JPH0714843B2 - 防かび殺菌方法 - Google Patents

防かび殺菌方法

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JPH0714843B2
JPH0714843B2 JP29603386A JP29603386A JPH0714843B2 JP H0714843 B2 JPH0714843 B2 JP H0714843B2 JP 29603386 A JP29603386 A JP 29603386A JP 29603386 A JP29603386 A JP 29603386A JP H0714843 B2 JPH0714843 B2 JP H0714843B2
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【発明の詳細な説明】 (イ)産業上の利用分野 この発明は、無水グルコース単位当りのカルボキシメチ
ル基の置換度の高いカルボキシメチルセルロース(以下
CMCと略称する)の第四アンモニウム塩の特に水に難溶
性もしくは不溶性で防かび殺菌性を有するものを用い
て、対象物に防かび殺菌性を付与する方法に関する。
(ロ)従来の技術 家庭用、産業用、医療用などの各種の機器や設備および
材料には、これらが無機物や有機物を問わず、微生物に
よる汚染、例えばかびや有害細菌の増殖などまたは微生
物による劣化が広範囲にわたって起こっている。
この問題の対策として従来用いられている防かび殺菌法
の大部分のものは、水溶性の殺菌剤を用いているので、
殺菌剤が雨水などの水によって溶出され、かびや有害細
菌の増殖の防止に十分な効果がえられず、有効な対策が
強く要望されている。
この発明は上記のような要望を満たすべくなされたもの
で、前記のごとくCMC第四アンモニウム塩を用いる防か
び殺菌法であるが、このCMC第四アンモニウム塩につい
ては従来、次のようなことが知られているだけで本願発
明の方法は開示されていない。
すなわち防菌防黴、第7巻,第11号、第7〜14頁,1979
年、および同誌、第12巻,第11号,第561〜571頁,1984
年には、CMCを担体として、これに第四アンモニウム化
合物のベンザルコニウムクロリド、セチルトリメチルア
ンモニウムブロミド、セチルピリジニウムクロリド、ラ
ウリルピリジニウムクロリド、ジメチルフエニルベンジ
ルアンモニウムクロリド、テトラデシルジメチルベンジ
ルアンモニウムクロリドを固定化し、得られた固定化物
の層に液体を通過させて殺菌することが開示されている
か、本願発明のようなCMC第四アンモニウム塩を用いる
方法は開示されていない。
また西独特許第1,103,336号公報にはCMCのジメチルラウ
リルセチルアンモニウム塩、米国特許第2,881,074号公
報には、CMCトリメチルオクタデシルアンモニウム塩、
ドイツチエ アポテカー −ツアイツンク(Deutsche
Apotheker−Zeitung),第106巻,第35号,第1206〜120
8頁,1966年にはCMCドデシルジメチル(3,4−ジクロロベ
ンジル)アンモニウム塩、ファーマシュティカル イン
ダストリイ(Pharm.Ind.),第37巻,第2号,第100頁,
1975年にはCMCセチルトリメチルアンモニウム塩がそれ
ぞれ開示されている。しかしこれらの文献にも本願発明
の方法は示唆もされていない。
これらのCMCの第四アンモニウム塩は、CMCの可溶性高分
子物質としての特性を利用するとともに、第四アンモニ
ウム基の有する特性を利用する用途に用いられるもので
ある。しかしこれらのCMC第四アンモニウム塩の原料のC
MCは、その無水グルコース単位当りカルボキシメチル基
の置換度(以下DSと略称する)について特に記載されて
いないので、一般に市販されているDSが1.0未満のもの
と考えられる。第四アンモニウム基はCMCのカルボキシ
メチル基と1:1の分子比率で結合するものであるから、
導入できる第四アンモニウム基はグルコース単位当り1.
