浄した
後、無水硫酸マグネシウムで乾燥し、溶媒を減圧留去し
て下記化学式で示される光学活性4−ヒドロキシ−2−
メチレンペンタン誘導体(V−2−a> 6.97g
(収率84%)を得た。
NMR(CDC13)
δ:1.23 (6H,L、 J= 7.0
tlz、 CH3)2.34〜2.52 (2tl、
m、 CH2)3.25〜4.17 (9H,m、
CH20、CH2C1,CH。
tlz、 CH3)2.34〜2.52 (2tl、
m、 CH2)3.25〜4.17 (9H,m、
CH20、CH2C1,CH。
0H)
4.70 (IN、 S、 0CH−0)5
.14〜5.50 (2H,m、 =CH2)上記合成
において、光学活性(S)−エピクロロヒドリンの代り
に光学活性(S)−エビブロモヒドリンを用いた以外は
上記同様にして上記化学式で示される光学活性4−ヒド
ロキシ−2−メチレンペンタン誘導体(V−2−b)を
得た。
.14〜5.50 (2H,m、 =CH2)上記合成
において、光学活性(S)−エピクロロヒドリンの代り
に光学活性(S)−エビブロモヒドリンを用いた以外は
上記同様にして上記化学式で示される光学活性4−ヒド
ロキシ−2−メチレンペンタン誘導体(V−2−b)を
得た。
NMR(CDα3)
δ:1.23 (61,t、 J= 7.0H
2,CH3)2.34〜2.55 (2H,m、 CH
2)3.29〜3.80 (8N、 m、 CH20
、CH2Br、 CI)3.80〜4.14 (1)1
. m、 0H)4.71 (IN、 S
、 0CR−0)5.14〈5.32 (2M、
m、 =CH2)く式(V−1>化合物の合成〉 上記得られた光学活性4−ヒドロキシ−2−メチレンペ
ンタン誘導体(V−2−a) 6.96(IのN、N
−ジメチルホルムアミド10−溶液に、撹拌下O℃でイ
ミダゾール6.43g (94,5m mol )を滴
下し、次いでt−ブチルジフェニルシリルクロリド14
.07(] (551,3mmol )を滴下して水浴
上で一昼夜撹拌した後、3N塩酸で中和し、水層をエー
テルで3回抽出し、抽出液を飽和重曹水で2回、次いで
飽和食塩水で3回洗浄した後、無水硫酸マグネシウムで
乾燥した。減圧下に溶媒を留去して下記化学式で示され
るヒドロキシル基が保護された光学活性2−メチレンペ
ンタン誘導体(V−1−a>19.96gを得た。
2,CH3)2.34〜2.55 (2H,m、 CH
2)3.29〜3.80 (8N、 m、 CH20
、CH2Br、 CI)3.80〜4.14 (1)1
. m、 0H)4.71 (IN、 S
、 0CR−0)5.14〈5.32 (2M、
m、 =CH2)く式(V−1>化合物の合成〉 上記得られた光学活性4−ヒドロキシ−2−メチレンペ
ンタン誘導体(V−2−a) 6.96(IのN、N
−ジメチルホルムアミド10−溶液に、撹拌下O℃でイ
ミダゾール6.43g (94,5m mol )を滴
下し、次いでt−ブチルジフェニルシリルクロリド14
.07(] (551,3mmol )を滴下して水浴
上で一昼夜撹拌した後、3N塩酸で中和し、水層をエー
テルで3回抽出し、抽出液を飽和重曹水で2回、次いで
飽和食塩水で3回洗浄した後、無水硫酸マグネシウムで
乾燥した。減圧下に溶媒を留去して下記化学式で示され
るヒドロキシル基が保護された光学活性2−メチレンペ
ンタン誘導体(V−1−a>19.96gを得た。
X=α(V−1−a)
X=Br (V−1−b )
IR(neat)
3400、1640.1050cm−1上記合或におい
て、光学活性4−ヒドロキシ−2−メチレンペンタン誘
導体(V−2−a)の代りにX=Brである光学活性(
V−2−b)化合物を用いた以外は同様にして上記化学
式で示される光学活性(V−1−b)化合物を得た。
て、光学活性4−ヒドロキシ−2−メチレンペンタン誘
導体(V−2−a)の代りにX=Brである光学活性(
V−2−b)化合物を用いた以外は同様にして上記化学
式で示される光学活性(V−1−b)化合物を得た。
く式(IV)化合物の合成〉
上記光学活性2−メチレンペンタン誘導体(V−’I
−a ) 19.87gを80%メタノール水溶液12
0dに溶かし、硫酸銅10.09(lを加えて1時間加
熱撹拌した。反応混合物をセライトを通して濾過し、濾
液にベンゼン300rn1を加えて共沸下にメタノール
と水を留去し、残液をエーテルで抽出し、エーテル抽出
液を飽和重曹水で洗浄した。水層はエーテルで6回抽出
した後、抽出液を食塩水で洗浄し、無水硫酸マグネシウ
ムで乾燥し、減圧下溶媒を留去して下記化学式で示され
