JPH0714714A - Ｈｄｉ回路部品 - Google Patents

Ｈｄｉ回路部品

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JPH0714714A
JPH0714714A JP6061850A JP6185094A JPH0714714A JP H0714714 A JPH0714714 A JP H0714714A JP 6061850 A JP6061850 A JP 6061850A JP 6185094 A JP6185094 A JP 6185094A JP H0714714 A JPH0714714 A JP H0714714A
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JP
Japan
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hdi
magnetic
circuit component
layers
magnetic plate
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Withdrawn
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JP6061850A
Other languages
English (en)
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Waseem A Roshen
ワシーム・アーメッド・ロシェン
Charles S Korman
チャールズ・スティーブン・コーマン
Wolfgang Daum
ウルフギャング・ドーム
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General Electric Co
Original Assignee
General Electric Co
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Publication date
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Abstract

(57)【要約】 【目的】磁気材料を埋設したＨＤＩ（高密度相互接続）
回路部品を提供する。 【構成】回路部品は交互に設けられた誘電体層１６およ
び金属層または巻線層１８を有するＨＤＩ構造内に埋設
磁気材料（例えば、強磁性体）を有する。一実施例で
は、強磁性材料の磁性板１４が接着剤によってまたは接
着剤なしに基板凹部４０内に配置される。金属層と誘電
体層との交互の堆積層に、レーザ融除または他の適当な
技術を使用して、磁気回路を完成するのに使用される強
磁性コア磁性板の柱２２を挿入するための貫通孔２０を
必要により形成する。有益なことに、この磁気または電
磁部品は約０．１インチ以下の高さである。更に、この
磁気または電磁回路部品はこれらの部品と他の回路要素
との間の相互接続インダクタンスが非常に小さい。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、高密度相互接続（ＨＤ
Ｉ）構造内に埋設磁気材料および電気めっきまたは差別
的電気めっきされた金属層または巻線を使用した磁気回
路部品（例えば、変圧器、インダクタおよび結合インダ
クタ）および電磁回路部品（例えば、方向性結合器、ア
イソレータ、導波管、移相器およびサーキュレータ）に
関する。
【０００２】
【従来の技術】信号用ＩＣおよびマイクロ波用ＩＣを有
するますます多くの集積回路（ＩＣ）が高密度相互接続
（ＨＤＩ）技術を使用して構成されつつある。１９８８
年１１月８日に発行された米国特許第４，７８３，６９
５号および他の関連特許に記載されているように、ＨＤ
Ｉ構造は例えばディジタルシステムおよび他の電子シス
テムをコンパクトに組み立てるのに多くの利点を提供し
ている。更に、１９９２年４月１４日に出願された米国
特許出願第０７／８６９，０９０号に記載されているよ
うに、ＨＤＩ技術はマイクロ波システムにも広がってい
る。更に、ＨＤＩ技術は、１９９３年１月８日に出願さ
れた米国特許出願第０８／００２，３７４号に記載され
ているように、電源回路を構成するためにも適用されて
いる。これらの出願は種々の電源部品を個別要素として
取り扱われる磁気要素と一体化すためにＨＤＩをどのよ
うに使用するかについて記載している。
【０００３】電源をＨＤＩディジタルおよびマイクロ波
モジュールと完全に一体化するために、同じ技術、すな
わちＨＤＩを使用して、磁気部品を含む電源を構成でき
ることが望ましい。磁気部品をＨＤＩ構造に組み込むた
めに、磁気部品の高さは例えば約０．１インチ以下のよ
うに非常に小さくなければならない。このような薄い磁
気部品は一般に１９９２年６月３０日に発行された米国
特許第５，１２６，７１５号に記載されているようなマ
ルチポールコア（multi-pole core ）構造を必要とす
る。
【０００４】また、集中磁気部品に加えて、例えばＨＤ
Ｉマイクロ波モジュールの集積化のためにＨＤＩ技術を
使用して分布電磁回路部品を構成できることが望まし
い。
【０００５】
【発明の概要】磁気または電磁回路部品は、交互に設け
られた誘電体層と金属層または巻線層とを有するＨＤＩ
構造内に埋設磁気材料（例えば、強磁性体）を有してい
る。一実施例においては、強磁性材料は接着剤によって
または接着剤なしに基板ウェル、すなわち凹部内に配置
される。代わりに、強磁性材料はセラミック基板と共に
焼成され（co-fired）、それから必要なコア形状を形成
するように加工される。電気めっき処理を使用し、金属