0分子未満であり、これ以上の量の第四アンモニウム基
の特性を利用することができない。これら従来のCMC第
四アンモニウム塩は一般に、第四アンモニウム基の分子
量が小さいときは水溶性(有機溶媒には不溶性)である
が、第四アンモニウム基の分子量が大きくなると非水溶
性であり、またアルコールやアセトンのような極性溶媒
やトリエンのような非極性溶媒にも充分に溶解しない。
したがって有機溶媒の溶液として用いる用途には使用し
にくい。
(ハ)発明が解決しようとする問題点 この発明は、各種の機器や設備および材料に簡便に防か
び殺菌性を付与するのを目的とするものである。
(ニ)問題点を解決するための手段と作用 従来の低いDSのCMCを用いたCMC第四アンモニウム塩は、
前記のように、有機溶媒の溶液として用いる用途には使
用しにくいが、この発明の発明者らは、1.5〜3.0のごと
き高いDSのCMCの第4級アンモニウム塩であって、その
第四アンモニウム基の種類によって特に水に難溶性もし
くは水に不溶性で有機溶媒に溶解するものを見出しこの
発明をなすに至った。
かくしてこの発明は下記式: 〔式中、Rは水素原子又はカルボキシメチル基の第四ア
ンモニウム塩であり、nは10〜1000である。但し無水グ
ルコース単位当りカルボキシメチル基の置換度は1.5〜
3.0であり、カルボキシメチル基の第四アンモニウム塩
は、副式: (式中、R1〜R4は、それぞれC1-20の直鎖もしくは分枝
状の飽和もしくは不飽和の脂肪族炭化水素基であるか、
R1〜R4の三つが前記炭化水素基で一つがアラルキル基、
トリアルキルアンモニウムアルキルもしくはアリールオ
キシアルキル基であるか、R1〜R4の二つが前記炭化水素
基で残りの二つがアラルキルおよびジアルキルフエノキ
シ(もしくはアルキルフエノキシ)アルキレンオキシア
ルキル基であるか、またはR1〜R4の一つもしくは二つが
前記炭化水素基で残りの二つもしくは三つが窒素原子と
ともに異項環を形成する)〕で表わされ、特に水に難溶
性もしくは不溶性のカルボキシメチルセルロース第四ア
ンモニウム塩の、有機溶媒もしくは有機溶媒と少量の水
との混合物の溶液を、防かび殺菌性を付与すべき対象物
に塗布するかまたは含浸させた後、溶媒を除去すること
によって前記対象物に防かび殺菌性を付与することから
なる防かび殺菌方法を提供するものである。
この発明に用いられるCMC第四アンモニウム塩として
は、前記副式における第四アンモニウム基が次のような
ものが挙げられる。
(i) R1〜R4がそれぞれC1-20の直鎖もしくは分枝状
の飽和もしくは不飽和の脂肪族炭化水素基のもの。
ラウリルトリメチルアンモニウム、セチルトリメチルア
ンモニウム、ステアリルトリメチルアンモニウム、トリ
オクチルメチルアンモニウム、ジメチルジステアリルア
ンモニウム、ジメチルオレイルノリルアンモニウム、ト
リメチルモノベヘニルアンモニウム、メチルトリラウリ
ルアンモニウム基など、 (ii) R1〜R4の三つが前記炭化水素基で一つがアラル
キル、トリアルキルアンモニウムアルキルもしくはアリ
ールオキシアルキル基のもの。
テトラデシルジメチルベンジルアンモニウム、(トリメ
チルアンモニウムヘキシル)トリメチルアンモニウム、
(トリメチル−アンモニウムデシル)トリメチルアンモ
ニウム〔すなわちデカメトニウム〕、ラウリルフエノキ
シジメチルアンモニウムなど、 (iii) R1〜R4の二つが前記炭化水素基で残りの二つ
がアラルキル基およびジアルキルフエノキシ(もしくは
アルキルフエノキシ)アルキレンオキシアルキル基であ
るもの。
ジイソブチルフエノキシエトキシエチルジメチルベンジ
ルアンモニウム〔すなわちベンゼトニウム〕、(ジイソ
ブチル)メチルフエノキシエトキシエチルジメチルベン
ジルアンモニウム基〔すなわちメチルベンゼトニウム
基〕など。
(iv) R1〜R4の一つもしくは二つが前記炭化水素基で
残りの二つもしくは三つが窒素原子とともに異項環を形
成するもの。
ラウリルピリジニウム、セチルピリジニウム、ラウリル
イソキノリニウム、ラウリルニコチニウム、ラウリルキ
ナルジウム基など。