る光学活性2−メチレンペンタナール誘導体(IV −
a ) 18.66(+を得た。
−a ) 19.87gを80%メタノール水溶液12
0dに溶かし、硫酸銅10.09(lを加えて1時間加
熱撹拌した。反応混合物をセライトを通して濾過し、濾
液にベンゼン300rn1を加えて共沸下にメタノール
と水を留去し、残液をエーテルで抽出し、エーテル抽出
液を飽和重曹水で洗浄した。水層はエーテルで6回抽出
した後、抽出液を食塩水で洗浄し、無水硫酸マグネシウ
ムで乾燥し、減圧下溶媒を留去して下記化学式で示され
る光学活性2−メチレンペンタナール誘導体(IV −
a ) 18.66(+を得た。
NMR(CD(Js )
δ:1.07 (9H。
2.49〜2.71 (2H。
3、34 (2H。
3.94〜4.26 (1N。
5.99 (1N。
6.24 (IH。
X=Cl1(IV−a)
X=Br (IV −b )
CH3)
CH2)
J= 5.OH2,CH2)
CH)
=CH)
=ch>
7.29〜7.91 (10H,m、 CB H5
)9.94 (IN、 s、 CHO)IR
(neat) 1685、1480.1100. 700cm−1上記
合或において、光学活性2−メチレンペンタン誘導体(
V−1−a)の代りにX=Brである光学活性(V−1
−b)化合物を用いた以外は同様にして上記化学式で示
される光学活性(1v−b)化合物を得た。
)9.94 (IN、 s、 CHO)IR
(neat) 1685、1480.1100. 700cm−1上記
合或において、光学活性2−メチレンペンタン誘導体(
V−1−a)の代りにX=Brである光学活性(V−1
−b)化合物を用いた以外は同様にして上記化学式で示
される光学活性(1v−b)化合物を得た。
NMR(CDα3)
δ: 1.07 (9H,S、 CH3)2.4
3〜2.83 (2H,m、 CH2)3.21
(2tl、 d、 J= 5.0H2,CH2)
3.86〜4.23(11,m、 CH)5.99
(IH,br s、 =CH)6.26 (
IH,br s、 =CH)7.29〜7.91 (I
OH,m、 Ca Hs )9.94 (I
H,s、 CHO)IR(neat) 1685、1580.1100. 700cm−1く式
(III−2>化合物の台底〉 上記光学活性2−メチレンペンタナール誘導体(IV
−a ) 18.66gにアルゴン雰囲気下18−クラ
ウンエーテルのシアン化カリ錯体を触媒量加えて撹拌下
にトリメチルシリルシアナイド3.65g(36,8m
mol>を滴下した。反応混合物を更に1時間水浴上
で撹拌した後、テトラヒドロフラン100mで稀釈し、
INm酸30mを加えて20分間撹拌した。水層をエー
テルで6回抽出し、食塩水で抽出液を洗浄した後、無水
fa酸マグネシウムで乾燥し、減圧下に溶媒を留去して
下記化学式で示される光学活性1−シアノ−2−メチレ
ンペンタン誘導体(III−2−a>の粗生成物を得た
。これをシリカゲルカラムクロマトグラフィーを用いて
n−ヘキサン:エーテル=8:1で処理し精製物6.1
4(]を得た。式(V−2−a>からの収率は47.4
%であった。なお、この際原料の(IV−a)化合物2
.80gを回収した。
3〜2.83 (2H,m、 CH2)3.21
(2tl、 d、 J= 5.0H2,CH2)
3.86〜4.23(11,m、 CH)5.99
(IH,br s、 =CH)6.26 (
IH,br s、 =CH)7.29〜7.91 (I
OH,m、 Ca Hs )9.94 (I
H,s、 CHO)IR(neat) 1685、1580.1100. 700cm−1く式
(III−2>化合物の台底〉 上記光学活性2−メチレンペンタナール誘導体(IV
−a ) 18.66gにアルゴン雰囲気下18−クラ
ウンエーテルのシアン化カリ錯体を触媒量加えて撹拌下
にトリメチルシリルシアナイド3.65g(36,8m
mol>を滴下した。反応混合物を更に1時間水浴上
で撹拌した後、テトラヒドロフラン100mで稀釈し、
INm酸30mを加えて20分間撹拌した。水層をエー
テルで6回抽出し、食塩水で抽出液を洗浄した後、無水
fa酸マグネシウムで乾燥し、減圧下に溶媒を留去して
下記化学式で示される光学活性1−シアノ−2−メチレ
ンペンタン誘導体(III−2−a>の粗生成物を得た
。これをシリカゲルカラムクロマトグラフィーを用いて
n−ヘキサン:エーテル=8:1で処理し精製物6.1
4(]を得た。式(V−2−a>からの収率は47.4
%であった。なお、この際原料の(IV−a)化合物2
