JPH05343230A - 薄型インダクタンス素子 - Google Patents
薄型インダクタンス素子Info
- Publication number
- JPH05343230A JPH05343230A JP4153259A JP15325992A JPH05343230A JP H05343230 A JPH05343230 A JP H05343230A JP 4153259 A JP4153259 A JP 4153259A JP 15325992 A JP15325992 A JP 15325992A JP H05343230 A JPH05343230 A JP H05343230A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- thin
- magnetic core
- inductance element
- terminals
- conductors
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 磁気コアの占積率の向上及び漏洩インダクタ
ンスの低減を図った小型の薄型インダクタンス素子を得
る。 【構成】 薄板状磁気コアに１個以上の貫通孔を構成
し、該貫通孔に１本以上の導体を貫通し、該導体のそれ
ぞれは該薄板状磁気コアの面に近接して平行に広がり、
該導体のそれぞれ１本の両端が前記薄板状磁気コアの側
部において２個以上の端子となって現れることを特徴と
する薄型インダクタンス素子。
ンスの低減を図った小型の薄型インダクタンス素子を得
る。 【構成】 薄板状磁気コアに１個以上の貫通孔を構成
し、該貫通孔に１本以上の導体を貫通し、該導体のそれ
ぞれは該薄板状磁気コアの面に近接して平行に広がり、
該導体のそれぞれ１本の両端が前記薄板状磁気コアの側
部において２個以上の端子となって現れることを特徴と
する薄型インダクタンス素子。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、電子機器の小型化・高
周波化・低電力化に対応して、これらに用いられる受動
部品であるインダクタンス素子の小型化・薄型化に関す
る。
周波化・低電力化に対応して、これらに用いられる受動
部品であるインダクタンス素子の小型化・薄型化に関す
る。
【０００２】
【従来の技術】集積回路の進歩にともない、電子機器の
小型化・高周波化・低電力化が急速に進んでいる。その
中で、受動部品であるインダクタンス素子の小型化は能
動部品はもとより、同じ受動部品であるコンデンサー・
抵抗と比べても遅れている。特に、１００ｋＨｚから１
ＭＨｚ帯において、小型で高インダクタンスであり、か
つ数Ｗ程度の電力を扱える素子の開発が強く望まれてい
る。これらの要求に答えるものとして、図１５に示すよ
うに、磁気コアとして零磁歪アモルファス強磁性繊維１
a,１b,・・・１fを用い、導体として導電性繊維２a,２b,・・
・２mを用い、これらを織物状に組み合わせて構成したク
ロスインダクターが提案されている（H.Matsuki,K.Mura
kami,IEEE Trans. Magn., MAG-21, No.5, 1738 (1985)
参照）。このクロスインダクターは単位体積当りのイン
ダクタンスが十数μＨ／mm3と非常に高い値が得られる
ことが特徴である。
小型化・高周波化・低電力化が急速に進んでいる。その
中で、受動部品であるインダクタンス素子の小型化は能
動部品はもとより、同じ受動部品であるコンデンサー・
抵抗と比べても遅れている。特に、１００ｋＨｚから１
ＭＨｚ帯において、小型で高インダクタンスであり、か
つ数Ｗ程度の電力を扱える素子の開発が強く望まれてい
る。これらの要求に答えるものとして、図１５に示すよ
うに、磁気コアとして零磁歪アモルファス強磁性繊維１
a,１b,・・・１fを用い、導体として導電性繊維２a,２b,・・
・２mを用い、これらを織物状に組み合わせて構成したク
