JPH07142516A - 半導体部品の製造方法 - Google Patents
半導体部品の製造方法Info
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- JPH07142516A JPH07142516A JP30739293A JP30739293A JPH07142516A JP H07142516 A JPH07142516 A JP H07142516A JP 30739293 A JP30739293 A JP 30739293A JP 30739293 A JP30739293 A JP 30739293A JP H07142516 A JPH07142516 A JP H07142516A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 ダイシング時にチップ固定用の導電性接着剤
層を付与する方法における、工程の簡略性や特殊塗布装
置の不要性、付与接着剤の均一厚性、接着処理時間の短
時間性等の利点を活かしつつ、ダイシング時での洗浄液
圧に耐える半導体ウエハの接着保持を満足し、しかも発
泡を伴うことなく充分な接着力で導電性よく固定できて
高温での耐湿特性に優れ、水分膨脹による封止樹脂の割
れを生じない半導体部品を製造効率よく形成できる方法
の開発。 【構成】 支持基材の上に分離容易に設けた低融点金属
層にて接着保持した半導体ウエハを素子小片に分断する
ダイシング工程、及び形成された素子小片（１）を前記
金属層の小片（２）の付着下に支持基材より分離し、そ
の金属層小片を介し素子小片を被着体（３）上に配置し
て加熱下に前記金属層小片を介し接着固定するマウント
工程からなる半導体部品の製造方法。
層を付与する方法における、工程の簡略性や特殊塗布装
置の不要性、付与接着剤の均一厚性、接着処理時間の短
時間性等の利点を活かしつつ、ダイシング時での洗浄液
圧に耐える半導体ウエハの接着保持を満足し、しかも発
泡を伴うことなく充分な接着力で導電性よく固定できて
高温での耐湿特性に優れ、水分膨脹による封止樹脂の割
れを生じない半導体部品を製造効率よく形成できる方法
の開発。 【構成】 支持基材の上に分離容易に設けた低融点金属
層にて接着保持した半導体ウエハを素子小片に分断する
ダイシング工程、及び形成された素子小片（１）を前記
金属層の小片（２）の付着下に支持基材より分離し、そ
の金属層小片を介し素子小片を被着体（３）上に配置し
て加熱下に前記金属層小片を介し接着固定するマウント
工程からなる半導体部品の製造方法。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体ウエハのダイシ
ング時に低融点金属層付きの素子小片を得てその金属層
を接着剤として素子小片をダイパッド等の被着体に効率
よく固定できる半導体部品の製造方法に関する。
ング時に低融点金属層付きの素子小片を得てその金属層
を接着剤として素子小片をダイパッド等の被着体に効率
よく固定できる半導体部品の製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】回路パターンが形成された半導体ウエハ
は、必要に応じ裏面研磨して厚さが調整された後、ダイ
シング工程におかれてウエハの支持下に素子小片に分断
され、得られたチップ（素子小片）がマウント工程にお
かれてリードフレーム等に接着固定され、形成された半
導体部品はボンディング工程や樹脂封止工程等の後続工
程に送られる。
は、必要に応じ裏面研磨して厚さが調整された後、ダイ
シング工程におかれてウエハの支持下に素子小片に分断
され、得られたチップ（素子小片）がマウント工程にお
かれてリードフレーム等に接着固定され、形成された半
導体部品はボンディング工程や樹脂封止工程等の後続工
程に送られる。
【０００３】従来、前記した半導体部品の製造方法とし
ては、ダイシングフィルムでその粘着層を介し半導体ウ
エハを接着保持して素子小片にダイシングしたのち、形
成されたチップをダイシングフィルムより剥離回収し、
ついでそのチップを別途に設けた銀ペースト等の導電性
接着剤を介してリードフレームやダイパッド等の被着体
上に接着固定する方法が知られていた。
ては、ダイシングフィルムでその粘着層を介し半導体ウ
エハを接着保持して素子小片にダイシングしたのち、形
成されたチップをダイシングフィルムより剥離回収し、