層を構成する。この処理は差別的めっき処理により回路
の金属層および／または他の部分の厚さを変えている。
レーザ融除または他の適当な技術を使用して、磁気回路
を完成するのに使用される強磁性コア板の柱を挿入する
ための貫通孔を必要により形成する。有益なことに、本
発明により構成された磁気または電磁部品は約０．１イ
ンチ以下の高さである。更に、本発明により構成された
磁気または電磁回路部品を使用することにより、これら
の部品と他の回路要素との間の相互接続のインダクタン
スが非常に小さくなる。更に、例えば電源においては、
ＨＤＩ技術を使用して完全な電源を構成できるばかりで
なく、比較的低価格かつ高度の再現性で電力密度を増大
できる。
【０００６】本発明の特徴および利点は添付図面ととも
に本発明の次の詳細な説明を閲読することにより明らか
になるであろう。
【０００７】
【実施例の記載】図１は、本発明により構成された変圧
器１０を示している。この変圧器１０は磁性板１４が内
部に埋設されたＨＤＩ基板１２、および交互に堆積され
た誘電体層１６と巻線層１８を有する。一例として、磁
性板１４は強磁性体の板よりなるものとして示されてい
る。しかしながら、磁気分極材料または磁気特性を呈す
る他の材料から構成されるような他の適当な磁性板を使
用していもよい。基板１２はセラミックまたは他の適当
な材料で構成することができる。変圧器の組立完了時
に、フェライトの頂部磁性板２４の磁気コア柱２２を受
け入れる貫通孔２０が設けられる。
【０００８】一例として、変圧器１０は多極（例えば、
４極）巻線構造を有するものが示されている。しかしな
がら、本発明は単極巻線構造にも適用される。適当な巻
線構造が図２ａおよび２ｂの平面図に示されている。図
２ａの一次巻線２５は４極の各々に１巻き（ターン）ず
つ巻回され、全体で４巻きのものが示されている。特
に、各一次巻線層２５ａおよび２５ｂは各極の周りに半
巻きずつ巻回され、各巻きは回路的に直列に接続されて
いる。２つの一次巻線層を接続するためにバイア（via
）２６が使用されている。図２ｂは、単層二次巻線２
７を示しており、この単層二次巻線では各極の周りに１
巻きずつ巻回され、これらの全ての巻回部は並列に接続
されている（図示せず）。この結果、変圧器の巻数比は
４：１になっている。図３は図２のパターンの巻線層を
示す分解斜視図である。他の適当な巻線構造が図４−５
に示されている。類似した適当な巻線構造は米国特許出
願第０７／８３８，９５３号および米国特許出願第０７
／８３８，９５８号に記載されている。両特許出願はこ
こに参考として引用する。
【０００９】図４ａの一次巻線２９は、４極の各々の周
りに２巻ずつ巻回され、これらの全ての巻回部が直列に
接続された全体で８巻きのものとして示されている。各
一次巻線層２９ａ−２９ｄにおいて、各極の周りに半巻
きがある。図４ｂは２つの二次巻線層３０ａおよび３０
ｂを示し、その各々は並列に接続される２巻きを有す
る。その結果、本例では、変圧器の巻数比は８：２また
は４：１である。図５は図４の巻線の展開斜視図であ
る。
【００１０】特定の巻線比および構成を一例としてここ
に示しているが、特定の用途に依って他の適当な巻線比
および構成を選択することができることを理解された
い。他の例として、図６−７は２極２金属層デザインの
螺旋型巻線を示している。特に、極３１および３２の周
りの多重巻回部および電流方向が図示の導体層３４およ
び３６について示されており、符号３８は巻線層の間の
接続を行うバイアの位置を示している。実際に興味のあ
る多くの異なる巻線比および構造が可能である。しかし
ながら、巻線比の選択は用途に依って大きさ、極の数、
導体層の数、導体層の厚さ、効率等についてのかね合い
が必要である。更に、単一の巻線を有するインダクタは
本発明によるＨＤＩ構造に埋設強磁性体を使用して構成
することができる。
【００１１】一例として、図８−１３は図４−５の巻線
２９および３０を有する図１の変圧器を構成する際の製
造ステップを示している。図８に示すように、段付き凹
部４０は（例えば、ダイアモンドフライス削り、ポッテ
ィング、スタンピングまたは他の抜き出し法により）セ
ラミック基板１２に加工される。図９に示すように、凹
部４０内に嵌合するように加工された強磁性体の磁性板
１４が例えばゼネラルエレクトリック社によって製造さ
れるＵＬＴＥＭ６０００にかわのような適当な接着剤に
よって凹部に取り付けられる。代わりに、ゼネラルエレ
クトリック社によって製造される非導電性ＳＰＡＮポリ
マを使用して、磁性板１４を凹部４０内に取り付けるこ
ともできる。更に別の代替法としては、例えばアルミナ
またはベリリアまたは窒化アルミニウムを添加した熱硬
化性エポキシを使用して、基板に対する熱伝導を達成す
る様にしてもよい。また、エポキシに銀を添加して、同
じ効果を達成することもできる。更に他の代替法として
は、必要により接着剤を使用することなく、磁性板１４
を凹部内に挿入して取り付けることもできる。磁性板１
４は例えばＭｎＺｎまたはＮｉＺｎのような適当なフェ
ライトで構成される。典型的なフェライトの磁性板の厚
さは約０．０２インチないし０．０３インチである。
【００１２】図１０に示すように、誘電対層１６が例え
ばゼネラルエレクトリック社によって製造されるＵＬＴ
ＥＭ１０００にかわのような接着剤で磁性板１４上に積
層される。適当な誘電体は例えばＥ．Ｉ．デュポンドネ
モアズアンドカンパニ（E.I.du Pont de Nemours and C
ompany ）によってカプトン（Ｋａｐｔｏｎ）の品名で
販売されているようなポリイミドフィルムである。
【００１３】図１１に示すように、第１の金属層１８が
第１のカプトンポリイミドフィルム層上にスパッタリン
グにより堆積される。適当な金属層は例えば約１０００