ロスインダクターが提案されている（H.Matsuki,K.Mura
kami,IEEE Trans. Magn., MAG-21, No.5, 1738 (1985)
参照）。このクロスインダクターは単位体積当りのイン
ダクタンスが十数μＨ／mm3と非常に高い値が得られる
ことが特徴である。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかし、前記インダク
ターは、反面導体に対する磁気コアの結合度、すなわち
占積率が悪いという欠点があった。また、これに伴い、
トランスとして使用する場合、漏洩インダクタンスが大
きいという欠点もあった。従って、本発明は、上記従来
技術の欠点を改善し、占積率の向上及び漏洩インダクタ
ンスの低減を図った薄型インダクタンス素子を提供する
ことを目的とするものである。
ターは、反面導体に対する磁気コアの結合度、すなわち
占積率が悪いという欠点があった。また、これに伴い、
トランスとして使用する場合、漏洩インダクタンスが大
きいという欠点もあった。従って、本発明は、上記従来
技術の欠点を改善し、占積率の向上及び漏洩インダクタ
ンスの低減を図った薄型インダクタンス素子を提供する
ことを目的とするものである。
【０００４】
【課題を解決するための手段】本発明の薄型インダクタ
ンス素子は、薄板状磁気コアに１個以上の貫通孔を構成
し、該貫通孔に１本以上の導体を貫通し、該導体のそれ
ぞれは該薄板状磁気コアの面に近接して平行に広がり、
該導体のそれぞれ１本の両端が前記薄板状磁気コアの側
部において端子となって現れることを特徴としている。
ンス素子は、薄板状磁気コアに１個以上の貫通孔を構成
し、該貫通孔に１本以上の導体を貫通し、該導体のそれ
ぞれは該薄板状磁気コアの面に近接して平行に広がり、
該導体のそれぞれ１本の両端が前記薄板状磁気コアの側
部において端子となって現れることを特徴としている。
【０００５】
【作用】上記構成によれば、導体に流れる電流により発
生する磁束を薄板状磁気コアが効率よく吸収することが
可能であること及び巻線の端子を数多く取り出せること
から、回路実装上単なるインダクターだけではなくトラ
ンスとしても使用できるので、高性能・高機能な薄型イ
ンダクタンス素子を実現できる。
生する磁束を薄板状磁気コアが効率よく吸収することが
可能であること及び巻線の端子を数多く取り出せること
から、回路実装上単なるインダクターだけではなくトラ
ンスとしても使用できるので、高性能・高機能な薄型イ
ンダクタンス素子を実現できる。
【０００６】
【実施例】以下、図面を参照しつつ本発明の実施例を詳
細に説明する。図１は本発明の基本構成の実施例であ
る。薄板状磁気コアの中心に貫通孔５が開けられてお
り、その中を６本の導体が互いに交差するように貫通
し、それぞれ磁気コア４の両方の側部で端子６a,６b,・・
・６f及び６'a,６'b,・・・６'fを形成している。図１の下
の図は上の図のＡ-Ａ'断面図である。この図に示すよう
に６本の導体は薄板状磁気コアの平面に密着して平行に
配されている。この構成で、６'aと６'b,６bと６c,６'c
と６'d,６dと６e,６'eと６'fをそれぞれ外部で接続すれ
ば、図１のインダクターと同じ構成となり、６aと６fの
端子間でインダクターとして作用する。本発明の特徴
は、図２に示すように、導体が巻回する部分の断面が長
方形であり、その厚みｄと幅ｗの比ｄ／ｗがきわめて小
さいということである。これにより導体を磁気コアに密
着接近させることができ、図１５の従来技術より占積率
が増加する。また、磁気コアが薄板であるため、高周波
で使用する場合、磁気損失が小さいという利点がある。
実験の結果、ｄ／ｗ≦１／３であれば、上記効果が充分
期待されることが分かった。図３は本発明の他の実施例
を示す図である。二つの貫通孔５a,５bが設けられてい
る。同じように６本の導体がそれぞれの貫通孔を互いに
交差して貫通し、磁気コア４aの両方の側部で端子群を
形成している。１本の導体は二つの貫通孔を通過する。