.80gを回収した。
X=CI(III−2−a
X=Br(III−2−b
NMR(CDCj!3)
δ:1.0〜1.17 (9H,d、 CH3)2.5
1〜2.86 (2H,III、 CH2)3.00〜
3.57 (3H,m、 CH2、CH)3.91〜4
.23(111,III、 CH)4.71〜4.96
(IH,III、 0H)5.21〜5.63 (2H
,m、−CH2)7.25〜7.91 (111,m、
CH)上記台底において、光学活性2−メチレンペン
タナール誘導体(IV−a)の代りにX=Brである光
学活性(IV−b)化合物を用いた以外は同様にして上
記化学式で示される光学活性(I[l−2−b)化合物
を得た。
1〜2.86 (2H,III、 CH2)3.00〜
3.57 (3H,m、 CH2、CH)3.91〜4
.23(111,III、 CH)4.71〜4.96
(IH,III、 0H)5.21〜5.63 (2H
,m、−CH2)7.25〜7.91 (111,m、
CH)上記台底において、光学活性2−メチレンペン
タナール誘導体(IV−a)の代りにX=Brである光
学活性(IV−b)化合物を用いた以外は同様にして上
記化学式で示される光学活性(I[l−2−b)化合物
を得た。
NMR(CDα3)
δ: 1.0〜1.32 (9H,m、 CH3)2.
55〜3.67 (5tl、 m、 CH2、CM>
3.90〜4.21 (1tl、 m、 CH)a、
84 (IH,s、 0H)5.18〜5.6
7 (2N、 m、 =Cl−12)7.28〜7.
85 (IOH,m、 Ca Hs )く式(II
I−1>化合物の台底〉 上記光学活性1−シアノ−2−メチレンペンタン誘導体
(III−2−a) 6.140< 14.8mmo
l)の無水ベンゼン90m溶液に、アルゴン雰囲気下触
媒量のp−トルエンスルホン酸を加え、水浴上で撹拌下
エチルビニルエーテルt18g(16,3m mol
>を滴下した。更に40分間撹拌した後、予め冷却した
飽和重曹水で中和し、水層をエーテルで4回抽出し、抽
出液を食塩水で洗浄した後、無水硫酸マグネシウムで乾
燥し、減圧下で溶媒を留去して下記化学式で示される光
学活性1−シアノ−2−メチレンペンタン誘導体(II
I−1−a) 6.680を得た。
55〜3.67 (5tl、 m、 CH2、CM>
3.90〜4.21 (1tl、 m、 CH)a、
84 (IH,s、 0H)5.18〜5.6
7 (2N、 m、 =Cl−12)7.28〜7.
85 (IOH,m、 Ca Hs )く式(II
I−1>化合物の台底〉 上記光学活性1−シアノ−2−メチレンペンタン誘導体
(III−2−a) 6.140< 14.8mmo
l)の無水ベンゼン90m溶液に、アルゴン雰囲気下触
媒量のp−トルエンスルホン酸を加え、水浴上で撹拌下
エチルビニルエーテルt18g(16,3m mol
>を滴下した。更に40分間撹拌した後、予め冷却した
飽和重曹水で中和し、水層をエーテルで4回抽出し、抽
出液を食塩水で洗浄した後、無水硫酸マグネシウムで乾
燥し、減圧下で溶媒を留去して下記化学式で示される光
学活性1−シアノ−2−メチレンペンタン誘導体(II
I−1−a) 6.680を得た。
NMR(CDα3〉
δ:0.93〜1.43 15H,m、 C113)2
.35〜2.74 2H,m、 CH2)3.23〜3
.77 4H,m、 CH2)3.89〜4.11 1
H,m、 CH)4.34〜5.03 2N、 m、
CH)5.19 IN、 br s、 =C
H)5.43〜5.63 1H,m、 =CH)7.2
!lJ〜7.91 (10H,m、 Ca Hs
)上記合成において、光学活性1−シアノ−2−メチレ
ンペンタン誘導体(III−2−a)の代りにX=Br
である光学活性(I[l−2−b>を用いた以外は同様
にして上記化学式で示される光学活性(III−1−b
)化合物を得た。
.35〜2.74 2H,m、 CH2)3.23〜3
.77 4H,m、 CH2)3.89〜4.11 1
H,m、 CH)4.34〜5.03 2N、 m、
CH)5.19 IN、 br s、 =C
H)5.43〜5.63 1H,m、 =CH)7.2
!lJ〜7.91 (10H,m、 Ca Hs
)上記合成において、光学活性1−シアノ−2−メチレ
ンペンタン誘導体(III−2−a)の代りにX=Br
である光学活性(I[l−2−b>を用いた以外は同様
にして上記化学式で示される光学活性(III−1−b
)化合物を得た。
NMR(CDC13)