ないし２５００オングストロームの範囲の厚さの銅また
はチタニウムと銅との組合せである。それから、金属層
は所望の厚さ（例えば、約０．００１インチ）に電気め
っきされる。最終的には、周知の方法によるホトレジス
トマスキングおよびウエットエッチングを使用して、金
属層が図１２に示すようにパターン形成される。
【００１４】他の誘電体層１６（例えば、カプトンのポ
リイミドフィルム）が第１の巻線層上に積層される。一
次巻線のバイア４６および二次巻線のバイア４８（それ
ぞれ図４ａおよび４ｂに示す）が周知の方法によりレー
ザドリルにより形成され、図示の巻線パターンを形成す
る。それから、図１３に示すように、第２の巻線層１８
が堆積される。この処理はすべての巻線層がＨＤＩ凹部
内に堆積されパターン形成されるまで継続する。代わり
に、反応性イオンエッチング（ＲＩＥ）のような周知の
メッシュド・ベースド・パターン形成およびドリル法
（meshed-based patterning and drilling methods）を
使用してもよい。
【００１５】一番上の巻線層上には、別の誘電体層（カ
プトンのポリイミドフィルム）がパッシベーション層と
して積層される。それから、大きな貫通孔２０（図１）
をパターン形成するために共形（ｃｏｎｆｏｒｍａｌ）
金属マスクが設けられる。エキシマーレーザ融除を使用
し、一番下のフェライト磁性板１４まで貫通する孔２０
を形成する。代わりとして、所望により磁気回路にエア
ギャップを設けるために、特定のカプトンのポリイミド
フィルム層まで下方に延在するのみでもよい。このよう
にして、所定のインダクタンスが達成される。磁気コア
柱２２が貫通孔２０内に挿入され、凹部４０内で変圧器
１０を更に支持するために磁性板２４の上に別のカプト
ンのポリイミドフィルム層（図示せず）を積層すること
が好ましい。
【００１６】各層が形成されると、一次および二次巻線
コンタクトを、図示のように凹んでいる接触パッド３９
（図１）に接触させらるか、または図１４に示すように
互い違いのバイア中間層接続部４１または図１５に示す
ようにメッキされた貫通孔相互接続部４３を使用して最
後の誘電体層の一番上の面上に接触させる。図１６−２
１は、本発明により一体化された変圧器が例えば電源回
路内の二次側回路要素にどのようにして接続することが
できるかを示している。このために、図１６は、ダイオ
ード整流器Ｄ、フィルタコンデンサＣ、２つの出力端子
すなわち＋Ｖ端子およびアース端子を有する簡単な二次
側回路の回路図を示している。
【００１７】図１７および１８は、上側に終端部６０を
有する変圧器１０を備えたＨＤＩ回路用の二次側相互接
続装置を示している。誘電体層５３を絶縁用に使用し
て、２つの金属層５０および５２によりダイオードＤ
（図１８）とコンデンサＣ（図１７）の接続を行ってい
る。金属層５０はセラミック基板１２上に直接堆積さ
れ、電源のアース端子の一部を形成している。金属層５
０は変圧器、ダイオードおよびコンデンサを金属化処理
されたバイア５６を介して金属層５２に接続する。ま
た、金属層５２は電源の＋Ｖ（電力）出力端子として作
用している。本発明によるＨＤＩ構造で変圧器を構成す
ることにより、二次側回路要素に対する接続を非常に低
いインダクタンスで行うことができる。
【００１８】図１９−２１は、変圧器１０と二次側回路
要素（例えば、図１６のコンデンサＣおよびダイオード
Ｄ）を相互接続する別の方法を示している。同図におい
ては、変圧器の終端部６０’は変圧器の上面より下側に
凹んでいる。図１７および１８の実施例において、２つ
の金属上層５０’および５２はバイア５６と組み合わせ
て使用され、相互接続を行うとともに、電源の出力端子
（電力およびアース面）を形成している。図１７および
１８の接続と同様に、図１９−２１の接続はインダクタ
ンスが非常に低い。
【００１９】上述したような電源の二次側相互接続部
は、一般に一次側回路（図示せず）よりも実質的に大き
な電流を伝達する。従って、二次側相互接続部および出
力端子には、より厚い金属化層が必要である。本発明に
よれば、差別的めっき処理を使用して、図１７−２１に
示した２つの金属層５０（または５０’）および５２に
所望の厚さの金属を形成することができる。より大きな
二次側回路を収容するために回路の二次側にはより厚い
金属層が必要であるので、マスクを一次側回路上に使用
して、二次側部分の金属層上にのみ金属を更に堆積す
る。
【００２０】一般には、本発明による差別的めっきの目
的は、（１）高周波回路の浸透厚を導体の厚さに整合さ
せることにより損失を最小にすること、（２）ＨＤＩ回
路を作成するための設計ルールを最適化すること、およ
び（３）低周波直流抵抗に対する損失を最小にすること
である。図２２ａ−２２ｅは、本発明によるＨＤＩ回路
の差別的めっき処理のステップを示している。図２２ａ
−２２ｅは、実例として、一次および二次側ＨＤＩ回路
の差別的めっき処理を示している。しかしながら、本発
明の差別的めっき方法は、異なる層または他の部分の厚
さを変えることにより単一の部品の作成に使用すること
ができることを理解されたい。
【００２１】図２２ａは、ＨＤＩ基板１２およびその上
側に堆積された誘電層１６（例えば、カプトンのポリイ
ミドフィルム）および薄い金属層１８（例えば、銅また
は銅とチタニウムとの組合わせ）を示している。減法
（ｓｕｂｔｒａｃｔｉｖｅ）差別的めっき処理は次のよ
うに使用される。図２２ｂにおいて、マスク８０が一次
側回路に設けられる。図２２ｃは薄い金属層１８ａ（前
は１８）に別のめっき１８ｂが加えられることを示して
いる。層１８ａおよび１８ｂの全体が層１８’として示
されている。ホトレジストを一次側および二次側回路の
両方に設けた後、図２２ｄに示すように、層１８’の一
部がエッチングで除去され、所望の導体形状が形成され