ついでそのチップを別途に設けた銀ペースト等の導電性
接着剤を介してリードフレームやダイパッド等の被着体
上に接着固定する方法が知られていた。
【０００４】前記のマウント工程において、チップや被
着体への導電性接着剤の別途の付与では、多工程化や接
着剤塗布のための特殊装置の必要化、接着剤の均一厚塗
布の困難さや接着処理までの長時間化などの問題点があ
ることより、ダイシング時の固定用フィルムを介してマ
ウント工程で必要な導電性接着剤層をチップに付与する
ダイシング・ダイボンドフィルム使用の方法も提案され
ている（特開昭６０−５７６４２号公報）。なおダイシ
ング時では切削屑除去等のため半導体ウエハを２kg／cm
2程度の適度な液圧で洗浄することが普通であり、従っ
てダイシングフィルム等による半導体ウエハの接着保持
にはそれに耐える接着力が要求される。
着体への導電性接着剤の別途の付与では、多工程化や接
着剤塗布のための特殊装置の必要化、接着剤の均一厚塗
布の困難さや接着処理までの長時間化などの問題点があ
ることより、ダイシング時の固定用フィルムを介してマ
ウント工程で必要な導電性接着剤層をチップに付与する
ダイシング・ダイボンドフィルム使用の方法も提案され
ている（特開昭６０−５７６４２号公報）。なおダイシ
ング時では切削屑除去等のため半導体ウエハを２kg／cm
2程度の適度な液圧で洗浄することが普通であり、従っ
てダイシングフィルム等による半導体ウエハの接着保持
にはそれに耐える接着力が要求される。
【０００５】しかしながら、前記のダイシング時にチッ
プ固定用の導電性接着剤層を付与する方法においては、
金属粉等の導電性粉末をエポキシ樹脂やポリイミド系樹
脂からなるバインダを介して固定するようにしたもので
あり、バインダがエポキシ樹脂の場合には高温での耐湿
特性に乏しくて配線回路が経時的に腐食しやすく、ポリ
イミド系樹脂の場合には前駆体が加熱硬化でイミド化す
る際に発生する水やその他の溶媒で発泡して充分な接着
力が発現しにくい問題点があった。また得られた半導体
部品を樹脂封止した場合に導電性接着剤層中の水分膨脹
で封止樹脂が割れ、封止目的が達成されない問題点があ
った。
プ固定用の導電性接着剤層を付与する方法においては、
金属粉等の導電性粉末をエポキシ樹脂やポリイミド系樹
脂からなるバインダを介して固定するようにしたもので
あり、バインダがエポキシ樹脂の場合には高温での耐湿
特性に乏しくて配線回路が経時的に腐食しやすく、ポリ
イミド系樹脂の場合には前駆体が加熱硬化でイミド化す
る際に発生する水やその他の溶媒で発泡して充分な接着
力が発現しにくい問題点があった。また得られた半導体
部品を樹脂封止した場合に導電性接着剤層中の水分膨脹
で封止樹脂が割れ、封止目的が達成されない問題点があ
った。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、ダイシング
時にチップ固定用の導電性接着剤層を付与する方法にお
ける、工程の簡略性や特殊塗布装置の不要性、付与接着
剤の均一厚性、接着処理時間の短時間性等の利点を活か
しつつ、ダイシング時での洗浄液圧に耐える半導体ウエ
ハの接着保持を満足し、しかも発泡を伴うことなく充分
な接着力で導電性よく固定できて高温での耐湿特性に優
れ、水分膨脹による封止樹脂の割れを生じない半導体部
品を製造効率よく形成できる方法の開発を課題とする。
時にチップ固定用の導電性接着剤層を付与する方法にお
ける、工程の簡略性や特殊塗布装置の不要性、付与接着
剤の均一厚性、接着処理時間の短時間性等の利点を活か
しつつ、ダイシング時での洗浄液圧に耐える半導体ウエ
ハの接着保持を満足し、しかも発泡を伴うことなく充分
な接着力で導電性よく固定できて高温での耐湿特性に優
れ、水分膨脹による封止樹脂の割れを生じない半導体部
品を製造効率よく形成できる方法の開発を課題とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明は、支持基材の上
に分離容易に設けた低融点金属層にて接着保持した半導
体ウエハを素子小片に分断するダイシング工程、及び形
成された素子小片を前記金属層の小片の付着下に支持基
材より分離し、その金属層小片を介し素子小片を被着体
上に配置して加熱下に前記金属層小片を介し接着固定す
るマウント工程からなることを特徴とする半導体部品の
製造方法を提供するものである。