この発明に用いられるCMCの第四アンモニウム塩として
好ましいものは、ラウリルトリメチルアンモニウム塩、
テトラデシルジメチルベンジルアンモニウム塩、セチル
トリメチルアンモニウム塩、ステアリルトリメチルアン
モニウム塩、ラウリルピリジニウム塩、セチルピリジニ
ウム塩、ベンゼトニウム塩、メチルベンゼトニウム塩、
ラウリルフエノキシエチルジメチルアンモニウム塩、ラ
ウリルイソキノリニウム塩などである。
この発明に用いられるCMC第四アンモニウム塩は、無水
グルコース単位当りのカルボキシメチル基による置換度
が1.5〜3.0のカルボキシメチルセルロース又はその塩の
溶液と、対応する第四アンモニウム化合物もしくはその
溶液とを混合して反応させ、生成したカルボキシメチル
セルロース第四アンモニウム塩を分離精製することによ
って製造される。
この発明によ用いるCMC第四アンモニウム塩の原料とし
て用いるCMCは、その第四アンモニウム塩の有機溶媒に
対する溶解性からみて、DSが1.5〜3.0である必要があ
る。このような高置換度のCMCには、例えば特開昭58−1
76202号公報に記載されている多段エーテル化法で製造
されるものなどが利用できる。CMCは、通常ナトリウム
塩、カリウム塩などのアルカリ金属塩が用いられる。カ
ルシウム塩などのアルカル土類金属塩や酸形、部分酸形
も使用できるが、ナトリウム塩が最も好ましい。
一方第四アンモニウム化合物としては、防かび殺菌性を
有するものが必要であるが、さらに、DS1.5〜3.0のCMC
の第四アンモニウム塩を形成した場合、造膜性および耐
水性の面から有機溶媒あるいは少なくとも50%程度以上
の有機溶媒水溶液に溶解するものが選択される。
これらの観点より適合する第四アンモニウム化合物とし
ては前記副式における第四アンモニウムイオンと、塩
素、臭素、フッ素などのハロゲンイオン、硫酸イオン、
硝酸イオン、リン酸イオンなどの陰イオンと結合した第
四アンモニウム化合物があげられる。
この発明において用いられる有機溶媒は、前記のごとき
CMC第四アンモニウム塩を容易に溶解することができ
て、低沸点のものが好ましいが、溶解すべき第四アンモ
ニウム塩の種類や用途によって適宜選択され、例えばメ
タノール、エタノール、イソプロパノールなどの低級ア
ルキルアルコール、またはアセトン、トルエン、ベンゼ
ンなどが挙げられる。
この発明は、前記のごときCMC第四アンモニウム塩を前
記のごとき有機溶媒に溶解した溶液を、防かび殺菌性を
付与すべき機器・設備などの表面に塗布し、減圧乾燥な
どの通常の方法によって溶媒を除去して表面に第四アン
モニウム塩の被膜を形成させるか、または防かび殺菌性
を付与すべき材料に含浸させて上記の同様にして溶媒を
除去して行われる。
前者の塗布して被膜を形成させる対象としては、純水の
容器の内壁、湿気が多くカビの生じ易いバスルームなど
の内壁、特に冬期に水滴のつきやすい鉄筋コンクリート
住宅の内壁などの、塗料を塗布した表面もしくは塗料な
しの例えばガラスやプラスチックの表面などが挙げられ
る。またこれらの表面に塗布される塗料に、前記のごと
き第四アンモニウム塩自体を混合するかまたは前記のご
とき溶液を混合して用いることもできる。
後者の含浸させる対象としては、紙、繊維、不織布、皮
革、スポンジ、籐、木材など、内部に、前記第四アンモ
ニウム塩の有機溶媒溶液を含浸させることができる材料
はすべて挙げられ、またふだんあまり洗わない物や洗う
のが困難な物、例えばふとん、畳、壁紙、壁板、各種運
動具(バレーやバスケットボールなどのボール、野球な
どのグローブ、剣道などの防具など)、タンス等の家具
調度品、多孔性の断熱材、フィルター、書籍・書類、靴
などにも防かび殺菌性が付与される。
前記溶液中の第四アンモニウム塩の含有量は所望の防か
び殺菌性などに左右されるが0.01〜30%程度のものが用
いられる。また第四アンモニウム塩の種類によっては有
機溶媒と少量の水との混合物を溶媒として用いてもよ
い。
以下実施例によってこの発明を例証するがこの発明を限
定するものではない。
(ホ)実施例 CMC第四アンモニウム塩製造例1 下記のごとき各種CMCナトリウム塩の1%水溶液200g