る。それから、別のホトレジストをＨＤＩ回路の全体に
設けた後、図２２ｅに示すように、マスク８０が一次側
回路から除去され、一次側金属層が所望の導体形状にエ
ッチングされる。
【００２２】図２３ａ−２３ｃは、本発明の別の実施例
による、すなわち別の処理を含む差別的めっき処理を示
している。基板１２が図２３ａに示され、誘電体層１６
およびエッチングされた薄い金属層１８が一次および二
次回路の両方に示されている。図２３ｂにおいては、マ
スク８０が回路の一次側に設けられ、図２３ｃにおい
て、二次側金属導体が別の金属の無電極めっきによって
一層厚く形成され、より厚い層１８’を形成している。
【００２３】図２４ａ−２４ｄは、別のめっき処理を有
する他の実施例による差別的めっき処理を示している。
基板１２が図２４ａに示され、誘電体層１６およびエッ
チングされた薄い金属層１８がＨＤＩ回路の一次側およ
び二次側に示されている。更に、二次側回路は周知の電
気めっき処理で使用されるタイプの短絡バー８２を有し
ている。図２４ｂに示すように、一次側回路はマスクさ
れる。短絡バー８２を周知の方法で使用して、二次側回
路が電気めっきされ、別の金属層１８ｂが層１８ａに付
加される。図２４ｄはマスクおよび短絡バーを除去され
たＨＤＩ構造を示している。
【００２４】多くの用途における差別的めっき処理の利
点にも関わらず、均一にめっきされた相互接続部（一次
および二次相互接続部を含む）が多くの他の用途のため
に好ましい。このような用途に対しては、均一な電気め
っき処理は、金属層の平面性（Planarity ）、低い直流
および交流損失が得られ、またより薄い金属トレースを
使用する程、一次側回路がより小型になるために有益で
ある。
【００２５】図２５は、本発明によるＨＤＩ技術を使用
した構造に適した分布形電磁回路部品（例えば、方向性
結合器）を示している。しかしながら、本発明は、方向
性結合器に限定されるものでなく、例えばアイソレー
タ、導波管、移相器およびサーキュレータ等のような適
当な分布形電磁回路部品にも適用することができる。分
布形電磁回路部品は、進行方向および逆方向の一方また
は両方の方向への分布した波の伝播を行うように電気お
よび電磁結合の両方による分布電磁界を有する。更に、
分布形電磁部品内の伝播波長は、有効部品サイズよりも
大きな波長を有している上述したような集中形磁気部品
と対照的に有効部品サイズよりも小さい。
【００２６】特に、図２５は、所定の寄生容量Ｃp を有
している方向性結合器１０を示している。典型的な用途
におけるものとして、結合器１０は、例えばコンデンサ
Ｃ、ダイオードＤおよび抵抗Ｒを有する外部回路に接続
されて示されている。図２５の結合器は図１の変圧器と
同様に構成される。しかしながら、上述したような標準
の変圧器とは対照的に、結合器１０は所定の寄生容量Ｃ
p を有するように構成されている。特に、一次および二
次巻線層間の金属の厚さの差別的めっき処理は、図２５
に示すように容量性結合Ｃp が存在する結合変圧器内の
定められた点を生じる。
【００２７】図２６は、マイクロ波導波管１０２のアイ
ソレータ１００を有する本発明による電磁ＨＤＩ構造の
他の用途を示している。上述したように、磁性板１４は
ＨＤＩ基板１２内の凹部内に配置されている。誘電体層
１６が磁性板１４に設けられている。導波管１０２の上
側および下側にはバイア１０４を介して互いに接続され
ている金属層１８が設けられている。特に、バイア１０
４は溝形バイアとして示されている。しかしながら、代
わりに多重バイア（図示せず）を使用してもよい。他の
誘電体層１６’が一番上および一番下の金属層の間に設
けられ、導波管空洞を有している。一番上の磁性板２
４’は側部１０８を有し、基板１２のＨＤＩ凹部内でマ
イクロ波導波管の周りに嵌合するようになっている。
【００２８】図２７は、図２６のアイソレータの別の実
施例（１１０）を示している。強磁性インサート１１２
が図２６の上側および下側磁性板１０８および１４の代
わりに使用されている。本技術分野で通常の知識を有す
る者に理解されるように、図２６のアイソレータ１００
および図２７のアイソレータ１１０の動作は同じであ
る。
【００２９】本発明の好適実施例について示し説明した
が、このような実施例は一例にすぎないものであること
は明らかであろう。本技術分野に専門知識を有する者に
は本発明から逸脱することなく、多くの変更、変形およ
び置き換えを行うことができるであろう。従って、本発
明は特許請求の範囲の精神および範囲によって限定され
るものである。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明により構成された、第１および第２の巻
線層をパターン形成した変圧器の分解斜視図である。
【図２】図１の変圧器に使用される適当な一次および二
次巻線パターンをそれぞれ示す平面図である。
【図３】本発明による変圧器の図２の一次および二次巻
線層を示す分解斜視図である。
【図４】図１の変圧器に使用される適当な一次および二
次巻線パターンをそれぞれ示す平面図である。
【図５】本発明による変圧器の図４の一次および二次巻
線層を示す分解斜視図である。
【図６】図１の変圧器に使用される他の適当な巻線構造
を示す平面図である。
【図７】本発明による変圧器の図６の一次および二次巻
線層を示す分解斜視図である。
【図８】本発明により図１の変圧器を構成するための処
理の１つのステップを示す斜視図である。
【図９】本発明により図１の変圧器を構成するための処
理の１つのステップを示す斜視図である。
【図１０】本発明により図１の変圧器を構成するための
処理の１つのステップを示す斜視図である。
【図１１】本発明により図１の変圧器を構成するための
処理の１つのステップを示す斜視図である。