δ:0.93〜1.43 15N、 …、 CH3”
)2.37〜2.74 211. m、 CH2)3
.09〜3.77 411. m、 CH2、C11
)3.89〜4.23 1H,m、 CH)4.60〜
5.14 2tl、 m、 CH)5.14〜5.7
1 2N、 m、 =Cl−12>7.31〜7.9
1 (IOH,m、 C6H5)IR(neat) 1700(c=c)、 1110.1050. 940
. 830゜740、 700Cm−1 く式(II)化合物の合成〉 ナトリウムへキサメチルジシラザンのベンゼン溶液(2
1度0.66N > 10.3mを無水テトラヒドロフ
ラン50rIdlにアルゴン雰囲気下で加え、撹拌しな
がら上記光学活性1−シアノ−2−メチレンペンタン誘
導体(I(I−1−a) 1.23gの無水テトラヒ
ドロフラン20d溶液を50℃で70分間かけて滴下し
た。
)2.37〜2.74 211. m、 CH2)3
.09〜3.77 411. m、 CH2、C11
)3.89〜4.23 1H,m、 CH)4.60〜
5.14 2tl、 m、 CH)5.14〜5.7
1 2N、 m、 =Cl−12>7.31〜7.9
1 (IOH,m、 C6H5)IR(neat) 1700(c=c)、 1110.1050. 940
. 830゜740、 700Cm−1 く式(II)化合物の合成〉 ナトリウムへキサメチルジシラザンのベンゼン溶液(2
1度0.66N > 10.3mを無水テトラヒドロフ
ラン50rIdlにアルゴン雰囲気下で加え、撹拌しな
がら上記光学活性1−シアノ−2−メチレンペンタン誘
導体(I(I−1−a) 1.23gの無水テトラヒ
ドロフラン20d溶液を50℃で70分間かけて滴下し
た。
予め冷却した飽和塩化アンモニウム水溶液中に上記反応
液を激しく撹拌しながら注ぎ、次いでエーテルで5回抽
出し、抽出液を1N塩酸、食塩水の順で洗浄した。これ
をシリカゲルカラムクロマトグラフィー(n−ヘキサン
:エーテル=20:1)で精製して下記化学式で示され
る光学活性2−メチレンシクロペンタンシアノヒドリン
誘導体(n)756mg (式(I[l−2−a)化合
物からの収率61.6%)を得た。
液を激しく撹拌しながら注ぎ、次いでエーテルで5回抽
出し、抽出液を1N塩酸、食塩水の順で洗浄した。これ
をシリカゲルカラムクロマトグラフィー(n−ヘキサン
:エーテル=20:1)で精製して下記化学式で示され
る光学活性2−メチレンシクロペンタンシアノヒドリン
誘導体(n)756mg (式(I[l−2−a)化合
物からの収率61.6%)を得た。
NMR(CDα3)
δ:0.93〜1.57 (15)1゜2.06〜2.
71 (4H。
71 (4H。
3823〜3.86 (1N。
4.14〜4.60(1N。
4.69〜5.11 (IH。
5.11〜5.37 (IH。
m、 CH3)
m、 CH2)
m、CH)
m、CH)
m、CM)
m、CH)
5.37〜5.66(IH,m、 CM)7.31〜7
.90(1011,m、 C6Hs )上記合成にお
いて、光学活性1−シアノ−2−メチレン誘導体(II
I−1−a)の代りにX=Brである光学活性(III
−1−b)化合物を用いた場合も上記と同様な収率で光
学活性(n)化合物が得られた。
.90(1011,m、 C6Hs )上記合成にお
いて、光学活性1−シアノ−2−メチレン誘導体(II
I−1−a)の代りにX=Brである光学活性(III
−1−b)化合物を用いた場合も上記と同様な収率で光
学活性(n)化合物が得られた。
〈式(I>化合物の合成〉
上記得られた光学活性2−メチレンシクロペンタンシア
ノヒドリン誘導体(II) 756m0 (1,68
mmol)の無水メタノール30rd溶液に、アルゴン
雰囲気下ピリジンp−トルエンスルホン酸塩を触媒量加
えて、1.2時間速流した。溶媒を減圧留去後、残漬に
無水テトラヒドロフラン25d及び飽和重曹水10−を
室温で加えて1.5時間撹拌した。反応混合物にエーテ
ルを加えて抽出し、抽出液を食塩水で洗浄した。水層を
更にエーテルで5回抽出し、これら抽出液を合せて1N
塩酸及び食塩水で順次洗浄した後乾燥し、溶媒を減圧留
去し、次いでシリカゲルカラムクロマトグラフィー(n
−へキサン:エーテル−40:1)でM製して下記比重
式で示される光学活性2−メチレンシクロペンこノン誘
導体(I> 307.5mg(収率52.2%〉を得
六IR(neat) 1730、1645.1100. 730cm−11日
NMR(CDα3) δ:1.04 (9N、 s、 CH3)2.