に分離容易に設けた低融点金属層にて接着保持した半導
体ウエハを素子小片に分断するダイシング工程、及び形
成された素子小片を前記金属層の小片の付着下に支持基
材より分離し、その金属層小片を介し素子小片を被着体
上に配置して加熱下に前記金属層小片を介し接着固定す
るマウント工程からなることを特徴とする半導体部品の
製造方法を提供するものである。
【０００８】
【作用】支持基材上に低融点金属層を分離容易に有する
もの（以下、ダイシング・ダイボンドフィルムとい
う。）は、易剥離性基材の上に低融点金属層を設けた転
写型シート等として容易に得ることができ、その低融点
金属層を利用して摩擦方式などにより半導体ウエハをダ
イシング時の洗浄液圧に充分に耐える状態で接着保持で
きてダイシング処理を円滑に達成することができる。ま
た得られたチップは、それに整合する低融点金属層小片
の付着下に支持基材より容易に分離でき、その付着金属
層を介してチップの低温でのマウント処理も容易に達成
することができ、金属層を介した接着処理で水分の関与
を防止できマウント時の被着体との熱膨張差によるチッ
プ割れや封止後の封止樹脂割れなども防止することがで
きる。
もの（以下、ダイシング・ダイボンドフィルムとい
う。）は、易剥離性基材の上に低融点金属層を設けた転
写型シート等として容易に得ることができ、その低融点
金属層を利用して摩擦方式などにより半導体ウエハをダ
イシング時の洗浄液圧に充分に耐える状態で接着保持で
きてダイシング処理を円滑に達成することができる。ま
た得られたチップは、それに整合する低融点金属層小片
の付着下に支持基材より容易に分離でき、その付着金属
層を介してチップの低温でのマウント処理も容易に達成
することができ、金属層を介した接着処理で水分の関与
を防止できマウント時の被着体との熱膨張差によるチッ
プ割れや封止後の封止樹脂割れなども防止することがで
きる。
【０００９】
【実施例】本発明方法は、支持基材上に低融点金属層を
分離容易に有するダイシング・ダイボンドフィルムを用
いて半導体ウエハのダイシング処理と、形成チップ（素
子小片）のマウント処理を達成して半導体部品を得るも
のである。図１に本発明による半導体部品を例示した。
１が素子小片、２が低融点金属層の小片、３が被着体で
ある。
分離容易に有するダイシング・ダイボンドフィルムを用
いて半導体ウエハのダイシング処理と、形成チップ（素
子小片）のマウント処理を達成して半導体部品を得るも
のである。図１に本発明による半導体部品を例示した。
１が素子小片、２が低融点金属層の小片、３が被着体で
ある。
【００１０】ダイシング・ダイボンドフィルムの形成
は、例えば真空蒸着方式、スパッタリング方式、イオン
プレーティング方式、メッキ方式、無電解メッキ方式な
どの適宜な薄膜形成方式で低融点金属層を易剥離性の支
持基材の上に設ける方式などにより行うことができる。
図２にかかるダイシング・ダイボンドフィルムを例示し
た。４が易剥離性の支持基材、５が低融点金属層であ
る。
は、例えば真空蒸着方式、スパッタリング方式、イオン
プレーティング方式、メッキ方式、無電解メッキ方式な
どの適宜な薄膜形成方式で低融点金属層を易剥離性の支
持基材の上に設ける方式などにより行うことができる。
図２にかかるダイシング・ダイボンドフィルムを例示し
た。４が易剥離性の支持基材、５が低融点金属層であ
る。
【００１１】易剥離性の支持基材としては、例えば粘着
シート等におけるセパレータなどとして公知の適宜なも
のを用いることができる。一般には、ポリテトラフルオ
ロエチレン、ポリクロロトリフルオロエチレン、ポリフ
ッ化ビニル、ポリフッ化ビニリデン、テトラフルオロエ
チレン・ヘキサフルオロプロピレン共重合体、クロロト
リフルオロエチレン・フッ化ビニリデン共重合体の如き
フッ素系樹脂からなるフィルムやシート、ポリエチレン
やポリプロピレンの如きポリオレフィン系樹脂からなる
フィルムやシート、ポリエステル、ポリアミド、ポリ塩
化ビニル、ポリスチレンの如き通例のプラスチックから
なるフィルムやシート、あるいは金属箔などの薄葉体
を、例えばシリコーン系剥離剤、フッ素系剥離剤、長鎖
アクリル系剥離剤、硫化モリブデンの如き剥離性付与剤
で表面処理したものなどが用いられる。
シート等におけるセパレータなどとして公知の適宜なも
のを用いることができる。一般には、ポリテトラフルオ
ロエチレン、ポリクロロトリフルオロエチレン、ポリフ