【図１２】本発明により図１の変圧器を構成するための
処理の１つのステップを示す斜視図である。
【図１３】本発明により図１の変圧器を構成するための
処理の１つのステップを示す斜視図である。
【図１４】本発明による磁気部品の最上部誘電体層の表
面上に一次および二次接触部を形成するための互い違い
のバイア中間層接続を示す断面図である。
【図１５】本発明による磁気部品の最上部誘電体層の表
面上に一次および二次接触部を形成するためのめっきさ
れた貫通孔相互接続を示す断面図である。
【図１６】本発明の一体化変圧器が例えば電源内の二次
側回路要素にどのように接続されるかを示す回路図であ
る。
【図１７】本発明の一体化変圧器が例えば電源内の二次
側回路要素にどのように接続されるかを示す断面図であ
る。
【図１８】本発明の一体化変圧器が例えば電源内の二次
側回路要素にどのように接続されるかを示す断面図であ
る。
【図１９】本発明の一体化変圧器が例えば電源内の二次
側回路要素にどのように接続されるかを示す断面図であ
る。
【図２０】本発明の一体化変圧器が例えば電源内の二次
側回路要素にどのように接続されるかを示す断面図であ
る。
【図２１】本発明の一体化変圧器が例えば電源内の二次
側回路要素にどのように接続されるかを示す断面図であ
る。
【図２２】本発明による差別的めっき処理のステップを
示す断面図である。
【図２３】本発明の他の実施例による差別的めっき処理
のステップを示す断面図である。
【図２４】本発明の更に他の実施例による差別的めっき
処理のステップを示す断面図である。
【図２５】本発明によるＨＤＩ構造の構成に適当な電磁
回路部品（例えば、方向性結合器）を示す回路図であ
る。
【図２６】本発明により構成されるマイクロ波導波管用
のアイソレータの分解斜視図である。
【図２７】図２６のアイソレータの他の実施例を示す分
解斜視図である。
【符号の説明】
１０ 変圧器 １２ ＨＤＩ基板 １４ 磁性板 １６ 誘電体層 １８ 巻線層 ２０ 貫通孔 ２２ 磁気コア柱 ２４ 磁性板
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 チャールズ・スティーブン・コーマン アメリカ合衆国、ニューヨーク州、スケネ クタデイ、オックスフォード・ウエイ、 203番 (72)発明者 ウルフギャング・ドーム アメリカ合衆国、ニューヨーク州、スケネ クタデイ、ディキャンプ・アヴェニュー、 804番

Claims (11)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 凹部が形成されたＨＤＩ誘電体基板と、 前記凹部内に配置された１つ以上の磁性板と、 前記凹部内の１つの磁性板上に、誘電体層から始めて誘
    電体層で終るように交互に堆積された誘電体層および金
    属層よりなる交互堆積層とを有するＨＤＩ回路部品。
  2. 【請求項２】 前記磁性板が底部磁性板および頂部磁性
    板を有する請求項１記載のＨＤＩ回路部品。
  3. 【請求項３】 １つの磁性板が前記交互堆積層の中の選
    択された層の間に配置されている請求項１記載のＨＤＩ
    回路部品。
  4. 【請求項４】 前記交互堆積層が、少なくとも１つの磁
    極を形成するために貫通して形成された少なくとも１つ
    の孔を有し、前記頂部磁性板が前記少なくとも１つの孔
    に挿入される少なくとも１つの磁気コア柱を有している
    請求項２記載のＨＤＩ回路部品。
  5. 【請求項５】 前記少なくとも１つの磁気コア柱は、エ
    アギャップを形成すように前記誘電体層の所定の１つま
    で延在し、または前記底部磁性板まで下方に延在してい
    る請求項４記載のＨＤＩ回路部品。
  6. 【請求項６】 前記回路部品が変圧器を構成し、前記金
    属層が一次および二次巻線層を構成している請求項１記
    載のＨＤＩ回路部品。
  7. 【請求項７】 前記一次および二次巻線層間をそれぞれ
    接続するバイアを更に有する請求項６記載のＨＤＩ回路
    部品。
  8. 【請求項８】 他の回路要素に接続するための低インダ
    クタンス終端部を更に有する請求項６記載のＨＤＩ回路
    部品。
  9. 【請求項９】 前記終端部が凹んでいる請求項８記載の
    ＨＤＩ回路部品。
  10. 【請求項１０】 前記終端部が前記回路部品の頂部に向
    かって設けられている請求項８記載のＨＤＩ回路部品。
  11. 【請求項１１】 （ａ）底面を有する凹部をＨＤＩ誘電
    体基板に形成し、 （ｂ）前記凹部の中に１つ以上の磁性板を挿入し、 （ｃ）前記磁性板上に誘電体層と金属層を交互に堆積
    し、 （ｄ）前記金属層の各々を所定の厚さに電気めっきし、 （ｅ）前記金属層の各々にパターン形成を施し、 （ｆ）すべての金属層が前記凹部内に堆積されてパター
    ン形成されるまで、前記ステップ（ｃ）ないし（ｅ）を
    繰り返すステップを有するＨＤＩ回路部品を作成する方
    法。
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Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6836248B2 (en) 2001-03-15 2004-12-28 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Antenna device
US7034764B2 (en) 2002-10-03 2006-04-25 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Antenna device