に、当量より10%過剰の下記第1表に示す各種第四アン
モニウム化合物を添加し撹拌した。生成した沈澱を濾別
し、充分水洗した後常温で真空乾燥して各CMC第四アン
モニウム塩を得た。これら生成物の溶解性を第1表に示
した。
なお第四アンモニウム化合物としてジメチルジステアリ
ルアンモニウムクロリドを用いて上記と同様にして作製
したCMC第四アンモニウム塩は、CMCのDSが2.84の場合ベ
ンゼンなどの炭化水素に可溶性であった。
(i) 使用したCMCナトリウム塩 DS 重合度 1%水溶液粘度(cps) 1.27 1000 1752 1.37 1000 1724 1.46 1050 1820 1.50 1100 2000 1.58 980 1600 1.94 550 276 2.41 480 203 2.84 250 84 CMC第四アンモニウム塩製造例2 下記のCMCナトリウム塩の1%水溶液200gに、当量の下
記の各種第四アンモニウム化合物の水溶液を添加し、撹
拌した。生成した沈澱を濾別し、充分水洗した後常温で
真空乾燥して各CMC第四アンモニウム塩を得た。これら
生成物の溶解性を第2表に示した。いずれも水には不溶
性であったが低級アルコールには可溶であった。
(i) 使用したCMCナトリウム塩 DS 重合度 1%水溶液粘度(cps) 2.41 700 610 (ii) 使用した第四アンモニウム化合物 塩化ベンゼトニウム 塩化メチルベンゼトニウム 塩化セチルピリジウム 実施例1 DS2.15のCMCナトリウム塩とテトラデシルジメチルベン
ジルアンモニウムクロリドの反応で得られたCMC−テト
ラデシルジメチルベンジルアンモニウム塩を用い次の実
験を行った。CMC−テトラデシルジメチルベンジルアン
モニウム塩0.25gを3mlのメタノールに溶解させ内径18m
m,長さ180mmのガラス試験管の内面に均一な薄い膜を形
成させるように流し、メタノールを減圧留去することに
よりCMC−テトラデシルジメチルベンジルアンモニウム
塩の皮膜を試験管内面に形成させた。このようにして得
た試験管とブランク(無処理)試験管による抗菌性試験
を実施した。すなわち一定濃度の各種菌懸濁液を試験管
に入れ30分後の菌数を測定した。結果は第3表に示した
通りである。
実施例2 実施例1で得たCMC−テトラデシルジメチルベンジルア
ンモニウム塩をメタノールに溶解し、2ガラス容器の
内面に均一に塗布後メタノールを減圧留去し皮膜を形成
させた。このものと無処理の同じガラス容器(ブラン
ク)各々に、イオン交換水1を入れ、30℃定温器中で
放置し、水中の生菌数を標準寒天培地による寒天平板希
釈法により調べた。第4表に示した結果のようにCMC−
第4アンモニウム塩で内面をコーティングしたガラス容
器中の水はくり返し長期にわたり無菌を維持できた。
実施例3 ストレート製3cm四方の板上に、アクリルエマルション
系塗料を板塗りして得たテストピースの塗料表面に、実
施例1で得たCMC−テトラデシルジメチルベンジルアン
モニウムをメタノールに溶解したものを吹きつけ、メタ
ノールを蒸発させることによりCMC第4アンモニウム塩
の被膜を形成させた。
このものとCMC第4アンモニウム塩被膜を形成させてい
ないブランクの2つのテストピースを用いカビ抵抗性試
験を行った。すなわち、テストピースをポテトデキスト
ロース寒天培地の中央部に置き、アスペルギルス・ニガ
ー(Aspergillus niger)ATCC6275、アスペルギルス・
フラブス(Aspergillus flavus)ATCC9643、ペニシリウ
ム・ルテウム(Penicillium luteum)ATCC9644、トリコ
デルマ(Trichoderma)T−1 ATCC9645の4種のカビ
胞子懸濁液を噴霧接種し、30℃で培養を行った後、カビ
の生育状態を観測した。この結果第5表に示すようにCM
C第4アンモニウム塩でコーテイングされた塗料面への
カビ発育は認められなかった。
実施例4 DS2.15のCMCナトリウム塩とテトラデシルジメチルベン
ジルアンモニウムクロリド及びドデシルトリメチルアン