導体が巻回する部分の断面は、上記実施例と同じように
ｄ／ｗ≦１／３になるように設計されている。図４は本
発明の他の実施例を示す図である。三つの貫通孔５a,５
b,５cが設けられている。同じように６本の導体がそれ
ぞれの貫通孔を互いに交差して貫通し、磁気コア４bの
両方の側部で端子群を形成している。１本の導体は三つ
の貫通孔を通過する。導体が巻回する部分の断面は、上
記実施例と同じようにｄ／ｗ≦１／３になるように設計
されている。図５は、本発明の実施例である図４の構造
の上下に、新たに薄板状磁気コア７a,７bを配した場合
を示す。右の図はＢ-Ｂ'断面図を、下の図がＡ-Ａ'断面
図を示す。Ｂ-Ｂ'断面図から分かるように、三つの薄板
状磁気コア７a,４b,７bは端部で密着し閉磁路を形成し
ている。図６は、本発明の他の実施例であり、図４もし
くは図５の本実施例の構造のインダクタンス素子の端子
を外部接続し、端子８ａ、８ｂを有する薄型インダクタ
ーを形成した場合を示す。図中太い矢印は電流の方向
を、細い矢印は磁力線の方向を示す。磁気コア４bの平
面内に二つの閉磁路が構成されていることが分かる。図
７は、本発明の他の実施例であり、図４もしくは図５の
本実施例の構造のインダクタンス素子の端子を外部接続
し、１次側端子が９a、９b、２次側端子が１０a、１０b
を有する１：２の薄型トランスを形成した場合を示す。
図８は、本発明の他の実施例であり、図４もしくは図５
の本実施例の構造のインダクタンス素子の端子を外部接
続し、１次側端子が９'a、９'b、２次側端子が１０'a、
１０'bを有する１：２の薄型トランスを形成した場合を
示す。図７と異なる点は、漏洩インダクタンスを少なく
するために１次側と２次側の巻線が分布して巻回される
ように外部端子の接続の仕方が工夫されていることであ
る。図９は、既に示した本発明の実施例図６の外部端子
の接続において、入力端子を９"a、９"bとし、中間タッ
プから出力端子１０"a、１０"bを取り出した直結型の薄
膜トランスの構成例を示す。これは降圧型のトランスの
例であるが、入出力を逆にすると昇圧トランスとなる。
図１０は、三つの貫通孔を有する磁気コア４bに導体を
貫通させる方法に関する本発明の他の実施例を示す。こ
の方法は、図１１、図１２と組合わされて完成する。図
９は貫通する導体の上側を構成する。１１aは薄膜状導
体１２aを内蔵する絶縁基板である。絶縁基板１１a全面
に分布する多数の丸印はスルーホール１３aであり、基
板表面に部分的に露出している。１４a、１４'aは外部
回路接続されるためのピン状の端子であり、左６本、右
７本作製されている。図１１は、貫通する導体の下側を
構成する。１１bは薄膜状導体１２bを内蔵する絶縁基板
である。絶縁基板１１b全面に分布する多数の丸印はス
ルーホール１３bであり、基板表面に部分的に露出して
いる。１４b、１４'bは外部回路に接続するためのピン
状の端子であり、左７本、右６本作製されている。スル
ーホール１５は上側のピン端子１４a、１４'aを貫通さ
せる孔であり、導体は接続されていない。図１２は、図
１０及び図１１のスルーホール１３a、１３bを接続する
ための基板１１cである。１４c、１４'c、１４"cはピン
端子であり、面に分布する多数の丸印１３ｃ、１３'
ｃ、１３"ｃにより固定されている。図１３は、図１
０、図１１、図１２の絶縁基板１１a、１１b、１１cと
磁気コア４b、７'a、７'bを組み合わせて貫通導体を作
製した本発明の実施例を示す。磁気コア７'a、７'bは貫
通孔が作製された磁気コア４bと同じ形状をしている。
スルーホール１３a、１３bの中をピン端子１４cが貫通
し、ハンダ付け等により上下絶縁基板の導体１２a、１
２bが接続されている。これにより図５の貫通導体６a、
・・・、６fに相当する貫通導体が完成する。図１４は図１
３の斜視図であり、片側の外部端子が１３本、すなわち
貫通導体が１３本あるのが分かる。図では片側しか示し
ていない。また、本実施例ではスルーホールを接続する