US7907092B2 (en) 2002-07-15 2011-03-15 Fractus, S.A. Antenna with one or more holes
US8035563B2 (en) 2005-10-25 2011-10-11 Sony Ericsson Mobile Communications Japan, Inc. Multiband antenna device and communication terminal device

Families Citing this family (45)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5558091A (en) * 1993-10-06 1996-09-24 Biosense, Inc. Magnetic determination of position and orientation
US5821846A (en) * 1995-05-22 1998-10-13 Steward, Inc. High current ferrite electromagnetic interference suppressor and associated method
US5781091A (en) * 1995-07-24 1998-07-14 Autosplice Systems Inc. Electronic inductive device and method for manufacturing
US6896826B2 (en) * 1997-01-09 2005-05-24 Advanced Technology Materials, Inc. Aqueous cleaning composition containing copper-specific corrosion inhibitor for cleaning inorganic residues on semiconductor substrate
US5783879A (en) * 1997-06-03 1998-07-21 Eastman Kodak Company Micromotor in a ceramic substrate
US6440750B1 (en) 1997-06-10 2002-08-27 Agere Systems Guardian Corporation Method of making integrated circuit having a micromagnetic device
US6118351A (en) * 1997-06-10 2000-09-12 Lucent Technologies Inc. Micromagnetic device for power processing applications and method of manufacture therefor
US6177806B1 (en) 1997-09-03 2001-01-23 International Business Machines Corp. Signal sensor for rf integrated systems
EP0926689A3 (en) * 1997-12-18 1999-12-01 National University of Ireland, Cork Magnetic components and their production
US6105236A (en) * 1998-02-05 2000-08-22 Raytheon Company Magnetic structure for minimizing AC resistance in planar rectangular conductors
US6466454B1 (en) * 1999-05-18 2002-10-15 Ascom Energy Systems Ag Component transformer
FR2779576B1 (fr) * 1998-06-05 2001-04-27 Thomson Csf Module micro-electronique hyperfrequences comportant deux materiaux de substrat differents et procede de fabrication d'un tel module
DE19854234C1 (de) * 1998-11-24 2000-06-21 Bosch Gmbh Robert Induktives Bauelement mit planarer Leitungsstruktur und Verfahren zur Herstellung desselben
US6255714B1 (en) 1999-06-22 2001-07-03 Agere Systems Guardian Corporation Integrated circuit having a micromagnetic device including a ferromagnetic core and method of manufacture therefor
DE19945855A1 (de) * 1999-09-24 2001-03-29 Bosch Gmbh Robert Mikrospule
US6291272B1 (en) 1999-12-23 2001-09-18 International Business Machines Corporation Structure and process for making substrate packages for high frequency application