42 (2H,d、J=5.0H2゜2.72
(2H,quint、 2.4Hz。
ノヒドリン誘導体(II) 756m0 (1,68
mmol)の無水メタノール30rd溶液に、アルゴン
雰囲気下ピリジンp−トルエンスルホン酸塩を触媒量加
えて、1.2時間速流した。溶媒を減圧留去後、残漬に
無水テトラヒドロフラン25d及び飽和重曹水10−を
室温で加えて1.5時間撹拌した。反応混合物にエーテ
ルを加えて抽出し、抽出液を食塩水で洗浄した。水層を
更にエーテルで5回抽出し、これら抽出液を合せて1N
塩酸及び食塩水で順次洗浄した後乾燥し、溶媒を減圧留
去し、次いでシリカゲルカラムクロマトグラフィー(n
−へキサン:エーテル−40:1)でM製して下記比重
式で示される光学活性2−メチレンシクロペンこノン誘
導体(I> 307.5mg(収率52.2%〉を得
六IR(neat) 1730、1645.1100. 730cm−11日
NMR(CDα3) δ:1.04 (9N、 s、 CH3)2.
42 (2H,d、J=5.0H2゜2.72
(2H,quint、 2.4Hz。
4.47 (IH,quint、5.0tfz。
5.29 (1H,dt、 J= 2.4Hz
。
。
=CH)
6.03 (IH,dt、J=2.4NZ。
=CH)
7.31=7.91 (IOH,m、 Co Hs
)CH2) CH2) Ctl) 1.5H2 1,5H2 1コ CNMR(CDC13) δ: 19.0B、 26.γ9. 40.02.
48.26. 6B、51゜118.03.127.
70.12γ、76、129.82.129.86゜1
33.50.133.73.135.64.143.2
2.204.40上記得られた式(I)化合物を用いて
、以下において本発明の原料化合物(X)を合成し、次
いで本発明の光学活性シクロベンテノン誘導体(式(X
I))を合成した。
)CH2) CH2) Ctl) 1.5H2 1,5H2 1コ CNMR(CDC13) δ: 19.0B、 26.γ9. 40.02.
48.26. 6B、51゜118.03.127.
70.12γ、76、129.82.129.86゜1
33.50.133.73.135.64.143.2
2.204.40上記得られた式(I)化合物を用いて
、以下において本発明の原料化合物(X)を合成し、次
いで本発明の光学活性シクロベンテノン誘導体(式(X
I))を合成した。
〈式(X)化合物の合成〉
アルゴン気流下で下記式(XI[>で表わされるヨウ化
ビニル誘導体 247、 amg(0,831m mol >のn−ヘ
キサン7d溶液を一78℃に冷却し、これに撹拌しなか
らt−ブチルリチウムをシリンジを用いて5分間で滴下
し、引き続き90分間同温度で撹拌して下記化学式で示
されるビニルリチウム化合物を得た。
ビニル誘導体 247、 amg(0,831m mol >のn−ヘ
キサン7d溶液を一78℃に冷却し、これに撹拌しなか
らt−ブチルリチウムをシリンジを用いて5分間で滴下
し、引き続き90分間同温度で撹拌して下記化学式で示
されるビニルリチウム化合物を得た。
一方、三つロフラスコにアルゴン気流下塩化亜鉛のテト
ラメチルエチレンジアミン錯体230. amg(O1
914m mol )を入れ、無水テトラヒドロフラン
7mlを加え、−20℃に冷却撹拌し、これにメチルリ
チウムの1.7N n−ヘキサン溶液1.07m(1,
828m mof )をシリンジを用いて3分間で滴下
し、ざらに10分間撹拌した後−80℃に冷却した。
ラメチルエチレンジアミン錯体230. amg(O1