ッ化ビニル、ポリフッ化ビニリデン、テトラフルオロエ
チレン・ヘキサフルオロプロピレン共重合体、クロロト
リフルオロエチレン・フッ化ビニリデン共重合体の如き
フッ素系樹脂からなるフィルムやシート、ポリエチレン
やポリプロピレンの如きポリオレフィン系樹脂からなる
フィルムやシート、ポリエステル、ポリアミド、ポリ塩
化ビニル、ポリスチレンの如き通例のプラスチックから
なるフィルムやシート、あるいは金属箔などの薄葉体
を、例えばシリコーン系剥離剤、フッ素系剥離剤、長鎖
アクリル系剥離剤、硫化モリブデンの如き剥離性付与剤
で表面処理したものなどが用いられる。
【００１２】支持基材の厚さは適宜に決定してよいが、
一般には強度や低融点金属層の易分離性などの点より１
〜６００μmとされる。なお支持基材は、延伸処理等に
より伸び率などの変形性を制御したものであってもよ
い。
一般には強度や低融点金属層の易分離性などの点より１
〜６００μmとされる。なお支持基材は、延伸処理等に
より伸び率などの変形性を制御したものであってもよ
い。
【００１３】支持基材の上に分離容易に設ける低融点金
属層は通常、融点が５００℃以下、好ましくは３００℃
以下、特に２００℃以下の金属で形成される。その具体
例としてはインジウム、スズ、ビスマス、タリウム、亜
鉛、パラジウム、それらの合金などがあげられる。また
金／スズ、ニッケル／スズ等の前記金属の混合物なども
あげられる。インジウム、インジウム系合金、スズ系合
金、ビスマス系合金、鉛系合金、タリウム系合金の如き
融点が３００℃以下、特に２００℃以下の金属で層を形
成した場合、低温固定処理が可能となってチップへの熱
的損傷などを防止できる。
属層は通常、融点が５００℃以下、好ましくは３００℃
以下、特に２００℃以下の金属で形成される。その具体
例としてはインジウム、スズ、ビスマス、タリウム、亜
鉛、パラジウム、それらの合金などがあげられる。また
金／スズ、ニッケル／スズ等の前記金属の混合物なども
あげられる。インジウム、インジウム系合金、スズ系合
金、ビスマス系合金、鉛系合金、タリウム系合金の如き
融点が３００℃以下、特に２００℃以下の金属で層を形
成した場合、低温固定処理が可能となってチップへの熱
的損傷などを防止できる。
【００１４】低融点金属層の厚さは、ダイシング時の半
導体ウエハないし形成チップの固定性やダイボンド時の
接着力などの点より、通例１００Å〜１００μm、就中
３００Å〜１０μmとされる。なお低融点金属層は、ダ
イパッド等の被着体や半導体ウエハないしチップ表面へ
の接着（濡れ）性の向上、接着層の信頼性の向上（酸
化、マイグレーション、電食腐食劣化防止）などを目的
に図３に例示の如く、異種金属５１，５２の重畳層５と
して形成されていてもよい。
導体ウエハないし形成チップの固定性やダイボンド時の
接着力などの点より、通例１００Å〜１００μm、就中
３００Å〜１０μmとされる。なお低融点金属層は、ダ
イパッド等の被着体や半導体ウエハないしチップ表面へ
の接着（濡れ）性の向上、接着層の信頼性の向上（酸
化、マイグレーション、電食腐食劣化防止）などを目的
に図３に例示の如く、異種金属５１，５２の重畳層５と
して形成されていてもよい。
【００１５】本発明においてダイシング処理は、支持基
材の上に分離容易に設けた低融点金属層にて半導体ウエ
ハを接着保持し、かかる固定状態で半導体ウエハを素子
小片に分断することにより行われる。低融点金属層によ
る半導体ウエハの接着保持は、例えば図４に例示の如
く、回路パターンを形成した半導体ウエハ６をその裏面
を介し低融点金属層５の上にセットし、必要に応じて熱
ないし超音波等を加えながらコレット棒等の加圧手段７
を介して押圧処理する方式などにより行うことができ
る。
材の上に分離容易に設けた低融点金属層にて半導体ウエ
ハを接着保持し、かかる固定状態で半導体ウエハを素子
小片に分断することにより行われる。低融点金属層によ
る半導体ウエハの接着保持は、例えば図４に例示の如
く、回路パターンを形成した半導体ウエハ６をその裏面
を介し低融点金属層５の上にセットし、必要に応じて熱
ないし超音波等を加えながらコレット棒等の加圧手段７
を介して押圧処理する方式などにより行うことができ
る。
【００１６】低融点金属層で接着保持した半導体ウエハ
の分断は、ダイシングソーなどによる適宜な方式で行っ
てよい。その際、図５に例示の如く分断は半導体ウエハ