US6493861B1 (en) 1999-12-28 2002-12-10 Intel Corporation Interconnected series of plated through hole vias and method of fabrication therefor
US7305355B2 (en) * 2000-06-12 2007-12-04 American Express Travel Related Services Company, Inc. Universal shopping cart and order injection system
US6514047B2 (en) 2001-05-04 2003-02-04 Macrosonix Corporation Linear resonance pump and methods for compressing fluid
US6704248B1 (en) 2001-05-25 2004-03-09 Lockheed Martin Corporation High density power module incorporating passive components distributed in a substrate
US6778043B2 (en) * 2001-12-19 2004-08-17 Maxxan Systems, Inc. Method and apparatus for adding inductance to printed circuits
TWI227502B (en) 2003-09-02 2005-02-01 Ind Tech Res Inst Precise multi-pole magnetic components and manufacturing method thereof
WO2006123482A1 (ja) * 2005-05-20 2006-11-23 Murata Manufacturing Co., Ltd. 積層型方向性結合器
US8203418B2 (en) * 2007-01-11 2012-06-19 Planarmag, Inc. Manufacture and use of planar embedded magnetics as discrete components and in integrated connectors
WO2008088682A2 (en) 2007-01-11 2008-07-24 Keyeye Communications Wideband planar transformer
US20090153281A1 (en) * 2007-12-13 2009-06-18 Ahmadreza Rofougaran Method and system for an integrated circuit package with ferri/ferromagnetic layers
US8198714B2 (en) * 2008-03-28 2012-06-12 Broadcom Corporation Method and system for configuring a transformer embedded in a multi-layer integrated circuit (IC) package
WO2010047723A1 (en) * 2008-10-20 2010-04-29 Skyworks Solutions, Inc. Magnetic-dielectric assemblies and methods of fabrication
JP5685815B2 (ja) * 2009-03-16 2015-03-18 Tdk株式会社 トランスおよびスイッチング電源装置
US8089331B2 (en) * 2009-05-12 2012-01-03 Raytheon Company Planar magnetic structure
US9754714B2 (en) * 2009-07-31 2017-09-05 Radial Electronics, Inc. Embedded magnetic components and methods
US20130119511A1 (en) * 2011-11-10 2013-05-16 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Inductor having bond-wire and manufacturing method thereof
US9006584B2 (en) * 2013-08-06 2015-04-14 Texas Instruments Incorporated High voltage polymer dielectric capacitor isolation device
US9142475B2 (en) * 2013-08-13 2015-09-22 Intel Corporation Magnetic contacts
EP3120360A1 (en) * 2014-03-19 2017-01-25 Rompower Energy Systems, Inc. Magnetic structures for low leakage inductance and very high efficiency
US9520793B2 (en) 2014-09-22 2016-12-13 Raytheon Company Stacked power converter assembly
KR20160050950A (ko) * 2014-10-31 2016-05-11 현대모비스 주식회사 인덕터 방열 장치를 구비하는 dc-dc 컨버터
US10050438B2 (en) 2015-10-16 2018-08-14 Raytheon Company Stacked power converter assembly