914m mol )を入れ、無水テトラヒドロフラン
7mlを加え、−20℃に冷却撹拌し、これにメチルリ
チウムの1.7N n−ヘキサン溶液1.07m(1,
828m mof )をシリンジを用いて3分間で滴下
し、ざらに10分間撹拌した後−80℃に冷却した。
この溶液に上記ビニルリチウム化合物の溶液をブリッジ
を用いて一78℃で5分間かけ撹拌下に滴下し、更に一
18℃〜−60℃で1時間撹拌した。これに上記得られ
た光学活性2−メチレンシクロペンタノン誘導体(I
) 223.5mo (0,6376m mol )
の無水テトラヒドロフラン溶液7dを一78℃でよく撹
拌しながら40分間かけて滴下した。更にこの容器を2
−の無水テトラヒドロフランで洗い、反応液に撹拌下1
0分間かけて加え、更に一78℃で30分間撹拌した。
を用いて一78℃で5分間かけ撹拌下に滴下し、更に一
18℃〜−60℃で1時間撹拌した。これに上記得られ
た光学活性2−メチレンシクロペンタノン誘導体(I
) 223.5mo (0,6376m mol )
の無水テトラヒドロフラン溶液7dを一78℃でよく撹
拌しながら40分間かけて滴下した。更にこの容器を2
−の無水テトラヒドロフランで洗い、反応液に撹拌下1
0分間かけて加え、更に一78℃で30分間撹拌した。
この反応液にジフェニルジセレニド996. omg(
3,197m mof >の無水テトラヒドロフラン溶
液7−をシリンジを用いて一78℃で激しく撹拌しなが
ら加えた。引き続き一50℃で30分間撹拌した後、激
しく撹拌しながら冷却した飽和塩化アンモニウム水溶液
中に上記反応液を注ぎ、分解した後エーテルで6回水層
を抽出し、エーテル溶液を合せて飽和食塩水で2回洗浄
した後、無水硫酸マグネシウムで乾燥した。これを濾過
して濾液の溶媒を留去し、粗生成物をシリカゲルカラム
クロマトグラフィー(n−ヘキサン:エーテル= 5:
1 )で精製して下記化学式で示される光学活性2−フ
ェニルセレノシクロへンタノン誘導体(X) 220
.1mQ〈収率50.9%)を得た。
3,197m mof >の無水テトラヒドロフラン溶
液7−をシリンジを用いて一78℃で激しく撹拌しなが
ら加えた。引き続き一50℃で30分間撹拌した後、激
しく撹拌しながら冷却した飽和塩化アンモニウム水溶液
中に上記反応液を注ぎ、分解した後エーテルで6回水層
を抽出し、エーテル溶液を合せて飽和食塩水で2回洗浄
した後、無水硫酸マグネシウムで乾燥した。これを濾過
して濾液の溶媒を留去し、粗生成物をシリカゲルカラム
クロマトグラフィー(n−ヘキサン:エーテル= 5:
1 )で精製して下記化学式で示される光学活性2−フ
ェニルセレノシクロへンタノン誘導体(X) 220
.1mQ〈収率50.9%)を得た。
NMR(CD(13)
δ:1.04 (9H,S、 CH3)1.0
4〜1.74 (12H,m、 CH3、CH2)1.
82〜2.86 (6H,m、 CH2CO,CH2C
=C)3.30〜3.82 (4H,m、 Ct120
)4.34〜4.78 (2N、 m、 OCH)
5.15〜5.50(2H,m、 =CH)7.1(h
−7,70(15H,m、 Ca Hs )11’
;:(neat) 1730、1105. 740. 700cm−1〈式
(XI)化合物の合成〉 上記得られた光学活性2−フェニルセレノシクロペンタ
ノン誘導体(X) 115.7m(1(0,170m
mol)をテトラヒドロフラン15dに溶かし、0℃に
冷却して撹拌下30%過酸化水素、0.14m1(15
6,1mg。
4〜1.74 (12H,m、 CH3、CH2)1.