モニウムクロリドの反応で得られたCMCのテトラデシル
ジメチルベンジルアンモニウム塩及びドデシルトリメチ
ルアンモニウム塩およびDS2.41のCMCナトリウム塩と塩
化セチルピリジニウム、塩化ベンゼトニウム、塩化メチ
ルベンゼトニウムの反応で得られたCMCのセチルピリジ
ニウム塩、ベンゼトニウム塩、メチルベンゼトニウム塩
を用い、次の実験を行った。
上記CMCの第4アンモニウム塩0.25gを3mlのメタノール
に溶解させ、内径18mm,長さ180mmのガラス試験管の内面
に均一な薄い膜を形成させるように流し、メタノールを
減圧留去することによりCMC4級アンモニウム塩の皮膜を
試験管内面に形成させた。こうして得た試験管とブラン
ク(無処理)試験管による抗菌性試験を実施した。すな
わち、106コ/mlのエシエリシア・コリ(Escherichia co
li)液を試験管に入れ30分後の菌数を測定した。
無処理の場合、ほとんど菌数に変化はなかった。コーテ
ィングしたものの菌数は次の通りである。
菌 数 CMCテトラデシルジメチルベンジルアンモニウム塩0コ/
ml CMCドデシルトリメチルアンモニウム塩 0 CMCセチルピリジニウム塩 0 CMCベンゼトニウム塩 0 CMCメチルベンゼトニウム塩 0 実施例5 CMC第四アンモニウム塩製造例において得た、CMC(DS2.
41)のテトラデシルジメチルベンジルアンモニウム塩に
ついて、下記2種のかびを用いてかび抵抗性試験法(JI
S Z−2911−1981)に準じて防かび試験を行った。
前記アンモニウム塩をエタノール溶液として50mm×50mm
の瀘紙に含浸させた後、乾燥し、第6表に示す試料を作
製した。
平板培地上に試料を置き、その上からかび胞子の懸濁液
1mlを均等に噴霧し、ふたをして30℃にて2週間培養し
た。得られた結果とかび抵抗性の表示法をそれぞれ第7
表と第8表に示した。
なお胞子懸濁液は、ポテトデキストロース寒天斜面培地
で、試験菌を培養し、得られた胞子を0.005%スルホコ
ハク酸ジオクチルナトリウム添加の滅菌水に分散させて
得た。
また平板培地の組成は、次のとおりである。
精製水 1000ml 塩化カリウム 0.25g 硝酸アンモニウム 3.0g 硫酸第一鉄 0.002g りん酸−カリウム 1.0g 寒天 25g 硫酸マグネシウム 0.5g (ヘ)発明の効果 この発明によれば、特に防虫かび殺菌性の要求される機
器や設備および材料に持続性の防虫かび殺菌性を簡便に
付与することができる。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】下記式: 〔式中、Rは水素原子又はカルボキシメチル基の第四ア
    ンモニウム塩であり、nは10〜1000である。但し無水グ
    ルコース単位当りカルボキシメチル基の置換度は1.5〜
    3.0であり、カルボキシメチル基の第四アンモニウム塩
    は、副式: (式中、R1〜R4は、それぞれC1-20の直鎖もしくは分枝
    状の飽和もしくは不飽和の脂肪族炭化水素基であるか、
    R1〜R4の三つが前記炭化水素基で一つがアラルキル基、
    トリアルキルアンモニウムアルキルもしくはアリールオ
    キシアルキル基であるか、R1〜R4の二つが前記炭化水素
    基で残りの二つがアラルキルおよびジアルキルフエノキ
    シ(もしくはアルキルフエノキシ)アルキレンオキシア
    ルキル基であるか、またはR1〜R4の一つもしくは二つが
    前記炭化水素基で残りの二つもしくは三つが窒素原子と
    ともに異項環を形成する)〕で表わされ、特に水に難溶
    性もしくは不溶性のカルボキシメチルセルロース第四ア
    ンモニウム塩の、有機溶媒もしくは有機溶媒と少量の水
    との混合物の溶液を、防かび殺菌性を付与すべき対象物
    に塗布するかまたは含浸させた後、溶媒を除去すること
    によって前記対象物に防かび殺菌性を付与することから
    なる防かび殺菌方法。
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