US10049810B2 (en) 2015-11-09 2018-08-14 Raytheon Company High voltage high frequency transformer
US10050533B2 (en) 2016-07-26 2018-08-14 Raytheon Company High voltage high frequency transformer
US10672553B2 (en) 2017-05-10 2020-06-02 Raytheon Company High voltage high frequency transformer
US11328859B2 (en) * 2017-12-28 2022-05-10 Realtek Semiconductor Corp. High isolation integrated inductor and method therof
US11694832B2 (en) 2019-02-01 2023-07-04 Raytheon Company High voltage high frequency transformer
CN114005653B (zh) * 2020-07-28 2023-11-10 华为技术有限公司 一种变压器、开关电源及通信设备
CN116612960B (zh) * 2023-07-21 2023-12-12 深圳平创半导体有限公司 一种llc磁集成高频变压器

Family Cites Families (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3148356A (en) * 1959-09-14 1964-09-08 Jr George A Hedden Printed circuit connector
US4626816A (en) * 1986-03-05 1986-12-02 American Technical Ceramics Corp. Multilayer series-connected coil assembly on a wafer and method of manufacture
US5017894A (en) * 1989-02-01 1991-05-21 Hitachi Ferrite, Ltd. Lumped constant non-reciprocal circuit element
US5126715A (en) * 1990-07-02 1992-06-30 General Electric Company Low-profile multi-pole conductive film transformer
JPH04206607A (ja) * 1990-11-30 1992-07-28 Hitachi Maxell Ltd 薄膜トランス／インダクタ
US5126714A (en) * 1990-12-20 1992-06-30 The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Navy Integrated circuit transformer
GB2252208B (en) * 1991-01-24 1995-05-03 Burr Brown Corp Hybrid integrated circuit planar transformer
US5349743A (en) * 1991-05-02 1994-09-27 At&T Bell Laboratories Method of making a multilayer monolithic magnet component
US5257000A (en) * 1992-02-14 1993-10-26 At&T Bell Laboratories Circuit elements dependent on core inductance and fabrication thereof

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6836248B2 (en) 2001-03-15 2004-12-28 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Antenna device
CN100346532C (zh) * 2001-03-15 2007-10-31 松下电器产业株式会社 天线装置
US7907092B2 (en) 2002-07-15 2011-03-15 Fractus, S.A. Antenna with one or more holes
US7034764B2 (en) 2002-10-03 2006-04-25 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Antenna device
US8035563B2 (en) 2005-10-25 2011-10-11 Sony Ericsson Mobile Communications Japan, Inc. Multiband antenna device and communication terminal device

Also Published As

Publication number Publication date
US5525941A (en) 1996-06-11
EP0618595A1 (en) 1994-10-05
CA2120452A1 (en) 1994-10-02
US5745981A (en) 1998-05-05

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