82〜2.86 (6H,m、 CH2CO,CH2C
=C)3.30〜3.82 (4H,m、 Ct120
)4.34〜4.78 (2N、 m、 OCH)
5.15〜5.50(2H,m、 =CH)7.1(h
−7,70(15H,m、 Ca Hs )11’
;:(neat) 1730、1105. 740. 700cm−1〈式
(XI)化合物の合成〉 上記得られた光学活性2−フェニルセレノシクロペンタ
ノン誘導体(X) 115.7m(1(0,170m
mol)をテトラヒドロフラン15dに溶かし、0℃に
冷却して撹拌下30%過酸化水素、0.14m1(15
6,1mg。
1.80m mol )を−度に加えた。反応液を徐々
に室温まで戻し、更に室温で3時間撹拌した。反応液を
エーテルで稀釈し、エーテル層を分離して飽和食塩水で
洗浄した。水層は更にエーテルで5回抽出し、エーテル
層を合せて再度飽和食塩水で洗浄した後、無水硫酸マグ
ネシウムで乾燥し、溶媒を減圧下に留去した。残渣の油
状物をシリカゲルクロマトグラフィー(n−へキサン:
エーテル=5:1)で精製し、更に高速液体クロマトグ
ラフィー(シリカゲルrS 1−160J、7.6φX
30cm、 n−ヘキザン:酢酸エチル=1:4)で
精製して下記化学式で示される光学活性シクロベンテノ
ン誘導体(XI−1) 40.6mg(収率45.9%
) ト構造未定の副生成物25.8mgを得た。
に室温まで戻し、更に室温で3時間撹拌した。反応液を
エーテルで稀釈し、エーテル層を分離して飽和食塩水で
洗浄した。水層は更にエーテルで5回抽出し、エーテル
層を合せて再度飽和食塩水で洗浄した後、無水硫酸マグ
ネシウムで乾燥し、溶媒を減圧下に留去した。残渣の油
状物をシリカゲルクロマトグラフィー(n−へキサン:
エーテル=5:1)で精製し、更に高速液体クロマトグ
ラフィー(シリカゲルrS 1−160J、7.6φX
30cm、 n−ヘキザン:酢酸エチル=1:4)で
精製して下記化学式で示される光学活性シクロベンテノ
ン誘導体(XI−1) 40.6mg(収率45.9%
) ト構造未定の副生成物25.8mgを得た。
NMR(CDCJ!3)
δ:1.07
1.07〜1.79
1.87〜2.26
2.34〜2.54
2.70〜2.94
9H,s、 CH3)
12H,m、 CH2、C)13 )
2N、 m、 CH2)
2H,m、 CH2)
2H,m、 CH2)
3.18〜3.82 (4N、 m、 CH2)4.
66 1H,Q、J=5.5Hz、CH)4.7
5〜4.98 1M、 m、 CH)5.44
IN、 m、 =CH)6.88〜7.02 1
H,m、 =Ctl)7.26〜7.78 1ON、
m、 Co Hs )IR(neat) 1715、1105. 700cm−1上記得られた光
学活性シクロベンテノン誘導体(XI−1> 31.!
Jmg(0,06m mol >の無水メタノール2r
nIl溶液に触媒量のp−トルエンスルホン酸を水冷下
アルゴン気流中で加え、1時間20分水冷下撹拌した後
、更に室温で1時間撹拌した。この反応液を予め冷却し
た飽和重曹水で中和し、水層をジクロロメタンで5回抽
出し、抽出液を合せて飽和食塩水で2回洗浄した後無水
硫酸マグネシウムで乾燥した。減圧下で溶媒を留去した
後残漬の油状物をシリカゲルカラムクロマトグラフィー
(n−へキサン:エーテル= 1:1 )で精製して下
記化学式で示される光学活性シクロベンテノン誘導体(
XI −2) 24.8mg (収率90.2%)を得
た。
66 1H,Q、J=5.5Hz、CH)4.7
5〜4.98 1M、 m、 CH)5.44
IN、 m、 =CH)6.88〜7.02 1
H,m、 =Ctl)7.26〜7.78 1ON、
m、 Co Hs )IR(neat) 1715、1105. 700cm−1上記得られた光
学活性シクロベンテノン誘導体(XI−1> 31.!
Jmg(0,06m mol >の無水メタノール2r
nIl溶液に触媒量のp−トルエンスルホン酸を水冷下
アルゴン気流中で加え、1時間20分水冷下撹拌した後
、更に室温で1時間撹拌した。この反応液を予め冷却し
た飽和重曹水で中和し、水層をジクロロメタンで5回抽
出し、抽出液を合せて飽和食塩水で2回洗浄した後無水
硫酸マグネシウムで乾燥した。減圧下で溶媒を留去した
後残漬の油状物をシリカゲルカラムクロマトグラフィー
(n−へキサン:エーテル= 1:1 )で精製して下
記化学式で示される光学活性シクロベンテノン誘導体(
XI −2) 24.8mg (収率90.2%)を得
た。
[α] 9 =+ 31.85° (c= 0.496
.メタノール〉’HNMR(CDCf!3) δ:1.07 (9H,S、 CH3)1.15
〜1.79 (5H,m、 CH2、0H)1.87〜
2.27 (2H,m、 Ch )2.06 (
2+1. br Q、 J= 6.4tlz。
.メタノール〉’HNMR(CDCf!3) δ:1.07 (9H,S、 CH3)1.15
〜1.79 (5H,m、 CH2、0H)1.87〜
2.27 (2H,m、 Ch )2.06 (
2+1. br Q、 J= 6.4tlz。
CH2)
2.87 (2H,br d、 J= 6.0
Hz。
Hz。
CH2)
3.82 (2H,t、 J= 6.4H2,
CH2)4.75〜4.96(IH,m、 CH)5.