６の側より行って、低融点金属層５も分断すること、従
って分断線８が支持基材４にも若干の深さ（ハーフカッ
ト）で形成されるようにすることが、低融点金属層の小
片を形成チップ（素子小片）に過不足なく付着させた状
態で支持基材より分離する点などより好ましい。なお低
融点金属層を分断しない場合でもその小片を形成チップ
に付着させた状態で支持基材より分離することもでき
る。
の分断は、ダイシングソーなどによる適宜な方式で行っ
てよい。その際、図５に例示の如く分断は半導体ウエハ
６の側より行って、低融点金属層５も分断すること、従
って分断線８が支持基材４にも若干の深さ（ハーフカッ
ト）で形成されるようにすることが、低融点金属層の小
片を形成チップ（素子小片）に過不足なく付着させた状
態で支持基材より分離する点などより好ましい。なお低
融点金属層を分断しない場合でもその小片を形成チップ
に付着させた状態で支持基材より分離することもでき
る。
【００１７】一方、形成された素子小片のマウント処理
は、例えば図６に例示の如く、必要に応じて熱ないし超
音波等を加えながら支持基材４を延伸して素子小片を離
間させピックアップ方式等の適宜な回収手段９で素子小
片１を低融点金属層小片２の付着下に支持基材より分離
して回収し、その素子小片１を図７に例示の如く、当該
金属層小片２を介してダイパッドやリードフレーム等か
らなる所定の被着体１０の上に配置し、それを加熱して
前記金属層小片を介し素子小片１を被着体に接着固定す
る方式などにより行うことができる。
は、例えば図６に例示の如く、必要に応じて熱ないし超
音波等を加えながら支持基材４を延伸して素子小片を離
間させピックアップ方式等の適宜な回収手段９で素子小
片１を低融点金属層小片２の付着下に支持基材より分離
して回収し、その素子小片１を図７に例示の如く、当該
金属層小片２を介してダイパッドやリードフレーム等か
らなる所定の被着体１０の上に配置し、それを加熱して
前記金属層小片を介し素子小片１を被着体に接着固定す
る方式などにより行うことができる。
【００１８】なお被着体に接着固定する際の加熱処理に
おいて、低融点金属層が溶融温度未満の温度で活性化し
て充分な接着力を発揮することがあることより、低融点
金属層の溶融温度以上に加熱して接着処理することは必
ずしも要しない。また溶融接着する場合には、必要な接
着力が発現する可及的に低い温度とすることがチップの
熱損傷を防止するうえで好ましい。なお加熱処理は、外
部加熱方式、超音波等による振動に基づく摩擦加熱方
式、それらの併用方式など適宜な方式で行うことができ
る。
おいて、低融点金属層が溶融温度未満の温度で活性化し
て充分な接着力を発揮することがあることより、低融点
金属層の溶融温度以上に加熱して接着処理することは必
ずしも要しない。また溶融接着する場合には、必要な接
着力が発現する可及的に低い温度とすることがチップの
熱損傷を防止するうえで好ましい。なお加熱処理は、外
部加熱方式、超音波等による振動に基づく摩擦加熱方
式、それらの併用方式など適宜な方式で行うことができ
る。
【００１９】なお本発明において、固定対象の半導体ウ
エハないしそのチップ及び被着体については特に限定は
ない。所定の回路パターンを設けたダイオードや発光素
子などを得るための半導体ウエハや、金属又はセラミッ
ク等からなる被着体などの公知物のいずれについても適
宜な組合せで固定処理することができる。
エハないしそのチップ及び被着体については特に限定は
ない。所定の回路パターンを設けたダイオードや発光素
子などを得るための半導体ウエハや、金属又はセラミッ
ク等からなる被着体などの公知物のいずれについても適
宜な組合せで固定処理することができる。
【００２０】実施例１ 厚さ５０μmのポリテトラフルオロエチレン（ＰＴＦ
Ｅ）フィルムに厚さ５μmのインジウム層を蒸着方式で
付設してなるダイシング・ダイボンドフィルムを、テー
ブル上に回路パターン面を介して載置したシリコンウエ
ハ（４インチ径、３７０μm厚、以下同じ）の表面にそ
のインジウム層を介して載せＰＴＦＥフィルム側より２
mm×１０mm角のプラスチック棒にて２kgの荷重を掛けな
がら摩擦してダイシング・ダイボンドフィルムにシリコ
ンウエハを接着保持させ、それを裏返してウエハ側より
ダイシングソーにて２kg／cm2の液圧で洗浄しながらシ
リコンウエハを３mm角に分断した。この際、ＰＴＦＥフ
ィルムはハーフカットされた。