ために用いたピン端子１４c、１４'c、１４"cを用いた
が、これらは外部端子としても利用できるので、トラン
スとして使用する場合は、貫通する導体数が少なくて
も、細かい巻線比が得られる等の利点を有することが分
かる。
細に説明する。図１は本発明の基本構成の実施例であ
る。薄板状磁気コアの中心に貫通孔５が開けられてお
り、その中を６本の導体が互いに交差するように貫通
し、それぞれ磁気コア４の両方の側部で端子６a,６b,・・
・６f及び６'a,６'b,・・・６'fを形成している。図１の下
の図は上の図のＡ-Ａ'断面図である。この図に示すよう
に６本の導体は薄板状磁気コアの平面に密着して平行に
配されている。この構成で、６'aと６'b,６bと６c,６'c
と６'d,６dと６e,６'eと６'fをそれぞれ外部で接続すれ
ば、図１のインダクターと同じ構成となり、６aと６fの
端子間でインダクターとして作用する。本発明の特徴
は、図２に示すように、導体が巻回する部分の断面が長
方形であり、その厚みｄと幅ｗの比ｄ／ｗがきわめて小
さいということである。これにより導体を磁気コアに密
着接近させることができ、図１５の従来技術より占積率
が増加する。また、磁気コアが薄板であるため、高周波
で使用する場合、磁気損失が小さいという利点がある。
実験の結果、ｄ／ｗ≦１／３であれば、上記効果が充分
期待されることが分かった。図３は本発明の他の実施例
を示す図である。二つの貫通孔５a,５bが設けられてい
る。同じように６本の導体がそれぞれの貫通孔を互いに
交差して貫通し、磁気コア４aの両方の側部で端子群を
形成している。１本の導体は二つの貫通孔を通過する。
導体が巻回する部分の断面は、上記実施例と同じように
ｄ／ｗ≦１／３になるように設計されている。図４は本
発明の他の実施例を示す図である。三つの貫通孔５a,５
b,５cが設けられている。同じように６本の導体がそれ
ぞれの貫通孔を互いに交差して貫通し、磁気コア４bの
両方の側部で端子群を形成している。１本の導体は三つ
の貫通孔を通過する。導体が巻回する部分の断面は、上
記実施例と同じようにｄ／ｗ≦１／３になるように設計
されている。図５は、本発明の実施例である図４の構造
の上下に、新たに薄板状磁気コア７a,７bを配した場合
を示す。右の図はＢ-Ｂ'断面図を、下の図がＡ-Ａ'断面
図を示す。Ｂ-Ｂ'断面図から分かるように、三つの薄板
状磁気コア７a,４b,７bは端部で密着し閉磁路を形成し
ている。図６は、本発明の他の実施例であり、図４もし
くは図５の本実施例の構造のインダクタンス素子の端子
を外部接続し、端子８ａ、８ｂを有する薄型インダクタ
ーを形成した場合を示す。図中太い矢印は電流の方向
を、細い矢印は磁力線の方向を示す。磁気コア４bの平
面内に二つの閉磁路が構成されていることが分かる。図
７は、本発明の他の実施例であり、図４もしくは図５の
本実施例の構造のインダクタンス素子の端子を外部接続
し、１次側端子が９a、９b、２次側端子が１０a、１０b
を有する１：２の薄型トランスを形成した場合を示す。
図８は、本発明の他の実施例であり、図４もしくは図５
の本実施例の構造のインダクタンス素子の端子を外部接
続し、１次側端子が９'a、９'b、２次側端子が１０'a、
１０'bを有する１：２の薄型トランスを形成した場合を
示す。図７と異なる点は、漏洩インダクタンスを少なく
するために１次側と２次側の巻線が分布して巻回される
ように外部端子の接続の仕方が工夫されていることであ
る。図９は、既に示した本発明の実施例図６の外部端子
の接続において、入力端子を９"a、９"bとし、中間タッ
プから出力端子１０"a、１０"bを取り出した直結型の薄
膜トランスの構成例を示す。これは降圧型のトランスの
例であるが、入出力を逆にすると昇圧トランスとなる。
図１０は、三つの貫通孔を有する磁気コア４bに導体を
貫通させる方法に関する本発明の他の実施例を示す。こ
の方法は、図１１、図１２と組合わされて完成する。図
９は貫通する導体の上側を構成する。１１aは薄膜状導