30〜5.55 (2H,m、 =CH)6.93〜6
.98(IH,m、 =CH)7.27〜7.75 (
1011,m、 C6H5)13ONMR(CD(1
’3 ) δ: 19.72. 23.24. 26.22.
27.47. 32.89゜43.94. 46.00
. 63.34. 70.54.125.38゜128
.41.130.58.132.64.134.26.
136.26゜146.51.157.23.177.
87IR(neat) 3400、1710.1110.1070. 780.
700cnr1(発明の効果) 本発明によって得られた化合物は、プロスタグランジン
を製造するための原料として有用であり、従来の合成中
間体であるコーリーラクトンや4−ヒドロキシシクロベ
ンテノンを用いる方法に較べて繁雑な工程を大幅に省略
でき、極めて短工程で得られる光学活性シクロペンタノ
ン誘導体を原料として用いる点有利である。
CH2)4.75〜4.96(IH,m、 CH)5.
30〜5.55 (2H,m、 =CH)6.93〜6
.98(IH,m、 =CH)7.27〜7.75 (
1011,m、 C6H5)13ONMR(CD(1
’3 ) δ: 19.72. 23.24. 26.22.
27.47. 32.89゜43.94. 46.00
. 63.34. 70.54.125.38゜128
.41.130.58.132.64.134.26.
136.26゜146.51.157.23.177.
87IR(neat) 3400、1710.1110.1070. 780.
700cnr1(発明の効果) 本発明によって得られた化合物は、プロスタグランジン
を製造するための原料として有用であり、従来の合成中
間体であるコーリーラクトンや4−ヒドロキシシクロベ
ンテノンを用いる方法に較べて繁雑な工程を大幅に省略
でき、極めて短工程で得られる光学活性シクロペンタノ
ン誘導体を原料として用いる点有利である。
Claims (1)
- (1)下記一般式(X) ▲数式、化学式、表等があります▼(X) (上記一般式(X)において、R^1はアルケニル基、
アラルキル基、アルキルオキシメチル基、1−アルキル
オキシエチル基、ヘテロ原子を有する環状アルキル基及
びシリル基から選ばれた容易に脱離可能な保護基を表わ
し、R^5はそれぞれ酸素、イオウ又はケイ素を含んで
いても良い、直鎖状もしくは分岐状アルキル基、アルケ
ニル基、アルキニル基及びアルキル置換フェニル基から
選ばれた炭素数5〜22の基を表わし、この中にはアル
コキシ、アルキルオキシアルコキシ、環状もしくは非環
状アセタール基、シリル基、アルキルチオ基が含まれて
いても良い。 R^6はメチル、フェニル、p−トリル、p−クロロフ
ェニル又は2−ピリジル基、Zはセレン又は硫黄、*の
符号は不斉炭素原子をそれぞれ表わす) で表わされる光学活性シクロペンタノン誘導体を酸化剤
により2−置換基のセレン又は硫黄を酸化し脱離させる
ことを特徴とする下記一般式(X I )で表わされる光
学活性シクロペンテノン誘導体の製法。 ▲数式、化学式、表等があります▼(X I ) (一般式(X I )において、R^1、R^5及び*の
符号は一般式(X)のR^1、R^5及び*の符号と同
様の意味を表わす)
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1317237A JPH0714893B2 (ja) | 1989-12-05 | 1989-12-05 | 光学活性シクロペンテノン誘導体の製法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1317237A JPH0714893B2 (ja) | 1989-12-05 | 1989-12-05 | 光学活性シクロペンテノン誘導体の製法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH03176453A true JPH03176453A (ja) | 1991-07-31 |
JPH0714893B2 JPH0714893B2 (ja) | 1995-02-22 |
Family
ID=18086011
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP1317237A Expired - Lifetime JPH0714893B2 (ja) | 1989-12-05 | 1989-12-05 | 光学活性シクロペンテノン誘導体の製法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0714893B2 (ja) |
-
1989
- 1989-12-05 JP JP1317237A patent/JPH0714893B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH0714893B2 (ja) | 1995-02-22 |
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