Ｅ）フィルムに厚さ５μmのインジウム層を蒸着方式で
付設してなるダイシング・ダイボンドフィルムを、テー
ブル上に回路パターン面を介して載置したシリコンウエ
ハ（４インチ径、３７０μm厚、以下同じ）の表面にそ
のインジウム層を介して載せＰＴＦＥフィルム側より２
mm×１０mm角のプラスチック棒にて２kgの荷重を掛けな
がら摩擦してダイシング・ダイボンドフィルムにシリコ
ンウエハを接着保持させ、それを裏返してウエハ側より
ダイシングソーにて２kg／cm2の液圧で洗浄しながらシ
リコンウエハを３mm角に分断した。この際、ＰＴＦＥフ
ィルムはハーフカットされた。
【００２１】次に、ＰＴＦＥフィルムを延伸してチップ
を離間させピックアップ方式でチップをインジウム層の
小片と共にＰＴＦＥフィルムより分離回収し、そのまま
チップをインジウム層を介し４２アロイフレーム上に配
置し、２５０℃で１分間加熱してチップを接着固定して
半導体部品を得た。
を離間させピックアップ方式でチップをインジウム層の
小片と共にＰＴＦＥフィルムより分離回収し、そのまま
チップをインジウム層を介し４２アロイフレーム上に配
置し、２５０℃で１分間加熱してチップを接着固定して
半導体部品を得た。
【００２２】実施例２ 厚さ５０μmのＰＴＦＥフィルムに厚さ６μmの錫層とそ
の上に厚さ３μmのインジウム層を蒸着方式で付設して
なる重畳層を有するダイシング・ダイボンドフィルム
を、テーブル上に回路パターン面を介して載置したシリ
コンウエハの表面にその重畳層を介して載せＰＴＦＥフ
ィルム側より直径５mmの半田ゴテにて１kgの荷重を掛け
ながら２００℃で摩擦してダイシング・ダイボンドフィ
ルムにシリコンウエハを接着保持させ、その後、実施例
１と同様にしてダイシングし、かつチップを接着固定し
て半導体部品を得た。ただし、加熱条件は２８０℃で１
分間とした。なお前記において錫層とインジウム層は、
重畳層としてＰＴＦＥフィルムより容易に分離できた。
の上に厚さ３μmのインジウム層を蒸着方式で付設して
なる重畳層を有するダイシング・ダイボンドフィルム
を、テーブル上に回路パターン面を介して載置したシリ
コンウエハの表面にその重畳層を介して載せＰＴＦＥフ
ィルム側より直径５mmの半田ゴテにて１kgの荷重を掛け
ながら２００℃で摩擦してダイシング・ダイボンドフィ
ルムにシリコンウエハを接着保持させ、その後、実施例
１と同様にしてダイシングし、かつチップを接着固定し
て半導体部品を得た。ただし、加熱条件は２８０℃で１
分間とした。なお前記において錫層とインジウム層は、
重畳層としてＰＴＦＥフィルムより容易に分離できた。
【００２３】実施例３ ダイシング・ダイボンドフィルムとしてシリコーン系剥
離剤で表面処理した厚さ２５μmのポリエステルフィル
ムに厚さ５μmのインジウム層を蒸着方式で付設してな
るものを用いたほかは実施例１に準じてダイシングし、
かつチップを接着固定して半導体部品を得た。
離剤で表面処理した厚さ２５μmのポリエステルフィル
ムに厚さ５μmのインジウム層を蒸着方式で付設してな
るものを用いたほかは実施例１に準じてダイシングし、
かつチップを接着固定して半導体部品を得た。
【００２４】評価 前記いずれの実施例においても、ダイシング時にチップ
飛等のトラブルは発生せず、またピックアップ時にもト
ラブルなく容易に金属層と支持基材との間で分離がで
き、金属層が過不足なく付着したチップを回収できた。
さらに固定処理時にフレームやチップが割れることもな
く接着し、そのチップとフレーム間の剪断接着力はいず
れの場合も常温で１５ｋｇ以上、２００℃で１．５ｋｇ
以上と工程上充分な接着力を示した。
飛等のトラブルは発生せず、またピックアップ時にもト
ラブルなく容易に金属層と支持基材との間で分離がで
き、金属層が過不足なく付着したチップを回収できた。
さらに固定処理時にフレームやチップが割れることもな
く接着し、そのチップとフレーム間の剪断接着力はいず
れの場合も常温で１５ｋｇ以上、２００℃で１．５ｋｇ
以上と工程上充分な接着力を示した。
【００２５】
【発明の効果】本発明によれば、支持基材上に分離容易
に設けた低融点金属層を介して半導体ウエハを洗浄液圧
に充分に耐える状態で接着保持してダイシング処理を円
滑に達成でき、かつ形成したチップを低融点金属層と共
に支持基材より容易に分離回収できて、その付着金属層
を介しチップを被着体に容易に接着固定できて半導体部