体１２aを内蔵する絶縁基板である。絶縁基板１１a全面
に分布する多数の丸印はスルーホール１３aであり、基
板表面に部分的に露出している。１４a、１４'aは外部
回路接続されるためのピン状の端子であり、左６本、右
７本作製されている。図１１は、貫通する導体の下側を
構成する。１１bは薄膜状導体１２bを内蔵する絶縁基板
である。絶縁基板１１b全面に分布する多数の丸印はス
ルーホール１３bであり、基板表面に部分的に露出して
いる。１４b、１４'bは外部回路に接続するためのピン
状の端子であり、左７本、右６本作製されている。スル
ーホール１５は上側のピン端子１４a、１４'aを貫通さ
せる孔であり、導体は接続されていない。図１２は、図
１０及び図１１のスルーホール１３a、１３bを接続する
ための基板１１cである。１４c、１４'c、１４"cはピン
端子であり、面に分布する多数の丸印１３ｃ、１３'
ｃ、１３"ｃにより固定されている。図１３は、図１
０、図１１、図１２の絶縁基板１１a、１１b、１１cと
磁気コア４b、７'a、７'bを組み合わせて貫通導体を作
製した本発明の実施例を示す。磁気コア７'a、７'bは貫
通孔が作製された磁気コア４bと同じ形状をしている。
スルーホール１３a、１３bの中をピン端子１４cが貫通
し、ハンダ付け等により上下絶縁基板の導体１２a、１
２bが接続されている。これにより図５の貫通導体６a、
・・・、６fに相当する貫通導体が完成する。図１４は図１
３の斜視図であり、片側の外部端子が１３本、すなわち
貫通導体が１３本あるのが分かる。図では片側しか示し
ていない。また、本実施例ではスルーホールを接続する
ために用いたピン端子１４c、１４'c、１４"cを用いた
が、これらは外部端子としても利用できるので、トラン
スとして使用する場合は、貫通する導体数が少なくて
も、細かい巻線比が得られる等の利点を有することが分
かる。
【０００７】
【発明の効果】本発明によれば、従来技術に比較し、導
体に流れる電流により発生する磁束を効率よく磁気コア
に吸収できること及び任意の端子の取り出しが可能であ
ること等から、高機能で高性能な薄型インダクタンス素
子を提供し得る。
体に流れる電流により発生する磁束を効率よく磁気コア
に吸収できること及び任意の端子の取り出しが可能であ
ること等から、高機能で高性能な薄型インダクタンス素
子を提供し得る。
【図１】本発明の実施例の構造を示す平面図と断面図で
ある。
ある。
【図２】本発明の実施例の構造を示す平面図と断面図で
ある。
ある。
【図３】本発明の実施例の構造を示す平面図と断面図で
ある。
ある。
【図４】本発明の実施例の構造を示す平面図と断面図で
ある。
ある。
【図５】本発明の実施例の構造を示す平面図と断面図で
ある。
ある。
【図６】本発明の薄型インダクタンス素子の応用例を示
す端子の外部接続図である。
す端子の外部接続図である。
【図７】本発明の薄型インダクタンス素子の応用例を示
す端子の外部接続図である。
す端子の外部接続図である。
【図８】本発明の薄型インダクタンス素子の応用例を示
す端子の外部接続図である。
す端子の外部接続図である。
【図９】本発明の薄型インダクタンス素子の応用例を示
す端子の外部接続図である。
す端子の外部接続図である。
【図１０】本発明の実施例を示す薄型インダクタンス素
子の組立図である。
子の組立図である。
【図１１】本発明の実施例を示す薄型インダクタンス素
子の組立図である。
子の組立図である。
【図１２】本発明の実施例を示す薄型インダクタンス素
子の組立図である。
子の組立図である。
【図１３】本発明の実施例を示す薄型インダクタンス素
子の組立図である。
子の組立図である。
【図１４】本発明の実施例を示す薄型インダクタンス素
子の組立図である。
子の組立図である。
【図１５】従来技術の構造図である。
４ 薄板状磁気コア ５ 貫通孔 ６ 導体 １３ 貫通孔 １４ 端子
フロントページの続き (72)発明者 深田 典宏 東京都文京区西片一丁目17番８号日立フェ ライト株式会社内