品を製造効率よく形成することができる。また金属層を
介した接着処理で水分の関与を防止でき、封止後の封止
樹脂割れなども防止できる。さらに融点が２００℃以下
の金属層の場合には、チップと被着体との低温接着を実
現でき、マウント時の熱膨張差によるチップ割れも防止
することができる。
に設けた低融点金属層を介して半導体ウエハを洗浄液圧
に充分に耐える状態で接着保持してダイシング処理を円
滑に達成でき、かつ形成したチップを低融点金属層と共
に支持基材より容易に分離回収できて、その付着金属層
を介しチップを被着体に容易に接着固定できて半導体部
品を製造効率よく形成することができる。また金属層を
介した接着処理で水分の関与を防止でき、封止後の封止
樹脂割れなども防止できる。さらに融点が２００℃以下
の金属層の場合には、チップと被着体との低温接着を実
現でき、マウント時の熱膨張差によるチップ割れも防止
することができる。
【図１】半導体部品を例示した断面図。
【図２】低融点金属層を分離容易に有する支持基材を例
示した断面図。
示した断面図。
【図３】他の低融点金属層を分離容易に有する支持基材
を例示した断面図。
を例示した断面図。
【図４】半導体ウエハと低融点金属層の接着作業の説明
図。
図。
【図５】ダイシング作業の説明図。
【図６】チップの分離回収作業の説明図。
【図７】チップの接着固定作業の説明図。
１：素子小片 ２：低融点金属層の小片 ３，１０：被着体 ４：支持基材 ５：低融点金属層 ６：半導体ウエハ ７：加圧手段 ８：分断線 ９：回収手段
Claims (1)
- 【請求項１】 支持基材の上に分離容易に設けた低融点
金属層にて接着保持した半導体ウエハを素子小片に分断
するダイシング工程、及び形成された素子小片を前記金
属層の小片の付着下に支持基材より分離し、その金属層
小片を介し素子小片を被着体上に配置して加熱下に前記
金属層小片を介し接着固定するマウント工程からなるこ
とを特徴とする半導体部品の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP30739293A JPH07142516A (ja) | 1993-11-12 | 1993-11-12 | 半導体部品の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP30739293A JPH07142516A (ja) | 1993-11-12 | 1993-11-12 | 半導体部品の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07142516A true JPH07142516A (ja) | 1995-06-02 |
Family
ID=17968503
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP30739293A Pending JPH07142516A (ja) | 1993-11-12 | 1993-11-12 | 半導体部品の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07142516A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001176890A (ja) * | 1999-12-21 | 2001-06-29 | Rohm Co Ltd | 半導体装置及び半導体装置の製造方法 |
| JP2001176889A (ja) * | 1999-12-21 | 2001-06-29 | Rohm Co Ltd | 半導体装置及び半導体装置の製造方法 |
-
1993
- 1993-11-12 JP JP30739293A patent/JPH07142516A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001176890A (ja) * | 1999-12-21 | 2001-06-29 | Rohm Co Ltd | 半導体装置及び半導体装置の製造方法 |
| JP2001176889A (ja) * | 1999-12-21 | 2001-06-29 | Rohm Co Ltd | 半導体装置及び半導体装置の製造方法 |
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