Claims (6)
- 【請求項１】 薄板状磁気コアに１個以上の貫通孔を構
成し、該貫通孔に１本以上の導体を貫通し、該導体のそ
れぞれは該薄板状磁気コアの面に近接して平行に広が
り、該導体のそれぞれ１本の両端が前記薄板状磁気コア
の側部において２個以上の端子となって現れることを特
徴とする薄型インダクタンス素子。 - 【請求項２】 前記薄板状磁気コアの一つの貫通孔と隣
接する貫通孔との間の断面形状、もしくは前記貫通孔と
側部との間の断面形状が、該断面の厚みをｄ、幅をｗと
した場合、ｄ／ｗ≦１／３であることを特徴とする請求
項１の薄型インダクタンス素子。 - 【請求項３】 前記薄板状磁気コアの上及び／あるいは
下に、前記導体を介して、薄板状磁気コアを配したこと
を特徴とする請求項１の薄型インダクタンス素子。 - 【請求項４】 前記１本以上の導体が、導体膜が被着形
成された絶縁基板により構成されていることを特徴とす
る請求項１または３に記載の薄型インダクタンス素子。 - 【請求項５】 前記外部端子を接続し、薄型インダクタ
ーの構成としたことを特徴とする請求項１または３に記
載のインダクタンス素子。 - 【請求項６】 前記外部端子を接続し、薄型トランスの
構成としたことを特徴とする請求項１または３に記載の
インダクタンス素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4153259A JPH05343230A (ja) | 1992-06-12 | 1992-06-12 | 薄型インダクタンス素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4153259A JPH05343230A (ja) | 1992-06-12 | 1992-06-12 | 薄型インダクタンス素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05343230A true JPH05343230A (ja) | 1993-12-24 |
Family
ID=15558548
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4153259A Pending JPH05343230A (ja) | 1992-06-12 | 1992-06-12 | 薄型インダクタンス素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05343230A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008109139A (ja) * | 2006-10-23 | 2008-05-08 | Commissariat A L'energie Atomique | いくつかのコイルブランチを有するコイル、及び当該コイルの一つを有するマイクロインダクタ |
| JP2020188150A (ja) * | 2019-05-15 | 2020-11-19 | 株式会社デンソー | インダクタおよびその製造方法 |
-
1992
- 1992-06-12 JP JP4153259A patent/JPH05343230A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008109139A (ja) * | 2006-10-23 | 2008-05-08 | Commissariat A L'energie Atomique | いくつかのコイルブランチを有するコイル、及び当該コイルの一つを有するマイクロインダクタ |
| JP2020188150A (ja) * | 2019-05-15 | 2020-11-19 | 株式会社デンソー | インダクタおよびその製造方法 |
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